JPH09237406A - 薄膜磁気ヘッドのための超薄型シリコン摩耗被膜 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドのための超薄型シリコン摩耗被膜Info
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- JPH09237406A JPH09237406A JP9009230A JP923097A JPH09237406A JP H09237406 A JPH09237406 A JP H09237406A JP 9009230 A JP9009230 A JP 9009230A JP 923097 A JP923097 A JP 923097A JP H09237406 A JPH09237406 A JP H09237406A
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- magnetic
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/58—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B5/60—Fluid-dynamic spacing of heads from record-carriers
- G11B5/6005—Specially adapted for spacing from a rotating disc using a fluid cushion
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T29/49002—Electrical device making
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- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スライダ（５６）のための高機能且つ低コス
トの摩耗被膜を提供すること。 【解決手段】 磁気ヘッド・アセンブリのための単層の
摩耗被膜（７２）が提供される。この単層は、３０ 乃
至７５ の範囲の厚さを有するシリコンまたはシリコン
・ベースの材料から成る。単層はＤＣマグネトロンを用
いて、１度の付着工程により形成される。単層摩耗被膜
は、スペーシング損失を増大させること無く、磁気ヘッ
ド・アセンブリの摩耗性能を改善し、磁気ヘッド（７
０）の１つ以上の高感度素子を保護する。
トの摩耗被膜を提供すること。 【解決手段】 磁気ヘッド・アセンブリのための単層の
摩耗被膜（７２）が提供される。この単層は、３０ 乃
至７５ の範囲の厚さを有するシリコンまたはシリコン
・ベースの材料から成る。単層はＤＣマグネトロンを用
いて、１度の付着工程により形成される。単層摩耗被膜
は、スペーシング損失を増大させること無く、磁気ヘッ
ド・アセンブリの摩耗性能を改善し、磁気ヘッド（７
０）の１つ以上の高感度素子を保護する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気ヘッドのための
摩耗被膜に関して、特に多層薄膜摩耗被膜に匹敵する単
層薄膜シリコン・ベースの摩耗被膜に関する。
摩耗被膜に関して、特に多層薄膜摩耗被膜に匹敵する単
層薄膜シリコン・ベースの摩耗被膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明は米国特許第５１７５６５８号
（対応日本国特許出願は、特開平４−２７６３６７号公
報、及び特開平７−１９４５８号公報）の改善に当た
る。
（対応日本国特許出願は、特開平４−２７６３６７号公
報、及び特開平７−１９４５８号公報）の改善に当た
る。
【０００３】磁気ヘッドはディスク装置において、回転
ディスクの表面上のトラックに、情報を読み書きするた
めに使用される。磁気ヘッドはスライダ内（または上）
に提供され、スライダがサスペンション上に装着され
る。サスペンションはアクチュエータ上に装着され、ア
クチュエータが磁気ヘッドを磁気ディスク上のトラック
に位置決めする。ディスクが回転すると、回転ディスク
とスライダのエア・ベアリング表面（ＡＢＳ）との間
に、エア・クッションが生成される。ディスクが回転す
るとき、サスペンションのローディング力がエア・クッ
ションの力を平衡化し、磁気ヘッドをディスク表面から
僅かな距離だけ（０．０７５μｍのオーダ）浮上させ
る。距離が小さいほど磁気ヘッドにより達成可能な面積
密度が大きくなる。ここで面積密度は、磁気ヘッドがデ
ィスク表面の１平方インチ当たり読出し可能なビット数
である。
ディスクの表面上のトラックに、情報を読み書きするた
めに使用される。磁気ヘッドはスライダ内（または上）
に提供され、スライダがサスペンション上に装着され
る。サスペンションはアクチュエータ上に装着され、ア
クチュエータが磁気ヘッドを磁気ディスク上のトラック
に位置決めする。ディスクが回転すると、回転ディスク
とスライダのエア・ベアリング表面（ＡＢＳ）との間
に、エア・クッションが生成される。ディスクが回転す
るとき、サスペンションのローディング力がエア・クッ
ションの力を平衡化し、磁気ヘッドをディスク表面から
僅かな距離だけ（０．０７５μｍのオーダ）浮上させ
る。距離が小さいほど磁気ヘッドにより達成可能な面積
密度が大きくなる。ここで面積密度は、磁気ヘッドがデ
ィスク表面の１平方インチ当たり読出し可能なビット数
である。
【０００４】明らかに、ヘッド／ディスク間の間隔は、
任意の特定のヘッドにおける面積密度に制限を課する。
ヘッドがディスク表面に接する場合に、理論的に達成可
能な面積密度と、任意のヘッド／ディスク間間隔におい
て達成可能な面積密度との差は、"スペーシング損失"と
して参照されるデータ記憶能力の損失を表す。もちろん
ディスク表面と接触するヘッドはスペーシング損失を有
さない。しかしながら、こうした接触は容認することの
できないヘッドの摩耗を生じる。
任意の特定のヘッドにおける面積密度に制限を課する。
ヘッドがディスク表面に接する場合に、理論的に達成可
能な面積密度と、任意のヘッド／ディスク間間隔におい
て達成可能な面積密度との差は、"スペーシング損失"と
して参照されるデータ記憶能力の損失を表す。もちろん
ディスク表面と接触するヘッドはスペーシング損失を有
