JPH01254013A - ガリウム・ひ素・モノリシック・マイクロ波集積回路前置増幅器 - Google Patents
ガリウム・ひ素・モノリシック・マイクロ波集積回路前置増幅器Info
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- JPH01254013A JPH01254013A JP1045556A JP4555689A JPH01254013A JP H01254013 A JPH01254013 A JP H01254013A JP 1045556 A JP1045556 A JP 1045556A JP 4555689 A JP4555689 A JP 4555689A JP H01254013 A JPH01254013 A JP H01254013A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6644—Packaging aspects of high-frequency amplifiers
- H01L2223/665—Bias feed arrangements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は高周波（Ｒ「）パワー・モジュールに関し、更
に詳しくは、集積回路前置増幅器に関する。前置増幅器
とは無線通信で通常使用する増幅器の一種である。
に詳しくは、集積回路前置増幅器に関する。前置増幅器
とは無線通信で通常使用する増幅器の一種である。
（従来技術及び解決すべき課題）
現在、可搬式のセルラー無線機が広く普及している。し
かし、残念ながらこれらの無線機はユーザーが快適に持
ち運ぶには大きすぎ、カリ重すぎるという欠点があり、
無線機の小型化が望まれている。
かし、残念ながらこれらの無線機はユーザーが快適に持
ち運ぶには大きすぎ、カリ重すぎるという欠点があり、
無線機の小型化が望まれている。
現在のセルラー無線電話機が大きいことは、信号を増幅
もしくは受信するパワー・モジュール、またはこれらの
パワー・七ジ］−ルに必要なバッテリーのサイズによる
ところが多い。設削者はこれまで１００ＭＨ２から１．
５ＧＨｚの高周波用のモノリシック・マイクロ波集積回
路（ＭＭｒＣ）増幅器を設計することができなかった。
もしくは受信するパワー・モジュール、またはこれらの
パワー・七ジ］−ルに必要なバッテリーのサイズによる
ところが多い。設削者はこれまで１００ＭＨ２から１．
５ＧＨｚの高周波用のモノリシック・マイクロ波集積回
路（ＭＭｒＣ）増幅器を設計することができなかった。
その代わりに、伝送ライン、時には大型のバイポーラ接
合トランジスタを必要とするハイブリッド回路を使用し
てきた。上記伝送ラインは多くのスペースをとる。また
、これら従来のハイブリッド回路は製造費用が非常に高
いという問題点もあった。
合トランジスタを必要とするハイブリッド回路を使用し
てきた。上記伝送ラインは多くのスペースをとる。また
、これら従来のハイブリッド回路は製造費用が非常に高
いという問題点もあった。
ＭＭＩＣ前置増幅器はガリウム・ひ素で構成するべきで
ある。それはガリ【クム・ひ素（ＧａＡＳ）素子がシリ
コン（Ｓ ｉ ）素子と違い、固有の絶縁特性を備えて
おりＲＦ倍信号ロスを防ぐためである。ｓｉ ＭＭＩＣ
ではＲＦ倍信号一部がロスするため、無線の運用効率を
大幅に減少させることになる。これに対し、ＧａＡｓ
ＭＭＩＣ前置増幅器は好適ではあるが、設計者はそれ
らをＲＦに適用するのに必要な増幅を達成することがで
きなかった。わずかに８〜１２ＧＨｚ増幅器のみが現在
入手でさる。現在、セルラー無線通信では４５０ＭＨ２
〜９００ＭＨｚの周波数が最も頻繁に使用されているた
め、多くのアプリケーションに役立たせるには３００Ｍ
Ｈｚ〜１．５ＧＨｚまでの範囲で動作する素子が必要で
ある。
ある。それはガリ【クム・ひ素（ＧａＡＳ）素子がシリ
コン（Ｓ ｉ ）素子と違い、固有の絶縁特性を備えて
おりＲＦ倍信号ロスを防ぐためである。ｓｉ ＭＭＩＣ
ではＲＦ倍信号一部がロスするため、無線の運用効率を
大幅に減少させることになる。これに対し、ＧａＡｓ
ＭＭＩＣ前置増幅器は好適ではあるが、設計者はそれ
