JPH09232383A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH09232383A
JPH09232383A JP3387096A JP3387096A JPH09232383A JP H09232383 A JPH09232383 A JP H09232383A JP 3387096 A JP3387096 A JP 3387096A JP 3387096 A JP3387096 A JP 3387096A JP H09232383 A JPH09232383 A JP H09232383A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
matching
loop
semiconductor device
wire
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3387096A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2795251B2 (ja
Inventor
Kazunori Asano
和則 麻埜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP3387096A priority Critical patent/JP2795251B2/ja
Publication of JPH09232383A publication Critical patent/JPH09232383A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2795251B2 publication Critical patent/JP2795251B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6611—Wire connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6644—Packaging aspects of high-frequency amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48092—Helix
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7855—Mechanical means, e.g. for severing, pressing, stamping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8517—Rotational movements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01072—Hafnium [Hf]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015—Shape
    • H01L2924/1016—Shape being a cuboid
    • H01L2924/10161—Shape being a cuboid with a rectangular active surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H01L2924/30111—Impedance matching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】内部整合回路型高出力ＦＥＴにおいて回路占有
面積を増加することなく大インダクタンスを得る。 【解決手段】ボンディングワイヤ９Ａが、少なくとも１
回転のループ部１０を備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
特に高周波用の内部整合回路型の高出力ＦＥＴなどの半
導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、高周波帯で用いられる高出力Ｆ
ＥＴは、複数のＦＥＴ素子の並列接続から成りその入力
および出力インピーダンスが極めて低く数Ω程度である
のに対し、これら入出力の高周波信号を伝送する伝送回
路のインピーダンスは５０Ω程度である。このため、効
率よく入出力信号を素子に結合するためインピーダンス
整合回路（以下整合回路）を用いる。この整合回路をパ
ッケージ内に有する半導体装置を内部整合回路型と呼
び、この種の半導体装置の主用途である無線装置の設計
・製造が容易となるため広く用いられるようになってき
ている。
【０００３】従来、この種の半導体装置の内部整合回路
は、集中定数のＬ−Ｃ−ＬＴ型共振回路と分布定数のイ
ンピーダンス変換回路との組合せによるものが広く用い
られている。一般に、回路構成を単純化するため、集中
定数回路のＬすなわちインダクタンスとしてボンデング
ワイヤ自身が持つインダクタンスを用いる。
【０００４】従来のこの種の半導体装置である内部整合
型の高出力ＦＥＴを平面図およびＸ−Ｘ断面図でそれぞ
れ示す図５（Ａ），（Ｂ）を参照すると、この従来の半
導体装置は、パッケージ１内に複数（ここでは７個）の
ＦＥＴ素子から成る半導体チップ２と、入力側，出力側
の各インピーダンス変換回路Ｚｉ，Ｚｏ用の回路基板
３，４と、入力側，出力側の各誘電体キャパシタＣｉ，
Ｃｏである薄膜のコンデンサ５，６と、入力側，出力側
リード７，８とを装着し、各コンポーネント２〜８間を
ボンディングワイヤ９で接続する。
【０００５】従来の半導体装置の等価回路を示す図５
（Ｃ）を参照すると、入力側インピーダンス変換回路Ｚ
ｉとＦＥＴ２のゲートとの間にボンディングワイヤ９の
