JPH09235553A

JPH09235553A - 液晶組成物及びこれを用いた液晶素子

Info

Publication number: JPH09235553A
Application number: JP33867296A
Authority: JP
Inventors: Chizu Sekine; 千津関根; Yoshiaki Tsubata; 義昭津幡; Kyoko Yamamoto; 恭子山本; Koichi Fujisawa; 幸一藤沢
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 1995-12-27
Filing date: 1996-12-18
Publication date: 1997-09-09

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】効率的にネマチック相の下限温度が拡大され
た、低粘度の液晶組成物、さらにしきい値電圧を小さく
した液晶組成物およびそれを使用した光シャッターや表
示素子などに使用できる液晶素子を提供すること。【解決手段】下記一般式（１）具体的には、例えばで示される化合物の少なくとも１種と、下記一般式
（２）具体的には、例えば等から選ばれる少なくとも１種の化合物とを含有する液
晶組成物、並びに、該液晶組成物を使用した液晶素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規なネマティッ
ク液晶組成物及びこれを用いた液晶素子に関する。さら
に詳しくは、効率的にネマチック相の下限温度が拡大さ
れた、低粘度の液晶組成物、さらにしきい値電圧を小さ
くした液晶組成物およびそれを使用した光シャッター
や、ＳＴＮ（超捩れネマティック）型液晶素子やＰＤＬ
Ｃ（ポリマー分散型液晶）型液晶素子に代表される液晶
素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年情報化社会の進展に伴い、各種の表
示素子はマン−マシーンインターフェースの一つとし
て、その重要性がますます高まっている。このような中
で平面ディスプレイ、特に液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）
は、薄型・軽量・低電圧駆動・低消費電力などの特徴を
有していることから急速に普及してきた。液晶ディスプ
レイに代表される液晶素子のうち、情報量の大きいマト
リクス型液晶素子には、アクティブマトリクス方式と単
純マトリクス方式と呼ばれている二つの駆動方式があ
る。

【０００３】アクティブマトリクス方式は、ポリシリコ
ン、アモルファスシリコンなどの薄膜トランジスターま
たはダイオードを画素毎に非線形素子として装着したも
のである。しかし、アクティブマトリクス方式は、複雑
な製造プロセスと歩留まり悪さから、大面積化、低価格
化、高密度化に関して課題を有しており、価格や生産性
などを考え合わせると単純マトリクス方式の方が有力で
ある。

【０００４】現在実用化されている単純マトリクス方式
の液晶素子としては、ＴＮ（捩れネマティック）型、Ｓ
ＴＮ（超捩れネマティック）型液晶素子を用いたものが
主流である。ＴＮ型は、時計や電卓などの表示素子とし
て幅広く応用されているが、この方式では電気光学特性
の立ち上がりが緩やかであり、デューティー比が増すに
従いコントラストが著しく低下するため、原理的に大画
面表示が困難である。

【０００５】ＳＴＮ型は、このようなＴＮ型液晶素子の
欠点を補うために開発された方式であり、急峻な電気光
学特性を有していることから大画面化が可能となった。
現在ではラップトップパーソナルコンピュータなどのデ
ィスプレイに用いられている。

【０００６】しかしながら、ＳＴＮ型液晶素子は上記の
ようにＴＮ型液晶素子に比べると優れた特性を有してい
るものの、より一層の大面積化、低価格化、高密度化の
ためには未だ解決すべき課題を残している。

【０００７】例えば、ＳＴＮ型液晶素子は、アクティブ
マトリクス方式の代表的な液晶素子であるＴＦＴ型液晶
素子と比較した場合、視野角特性や応答速度の点で未だ
不十分である。とりわけ、さらなる大面積化や高密度
化、あるいは動画表示などを行なうためには、高速応答
化は不可欠である。

【０００８】液晶材料は、複数の特性を適切に調整する
ために多数の構成成分から成り、各構成成分はそれぞれ
特徴ある物性を有している。例えば、最近セルギャップ
を薄くした高速ＳＴＮ型液晶素子が開発されているが、
このタイプの液晶材料には従来の構成成分、即ち高温域
にネマチック相を有する成分、誘電率異方性を付与する
成分等の他に、屈折率異方性が大きい成分が含まれてい
る。

【０００９】このように、目的とする液晶素子の性能に
あわせて多種類の化合物が構成成分として用いられる
が、いずれにしても、ネマチック相が室温を含む広い温
度領域示すことは不可欠であり、特にネマチック相の下
限温度を効率よく拡大する成分は重要である。また、低
消費電力という観点からみた場合、しきい値電圧を低下
させることが有効である。さらに高速応答化するため
に、できるだけ低粘度であることが求められる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、効率的にネ
マチック相の下限温度が拡大された、低粘度の液晶組成
物、さらにしきい値電圧を小さくした液晶組成物および
それを使用した光シャッターや表示組成などに使用でき
る液晶素子を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明者らは鋭意検討を加えた結果、本発明を完成
するに至った。すなわち、本発明は次に記す各項の液晶
組成物に係るものである。〔１〕下記一般式（１）

【００１２】

【化１１】

【００１３】（式中、Ｌは水素原子、フッ素原子、トリ
フルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、シアノ
基、４−Ｒ₁−（シクロアルキル）基、４−Ｒ₁−（シ
クロアルケニル）基、４，４−（Ｒ₁）₂−（シクロア
ルキル）基、４，４−（Ｒ₁）₂−（シクロアルケニ
ル）基またはＲ₁（Ｏ）ｍを示し、Ｒ₁はＣ₁〜Ｃ₁₂の
アルキル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₂のアルケニル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₂の
アルキニル基、水素原子またはフッ素原子を示し、Ｍ、
ＮおよびＱは、それぞれ独立に、

【００１４】

【化１２】

【００１５】を示し、ｊ、ｋ、ｌおよびｍは、それぞれ
独立に、０または１である。ただし、Ｒ₁がフッ素原子
であるときは、ｍは０である。Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃および
Ｘ₄は同一または相異なり、ＣＨ、ＣＦまたはＮを示
し、Ｒはフッ素原子で置換されていてもよい、Ｃ₁〜Ｃ
₁₂のアルキル基またはＣ₂からＣ₁₆のアルケニルもしく
はアルコキシアルキル基を示し、Ｐは−（ＣＨ₂）ｎ
−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ ₂−、−ＣＯＯ−、−ＯＣ
Ｏ−または−Ｏ−を示し、ｎは１〜４である。）で示さ
れる化合物の少なくとも１種と、下記一般式（２）