らをＲＦに適用するのに必要な増幅を達成することがで
きなかった。わずかに８〜１２ＧＨｚ増幅器のみが現在
入手でさる。現在、セルラー無線通信では４５０ＭＨ２
〜９００ＭＨｚの周波数が最も頻繁に使用されているた
め、多くのアプリケーションに役立たせるには３００Ｍ
Ｈｚ〜１．５ＧＨｚまでの範囲で動作する素子が必要で
ある。
（発明の概要）
本発明の目的は、ＲＦ周波数応用のための新しい改良型
の前置増幅器で従来素子より小型で安価なものを提供す
ることである。
の前置増幅器で従来素子より小型で安価なものを提供す
ることである。
本発明の他の目的は、入力整合が良く、コンポーネント
総数が少なく、かつコンパクトなパッケージで高利得を
もたらすＲＦ周波数応用のための新しい改良型の前置増
幅器を提供することである。
総数が少なく、かつコンパクトなパッケージで高利得を
もたらすＲＦ周波数応用のための新しい改良型の前置増
幅器を提供することである。
本発明のざらに他の目的は、３００ＭＨｚ〜１．５ＧＨ
２という低い周波数範囲で２５ｄｂより大きな利１ｑを
）ｑるＧａＡｚ ＭＭＩＣ前置増幅器を提供すること
である。
２という低い周波数範囲で２５ｄｂより大きな利１ｑを
）ｑるＧａＡｚ ＭＭＩＣ前置増幅器を提供すること
である。
本発明の上記およびその他の目的と効果は３段のモノリ
シック集積回路によって達成する。その第１段では、受
信信号に整合する接続経路を提供するためにコモンゲー
ト電界効果トランジスタを利用し、第２段はＡ級利得を
提供するコモンソース電界効果トランジスタを利用し、
第３段ではＢ級増幅出力を提供するためにオープンドレ
イン電界効果トランジスタを使用する。
シック集積回路によって達成する。その第１段では、受
信信号に整合する接続経路を提供するためにコモンゲー
ト電界効果トランジスタを利用し、第２段はＡ級利得を
提供するコモンソース電界効果トランジスタを利用し、
第３段ではＢ級増幅出力を提供するためにオープンドレ
イン電界効果トランジスタを使用する。
（好適な実施例）
第１図を参照すると、半導体チップ２０が半導体チップ
パッケージ１０の上に記されている。半導体チップ２０
は、３段構成のモノリシック集積回路を含む。３段とは
、整合回路段３０．Ａ級利得段４０．Ｂ級利得段５０で
ある。
パッケージ１０の上に記されている。半導体チップ２０
は、３段構成のモノリシック集積回路を含む。３段とは
、整合回路段３０．Ａ級利得段４０．Ｂ級利得段５０で
ある。
整合回路段３０の主要構成要素は、コモンゲートＮチャ
ネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）３４である。ＦＥ
Ｔ３４のソースは入力ピン１５から信号を受信する。ま
たＦＥＴ３４のソースと結合しているのが接地抵抗器３
２である。ＦＥＴ３４のドレインはインダクタ３６に結
合している。
ネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）３４である。ＦＥ
Ｔ３４のソースは入力ピン１５から信号を受信する。ま
たＦＥＴ３４のソースと結合しているのが接地抵抗器３
２である。ＦＥＴ３４のドレインはインダクタ３６に結
合している。
インダクタ３６はパッケージ１０の上のピン１２への接
続経路を形成する。ＦＥＴ３４のドレインはまた独立し
た接続経路に沿ってＡ級利１ワ回路段４０に結合してい
る。
続経路を形成する。ＦＥＴ３４のドレインはまた独立し
た接続経路に沿ってＡ級利１ワ回路段４０に結合してい
る。
Ａ級利１ｑ回路段４０の主要構成部分はへチャネルＦＥ
Ｔ４４である。ＦＥＴ４４のゲートとＦＥＴ３４のドレ
インとの間にブロックコンデンサ４１が結合している。
Ｔ４４である。ＦＥＴ４４のゲートとＦＥＴ３４のドレ
インとの間にブロックコンデンサ４１が結合している。
接地バイアス抵抗器４２はＦＥＴ４４のゲートとブロッ
クコンデンサ４１との間に結合している。ＦＥＴ＝１４
のソースは抵抗器４７とコンデンサ４Ｂの並列結合に結
合している。抵抗器４７とコンデンサ４８は共にアース
に接続している。パッケージ１０上のピン１６も抵抗器
４７とコンデンサ４８の並列結合に結合している。イン
ダクタ４６はＦＥＴ４４のドレインとピン１１との間に
結合している。ＦＥＴ４４のドレインはまた、独立した