ＬｉとキャパシタＣｉとから成る一段のＬ−Ｃ−Ｌ共振
回路を、出力側インピーダンス変換回路ＺｏとＦＥＴ２
のドレインとの間にボンディングワイヤ９のＬｏとキャ
パシタＣｏとから成る一段のＬ−Ｃ−Ｌ共振回路をそれ
ぞれ備える。
【０００６】ここで、インダクタンスＬｉ，Ｌｏ（以下
Ｌ）をボンディングワイヤで構成する場合、このＬの値
はワイヤの長さ，ワイヤ径，およびワイヤで形成される
山の高さによって調整する。経験則として近似的には、
ワイヤ径が２５μｍφの場合Ｌは０．５６ｎＨ／（長
さ）ｍｍで表すことができる。
【０００７】ところで上述のようにボンディングワイヤ
と薄膜コンデンサで構成された内部整合回路の場合、Ｘ
−Ｋｕ帯（８〜１５ＧＨｚ）等の比較的高い周波数帯で
はインダクタンスＬ，キャパシタンスＣの値は小さくて
も十分整合をとれる回路の構成が可能であるが、Ｌ−Ｓ
帯（１〜４ＧＨｚ）等の比較的低い周波数帯域では整合
をとるために大きなＬ，Ｃを必要とする。その場合、Ｃ
については高誘電率基板を用いる等の対策が行われる。
一方、Ｌについてはワイヤを長くするか、あるいは細い
ワイヤを用いることが考えられる。しかしながらワイヤ
部分の電流密度が大きくなる高出力ＦＥＴの場合は細い
ワイヤを用いることは信頼度上制約がある。また単純に
ワイヤを長くすることもパッケージサイズを大きくする
ため、コストの増加要因となる。
【０００８】例えばＬ−Ｓ帯の場合、上記Ｌとして２ｎ
Ｈ以上のインダクタンスを必要とするが、この値を実現
するためには２５μｍφのワイヤを用いた時、長さ２ｍ
ｍ以上必要となり、ワイヤで形成される山の高さも０．
７ｍｍ以上、ボンディング間距離は１．４ｍｍ以上を必
要とする。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置は、ボンディングワイヤのインダクタンスを利用し
て所要のインダクタンスを得る構成であるので、使用周
波数帯が低い場合、所要のインダクタンスを確保するた
めワイヤ径を細くするか、長くするかの必要があり、前
者の場合には電流密度の上昇から信頼度上の制約があ
り、後者の場合にはパッケージサイズが大きくなるため
コストの増加要因となるという欠点があった。
【００１０】本発明の目的は、内部整合回路型高出力Ｆ
ＥＴのインダンクタンス素子を小型化して回路面積の増
加によるコスト増加要因を抑制した半導体装置を提供す
ることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体チップとこの半導体チップの入力端および出力端
のインピーダンスを外部回路と整合させるための入力お
よび出力インピーダンス整合用の整合回路とをそれぞれ
有し、前記整合回路の各々が前記半導体チップとの間お
よび前記整合回路の内部の回路素子間の接続用のボンデ
ィングワイヤを前記インピーダンス整合用のインダクタ
ンスとして利用する半導体装置において、前記ボンディ
ングワイヤが、少なくとも１回転のループ部を備えて構
成されている。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図５
と共通の構成要素には共通の参照文字／数字を付して同
様に平面図およびＸ−Ｘ断面図でそれぞれ示す図１
（Ａ），（Ｂ）を参照すると、この図に示す本実施の形
態の半導体装置は、従来と共通のパッケージ１と、半導
体チップ２と、回路基板３，４と、コンデンサ５，６
と、入力側，出力側リード７，８とに加えて、ボンディ
ングワイヤ９の代りに少なくとも１回転のループ１０を
有するボンディングワイヤ９Ａを備える。
【００１３】このループ１０を形成することにより、ル
ープ部分でインダクタンスをかせぐことができ、コンパ
クトに大きなＬを持つインダクタが得られる。
【００１４】例えばループ半径０．２ｍｍで１回転のル
ープを形成した場合、山の高さは０．３ｍｍ、ボンディ
ング間距離は０．６ｍｍで十分であるため整合回路の小
型化およびパッケージの小型化を図ることが可能とな
る。
【００１５】次に、ワイヤにループを形成するループ形
成工程を示す図２，図３を参照して本実施の形態の半導
体装置の製造方法について説明すると、まず、図２
（Ａ）で、半導体チップ２の入力側のボンディングパッ
ド１３に熱圧着あるいは超音波圧着により２０〜３０μ
ｍφのＡｕ線から成るボンディングワイヤ９をワイヤ押
え１１を用いて固定しながらボンディングする。次に、
図２（Ｂ）に示すようにワイヤ送り出し部１２を操作
し、所定の高さまでワイヤを伸ばした状態でワイヤルー
プ１０の中心となるループ心棒１５を横から挿入する。
ループ１０の半径はこのループ心棒１５の半径で調整す
る。次に、図２（Ｃ）に示すようにワイヤ送り出し部１
２をワイヤが心棒に巻き付くように下降させ、ワイヤ９
が半周したところでループ心棒１５を一時的に後退させ
る。次に、図３（Ａ）に示すようにワイヤ９がループ１
０を形成するようにワイヤ送り出し部１２を一周させな
がら、同時にループ内にループ心棒１５を挿入する（図
３（Ｂ））。次にワイヤ送り出し部１２のワイヤ送出端
が心棒の軸を中心にして一周して戻ってきてからワイヤ
９の他の端となるコンデンサ５のボンディング箇所に移
動させ、上記と同様の圧着法によりボンディングを行う
（図３（Ｃ））。最後に、形成されたループ１０からル
ープ心棒１５を引き抜く。以上の工程により１回転のル
ープ１０を含むボンディングワイヤ９Ａを形成すること
が可能となる。
【００１６】またループ１０を形成する工程を複数回行
うことにより２回転以上のループを形成することも可能
である。ただしループ部分が複数になると隣接するワイ
ヤと接触する可能性があるため、ループの数には制限が
ある。
【００１７】上述の説明は入力側のボンディングワイヤ
の形成方法についてであるが、出力側あるいはその他の