【００１６】

【化１３】

【００１７】（式中、環Ｃ、環Ｄ、環Ｅ、および環Ｆ
は、それぞれ独立に、フッ素置換されてもよい１，４−
フェニレン、および１，４−シクロヘキシレン、１，４
−シクロヘキセレン、４，１−シクロヘキセレン、２，
５−シクロヘキセレン、５，２−シクロヘキセンレ、
３，６−シクロヘキセレン、６，３−シクロヘキセレ
ン、２，５−ピリミジンジイル、５，２−ピリミジンジ
イル、２，５−ピリジンジイル、５，２−ピリジンジイ
ル、２，５−ジオキサンジイルまたは５，２−ジオキサ
ンジイルを示し、Ｒ₂は水素原子、Ｃ₁〜Ｃ₁₂のアルキ
ル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₂のアルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₆のアルコ
キシ基またはＣ₂〜Ｃ₁₆のアルコキシアルキル基を示
し、Ｒ₃は水素原子、フッ素原子、フルオロメチル基、
ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、フルオロ
メトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメト
キシ基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂のアルキル基、Ｃ₂〜Ｃ
₁₂のアルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₆のアルコキシ基またはＣ
₂〜Ｃ₁₆のアルコキシアルキル基を示し、Ｚ₁、Ｚ₂お
よびＺ₃は、それぞれ独立に、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ
−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、炭素数１〜５のアル
キレン基、炭素数２〜５のアルケニレン基、炭素数２〜
５のアルキニレン基または単結合を示し、ＪおよびＫ
は、それぞれ独立に、メチレンまたは−Ｏ−を示し、
ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは、それぞれ独立に、０又は１
であり、かつｂ＋ｃ＋ｄ≧１を満たすものである。ただ
し、Ｒ₂がアルコキシ基の場合ａが０、Ｒ₃がアルコキ
シ基の場合ｅが０である。また、Ｒ₂およびＲ₃がアル
コキシ基でない場合において、ｂが１で環Ｃが１，４−
フェニレン、２，５−ピリミジンジイル、５，２−ピリ
ミジンジイル、２，５−ピリジンジイルまたは５，２−
ピリジンジイルの場合、ｂが０、ｃが１、かつ環Ｄが
１，４−フェニレン、２，５−ピリミジンジイル、５，
２−ピリミジンジイル、２，５−ピリジンジイルまたは
５，２−ピリジンジイルの場合、およびｂが０、ｃが
０、ｄが１かつＥが１，４−フェニレン、２，５−ピリ
ミジンジイル、５，２−ピリミジンジイル、２，５−ピ
リジンジイルまたは５，２−ピリジンジイルの場合は、
ａが１であり、また、Ｆが１，４−フェニレン、２，５
−ピリミジンジイル、５，２−ピリミジンジイル、２，
５−ピリジンジイルまたは５，２−ピリジンジイルの場
合はｅが１である。また、一般式（１）に含まれるもの
は除く。）から選ばれる少なくとも１種の化合物とを含
有する液晶組成物。

【００１８】〔２〕上記一般式（１）で表される化合物
から選ばれる少なくとも１種と、下記一般式（３）

【００１９】

【化１４】

【００２０】（式中、Ｒはフッ素置換されていてもよ
い、Ｃ₁〜Ｃ₁₂のアルキル基、Ｃ₂〜Ｃ ₁₆のアルケニル
基またはＣ₂〜Ｃ₁₆のアルコキシアルキル基を示し、Ｘ
₁、Ｘ₂、Ｘ₃、Ｘ₄、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃およびＹ
₄は、それぞれ独立に、ＣＨ、ＣＦまたはＮを示す。Ａ
は水素原子、４−Ｒ₁−（シクロアルキル）基、４−Ｒ
₁−（シクロアルケニル）基またはＲ₁−（Ｏ）ｐ基を
示し、Ｒ₁はフッ素置換されていてもよい、Ｃ₁〜Ｃ₁₂
のアルキル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₂のアルケニル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₂
のアルキニル基またはＣ₂〜Ｃ₁₂のアルコキシアルキル
基を示す。ただし、Ｒ₁−（Ｏ）ｐ基のうち、トリフル
オロメチル基およびトリフルオロメトキシ基は除く。Ｗ
はトランス体の−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−を表
す。Ｚは−Ｃ≡Ｃ−または単結合を示す。ｐは０または
１である。）で表される化合物、あるいは下記一般式
（４）

【００２１】

【化１５】

【００２２】（式中、Ｂはフッ素原子、トリフルオロメ
チル基、トリフルオロメトキシ基またはシアノ基を示
し、Ｒ、Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃、Ｘ₄、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃、
Ｙ₄、ＷおよびＺは上記と同じ意味を表す。）あるいは
一般式（５）

【００２３】

【化１６】

【００２４】（式中、ＣはＣ₁〜Ｃ₁₂のアルキル基、Ｃ
₂〜Ｃ₁₂のアルケニル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₆のアルコキシアル
キル基、４−Ｒ₁−（シクロアルキル）基、４−Ｒ₁−
（シクロアルケニル）基、Ｒ₁−（Ｏ）ｐ基、フッ素原
子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基ま
たはシアノ基を示し、Ｒ、Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃、Ｘ₄、Ｙ
₁、Ｙ₂、Ｙ₃、Ｙ₄、ｐ、ＺおよびＲ₁は、上記一般
式（３）におけるものと同じ意味である。）で表される
化合物から選ばれる少なくとも１種とを含有する液晶組
成物。

【００２５】〔３〕上記一般式（１）で表される化合物
から選ばれる少なくとも１種と、上記一般式（２）で表
される化合物から選ばれる少なくとも１種、および上記
一般式（３）、一般式（４）または一般式（５）で表さ
れる化合物から選ばれる少なくとも１種とを含有する液
晶組成物。

【００２６】また、本発明は、前記項〔１〕から前記項
〔３〕記載の液晶組成物から選ばれる少なくとも１種の
液晶組成物を一対の電極基板間に挟持してなる液晶素子
に係るものである。以下、本発明を詳細に説明する。

【００２７】

【発明の実施の形態】本発明の液晶組成物は、上記一般
式（１）から一般式（９）で表される各種の化合物群を
上記項〔１〕から〔３〕に記載のように組み合わせるこ
とにより得られるものであり、該液晶組成物は、上記の
本発明の目的とする優れた特性を達成するものである。

【００２８】本発明の液晶組成物の好ましい実施態様
は、下記の項〔４〕から〔１０〕に記載の、上記一般式
（１）から一般式（９）で表される各種の化合物群の組
み合わせからなる液晶組成物である。

【００２９】〔４〕上記一般式（２）の環Ｆが、フッ素
置換されていてもよい１，４−フェニレン、および１，
４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセレン、
４，１−シクロヘキセレン、２，５−シクロヘキセレ
ン、５，２−シクロヘキセレン、３，６−シクロヘキセ
レン、６，３−シクロヘキセレン、２，５−ジオキサン
ジイル、５，２−ジオキサンジイル、２，５−ピリミジ
ンジイル、５，２−ピリミジンジイルまたは２，５−ピ
リジンジイルのいずれかである前記項〔１〕または
〔３〕記載の液晶組成物。

【００３０】〔５〕上記一般式（１）で表される化合物
から選ばれる少なくとも１種と、下記一般式（６）

【００３１】

【化１７】

【００３２】（式中、Ｒ₂、Ｊ、環Ｃ、環ＤおよびＺ₁
は、上記一般式（２）におけるものと同じ意味を表す。
ａまたはｇは、それぞれが独立に、０または１であり、
ｆは０、１または２である。ただし、Ｒ₂がアルコキシ
基の場合は、ａは０である。また、Ｒ₂がアルコキシ基
でない場合において、ｇが１で環Ｃが１，４−フェニレ
ン、２，５−ピリミジンジイル、５，２−ピリミジンジ
イル、２，５−ピリジンジイルまたは５，２−ピリジン
ジイルの場合、ａは１である。）で表される化合物から
選ばれる少なくとも１種とを含有する液晶組成物。

