JPH09227967A - Production of high-purity cobalt and high-purity cobalt sputtering target - Google Patents

Production of high-purity cobalt and high-purity cobalt sputtering target

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JPH09227967A
JPH09227967A JP6036296A JP6036296A JPH09227967A JP H09227967 A JPH09227967 A JP H09227967A JP 6036296 A JP6036296 A JP 6036296A JP 6036296 A JP6036296 A JP 6036296A JP H09227967 A JPH09227967 A JP H09227967A
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cobalt
less
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ppm
purity
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裕一朗 新藤
Tsuneo Suzuki
恒男 鈴木
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a process capable of stably and easily producing high- purity cobalt of >=5N level which is suitable for applications, such as targets, and contains alkaline metal elements, radioactive elements, transition metal elements and impurities, such as gaseous components only to the min. possible extent. SOLUTION: An aq. cobalt chloride soln. which contains impurities including at least Fe and/or Ni and has a hydrochloric acid concn. of 7 to 12N is brought into contact with an anion exchange resin to have the cobalt adsorbed thereon and, thereafter, the cobalt is eluted by using the hydrochloric acid of 1 to 6N. After the resulted eluate is evaporated to be dried up or is thickened, the aq. soln. of the high-purity cobalt chloride of pH=0 to 6 is obtd. Further, the org. matter in the soln. is removed by active carbon and the electrodeposited cobalt is obtd. by electrolytic refining using the aq. soln. as an electrolyte. The org. matter in the soln. derived from the anion exchange resin is removed by the active carbon.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高純度コバルトの
製造方法及びそれを使用して作製された高純度コバルト
スパッタリングターゲットに関するものである。本発明
により作製された高純度コバルトは、アルカリ金属元
素、放射性元素、遷移金属元素のみならず、ガス成分等
の不純物をも最小限しか含まない極めて高純度のもので
あり、VLSIの電極及び配線形成用のターゲット材等
として好適に用いることができる。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for producing high-purity cobalt and a high-purity cobalt sputtering target produced using the method. The high-purity cobalt produced according to the present invention is an extremely high-purity cobalt containing not only alkali metal elements, radioactive elements, and transition metal elements, but also impurities such as gas components to a minimum. It can be suitably used as a target material for formation and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体デバイスにおける電極材料
としてポリシリコンが主に用いられてきたが、LSIの
高集積化に伴い、モリブテン、タングステン等のシリサ
イドにの利用が進み、さらにはチタン、コバルトシリサ
イドの活用に関心が集まっている。また、従来から用い
られてきたAl、Al合金にかえてコバルトを配線材と
して用いる試みも進んでいる。こうした電極や配線は代
表的に、コバルト製ターゲットをアルゴン中でスパッタ
することにより形成される。
2. Description of the Related Art Conventionally, polysilicon has been mainly used as an electrode material in semiconductor devices, but with the high integration of LSI, its use for silicide such as molybdenum and tungsten has been advanced, and further titanium and cobalt silicide have been used. There is a growing interest in the use of. Further, attempts are being made to use cobalt as a wiring material in place of Al and Al alloys that have been conventionally used. Such electrodes and wirings are typically formed by sputtering a cobalt target in argon.

【0003】スッパタリング後に形成される半導体部材
は、信頼性のある半導体動作性能を保証するためには、
半導体デバイスに有害な金属不純物が最小限しか含まれ
ていないことが重要である。つまり、 (1)Na、K等のアルカリ金属 (2)U、Th等の放射性元素 (3)Fe、Ni、Cr等の遷移金属 (4)C、O等のガス成分 である。Na、K等のアルカリ金属は、ゲート絶縁膜中
を容易に移動し、MOS−LSI界面特性の劣化の原因
となる。そして、U、Th等の放射性元素は該元素より
放出するα線によって素子のソフトエラーの原因とな
る。一方、Fe、Ni、Cr等の重金属もまた界面接合
部のトラブルの原因となる。また、C、O等のガス成分
も、スパッタリングの際のパーティクル発生の原因とな
るため好ましくないと考えられている。
The semiconductor member formed after sputtering is required to ensure reliable semiconductor operation performance.
It is important that semiconductor devices contain minimal harmful metal impurities. That is, (1) alkali metals such as Na and K, (2) radioactive elements such as U and Th, (3) transition metals such as Fe, Ni, and Cr (4) gas components such as C and O. Alkali metals such as Na and K easily move in the gate insulating film and cause deterioration of MOS-LSI interface characteristics. Then, radioactive elements such as U and Th cause a soft error of the element due to α rays emitted from the element. On the other hand, heavy metals such as Fe, Ni, and Cr also cause troubles at the interface joint. Further, gas components such as C and O are also considered to be unfavorable because they cause the generation of particles during sputtering.

