JPH09237439A - 相変化型光記録媒体 - Google Patents
相変化型光記録媒体Info
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- JPH09237439A JPH09237439A JP8065901A JP6590196A JPH09237439A JP H09237439 A JPH09237439 A JP H09237439A JP 8065901 A JP8065901 A JP 8065901A JP 6590196 A JP6590196 A JP 6590196A JP H09237439 A JPH09237439 A JP H09237439A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 オーバーライトによる信号の消し残りを少な
くし、消去率の高い相変化型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 記録層の上面及び／又は下面にこの記録
層に接してＳｉＯ2 膜からなる界面層を形成するか、あ
るいは、記録層を挟む保護層をＺｎＳとＳｉＯ2 との混
合膜で形成し、その組成比を膜厚方向で変化させる。
くし、消去率の高い相変化型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 記録層の上面及び／又は下面にこの記録
層に接してＳｉＯ2 膜からなる界面層を形成するか、あ
るいは、記録層を挟む保護層をＺｎＳとＳｉＯ2 との混
合膜で形成し、その組成比を膜厚方向で変化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は書き換えが可能な光
情報記録媒体のなかで、レーザービーム等によって記録
層に相変化を生じさせ、情報の記録、再生及び消去を行
なう相変化型光記録媒体に関する。
情報記録媒体のなかで、レーザービーム等によって記録
層に相変化を生じさせ、情報の記録、再生及び消去を行
なう相変化型光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】相変化型光記録媒体は書き換え可能な光
記録媒体の一種であり、記録層の可逆的な相変化（多く
は結晶−アモルファス間）によって情報を記録するもの
である。単一ヘッドにより単層記録膜で光変調オーバー
ライトが可能であり、また、相変化に伴う反射率の変化
により信号を読み取るので、ＣＤ−ＲＯＭ等の既存の光
記録媒体との互換性が高い等の特徴を有することから、
書き換え可能な光記録媒体として近年盛んに研究開発が
なされている。
記録媒体の一種であり、記録層の可逆的な相変化（多く
は結晶−アモルファス間）によって情報を記録するもの
である。単一ヘッドにより単層記録膜で光変調オーバー
ライトが可能であり、また、相変化に伴う反射率の変化
により信号を読み取るので、ＣＤ−ＲＯＭ等の既存の光
記録媒体との互換性が高い等の特徴を有することから、
書き換え可能な光記録媒体として近年盛んに研究開発が
なされている。
【０００３】相変化型光記録媒体は、一般に、記録層の
結晶相（消去状態）上にレーザービームによってアモル
ファス相の記録マークを形成することによって記録を行
ない結晶相とアモルファス相の反射率の相違を検出する
ことによって再生信号を得る。また、信号記録の際のレ
ーザービームの強度をアモルファス化の強度（ピークパ
ワー）と結晶化の強度（バイアスパワー）との間で強度
変調させることにより（図１参照）、単一ビーム、単層
記録膜の組み合わせで光変調オーバーライト（ダイレク
トオーバーライト）が可能であり、大容量かつ高速転送
レートの記録媒体を得ることができる。
結晶相（消去状態）上にレーザービームによってアモル
ファス相の記録マークを形成することによって記録を行
ない結晶相とアモルファス相の反射率の相違を検出する
ことによって再生信号を得る。また、信号記録の際のレ
ーザービームの強度をアモルファス化の強度（ピークパ
ワー）と結晶化の強度（バイアスパワー）との間で強度
変調させることにより（図１参照）、単一ビーム、単層
記録膜の組み合わせで光変調オーバーライト（ダイレク
トオーバーライト）が可能であり、大容量かつ高速転送
レートの記録媒体を得ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】相変化型光記録媒体で
は上述のようにダイレクトオーバーライトが可能である
が、第一の信号が記録されたトラック上に新たに第二の
信号をオーバーライトした場合、オーバーライト後にも
第一の信号が完全には消えず、いわゆる消し残りが生
じ、消去率があまり良くなく、その結果、信号の再生時
にエラーを生じる等、記録媒体としての信頼性が乏しい
という問題があった。
は上述のようにダイレクトオーバーライトが可能である
が、第一の信号が記録されたトラック上に新たに第二の
信号をオーバーライトした場合、オーバーライト後にも
第一の信号が完全には消えず、いわゆる消し残りが生
じ、消去率があまり良くなく、その結果、信号の再生時
にエラーを生じる等、記録媒体としての信頼性が乏しい
という問題があった。
【０００５】本発明は、オーバーライト後の消し残りを
少なくし、消去率を向上した相変化型光記録媒体を提供
することを目的としている。
少なくし、消去率を向上した相変化型光記録媒体を提供
することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上述のよう
な現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、記録層の上面及
び下面にＳｉＯ2 膜からなる界面層を形成することによ
り、また、記録層を挟む保護層をＺｎＳとＳｉＯ2 との
混合物により形成し、その組成比を膜厚方向で変化さ
せ、記録層と接する側の組成を１００％ＳｉＯ2 とする
ことにより、オーバーライト後の消し残りが少なくな
り、消去率が向上することを見いだし本発明を完成する
に至った。
な現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、記録層の上面及
び下面にＳｉＯ2 膜からなる界面層を形成することによ
り、また、記録層を挟む保護層をＺｎＳとＳｉＯ2 との
混合物により形成し、その組成比を膜厚方向で変化さ
せ、記録層と接する側の組成を１００％ＳｉＯ2 とする
ことにより、オーバーライト後の消し残りが少なくな
り、消去率が向上することを見いだし本発明を完成する
に至った。
【０００７】すなわち、本願の第一の発明の相変化型光
記録媒体は、記録層の結晶相とアモルファス相との間の
可逆的な相変化を利用して情報の記録を行なう相変化型
光記録媒体において、前記記録層の上面及び下面の少な
くともいずれか一方に前記記録層に接して形成されたＳ
ｉＯ2 膜からなる界面層を有することを特徴とするもの
である。このＳｉＯ2 膜からなる界面層の厚さは１〜３
０ｎｍであることが好ましく、１〜２０ｎｍであること
がさらに好ましい。
記録媒体は、記録層の結晶相とアモルファス相との間の
可逆的な相変化を利用して情報の記録を行なう相変化型
光記録媒体において、前記記録層の上面及び下面の少な
くともいずれか一方に前記記録層に接して形成されたＳ
ｉＯ2 膜からなる界面層を有することを特徴とするもの
である。このＳｉＯ2 膜からなる界面層の厚さは１〜３
０ｎｍであることが好ましく、１〜２０ｎｍであること
がさらに好ましい。
【０００８】本発明の相変化型光記録媒体は、例えば、
記録層の結晶相とアモルファス相との間の可逆的な相変
化を利用して情報の記録及び消去を行ない、結晶相とア
モルファス相の反射率の相違を検出することによって記
録された情報を再生するものであり、その構造として
は、例えば、透明な基板上に第一保護層／第一界面層／
記録層／第二界面層／第二保護層の順で積層された積層
構造を有するもの等が例示される。なお、この界面層は
必ずしも記録層の上下面の両方に形成しなければならな
いものではなく、上面（第二界面層）のみ、又は、下面
（第一界面層）のみに形成しても良い。