【００３３】〔６〕上記一般式（１）で表される化合物
から選ばれる少なくとも１種と、上記一般式（６）で表
される化合物から選ばれる少なくとも１種、および上記
一般式（３）、一般式（４）または一般式（５）で表さ
れる化合物から選ばれる少なくとも１種とを含有する液
晶組成物。

【００３４】〔７〕上記一般式（１）で表される化合物
から選ばれる少なくとも１種と、下記一般式（７）

【００３５】

【化１８】

【００３６】（式中、Ｒ₂、Ｊ、環Ｃ、環Ｄ、Ｚ₁、
ａ、ｇおよびｆは、上記一般式（６）におけるものと、
Ｒ₃およびＫは、上記一般式（２）におけるものと、そ
れぞれ同じ意味を表す。ｅはＲ₃がアルコキシ基のとき
０であり、それ以外のときは１を表す。）で表される化
合物から選ばれる少なくとも１種とを含有する液晶組成
物。

【００３７】〔８〕上記一般式（１）で表される化合物
から選ばれる少なくとも１種と、上記一般式（７）で表
される化合物から選ばれる少なくとも１種、および上記
一般式（３）、一般式（４）、または一般式（５）で表
される化合物から選ばれる少なくとも１種とを含有する
液晶組成物。

【００３８】

〔９〕上記一般式（１）で表される化合物
から選ばれる少なくとも１種と、下記一般式（８）

【００３９】

【化１９】

【００４０】（式中、Ｒ₂、Ｊ、環Ｃ、環Ｄ、ａ、ｇ、
およびｆは、上記一般式（６）におけるものと同じ意味
を表す。ただし、Ｒ₂がアルコキシ基の場合は、ａは０
である。また、Ｒ₂がアルコキシ基でない場合におい
て、ｇが１で環Ｃが１，４−フェニレン、２，５−ピリ
ミジンジイル、５，２−ピリミジンジイル、２，５−ピ
リジンジイルまたは５，２−ピリジンジイルの場合、ａ
は１である。）で表される化合物および下記一般式
（９）

【００４１】

【化２０】

【００４２】（式中、Ｒ₂、Ｊ、環Ｃ、ａ、ｇ、ｈ、Ｒ
₃、ｆ、ｉ、Ｋおよびｅは上記一般式（８）におけるも
のと同じ意味を表す。ｈは０もしくは１を表す。）で表
される化合物から選ばれる少なくとも１種とを含有する
液晶組成物。

【００４３】〔１０〕上記一般式（１）で表される化合
物から選ばれる少なくとも１種と、上記一般式（８）ま
たは一般式（９）で表される化合物から選ばれる少なく
とも１種、および上記一般式（３）、一般式（４）また
は一般式（５）で表される化合物から選ばれる少なくと
も１種とを含有する液晶組成物。

【００４４】次に、一般式（１）で表される化合物につ
いて説明する。一般式（１）において、Ｌとしては、メ
チル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシ
ル、ヘプチル、オクチニ、ノニル、デシル、ウンデシ
ル、ドデシル、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペン
テニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、ノネニ
ル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、プロピニ
ル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニル、
オクチニル、ノニニル、デシニル、ドデシニル、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキ
シ、ヘキシルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、
デシルオキシ、ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、ビ
ニルオキシ、プロペニルオキシ、ブテニルオキシ、ペン
テニルオキシ、ヘキセニルオキシ、ヘプテニルオキシ、
オクテニルオキシ、ノネニルオキシ、デセニルオキシ、
プロピオニルオキシ、ブチニルオキシ、ペンチニルオキ
シ、ヘキシニルオキシ、ヘプチニルオキシ、オクチニル
オキシ、ノニニルオキシ、デシニルオキシ、ドデシニル
オキシ、４−メチルシクロヘキシル、４−エチルシクロ
ヘキシル、４−プロピルシクロヘキシル、４−ブチニシ
クロヘキシル、４−ペンチルシクロヘキシル、４−ヘキ
シルシクロヘキシル、４−ヘキシルシクロヘキシル、４
−オクチルシクロヘキシル、４−ノニルシクロヘキシ
ル、４−デシルシクロヘキシル、４−プロピルシクロヘ
キセニル、４−ペンチルシクロヘキセニル、水素原子、
フッ素原子、トリフロロメチル基、トリフロロメトキシ
基、シアノ基等が挙げられる。

【００４５】また、一般式（１）におけるＲとしては、
フッ素置換されていてもよい、メチル、エチル、プロピ
ル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチ
ル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、エテニ
ル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、
ヘプテニル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデ
セニル、ドデセニル、メトキシメチル、エトキシメチ
ル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、ペンチルオキ
シメチル、ヘキシルオキシメチル、ヘプチルオキシメチ
ル、オクチルオキシメチル、ノニルオキシメチル、デシ
ルオキシメチル、メトキシエチル、エトキシエチル、プ
ロポキシエチル、ブトキシエチル、ペンチルオキシエチ
ル、ヘキシルオキシエチル、ヘプチルオキシエチル、オ
クチルオキシエチル、ノニルオキシエチル、デシルオキ
シエチル、メトキシプロピル、エトキシプロピル、プロ
ポキシプロピル、ブトキシプロピル、ペンチルオキシプ
ロピル、ヘキシルオキシプロピル、ヘプチルオキシプロ
ピル、オクチルオキシプロピル、ノニルオキシプロピ
ル、デシルオキシプロピル、メトキシブチル、エトキシ
ブチル、プロポキシブチル、ブトキシブチル、ペンチル
オキシブチル、ヘキシルオキシブチル、ヘプチルオキシ
ブチル、オクチルオキシブチル、ノニルオキシブチル、
デシルオキシブチル、メトキシペンチル、エトキシペン
チル、プロポキシペンチル、ブトキシペンチル、ペンチ
ルオキシペンチル、ヘキシルオキシペンチル、ヘプチル
オキシペンチル、ヘプチルオキシペンチル、オクチルオ
キシペンチル、ノニルオキシペンチル、デシルオキシペ
ンチル等が挙げられる。Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ ₃およびＸ₄を
含む環構造からなる芳香環の具体例としては、それぞれ
独立に、１，４−フェニレン、１，４−（２−フルオ
ロ）フェニレン、１，４−（３−フルオロ）フェニレ
ン、１，４−（２，５−ジフルオロ）フェニレン、１，
４−（３，６−ジフルオロ）フェニレン、１，４−
（２，６−ジフルオロ）フェニレン、１，４−（３，５
−ジフルオロ）フェニレン、２，５−ピリミジンジイ
ル、５，２−ピリミジンジイル、２，５−ピリジンジイ
ル、５，２−ピリジンジイル等が挙げられる。

