JPH09237597A - ゲッター内蔵真空容器、ゲッター測定方法及び画像表示装置 - Google Patents

ゲッター内蔵真空容器、ゲッター測定方法及び画像表示装置

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JPH09237597A
JPH09237597A JP4111096A JP4111096A JPH09237597A JP H09237597 A JPH09237597 A JP H09237597A JP 4111096 A JP4111096 A JP 4111096A JP 4111096 A JP4111096 A JP 4111096A JP H09237597 A JPH09237597 A JP H09237597A
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JP
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getter
vacuum
vacuum container
wiring
container
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JP4111096A
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English (en)
Inventor
Kumiko Kaneko
久美子 金子
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Canon Inc
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Publication date
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  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 真空容器内の真空度が以前より均一化され、
容器の面積を小さくでき、ゲッター配置位置の限定を解
消し、ゲッターの測定もできる真空容器、画像表示装置
を提供すること。 【解決手段】 真空を必要とし真空維持のゲッターを有
する真空容器において、真空容器内部に形成された複本
数の配線のうち、少なくとも該配線のうち隣りあう2本
の配線にまたがって、ゲッター膜が形成されていること
を特徴とする真空容器及びそれを用いた画像表示装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はゲッターを必要とす
る内部が真空に保たれた真空容器、画像表示装置に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、真空を必要とし、真空を維持
する必要のある真空容器、画像表示装置はゲッターを使
用して真空維持を行っている。
【0003】この真空を必要としゲッターを使用する真
空容器の一つとして画像形成装置が挙げられ、その画像
形成装置として蛍光表示管、電界放出型及び表面伝導型
の電子放出素子を用いた表示装置など、主に蛍光体を励
起して発光させる画像表示装置は、平面でかつ明るくみ
やすいなどの利点を有しており、産業上積極的に応用さ
れ、また期待されている。その中で電子ビームを発生源
として、表面伝導型電子放出素子を用い、電子ビームを
加速し蛍光体に照射し、発光させ画像を表示させる薄型
の画像表示装置が各種提案されている。(特開平3−2
61024)図9は、その一例である画像表示装置の斜
視図である。図9において、300は表示管内部を排気
するための排気管(図では封じきり後の状態を示してい
る)で、301は電子放出素子を構成した青板ガラスか
らなるバックプレート、302と303は一定の間隔を
隔て設置された電極、304は電極302,303間に
設けられた電子放出部を含む薄膜、308はメタルバッ
ク309及び蛍光体310が形成された青板ガラスから
なるフェイスプレート、311が外枠であり、314は
ゲッターであり、315はゲッターが素子側に飛散を防
止する遮蔽板である。ゲッター314はパネル内の真空
を維持するという通常目的の蒸発型ゲッター材であり、
蒸発型ゲッター材はフェースプレート308または、バ
ックプレート301に蒸着される。
【0004】ここで、図9を参照して、画像表示装置の
製造方法を説明する。気密容器内は排気管300を通し
て真空排気され、さらにベーキングによって脱ガスを行
った後、排気管の一部を加熱して溶融させ、封じ切る
(閉塞、切断)。最後に気密容器内部の一端に設置され
たゲッター314を加熱して蒸発型ゲッター材料をフェ
ースプレート308またはバックプレート301に蒸着
することによって画像表示装置として完成させる。
【0005】一般にゲッターは一部が開放された金属管
の内部にBaを主成分とする蒸発型ゲッター材をゲッタ
ーコンテナに収納したもので、形状として直線、リング
状のものがある。また、遮蔽板は、ゲッターフラッシュ
後のゲッターが飛散しないようにゲッターと素子の間を
設けられて、ゲッター膜が素子上に形成されないように
している。
【0006】また、ゲッター材は、誘導加熱もしくは通
電加熱によってフラッシュし、ゲッター材を画像表示装
置内に付着させ、ゲッター膜を形成し、ゲッター膜がガ
スを吸着して、パネル内の真空維持、向上を担う。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の真空容器、画像表示装置でのゲッターの設置で
