JPH09232888A - マイクロ波モノリシック集積回路 - Google Patents

マイクロ波モノリシック集積回路

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JPH09232888A
JPH09232888A JP8060318A JP6031896A JPH09232888A JP H09232888 A JPH09232888 A JP H09232888A JP 8060318 A JP8060318 A JP 8060318A JP 6031896 A JP6031896 A JP 6031896A JP H09232888 A JPH09232888 A JP H09232888A
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JP
Japan
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signal
amplifier
fet
frequency
circuit
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Pending
Application number
JP8060318A
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English (en)
Inventor
Masaru Takahashi
勝 高橋
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New Japan Radio Co Ltd
Original Assignee
New Japan Radio Co Ltd
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Publication date
Application filed by New Japan Radio Co Ltd filed Critical New Japan Radio Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 正負両電圧源を必要とするD−FETを内蔵
するMMICを、処理信号中のスプリアス成分を増加さ
せることなく1電圧源で動作する構成とする。 【解決手段】 処理周波数より高い発振周波数を発振す
る自励発振器9と、この自励発振器で発振した信号を増
幅する増幅器10と、増幅された信号を整流平滑する整
流回路11とで構成される負電圧供給回路をチップ内に
内蔵させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は準マイクロ波帯およ
びマイクロ波帯の信号処理を行うマイクロ波モノリシッ
ク集積回路(Microwave Monolithic Integrated Circui
t :MMIC)に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は、増幅器を構成するMMICの一
例を示す図であり、図において、1Aは無線装置等に用
いられる送信出力増幅用のマイクロ波モノリシック半導
体集積回路増幅器(MMIC−AMP)であり、2はそ
の信号入力端、3は信号出力端、4は入力整合回路、5
は増幅用の第1のトランジスタ、6は段間整合回路、7
は増幅用の第2のトランジスタ、8は出力整合回路であ
る。また、31,32はゲートバイアス電圧源、33,
34はドレイン電圧源である。
【0003】入力端2と第1のトランジスタ5との間に
は、入力端2と第1のトランジスタ5とのインピーダン
スを整合させて電力を効率良く第1のトランジスタ5に
出力するための入力整合回路4が設けられ、第1のトラ
ンジスタ5と第2のトランジスタ7との間、第2のトラ
ンジスタ7と出力端3との間にも同様の目的で段間整合
回路6および出力整合回路8が設けられている。次に動
作について説明する。無線装置(図示せず)において、
送信周波数fope に周波数変換された送信信号は、駆動
増幅器を経てMMIC−AMP1の入力端2に入力さ
れ、第1のトランジスタ5および第2のトランジスタ7
によって電力増幅され、出力端3から出力される。出力
された送信信号はフィルタ回路,送受切換回路を経て、
アンテナに入力され送信波としてアンテナから放射され
る。
【0004】このような増幅器をMMICで構成する場
合、回路素子すなわち電界効果トランジスタ(FE
T),インダクタンス,キャパシタ,抵抗,伝送線路等
は、ガリウム砒素(GaAs)基板より一体化して作ら
れ、FETはデバイス作りが容易であるという理由か
ら、通常ノーマリオン形のデプレッション(depletion)
FET(D−FET)が用いられる。従ってこのような
MMICを動作させるためには負の電圧が必要となり、
そのため2電源すなわちFET5,FET7のゲートに
は負のゲートバイアス電圧源31,32が、ドレインに
は正のドレイン電圧源33,34が必要になる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにD−FE
Tを用いるMMICは、ゲートバイアス用に負電圧源が
必要であり、そのため従来の回路には、例えば回路外部
に設けたボルテージコンバータから負電圧を供給する構
成のものがある。然しながら無線装置を構成する場合、
ボルテージコンバータが数十KHzの発振によって電圧
変換を行うため、この低発振信号が送信信号に混入し、
変調信号の信号スペクトラムを劣化させる恐れがある。
また、ボルテージコンバータの占めるスペースが比較的
大きいため、携帯型無線端末等においては小型化への障
害となる。
【0006】またボルテージコンバータではなく、外部
に設けられた発振器を利用して負電圧を供給する構成の
ものもある。図4はこのような構成の従来の回路の一例
を示す図であり、図において、41は無線装置の局部発
振器、42は緩衝増幅器、43は整流回路である。この
回路は、局部発振器41の出力の一部を取り出し、緩衝
増幅器42で緩衝増幅させ、整流回路43で整流平滑
後、ゲートバイアス電圧としてD−FETのゲートに負
電圧を供給する構成となっている。また、局部発振器4
1の替わりに、無線装置のマイクロコンピュータのクロ
ック信号源を用いているものもある(図示せず)。
【0007】然しながら図4に示す回路でも、緩衝増幅
器42と整流回路43とをMMIC外部に設ける構成の
ものにあっては、これらの設置スペースのため小型化が
困難になる。また緩衝増幅器42と整流回路43とをM
MIC内部に設ける構成のものにあっては、設置スペー