ボンディングワイヤ形成についても同様である。
【００１８】なお、上記製造方法によるワイヤボンディ
ングを精度よく行うためには、自動ボンダにおいてワイ
ヤ送り出し部の回転動作と心棒の軸方向の移動を最適に
制御することが有効である。
【００１９】次に、本発明の第２の実施例を特徴ずける
ボンディングワイヤ９Ｂを半導体装置の模式断面図で示
す図４を参照すると、この図に示す本実施の形態の第１
の実施の形態との相違点は、ボンディングワイヤ９Ｂに
ループ１０を２箇所形成していることである。
【００２０】このような構造にすることで、ワイヤ９が
近接する場合にも複数のループ１０を形成でき、インダ
クタンスを大きくすることができる。この場合のループ
１０の形成方法は上述の工程でループ１０を一回形成し
た後、ワイヤ送り出し部１２とループ心棒１５とを平行
移動させ、上述と同様の工程でさらにループ１０を一つ
形成する工程を加えることで可能となる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置は、ボンディングワイヤが、少なくとも１回転のルー
プ部を備えることにより、占有面積を高めることなく大
きなインダクタンスを得ることができるので半導体装置
の小型化が可能となり、コスト増大要因を抑圧できると
いう効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の第１の実施の形態を示す
平面図および断面図である。
【図２】本実施の形態の半導体装置のループ形成方法を
示す工程図である。
【図３】本実施の形態の半導体装置のループ形成方法を
示す工程図である。
【図４】本発明の半導体装置の第２の実施の形態を示す
平面図および断面図である。
【図５】従来の半導体装置の一例を示す平面図，断面図
および等価回路の回路図である。
【符号の説明】
１ パッケージ ２ 半導体チップ ３，４ 回路基板 ５，６ コンデンサ ７，８ リード ９，９Ａ，９Ｂ ボンディングワイヤ １０ ループ １１ ワイヤ押え １２ ワイヤ送り出し部 １３ ボンディングパッド １５ ループ心棒

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップとこの半導体チップの入力
    端および出力端のインピーダンスを外部回路と整合させ
    るための入力および出力インピーダンス整合用の整合回
    路とをそれぞれ有し、前記整合回路の各々が前記半導体
    チップとの間および前記整合回路の内部の回路素子間の
    接続用のボンディングワイヤを前記インピーダンス整合
    用のインダクタンスとして利用する半導体装置におい
    て、 前記ボンディングワイヤが、少なくとも１回転のループ
    部を備えることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】前記ボンディングワイヤの一本が、少なく
    とも２箇所に前記ループ部を備えることを特徴とする請
    求項１記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記ループ部が、前記ボンディングワイ
    ヤの接続工程時と同時に形成されることを特徴とする請
    求項１または２記載の半導体装置。
JP3387096A 1996-02-21 1996-02-21 半導体装置 Expired - Lifetime JP2795251B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3387096A JP2795251B2 (ja) 1996-02-21 1996-02-21 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3387096A JP2795251B2 (ja) 1996-02-21 1996-02-21 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09232383A true JPH09232383A (ja) 1997-09-05
JP2795251B2 JP2795251B2 (ja) 1998-09-10

Family

ID=12398558

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3387096A Expired - Lifetime JP2795251B2 (ja) 1996-02-21 1996-02-21 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2795251B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009016408A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Bae Systems Plc Flexible joint
JP2009512384A (ja) * 2005-10-19 2009-03-19 エヌエックスピー ビー ヴィ 接続部に結合された電極を有する素子を備える装置
JP2017531914A (ja) * 2014-09-23 2017-10-26 ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド 無線周波数電力コンポーネントおよび無線周波数信号送受信デバイス

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03173446A (ja) * 1989-12-01 1991-07-26 Matsushita Electron Corp 半導体装置