は、真空容器、画像表示装置には、以下のような問題点
がある。
【0008】従来より、真空を必要とし、ゲッターによ
って真空維持する必要のある真空容器、画像表示装置に
は、ゲッターをフラッシュさせるものの、ゲッターその
ものについての測定などをするという考えはなく、ゲッ
ターの広がり範囲の測定やゲッターの経時変化を測定す
る手段が今までなかった。
【0009】また、ゲッターをフラッシュする際、高周
波を使用してフラッシュするゲッターにおいては、配線
などに高周波がかかる状態では、金属配線などに高周波
がかかり、高周波が減衰してしまい、ゲッター部まで高
周波が届かないあるいは、金属配線部分が局部的に加熱
されてしまい真空容器の割れなどが起こるなどのためゲ
ッターの配置位置としては、金属部分を避けて設置する
のが普通であった。そのため、真空容器内、画像表示内
のゲッター設置場所が限定されてしまう。また、そのた
めゲッターの吸着からの容器内の真空分布を考えたゲッ
ター配置位置にするのが困難となり、真空度分布が不均
一となることが考えられ、真空度分布が不均一になるこ
とにより素子特性、画像輝度分布のばらつきが発生する
ことが考えられる。
【0010】また、金属部分を避けるゲッターを設置す
るため、真空容器、画像表示装置には、ゲッター専用ス
ペースを設けなければならず、画像表示領域など以外の
空白部分を必要とするので、真空容器、画像表示装置な
どの面積、体積などが大きくなってしまうというような
問題点があった。
【0011】本発明は上記したような従来の技術が有す
る問題点を解決するためになされたものであり、真空容
器内の真空度が以前より均一化され、容器の面積を小さ
くでき、ゲッター配置位置の限定を解消し、ゲッターの
測定もできるという真空容器、画像表示装置を提供する
ことにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した課題
を解決するために鋭意検討を行ってなされたものであ
り、下述する構成のものである。
【0013】即ち本発明は、真空を必要とし真空維持の
ゲッターを有する真空容器において、真空容器内部に形
成された複本数の配線のうち、少なくとも該配線のうち
隣りあう2本の配線にまたがって、ゲッター膜が形成さ
れていることを特徴とする真空容器を提供することにあ
る。
【0014】また本発明は、真空を必要とし真空維持の
ゲッターを有する真空容器において、真空容器内部のゲ
ッター飛散位置に駆動または表示用取り出し配線上に絶
縁層を有したことを特徴とする真空容器を提供すること
にある。
【0015】また本発明は、真空を必要とし真空維持の
ゲッターを有する真空容器において、真空容器内部のゲ
ッター飛散位置に駆動または表示用取り出し配線上に絶
縁層を有しさらに上部に電極配線を有したことを特徴と
する真空容器を提供することにある。
【0016】また本発明は、真空容器内のゲッター飛散
位置に駆動または表示用取り出し配線あるいは、電極配
線のいずれか1つ、あるいは両方備えた配線を有した真
空容器において、該ゲッタ−が誘導加熱型ゲッターであ
ることを特徴とする上記いずれかの真空容器を提供する
ことにある。
【0017】また本発明は、真空容器内のゲッター飛散
位置に駆動または表示用取り出し配線あるいは、電極配
線のいずれか1つあるいは両方備えた配線を有した真空
容器において、該配線が金属粒子とバインダーとからな
る膜構成によって作製した配線であることを特徴とする
上記いずれかの真空容器を提供することにある。
【0018】また本発明は、真空容器内のゲッター飛散
位置に駆動または表示用取り出し配線あるいは、電極配
線のいずれか1つあるいは両方備えた配線を有した真空
容器において、該配線が金属粒子とバインダーとからな
る膜構成によって作製した配線であって、該配線を通し
てゲッターを加熱する手段が誘導加熱であることを特徴
とする上記いずれかの真空容器を提供することにある。
【0019】また本発明は、真空容器内のゲッター飛散
位置に配線を有し、該配線が真空容器内から継続して真
空容器外気部分に露出している配線を有することを特徴
とする上記いずれかの真空容器を提供することにある。
【0020】さらに本発明は、真空を必要とし真空維持
のゲッターを有する真空容器において、真空容器内のゲ
ッター飛散位置に、電極配線を有した真空容器であっ
て、該電極配線上にゲッター飛散後ゲッターの測定をす
ることを特徴とするゲッター測定方法を提供することに
ある。
【0021】さらに本発明は、真空を必要とし真空維持
のゲッターを有する真空容器において、真空容器内のゲ
ッター飛散位置に、駆動または表示用取り出し配線上に
絶縁層を有しさらに上部に電極配線を有した真空容器で
あって、該電極配線上にゲッター飛散後ゲッターの測定
をすることを特徴とするゲッター測定方法を提供するこ
とにある。
【0022】さらに本発明は、前のいずれか記載の真空
容器に少なくとも電子ビームを発生する電子放出源が設
けられたバックプレートと、前記電子源が発生する電子
ビームが衝突することに発光する蛍光体が設けられたフ
ェースプレートとを対向して配置する外枠とから構成さ
れていることを特徴とする画像表示装置を提供すること
である。
【0023】上記のように構成され、製造された真空容
器、画像表示装置では、ゲッター測定用配線を有してい
るので真空容器内、画像表示装置内のゲッターの広がり
範囲の測定、ゲッターの経時変化の測定ができるように
なった。また、配線側からゲッターを加熱することがで
きるのでゲッター配置、位置の限定を少なくすることが
できるようになり真空度分布を考えたゲッター配置位置
にすることができ、かつ、配線位置も自由にすることが