【0004】一般的に入手されるコバルト、いわゆる粗
コバルト塊は数十ppmのFeそして数百ppmのNi
を不純物として含有している。これからの高純度コバル
トの製造方法としては、まず電解精製法が考えられる。
しかしながら、電解精製では不純物であるNi及びFe
とコバルトとの標準電極電位が非常に近いため、単なる
電解精製法による高純度化は難しい。従って、電解精製
法による高純度化を行うためには、電解液中の不純物を
溶媒抽出法等により除去しながら、すなわち、例えばコ
バルト濃度が40〜60g/Lの場合には、電解液中の
Ni濃度を平均1.3mg/L以下そしてFe濃度を平
均0.1mg/L以下にしながら行わなくてはならず、
非常に厳格なコントロールを必要とする。また、溶媒抽
出によるNiの除去には、アルキルオキシム等の特殊な
溶媒が必要であるとともに、コバルトも共抽出されるた
め、複雑な操作が必要であり、さらにこの抽出溶媒が電
解液中に溶解し、ロスとなるという問題点もある。
Commonly available cobalt, so-called crude cobalt agglomerates, contains tens of ppm Fe and hundreds of ppm Ni.
Contains as an impurity. As a method for producing high-purity cobalt in the future, first, an electrolytic refining method can be considered.
However, in electrolytic refining, impurities Ni and Fe
Since the standard electrode potentials of cobalt and cobalt are very close to each other, it is difficult to achieve high purification by a simple electrolytic refining method. Therefore, in order to perform high purification by the electrolytic refining method, impurities in the electrolytic solution are removed by a solvent extraction method or the like, that is, when the cobalt concentration is 40 to 60 g / L, for example, Ni concentration should be 1.3 mg / L or less and Fe concentration should be 0.1 mg / L or less.
Requires very tight control. In addition, removal of Ni by solvent extraction requires a special solvent such as an alkyl oxime, and since cobalt is also co-extracted, a complicated operation is required. Furthermore, this extraction solvent is dissolved in the electrolytic solution. However, there is also the problem of becoming a loss.

【0005】そこで本発明者らは、特願平7−8083
1号において、塩酸濃度が7〜12Nの塩化コバルト水
溶液を、陰イオン交換樹脂と接触させコバルトを吸着さ
せた後、1〜6Nの塩酸を用いてコバルトを溶離し、得
られた水溶液を蒸発乾固または濃縮した後、pH=0〜
6の高純度塩化コバルト水溶液とし、該水溶液電解液と
して電解精製する高純度コバルトの製造方法を提案し
た。これらの方法によりNi、Fe等の不純物を最小限
しか含まない高純度コバルトの製造が可能となった。
Therefore, the present inventors have filed Japanese Patent Application No. 7-8083.
In No. 1, a cobalt chloride aqueous solution having a hydrochloric acid concentration of 7 to 12 N is brought into contact with an anion exchange resin to adsorb cobalt, and then the cobalt is eluted using 1 to 6 N hydrochloric acid, and the resulting aqueous solution is evaporated to dryness. After solidification or concentration, pH = 0
A high-purity cobalt chloride aqueous solution of No. 6 was prepared, and a method for producing high-purity cobalt by electrolytically refining the aqueous electrolyte solution was proposed. With these methods, it has become possible to produce high-purity cobalt containing only a minimum amount of impurities such as Ni and Fe.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の発明に
おいて電解精製の際に、電析コバルトが剥離する現象が
生じる場合があった。また、高純度コバルト中の炭素や
酸素等のガス成分(ガス化しうる成分を含めて総称す
る)の含有量が低減しにくい場合があることも指摘され
た。
However, in the above invention, there is a case where the deposited cobalt is exfoliated during the electrolytic refining. It was also pointed out that it may be difficult to reduce the content of gas components such as carbon and oxygen (collectively referred to as gasifiable components) in high-purity cobalt.