さない。しかしながら、こうした接触は容認することの
できないヘッドの摩耗を生じる。
【０００５】スペーシング損失は、ヘッドの高感度素子
を保護するためにヘッドのＡＢＳに付着され得る摩耗被
膜によっても生じる。例えば結合ヘッドは誘導性書込み
ヘッド部分とＭＲ読出しヘッド部分とを含み得る。書込
みヘッド部分の高感度素子にはギャップにより分離され
る１対の極先端（pole tip）が含まれ、一方読出しヘッ
ド部分の高感度素子にはＭＲセンサが含まれる。スライ
ダの離陸及び着地の間、ディスク表面との接触は、結合
磁気ヘッドの高感度素子を摩耗させ得る。高感度素子の
摩耗はそれらを短小化させ、ヘッド性能の劣化を生じ
る。従ってこれまでに、磁気ヘッドのための摩耗被膜を
提供する技術が開発された。この技術において強く望ま
れることはスペーシング損失を最小化するように、摩耗
被膜を可能な限り薄く維持することである。
を保護するためにヘッドのＡＢＳに付着され得る摩耗被
膜によっても生じる。例えば結合ヘッドは誘導性書込み
ヘッド部分とＭＲ読出しヘッド部分とを含み得る。書込
みヘッド部分の高感度素子にはギャップにより分離され
る１対の極先端（pole tip）が含まれ、一方読出しヘッ
ド部分の高感度素子にはＭＲセンサが含まれる。スライ
ダの離陸及び着地の間、ディスク表面との接触は、結合
磁気ヘッドの高感度素子を摩耗させ得る。高感度素子の
摩耗はそれらを短小化させ、ヘッド性能の劣化を生じ
る。従ってこれまでに、磁気ヘッドのための摩耗被膜を
提供する技術が開発された。この技術において強く望ま
れることはスペーシング損失を最小化するように、摩耗
被膜を可能な限り薄く維持することである。
【０００６】前記米国特許第５１７５６５８号では、３
層の摩耗被膜が開示される。第１層はスライダのレー
ル、並びにその上に装着された磁気ヘッドの高感度素子
を覆う、１０ 乃至５０ の厚さのシリコンの接着層で
ある。第２層は５０ 乃至１０００ の厚さのアモルフ
ァス水素添加炭素層である。第３層はスライダのＡＢＳ
を形成する、５０ の厚さのシリコン層である。当該出
願人により採用される別の保護被膜は２つの層、すなわ
ち１０ の厚さのシリコンの接着層と、最終の層に当た
る３５ の厚さのアモルファス水素添加炭素層とを含
む。
層の摩耗被膜が開示される。第１層はスライダのレー
ル、並びにその上に装着された磁気ヘッドの高感度素子
を覆う、１０ 乃至５０ の厚さのシリコンの接着層で
ある。第２層は５０ 乃至１０００ の厚さのアモルフ
ァス水素添加炭素層である。第３層はスライダのＡＢＳ
を形成する、５０ の厚さのシリコン層である。当該出
願人により採用される別の保護被膜は２つの層、すなわ
ち１０ の厚さのシリコンの接着層と、最終の層に当た
る３５ の厚さのアモルファス水素添加炭素層とを含
む。
【０００７】これらの摩耗被膜の形成は、各層に対して
スパッタリング工程を必要とする。従って、前記米国特
許第５１７５６５８号の３層被膜は、３回のスパッタリ
ング工程を必要とし、２層被膜は２回のスパッタリング
工程を必要とする。各スパッタリング工程が増分的に製
造コストを増加させることは容易に理解されよう。従っ
て、摩耗被膜が１回のスパッタリング工程で付着される
ことが望まれる。米国特許第５３２３２８３号は１回の
スパッタリング工程で付着される単層の摩耗被膜を採用
する。この単層の摩耗被膜は、１７５ 乃至２２５ の
厚さの二酸化ケイ素の層である。スペーシング損失を最
小化するように単層の厚さが可能な限り低減されること
が望ましい。従って最新の摩耗被膜において、理想的な
最小のスペーシング損失を提供する単層の摩耗被膜が待
望される。
スパッタリング工程を必要とする。従って、前記米国特
許第５１７５６５８号の３層被膜は、３回のスパッタリ
ング工程を必要とし、２層被膜は２回のスパッタリング
工程を必要とする。各スパッタリング工程が増分的に製
造コストを増加させることは容易に理解されよう。従っ
て、摩耗被膜が１回のスパッタリング工程で付着される
ことが望まれる。米国特許第５３２３２８３号は１回の
スパッタリング工程で付着される単層の摩耗被膜を採用
する。この単層の摩耗被膜は、１７５ 乃至２２５ の
厚さの二酸化ケイ素の層である。スペーシング損失を最
小化するように単層の厚さが可能な限り低減されること
が望ましい。従って最新の摩耗被膜において、理想的な
最小のスペーシング損失を提供する単層の摩耗被膜が待
望される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、スラ
イダのための高機能で低コストな摩耗被膜を提供するこ
とである。
イダのための高機能で低コストな摩耗被膜を提供するこ
とである。
【０００９】本発明の別の目的は、スペーシング損失を
増大させること無しに、スライダのための摩耗被膜を形
成する単純な方法を提供することである。
増大させること無しに、スライダのための摩耗被膜を形
成する単純な方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は、３０ 乃至
７５ の厚さのシリコン・ベースの材料から成る単層の
摩耗被膜が、前述の４５ の厚さの２層の摩耗被膜に匹
敵する結果を提供することを見い出した。厚さが類似で
あるのでスペーシング損失は同等である。２層の摩耗被
膜の場合と比較して、シリコンの単層の摩耗被膜の場合
の、スティクション対数千回の接触開始及び停止（ＣＳ
Ｓ：Contact Start and Stop）サイクルの関係を判断す
るテストを実施した。各ＣＳＳサイクルの間、スライダ
はディスクを離陸し、着地する。離陸の間、ＡＢＳとデ
ィスク間との摩擦は、スティクションとして参照され、
これは着地の際の摩擦よりも大きい。多くのＣＳＳサイ
クルの後に、スティクションが比較的一定に維持される
ことが重要である。本発明のシリコンの単層の摩耗被膜
を用いて７つのテストを実施し、２層の摩耗被膜を用い
て４つのテストを実施した。２００００ＣＳＳサイクル
の後、シリコンの単層の摩耗被膜のスティクションと、
２層の摩耗被膜のスティクションは実質的に同じであっ
た。従って、実質的に単層の付着により、スペーシング
損失に重大な影響を及ぼすこと無く、２層の付着の場合
と同一の摩耗性能が達成されたことになる。
７５ の厚さのシリコン・ベースの材料から成る単層の
摩耗被膜が、前述の４５ の厚さの２層の摩耗被膜に匹