できるので真空容器、画像表示装置の面積を小さくする
ことができ良好な真空容器、画像表示装置が提供でき
る。
【0024】
【発明の実施の形態】本発明の真空容器、画像表示装置
は、ゲッターを真空維持として必要とする真空容器、画
像表示装置であって、真空容器内部、画像表示内部のゲ
ッター飛散位置に配線を配置することを特徴とするもの
であることにより、先に述べた問題点が解決された真空
容器、画像表示装置が提供される。
【0025】また、ゲッター飛散位置に駆動または表示
用取り出し配線上に絶縁層を有した層構造、さらに上部
に電極配線を有した層構造を有する。あるいは、ゲッタ
ー飛散位置に配線を有し、該配線が真空容器内から継続
して真空容器外気部分に露出している配線を有する。
【0026】あるいは、ゲッター飛散位置に駆動または
表示用取り出し配線上に絶縁層を有した層構造、さらに
上部に電極配線を有した層構造を有し、該層構造上に配
置したゲッターであって、該ゲッターが蒸発型ゲッター
であること。あるいは、配線が金属粒子とバインダーと
からなる膜構成によって作製した配線であること。ある
いは、配線が金属粒子とバインダーとからなる膜構成に
よって作製した配線であって、該配線を通してゲッター
を加熱する手段が誘導加熱であることにより先に述べた
製造上の問題点が、解決された真空容器、画像表示装置
が提供される。本発明はゲッターの測定方法を包括す
る。
【0027】真空を必要としゲッターを使用する真空容
器の一つとして画像形成装置が挙げられる。
【0028】この画像形成装置の一つで電子ビームを用
いた画像表示装置には、例えばフェースプレートとバッ
クプレートに挟まれた真空容器内に電子ビームを発生す
る電子源を有し、その電子源には表面伝導型電子放出素
子を用い、その電子ビームを加速して蛍光体に照射し、
発光させて画像を表示させる薄型の画像表示装置があ
る。
【0029】ここでは、上記表面伝導型電子放出素子に
ついて説明する。図5は基本的な表面伝導型電子放出素
子の構成を示す。図5において、バックプレート21に
は、一対の素子電極22,23が配置され、その素子電
極間をまたぐようにして、スパッタ等で形成された金属
酸化物薄膜などからなる電子放出部形成用薄膜35が形
成されている。この電子放出部形成用薄膜35には、後
述する通電フォーミングと呼ばれる通電処理により電子
放出部24が形成されている。
【0030】通電フォーミングとは前記素子電極22,
23の両端に電圧を印加通電し、電子放出部形成用薄膜
35を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、電気的
に高抵抗な状態にした電子放出部24を形成することで
ある。なお、通電フォーミング処理をした表面伝導型電
子放出素子の電子放出部では電子放出部形成用薄膜35
の一部に亀裂が発生しており、その亀裂付近から電子放
出が行われる。
【0031】以下通電フォーミングにより形成した電子
放出部24を含む電子放出部形成用薄膜35を電子放出
部を含む薄膜と呼ぶ。前記通電フォーミング処理をした
表面伝導型電子放出素子35は、上述の電子放出部を含
む薄膜に電圧を印加し、素子電極間に電流を流すことに
より、上述の電子放出部より電子が放出される。これら
の素子電極、電子放出部を含む全てを電子放出素子と呼
ぶ。
【0032】前述した電子放出部を含む薄膜は微粒子膜
からなる。なお、ここで述べる微粒子膜とは複数の微粒
子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒子が
個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互いに隣
接、あるいは重なり合った状態(島状も含む)の膜も指
す。
【0033】電子放出部を含む薄膜は、Pd,Pt,A
g,Au,Ti,In,Cu,Cr,Fe,Zn,S
n,Ta,W,Pdなどの金属、PdO,SnO2 ,I
2 3 ,PbO.Sb23 などの酸化物、HfB
2 ,ZrB2 ,LaB6 ,CeB 6 ,YB4 ,GdB4
などの硼化物、TiC,ZrC,HfC,TaC,Si
C,WCなどの炭化物、TiN,ZrN,HfNなどの
窒化物、Si,Geなどの半導体、カーボンなどの中か
ら適宜選択される。
【0034】表面伝導型電子放出素子の配列の方式には
表面伝導型電子放出素子を並列に配置し、個々の素子の
両端を配線で接続するはしご型配置や、表面伝導型電子
放出素子の一対の素子電極にそれぞれX方向配線、Y方
向配線を接続した単純マトリクス配置が挙げられる。
【0035】
【実施例】
実施例1 図1は本発明の蛍光表示装置の第1の実施例を示す。図
1(a)は蛍光表示装置を示す上面図であり、図1
(b)に蛍光表示装置の断面図を示す。
【0036】同図において12は表示面でありガラス板
などの透明な基板であるフェースプレート、11ははバ
ックプレート、13は外枠、14はゲッター、15は遮
蔽板、16はストライプ電極である。このフェースプレ
ート12、外枠13とバックプレート11により気密容
器を構成し中が高真空に保たれている。17は陽極パタ
ーン、18はコントロールグリッド、19はフィラメン
トから構成されている。
【0037】以下に蛍光表示装置の製造方法を示す。複
数個の上記陽極パターン17をバックプレート11に作
製したのち、ゲッター14をフラッシュさせるべき真空
容器内から真空容器外部に該当する場所にゲッター測定
用ストライプ電極16を真空蒸着法にて作製した。この
ゲッター測定用ストライプ電極16は、電極幅250μ
mと電極間隔250μmとしてピッチ500μmを形成
した。このバックプレート11に、ゲッター14を接合