【0007】本発明の課題は、ターゲット等の用途に適
した、アルカリ金属元素、放射性元素、遷移金属元素の
みならず、ガス成分等の不純物をも最小限しか含まない
5N(99.999%、以下単に5Nと記す)レベル以
上の高純度コバルトを安定してかつ容易に製造できる方
法を開発することにある。
The object of the present invention is to provide 5N (99.999%, 5N, 99.999%, which is suitable for use as a target, etc., containing not only alkali metal elements, radioactive elements and transition metal elements but also impurities such as gas components to a minimum. It is to develop a method capable of stably and easily producing high-purity cobalt having a level of 5 N or more).

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、高純度コ
バルトが安定して製造できるように鋭意検討した結果、
陰イオン交換法−電解精製法において使用する陰イオン
交換樹脂からある種の有機物が電解精製中に少量ずつ流
れだし、電解液中に混合して、ターゲット中に炭素や酸
素等のガス成分として混入する可能性があることを見出
した。そして、陰イオン交換法−電解精製法に活性炭処
理を組み合わせ、さらに必要に応じて真空溶解法を行う
ことにより、不純物であるアルカリ金属、放射性元素、
遷移金属のみならず、炭素や酸素等のガス成分について
も低減した、スパッタリングターゲット用の高純度コバ
ルトを安定してかつ容易に、しかも低コストで大量生産
が可能であることが判明した。
Means for Solving the Problems As a result of diligent investigations by the present inventors to stably produce high-purity cobalt,
Anion exchange method-A certain organic substance flows out little by little from the anion exchange resin used in the electrolytic refining method during electrolytic refining and is mixed in the electrolytic solution to be mixed into the target as a gas component such as carbon and oxygen. I found that there is a possibility. Then, by combining activated carbon treatment with anion exchange method-electrolytic refining method, and further performing a vacuum dissolution method as necessary, an alkali metal as an impurity, a radioactive element,
It has been found that high-purity cobalt for sputtering targets, which has reduced not only transition metals but also gas components such as carbon and oxygen, can be stably and easily mass-produced at low cost.

【0009】これに基づき、本発明は、(1)少なくと
もFe及び/又はNiを不純物として含有し、塩酸濃度
が7〜12Nの塩化コバルト水溶液を、陰イオン交換樹
脂と接触させコバルトを吸着させた後、1〜6Nの塩酸
を用いてコバルトを溶離し、得られた溶離液を蒸発乾固
又は濃縮した後、pH=0〜6の高純度塩化コバルト水
溶液とし、さらに活性炭により液中の有機物を除去し、
該水溶液を電解液として電解精製により電析コバルトを
得ることを特徴とする高純度コバルトの製造方法、
(2)少なくともFe及び/又はNi、及びNa、Kを
含むアルカリ金属、及びU、Thを含む放射性金属を不
純物として含有し、塩酸濃度が7〜12Nの塩化コバル
ト水溶液を、陰イオン交換樹脂と接触させCo並びにF
e及びUを吸着させた後、1〜6Nの塩酸を用いてCo
を溶離し、得られた溶離液を蒸発乾固又は濃縮した後、
pH=0〜6の高純度塩化コバルト水溶液とし、さらに
活性炭により前記陰イオン交換樹脂に由来する液中の有
機物を除去し、該水溶液を電解液として電解精製により
電析コバルトを得ることを特徴とする高純度コバルトの
製造方法、(3)電解精製において、アノードとカソー
ドを隔膜あるいは陰イオン交換膜で仕切り、かつ、高純
度塩化コバルト水溶液を少なくとも間欠的にカソード側
に入れると共にアノライトを少なくとも間欠的に抜き出
すことを特徴とする前記(1)乃至(2)記載の高純度
コバルトの製造方法、(4)抜き出したアノライトの塩
酸濃度を7〜12Nとした後、陰イオン交換樹脂に接触
させることを特徴とする前記(2)記載の高純度コバル
トの製造方法、(5)電析コバルトを更に真空溶解する
ことを特徴とする前記(1)〜(4)いずれか記載の高
純度コバルトの製造方法、及び(6)活性炭をあらかじ
め酸で処理することを特徴とする前記(1)乃至(2)
記載の高純度コバルトの製造方法を提供する。
Based on this, in the present invention, (1) an aqueous cobalt chloride solution containing at least Fe and / or Ni as impurities and having a hydrochloric acid concentration of 7 to 12 N was brought into contact with an anion exchange resin to adsorb cobalt. After that, cobalt was eluted with hydrochloric acid of 1 to 6 N, the obtained eluent was evaporated to dryness or concentrated, and then a high-purity cobalt chloride aqueous solution of pH = 0 to 6 was obtained. Removed,
A method for producing high-purity cobalt, characterized in that electrolytic cobalt is obtained by electrolytic refining using the aqueous solution as an electrolytic solution,
(2) A cobalt chloride aqueous solution containing at least Fe and / or Ni, an alkali metal containing Na and K, and a radioactive metal containing U and Th as impurities, and having a hydrochloric acid concentration of 7 to 12 N as an anion exchange resin. Contact and Co and F
After adsorbing e and U, Co was added using 1-6N hydrochloric acid.
And the eluent obtained was evaporated to dryness or concentrated,
A high-purity cobalt chloride aqueous solution having a pH of 0 to 6, further removing organic substances in the liquid derived from the anion exchange resin with activated carbon, and using the aqueous solution as an electrolytic solution to obtain electrodeposited cobalt. (3) In electrolytic refining, the anode and the cathode are separated by a diaphragm or anion exchange membrane, and a high-purity cobalt chloride aqueous solution is at least intermittently added to the cathode side, and at least intermittent anolyte is used. The method for producing high-purity cobalt according to the above (1) or (2), wherein (4) the extracted anolyte has a hydrochloric acid concentration of 7 to 12 N, and then contacted with an anion exchange resin. (2) The method for producing high-purity cobalt as described in (2) above, and (5) the electrodeposited cobalt is further melted under vacuum. Serial (1) to (4) The method of producing high purity cobalt of any one, and (6) above, wherein the treatment with pre-acid activated carbon (1) to (2)
A method for producing the described high-purity cobalt is provided.