【００４６】一般式（１）で表される化合物は、例えば
下記一般式（10）

【００４７】

【化２１】

【００４８】（式中、Ｔはハロゲン原子または−ＳＯ₂
Ｒ’を示す。ただし、Ｒ’はフッ素原子で置換されてい
てもよい低級アルキル基、または置換基を有していても
よいフェニル基を示す。Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｐ、Ｑ、Ｘ₁、Ｘ
₂、Ｘ₃およびＸ₄は一般式（１）記載のものと同じ意
味を表す。）

【００４９】と下記一般式（11）（Ｒ₄）₂Ｂ−ＣＨ＝ＣＨ−Ｒ（11) （式中、Ｒは前記と同じ意味を表し、Ｒ₄は直鎖、分岐
もしくは環状のアルキル基またはアルコキシ基、または
水酸基を表し、Ｒ₄どうしは互いに結合して環を形成し
ていてもよく、あるいは（Ｒ₄）₂が置換されていても
よいベンゾジオキシ基を表していてもよい）

【００５０】で示されるホウ素化合物とを、パラジウム
錯体、ニッケル錯体、ロジウム錯体、銅等の金属触媒お
よびアルカリ金属の炭酸塩、アルカリ金属の水酸化物等
の塩基性物質の存在下に反応させることにより得ること
ができる。

【００５１】一般式（２）の具体例としては、以下の化
合物が挙げられる。また一般式（６）〜（９）で表され
る化合物の具体例も、これらの化合物の中に含まれる。

【００５２】

【化２２】

【００５３】

【化２３】

【００５４】

【化２４】

【００５５】

【化２５】

【００５６】

【化２６】

【００５７】

【化２７】

【００５８】

【化２８】

【００５９】

【化２９】

【００６０】

【化３０】

【００６１】

【化３１】

【００６２】

【化３２】

【００６３】上記例示中、Ｒ₂の具体例としては、水素
原子、フッ素置換されていてもよい、メチル、エチル、
プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オ
クチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、エテ
ニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニ
ル、ヘプテニル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウ
ンデセニル、ドデセニル、メトキシ、エトキシ、プロポ
キシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘ
プチルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシル
オキシ、ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、ビニルオ
キシ、プロペニルオキシ、ブテニルオキシ、ペンテニル
オキシ、ヘキシニルオキシ、ヘプテニルオキシ、オクテ
ニルオキシ、ノネニルオキシ、デセニルオキシ、プロピ
ニルオキシ、ブチニルオキシ、ペンチニルオキシ、ヘキ
シニルオキシ、ヘプチニルオキシ、オクチニルオキシ、
ノニニルオキシ、デシニルオキシ、ウンデシニルオキ
シ、ドデシニルオキシ、メトキシメチル、エトキシメチ
ル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、ペンチルオキ
シメチル、ヘキシルオキシメチル、ヘプチルオキシメチ
ル、オクチルオキシメチル、ノニルオキシメチル、デシ
ルオキシメチル、メトキシエチル、エトキシエチル、プ
ロポキシエチル、ブトキシエチル、ペンチルオキシエチ
ル、ヘキシルオキシエチル、ヘプチルオキシエチル、オ
クチルオキシエチル、ノニルオキシエチル、デシルオキ
シエチル、メトキシプロピル、エトキシプロピル、プロ
ポキシプロピル、ブトキシプロピル、ペンチルオキシプ
ロピル、ヘキシルオキシプロピル、ヘプチルオキシプロ
ピル、オクチルオキシプロピル、ノニルオキシプロピ
ル、デシルオキシプロピル、メトキシブチル、エトキシ
ブチル、プロポキシブチル、ブトキシブチル、ペンチル
オキシブチル、ヘキシルオキシブチル、ヘプチルオキシ
ブチル、オクチルオキシブチル、ノニルオキシブチル、
デシルオキシブチル、メトキシペンチル、エトキシペン
チル、プロポキシペンチル、ブトキシペンチル、ペンチ
ルオキシペンチル、ヘキシルオキシペンチル、ヘプチル
オキシペンチル、ヘプチルオキシペンチル、オクチルオ
キシペンチル、ノニルオキシペンチル、デシルオキシペ
ンチル等が挙げられる。

【００６４】上記例示中、Ｒ₃の具体例としては、水素
原子、フッ素原子、メチル基、メトキシ基、フルオロメ
チル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、
フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフル
オロメトキシ基、シアノ基、フッ素置換されていてもよ
いエチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘ
プチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデ
シル、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、
ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、ノネニル、デセ
ニル、ウンデセニル、ドデセニル、エトキシ、プロポキ
シ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプ
チルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオ
キシ、ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、ビニルオキ
シ、プロペニルオキシ、ブテニルオキシ、ペンテニルオ
キシ、ヘキシニルオキシ、ヘプテニルオキシ、オクテニ
ルオキシ、ノネニルオキシ、デセニルオキシ、プロピニ
ルオキシ、ブチニルオキシ、ペンチニルオキシ、ヘキシ
ニルオキシ、ヘプチニルオキシ、オクチニルオキシ、ノ
ニニルオキシ、デシニルオキシ、ウンデシニルオキシ、
ドデシニルオキシ、メトキシエチル、エトキシメチル、
プロポキシメチル、ブトキシメチル、ペンチルオキシメ
チル、ヘキシルオキシメチル、ヘプチルオキシメチル、
オクチルオキシメチル、ノニルオキシメチル、デシルオ
キシメチル、メトキシエチル、エトキシエチル、プロポ
キシエチル、ブトキシエチル、ペンチルオキシエチル、
ヘキシルオキシエチル、ヘプチルオキシエチル、オクチ
ルオキシエチル、ノニルオキシエチル、デシルオキシエ
チル、メトキシプロピル、エトキシプロピル、プロポキ
シプロピル、ブトキシプロピル、ペンチルオキシプロピ
ル、ヘキシルオキシプロピル、ヘプチルオキシプロピ
ル、オクチルオキシプロピル、ノニルオキシプロピル、
デシルオキシプロピル、メトキシブチル、エトキシブチ
ル、プロポキシブチル、ブトキシブチル、ペンチルオキ
シブチル、ヘキシルオキシブチル、ヘプチルオキシブチ
ル、オクチルオキシブチル、ノニルオキシブチル、デシ
ルオキシブチル、メトキシペンチル、エトキシペンチ
ル、プロポキシペンチル、ブトキシペンチル、ペンチル
オキシペンチル、ヘキシルオキシペンチル、ヘプチルオ
キシペンチル、ヘプチルオキシペンチル、オクチルオキ
シペンチル、ノニルオキシペンチル、デシルオキシペン
チル等が挙げられる。さらに、Ｗは水素原子またはフッ
素原子を表し、ｘは０〜３までの整数である。