した遮蔽板15、外枠13とフェースプレート12の接
着すべき部位に予めフリットガラスを塗布し、排気管
(図示せず)を配置した後に電気炉(図示せず)に入れ
た。電気炉をフリットガラスの封着熱処理温度まで上昇
させた。その後、ゆっくり冷却し室温に戻し気密容器を
電気炉から取り出した。
【0038】続いて排気管(図示せず)より真空ポンプ
によって、容器内を真空に引いた。続いてホットプレー
ト等の加熱手段によって加熱し、脱ガスを行い排気管を
ガスバーナーで加熱し封じ切った。真空容器内に設置し
たゲッター材を適時飛ばし、蛍光表示装置を完成させ
た。
【0039】ここで、ゲッターについて説明する。ゲッ
ター14のゲッターサイズは、外径7mm、厚み0.8
5mm、Ba量は4.5mgである。ゲッターの設置位
置としては、外枠13の高さは3.8mmあり、フェー
スプレート11とバックプレート12のほぼ中間位置に
なるように設置した。また、ゲッターを蒸着(ゲッター
フラッシュ)する際、ゲッター14から、約10mmの
距離をおいて高周波加熱用コイルをセットして高周波を
かけた。
【0040】次に図2にゲッターをストライプ電極16
上に飛ばした状態を示す。20は、ゲッターを飛ばした
後のゲッター薄膜である。このストライプ電極16の真
空容器外部からの電極部の隣接間の抵抗値をテスターで
測定すると図3(a)に示すようにゲッター薄膜がどの
範囲まで蒸着されているかを測定することができ、10
6Ωをゲッター飛散範囲とした場合、ゲッター飛散範囲
は約50mmであった。
【0041】また、ストライプ電極16の抵抗値を時間
毎あるいは、日数毎あるいは月毎に測定すればゲッター
の経時変化を測定することができ、ゲッターの寿命測定
も行うことができるものである。
【0042】図3(b)にゲッターを蒸着させてから数
カ月後に、再度、ゲッターの抵抗値を測定した図を示
す。図3(b)から、上記と同様なゲッターの抵抗値の
測定結果より、106Ωの範囲が狭まっていることがわ
かり、時間の経過とともに内部ガスを吸着することによ
り、ゲッター膜が減少していることがわかった。また、
真空容器内に真空ゲージを設置し、真空度とゲッター減
少状態の相関をとれば、ゲッターの抵抗値変化だけで、
おおよそのゲッター寿命を測定することができる。
【0043】以上述べたように、ゲッター測定用ストラ
イプ電極16をゲッターをフラッシュさせるべき真空容
器内から真空容器外部から測定できるのに該当する場所
に設けると以前まで測定できなかった、ゲッターを飛ば
した後のゲッター飛散範囲が測定でき、また、ゲッター
の経時変化の測定、ゲッターの寿命の測定をすることが
できるようになったので、真空容器内の密閉後のゲッタ
ーの管理ができるようになった。
【0044】実施例2 次に実施態様に示した表面伝導型電子放出素子を使用し
た画像表示装置の例を示す。図4において、電子ビーム
を発生する電子源として複数の表面伝導型電子放出素子
24が形成されたバックプレート21と、電子放出素子
24から放出された電子に作用して画像を表示するフェ
ースプレート27が外枠30を介して互いに対向配置さ
れ、ゲッター25、遮蔽板26が配置されている。バッ
クプレート21と外枠30とフェースプレート27とは
それぞれフリットガラスにより気密接着され、これらバ
ックプレート21、外枠30、及びフェースプレート2
7で気密容器が構成されている。
【0045】フェースプレート27には、その内面に蛍
光体28及び加速電極であるメタルバック29が形成さ
れており、電子放出素子から放出された電子の衝突によ
り蛍光体28が発光することで画像を表示する。また、
バックプレート21のゲッターが飛散されるところに
は、素子電極22、23に電流を流すための引き出し電
極33の上に絶縁膜32が形成され、さらに、その上に
ゲッター測定用ストライプ電極31が形成されている。
【0046】次に、表面伝導型電子放出素子の導電性薄
膜を構成する主材料としてPdOを用い、単純マトリク
ス配置した本実施例の画像表示装置の作製方法を以下に
述べる。
【0047】図5に表面伝導型電子放出素子部の拡大図
を示す。まず、ガラス基板上1にリフトオフ法によっ
て、間隙W=2μm、間隙長さL=200μm、厚さ1
000オングストロームのAuの素子電極22,23を
作製した。
【0048】次に有機Pd溶液(CCP4230奥野製
薬株式会社製)を塗布し、300℃で15分焼成した。
次にレジストパターンをパターニングし、エッチングを
行い、電極にまたがり両電極の間隙を覆い、該間隙方向
に長さL’=100μm、W’=50μmのパターンの
電子放出部形成用薄膜35を作製した。これらの工程に
よって、表面伝導型電子放出素子を同一ガラス基板上に
600×400個製作した。
【0049】なお、電子放出部形成用薄膜35はその他
に、真空蒸着法、スパッタ法、化学的気相堆積法、分散
塗布法、ディッピング法、スピンナー法などによって形
成することができる。
【0050】次に、表面伝導型の電子放出素子の作製
後、外部との電気的接続のため、フォトリソ工程を用い
て厚さ1μmのAu配線を形成した。
【0051】以上のように図6のような単純マトリクス
配置をもったバックプレートを得た。図6において、7
1は基板、72はX方向配線、73がY方向配線、74
は表面伝導型電子放出素子、75は結線である。
【0052】次に電子放出素子形成後、外部との電気的
接続部である引き出し電極33上にゲッター材が蒸着さ
れることによるショートを防止するため絶縁層32であ
るSiO2 をスパッタにより厚さ10μm形成した。さ
らにその上部のゲッターを飛散させる場所に実施例1と