【0010】本発明はまた、(A)ナトリウム含有量
0.05ppm以下、カリウム含有量0.05ppm以
下、鉄、ニッケル、クロムの各元素の含有量1ppm以
下、ウラン含有量0.01ppb以下、トリウム含有量
0.01ppb以下、炭素含有量50ppm以下、酸素
含有量100ppm以下;残部がコバルト及びその他の
不可避不純物であることを特徴とする高純度コバルトス
パッタリングターゲット、及び(B)ナトリウム含有量
0.05ppm以下、カリウム含有量0.05ppm以
下、鉄、ニッケル、クロムの各元素の含有量1ppm以
下、ウラン含有量0.01ppb以下、トリウム含有量
0.01ppb以下、炭素含有量10ppm以下、酸素
含有量100ppm以下;残部がコバルト及びその他の
不可避不純物であることを特徴とする高純度コバルトス
パッタリングターゲットを提供する。
The present invention also provides (A) a sodium content of 0.05 ppm or less, a potassium content of 0.05 ppm or less, an iron, nickel or chromium element content of 1 ppm or less, a uranium content of 0.01 ppb or less, and thorium. Content 0.01 ppb or less, carbon content 50 ppm or less, oxygen content 100 ppm or less; high-purity cobalt sputtering target characterized by the balance being cobalt and other unavoidable impurities, and (B) sodium content 0.05 ppm Hereinafter, the content of potassium is 0.05 ppm or less, the content of each element of iron, nickel and chromium is 1 ppm or less, the content of uranium is 0.01 ppb or less, the content of thorium is 0.01 ppb or less, the carbon content is 10 ppm or less, and the oxygen content is 100 ppm. Below; balance is cobalt and other unavoidable impurities Providing a high purity cobalt sputter target, wherein the door.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】本発明で用いる塩化コバルト水溶
液は、特に限定されるものではないが、通常市販されて
いる、いわゆる数十ppmのFeそして数百ppmのN
iを不純物として含有している粗コバルトを塩酸で溶解
したものが用いられる。一方、粗コバルトの溶解に使用
する塩酸は、特に限定されるものではないが、工業用の
低純度の塩酸でもかまわない。この理由は、塩酸中に含
まれる不純物も本発明を実施することにより、除去する
ことができるからである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The aqueous solution of cobalt chloride used in the present invention is not particularly limited, but it is usually commercially available, that is, so-called several tens of ppm of Fe and several hundreds of ppm of N.
Crude cobalt containing i as an impurity dissolved in hydrochloric acid is used. On the other hand, the hydrochloric acid used for dissolving the crude cobalt is not particularly limited, but may be industrial low-purity hydrochloric acid. The reason for this is that impurities contained in hydrochloric acid can also be removed by carrying out the present invention.