記録層の結晶相とアモルファス相との間の可逆的な相変
化を利用して情報の記録及び消去を行ない、結晶相とア
モルファス相の反射率の相違を検出することによって記
録された情報を再生するものであり、その構造として
は、例えば、透明な基板上に第一保護層／第一界面層／
記録層／第二界面層／第二保護層の順で積層された積層
構造を有するもの等が例示される。なお、この界面層は
必ずしも記録層の上下面の両方に形成しなければならな
いものではなく、上面（第二界面層）のみ、又は、下面
（第一界面層）のみに形成しても良い。
【０００９】本願の第二の発明の相変化型光記録媒体
は、記録層の結晶相とアモルファス相との間の可逆的な
相変化を利用して情報の記録を行なう相変化型光記録媒
体において、透明な基板上に第一保護層／記録層／第二
保護層の順で積層された積層構造を有し、前記第一保護
層及び前記第二保護層がＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物か
らなり、第一保護層及び第二保護層の少なくともいずれ
か一方が、記録層に接する側では１００％ＳｉＯ2 であ
り、かつ、記録層から遠ざかるにつれてＺｎＳの含有率
が増加するように、その組成が膜厚方向で変化している
ものである。
は、記録層の結晶相とアモルファス相との間の可逆的な
相変化を利用して情報の記録を行なう相変化型光記録媒
体において、透明な基板上に第一保護層／記録層／第二
保護層の順で積層された積層構造を有し、前記第一保護
層及び前記第二保護層がＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物か
らなり、第一保護層及び第二保護層の少なくともいずれ
か一方が、記録層に接する側では１００％ＳｉＯ2 であ
り、かつ、記録層から遠ざかるにつれてＺｎＳの含有率
が増加するように、その組成が膜厚方向で変化している
ものである。
【００１０】以下に本発明を図面を参照して更に詳細に
説明する。
説明する。
【００１１】図２は本願の第一の発明の相変化型光記録
媒体の一例を示す部分断面図である。基板１としては使
用するレーザーの波長領域において十分透明であり、機
械特性などの媒体基板としての特性を満たすものであれ
ば特に限定されず、ガラス、ポリカーボネート、アモル
ファスポリオレフィン等を用いることができる。この基
板１の上に第一保護層２を形成する。第一保護層２とし
ては、例えば、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 、ＡｌＮ、Ｔａ2 Ｏ5
等のいずれか、あるいはそれらの混合物からなる誘電体
膜が例示されるが、ＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物からな
る誘電体膜を用いることが好ましい。この第一保護層２
の上にＳｉＯ2 からなる第一界面層３を形成する。この
第一界面層３の上に記録層４を形成する。記録層４とし
ては、例えば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金、Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅ系合金等が例示されるが、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金
を用いることが好ましい。この記録層４の上にＳｉＯ2
からなる第二界面層５を形成する。さらにこの第二界面
層５の上に第二保護層６を形成する。第二保護層６とし
ては、例えば、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 、ＡｌＮ、Ｔａ2Ｏ5
等のいずれか、あるいはそれらの混合物からなる誘電体
膜が例示されるが、ＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物からな
る誘電体膜を用いることが好ましい。これらの第一保護
層及び第二保護層は記録層を保護する役割のほかに記録
層への光吸収効率を高めたり、また、記録前後の反射光
の変化量を大きくする役割も有するため、これらの厚さ
は使用するレーザー波長や、記録層の膜厚などを考慮し
て最適になるように設計する。
媒体の一例を示す部分断面図である。基板１としては使
用するレーザーの波長領域において十分透明であり、機
械特性などの媒体基板としての特性を満たすものであれ
ば特に限定されず、ガラス、ポリカーボネート、アモル
ファスポリオレフィン等を用いることができる。この基
板１の上に第一保護層２を形成する。第一保護層２とし
ては、例えば、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 、ＡｌＮ、Ｔａ2 Ｏ5
等のいずれか、あるいはそれらの混合物からなる誘電体
膜が例示されるが、ＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物からな
る誘電体膜を用いることが好ましい。この第一保護層２
の上にＳｉＯ2 からなる第一界面層３を形成する。この
第一界面層３の上に記録層４を形成する。記録層４とし
ては、例えば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金、Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅ系合金等が例示されるが、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金
を用いることが好ましい。この記録層４の上にＳｉＯ2
からなる第二界面層５を形成する。さらにこの第二界面
層５の上に第二保護層６を形成する。第二保護層６とし
ては、例えば、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 、ＡｌＮ、Ｔａ2Ｏ5
等のいずれか、あるいはそれらの混合物からなる誘電体
膜が例示されるが、ＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物からな
る誘電体膜を用いることが好ましい。これらの第一保護
層及び第二保護層は記録層を保護する役割のほかに記録
層への光吸収効率を高めたり、また、記録前後の反射光
の変化量を大きくする役割も有するため、これらの厚さ
は使用するレーザー波長や、記録層の膜厚などを考慮し
て最適になるように設計する。
【００１２】上記の第一界面層及び第二界面層は両方形
成しなければ本発明の効果が得られないわけではなく、
第一界面層のみ、あるいは第二界面層のみを形成しても
良い。これらの第一界面層、第二界面層の厚さは各々１
〜３０ｎｍであることが好ましく、各々１〜２０ｎｍで
あることが更に好ましい。なお、第一界面層、第二界面
層の厚さは、互いに同じ厚さとしても良いし、互いに異
なる厚さとしても良い。
成しなければ本発明の効果が得られないわけではなく、
第一界面層のみ、あるいは第二界面層のみを形成しても
良い。これらの第一界面層、第二界面層の厚さは各々１
〜３０ｎｍであることが好ましく、各々１〜２０ｎｍで
あることが更に好ましい。なお、第一界面層、第二界面
層の厚さは、互いに同じ厚さとしても良いし、互いに異
なる厚さとしても良い。
【００１３】図３は本願の第二の発明の相変化型光記録
媒体の一例を示す部分断面図である。基板１１としては
使用するレーザーの波長領域において十分透明であり、
機械特性などの媒体基板としての特性を満たすものであ
れば特に限定されず、ガラス、ポリカーボネート、アモ
ルファスポリオレフィン等を用いることができる。この
基板１１の上に第一保護層１２としてＺｎＳとＳｉＯ2
との混合物からなる誘電体膜を形成する。この際、第一
保護層１２に含まれるＳｉＯ2 のモル比をｘとして、ｘ
の値を膜厚方向で変化させて、記録層側の面ではｘ＝
１．０となるように、つまり、ＳｉＯ2 層が記録層１４
と接するような状態になるようにする。この第一保護層
１２の上に、例えば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金、Ｉｎ−
Ｓｂ−Ｔｅ系合金等からなる記録層１４を形成する。こ