同様にゲッター測定用ストライプ電極31をフォトリソ
工程を用いて厚さ1μmのAu配線を複数本実施例1と
同様に形成した。このゲッター測定用ストライプ電極3
1は、電極幅200μmと電極間隔200μmとしてピ
ッチ400μmを形成した。このゲッター測定用ストラ
イプ電極31は、隣接間のラインとスペースはこれに限
ることなくゲッター飛散後のライン間の抵抗値が測定で
きるものであればよい。
【0053】また、図4の画像表示装置のフェースプレ
ート27の内側表面には、予め蛍光体28を塗布し、さ
らに蛍光体の表面に導電性をもたせたメタルバック29
を形成しておく。
【0054】そして、前記フェースプレート27とバッ
クプレート21、外枠30、排気管(不図示)、遮蔽板
26、ゲッター25の取り付けるべき部分に、フリット
ガラス(日本電気硝子(株)製LS−3081)を塗布
した。
【0055】次に、外枠30、遮蔽板26、ゲッター2
5を挟むようにしてバックプレート21とフェースプレ
ート27を対向させて貼り合わせ、治具などで固定しな
がら装置全体を加熱できる容器を備えた電気炉(不図
示)に入れ、加熱し封着した。その後、ゆっくりと冷却
して室温に戻し、画像表示装置を電気炉から取り出し
た。このときゲッターはゲッターを飛散させる方向をバ
ックプレート側として配置した。
【0056】なお、バックプレート21と外枠30、及
びフェースプレート27と外枠30とを封着する封着材
は、バックプレート21とフェースプレート27と外枠
30を介して気密封着できる材料であれば、どのような
材料で構成されていても構わない。特にその具体例を挙
げるならば、非結晶性の低融点ガラス、結晶性の低融点
ガラスなどがあり、それらを有機溶剤を混合したり、ニ
トロセルロースなどのバインダーと、そのバインダーを
溶解させる有機溶剤とを混合させてペースト状に調合し
たものでもよい。少なくとも封着材の塗布作業温度で
は、粘着性があるものを用いるのが望ましい。
【0057】封着材の塗布方法は、スプレー法、ディス
ペンダー法による注入法など、どのような方法であって
もよく、封着材形成部に所望の封着材を塗布形成できれ
ばよい。
【0058】次に、画像表示装置に取り付けられた排気
管(不図示)から真空ポンプによって、気密容器内を1
-6Torr以下に真空排気した。
【0059】その後、配線を通して素子電極間に14V
印加し、前述したフォーミングと呼ばれる通電処理を行
って電子放出部を形成した。
【0060】次に、通電フォーミングが終了した素子に
活性化工程と呼ぶ処理を施した。
【0061】活性化工程とは、例えば、10-4〜10-5
Torr程度の真空度で、通電フォーミング同様、パル
ス波高値が一定の電圧パルスを繰り返し印加する処理の
ことであり、真空中に存在する有機物質に起因する炭素
及び炭酸化合物を導電薄膜上に堆積させ素子電流If放
出電流Ieを著しく変化させる処理である。活性化工程
は素子電流Ifと放電電流Ieを測定しながら、例え
ば、放出電流Ieが飽和した時点で終了する。また印加
する電圧パルスは動作駆動電圧で行うことが好ましい。
あるいは、有機物質に起因する炭素及び炭酸化合物を導
電膜上に堆積させることができるようなガスを導入する
ことによって同じような処理をすることができる。
【0062】なお、ここで炭素及び炭素化合物とはグラ
ファイト(単、多結晶双方を示す)非晶質カーボン(非
晶質カーボン及び多結晶グラファイトとの混合物を示
す)であり、その膜厚は500オングストローム以下が
好ましく、より好ましくは300オングストローム以下
である。
【0063】こうして作成した電子放出素子をフォーミ
ング工程、活性化工程における真空度よりも高い真空度
の雰囲気下において動作駆動させ、さらに高い真空度の
雰囲気下で150℃の加熱後動作駆動させた。
【0064】そして、画像表示装置の排気管をガスバー
ナーで加熱し、溶着し、気密容器の封止を行った。ゲッ
ター25をバックプレート21上に形成したストライプ
電極31方向にゲッターフラッシュし画像表示装置を完
成させた。
【0065】ゲッター25を飛ばした後、ストライプ電
極31には、ゲッター薄膜が蒸着されており、実施例1
と同様にしてストライプ電極31の隣接間の抵抗値を測
定するとゲッター薄膜がどの範囲まで蒸着されているか
を測定することができ、およその平均的膜厚についても
知ることができた。また、ストライプ電極31の抵抗値
を時間毎あるいは、日数毎に測定すればゲッターの経時
変化を測定することができ、ゲッターの寿命測定も行う
ことができる。
【0066】以上述べたように、ゲッター測定用ストラ
イプ電極31をゲッター配置場所に設けると、以前まで
測定できなかったゲッターを飛ばした後のゲッター飛散
範囲が測定でき、また、ゲッターの経時変化の測定、ゲ
ッターの寿命の測定をすることができるようになったの
で、真空容器内の密閉後のゲッターの管理ができるよう
になった。
【0067】また、外から電流を流すための引き出し電
極があっても、絶縁層を介することにより、引き出し電
極上にゲッター測定用電極を設けることができ、ゲッタ
ー測定用電極の設置場所が限定されなくなった。
【0068】実施例3 図7は、画像表示装置の第3の実施例を示す。図7にお
いて、電子ビームを発生する電子源として複数の表面伝
導型の電子放出素子24が形成されたバックプレート2
1と、電子放出素子24から放出された電子に作用して
画像を表示するフェースプレート27が外枠30を介し
て互いに対向配置され、ゲッター25、遮蔽板26が配
置されている。バックプレート21と外枠30とフェー
スプレート27とはそれぞれ低融点ガラスにより気密接
着され、これらバックプレート21、外枠30、及びフ