敵する結果を提供することを見い出した。厚さが類似で
あるのでスペーシング損失は同等である。２層の摩耗被
膜の場合と比較して、シリコンの単層の摩耗被膜の場合
の、スティクション対数千回の接触開始及び停止（ＣＳ
Ｓ：Contact Start and Stop）サイクルの関係を判断す
るテストを実施した。各ＣＳＳサイクルの間、スライダ
はディスクを離陸し、着地する。離陸の間、ＡＢＳとデ
ィスク間との摩擦は、スティクションとして参照され、
これは着地の際の摩擦よりも大きい。多くのＣＳＳサイ
クルの後に、スティクションが比較的一定に維持される
ことが重要である。本発明のシリコンの単層の摩耗被膜
を用いて７つのテストを実施し、２層の摩耗被膜を用い
て４つのテストを実施した。２００００ＣＳＳサイクル
の後、シリコンの単層の摩耗被膜のスティクションと、
２層の摩耗被膜のスティクションは実質的に同じであっ
た。従って、実質的に単層の付着により、スペーシング
損失に重大な影響を及ぼすこと無く、２層の付着の場合
と同一の摩耗性能が達成されたことになる。
【００１１】本発明の他の目的及び付随する利点が、添
付の図面と合わせて、後述の説明から明らかとなろう。
付の図面と合わせて、後述の説明から明らかとなろう。
【００１２】
【発明の実施の形態】図面を参照すると、同一参照番号
は図面を通じて同一のまたは類似の部品を示す。図１及
び図２には、磁気ディスク装置３０が示され、これはデ
ィスク・スタック・アセンブリ３２及びヘッド・スタッ
ク・アセンブリ３４を含む。ディスク・スタック・アセ
ンブリ３２は、スピンドル３８上に取り付けられる複数
の両面磁気ディスク３６を含む。スピンドル３８はモー
タ制御４２により制御されるモータ４０により回転され
る。ヘッド・スタック・アセンブリ３４は複数の磁気ヘ
ッド・アセンブリ４４を含み、各磁気ヘッド・アセンブ
リはそれぞれのサスペンション４６上に取り付けられ
る。サスペンション４６はアクチュエータ・アーム４８
に取り付けられ、後者はアクチュエータ・スピンドル５
０に取り付けられる。アクチュエータ・スピンドル５０
は処理回路５４により制御されるボイス・コイル・モー
タ５２により回転される。処理回路５４は、磁気ヘッド
・アセンブリ４４がディスク３６上の所定の循環（circ
ular）情報トラックに回転されるように指示する。処理
回路５４はまた、磁気ヘッド・アセンブリ４４が情報を
循環トラックに書込んでいる時、情報信号を磁気ヘッド
・アセンブリ４４に送信し、磁気ヘッド・アセンブリ４
４が情報を循環トラックから読出している時、情報を磁
気ヘッド・アセンブリから受信する。
は図面を通じて同一のまたは類似の部品を示す。図１及
び図２には、磁気ディスク装置３０が示され、これはデ
ィスク・スタック・アセンブリ３２及びヘッド・スタッ
ク・アセンブリ３４を含む。ディスク・スタック・アセ
ンブリ３２は、スピンドル３８上に取り付けられる複数
の両面磁気ディスク３６を含む。スピンドル３８はモー
タ制御４２により制御されるモータ４０により回転され
る。ヘッド・スタック・アセンブリ３４は複数の磁気ヘ
ッド・アセンブリ４４を含み、各磁気ヘッド・アセンブ
リはそれぞれのサスペンション４６上に取り付けられ
る。サスペンション４６はアクチュエータ・アーム４８
に取り付けられ、後者はアクチュエータ・スピンドル５
０に取り付けられる。アクチュエータ・スピンドル５０
は処理回路５４により制御されるボイス・コイル・モー
タ５２により回転される。処理回路５４は、磁気ヘッド
・アセンブリ４４がディスク３６上の所定の循環（circ
ular）情報トラックに回転されるように指示する。処理
回路５４はまた、磁気ヘッド・アセンブリ４４が情報を
循環トラックに書込んでいる時、情報信号を磁気ヘッド
・アセンブリ４４に送信し、磁気ヘッド・アセンブリ４
４が情報を循環トラックから読出している時、情報を磁
気ヘッド・アセンブリから受信する。
【００１３】ディスク３６が静止状態の時、各サスペン
ション４６はそれぞれの磁気ヘッド・アセンブリをそれ
ぞれのディスク３６の表面に接触するようにバイアスす
る。ディスク３６が回転する時、バイアス力が薄いエア
・クッション、すなわちエア・ベアリングの力により平
衡化される。各磁気ヘッド・アセンブリのエア・ベアリ
ング表面（ＡＢＳ）を、ディスクから短い距離（０．０
７５μｍのオーダ）の所で支持する。この間隔は磁気ヘ
ッド・アセンブリの容認できない摩耗を防止するために
必要である。この間隔が大きいほどヘッドのビット密度
が低減することが理解されよう。従ってスペーシング損
失を最小化するために、この間隔を可能な限り小さく維
持することが望ましい。しかしながら、スペーシング損
失に寄与する別の要因として、磁気ヘッド・アセンブリ
を覆い、ＡＢＳを形成する摩耗被膜がある。
ション４６はそれぞれの磁気ヘッド・アセンブリをそれ
ぞれのディスク３６の表面に接触するようにバイアスす
る。ディスク３６が回転する時、バイアス力が薄いエア
・クッション、すなわちエア・ベアリングの力により平
衡化される。各磁気ヘッド・アセンブリのエア・ベアリ
ング表面（ＡＢＳ）を、ディスクから短い距離（０．０
７５μｍのオーダ）の所で支持する。この間隔は磁気ヘ
ッド・アセンブリの容認できない摩耗を防止するために
必要である。この間隔が大きいほどヘッドのビット密度
が低減することが理解されよう。従ってスペーシング損
失を最小化するために、この間隔を可能な限り小さく維
持することが望ましい。しかしながら、スペーシング損
失に寄与する別の要因として、磁気ヘッド・アセンブリ
を覆い、ＡＢＳを形成する摩耗被膜がある。
【００１４】図３、図４及び図５は、本発明の磁気ヘッ
ド・アセンブリを示し、これはスペーシング損失への影
響が小さい超薄型摩耗被膜を含む。図３に示されるよう
に、磁気ヘッド・アセンブリ４４はスライダ５６を含
み、これは第１及び第２の表面６０及び５８を有し、こ
れらの表面の各々は前縁部６２及び後縁部６４、並びに
第１及び第２の側面６６及び６８と境界を接する。表面
６０は前述のエア・クッション上で支持されるＡＢＳを
形成する。磁気ヘッド７０は後縁部６４の近傍に配置さ
れ、ＡＢＳに露出される高感度素子７１を有する。前述
したように、磁気ヘッド７０は複数の高感度素子を有し
得る。
ド・アセンブリを示し、これはスペーシング損失への影
響が小さい超薄型摩耗被膜を含む。図３に示されるよう