スの問題は生じないが、送信周波数以外の周波数の信号
を局部発振器41からMMICまで伝送する必要があ
り、伝送中にこの周波数が送信信号に混入する恐れがあ
る。すなわち従来の構成の何れの場合でも負電圧を供給
するための回路には、送信周波数より低い発振周波数が
流れるため、この周波数で送信信号に不要なスプリアス
波が生じる危険性がある。本発明はかかる問題点を解決
するためになされたものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明に係わるMMIC
は、ノーマリオン形のデプレッションFETをチップ内
に内蔵するMMICにおいて、上記チップ内に、処理周
波数より高い発振周波数を発振する自励発振器と、この
自励発振器で発振した信号を増幅する増幅器と、増幅さ
れた信号を整流平滑する整流回路とで構成される電圧供
給回路を備えたことを特徴とする。
【0009】また、ノーマリオン形のデプレッションF
ETを用いて信号を増幅する増幅器がチップ内に構成さ
れるMMICにおいて、上記チップ内に、増幅する信号
の周波数より高い発振周波数を発振する自励発振器と、
この自励発振器で発振した信号を増幅する緩衝増幅器
と、緩衝増幅された信号を整流平滑する整流回路とで構
成される電圧供給回路を備えたことを特徴とする。
【0010】本発明のMMICは上述のような構成とす
ることにより、正電圧源(1電圧源)で動作させること
ができ、処理信号中の不要なスプリアス成分を極めて少
なくでき、かつ使用する装置の大型化を防止できる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて説明する。図1は本発明のMMICを説明するた
めの一実施形態を示す図であり、図1は無線装置に組み
込まれ送信信号を増幅する増幅器とした実施形態を示
す。図において、1はMMIC−AMP本体であり、2
はその信号入力端、3は信号出力端、4は入力整合回
路、5は増幅用の第1のトランジスタ(ノーマリオン形
のデプレッション(depletion) FET:D−FET)、
6は段間整合回路、7は増幅用の第2のD−FET、8
は出力整合整合回路である。また、9は自励発振器、1
0は緩衝増幅器、11は整流回路、12はFETのドレ
イン電圧源、13は自励発振器9および緩衝増幅器10
を動作させるための正電圧源である。
【0012】本発明のMMICは図1に示すように、チ
ップ内に増幅する送信信号の周波数fope より高い発振
周波数fosc を発振する自励発振器9と、この自励発振
器9で発振した信号を増幅する緩衝増幅器10と、緩衝
増幅された信号を整流平滑する整流回路11とで構成さ
れる負電圧供給回路が内蔵され、自励発振器9からの出
力が緩衝増幅器10で緩衝増幅され、さらに整流回路1
1で整流,平滑され、直流化された電圧は、適切な電圧
に調整されて第1のD−FET5と第2のD−FET7
のゲートバイアスに負の電圧として印加される。
【0013】そして自励発振器9の発振周波数fosc
送信信号の周波数fope より高く設定することで、送信
信号中の不要なスプリアス成分を極めて少なくすること
ができると共に、整流回路11のキャパシタンスを小さ
く設定でき、従ってチップの大型化や高コスト化を防ぐ
ことができる。
【0014】図2は、本発明の他の実施形態を示す図で
あり、自励発振器9にインバータ回路からなるリング発
振器9Bを用い、緩衝増幅器10にインバータ回路10
Bを用いることとしたもので、図1に示す回路と同様に
動作し、同様の効果を得ることができる。
【0015】なお上述の実施形態では、送信周波数f
ope 増幅する増幅器について説明しているが、増幅器だ
けでなくノーマリオン形のデプレッションFETをチッ
プ内に内蔵するMMICの全てに実施できることは言う
までもない。また上記実施形態では、ドレイン電圧源1
2と正電圧源13とを区別しているが、同じ正電圧源を
使用できることは言うまでもない。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように本発明のMMIC
は、処理信号中のスプリアス成分を増加させることな
く、内蔵するD−FETを正電圧源のみで動作させる構
成とできる。またチップサイズの大型化や高コスト化を
防止することができる等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を示す図である。
【図2】本発明の他の実施形態を示す図である。
【図3】MMIC増幅器の構成を説明するための図であ
る。
【図4】従来のMMIC増幅器の問題点を説明するため
の図である。
【符号の説明】
1 MMIC−AMP、5 第1のD−FET、7 第
2のD−FET、9,9B 自励発振器、10,10B
緩衝増幅器、11 整流回路、12 FETのドレイ
ン電圧源、13 正電圧源。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ノーマリオン形のデプレッション(deple
    tion) FETをチップ内に内蔵するマイクロ波モノリシ
    ック集積回路において、 上記チップ内に、 処理周波数より高い発振周波数を発振する自励発振器
    と、この自励発振器で発振した信号を増幅する増幅器
    と、増幅された信号を整流平滑する整流回路とで構成さ
    れる電圧供給回路を備えたことを特徴とするマイクロ波
    モノリシック集積回路。
  2. 【請求項2】 ノーマリオン形のデプレッションFET
    を用いて信号を増幅する増幅器がチップ内に構成される
    マイクロ波モノリシック集積回路において、 上記チップ内に、 増幅する信号の周波数より高い発振周波数を発振する自
    励発振器と、この自励発振器で発振した信号を増幅する
    緩衝増幅器と、緩衝増幅された信号を整流平滑する整流
    回路とで構成される電圧供給回路を備えたことを特徴と
    するマイクロ波モノリシック集積回路。
JP8060318A 1996-02-23 1996-02-23 マイクロ波モノリシック集積回路 Pending JPH09232888A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016140065A (ja) * 2015-01-21 2016-08-04 パナソニック株式会社 信号反転装置、電力伝送装置、および、負電圧生成回路

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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