ェースプレート27で気密容器が構成されている。
【0069】フェースプレート27側のゲッターを飛ば
すべき場所にはゲッター測定用ストライプ電極34が形
成されている。このフェースプレート27の作製方法に
ついて説明する。
【0070】フェースプレート27には、Ag粒子とP
bOと添加物からなるペーストを用いて、印刷法によ
り、実施例1、2と同様に真空容器内部のゲッターを飛
散されるところから容器外部にかけて複数本のゲッター
用ストライプ配線34を電極幅200μm、電極間隔2
50μmで形成した。配線形成後、480℃、60分の
熱処理を行い、ゲッター用ストライプ配線34を形成し
た。次にその内面に蛍光体28及び加速電極であるメタ
ルバック29を形成し、電子放出素子から放出された電
子の衝突により蛍光体28が発光することで画像を表示
するフェースプレート27を完成させた。なお、ゲッタ
ー測定用ストライプ電極の作製方法は、金属粒子+酸化
物の混合物の構成であれば、その他の方法などによって
も形成することができる。
【0071】次にバックプレートの作製方法について説
明する。電子放出素子24の電子放出材としてPdOを
用いて、単純マトリックス配置による素子構成の画像表
示装置を作製した本実施例を以下に述べる。
【0072】まず、ガラス基板上1にリフトオフ法によ
って、間隙幅2μm、間隙長さ400mμ、厚さ100
0オングストロームのAuの素子電極22、23を作製
した。次に有機Pd溶液(CCP4230奥野製薬株式
会社製)を塗布し、300℃で15分間焼成した。次に
レジストパターンをパターニングし、エッチングを行
い、電極に跨り両電極の間隙を覆い、該間隙方向に長さ
280μm、幅30μmのパターンの電子放出用薄膜3
5を作製した。これらの工程によって、表面伝導型電子
放出素子を同一ガラス基板上に600x400個作製し
た。
【0073】なお、電子放出部形成用薄膜はその他に、
真空蒸着法、スパッタ法、化学的気相堆積法、分散塗布
法、ディッピング法、スピンナー法等によって形成する
ことができる。
【0074】次に、表面伝導型の電子放出素子24の作
製後、外部との電気的接続のため、フォトリソ工程を用
いて厚さ1μmのAu配線を形成しバックプレートを完
成させた。
【0075】上記のように作製したバックプレート2
1、フェースプレート27、その他の部材を使用して、
実施例2と同様に画像表示装置を作製し、そのとき、ゲ
ッター25はフェースプレート27側に飛散させる向き
において作製した。
【0076】作製した画像表示装置をホットプレートに
よって本画像表示装置を約130℃に加熱し、脱ガスを
行った。そして、画像表示装置の排気管(不図示)をガ
スバーナーで加熱し、溶着し、気密容器の封止を行っ
た。ゲッターを飛ばす方法として、高周波を用いた。
【0077】また、本実施例では、ゲッターを飛ばす方
法として、高周波により行っているが、ゲッター上部に
はゲッター測定用電極が形成されている。この配線につ
いてであるが、通常の配線では、上部から高周波を変え
ると配線に高周波がかかり、高周波がほとんどゲッター
コンテナまで到達しなくなってしまうが、印刷で作製し
た配線は高周波の影響をほとんど受けず、渦電流が発生
しにくく、高周波を配線に取られてしまうということが
なく、ゲッターコンテナに十分に高周波がかかりゲッタ
ーを飛散させることができる。
【0078】上記したような画像表示装置を作製し、ゲ
ッター25を飛ばした後、ストライプ電極34には、ゲ
ッター薄膜が蒸着される。このストライプ電極34の隣
接間の抵抗値を測定すると実施例1と同様にゲッター薄
膜がどの範囲まで蒸着されているかを測定することがで
き、また、ストライプ電極31の抵抗値を時間毎あるい
は日数毎に測定するればゲッターの経時変化を測定する
ことができ、ゲッターの寿命測定も行うことができた。
【0079】以上述べたように、ゲッター測定用ストラ
イプ電極34をゲッター飛散場所に設けると、以前まで
測定できなかったゲッターを飛ばした後のゲッター飛散
範囲が測定でき、また、ゲッターの経時変化の測定、ゲ
ッターの寿命の測定をすることができるようになったの
で、真空容器内の密閉後のゲッターの管理ができるよう
になった。また、今まで、基板の真空側に配線があり、
その配線の下側にゲッターを配置するという構成では、
配線に、高周波がかかり、ゲッターコンテナまで高周波
が届かず、ゲッターを飛散させることができなかった
り、配線が高周波によって加熱され基板が割れたりする
ことがあったので上記のような構成にはできなかった
が、本発明では、基板の真空側に印刷により形成した配
線があり、その配線の下にゲッターを配置するという構
成でもゲッターに高周波を十分かけることができ、配線
の下側にゲッターの配置をすることができるようにな
り、ゲッター配置位置の限定がなくなった。
【0080】実施例4 図8は、画像表示装置の第3の実施例を示す。図8にお
いて、電子ビームを発生する電子源として複数の表面伝
導型の電子放出素子24が形成されたバックプレート2
1と、電子放出素子24から放出された電子に作用して
画像を表示するフェースプレート27が外枠30を介し
て互いに対向配置され、ゲッター25、遮蔽板26が配
置されている。バックプレート21と外枠30とフェー
スプレート27とはそれぞれ低融点ガラスにより気密接
着され、これらバックプレート21、外枠30、及びフ
ェースプレート27で気密容器が構成されている。
【0081】フェースプレート27側のゲッターを飛ば
すべき場所にはゲッター測定用ストライプ電極34が形
成されている。このフェースプレート27の作製方法に
ついては実施例3と同じである。