に、磁気ヘッド・アセンブリ４４はスライダ５６を含
み、これは第１及び第２の表面６０及び５８を有し、こ
れらの表面の各々は前縁部６２及び後縁部６４、並びに
第１及び第２の側面６６及び６８と境界を接する。表面
６０は前述のエア・クッション上で支持されるＡＢＳを
形成する。磁気ヘッド７０は後縁部６４の近傍に配置さ
れ、ＡＢＳに露出される高感度素子７１を有する。前述
したように、磁気ヘッド７０は複数の高感度素子を有し
得る。
【００１５】磁気ヘッドの１つ以上の高感度素子が摩耗
被膜７２により覆われ、それにより摩耗を阻止すること
が重要である。高感度素子が摩耗すると、それは短小化
し、その転送機能に容認できない変化を生じ得る。摩耗
被膜を提供する別の理由は、高感度素子を腐食から保護
するためである。摩耗被膜はスライダの第１の表面６０
を覆い、優れた摩耗特性を有するエア・ベアリング表面
を提供する。
被膜７２により覆われ、それにより摩耗を阻止すること
が重要である。高感度素子が摩耗すると、それは短小化
し、その転送機能に容認できない変化を生じ得る。摩耗
被膜を提供する別の理由は、高感度素子を腐食から保護
するためである。摩耗被膜はスライダの第１の表面６０
を覆い、優れた摩耗特性を有するエア・ベアリング表面
を提供する。
【００１６】摩耗被膜７２は、シリコン・ベースの材料
の超薄型層である。本発明者は、３０ 乃至７５ の範
囲の厚さの純粋なシリコンの単層が、前述の２層の摩耗
被膜の性能に匹敵する性能を有することを発見した。比
較テストについては、以降で詳述する。
の超薄型層である。本発明者は、３０ 乃至７５ の範
囲の厚さの純粋なシリコンの単層が、前述の２層の摩耗
被膜の性能に匹敵する性能を有することを発見した。比
較テストについては、以降で詳述する。
【００１７】ディスクに面するスライダの一部は、通
常、図４に示されるように１対のテーパ・フラットな側
方レール７６及び７８間に、中央レールを提供するよう
にパターニングされる。磁気ヘッド７０の高感度素子７
１は、中央レール７４の後縁部の近傍に配置される。多
くのこうしたパターンが存在することが理解されよう。
例えば磁気ヘッドを後縁部６４に装着するために、中央
レールの代わりにアイランド（island）が使用され得
る。更に側方レール７６及び７８が１対の磁気ヘッドが
装着され得るスライダの後縁部まで伸長され得る。しか
しながら、図４に示されるパターンでは、前述の摩耗被
膜７２が中央レール７４の表面、高感度素子７１、及び
側方レール７６及び７８の表面を覆い、優れた摩耗特性
を有するスライダのＡＢＳを提供し、高感度素子７１を
保護する。図５は、磁気ディスク３６の表面上のエア・
ベアリング上に支持されるスライダ５６を示す。スペー
シング損失は、エア・ベアリングの厚さ（浮上量）と摩
耗被膜７２の厚さとの合成である。本発明は、１度の付
着工程で形成される最小の厚さの摩耗被膜７２を提供す
る。
常、図４に示されるように１対のテーパ・フラットな側
方レール７６及び７８間に、中央レールを提供するよう
にパターニングされる。磁気ヘッド７０の高感度素子７
１は、中央レール７４の後縁部の近傍に配置される。多
くのこうしたパターンが存在することが理解されよう。
例えば磁気ヘッドを後縁部６４に装着するために、中央
レールの代わりにアイランド（island）が使用され得
る。更に側方レール７６及び７８が１対の磁気ヘッドが
装着され得るスライダの後縁部まで伸長され得る。しか
しながら、図４に示されるパターンでは、前述の摩耗被
膜７２が中央レール７４の表面、高感度素子７１、及び
側方レール７６及び７８の表面を覆い、優れた摩耗特性
を有するスライダのＡＢＳを提供し、高感度素子７１を
保護する。図５は、磁気ディスク３６の表面上のエア・
ベアリング上に支持されるスライダ５６を示す。スペー
シング損失は、エア・ベアリングの厚さ（浮上量）と摩
耗被膜７２の厚さとの合成である。本発明は、１度の付
着工程で形成される最小の厚さの摩耗被膜７２を提供す
る。
【００１８】図６、図７及び図１０乃至図１２は、本発
明の磁気ヘッド・アセンブリ４４を形成する一般的な方
法である。図６は、磁気ヘッド・アセンブリのウエハ・
レベルでの構造を示す。図７、図１０及び図１１は、そ
の構造を行レベルで示している。図１２は、形成後の１
つの磁気ヘッド・アセンブリを示し、図３乃至図５に示
されるものと同一である。図８及び図９は、多層の摩耗
被膜を有する磁気ヘッド・アセンブリの構造を示す。
明の磁気ヘッド・アセンブリ４４を形成する一般的な方
法である。図６は、磁気ヘッド・アセンブリのウエハ・
レベルでの構造を示す。図７、図１０及び図１１は、そ
の構造を行レベルで示している。図１２は、形成後の１
つの磁気ヘッド・アセンブリを示し、図３乃至図５に示
されるものと同一である。図８及び図９は、多層の摩耗
被膜を有する磁気ヘッド・アセンブリの構造を示す。
【００１９】図６では、通常、アルミナと炭化チタンの
混合物（Ａｌ2Ｏ3／ＴｉＣ）から成るウエハ表面１００
が提供される。複数の薄膜層１０２がウエハ１００上に
付着され、磁気ヘッド・アセンブリ４４の行列を形成す
る。ウエハ１００及び薄膜層１０２は、次に磁気ヘッド
・アセンブリの行に切断され、その１行１０４が図７に
示される。次に高感度素子７１がピーク性能を獲得する
所定の高さ寸法になるまで、行１０４のＡＢＳ側がラッ
プ仕上げされる。ラップ仕上げの後、行１０４のＡＢＳ
側は、摩耗被膜の付着の準備が整う。従来の摩耗被膜７
２は、図８に示されるように３つの別々の層を含み、３
つの付着工程により形成された。第１層は、１０ 乃至
５０ の厚さのシリコンの接着層であり、第２層は、５
０ の厚さのアモルファス水素添加炭素層であり、第３
層は、５０ の厚さのシリコン層である。別の摩耗被覆
７２が図９に示され、これは２つの層だけを採用する。
これは図８に示される従来の摩耗被覆よりも、スペーシ
ング損失が小さく、付着工程も１回少ない。図９に示さ
れる摩耗被膜７２は１０ の厚さのシリコンの接着層
と、３５ の厚さのアモルファス水素添加炭素層とを含
む。スペーシング損失は、図９の実施例において最小化
されたが、追加の付着工程は製造コストを押し上げる。
従って、１度の付着工程により、図９に示される２層の
摩耗被膜に匹敵する性能を有する単層の摩耗被膜を形成
することが望まれる。
混合物（Ａｌ2Ｏ3／ＴｉＣ）から成るウエハ表面１００