の記録層１４上に第二保護層１６としてＺｎＳとＳｉＯ
2 の混合物からなる誘電体膜を形成する。この際、第二
保護層１６に含まれるＳｉＯ2 のモル比をｘとして、ｘ
＝１．０の状態、つまり、記録層１４にＳｉＯ2 層が接
するような状態から始めて、ｘの値を膜厚方向で変化さ
せて成膜する。これらの第一保護層及び第二保護層は記
録層を保護する役割のほかに記録層への光吸収効率を高
めたり、また、記録前後の反射光の変化量を大きくする
役割も有するため、これらの厚さは使用するレーザー波
長や、記録層の膜厚などを考慮して最適になるように設
計する。
媒体の一例を示す部分断面図である。基板１１としては
使用するレーザーの波長領域において十分透明であり、
機械特性などの媒体基板としての特性を満たすものであ
れば特に限定されず、ガラス、ポリカーボネート、アモ
ルファスポリオレフィン等を用いることができる。この
基板１１の上に第一保護層１２としてＺｎＳとＳｉＯ2
との混合物からなる誘電体膜を形成する。この際、第一
保護層１２に含まれるＳｉＯ2 のモル比をｘとして、ｘ
の値を膜厚方向で変化させて、記録層側の面ではｘ＝
１．０となるように、つまり、ＳｉＯ2 層が記録層１４
と接するような状態になるようにする。この第一保護層
１２の上に、例えば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金、Ｉｎ−
Ｓｂ−Ｔｅ系合金等からなる記録層１４を形成する。こ
の記録層１４上に第二保護層１６としてＺｎＳとＳｉＯ
2 の混合物からなる誘電体膜を形成する。この際、第二
保護層１６に含まれるＳｉＯ2 のモル比をｘとして、ｘ
＝１．０の状態、つまり、記録層１４にＳｉＯ2 層が接
するような状態から始めて、ｘの値を膜厚方向で変化さ
せて成膜する。これらの第一保護層及び第二保護層は記
録層を保護する役割のほかに記録層への光吸収効率を高
めたり、また、記録前後の反射光の変化量を大きくする
役割も有するため、これらの厚さは使用するレーザー波
長や、記録層の膜厚などを考慮して最適になるように設
計する。
【００１４】なお、上記の第一保護層及び第二保護層の
両方の組成を膜厚方向で変化させなければ本発明の効果
が得られないわけではなく、第一保護層のみ、あるいは
第二保護層のみの組成を膜厚方向に変化させて形成して
も良い。また、膜厚方向の組成変化は連続的に変化させ
るだけではなく、階段状に変化させても良い。
両方の組成を膜厚方向で変化させなければ本発明の効果
が得られないわけではなく、第一保護層のみ、あるいは
第二保護層のみの組成を膜厚方向に変化させて形成して
も良い。また、膜厚方向の組成変化は連続的に変化させ
るだけではなく、階段状に変化させても良い。
【００１５】本願の第一の発明及び第二の発明において
は、必要に応じて、前記第二保護層の上に更に反射層を
形成しても良く、反射層としてはアルミニウム合金等よ
りなる金属反射膜を用いることができる。
は、必要に応じて、前記第二保護層の上に更に反射層を
形成しても良く、反射層としてはアルミニウム合金等よ
りなる金属反射膜を用いることができる。
【００１６】また、これらの第一保護層、第二保護層、
記録層、第一界面層、第二界面層、反射層等はＤＣスパ
ッタ法、ＲＦスパッタ法、真空蒸着法等の通常の真空成
膜技術により成膜することができる。
記録層、第一界面層、第二界面層、反射層等はＤＣスパ
ッタ法、ＲＦスパッタ法、真空蒸着法等の通常の真空成
膜技術により成膜することができる。
【００１７】さらに、これらの層を真空成膜技術により
形成した後、更にその上に、必要に応じて合成樹脂等か
らなる保護コート層を形成しても良い。
形成した後、更にその上に、必要に応じて合成樹脂等か
らなる保護コート層を形成しても良い。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
【００１９】（実施例１及び比較例１）以下に示すよう
にして、図４に示すような構造の相変化型光ディスクを
製造した。ポリカーボネート製のディスク状の基板２１
上にＺｎＳ−20mol%ＳｉＯ2 からなる第一保護層２２
（膜厚：１００ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより成膜
した。この後、ＳｉＯ2 からなる第一界面層２３をＲＦ
スパッタリングにより成膜した。さらに、Ｇｅ1 Ｓｂ2
Ｔｅ4 合金からなる記録層２４（膜厚：２５ｎｍ）をＧ
ｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ4 合金ターゲットのＤＣスパッタリング
により成膜した。この上にＳｉＯ2 からなる第二界面層
２５をＲＦスパッタリングにより成膜した。さらにＺｎ
Ｓ−20mol%ＳｉＯ2 からなる第二保護層２６（膜厚：２
０ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより成膜した。この
後、反射層２７としてＡｌ−1.5wt%Ｃｒ合金膜（膜厚：
２００ｎｍ）をＤＣスパッタリングにより成膜した。
にして、図４に示すような構造の相変化型光ディスクを
製造した。ポリカーボネート製のディスク状の基板２１
上にＺｎＳ−20mol%ＳｉＯ2 からなる第一保護層２２
（膜厚：１００ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより成膜
した。この後、ＳｉＯ2 からなる第一界面層２３をＲＦ
スパッタリングにより成膜した。さらに、Ｇｅ1 Ｓｂ2
Ｔｅ4 合金からなる記録層２４（膜厚：２５ｎｍ）をＧ
ｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ4 合金ターゲットのＤＣスパッタリング
により成膜した。この上にＳｉＯ2 からなる第二界面層
２５をＲＦスパッタリングにより成膜した。さらにＺｎ
Ｓ−20mol%ＳｉＯ2 からなる第二保護層２６（膜厚：２
０ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより成膜した。この
後、反射層２７としてＡｌ−1.5wt%Ｃｒ合金膜（膜厚：
２００ｎｍ）をＤＣスパッタリングにより成膜した。
【００２０】以上のような構造で下記の表１に示すよう
な種々の厚さの界面層（第一界面層、第二界面層とも同
じ厚さとする）を有する相変化型光ディスクを作製し
た。なお、比較例１として、第一界面層及び第二界面層
の厚さをともに０ｎｍとした相変化型光ディスク、すな
わち、第一界面層及び第二界面層を形成しなかったこと
以外は、上記と同様にして作製した相変化型光ディスク
を作製した。
な種々の厚さの界面層（第一界面層、第二界面層とも同
じ厚さとする）を有する相変化型光ディスクを作製し
た。なお、比較例１として、第一界面層及び第二界面層
の厚さをともに０ｎｍとした相変化型光ディスク、すな
わち、第一界面層及び第二界面層を形成しなかったこと
以外は、上記と同様にして作製した相変化型光ディスク
を作製した。
【００２１】
【表１】
【００２２】以上のようにして得られた相変化型光ディ
スクを記録再生装置にセットして、線速度１０．１ｍ／
ｓｅｃで回転させながら、６８０ｎｍの波長のレーザー
ビームを６ｍＷの強度で照射して記録層を結晶化させ
た。次に、記録層を結晶化させた領域のトラック上に同
じ装置を使用して、線速度１０．１ｍ／ｓｅｃで３．５
９ＭＨｚの変調信号（パルス幅＝３５ｎｓ）を記録し、
この上に９．５７ＭＨｚの変調信号（パルス幅＝３５ｎ
ｓ）をオーバーライト記録した。この記録の際、図５に
示すようなオフパルスを付加したレーザー変調パターン
を使用し、ピークパワー（Ｐｐ）を１２．０ｍＷ、再生
パワー（Ｐｒ）を１．０ｍＷ、オフパルスパワー（Ｐof
f ）を１．０ｍＷとした。また、オフパルスの幅は２５
ｎｓとした。
スクを記録再生装置にセットして、線速度１０．１ｍ／
ｓｅｃで回転させながら、６８０ｎｍの波長のレーザー
ビームを６ｍＷの強度で照射して記録層を結晶化させ
た。次に、記録層を結晶化させた領域のトラック上に同
じ装置を使用して、線速度１０．１ｍ／ｓｅｃで３．５
９ＭＨｚの変調信号（パルス幅＝３５ｎｓ）を記録し、