接続経路に添ってＢ級利得回路段５０に結合している。
クコンデンサ４１との間に結合している。ＦＥＴ＝１４
のソースは抵抗器４７とコンデンサ４Ｂの並列結合に結
合している。抵抗器４７とコンデンサ４８は共にアース
に接続している。パッケージ１０上のピン１６も抵抗器
４７とコンデンサ４８の並列結合に結合している。イン
ダクタ４６はＦＥＴ４４のドレインとピン１１との間に
結合している。ＦＥＴ４４のドレインはまた、独立した
接続経路に添ってＢ級利得回路段５０に結合している。
Ｂ級利得回路段５０の主要構成部分はオープンドレイン
ＦＥＴ５４である。ＦＥＴ５４のゲートとＦＥＴ４４の
ドレインとの間に結合しているのがブロックコンデンサ
５１である。またバイアス抵抗器５２はＢ級利得回路段
５０においても使用され、その１つの端子はＦＥＴ５４
とブロックコンデンサ５１との間に結合し、２つ目の端
子はピン１３に結合している。ＦＥＴ５４のソースは接
地コンデンサ５８とピン１９の両方に結合している。Ｆ
ＥＴ５４のオープンドレインは出力ピン１７に結合して
いる。
ＦＥＴ５４である。ＦＥＴ５４のゲートとＦＥＴ４４の
ドレインとの間に結合しているのがブロックコンデンサ
５１である。またバイアス抵抗器５２はＢ級利得回路段
５０においても使用され、その１つの端子はＦＥＴ５４
とブロックコンデンサ５１との間に結合し、２つ目の端
子はピン１３に結合している。ＦＥＴ５４のソースは接
地コンデンサ５８とピン１９の両方に結合している。Ｆ
ＥＴ５４のオープンドレインは出力ピン１７に結合して
いる。
この時点まで触れなかったが、インダクタ６１、６２．
６３．６４．６５．６６．６７及び６８は、半導体チッ
プパッケージ１０と半導体チップ２０との間のワイヤボ
ンディングによる奇生インダクタンスを示すことに注意
すべきである。ざらに注意すべきは、半導体チップ２０
は、それがガリウム・ひ素で構成されるときに最も効率
がよく、またＦＥＴ３４．４４．５４は金属半導体電界
効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）であることである。
６３．６４．６５．６６．６７及び６８は、半導体チッ
プパッケージ１０と半導体チップ２０との間のワイヤボ
ンディングによる奇生インダクタンスを示すことに注意
すべきである。ざらに注意すべきは、半導体チップ２０
は、それがガリウム・ひ素で構成されるときに最も効率
がよく、またＦＥＴ３４．４４．５４は金属半導体電界
効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）であることである。
ＦＥＴ３４のドレインとＦＥＴ４４のドレインはそれぞ
れインダクタ７２およびインダクタ７１を介してバイア
ス節点７７に結合している。バイアス節点７７は接地コ
ンデンυ゛７４に結合しており、また、バイアス電圧供
給を受信できる。第１図では、共通バイアス節点および
接地コンテン１ノを使用しているが、ＦＥＴ３４および
ＦＥＴ４４には別々のバイアス節点と接地コンデンサを
使用できることが当業者にとって明らかなはずである。
れインダクタ７２およびインダクタ７１を介してバイア
ス節点７７に結合している。バイアス節点７７は接地コ
ンデンυ゛７４に結合しており、また、バイアス電圧供
給を受信できる。第１図では、共通バイアス節点および
接地コンテン１ノを使用しているが、ＦＥＴ３４および
ＦＥＴ４４には別々のバイアス節点と接地コンデンサを
使用できることが当業者にとって明らかなはずである。
第１図に示す回路の動作は以下の通りである：信号はパ
ッケージ１０の入力ピン１５で受信し、インダクタ６１
を通って整合回路段３０に入る。
ッケージ１０の入力ピン１５で受信し、インダクタ６１
を通って整合回路段３０に入る。
整合回路段３０をそのように呼ぶ理由は、ＦＥＴ３４の
ゲートを接地するので入力信号の反射がほとんどないこ
とである。このことは広い周波数範囲に当てはまる。
ゲートを接地するので入力信号の反射がほとんどないこ
とである。このことは広い周波数範囲に当てはまる。
バイアス節点７７をバイアス電圧供給（通常５〜７ボル
ト）に接続する場合には、バイアス抵抗器３２を使用し
てＦＥＴ３４のゲートとソースの間に電位差をセットア