が提供される。複数の薄膜層１０２がウエハ１００上に
付着され、磁気ヘッド・アセンブリ４４の行列を形成す
る。ウエハ１００及び薄膜層１０２は、次に磁気ヘッド
・アセンブリの行に切断され、その１行１０４が図７に
示される。次に高感度素子７１がピーク性能を獲得する
所定の高さ寸法になるまで、行１０４のＡＢＳ側がラッ
プ仕上げされる。ラップ仕上げの後、行１０４のＡＢＳ
側は、摩耗被膜の付着の準備が整う。従来の摩耗被膜７
２は、図８に示されるように３つの別々の層を含み、３
つの付着工程により形成された。第１層は、１０ 乃至
５０ の厚さのシリコンの接着層であり、第２層は、５
０ の厚さのアモルファス水素添加炭素層であり、第３
層は、５０ の厚さのシリコン層である。別の摩耗被覆
７２が図９に示され、これは２つの層だけを採用する。
これは図８に示される従来の摩耗被覆よりも、スペーシ
ング損失が小さく、付着工程も１回少ない。図９に示さ
れる摩耗被膜７２は１０ の厚さのシリコンの接着層
と、３５ の厚さのアモルファス水素添加炭素層とを含
む。スペーシング損失は、図９の実施例において最小化
されたが、追加の付着工程は製造コストを押し上げる。
従って、１度の付着工程により、図９に示される２層の
摩耗被膜に匹敵する性能を有する単層の摩耗被膜を形成
することが望まれる。
【００２０】図１０では、１度の付着工程により、図９
に示される２層の摩耗被膜に匹敵する摩耗性能を有する
単層の摩耗被膜７２を形成する。これはシリコン・ベー
スの材料の単層を３０ 乃至７５ の厚さにスパッタリ
ングすることにより達成される。好適なスパッタリング
は、ＤＣマグネトロンにより達成される。このタイプの
付着は高密度のシリコン・ベース層を生成する。図１１
では、ＡＢＳをレール７４、７６及び７８によりパター
ニングする目的で、ウエハ被膜７２上にフォトレジスト
層１２０が形成される。フォトレジスト１２０がレール
が形成される領域を保護し、レールを形成するために反
応イオン・エッチング（ＲＩＥ）などのエッチングが使
用される。図１２では、フォトレジスト１２０が側方レ
ール７６及び７８間の中央レール７４を残して溶液内で
溶解される。図１２の平面ＩＶ−ＩＶに沿う図が図４に
相当する。
に示される２層の摩耗被膜に匹敵する摩耗性能を有する
単層の摩耗被膜７２を形成する。これはシリコン・ベー
スの材料の単層を３０ 乃至７５ の厚さにスパッタリ
ングすることにより達成される。好適なスパッタリング
は、ＤＣマグネトロンにより達成される。このタイプの
付着は高密度のシリコン・ベース層を生成する。図１１
では、ＡＢＳをレール７４、７６及び７８によりパター
ニングする目的で、ウエハ被膜７２上にフォトレジスト
層１２０が形成される。フォトレジスト１２０がレール
が形成される領域を保護し、レールを形成するために反
応イオン・エッチング（ＲＩＥ）などのエッチングが使
用される。図１２では、フォトレジスト１２０が側方レ
ール７６及び７８間の中央レール７４を残して溶液内で
溶解される。図１２の平面ＩＶ−ＩＶに沿う図が図４に
相当する。
【００２１】図１４及び図１５は、スティクション（単
位［ｇ］）と接触開始及び停止（ＣＳＳ）サイクル（単
位［千］）との関係を示す図である。図１３及び図１４
の各々は、厚さが３０ 乃至７５ の範囲のシリコンの
単層の摩耗被膜を有する、３つの磁気ヘッド・アセンブ
リのテスト結果を示す。シリコンの単層の摩耗被膜はＤ
Ｃマグネトロンを用い、純粋なシリコンをスパッタリン
グすることにより形成される。純粋なシリコン層のスパ
ッタリングは、好適にはシリコン・ベース層のスパッタ
リングに相当する。図１３及び図１４から２００００サ
イクルの後、スティクションが一般に約２ｇに一定に維
持されることが理解される。図１５は、１０ の厚さの
シリコンの接着層と、３５ の厚さのアモルファス水素
添加炭素層とを含む、２層の摩耗被膜のテスト結果を示
す図である。２００００サイクルの後、２層の摩耗被膜
のスティクションは一般に約２ｇに一定に維持される。
従って、本発明によれば、実質的に単層の摩耗被膜によ
り、スペーシング損失を増大させること無しに２層の摩
耗被膜と同一の結果を達成することができる。
位［ｇ］）と接触開始及び停止（ＣＳＳ）サイクル（単
位［千］）との関係を示す図である。図１３及び図１４
の各々は、厚さが３０ 乃至７５ の範囲のシリコンの
単層の摩耗被膜を有する、３つの磁気ヘッド・アセンブ
リのテスト結果を示す。シリコンの単層の摩耗被膜はＤ
Ｃマグネトロンを用い、純粋なシリコンをスパッタリン
グすることにより形成される。純粋なシリコン層のスパ
ッタリングは、好適にはシリコン・ベース層のスパッタ
リングに相当する。図１３及び図１４から２００００サ
イクルの後、スティクションが一般に約２ｇに一定に維
持されることが理解される。図１５は、１０ の厚さの
シリコンの接着層と、３５ の厚さのアモルファス水素
添加炭素層とを含む、２層の摩耗被膜のテスト結果を示
す図である。２００００サイクルの後、２層の摩耗被膜
のスティクションは一般に約２ｇに一定に維持される。
従って、本発明によれば、実質的に単層の摩耗被膜によ
り、スペーシング損失を増大させること無しに２層の摩
耗被膜と同一の結果を達成することができる。
【００２２】当業者には明らかなように、上述の教示を
鑑み、本発明の他の実施例及び変更も可能である。従っ
て、本発明はこうした全ての実施例及び変更を含むもの
である。
鑑み、本発明の他の実施例及び変更も可能である。従っ
て、本発明はこうした全ての実施例及び変更を含むもの
である。
【００２３】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００２４】（１）前縁面及び後縁面、並びに第１及び
第２の側面と境界を接する第１及び第２の表面を有する
スライダと、前記スライダの前記後縁面に近接し、前記
第１の表面に高感度素子を有する磁気ヘッドと、前記高
感度素子及び前記第１の表面を覆う単層から成り、エア
・ベアリング表面を形成する摩耗被膜と、を含み、前記
単層が３０ 乃至７５ の範囲の厚さを有するシリコン
またはシリコン・ベースの材料である、磁気ヘッド・ア
センブリ。 （２）前記（１）記載の磁気ヘッド・アセンブリを含む
磁気媒体ドライブであって、ハウジングと、前記ハウジ
ング内に設けられ、前記磁気ヘッド・アセンブリを支持
する支持体と、前記ハウジング内に設けられ、磁気媒体