この上に９．５７ＭＨｚの変調信号（パルス幅＝３５ｎ
ｓ）をオーバーライト記録した。この記録の際、図５に
示すようなオフパルスを付加したレーザー変調パターン
を使用し、ピークパワー（Ｐｐ）を１２．０ｍＷ、再生
パワー（Ｐｒ）を１．０ｍＷ、オフパルスパワー（Ｐof
f ）を１．０ｍＷとした。また、オフパルスの幅は２５
ｎｓとした。
【００２３】上記のようなオーバーライト記録を行なっ
た際、９．５７ＭＨｚの信号でオーバーライトした後の
９．５７ＭＨｚの信号のキャリアレベルと３．５９ＭＨ
ｚの信号のキャリアレベル（消し残り）の差をＯＷ消去
率として定義して、界面層膜厚を変化させた各々のサン
プルについてこのＯＷ消去率のバイアスパワー（Ｐｂ）
依存性を測定した。例として、Ａ−３（界面層膜厚５ｎ
ｍ）のサンプルの測定結果を図６に示す。これらの測定
から各々の界面層膜厚でのＯＷ消去率の最大値を求め
た。これらのＯＷ消去率の最大値の界面層膜厚依存性を
図７に示す。このグラフから界面層膜厚が１〜３０ｎｍ
の範囲でＯＷ消去率が向上しており、特に１〜２０ｎｍ
の範囲で著しくＯＷ消去率が改善されていることが分か
る。
た際、９．５７ＭＨｚの信号でオーバーライトした後の
９．５７ＭＨｚの信号のキャリアレベルと３．５９ＭＨ
ｚの信号のキャリアレベル（消し残り）の差をＯＷ消去
率として定義して、界面層膜厚を変化させた各々のサン
プルについてこのＯＷ消去率のバイアスパワー（Ｐｂ）
依存性を測定した。例として、Ａ−３（界面層膜厚５ｎ
ｍ）のサンプルの測定結果を図６に示す。これらの測定
から各々の界面層膜厚でのＯＷ消去率の最大値を求め
た。これらのＯＷ消去率の最大値の界面層膜厚依存性を
図７に示す。このグラフから界面層膜厚が１〜３０ｎｍ
の範囲でＯＷ消去率が向上しており、特に１〜２０ｎｍ
の範囲で著しくＯＷ消去率が改善されていることが分か
る。
【００２４】（実施例２）以下に示すようにして、図８
に示すような構造の相変化型光ディスクを製造した。ポ
リカーボネート製のディスク状の基板３１上にＺｎＳ−
20mol%ＳｉＯ2 からなる第一保護層３２（膜厚：１００
ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより成膜した。この後、
ＳｉＯ2 からなる第一界面層３３をＲＦスパッタリング
により成膜した。さらに、Ｇｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ4 合金から
なる記録層３４（膜厚：２５ｎｍ）をＧｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ
4 合金ターゲットのＤＣスパッタリングにより成膜し
た。この上にＺｎＳ−20mol%ＳｉＯ2 からなる第二保護
層３６（膜厚：２０ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより
成膜した。この後、反射層３７としてＡｌ−1.5wt%Ｃｒ
合金膜（膜厚：２００ｎｍ）をＤＣスパッタリングによ
り成膜した。
に示すような構造の相変化型光ディスクを製造した。ポ
リカーボネート製のディスク状の基板３１上にＺｎＳ−
20mol%ＳｉＯ2 からなる第一保護層３２（膜厚：１００
ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより成膜した。この後、
ＳｉＯ2 からなる第一界面層３３をＲＦスパッタリング
により成膜した。さらに、Ｇｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ4 合金から
なる記録層３４（膜厚：２５ｎｍ）をＧｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ
4 合金ターゲットのＤＣスパッタリングにより成膜し
た。この上にＺｎＳ−20mol%ＳｉＯ2 からなる第二保護
層３６（膜厚：２０ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより
成膜した。この後、反射層３７としてＡｌ−1.5wt%Ｃｒ
合金膜（膜厚：２００ｎｍ）をＤＣスパッタリングによ
り成膜した。
【００２５】以上のような構造で下記の表２に示すよう
な種々の厚さの第一界面層を有する相変化型光ディスク
を作製した。なお、第一界面層の厚さが０ｎｍのサンプ
ルは、上記の比較例１と同じサンプルである。
な種々の厚さの第一界面層を有する相変化型光ディスク
を作製した。なお、第一界面層の厚さが０ｎｍのサンプ
ルは、上記の比較例１と同じサンプルである。
【００２６】
【表２】
【００２７】以上のようにして得られた相変化型光ディ
スクについて実施例１と同様の測定を行った。すなわ
ち、これらの相変化型光ディスクを記録再生装置にセッ
トして、線速度１０．１ｍ／ｓｅｃで回転させながら、
６８０ｎｍの波長のレーザービームを６ｍＷの強度で照
射して記録層を結晶化させた。次に、記録層を結晶化さ
せた領域のトラック上に同じ装置を使用して、線速度１
０．１ｍ／ｓｅｃで３．５９ＭＨｚの変調信号（パルス
幅＝３５ｎｓ）を記録し、この上に９．５７ＭＨｚの変
調信号（パルス幅＝３５ｎｓ）をオーバーライト記録し
た。この記録の際、図５に示すようなオフパルスを付加
したレーザー変調パターンを使用し、ピークパワー（Ｐ
ｐ）を１２．０ｍＷ、再生パワー（Ｐｒ）を１．０ｍ
Ｗ、オフパルスパワー（Ｐoff ）を１．０ｍＷとした。
また、オフパルスの幅は２５ｎｓとした。実施例１と同
様に、第一界面層膜厚を変化させたサンプルに対して、
ＯＷ消去率のバイアスパワー（Ｐｂ）依存性を測定し、
これらの測定から各々の第一界面層膜厚でのＯＷ消去率
の最大値を求めた。これらのＯＷ消去率の最大値の第一
界面層膜厚依存性を図９に示す。このグラフから第一界
面層しか形成しない場合でも第一界面層膜厚が１〜３０
ｎｍの範囲でＯＷ消去率が向上しており、特に１〜２０
ｎｍの範囲で著しくＯＷ消去率が改善されていることが
分かる。
スクについて実施例１と同様の測定を行った。すなわ
ち、これらの相変化型光ディスクを記録再生装置にセッ
トして、線速度１０．１ｍ／ｓｅｃで回転させながら、
６８０ｎｍの波長のレーザービームを６ｍＷの強度で照
射して記録層を結晶化させた。次に、記録層を結晶化さ
せた領域のトラック上に同じ装置を使用して、線速度１
０．１ｍ／ｓｅｃで３．５９ＭＨｚの変調信号（パルス
幅＝３５ｎｓ）を記録し、この上に９．５７ＭＨｚの変
調信号（パルス幅＝３５ｎｓ）をオーバーライト記録し
た。この記録の際、図５に示すようなオフパルスを付加
したレーザー変調パターンを使用し、ピークパワー（Ｐ
ｐ）を１２．０ｍＷ、再生パワー（Ｐｒ）を１．０ｍ
Ｗ、オフパルスパワー（Ｐoff ）を１．０ｍＷとした。
また、オフパルスの幅は２５ｎｓとした。実施例１と同
様に、第一界面層膜厚を変化させたサンプルに対して、
ＯＷ消去率のバイアスパワー（Ｐｂ）依存性を測定し、
これらの測定から各々の第一界面層膜厚でのＯＷ消去率
の最大値を求めた。これらのＯＷ消去率の最大値の第一
界面層膜厚依存性を図９に示す。このグラフから第一界
面層しか形成しない場合でも第一界面層膜厚が１〜３０
ｎｍの範囲でＯＷ消去率が向上しており、特に１〜２０
ｎｍの範囲で著しくＯＷ消去率が改善されていることが
分かる。
【００２８】（実施例３）以下に示すようにして、図１
０に示すような構造の相変化型光ディスクを製造した。
ポリカーボネート製のディスク状の基板４１上にＺｎＳ
−20mol%ＳｉＯ2 からなる第一保護層４２（膜厚：１０
０ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより成膜した。この
後、Ｇｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ4 合金からなる記録層４４（膜
厚：２５ｎｍ）をＧｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ4 合金ターゲットの
ＤＣスパッタリングにより成膜した。この上にＳｉＯ2
からなる第二界面層４５をＲＦスパッタリングにより成
膜した。さらにＺｎＳ−20mol%ＳｉＯ2 からなる第二保