ツプする。これによりＦＥＴ３４がターンオンする。通
常、バイアス抵抗器３２は１８０オームでこれを通る電
流は１０ｍＡとなる。ＲＦ倍信号またＦＥＴ３４のドレ
インからＡ級利得回路４０へと伝わる。インダクタ３６
．６２．７２はＦＥＴ３４のドレインからバイアス節点
７７に入るＲＦ倍信号ロスを防ぐチョークとして働く。
ト）に接続する場合には、バイアス抵抗器３２を使用し
てＦＥＴ３４のゲートとソースの間に電位差をセットア
ツプする。これによりＦＥＴ３４がターンオンする。通
常、バイアス抵抗器３２は１８０オームでこれを通る電
流は１０ｍＡとなる。ＲＦ倍信号またＦＥＴ３４のドレ
インからＡ級利得回路４０へと伝わる。インダクタ３６
．６２．７２はＦＥＴ３４のドレインからバイアス節点
７７に入るＲＦ倍信号ロスを防ぐチョークとして働く。
ブロックコンデンサ４１の目的は直流バイアス電流がＦ
Ｅ Ｔ ３ ’４のドレインからＦＥＴ４４のゲート
へと全く伝わらないようにすることである。
Ｅ Ｔ ３ ’４のドレインからＦＥＴ４４のゲート
へと全く伝わらないようにすることである。
バイアス節点７７に接続されたバイアス電圧供給はＦＥ
Ｔ４４に印加される。これによって抵抗器４７を通じて
直流電流が生じる。バイアス抵抗器４２は、ＦＥＴ４４
をターンオンさせるバイアスを生じる助けをする。コン
チング４８は直流で開回路として働くか、ＡＣ負荷線の
セットを助けるために使用する。ＦＥＴ４４はオンにな
っているため、ＲＦ倍信号増幅する動きをする。ついで
ＲＦ倍信号ＦＥＴ４４のドレインからＢ級利１９回路段
５０へと伝わる。インダクタ４６．６３．７１はＦＥＴ
４４のドレインから発するＲＦ倍信号ロスを防ぐチョー
クとして働く。バイパス・コンデンサ７４を使用して、
バイアス節点７７に伝わるＲＦ信＠を除去することによ
って、節点７７におけるＲＦ接地を確保する。
Ｔ４４に印加される。これによって抵抗器４７を通じて
直流電流が生じる。バイアス抵抗器４２は、ＦＥＴ４４
をターンオンさせるバイアスを生じる助けをする。コン
チング４８は直流で開回路として働くか、ＡＣ負荷線の
セットを助けるために使用する。ＦＥＴ４４はオンにな
っているため、ＲＦ倍信号増幅する動きをする。ついで
ＲＦ倍信号ＦＥＴ４４のドレインからＢ級利１９回路段
５０へと伝わる。インダクタ４６．６３．７１はＦＥＴ
４４のドレインから発するＲＦ倍信号ロスを防ぐチョー
クとして働く。バイパス・コンデンサ７４を使用して、
バイアス節点７７に伝わるＲＦ信＠を除去することによ
って、節点７７におけるＲＦ接地を確保する。
ブロックコンデンサ５１は、直流バイアス電流かＦＥＴ
４４のドレインからＦＥＴ５４のゲートに伝わるのを防
ぐことによってブロックコンデンサ４１と同様の目的に
役立つ。バイアス抵抗器５２は、ピン１３にソースを印
加することによってＦＥＴ５４のゲートをバイアスする
のに使用する。コンデンサ５８を再び使用してＡＣ負荷
線をセットすると、ＲＦ比出力ＦＥＴ５４のオープンド
レインから出力ピン１７へと伝わる。ＦＥＴ５４のオー
プンドレインは、他の多くの回路に接続できるようにフ
レキシビリティを大きくできる。
４４のドレインからＦＥＴ５４のゲートに伝わるのを防
ぐことによってブロックコンデンサ４１と同様の目的に
役立つ。バイアス抵抗器５２は、ピン１３にソースを印
加することによってＦＥＴ５４のゲートをバイアスする
のに使用する。コンデンサ５８を再び使用してＡＣ負荷
線をセットすると、ＲＦ比出力ＦＥＴ５４のオープンド
レインから出力ピン１７へと伝わる。ＦＥＴ５４のオー
プンドレインは、他の多くの回路に接続できるようにフ
レキシビリティを大きくできる。
ＦＥＴ５４のドレインはパワーＦＥＴに接続し、ついで
アンテナに接続することが非常に多い。
アンテナに接続することが非常に多い。
Ｂ級利得回路５０段は、Ａ級利得回路の定格効率が約４
７％であるのに対し、約８０％の効率のｒｅａｄ ｉ
ｎｇが可能である。Ｂ級利得回路５０はまた暗電流をＯ
〜１０ｍＡと低くすることが可能である。このことによ
って、ＦＲ低信号入力ピン１５に印加されないときには
、チップ２０の増幅器が流す電流が最小となるためバッ
テリーの寿命を節約することを意味する。
７％であるのに対し、約８０％の効率のｒｅａｄ ｉ