を前記磁気ヘッドとの変換関係を維持しながら、前記磁
気ヘッドを通過して移動する媒体移動手段と、前記支持
体に接続され、前記磁気媒体上の複数のトラックに関し
て信号を処理するように、前記磁気ヘッドを前記移動磁
気媒体に関して複数の位置に移動する位置決め手段と、
前記磁気ヘッド、前記磁気媒体移動手段及び前記位置決
め手段に接続され、前記磁気ヘッドに関して信号を制御
及び処理し、前記磁気媒体の移動を制御し、前記磁気ヘ
ッドの位置を制御する制御手段と、を含む、磁気媒体ド
ライブ。 （３）基板がＡｌ2Ｏ3／ＴｉＣである、前記（１）記載
の磁気ヘッド・アセンブリ。 （４）複数のレールによりパターニングされる前記スラ
イダの第１の表面と、前記レールの１つ上に取り付けら
れる磁気ヘッドと、を含み、前記レールが集合的に前記
エア・ベアリング表面を形成するように、前記レールの
各々が前記単層の一部により覆われる、前記（１）記載
の磁気ヘッド・アセンブリ。 （５）前記単層がＤＣマグネトロンによりスパッタリン
グされる、前記（１）記載の磁気ヘッド・アセンブリ。 （６）複数のレールによりパターニングされる前記スラ
イダの第１の表面と、前記レールの１つ上に取り付けら
れる磁気ヘッドと、を含み、前記レールが集合的に前記
エア・ベアリング面を形成するように、前記レールの各
々が前記単層の一部により覆われる、前記（５）記載の
磁気ヘッド・アセンブリ。 （７）基板がＡｌ2Ｏ3／ＴｉＣである、前記（６）記載
の磁気ヘッド・アセンブリ。 （８）前記（７）記載の磁気ヘッド・アセンブリを含む
磁気媒体ドライブであって、ハウジングと、前記ハウジ
ング内に設けられ、前記磁気ヘッド・アセンブリを支持
する支持体と、前記ハウジング内に設けられ、磁気媒体
を前記磁気ヘッドとの変換関係を維持しながら、前記磁
気ヘッドを通過して移動する媒体移動手段と、前記支持
体に接続され、前記磁気媒体上の複数のトラックに関し
て信号を処理するように、前記磁気ヘッドを前記移動磁
気媒体に関して複数の位置に移動する位置決め手段と、
前記磁気ヘッド、前記磁気媒体移動手段及び前記位置決
め手段に接続され、前記磁気ヘッドに関して信号を制御
及び処理し、前記磁気媒体の移動を制御し、前記磁気ヘ
ッドの位置を制御する制御手段と、を含む、磁気媒体ド
ライブ。 （９）磁気ヘッド・アセンブリを形成する方法であっ
て、前縁面及び後縁面、並びに第１及び第２の側面と境
界を接する第１及び第２の表面を有するスライダを提供
する工程と、前記スライダの前記後縁面に近接して、前
記第１の表面に高感度素子を有する磁気ヘッドを形成す
る工程と、前記第１の表面及び前記高感度素子を覆う単
層から成り、エア・ベアリング表面を形成する摩耗被膜
を形成する工程と、を含み、前記単層が３０ 乃至７５
の範囲の厚さを有するシリコンまたはシリコン・ベー
スの材料である、方法。 （１０）前記単層の形成後、前記第１の表面をパターニ
ングして、前記摩耗層の少なくとも一部により覆われる
少なくとも１つのレールを有する前記スライダを提供す
る、パターニング工程を含む、前記（９）記載の方法。 （１１）前記単層の形成工程が、ＤＣマグネトロンによ
るスパッタリング工程を含む、前記（１０）記載の方
法。 （１２）磁気ヘッド・アセンブリを形成する方法であっ
て、スライダ材料の基板を提供する工程と、前記基板上
に磁気ヘッドの行列を形成する工程と、前記基板及び前
記磁気ヘッドを、前記基板の細長の基板部分上の磁気ヘ
ッド・アセンブリ行に切断する工程と、前記細長の基板
部分上の前記磁気ヘッド・アセンブリ行をラップ仕上げ
し、各磁気ヘッドの１つ以上の高感度素子のサイズのラ
ップ仕上げ表面を形成する工程と、前記ラップ仕上げ表
面上に、３０ 乃至７５ の範囲の厚さを有する純粋な
シリコンの単層をスパッタリングする工程と、前記磁気
ヘッド・アセンブリ行を個々の磁気ヘッド・アセンブリ
に切断する工程と、を含む、方法。 （１３）前記単層をスパッタリングする工程が、前記純
粋なシリコンを前記高感度素子上にスパッタリングする
工程を含む、前記（１２）記載の方法。 （１４）前記単層のスパッタリング工程の後、前記ラッ
プ仕上げ表面をパターニングして、前記スライダの各々
に前記単層の一部により覆われる少なくとも１つのレー
ルを設けるパターニング工程を含む、前記（１３）記載
の方法。 （１５）前記単層のスパッタリング工程が、ＤＣマグネ
トロンによるスパッタリング工程を含む、前記（１４）
記載の方法。 （１６）前記基板がＡｌ2Ｏ3／ＴｉＣである、前記（１
５）記載の方法。
第２の側面と境界を接する第１及び第２の表面を有する
スライダと、前記スライダの前記後縁面に近接し、前記
第１の表面に高感度素子を有する磁気ヘッドと、前記高
感度素子及び前記第１の表面を覆う単層から成り、エア
・ベアリング表面を形成する摩耗被膜と、を含み、前記
単層が３０ 乃至７５ の範囲の厚さを有するシリコン
またはシリコン・ベースの材料である、磁気ヘッド・ア
センブリ。 （２）前記（１）記載の磁気ヘッド・アセンブリを含む
磁気媒体ドライブであって、ハウジングと、前記ハウジ
ング内に設けられ、前記磁気ヘッド・アセンブリを支持
する支持体と、前記ハウジング内に設けられ、磁気媒体
を前記磁気ヘッドとの変換関係を維持しながら、前記磁
気ヘッドを通過して移動する媒体移動手段と、前記支持
体に接続され、前記磁気媒体上の複数のトラックに関し
て信号を処理するように、前記磁気ヘッドを前記移動磁
気媒体に関して複数の位置に移動する位置決め手段と、
前記磁気ヘッド、前記磁気媒体移動手段及び前記位置決
め手段に接続され、前記磁気ヘッドに関して信号を制御
及び処理し、前記磁気媒体の移動を制御し、前記磁気ヘ
ッドの位置を制御する制御手段と、を含む、磁気媒体ド
ライブ。 （３）基板がＡｌ2Ｏ3／ＴｉＣである、前記（１）記載
の磁気ヘッド・アセンブリ。 （４）複数のレールによりパターニングされる前記スラ
イダの第１の表面と、前記レールの１つ上に取り付けら
れる磁気ヘッドと、を含み、前記レールが集合的に前記
エア・ベアリング表面を形成するように、前記レールの
各々が前記単層の一部により覆われる、前記（１）記載
の磁気ヘッド・アセンブリ。 （５）前記単層がＤＣマグネトロンによりスパッタリン
グされる、前記（１）記載の磁気ヘッド・アセンブリ。 （６）複数のレールによりパターニングされる前記スラ
イダの第１の表面と、前記レールの１つ上に取り付けら