護層４６（膜厚：２０ｎｍ）をＲＦスパッタリングによ
り成膜した。この後、反射層４７としてＡｌ−1.5wt%Ｃ
ｒ合金膜（膜厚：２００ｎｍ）をＤＣスパッタリングに
より成膜した。
０に示すような構造の相変化型光ディスクを製造した。
ポリカーボネート製のディスク状の基板４１上にＺｎＳ
−20mol%ＳｉＯ2 からなる第一保護層４２（膜厚：１０
０ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより成膜した。この
後、Ｇｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ4 合金からなる記録層４４（膜
厚：２５ｎｍ）をＧｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ4 合金ターゲットの
ＤＣスパッタリングにより成膜した。この上にＳｉＯ2
からなる第二界面層４５をＲＦスパッタリングにより成
膜した。さらにＺｎＳ−20mol%ＳｉＯ2 からなる第二保
護層４６（膜厚：２０ｎｍ）をＲＦスパッタリングによ
り成膜した。この後、反射層４７としてＡｌ−1.5wt%Ｃ
ｒ合金膜（膜厚：２００ｎｍ）をＤＣスパッタリングに
より成膜した。
【００２９】以上のような構造で下記の表３に示すよう
な種々の厚さの第二界面層を有する相変化型光ディスク
を作製した。なお、第二界面層の厚さが０ｎｍのサンプ
ルは、上記の比較例１と同じサンプルである。
な種々の厚さの第二界面層を有する相変化型光ディスク
を作製した。なお、第二界面層の厚さが０ｎｍのサンプ
ルは、上記の比較例１と同じサンプルである。
【００３０】
【表３】
【００３１】以上のようにして得られた相変化型光ディ
スクについて実施例１と同様の測定を行った。すなわ
ち、これらの相変化型光ディスクを記録再生装置にセッ
トして、線速度１０．１ｍ／ｓｅｃで回転させながら、
６８０ｎｍの波長のレーザービームを６ｍＷの強度で照
射して記録層を結晶化させた。次に、記録層を結晶化さ
せた領域のトラック上に同じ装置を使用して、線速度１
０．１ｍ／ｓｅｃで３．５９ＭＨｚの変調信号（パルス
幅＝３５ｎｓ）を記録し、この上に９．５７ＭＨｚの変
調信号（パルス幅＝３５ｎｓ）をオーバーライト記録し
た。この記録の際、図５に示すようなオフパルスを付加
したレーザー変調パターンを使用し、ピークパワー（Ｐ
ｐ）を１２．０ｍＷ、再生パワー（Ｐｒ）を１．０ｍ
Ｗ、オフパルスパワー（Ｐoff ）を１．０ｍＷとした。
また、オフパルスの幅は２５ｎｓとした。
スクについて実施例１と同様の測定を行った。すなわ
ち、これらの相変化型光ディスクを記録再生装置にセッ
トして、線速度１０．１ｍ／ｓｅｃで回転させながら、
６８０ｎｍの波長のレーザービームを６ｍＷの強度で照
射して記録層を結晶化させた。次に、記録層を結晶化さ
せた領域のトラック上に同じ装置を使用して、線速度１
０．１ｍ／ｓｅｃで３．５９ＭＨｚの変調信号（パルス
幅＝３５ｎｓ）を記録し、この上に９．５７ＭＨｚの変
調信号（パルス幅＝３５ｎｓ）をオーバーライト記録し
た。この記録の際、図５に示すようなオフパルスを付加
したレーザー変調パターンを使用し、ピークパワー（Ｐ
ｐ）を１２．０ｍＷ、再生パワー（Ｐｒ）を１．０ｍ
Ｗ、オフパルスパワー（Ｐoff ）を１．０ｍＷとした。
また、オフパルスの幅は２５ｎｓとした。
【００３２】実施例１と同様に、第二界面層膜厚を変化
させたサンプルに対して、ＯＷ消去率のバイアスパワー
（Ｐｂ）依存性を測定し、これらの測定から各々の第二
界面層膜厚での消去率の最大値を求めた。これらのＯＷ
消去率の最大値の第二界面層膜厚依存性を図１１に示
す。このグラフから第二界面層しか形成しない場合でも
第二界面層膜厚が１〜３０ｎｍの範囲でＯＷ消去率が向
上しており、特に１〜２０ｎｍの範囲で著しくＯＷ消去
率が改善されていることが分かる。
させたサンプルに対して、ＯＷ消去率のバイアスパワー
（Ｐｂ）依存性を測定し、これらの測定から各々の第二
界面層膜厚での消去率の最大値を求めた。これらのＯＷ
消去率の最大値の第二界面層膜厚依存性を図１１に示
す。このグラフから第二界面層しか形成しない場合でも
第二界面層膜厚が１〜３０ｎｍの範囲でＯＷ消去率が向
上しており、特に１〜２０ｎｍの範囲で著しくＯＷ消去
率が改善されていることが分かる。
【００３３】（実施例４）以下に示すようにして、図１
２に示すような構造の相変化型光ディスクを製造した。
ポリカーボネート製のディスク状の基板５１上にＺｎＳ
−ＳｉＯ2 からなる第一保護層５２（膜厚：１００ｎ
ｍ）をＲＦスパッタリングにより成膜した。この際、Ｚ
ｎＳタ−ゲットとＳｉＯ2 ターゲットの同時スパッタの
方法でＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合膜を形成し、両ターゲット
のスパッタパワーを調整・変化させ、膜厚方向に対して
図１３に示すような組成変化とした。この後、Ｇｅ1 Ｓ
ｂ2 Ｔｅ4 合金からなる記録層５４（膜厚：２５ｎｍ）
をＧｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ4 合金ターゲットのＤＣスパッタリ
ングにより成膜した。この上にＺｎＳ−ＳｉＯ2 からな
る第二保護層５６（膜厚：２０ｎｍ）をＲＦスパッタリ
ングにより成膜した。この際、ＺｎＳターゲットとＳｉ
Ｏ2 ターゲットの同時スパッタの方法でＺｎＳ−ＳｉＯ
2 混合膜を形成し、両ターゲットのスパッタパワーを調
整・変化させ、膜厚方向に対して図１４に示すような組
成変化とした。この後、反射層５７としてＡｌ−1.5wt%
Ｃｒ合金膜（膜厚：２００ｎｍ）をＤＣスパッタリング
により成膜した。
２に示すような構造の相変化型光ディスクを製造した。
ポリカーボネート製のディスク状の基板５１上にＺｎＳ
−ＳｉＯ2 からなる第一保護層５２（膜厚：１００ｎ
ｍ）をＲＦスパッタリングにより成膜した。この際、Ｚ
ｎＳタ−ゲットとＳｉＯ2 ターゲットの同時スパッタの
方法でＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合膜を形成し、両ターゲット
のスパッタパワーを調整・変化させ、膜厚方向に対して
図１３に示すような組成変化とした。この後、Ｇｅ1 Ｓ
ｂ2 Ｔｅ4 合金からなる記録層５４（膜厚：２５ｎｍ）
をＧｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ4 合金ターゲットのＤＣスパッタリ
ングにより成膜した。この上にＺｎＳ−ＳｉＯ2 からな
る第二保護層５６（膜厚：２０ｎｍ）をＲＦスパッタリ
ングにより成膜した。この際、ＺｎＳターゲットとＳｉ
Ｏ2 ターゲットの同時スパッタの方法でＺｎＳ−ＳｉＯ
2 混合膜を形成し、両ターゲットのスパッタパワーを調
整・変化させ、膜厚方向に対して図１４に示すような組
成変化とした。この後、反射層５７としてＡｌ−1.5wt%
Ｃｒ合金膜（膜厚：２００ｎｍ）をＤＣスパッタリング
により成膜した。
【００３４】以上のようにして得られた相変化型光ディ
スクについて実施例１と同様の測定を行った。すなわ
ち、得られた相変化型光ディスクを記録再生装置にセッ
トして、線速度１０．１ｍ／ｓｅｃで回転させながら、
６８０ｎｍの波長のレーザービームを６ｍＷの強度で照
射して記録層を結晶化させた。次に、記録層を結晶化さ
せた領域のトラック上に同じ装置を使用して、線速度１
０．１ｍ／ｓｅｃで３．５９ＭＨｚの変調信号（パルス
幅＝３５ｎｓ）を記録し、この上に９．５７ＭＨｚの変
調信号（パルス幅＝３５ｎｓ）をオーバーライト記録し
た。この記録の際、図５に示すようなオフパルスを付加
したレーザー変調パターンを使用し、ピークパワー（Ｐ
ｐ）を１２．０ｍＷ、再生パワー（Ｐｒ）を１．０ｍ
Ｗ、オフパルスパワー（Ｐoff ）を１．０ｍＷとした。
また、オフパルスの幅は２５ｎｓとした。
スクについて実施例１と同様の測定を行った。すなわ
ち、得られた相変化型光ディスクを記録再生装置にセッ
トして、線速度１０．１ｍ／ｓｅｃで回転させながら、
６８０ｎｍの波長のレーザービームを６ｍＷの強度で照
射して記録層を結晶化させた。次に、記録層を結晶化さ