ｎｇが可能である。Ｂ級利得回路５０はまた暗電流をＯ
〜１０ｍＡと低くすることが可能である。このことによ
って、ＦＲ低信号入力ピン１５に印加されないときには
、チップ２０の増幅器が流す電流が最小となるためバッ
テリーの寿命を節約することを意味する。
第２図はＯ〜１．５Ｇｆ−１ｚの周波数について、第１
図の構成部分に指示した数値を与えた場合の入力ピン１
５から出力ピン１７までの利）ｑを示したものである。
図の構成部分に指示した数値を与えた場合の入力ピン１
５から出力ピン１７までの利）ｑを示したものである。
デシベルで表した利得の大きさは、通常使用する４５０
ＭＨ２〜９００ＭＨ２の周波数において所望される２５
ｄｂより高い。
ＭＨ２〜９００ＭＨ２の周波数において所望される２５
ｄｂより高い。
第１図は本発明の一実施例であるＧａＡＳパワーＭＭ
Ｉ Ｃ前置増幅器のチップとパッケージの回線図を示す
。 第２図は、第１図に示す回路のＯ〜１．５ＧＨ７の周波
数範囲にわたる利得の大きざ（単位デシベル）をグラフ
で示したものである。 １０・・・チップパッケージ ２０・・・半導体チップ ３０・・・整合回路段 ３４．４４．５４・・・電界効果トランジスタ４０・・
・Ａ級利得回路段 ５０・・・Ｂ級利１９回路段
Ｉ Ｃ前置増幅器のチップとパッケージの回線図を示す
。 第２図は、第１図に示す回路のＯ〜１．５ＧＨ７の周波
数範囲にわたる利得の大きざ（単位デシベル）をグラフ
で示したものである。 １０・・・チップパッケージ ２０・・・半導体チップ ３０・・・整合回路段 ３４．４４．５４・・・電界効果トランジスタ４０・・
・Ａ級利得回路段 ５０・・・Ｂ級利１９回路段
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、入力、出力並びに第１、第２、第３、第４及び第５
のバイアス節点を有するガリウム・ひ素・モノリシック
・マイクロ波集積回路前置増幅器であつて： コモンゲート電界効果トランジスタを具備し、受信信号
のための整合経路をもたらす第１段；該第１段に結合し
、コモンソース電界効果トランジスタを具備し、前記第
１段からＲＦ信号を受信して該信号のＡ級利得を生じう
る第２段；及び該第２段に結合し、オープンドレイン電
界効果トランジスタを具備し、前記第２段からＡ級増幅
信号を受信して該Ａ級増幅信号のＢ級利得を生じうる第
３段； から構成されるガリウム・ひ素・モノリシック・マイク
ロ波集積回路前置増幅器。 ２、前記コモンゲート電界効果トランジスタがゲート、
ソース及びドレインを有する第１の電界効果トランジス
タであり、該第１の電界効果トランジスタの前記ゲート
が第１の電圧供給源に結合し、前記第１の電界効果トラ
ンジスタの前記ソースが前記入力に結合し；前記第１段
が、さらに 第１端子が前記第１の電圧供給源に結合し、第２端子が
前記第１の電界効果トランジスタのソースに結合する第
１の抵抗器；及び 第１端子が前記第１の電界効果トランジスタのドレイン
に結合し、第２端子が前記第１のバイアス節点に結合す
る第１のインダクタ； から構成されることを特徴とする請求項１記載のガリウ
ム・ひ素・モノリシック・マイクロ波集積回路前置増幅
器。 ３、前記コモンサース電界効果トランジスタがソース、
ゲート及びドレインを有する第２の電界効果トランジス
タであり； 前記第２段が、さらに 第１及び第２端子を有する第１のブロックコンデンサで
あつて、該第１のブロックコンデンサの前記第１端子が
前記第１の電界効果トランジスタの前記ドレインに結合
し、前記第１のブロックコンデンサの前記第２端子が前
記第２の電界効果トランジスタの前記ゲートに結合する
ところの、第１のブロックコンデンサ； 第１及び第２端子を有する第２の抵抗器であつて、該第
２の抵抗器の前記第１端子が前記第１の電圧供給源に結
合し、前記第２の抵抗器の前記第２端子が前記第２の電
界効果トランジスタの前記ゲートに結合するところの、
第２の抵抗器；第１及び第２端子を有する第２のインダ
クタであつて、前記第２のインダクタの前記第１端子が
前記第２の電界効果トランジスタの前記ドレインに結合
し、前記第２のインダクタの前記第２端子が前記第２の
バイアス節点に結合するところの、第２のインダクタ； 第１及び第２端子を有する第３の抵抗器であつて、該第