れる磁気ヘッドと、を含み、前記レールが集合的に前記
エア・ベアリング面を形成するように、前記レールの各
々が前記単層の一部により覆われる、前記（５）記載の
磁気ヘッド・アセンブリ。 （７）基板がＡｌ2Ｏ3／ＴｉＣである、前記（６）記載
の磁気ヘッド・アセンブリ。 （８）前記（７）記載の磁気ヘッド・アセンブリを含む
磁気媒体ドライブであって、ハウジングと、前記ハウジ
ング内に設けられ、前記磁気ヘッド・アセンブリを支持
する支持体と、前記ハウジング内に設けられ、磁気媒体
を前記磁気ヘッドとの変換関係を維持しながら、前記磁
気ヘッドを通過して移動する媒体移動手段と、前記支持
体に接続され、前記磁気媒体上の複数のトラックに関し
て信号を処理するように、前記磁気ヘッドを前記移動磁
気媒体に関して複数の位置に移動する位置決め手段と、
前記磁気ヘッド、前記磁気媒体移動手段及び前記位置決
め手段に接続され、前記磁気ヘッドに関して信号を制御
及び処理し、前記磁気媒体の移動を制御し、前記磁気ヘ
ッドの位置を制御する制御手段と、を含む、磁気媒体ド
ライブ。 （９）磁気ヘッド・アセンブリを形成する方法であっ
て、前縁面及び後縁面、並びに第１及び第２の側面と境
界を接する第１及び第２の表面を有するスライダを提供
する工程と、前記スライダの前記後縁面に近接して、前
記第１の表面に高感度素子を有する磁気ヘッドを形成す
る工程と、前記第１の表面及び前記高感度素子を覆う単
層から成り、エア・ベアリング表面を形成する摩耗被膜
を形成する工程と、を含み、前記単層が３０ 乃至７５
の範囲の厚さを有するシリコンまたはシリコン・ベー
スの材料である、方法。 （１０）前記単層の形成後、前記第１の表面をパターニ
ングして、前記摩耗層の少なくとも一部により覆われる
少なくとも１つのレールを有する前記スライダを提供す
る、パターニング工程を含む、前記（９）記載の方法。 （１１）前記単層の形成工程が、ＤＣマグネトロンによ
るスパッタリング工程を含む、前記（１０）記載の方
法。 （１２）磁気ヘッド・アセンブリを形成する方法であっ
て、スライダ材料の基板を提供する工程と、前記基板上
に磁気ヘッドの行列を形成する工程と、前記基板及び前
記磁気ヘッドを、前記基板の細長の基板部分上の磁気ヘ
ッド・アセンブリ行に切断する工程と、前記細長の基板
部分上の前記磁気ヘッド・アセンブリ行をラップ仕上げ
し、各磁気ヘッドの１つ以上の高感度素子のサイズのラ
ップ仕上げ表面を形成する工程と、前記ラップ仕上げ表
面上に、３０ 乃至７５ の範囲の厚さを有する純粋な
シリコンの単層をスパッタリングする工程と、前記磁気
ヘッド・アセンブリ行を個々の磁気ヘッド・アセンブリ
に切断する工程と、を含む、方法。 （１３）前記単層をスパッタリングする工程が、前記純
粋なシリコンを前記高感度素子上にスパッタリングする
工程を含む、前記（１２）記載の方法。 （１４）前記単層のスパッタリング工程の後、前記ラッ
プ仕上げ表面をパターニングして、前記スライダの各々
に前記単層の一部により覆われる少なくとも１つのレー
ルを設けるパターニング工程を含む、前記（１３）記載
の方法。 （１５）前記単層のスパッタリング工程が、ＤＣマグネ
トロンによるスパッタリング工程を含む、前記（１４）
記載の方法。 （１６）前記基板がＡｌ2Ｏ3／ＴｉＣである、前記（１
５）記載の方法。
【図１】通常の磁気ディスク装置の斜視図である。
【図２】図１に示される磁気ディスク装置の側面図であ
る。
る。
【図３】本発明の単層の摩耗被膜を有するスライダの斜
視図である。
視図である。
【図４】図３のＡＢＳを示す図である。（図１２の平面
ＩＶ−ＩＶに沿うものに相当する。）
ＩＶ−ＩＶに沿うものに相当する。）
【図５】図３の後縁部を示す図である。
【図６】磁気ヘッド・アセンブリのウエハ・レベルでの
行列構成を示す斜視図である。
行列構成を示す斜視図である。
【図７】図３に示されるウエハから切断された、磁気ヘ
ッド・アセンブリの行レベルでの斜視図である。
ッド・アセンブリの行レベルでの斜視図である。
【図８】従来の３層の摩耗被膜の構造を示す、磁気ヘッ
ド・アセンブリの行の後縁部を示す図である。
ド・アセンブリの行の後縁部を示す図である。
【図９】２層の摩耗被膜の構造を示す以外は、図８と類
似の図である。
似の図である。
【図１０】好適な摩耗被膜が単層のシリコンから形成さ
れる以外は、図９と類似の図である。
れる以外は、図９と類似の図である。
【図１１】図１０に示される磁気ヘッド・アセンブリの
行をパターニングするプロセス工程を示す図である。
行をパターニングするプロセス工程を示す図である。
【図１２】図１１に示される磁気ヘッド・アセンブリ行
のダイシング後の、１つの磁気ヘッド・アセンブリの後
縁部を示すものであり、図４に示されるアセンブリのＡ
ＢＳは、平面ＩＶ−ＩＶに沿うものである。
のダイシング後の、１つの磁気ヘッド・アセンブリの後
縁部を示すものであり、図４に示されるアセンブリのＡ
ＢＳは、平面ＩＶ−ＩＶに沿うものである。
【図１３】本発明のスティクション（単位［ｇ］）対Ｃ
ＳＳサイクル（単位［千］）の関係のテスト結果を示す
図である。
ＳＳサイクル（単位［千］）の関係のテスト結果を示す
図である。
【図１４】本発明のスティクション（単位［ｇ］）対Ｃ
ＳＳサイクル（単位［千］）の関係のテスト結果を示す
図である。
ＳＳサイクル（単位［千］）の関係のテスト結果を示す
図である。
【図１５】２層の摩耗被膜のスティクション（単位
［ｇ］）対ＣＳＳサイクル（単位［千］）の関係のテス
ト結果を示す図である。
［ｇ］）対ＣＳＳサイクル（単位［千］）の関係のテス
ト結果を示す図である。
３０ 磁気ディスク装置 ３２ ディスク・スタック・アセンブリ ３４ ヘッド・スタック・アセンブリ ３６ 磁気ディスク ３８ スピンドル ４０ モータ ４２ モータ制御 ４４ 磁気ヘッド・アセンブリ ４６ サスペンション ４８ アクチュエータ・アーム ５０ アクチュエータ・スピンドル ５２ ボイス・コイル・モータ ５４ 処理回路 ５６ スライダ ５８、６０ スライダの表面 ６２ スライダの前縁面 ６４ スライダの後縁面 ６６、６８ スライダの側面 ７０ 磁気ヘッド ７１ 高感度素子 ７２ 摩耗被膜 ７４ 中央レール ７６、７８ 側方レール １００ ウエハ表面 １０２ 薄膜層 １０４ 磁気ヘッド・アセンブリ行 １２０ フォトレジスト層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 グレース・リム・ゴーマン アメリカ合衆国95135、カリフォルニア州 サン・ホセ、メドウランズ・レーン 3271 (72)発明者 チャンギー・ワン アメリカ合衆国95120、カリフォルニア州 サン・ホセ、ドレネ・プレイス 6687 (72)発明者 ベダンサム・レイマン アメリカ合衆国95123、カリフォルニア州 サン・ホセ、アベニダ・パルマス 407 (72)発明者 ランダル・ジョージ・シモンズ アメリカ合衆国95120、カリフォルニア州 サン・ホセ、スタシャー・コート 7180