せた領域のトラック上に同じ装置を使用して、線速度１
０．１ｍ／ｓｅｃで３．５９ＭＨｚの変調信号（パルス
幅＝３５ｎｓ）を記録し、この上に９．５７ＭＨｚの変
調信号（パルス幅＝３５ｎｓ）をオーバーライト記録し
た。この記録の際、図５に示すようなオフパルスを付加
したレーザー変調パターンを使用し、ピークパワー（Ｐ
ｐ）を１２．０ｍＷ、再生パワー（Ｐｒ）を１．０ｍ
Ｗ、オフパルスパワー（Ｐoff ）を１．０ｍＷとした。
また、オフパルスの幅は２５ｎｓとした。
【００３５】実施例１と同様にしてＯＷ消去率のバイア
スパワー（Ｐｂ）依存性を測定した結果を図１５に示
す。Ｐｂ＝６ｍＷに於いて３０ｄＢの高いＯＷ消去率が
得られた。
スパワー（Ｐｂ）依存性を測定した結果を図１５に示
す。Ｐｂ＝６ｍＷに於いて３０ｄＢの高いＯＷ消去率が
得られた。
【００３６】（実施例５）以下に示すようにして、図１
２に示すような構造の相変化型光ディスクを製造した。
ポリカーボネート製のディスク状の基板５１上にＺｎＳ
−ＳｉＯ2 からなる第一保護層５２（膜厚：１００ｎ
ｍ）をＲＦスパッタリングにより成膜した。この際、Ｚ
ｎＳターゲットとＳｉＯ2 ターゲットの同時スパッタの
方法でＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合膜を形成し、両ターゲット
のスパッタパワーを調整・変化させ、膜厚方向に対して
図１３に示すような組成変化とした。この後、Ｇｅ1 Ｓ
ｂ2 Ｔｅ4 合金からなる記録層５４（膜厚：２５ｎｍ）
をＧｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ4 合金ターゲットのＤＣスパッタリ
ングにより成膜した。この上にＺｎＳ−20mol%ＳｉＯ2
からなる第二保護層５６（膜厚：２０ｎｍ）をＲＦスパ
ッタリングにより成膜した。この際、ＺｎＳターゲット
とＳｉＯ2 ターゲットの同時スパッタの方法でＺｎＳ−
20mol%ＳｉＯ2 混合膜を形成し、膜厚方向で組成を一定
とした。この後、反射層５７としてＡｌ−1.5wt%Ｃｒ合
金膜（膜厚：２００ｎｍ）をＤＣスパッタリングにより
成膜した。
２に示すような構造の相変化型光ディスクを製造した。
ポリカーボネート製のディスク状の基板５１上にＺｎＳ
−ＳｉＯ2 からなる第一保護層５２（膜厚：１００ｎ
ｍ）をＲＦスパッタリングにより成膜した。この際、Ｚ
ｎＳターゲットとＳｉＯ2 ターゲットの同時スパッタの
方法でＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合膜を形成し、両ターゲット
のスパッタパワーを調整・変化させ、膜厚方向に対して
図１３に示すような組成変化とした。この後、Ｇｅ1 Ｓ
ｂ2 Ｔｅ4 合金からなる記録層５４（膜厚：２５ｎｍ）
をＧｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ4 合金ターゲットのＤＣスパッタリ
ングにより成膜した。この上にＺｎＳ−20mol%ＳｉＯ2
からなる第二保護層５６（膜厚：２０ｎｍ）をＲＦスパ
ッタリングにより成膜した。この際、ＺｎＳターゲット
とＳｉＯ2 ターゲットの同時スパッタの方法でＺｎＳ−
20mol%ＳｉＯ2 混合膜を形成し、膜厚方向で組成を一定
とした。この後、反射層５７としてＡｌ−1.5wt%Ｃｒ合
金膜（膜厚：２００ｎｍ）をＤＣスパッタリングにより
成膜した。
【００３７】以上のようにして得られた相変化型光ディ
スクについて実施例１と同様の測定を行った。すなわ
ち、得られた相変化型光ディスクを記録再生装置にセッ
トして、線速度１０．１ｍ／ｓｅｃで回転させながら、
６８０ｎｍの波長のレーザービームを６ｍＷの強度で照
射して記録層を結晶化させた。次に、記録層を結晶化さ
せた領域のトラック上に同じ装置を使用して、線速度１
０．１ｍ／ｓｅｃで３．５９ＭＨｚの変調信号（パルス
幅＝３５ｎｓ）を記録し、この上に９．５７ＭＨｚの変
調信号（パルス幅＝３５ｎｓ）をオーバーライト記録し
た。この記録の際、図５に示すようなオフパルスを付加
したレーザー変調パターンを使用し、ピークパワー（Ｐ
ｐ）を１２．０ｍＷ、再生パワー（Ｐｒ）を１．０ｍ
Ｗ、オフパルスパワー（Ｐoff ）を１．０ｍＷとした。
また、オフパルスの幅は２５ｎｓとした。
スクについて実施例１と同様の測定を行った。すなわ
ち、得られた相変化型光ディスクを記録再生装置にセッ
トして、線速度１０．１ｍ／ｓｅｃで回転させながら、
６８０ｎｍの波長のレーザービームを６ｍＷの強度で照
射して記録層を結晶化させた。次に、記録層を結晶化さ
せた領域のトラック上に同じ装置を使用して、線速度１
０．１ｍ／ｓｅｃで３．５９ＭＨｚの変調信号（パルス
幅＝３５ｎｓ）を記録し、この上に９．５７ＭＨｚの変
調信号（パルス幅＝３５ｎｓ）をオーバーライト記録し
た。この記録の際、図５に示すようなオフパルスを付加
したレーザー変調パターンを使用し、ピークパワー（Ｐ
ｐ）を１２．０ｍＷ、再生パワー（Ｐｒ）を１．０ｍ
Ｗ、オフパルスパワー（Ｐoff ）を１．０ｍＷとした。
また、オフパルスの幅は２５ｎｓとした。
【００３８】実施例１と同様にしてＯＷ消去率のバイア
スパワー（Ｐｂ）依存性を測定した結果を図１６に示
す。Ｐｂ＝６ｍＷに於いて２８ｄＢの高いＯＷ消去率が
得られた。
スパワー（Ｐｂ）依存性を測定した結果を図１６に示
す。Ｐｂ＝６ｍＷに於いて２８ｄＢの高いＯＷ消去率が
得られた。
【００３９】（実施例６）以下に示すようにして、図１
２に示すような構造の相変化型光ディスクを製造した。
ポリカーボネート製のディスク状の基板５１上にＺｎＳ
−20mol%ＳｉＯ2 からなる第一保護層５２（膜厚：１０
０ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより成膜した。この
際、ＺｎＳターゲットとＳｉＯ2 ターゲットの同時スパ
ッタの方法でＺｎＳ−20mol%ＳｉＯ2 混合膜を形成し、
膜厚方向で組成を一定とした。この後、Ｇｅ1 Ｓｂ2 Ｔ
ｅ4 合金からなる記録層５４（膜厚：２５ｎｍ）をＧｅ
1 Ｓｂ2 Tｅ4 合金ターゲットのＤＣスパッタリングによ
り成膜した。この上にＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第二保
護層５６（膜厚：２０ｎｍ）をＲＦスパッタリングによ
り成膜した。この際、ＺｎＳターゲットとＳｉＯ2 ター
ゲットの同時スパッタの方法でＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合膜
を形成し、両ターゲットのスパッタパワーを調整・変化
させ、膜厚方向に対して図１４に示すような組成変化と
した。この後、反射層５７としてＡｌ−1.5wt%Ｃｒ合金
膜（膜厚：２００ｎｍ）をＤＣスパッタリングにより成
膜した。
２に示すような構造の相変化型光ディスクを製造した。
ポリカーボネート製のディスク状の基板５１上にＺｎＳ
−20mol%ＳｉＯ2 からなる第一保護層５２（膜厚：１０
０ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより成膜した。この
際、ＺｎＳターゲットとＳｉＯ2 ターゲットの同時スパ
ッタの方法でＺｎＳ−20mol%ＳｉＯ2 混合膜を形成し、
膜厚方向で組成を一定とした。この後、Ｇｅ1 Ｓｂ2 Ｔ
ｅ4 合金からなる記録層５４（膜厚：２５ｎｍ）をＧｅ
1 Ｓｂ2 Tｅ4 合金ターゲットのＤＣスパッタリングによ
り成膜した。この上にＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第二保
護層５６（膜厚：２０ｎｍ）をＲＦスパッタリングによ
り成膜した。この際、ＺｎＳターゲットとＳｉＯ2 ター
ゲットの同時スパッタの方法でＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合膜
を形成し、両ターゲットのスパッタパワーを調整・変化
させ、膜厚方向に対して図１４に示すような組成変化と
した。この後、反射層５７としてＡｌ−1.5wt%Ｃｒ合金
膜（膜厚：２００ｎｍ）をＤＣスパッタリングにより成
膜した。