【００６５】

【化３３】

【００６６】は１，４−シクロヘキシレンを表し、上記
例示中、

【００６７】

【化３４】

【００６８】はフッ素置換されていてもよい１，４−フ
ェニレン、および１，４−シクロヘキシレン、１，４−
シクロヘキセレン、４，１−シクロヘキセレン、２，５
−シクロヘキセレン、５，２−シクロヘキセレン、３，
６−シクロヘキセレン、６，３−シクロヘキセレン、
２，５−ピリミジンジイル、５，２−ピリミジンジイ
ル、２，５−ピリジンジイル、５，２−ピリジンジイ
ル、２，５−ジオキサンジイルまたは５，２−ジオキサ
ンジイルを表す。

【００６９】本発明の液晶組成物に用いられる上記例示
式の化合物中、好ましいものは、上記例示式において、
環Ｇがフッ素置換されていてもよい１，４−フェニレ
ン、および１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロ
ヘキセレン、４，１−シクロヘキセレン、２，５−シク
ロヘキセレン、５，２−シクロヘキセレン、３，６−シ
クロヘキセレンまたは６，３−シクロヘキセレンである
ものである。

【００７０】一般式（３）で表される化合物の具体例と
しては、Ｒ、Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃、Ｘ ₄が一般式（１）で
表される化合物の具体例としてあげたものと同じであ
る。Ａの具体例としては、フッ素で置換されていてもよ
い、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘ
キシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデ
シル、ドデシル、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペ
ンテニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、ノネ
ニル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、プロピニ
ル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニル、
オクチニル、ノニニル、デシニル、ドデシニル、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキ
シ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキ
シ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ウンデシルオキシ、
ドデシルオキシ、ビニルオキシ、プロペニルオキシ、ブ
テニルオキシ、ペンテニルオキシ、ヘキシニルオキシ、
ヘプテニルオキシ、オクテニルオキシ、ノネニルオキ
シ、デセニルオキシ、プロピニルオキシ、ブチニルオキ
シ、ペンチニルオキシ、ヘキシニルオキシ、ヘプチニル
オキシ、オクチニルオキシ、ノニニルオキシ、デシニル
オキシ、ウンデシニルオキシ、ドデシニルオキシ、メト
キシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチル、ブト
キシメチル、ペンチルオキシメチル、ヘキシルオキシメ
チル、ヘプチルオキシメチル、オクチルオキシメチル、
ノニルオキシメチル、デシルオキシメチル、メトキシエ
チル、エトキシエチル、プロポキシエチル、ブトキシエ
チル、ペンチルオキシエチル、ヘキシルオキシエチル、
ヘプチルオキシエチル、オクチルオキシエチル、ノニル
オキシエチル、デシルオキシエチル、メトキシプロピ
ル、エトキシプロピル、プロポキシプロピル、ブトキシ
プロピル、ペンチルオキシプロピル、ヘキシルオキシプ
ロピル、ヘプチルオキシプロピル、オクチルオキシプロ
ピル、ノニルオキシプロピル、デシルオキシプロピル、
メトキシブチル、エトキシブチル、プロポキシブチル、
ブトキシブチル、ペンチルオキシブチル、ヘキシルオキ
シブチル、ヘプチルオキシブチル、オクチルオキシブチ
ル、ノニルオキシブチル、デシルオキシブチル、メトキ
シペンチル、エトキシペンチル、プロポキシペンチル、
ブトキシペンチル、ペンチルオキシペンチル、ヘキシル
オキシペンチル、ヘプチルオキシペンチル、オクチルオ
キシペンチル、ノニルオキシペンチル、デシルオキシペ
ンチル、４−メチルシクロヘキシル、４−エチルシクロ
ヘキシル、４−プロピルシクロヘキシル、４−ブチルシ
クロヘキシル、４−ペンチルシクロヘキシル、４−ヘキ
シルシクロヘキシル、４−ヘプチルシクロヘキシル、４
−オクチルシクロヘキシル、４−ノニルシクロヘキシ
ル、４−デシルシクロヘキシル、４−プロピルシクロヘ
キセニル、水素原子等が挙げられる。またＺの具体例と
しては、単結合または−Ｃ≡Ｃ−が挙げられる。

【００７１】Ｒおよび、Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃、Ｘ₄、Ｚを
含む環構造からなる芳香環及びＹ₁、Ｙ₂、Ｙ₃、Ｙ₄
を含む環構造からなる芳香環の具体例としては、一般式
（１）で表される化合物の具体例としてあげたものと同
じである。Ｂの具体例としては、フッ素原子、トリフル
オロメチル基、トリフルオロメトキシ基、シアノ基が挙
げられる。

【００７２】一般式（５）で表される化合物の具体例と
しては、Ｃは一般式（３）におけるＡおよび一般椎
（４）におけるＢと同じであり、またＲ、Ｚ、Ｘ₁、Ｘ
₂、Ｘ₃、Ｘ₄を含む環構造からなる芳香環、およびＹ
₁、Ｙ₂、Ｙ₃、Ｙ₄を含む環構造からなる芳香環の具
体例は、一般式（３）におけるＲ、Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃、
Ｘ ₄を含む環構造からなる芳香環及びＹ₁、Ｙ₂、
Ｙ₃、Ｙ₄を含む環構造からなる芳香環の具体例と同じ
である。

【００７３】また、本発明の上記の組成物には、捩れ剤
として、カイラル化合物が一種もしくは複数種含まれて
いても良い。本発明の液晶組成物に用いられるカイラル
化合物は、特に限定されないが、好ましくは以下に示す
化合物を例示することができる。

【００７４】

【化３５】

【００７５】（＊は不斉炭素を表す。）

【００７６】本発明の組成物において、一般式（１）乃
至（５）で表される化合物をそれぞれ混合した時の組成
比率（組成物全体を１００％としたときの各成分の比率
で、モル％で表す）は、特に限定されるものではない
が、好ましくは組成比率として以下のものが挙げること
ができる。すなわち、

【００７７】一般式（１）で表される化合物と、一般式
（２）で表される化合物との組成比率が、（１）：
（２）＝（５〜５０）：（９５〜５０）である組成物。

【００７８】一般式（１）で表される化合物と、一般式
（３），（４）及び（５）で表される化合物から選ばれ
る少なくとも１種との組成比率が、（１）：｛（３）、
（４）及び（５）から選ばれる少なくとも１種｝＝（５
〜５０）：（９５〜５０）である組成物。

【００７９】一般式（１）で表される化合物と、一般式
（２）で表される化合物と、一般式（３），（４）及び
（５）で選ばれる少なくとも１種との組成比率が、
（１）：（２）：｛（３）、（４）及び（５）から選ば
れる少なくとも１種｝＝（５〜５０）：（１０〜９
０）：（５〜８５）である組成物。

【００８０】

【実施例】以下実施例により、本発明に関してより詳細
に述べるが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。本発明に用いた液晶組成物の物性は、以下に示す方
法によって測定した。・液晶組成物のＮ（ネマチック）相の下限温度は、偏光
顕微鏡を用い、昇温時の融点を測定することによって求
めた。・また、しきい値電圧は、液晶組成物の静電容量を測定
することによって以下のように求めた。即ち、透明電極
付きのホモジニアス配向セルに液晶組成物を挟持し、こ
のセルに電圧をの印加したときの静電容量を測定する。
このとき、印加電圧が０．４Ｖのときの静電容量をＣ
_0.4、２０Ｖのときの静電容量をＣ₂₀とする。静電容量
が｛Ｃ_0.4＋（Ｃ₂₀−Ｃ_0.4）／１０｝以上の領域の印
可電圧−静電容量曲線を求め、その曲線を静電容量＝Ｃ
_0.4に外挿したときの電圧値をしきい値電圧とした。・液晶組成物の粘度は、自動転落球粘度計（Ａｎｔｏｎ
ＰＡＲＲ社製、ＡＭＶ−２００）によって測定した。