JPH04179244A (ja) * 1990-11-14 1992-06-25 Nec Corp 半導体装置
JPH04186645A (ja) * 1990-11-16 1992-07-03 Sanyo Electric Co Ltd マイクロ波集積回路の製造方法
JPH06334000A (ja) * 1993-05-20 1994-12-02 Hitachi Ltd 高周波回路モジュール及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03173446A (ja) * 1989-12-01 1991-07-26 Matsushita Electron Corp 半導体装置
JPH04179244A (ja) * 1990-11-14 1992-06-25 Nec Corp 半導体装置
JPH04186645A (ja) * 1990-11-16 1992-07-03 Sanyo Electric Co Ltd マイクロ波集積回路の製造方法
JPH06334000A (ja) * 1993-05-20 1994-12-02 Hitachi Ltd 高周波回路モジュール及びその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009512384A (ja) * 2005-10-19 2009-03-19 エヌエックスピー ビー ヴィ 接続部に結合された電極を有する素子を備える装置
WO2009016408A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Bae Systems Plc Flexible joint
JP2017531914A (ja) * 2014-09-23 2017-10-26 ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド 無線周波数電力コンポーネントおよび無線周波数信号送受信デバイス
US10347596B2 (en) 2014-09-23 2019-07-09 Huawei Technologies Co., Ltd. Radio frequency power component and radio frequency signal transceiving device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2795251B2 (ja) 1998-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6710681B2 (en) Thin film bulk acoustic resonator (FBAR) and inductor on a monolithic substrate and method of fabricating the same
US7932803B2 (en) Wire-wound type coil and winding method therefor
US6456172B1 (en) Multilayered ceramic RF device
TWI413297B (zh) 天線及天線饋源結構（二）
KR100617887B1 (ko) 품질 팩터가 높은 오버랩핑 공진기를 갖는 멀티칩 모듈
US5604383A (en) Stabilized power supply device using a flip chip as an active component
EP1094538A2 (en) Multilayered ceramic RF device
US7087993B2 (en) Chip package and electrical connection structure between chip and substrate
EP0667685A2 (en) Branching filter, branching filter module and radio communication apparatus
JPH0645479A (ja) 半導体装置
US4213141A (en) Hybrid transistor
JPH1070410A (ja) 無線機用一体型アンテナ・アセンブリとその製造方法
JPH08330517A (ja) 集積回路装置および共振回路
JP2795251B2 (ja) 半導体装置
US20020115414A1 (en) RF oscillator apparatus and transceiver apparatus
JPH06334000A (ja) 高周波回路モジュール及びその製造方法
JPH09106915A (ja) 高周波用インダクタ
US6437420B1 (en) Semiconductor elements for semiconductor device
JPWO2005024946A1 (ja) 半導体装置およびその製造方法
US20050045987A1 (en) Integrated circuit package having inductance loop formed from same-pin-to-same-bonding-pad structure
JPS6314501A (ja) 高周波フイルタ
JP3833426B2 (ja) 高周波用配線基板
JP2001237263A (ja) 高周波回路装置及びその製造方法
EP1244210A2 (en) Electronic circuit unit
KR100483332B1 (ko) 고주파 통신 모듈의 패키징 장치 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980526