【0082】なお、本発明では、ゲッター測定用電極の
形状は、ストライプ電極としたがこれに限ることなく、
マトリクス型や、その他、ゲッターの抵抗値測定ができ
るものであれば何ら制限されない。また、このゲッター
測定用ストライプ電極は、フェースプレートのメタルバ
ックの高電圧の引き出し電極を兼ねることもできる。
【0083】なお、ゲッター測定用ストライプ電極の作
製方法は、金属粒子+酸化物の混合物の構成であれば、
その他の方法などによっても形成することができる。
【0084】次に、バックプレート21の作製方法につ
いてであるが、本実施例は、バックプレート21の構
成、製造方法は第2実施例と同様であるので、その詳細
の説明は省略する。
【0085】上記のように作製したバックプレート2
1、フェースプレート27、その他の部材を使用して、
実施例2と同様に画像表示装置を作製し、そのとき、ゲ
ッター25はフェースプレート27、バックプレート2
1の両側に飛散させる向きに交互において作製した。
【0086】作製した画像表示装置をホットプレートに
よって本画像表示装置を約150℃に加熱し、脱ガスを
行った。そして、画像表示装置の排気管(不図示)をガ
スバーナーで加熱し、溶着し、気密容器の封止を行う。
画像表示装置内部のゲッターを飛ばす方法として、フェ
ースプレート27側から高周波による誘導加熱方式でゲ
ッターを飛ばし画像表示装置を完成させた。
【0087】また、本実施例では、ゲッターを飛ばす方
法として、誘導加熱である高周波により行っているが、
ゲッター上部にはゲッター測定用電極が形成されてい
る。この配線についてであるが、通常の配線では、配線
側から高周波をかけると配線に高周波がかかり、高周波
がほとんどゲッターコンテナまで到達しなくなってしま
うが、印刷で作製した配線は高周波の影響をほとんど受
けず、渦電流が発生しにくく、高周波を配線に取られて
しまうということがなく、ゲッターコンテナに十分に高
周波がかかりゲッターを飛散させることができるという
ものである。
【0088】本発明では、ゲッターが素子などに飛ばな
いように遮蔽板を設けたが、遮蔽板がないものでも構わ
ない。
【0089】本発明において、配線のある側から誘導加
熱を用いてゲッターを飛散させる場合、ゲッター測定用
配線は印刷法を用いたが、印刷法に限ることなくスピン
ナー法、スプレー法、真空蒸着法などと金属膜とバイン
ダーとの混合物である膜が形成されれば膜形成方法に限
定されない。また配線側から誘導加熱を用いてゲッター
を飛散させる以外の場合は、配線の膜質、及び作製方法
に何ら限定されるものではない。
【0090】上記のような画像表示装置を作製し、ゲッ
ター25を飛ばした後、ストライプ電極31とストライ
プ電極34には、ゲッター薄膜が蒸着される。このスト
ライプ電極31とストライプ電極34の隣接間の抵抗値
を測定すると実施例1と同様にしてゲッター薄膜がどの
範囲まで蒸着されているかを測定することができ、ま
た、ストライプ電極31とストライプ電極34の抵抗値
を時間毎あるいは日数毎に測定すればゲッターの経時変
化を測定することができ、ゲッターの寿命測定も行うこ
とができた。
【0091】以上述べたように、ゲッター測定用ストラ
イプ電極31とストライプ電極34をゲッター飛散場所
に設けると、以前まで測定できなかったゲッターを飛ば
した後のゲッター飛散範囲が測定でき、また、ゲッター
の経時変化の測定、ゲッターの寿命の測定をすることが
できるようになったので、真空容器内の密閉後のゲッタ
ーの管理ができるようになった。また、今まで、基板の
真空側に配線があり、その配線の下側にゲッターを配置
するという構成では、配線に、高周波がかかり、ゲッタ
ーコンテナまで高周波が届かず、ゲッターを飛散させる
ことができなかったり、配線が高周波によって加熱され
基板が割れたりすることがあったので上記のような構成
にはできなかったが、本発明では、基板の真空側に配線
があり、その配線の下にゲッターを配置するという構成
でもゲッターに高周波を十分かけることができ配線の下
側にゲッターの配置をすることができるようになり、ゲ
ッター配置位置の限定がなくなり、真空度分布を考えた
ゲッター配置、配線設計の限定をなくすことができた。
【0092】以上、本発明の実施例の代表例として4つ
の実施例を述べたが、これに限定されるものではない。
本発明の実施例では、ゲッターの誘導加熱はフェースプ
レート側から行うこととしたが、フェースプレートに限
ることなく、バックプレート側から行ってもよく、配線
のある方向から誘導加熱を用いてゲッターを飛散させる
場合、印刷法など金属膜とバインダーと添加物との混合
物である膜が形成されていればよい。また、印刷法に限
定されず、金属膜とバインダーと添加物との混合物であ
る膜が形成されていれば膜形成方法に限定されない。ま
た、配線のある方向から誘導加熱を用いてゲッターを飛
散させる以外の場合は、配線の膜質、及び作製方法にな
んら限定されるものではない。
【0093】また、本発明では、真空容器として、蛍光
表示装置、画像表示装置での実施例を挙げたが、これに
限ることなく、ゲッターを必要とする真空容器であれ
ば、特に限定されるものではない。
【0094】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の構成の真
空容器、画像表示装置においては、ゲッター測定用配線
を有しているので真空容器内、画像表示装置内のゲッタ
ーの飛散範囲を測定し、ゲッターの経時変化の測定がで
きるようになり、内部の管理ができるようになり、ま
た、配線側からゲッター加熱が行えるので、ゲッター配
置位置の限定を少なくすることができるようになり真空