【００８１】実施例１一般式（２）または（７）で表される化合物（２−１）
および（２−２）と、一般式（２）または（８）で表さ
れる化合物（２−３）を表１に記載の比率で混合し、組
成物Ａを調製した。

【００８２】

【表１】

【００８３】この組成物Ａと一般式（１）で表される化
合物（１−１）を表２に記載の比率で混合し、組成物１
を調製した。

【００８４】

【表２】

【００８５】このときの組成物１と組成物ＡのＮ相の下
限温度および２０℃におけるしきい値電圧を表３に示
す。

【００８６】

【表３】表３組成物１と組成物Ａの物性比較 ──────────────────────────────────── ネマチック相下限温度（℃）しきい値電圧（Ｖ） ──────────────────────────────────── 組成物１３０．７８組成物Ａ８１．２１ ────────────────────────────────────

【００８７】表３から明らかなように、本発明の組成物
においてＮ相の下限温度が低くなっており、Ｎ相の温度
範囲が低温側へ拡大している。またしきい値電圧は組成
物Ａと比較して小さくなっている。

【００８８】実施例２一般式（１）で表される化合物（１−２）と、組成物Ａ
を表４記載の比率で混合し、組成物２を調製した。

【００８９】

【表４】

【００９０】このときの組成物２と組成物ＡのＮ相の下
限温度と２０℃におけるしきい値電圧を表５に示す。

【００９１】

【表５】表５組成物２と組成物Ａの物性比較 ──────────────────────────────────── ネマチック相下限温度（℃）しきい値電圧（Ｖ） ──────────────────────────────────── 組成物２ −５１．０９組成物Ａ３１．２１ ────────────────────────────────────

【００９２】表５から明らかなように、本発明の組成物
においてＮ相の下限温度が低くなっており、Ｎ相の温度
範囲が低温側へ拡大している。またしきい値電圧は組成
物Ａと比較して小さくなっている。

【００９３】実施例３一般式（２）または（７）で表される化合物（２−１）
と、一般式（２）または（８）で表される化合物（２−
４）および（２−５）と、一般式（４）で表される化合
物（４−１）と一般式（３）で表される化合物（３−
１）を表６に記載の比率で混合し、組成物Ｂを調製し
た。

【００９４】

【表６】

【００９５】この組成物Ｂと一般式（１）で表される化
合物（１−２）を表７に記載の比率で混合し、組成物３
を調製した。

【００９６】

【表７】

【００９７】このときの組成物３と組成物ＢのＮ相の下
限温度）および２０℃におけるしきい値電圧を表８に示
す。

【００９８】

【表８】表８組成物３と組成物Ｂの物性比較 ──────────────────────────────────── ネマチック相下限温度（℃）しきい値電圧（Ｖ） ──────────────────────────────────── 組成物３ −３０１．５８組成物Ｂ −２６１．７２ ────────────────────────────────────

【００９９】表８から明らかなように、本発明の組成物
においてＮ相の下限温度が低くなっており、Ｎ相の温度
範囲が低温側へ拡大している。またしきい値電圧は組成
物Ａと比較して小さくなっている。

【０１００】実施例４一般式（３）で示される化合物（３−１）、（３−２）
および（３−３）と、一般式（４）で表される化合物
（４−２）および（４−３）とを表９に記載の比率で混
合し、組成物Ｃを調製した。

【０１０１】

【表９】

【０１０２】この組成物Ｃと一般式（１）で表される化
合物（１−１）とを表１０に記載の比率で混合し、組成
物４を調製した。

【０１０３】

【表１０】

【０１０４】このときの組成物４と組成物ＣのＮ相下限
温度と２０℃におけるしきい値電圧を表１１に示す。

【０１０５】

【表１１】表１１組成物４と組成物Ｃの物性比較 ──────────────────────────────────── ネマチック相下限温度（℃）しきい値電圧（Ｖ） ──────────────────────────────────── 組成物３ −２４１．６２組成物Ｃ −９１．８８ ────────────────────────────────────

【０１０６】表１１から明らかなように、本発明の組成
物においてＮ相の下限温度が低くなっており、Ｎ相の温
度範囲が低温側へ拡大している。またしきい値電圧は組
成物Ａと比較して小さくなっている。

【０１０７】実施例５一般式（１）で表される化合物（１−２）と、組成物Ｃ
を表１２に記載の比率で混合し、組成物５を調製した。

【０１０８】

【表１２】

【０１０９】このときの組成物５と組成物ＣのＮ相下限
温度と２０℃におけるしきい値電圧を表１３に示す。表
１３から明らかなように、本発明の組成物においてＮ相
の下限温度が低くなっており、Ｎ相の温度範囲が低温側
へ拡大している。またしきい値電圧は組成物Ａと比較し
て小さくなっている。

【０１１０】

【表１３】表１３組成物５と組成物Ｃの物性比較 ──────────────────────────────────── ネマチック相下限温度（℃）しきい値電圧（Ｖ） ──────────────────────────────────── 組成物５ −２１１．７２組成物Ｃ −９１．８８ ────────────────────────────────────

【０１１１】実施例６一般式（４）で表される化合物（４−４）と、一般式
（３）で表される化合物（３−１）と、一般式（２）ま
たは（８）で表される化合物（２−６）を表１４に記載
の比率で混合し、組成物Ｄを調製した。

【０１１２】

【表１４】

【０１１３】この組成物Ｄと一般式（１）で表される化
合物（１−１）とを表１５に記載の比率で混合し、組成
物６を調製した。

【０１１４】

【表１５】

【０１１５】このときの組成物６と組成物ＤのＮ相下限
温度と３０℃におけるしきい値電圧を表１６に示す。

【０１１６】

【表１６】表１６組成物６と組成物Ｄの物性比較 ──────────────────────────────────── ネマチック相下限温度（℃）しきい値電圧（Ｖ） ──────────────────────────────────── 組成物６２４１．４９組成物Ｄ３０１．６０ ────────────────────────────────────

【０１１７】表１６から明らかなように、本発明の組成
物においてＮ相の下限温度が低くなっており、Ｎ相の温
度範囲が低温側へ拡大している。またしきい値電圧は組
成物Ｄと比較して小さくなっている。

【０１１８】実施例７一般式（２）または（８）で表される化合物（２−６）
と、一般式（２）または（６）で表される化合物（２−
７）および（２−８）を表１７に記載の比率で混合し、
組成物Ｅを調製した。