【0012】コバルトを溶解する際の装置は、塩酸の有
効利用の為冷却筒や塩化水素ガスの回収装置を設けたも
のが望ましい。材質は、石英、グラファイト、テフロ
ン、ポリ容器等が好ましい。溶解する温度は、50〜1
00℃、好ましくは80〜95℃である。50℃未満で
は、溶解する速度が遅く、また、100℃を超えると、
蒸発が激しく水溶液のロスが大きい。塩化コバルト水溶
液中の塩酸濃度は、最終的には、7〜12Nとすること
が好ましい。7N未満又は12Nを超えると、イオン交
換する際、コバルトがほとんど吸着しない。コバルト濃
度は、10〜70g/Lが好ましい。コバルト濃度が1
0g/L未満であると、大量の塩酸が必要であり、コス
ト増を招く。一方、70g/Lを超えると、塩酸濃度の
高い溶液では、室温即ち約20℃で塩化コバルトが析出
するため好ましくない。
The apparatus for dissolving cobalt is preferably equipped with a cooling cylinder and a hydrogen chloride gas recovery apparatus in order to effectively utilize hydrochloric acid. The material is preferably quartz, graphite, Teflon, a poly container or the like. The melting temperature is 50 to 1
The temperature is 00 ° C, preferably 80 to 95 ° C. If it is less than 50 ° C, the dissolution rate is slow, and if it exceeds 100 ° C,
Evaporation is severe and the loss of the aqueous solution is large. The final concentration of hydrochloric acid in the cobalt chloride aqueous solution is preferably 7 to 12N. If it is less than 7 N or more than 12 N, cobalt is hardly adsorbed during ion exchange. The cobalt concentration is preferably 10 to 70 g / L. Cobalt concentration is 1
If it is less than 0 g / L, a large amount of hydrochloric acid is required, which causes an increase in cost. On the other hand, when it exceeds 70 g / L, in a solution having a high hydrochloric acid concentration, cobalt chloride is precipitated at room temperature, that is, about 20 ° C., which is not preferable.

【0013】陰イオン交換においては、上記塩化コバル
ト水溶液を用いコバルトの吸着を行う。本発明におい
て、用いる樹脂は、陰イオン交換樹脂であれば特に限定
されないが、DOWEX(ダウエックス)1×8、DO
WEX2×8(室町化学(株)製)、ダイヤイオンSA
10A等が例示される。コバルトは、高濃度の塩酸中で
は塩化物錯体を形成し、陰イオンとして存在するため樹
脂に吸着する。Fe及びUもコバルトと同様な挙動を示
し陰イオン交換樹脂に吸着するが、主要不純物であるN
iそしてNa、K等のアルカリ金属及びThは、塩化物
錯体を形成しないため、吸着せずカラムより流出する。
In the anion exchange, the cobalt chloride is adsorbed using the above cobalt chloride aqueous solution. In the present invention, the resin used is not particularly limited as long as it is an anion exchange resin, but DOWEX 1 × 8, DO
WEX2 × 8 (Muromachi Chemical Co., Ltd.), Diaion SA
10A etc. are illustrated. Cobalt forms a chloride complex in high-concentration hydrochloric acid, and since it exists as an anion, it is adsorbed on the resin. Fe and U also behave similarly to cobalt and are adsorbed on the anion exchange resin, but N, which is a major impurity,
Since i and alkali metals such as Na and K and Th do not form a chloride complex, they do not adsorb and flow out from the column.

【0014】さらに、カラム内に残留した不純物を取り
除くために、7〜12Nの塩酸で洗浄する。この範囲外
では、コバルトと陰イオン交換樹脂との結び付きが弱い
ため、コバルトが溶離されるため好ましくない。
Further, in order to remove impurities remaining in the column, the column is washed with 7 to 12N hydrochloric acid. Outside this range, the bond between cobalt and the anion exchange resin is weak, and cobalt is eluted, which is not preferable.