度分布を考えたゲッター配置位置にすることができ、か
つ配線位置も自由にすることができるので真空容器、画
像表示装置の面積を小さくすることができたので良好な
真空容器、画像表示装置が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1の蛍光表示装置の図を示す。
【図2】本発明の実施例1のゲッターが電極上に飛散し
た図を示す。
【図3】(a)ゲッター膜の抵抗値と飛散範囲の図を示
す。 (b)時間経過後のゲッター膜の抵抗値と飛散範囲の図
を示す。
【図4】本発明の実施例2の画像表示装置の図を示す。
【図5】本発明の表面伝導型電子放出素子。
【図6】本発明のマトリクス配線の構成。
【図7】本発明の実施例3の画像表示装置の図を示す。
【図8】本発明の実施例4の画像表示装置の図を示す。
【図9】従来例を示す。
【符号の説明】
11,21 バックプレート 24 電子放出素子 12,27 フェースプレート 28 蛍光体 29 メタルバック 13,30 外枠 22,23 素子電極 16,31,34 ストライプ電極 32 絶縁層 14,25 ゲッター 35 電子放出部形成用薄膜 17 陽極パターン 18 コントロールグリッド 19 フィラメント 20 ゲッター薄膜 33 引き出し電極 26 遮蔽板 71 基板 72 X方向配線 73 Y方向配線 74 表面伝導型電子放出素子 75 結線 300 表示管内部を排気するための排気管 301 電子放出素子を構成した青板ガラスからなるバ
ックプレート 302、303 一定の間隔を隔て設置された電極 304 電極302,303間に設けられた電子放出部
を含む薄膜 308 フェイスプレート 309 メタルバック 310 蛍光体 311 外枠 314 ゲッター 315 ゲッターが素子側に飛散を防止する遮蔽板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01J 31/15 H01J 31/15 Z

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空を必要とし真空維持のゲッターを有
    する真空容器において、真空容器内部に形成された複本
    数の配線のうち、少なくとも該配線のうち隣りあう2本
    の配線にまたがって、ゲッター膜が形成されていること
    を特徴とする真空容器。
  2. 【請求項2】 真空を必要とし真空維持のゲッターを有
    する真空容器において、真空容器内部のゲッター飛散位
    置に駆動または表示用取り出し配線上に絶縁層を有した
    ことを特徴とする真空容器。
  3. 【請求項3】 真空を必要とし真空維持のゲッターを有
    する真空容器において、真空容器内部のゲッター飛散位
    置に駆動または表示用取り出し配線上に絶縁層を有しさ
    らに上部に電極配線を有したことを特徴とする真空容
    器。
  4. 【請求項4】 真空容器内のゲッター飛散位置に駆動ま
    たは表示用取り出し配線あるいは、電極配線のいずれか
    1つ、あるいは両方備えた配線を有した真空容器におい
    て、該ゲッタ−が誘導加熱型ゲッターであることを特徴
    とする請求項1,2,3のいずれか記載の真空容器。
  5. 【請求項5】 真空容器内のゲッター飛散位置に駆動ま
    たは表示用取り出し配線あるいは、電極配線のいずれか
    1つあるいは両方備えた配線を有した真空容器におい
    て、該配線が金属粒子とバインダーとからなる膜構成に
    よって作製した配線であることを特徴とする請求項1,
    2,3,4のいずれか記載の真空容器。
  6. 【請求項6】 真空容器内のゲッター飛散位置に駆動ま
    たは表示用取り出し配線あるいは、電極配線のいずれか
    1つあるいは両方備えた配線を有した真空容器におい
    て、該配線が金属粒子とバインダーとからなる膜構成に
    よって作製した配線であって、該配線を通してゲッター
    を加熱する手段が誘導加熱であることを特徴とする請求
    項1,2,3,4,5のいずれか記載の真空容器。
  7. 【請求項7】 真空容器内のゲッター飛散位置に配線を
    有し、該配線が真空容器内から継続して真空容器外気部
    分に露出している配線を有することを特徴とする請求項
    1,2,3,4,5,6のいずれか記載の真空容器。
  8. 【請求項8】 真空を必要とし真空維持のゲッターを有
    する真空容器において、真空容器内のゲッター飛散位置
    に、電極配線を有した真空容器であって、該電極配線上
    にゲッター飛散後ゲッターの測定をすることを特徴とす
    るゲッター測定方法。
  9. 【請求項9】 真空を必要とし真空維持のゲッターを有
    する真空容器において、真空容器内のゲッター飛散位置
    に、駆動または表示用取り出し配線上に絶縁層を有しさ
    らに上部に電極配線を有した真空容器であって、該電極
    配線上にゲッター飛散後ゲッターの測定をすることを特
    徴とするゲッター測定方法。
  10. 【請求項10】 請求項1、2、3、4、5、6及び7
    記載の真空容器に少なくとも電子ビームを発生する電子
    放出源が設けられたバックプレートと、前記電子源が発
    生する電子ビームが衝突することにより発光する蛍光体
    が設けられたフェースプレートとを対向して配置する外
    枠とから構成されていることを特徴とする画像表示装
    置。
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