【０１１９】

【表１７】

【０１２０】この組成物Ｅと一般式（１）で表される化
合物（１−１）とを表１８に記載の比率で混合し、組成
物７を調製した。

【０１２１】

【表１８】

【０１２２】このときの組成物８と組成物ＥのＮ相下限
温度および２０℃におけるしきい値電圧と粘度を表１９
に示す。

【０１２３】

【表１９】表１９組成物７と組成物Ｅの物性比較 ──────────────────────────────────── ネマチック相下限温度（℃）しきい値電圧（Ｖ）粘度（ｃＰ） ──────────────────────────────────── 組成物７ −５０以下０．９２４０．２組成物Ｅ −１１．６０４２．５ ────────────────────────────────────

【０１２４】表１９から明らかなように、本発明の組成
物においてＮ相の下限温度が低くなっており、Ｎ相の温
度範囲が低温側へ拡大している。またしきい値電圧は組
成物Ｅと比較して小さくなっている。さらに粘度は減少
しており、低粘度化することができた。

【０１２５】実施例８実施例７記載の組成物Ｅと一般式（１）で表される化合
物（１−３）とを表２０に記載の比率で混合し、組成物
８を調製した。

【０１２６】

【表２０】

【０１２７】このときの組成物８と組成物ＥのＮ相下限
温度および２０℃におけるしきい値電圧と粘度を表２１
に示す。

【０１２８】

【表２１】表２１組成物８と組成物Ｅの物性比較 ──────────────────────────────────── ネマチック相下限温度（℃）しきい値電圧（Ｖ）粘度（ｃＰ） ──────────────────────────────────── 組成物８ −５０以下０．９７４０．１組成物Ｅ −１１．６０４２．５ ────────────────────────────────────

【０１２９】表２１から明らかなように、本発明の組成
物においてＮ相の下限温度が低くなっており、Ｎ相の温
度範囲が低温側へ拡大している。またしきい値電圧は組
成物Ｅと比較して小さくなっている。さらに粘度は減少
しており、低粘度化することができた。