【0015】次に、陰イオン交換樹脂に吸着したコバル
トのみを溶離するために1〜6N、好ましくは3N〜4
Nの塩酸を使用する。1N未満では、不純物として吸着
したFe及びUも溶離してしまうため好ましくない。6
Nを超えると、コバルトの樹脂からの溶離が困難とな
り、使用する塩酸量が多くなるため好ましくない。
Next, in order to elute only the cobalt adsorbed on the anion exchange resin, 1 to 6N, preferably 3N to 4N.
N hydrochloric acid is used. When it is less than 1N, Fe and U adsorbed as impurities are also eluted, which is not preferable. 6
If it exceeds N, it becomes difficult to elute cobalt from the resin and the amount of hydrochloric acid used increases, which is not preferable.

【0016】なお、コバルト溶離後の陰イオン交換樹脂
に吸着しているFe及びUについては、1N未満の塩酸
を用いることにより容易に溶離することができる。従っ
て、陰イオン交換樹脂の吸着容量等を考慮に入れ、適当
な時期にFe及びUの溶離をすることにより、陰イオン
交換樹脂を再生することができる。
The Fe and U adsorbed on the anion exchange resin after elution of cobalt can be easily eluted by using hydrochloric acid of less than 1N. Therefore, the anion-exchange resin can be regenerated by taking into consideration the adsorption capacity of the anion-exchange resin and the like and eluting Fe and U at an appropriate time.

【0017】以上の操作により、不純物であるNi、F
e等の重金属、Na、Ka等のアルカリ金属及びU、T
h等の放射性元素とコバルトを分離することができる。
By the above operation, impurities Ni, F
Heavy metals such as e, alkali metals such as Na and Ka, and U and T
It is possible to separate cobalt from radioactive elements such as h.

【0018】溶離した塩化コバルト水溶液は、塩酸濃度
が高いためそのままでは電解精製に用いることができな
い。そこで、本発明においては、溶離した塩化コバルト
水溶液を蒸発乾固又は濃縮した後、水を加えることによ
り、pH=0〜6の高純度コバルト水溶液とし、該水溶
液を電解液として用いる。
Since the eluted cobalt chloride aqueous solution has a high hydrochloric acid concentration, it cannot be used as it is for electrolytic refining. Therefore, in the present invention, the eluted cobalt chloride aqueous solution is evaporated to dryness or concentrated, and then water is added to form a high-purity cobalt aqueous solution having a pH of 0 to 6, and the aqueous solution is used as an electrolytic solution.

【0019】蒸発乾固又は濃縮する方法は、ロータリー
エバポレーション装置等を使用して行うと良い。蒸発乾
固又は濃縮する温度は、80℃以上、好ましくは100
℃以上である。80℃未満では、蒸発乾固又は濃縮する
のに時間がかかる。また、その際アスピレーター等で弱
減圧下にしながら行うと蒸発乾固又は濃縮時間を短縮す
ることができる。蒸発乾固又は濃縮するときの装置材質
は、石英、グラファイト、テフロン等が好ましい。この
際発生する塩酸ガスは、冷却・凝縮させコバルト溶解、
又は陰イオン交換の際に用いる塩酸等に再利用すること
ができる。
The method of evaporating to dryness or concentration may be carried out by using a rotary evaporation device or the like. The temperature for evaporation to dryness or concentration is 80 ° C or higher, preferably 100 ° C.
℃ or above. When the temperature is lower than 80 ° C, it takes time to evaporate to dryness or concentrate. Further, at that time, if the treatment is carried out under a slightly reduced pressure with an aspirator or the like, the time for evaporation to dryness or concentration can be shortened. Quartz, graphite, Teflon, or the like is preferable as a material for the apparatus for evaporation to dryness or concentration. The hydrochloric acid gas generated at this time is cooled and condensed to dissolve cobalt,
Alternatively, it can be reused for hydrochloric acid or the like used in the anion exchange.