【００４０】以上のようにして得られた相変化型光ディ
スクについて実施例１と同様の測定を行った。すなわ
ち、得られた相変化型光ディスクを記録再生装置にセッ
トして、線速度１０．１ｍ／ｓｅｃで回転させながら、
６８０ｎｍの波長のレーザービームを６ｍＷの強度で照
射して記録層を結晶化させた。次に、記録層を結晶化さ
せた領域のトラック上に同じ装置を使用して、線速度１
０．１ｍ／ｓｅｃで３．５９ＭＨｚの変調信号（パルス
幅＝３５ｎｓ）を記録し、この上に９．５７ＭＨｚの変
調信号（パルス幅＝３５ｎｓ）をオーバーライト記録し
た。この記録の際、図５に示すようなオフパルスを付加
したレーザー変調パターンを使用し、ピークパワー（Ｐ
ｐ）を１２．０ｍＷ、再生パワー（Ｐｒ）を１．０ｍ
Ｗ、オフパルスパワー（Ｐoff ）を１．０ｍＷとした。
また、オフパルスの幅は２５ｎｓとした。
スクについて実施例１と同様の測定を行った。すなわ
ち、得られた相変化型光ディスクを記録再生装置にセッ
トして、線速度１０．１ｍ／ｓｅｃで回転させながら、
６８０ｎｍの波長のレーザービームを６ｍＷの強度で照
射して記録層を結晶化させた。次に、記録層を結晶化さ
せた領域のトラック上に同じ装置を使用して、線速度１
０．１ｍ／ｓｅｃで３．５９ＭＨｚの変調信号（パルス
幅＝３５ｎｓ）を記録し、この上に９．５７ＭＨｚの変
調信号（パルス幅＝３５ｎｓ）をオーバーライト記録し
た。この記録の際、図５に示すようなオフパルスを付加
したレーザー変調パターンを使用し、ピークパワー（Ｐ
ｐ）を１２．０ｍＷ、再生パワー（Ｐｒ）を１．０ｍ
Ｗ、オフパルスパワー（Ｐoff ）を１．０ｍＷとした。
また、オフパルスの幅は２５ｎｓとした。
【００４１】実施例１と同様にしてＯＷ消去率のバイア
スパワー（Ｐｂ）依存性を測定した結果を図１７に示
す。Ｐｂ＝６ｍＷに於いて２７ｄＢの高いＯＷ消去率が
得られた。
スパワー（Ｐｂ）依存性を測定した結果を図１７に示
す。Ｐｂ＝６ｍＷに於いて２７ｄＢの高いＯＷ消去率が
得られた。
【００４２】（比較例２）以下に示すようにして、図１
２に示すような構造の相変化型光ディスクを製造した。
ポリカーボネート製のディスク状の基板５１上にＺｎＳ
−20mol%ＳｉＯ２ からなる第一保護層５２（膜厚：１０
０ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより成膜した。この
際、ＺｎＳターゲットとＳｉＯ２ ターゲットの同時ス
パッタの方法でＺｎＳ−20mol%ＳｉＯ2 混合膜を形成
し、膜厚方向で組成を一定とした。この後、Ｇｅ1 Ｓｂ
2 Ｔｅ4 合金からなる記録層５４（膜厚：２５ｎｍ）を
Ｇｅ1 Ｓｂ2 Tｅ4 合金ターゲットのＤＣスパッタリング
により成膜した。この上にＺｎＳ−20mol%ＳｉＯ2 から
なる第二保護層５６（膜厚：２０ｎｍ）をＲＦスパッタ
リングにより成膜した。この際、ＺｎＳターゲットとＳ
ｉＯ2 ターゲットの同時スパッタの方法でＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 混合膜を形成し、膜厚方向で組成を一定とした。こ
の後、反射層５７としてＡｌ−1.5wt%Ｃｒ合金膜（膜
厚：２００ｎｍ）をＤＣスパッタリングにより成膜し
た。なお、本比較例２は、前述の比較例１と同一の構成
のものである。
２に示すような構造の相変化型光ディスクを製造した。
ポリカーボネート製のディスク状の基板５１上にＺｎＳ
−20mol%ＳｉＯ２ からなる第一保護層５２（膜厚：１０
０ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより成膜した。この
際、ＺｎＳターゲットとＳｉＯ２ ターゲットの同時ス
パッタの方法でＺｎＳ−20mol%ＳｉＯ2 混合膜を形成
し、膜厚方向で組成を一定とした。この後、Ｇｅ1 Ｓｂ
2 Ｔｅ4 合金からなる記録層５４（膜厚：２５ｎｍ）を
Ｇｅ1 Ｓｂ2 Tｅ4 合金ターゲットのＤＣスパッタリング
により成膜した。この上にＺｎＳ−20mol%ＳｉＯ2 から
なる第二保護層５６（膜厚：２０ｎｍ）をＲＦスパッタ
リングにより成膜した。この際、ＺｎＳターゲットとＳ
ｉＯ2 ターゲットの同時スパッタの方法でＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 混合膜を形成し、膜厚方向で組成を一定とした。こ
の後、反射層５７としてＡｌ−1.5wt%Ｃｒ合金膜（膜
厚：２００ｎｍ）をＤＣスパッタリングにより成膜し
た。なお、本比較例２は、前述の比較例１と同一の構成
のものである。
【００４３】以上のようにして得られた相変化型光ディ
スクについて実施例１と同様の測定を行った。すなわ
ち、得られた相変化型光ディスクを記録再生装置にセッ
トして、線速度１０．１ｍ／ｓｅｃで回転させながら、
６８０ｎｍの波長のレーザービームを６ｍＷの強度で照
射して記録層を結晶化させた。次に、記録層を結晶化さ
せた領域のトラック上に同じ装置を使用して、線速度１
０．１ｍ／ｓｅｃで３．５９ＭＨｚの変調信号（パルス
幅＝３５ｎｓ）を記録し、この上に９．５７ＭＨｚの変
調信号（パルス幅＝３５ｎｓ）をオーバーライト記録し
た。この記録の際、図５に示すようなオフパルスを付加
したレーザー変調パターンを使用し、ピークパワー（Ｐ
ｐ）を１２．０ｍＷ、再生パワー（Ｐｒ）を１．０ｍ
Ｗ、オフパルスパワー（Ｐoff ）を１．０ｍＷとした。
また、オフパルスの幅は２５ｎｓとした。
スクについて実施例１と同様の測定を行った。すなわ
ち、得られた相変化型光ディスクを記録再生装置にセッ
トして、線速度１０．１ｍ／ｓｅｃで回転させながら、
６８０ｎｍの波長のレーザービームを６ｍＷの強度で照
射して記録層を結晶化させた。次に、記録層を結晶化さ
せた領域のトラック上に同じ装置を使用して、線速度１
０．１ｍ／ｓｅｃで３．５９ＭＨｚの変調信号（パルス
幅＝３５ｎｓ）を記録し、この上に９．５７ＭＨｚの変
調信号（パルス幅＝３５ｎｓ）をオーバーライト記録し
た。この記録の際、図５に示すようなオフパルスを付加
したレーザー変調パターンを使用し、ピークパワー（Ｐ
ｐ）を１２．０ｍＷ、再生パワー（Ｐｒ）を１．０ｍ
Ｗ、オフパルスパワー（Ｐoff ）を１．０ｍＷとした。
また、オフパルスの幅は２５ｎｓとした。
【００４４】実施例１と同様にしてＯＷ消去率のバイア
スパワー（Ｐｂ）依存性を測定した結果を図１８に示
す。Ｐｂ＝６ｍＷに於いてＯＷ消去率は１０ｄＢであっ
た。
スパワー（Ｐｂ）依存性を測定した結果を図１８に示
す。Ｐｂ＝６ｍＷに於いてＯＷ消去率は１０ｄＢであっ
た。
【００４５】以上の実施例４〜６及び比較例２から、第
一保護層および／または第二保護層のＺｎＳとＳｉＯ2
の組成比を膜厚方向で変化させ、記録層に接する側の組
成を１００％ＳｉＯ2 とすることによって、ＯＷ消去率
が向上することが確かめられた。
一保護層および／または第二保護層のＺｎＳとＳｉＯ2
の組成比を膜厚方向で変化させ、記録層に接する側の組
成を１００％ＳｉＯ2 とすることによって、ＯＷ消去率
が向上することが確かめられた。
【００４６】
【発明の効果】本発明の相変化型光記録媒体によれば、
記録層の上面及び／又は下面に該記録層に接してＳｉＯ
2 膜からなる界面層を形成することにより、あるいは、
記録層を挟む第一保護層及び第二保護層をＺｎＳとＳｉ
Ｏ2 との混合物からなる誘電体膜で形成し、第一保護層
及び第二保護層の少なくともいずれか一方のＺｎＳとＳ
ｉＯ2 の組成比を膜厚方向で変化させ、記録層に接する
側の組成を１００％ＳｉＯ2 とすることによって、ダイ
レクトオーバーライトによる信号の消し残りが少なくな
り高い消去率が得られる。これにより、より信頼性の高
い相変化型光記録媒体を得ることができる。
記録層の上面及び／又は下面に該記録層に接してＳｉＯ
2 膜からなる界面層を形成することにより、あるいは、
記録層を挟む第一保護層及び第二保護層をＺｎＳとＳｉ
Ｏ2 との混合物からなる誘電体膜で形成し、第一保護層
及び第二保護層の少なくともいずれか一方のＺｎＳとＳ
ｉＯ2 の組成比を膜厚方向で変化させ、記録層に接する
側の組成を１００％ＳｉＯ2 とすることによって、ダイ
レクトオーバーライトによる信号の消し残りが少なくな