【０１３０】

【発明の効果】本発明の液晶組成物は、液晶材料の必須
条件であるＮ相の低温領域への温度範囲が拡大されてい
ることから、例えば、ＳＴＮ（超ねじねネマティック）
型液晶素子やＰＤＬＣ（ポリマー分散型液晶）型液晶素
子に代表される液晶素子を構成する液晶組成物として特
に有用である。また、本発明の液晶組成物は、しきい値
電圧が小さいなることから消費電力の低減が可能であ
り、低粘度であることから高速化に対して有効である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｃ０９Ｋ 19/30 Ｃ０９Ｋ 19/30 19/34 19/34 Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ (72)発明者藤沢幸一茨城県つくば市北原６住友化学工業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記一般式（１）【化１】（式中、Ｌは水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチ
ル基、トリフルオロメトキシ基、シアノ基、４−Ｒ₁−
（シクロアルキル）基、４−Ｒ₁−（シクロアルケニ
ル）基、４，４−（Ｒ₁）₂−（シクロアルキル）基、
４，４−（Ｒ₁）₂−（シクロアルケニル）基またはＲ
₁（Ｏ）ｍを示し、Ｒ₁はＣ₁〜Ｃ₁₂のアルキル基、Ｃ
₂〜Ｃ₁₂のアルケニル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₂のアルキニル基、
水素原子またはフッ素原子を示し、Ｍ、ＮおよびＱは、
それぞれ独立に、【化２】を示し、ｊ、ｋ、ｌおよびｍは、それぞれ独立に、０ま
たは１である。ただし、Ｒ₁がフッ素原子であるとき
は、ｍは０である。Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃およびＸ₄は同一
または相異なり、ＣＨ、ＣＦまたはＮを示し、Ｒはフッ
素原子で置換されていてもよい、Ｃ₁〜Ｃ₁₂のアルキル
基またはＣ₂からＣ₁₆のアルケニルもしくはアルコキシ
アルキル基を示し、Ｐは−（ＣＨ₂）ｎ−、−ＣＨ₂Ｏ
−、ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−または−Ｏ−
を示し、ｎは１〜４である。）で示される化合物の少な
くとも１種と、下記一般式（２）【化３】（式中、環Ｃ、環Ｄ、環Ｅおよび環Ｆは、それぞれ独立
に、フッ素置換されてもよい１，４−フェニレン、およ
び１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセレ
ン、４，１−シクロヘキセレン、２，５−シクロヘキセ
レン、５，２−シクロヘキセレン、３，６−シクロヘキ
セレン、６，３−シクロヘキセレン、２，５−ピリミジ
ンジイル、５，２−ピリミジンジイル、２，５−ピリジ
ンジイル、５，２−ピリジンジイル、２，５−ジオキサ
ンジイルまたは５，２−ジオキサンジイルを示し、Ｒ₂
は水素原子、Ｃ₁〜Ｃ₁₂のアルキル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₂のア
ルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₆のアルコキシ基またはＣ₂〜Ｃ
₁₆のアルコキシアルキル基を示し、Ｒ₃は水素原子、フ
ッ素原子、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、ト
リフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロ
メトキシ基、トリフルオロメトキシ基、シアノ基、Ｃ₁
〜Ｃ₁₂のアルキル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₂のアルケニル基、Ｃ₁
〜Ｃ₁₆のアルコキシ基またはＣ₂〜Ｃ₁₆のアルコキシア
ルキル基を示し、Ｚ₁、Ｚ₂およびＺ₃は、それぞれ独
立に、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ
₂Ｏ−、炭素数１〜５のアルキレン基、炭素数２〜５の
アルケニレン基、炭素数２〜５のアルキニレン基または
単結合を示し、ＪおよびＫは、それぞれ独立に、メチレ
ンまたは−Ｏ−を示し、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは、そ
れぞれ独立に、０または１であり、かつｂ＋ｃ＋ｄ≧１
を満たすものである。ただし、Ｒ₂がアルコキシ基の場
合ａが０、Ｒ₃がアルコキシ基の場合ｅが０である。ま
た、Ｒ₂およびＲ₃がアルコキシ基でない場合におい
て、ｂが１で環Ｃが１，４−フェニレン、２，５−ピリ
ミジンジイル、５，２−ピリミジンジイル、２，５−ピ
リジンジイルまたは５，２−ピリジンジイルの場合、ｂ
が０、ｃが１、かつ環Ｄが１，４−フェニレン、２，５
−ピリミジンジイル、５，２−ピリミジンジイル、２，
５−ピリジンジイルまたは５，２−ピリジンジイルの場
合、およびｂが０、ｃが０、ｄが１かつＥが１，４−フ
ェニレン、２，５−ピリミジンジイル、５，２−ピリミ
ジンジイル、２，５−ピリジンジイルまたは５，２−ピ
リジンジイルの場合は、ａが１であり、また、Ｆが１，
４−フェニレン、２，５−ピリミジンジイル、５，２−
ピリミジンジイル、２，５−ピリジンジイルまたは５，
２−ピリジンジイルの場合はｅが１である。また、一般
式（１）に含まれるものは除く。）から選ばれる少なく
とも１種の化合物とを含有することを特徴とする液晶組
成物。
【請求項２】上記一般式（１）で表される化合物から選
ばれる少なくとも１種と、下記一般式（３）【化４】（式中、Ｒはフッ素置換されていてもよい、Ｃ₁〜Ｃ₁₂
のアルキル基、Ｃ₂〜Ｃ ₁₆のアルケニル基またはＣ₂〜
Ｃ₁₆のアルコキシアルキル基を示し、Ｘ₁、Ｘ₂、
Ｘ₃、Ｘ₄、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃およびＹ₄は、それぞれ
独立に、ＣＨ、ＣＦまたはＮを示す。Ａは水素原子、４
−Ｒ₁−（シクロアルキル）基、４−Ｒ₁−（シクロア
ルケニル）基またはＲ₁−（Ｏ）ｐ基を示し、Ｒ₁はフ
ッ素置換されていてもよい、Ｃ₁〜Ｃ₁₂のアルキル基、
Ｃ₂〜Ｃ₁₂のアルケニル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₂のアルキニル基
またはＣ₂〜Ｃ₁₂のアルコキシアルキル基を示す。ただ
し、Ｒ₁−（Ｏ）ｐ基のうち、トリフルオロメチル基お
よびトリフルオロメトキシ基は除く。Ｗはトランス体の
−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−を表す。Ｚは−Ｃ≡Ｃ
−または単結合を示す。ｐは０または１である。）で表
される化合物、あるいは下記一般式（４）【化５】（式中、Ｂはフッ素原子、トリフルオロメチル基、トリ
フルオロメトキシ基またはシアノ基を示し、Ｒ、Ｘ₁、
Ｘ₂、Ｘ₃、Ｘ₄、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃、Ｙ₄、Ｗおよび
Ｚは上記と同じ意味を表す。）あるいは一般式（５）【化６】（式中、ＣはＣ₁〜Ｃ₁₂のアルキル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₂のア
ルケニル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₆のアルコキシアルキル基、４−
Ｒ₁−（シクロアルキル）基、４−Ｒ₁−（シクロアル
ケニル）基、Ｒ₁−（Ｏ）ｐ基、フッ素原子、トリフル
オロメチル基、トリフルオロメトキシ基またはシアノ基
を示し、Ｒ、Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃、Ｘ₄、Ｙ ₁、Ｙ₂、Ｙ
₃、Ｙ₄、ｐ、ＺおよびＲ₁は、上記一般式（３）にお
けるものと同じ意味である。）で表される化合物から選
ばれる少なくとも１種とを含有することを特徴とする液
晶組成物。
【請求項３】上記一般式（１）で表される化合物から選
ばれる少なくとも１種と、上記一般式（２）で表される
化合物から選ばれる少なくとも１種、および上記一般式
（３）、一般式（４）または一般式（５）で表される化
合物から選ばれる少なくとも１種とを含有することを特
徴とする液晶組成物。
【請求項４】上記一般式（２）の環Ｆが、フッ素置換さ
れていてもよい１，４−フェニレン、および１，４−シ
クロヘキシレン、１，４−シクロヘキセレン、４，１−
シクロヘキセレン、２，５−シクロヘキセレン、５，２
−シクロヘキセレン、３，６−シクロヘキセレン、６，
３−シクロヘキセレン、２，５−ジオキサンジイル、
５，２−ジオキサンジイル、２，５−ピリミジンジイ
ル、５，２−ピリミジンジイルまたは２，５−ピリジン
ジイルのいずれかである請求項１または請求項３記載の
液晶組成物。
【請求項５】上記一般式（１）で表される化合物から選
ばれる少なくとも１種と、下記一般式（６）【化７】（式中、Ｒ₂、Ｊ、環Ｃ、環ＤおよびＺ₁は、上記一般
式（２）におけるものと同じ意味を表す。ａまたはｇ
は、それぞれが独立に、０または１であり、ｆは０、１
または２である。ただし、Ｒ₂がアルコキシ基の場合
は、ａは０である。また、Ｒ₂がアルコキシ基でない場
合において、ｇが１で環Ｃが１，４−フェニレン、２，
５−ピリミジンジイル、５，２−ピリミジンジイル、
２，５−ピリジンジイルまたは５，２−ピリジンジイル
の場合、ａは１である。）で表される化合物から選ばれ
る少なくとも１種とを含有することを特徴とする液晶組
成物。
【請求項６】上記一般式（１）で表される化合物から選
ばれる少なくとも１種と、上記一般式（６）で表される
化合物から選ばれる少なくとも１種、および上記一般式
（３）、一般式（４）または一般式（５）で表される化
合物から選ばれる少なくとも１種とを含有することを特
徴とする液晶組成物。
【請求項７】上記一般式（１）で表される化合物から選
ばれる少なくとも１種と、下記一般式（７）【化８】（式中、Ｒ₂、Ｊ、環Ｃ、環Ｄ、Ｚ₁、ａ、ｇおよびｆ
は、上記一般式（６）におけるものと、Ｒ₃およびＫ
は、上記一般式（２）におけるものと、それぞれ同じ意
味を表す。ｅはＲ₃がアルコキシ基のとき０であり、そ
れ以外のときは１を表す。）で表される化合物から選ば
れる少なくとも１種とを含有することを特徴とする液晶
組成物。
【請求項８】上記一般式（１）で表される化合物から選
ばれる少なくとも１種と、上記一般式（７）で表される
化合物から選ばれる少なくとも１種、および上記一般式
（３）、一般式（４）または一般式（５）で表される化
合物から選ばれる少なくとも１種とを含有することを特
徴とする液晶組成物。
【請求項９】上記一般式（１）で表される化合物から選
ばれる少なくとも１種と、下記一般式（８）【化９】（式中、Ｒ₂、Ｊ、環Ｃ、環Ｄ、ａ、ｇ、およびｆは、
上記一般式（６）におけるものと同じ意味を表す。ただ
し、Ｒ₂がアルコキシ基の場合は、ａは０である。ま
た、Ｒ₂がアルコキシ基でない場合において、ｇが１で
環Ｃが１，４−フェニレン、２，５−ピリミジンジイ
ル、５，２−ピリミジンジイル、２，５−ピリジンジイ
ルまたは５，２−ピリジンジイルの場合、ａは１であ
る。）で表される化合物および下記一般式（９）【化１０】（式中、Ｒ₂、Ｊ、環Ｃ、ａ、ｇ、ｈ、Ｒ₃、ｆ、ｉ、
Ｋおよびｅは上記一般式（８）におけるものと同じ意味
を表す。ｈは０または１を示す。）で表される化合物か
ら選ばれる少なくとも１種とを含有することを特徴とす
る液晶組成物。
【請求項１０】上記一般式（１）で表される化合物から
選ばれる少なくとも１種と、上記一般式（８）または一
般式（９）で表される化合物から選ばれる少なくとも１
種、および上記一般式（３）、一般式（４）または一般
式（５）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種
とを含有することを特徴とする液晶組成物。
【請求項１１】請求項１乃至１０記載の液晶組成物から
選ばれる少なくとも１種を一対の電極基板間に挟持して
なることを特徴とする液晶素子。