Claims (16)
- 【請求項１】前縁面及び後縁面、並びに第１及び第２の
側面と境界を接する第１及び第２の表面を有するスライ
ダと、 前記スライダの前記後縁面に近接し、前記第１の表面に
高感度素子を有する磁気ヘッドと、 前記高感度素子及び前記第１の表面を覆う単層から成
り、エア・ベアリング表面を形成する摩耗被膜と、 を含み、前記単層が３０ 乃至７５ の範囲の厚さを有
するシリコンまたはシリコン・ベースの材料である、 磁気ヘッド・アセンブリ。 - 【請求項２】請求項１記載の磁気ヘッド・アセンブリを
含む磁気媒体ドライブであって、 ハウジングと、 前記ハウジング内に設けられ、前記磁気ヘッド・アセン
ブリを支持する支持体と、 前記ハウジング内に設けられ、磁気媒体を前記磁気ヘッ
ドとの変換関係を維持しながら、前記磁気ヘッドを通過
して移動する媒体移動手段と、 前記支持体に接続され、前記磁気媒体上の複数のトラッ
クに関して信号を処理するように、前記磁気ヘッドを前
記移動磁気媒体に関して複数の位置に移動する位置決め
手段と、 前記磁気ヘッド、前記磁気媒体移動手段及び前記位置決
め手段に接続され、前記磁気ヘッドに関して信号を制御
及び処理し、前記磁気媒体の移動を制御し、前記磁気ヘ
ッドの位置を制御する制御手段と、 を含む、磁気媒体ドライブ。 - 【請求項３】基板がＡｌ2Ｏ3／ＴｉＣである、請求項１
記載の磁気ヘッド・アセンブリ。 - 【請求項４】複数のレールによりパターニングされる前
記スライダの第１の表面と、 前記レールの１つ上に取り付けられる磁気ヘッドと、 を含み、前記レールが集合的に前記エア・ベアリング表
面を形成するように、前記レールの各々が前記単層の一
部により覆われる、 請求項１記載の磁気ヘッド・アセンブリ。 - 【請求項５】前記単層がＤＣマグネトロンによりスパッ
タリングされる、請求項１記載の磁気ヘッド・アセンブ
リ。 - 【請求項６】複数のレールによりパターニングされる前
記スライダの第１の表面と、 前記レールの１つ上に取り付けられる磁気ヘッドと、 を含み、前記レールが集合的に前記エア・ベアリング面
を形成するように、前記レールの各々が前記単層の一部
により覆われる、請求項５記載の磁気ヘッド・アセンブ
リ。 - 【請求項７】基板がＡｌ2Ｏ3／ＴｉＣである、請求項６
記載の磁気ヘッド・アセンブリ。 - 【請求項８】請求項７記載の磁気ヘッド・アセンブリを
含む磁気媒体ドライブであって、 ハウジングと、 前記ハウジング内に設けられ、前記磁気ヘッド・アセン
ブリを支持する支持体と、 前記ハウジング内に設けられ、磁気媒体を前記磁気ヘッ
ドとの変換関係を維持しながら、前記磁気ヘッドを通過
して移動する媒体移動手段と、 前記支持体に接続され、前記磁気媒体上の複数のトラッ
クに関して信号を処理するように、前記磁気ヘッドを前
記移動磁気媒体に関して複数の位置に移動する位置決め
手段と、 前記磁気ヘッド、前記磁気媒体移動手段及び前記位置決
め手段に接続され、前記磁気ヘッドに関して信号を制御
及び処理し、前記磁気媒体の移動を制御し、前記磁気ヘ
ッドの位置を制御する制御手段と、 を含む、磁気媒体ドライブ。 - 【請求項９】磁気ヘッド・アセンブリを形成する方法で
あって、 前縁面及び後縁面、並びに第１及び第２の側面と境界を
接する第１及び第２の表面を有するスライダを提供する
工程と、 前記スライダの前記後縁面に近接して、前記第１の表面
に高感度素子を有する磁気ヘッドを形成する工程と、 前記第１の表面及び前記高感度素子を覆う単層から成
り、エア・ベアリング表面を形成する摩耗被膜を形成す
る工程と、 を含み、前記単層が３０ 乃至７５ の範囲の厚さを有
するシリコンまたはシリコン・ベースの材料である、方
法。 - 【請求項１０】前記単層の形成後、前記第１の表面をパ
ターニングして、前記摩耗層の少なくとも一部により覆
われる少なくとも１つのレールを有する前記スライダを
提供する、パターニング工程を含む、請求項９記載の方
法。 - 【請求項１１】前記単層の形成工程が、ＤＣマグネトロ
ンによるスパッタリング工程を含む、請求項１０記載の
方法。 - 【請求項１２】磁気ヘッド・アセンブリを形成する方法
であって、 スライダ材料の基板を提供する工程と、 前記基板上に磁気ヘッドの行列を形成する工程と、 前記基板及び前記磁気ヘッドを、前記基板の細長の基板
部分上の磁気ヘッド・アセンブリ行に切断する工程と、 前記細長の基板部分上の前記磁気ヘッド・アセンブリ行
をラップ仕上げし、各磁気ヘッドの１つ以上の高感度素
子のサイズのラップ仕上げ表面を形成する工程と、 前記ラップ仕上げ表面上に、３０ 乃至７５ の範囲の
厚さを有する純粋なシリコンの単層をスパッタリングす
る工程と、 前記磁気ヘッド・アセンブリ行を個々の磁気ヘッド・ア
センブリに切断する工程と、 を含む、方法。 - 【請求項１３】前記単層をスパッタリングする工程が、
前記純粋なシリコンを前記高感度素子上にスパッタリン
グする工程を含む、請求項１２記載の方法。 - 【請求項１４】前記単層のスパッタリング工程の後、前
記ラップ仕上げ表面をパターニングして、前記スライダ
の各々に前記単層の一部により覆われる少なくとも１つ
のレールを設けるパターニング工程を含む、請求項１３
記載の方法。 - 【請求項１５】前記単層のスパッタリング工程が、ＤＣ
マグネトロンによるスパッタリング工程を含む、請求項
１４記載の方法。 - 【請求項１６】前記基板がＡｌ2Ｏ3／ＴｉＣである、請
求項１５記載の方法。
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|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
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