３の抵抗器の前記第１端子が前記第１の電圧供給源に結
合し、前記第３の抵抗器の前記第２端子が前記第２の電
界効果トランジスタの前記ソース及び前記第３のバイア
ス節点に結合するところの、第３の抵抗器；並びに 第１端子が前記第１の電圧供給源に結合し、第２端子が
前記第３の抵抗器の前記第２端子に結合する第２のコン
デンサ； から構成されることを特徴とする請求項２記載のガリウ
ム・ひ素・モノリシック・マイクロ波集積回路前置増幅
器。 ４、前記オープンドレイン電界効果トランジスタがソー
ス、ゲート及びドレインを有する第３の電界効果トラン
ジスタであり、該第３の電界効果トランジスタの前記ド
レインが前記出力に結合し、前記第３の電界効果トラン
ジスタの前記ソースが前記第４のバイアス節点に結合し
； 前記第３段が、さらに 第１及び第２端子を有する第３のブロックコンデンサで
あつて、該第３のブロックコンデンサの前記第１端子が
前記第２の電界効果トランジスタの前記ドレインに結合
し、前記第３のブロックコンデンサの第２端子が前記第
３の電界効果トランジスタの前記ゲートに結合するとこ
ろの、第３のブロックコンデンサ； 第１及び第２端子を有する第４のコンデンサであつて、
該第４のコンデンサの前記第１端子が前記第１の電圧供
給源に結合し、前記第４のコンデンサの前記第２端子が
前記第３の電界効果トランジスタの前記ソースに結合す
るところの、第４のコンデンサ；並びに 第１及び第２端子を有する第４の抵抗器であつて、該第
４の抵抗器の前記第１端子が前記第５のバイアス節点に
結合し、前記第４の抵抗器の前記第２端子が前記第３の
電界効果トランジスタの前記ゲートに結合するところの
、第４の抵抗器；から構成されることを特徴とする請求
項３記載のガリウム・ひ素・モノリシック・マイクロ波
集積回路前置増幅器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US161,650 | 1980-06-20 | ||
| US07/161,650 US4890069A (en) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | Gallium arsenide power monolithic microwave integrated circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01254013A true JPH01254013A (ja) | 1989-10-11 |
Family
ID=22582125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1045556A Pending JPH01254013A (ja) | 1988-02-29 | 1989-02-28 | ガリウム・ひ素・モノリシック・マイクロ波集積回路前置増幅器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4890069A (ja) |
| JP (1) | JPH01254013A (ja) |
Families Citing this family (16)
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Family Cites Families (1)
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-
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- 1988-02-29 US US07/161,650 patent/US4890069A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-02-28 JP JP1045556A patent/JPH01254013A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4890069A (en) | 1989-12-26 |
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