り高い消去率が得られる。これにより、より信頼性の高
い相変化型光記録媒体を得ることができる。
【図１】記録再生装置のレーザーパワーの関係を示す図
である。
である。
【図２】第一の発明の相変化型光記録媒体の構造の一例
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
【図３】第二の発明の相変化型光記録媒体の構造の一例
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
【図４】本発明の実施例１の相変化型光記録媒体の構造
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
【図５】実施例の測定に使用したレーザーパワーの関係
を示す図である。
を示す図である。
【図６】実施例１のＡ−３サンプルのＯＷ消去率とバイ
アスパワーとの関係を示す図である。
アスパワーとの関係を示す図である。
【図７】実施例１のサンプルのＯＷ消去率の最大値と界
面層膜厚との関係を示す図である。
面層膜厚との関係を示す図である。
【図８】本発明の実施例２の相変化型光記録媒体の構造
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
【図９】実施例２のサンプルのＯＷ消去率の最大値と第
一界面層膜厚との関係を示す図である。
一界面層膜厚との関係を示す図である。
【図１０】本発明の実施例３の相変化型光記録媒体の構
造を示す部分断面図である。
造を示す部分断面図である。
【図１１】実施例３のサンプルのＯＷ消去率の最大値と
第二界面層膜厚との関係を示す図である。
第二界面層膜厚との関係を示す図である。
【図１２】本発明の実施例４〜６の相変化型光記録媒体
の構造を示す部分断面図である。
の構造を示す部分断面図である。
【図１３】実施例４、５の第一保護層のＳｉＯ2 濃度の
膜厚依存性を示す図である。
膜厚依存性を示す図である。
【図１４】実施例４、６の第二保護層のＳｉＯ2 濃度の
膜厚依存性を示す図である。
膜厚依存性を示す図である。
【図１５】実施例４のサンプルのＯＷ消去率とバイアス
パワ−との関係を示す図である。
パワ−との関係を示す図である。
【図１６】実施例５のサンプルのＯＷ消去率とバイアス
パワ−との関係を示す図である。
パワ−との関係を示す図である。
【図１７】実施例６のサンプルのＯＷ消去率とバイアス
パワ−との関係を示す図である。
パワ−との関係を示す図である。
【図１８】比較例２のサンプルのＯＷ消去率とバイアス
パワ−との関係を示す図である。
パワ−との関係を示す図である。
１、１１、２１、３１、４１、５１：基板 ２、１２、２２、３２、４２、５２：第一保護層 ３、 ２３、３３ ：第一界面層 ４、１４、２４、３４、４４、５４：記録層 ５、 ２５、 ４５ ：第二界面層 ６、１６、２６、３６、４６、５６：第二保護層 ２７、３７、４７、５７：反射層
Claims (6)
- 【請求項１】 記録層の結晶相とアモルファス相との間
の可逆的な相変化を利用して情報の記録を行なう相変化
型光記録媒体において、前記記録層の上面及び下面の少
なくともいずれか一方に前記記録層に接して形成された
ＳｉＯ2 膜からなる界面層を有することを特徴とする相
変化型光記録媒体。 - 【請求項２】 記録層の結晶相とアモルファス相との間
の可逆的な相変化を利用して情報の記録を行なう相変化
型光記録媒体において、基板上に第一保護層／第一界面
層／記録層／第二界面層／第二保護層の順で積層された
積層構造を有し、前記第一界面層及び前記第二界面層が
ＳｉＯ2 膜からなることを特徴とする相変化型光記録媒
体。 - 【請求項３】 界面層の厚さが１〜３０ｎｍであること
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の相変化型光
記録媒体。 - 【請求項４】 記録層がＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金からな
ることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載
の相変化型光記録媒体。 - 【請求項５】 保護層がＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物か
らなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に
記載の相変化型光記録媒体。 - 【請求項６】 記録層の結晶相とアモルファス相との間
の可逆的な相変化を利用して情報の記録を行なう相変化
型光記録媒体において、基板上に第一保護層／記録層／
第二保護層の順で積層された積層構造を有し、前記第一
保護層及び前記第二保護層がＺｎＳとＳｉＯ2 との混合
物からなり、第一保護層及び第二保護層の少なくともい
ずれか一方が、記録層に接する側では１００％ＳｉＯ2
であり、かつ、記録層から遠ざかるにつれてＺｎＳの含
有率が増加するように、その組成が膜厚方向で変化して
いることを特徴とする相変化型光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8065901A JPH09237439A (ja) | 1995-12-27 | 1996-03-22 | 相変化型光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-341487 | 1995-12-27 | ||
| JP34148795 | 1995-12-27 | ||
| JP8065901A JPH09237439A (ja) | 1995-12-27 | 1996-03-22 | 相変化型光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09237439A true JPH09237439A (ja) | 1997-09-09 |
Family
ID=26407071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8065901A Pending JPH09237439A (ja) | 1995-12-27 | 1996-03-22 | 相変化型光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09237439A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1296319A4 (en) * | 2000-04-25 | 2005-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | METHOD FOR MANUFACTURING DISC SUBSTRATE, METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING OPTICAL DISK |
-
1996
- 1996-03-22 JP JP8065901A patent/JPH09237439A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1296319A4 (en) * | 2000-04-25 | 2005-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | METHOD FOR MANUFACTURING DISC SUBSTRATE, METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING OPTICAL DISK |
| US7101593B2 (en) | 2000-04-25 | 2006-09-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing a disk-shaped substrate and method for producing an optical disk |
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