【0020】また、イオン交換樹脂中の有機物(スチレ
ン、ジビニルベンゼン、アミン類等)が少しずつ流れだ
し、それが液中に混入してくる可能性がある。そのよう
な有機物を除去するために活性炭処理を行う。活性炭に
は、Fe等の不純物が多く含有されている可能性がある
ため、塩酸等で洗浄除去する酸処理を行ってから使用す
ることが好ましい。活性炭は、粒状、繊維状、粉状等が
あるが、不純物Fe等が含有されないものが好ましい
が、多い時は、上記の通り塩酸等で除去することが必要
である。なお、活性炭処理は、通常は溶離した塩化コバ
ルト水溶液を蒸発乾固又は濃縮し、水を加えpHを0〜
6に調整した後に行われるが、必ずしもこの順番でなく
とも、塩化コバルトの溶離以降、電解精製での間であれ
ばどこで行っても構わない。
Further, organic substances (styrene, divinylbenzene, amines, etc.) in the ion exchange resin start to flow little by little and may be mixed in the liquid. Activated carbon treatment is performed to remove such organic substances. Since activated carbon may contain a large amount of impurities such as Fe, it is preferable to use it after performing an acid treatment of washing and removing it with hydrochloric acid or the like. The activated carbon may be granular, fibrous, powdery, or the like, but it is preferable that activated carbon does not contain impurities Fe and the like, but when it is large, it is necessary to remove it with hydrochloric acid or the like as described above. In the activated carbon treatment, the eluted cobalt chloride aqueous solution is usually evaporated to dryness or concentrated, and water is added to adjust the pH to 0.
Although it is performed after adjusting to 6, the order does not necessarily have to be in this order, and may be performed anywhere between the elution of cobalt chloride and the electrolytic refining.

【0021】この様にして作製された高純度コバルト水
溶液からなる電解液のpHは、0〜6、好ましくは1〜
4とする。pHが0未満では、水素の発生量が多くなり
電流効率が低下するため好ましくない。pHが6を超え
ると、コバルトが水酸化コバルトとなり沈殿するので好
ましくない。
The pH of the electrolytic solution made of the high-purity aqueous cobalt solution thus produced is 0 to 6, preferably 1 to
4 is assumed. When the pH is less than 0, the amount of hydrogen generated increases and the current efficiency decreases, which is not preferable. When the pH exceeds 6, cobalt is converted to cobalt hydroxide and precipitates, which is not preferable.

【0022】電解精製における電解液中のコバルト濃度
は、10〜160g/L、好ましくは30〜130g/
Lである。10g/L未満では、水素の発生量が多くな
るため電流効率が低下し、また電析コバルト中の不純物
濃度も上がるため好ましくない。160g/Lを超える
と、塩化コバルトが析出して電析状態に悪影響を及ぼす
ため好ましくない。
The concentration of cobalt in the electrolytic solution in electrolytic refining is 10 to 160 g / L, preferably 30 to 130 g / L.
L. If it is less than 10 g / L, the amount of hydrogen generated is large, so that the current efficiency is lowered and the concentration of impurities in the electrodeposited cobalt is increased, which is not preferable. When it exceeds 160 g / L, cobalt chloride is precipitated and adversely affects the electrodeposition state, which is not preferable.

【0023】電流密度の範囲は、0.001〜0.1A
/cm2 である。0.001A/cm2 未満では、生産
性が低下し効率的でない。0.1A/cm2 を超える
と、不純物濃度が上がり更に電流効率も低下し好ましく
ない。電解温度は、10〜90℃、好ましくは35〜5
5℃である。10℃未満では、電流効率が低下し、他方
90℃を超えると、電解液の蒸発が多くなり好ましくな
い。アノードとしては粗コバルトが用いられる。カソー
ドとしては、コバルト、チタン板等を用いる。電解槽の
材質は、塩ビ、ポリプロピレン、ポリエチレン等が好ま
しい。
The range of current density is 0.001 to 0.1 A
/ Cm 2 . If it is less than 0.001 A / cm 2 , productivity is lowered and it is not efficient. If it exceeds 0.1 A / cm 2 , the impurity concentration increases and the current efficiency also decreases, which is not preferable. The electrolysis temperature is 10 to 90 ° C., preferably 35 to 5
5 ° C. If the temperature is lower than 10 ° C, the current efficiency decreases, while if it exceeds 90 ° C, the amount of evaporation of the electrolytic solution increases, which is not preferable. Crude cobalt is used as the anode. As the cathode, cobalt, titanium plate, or the like is used. The material of the electrolytic cell is preferably vinyl chloride, polypropylene, polyethylene or the like.

【0024】電解精製では、カソードとアノードを隔膜
あるいは陰イオン交換膜で仕切り、アノードから溶出し
た不純物がカソード側に進入しないように、カソード側
に陰イオン交換により精製した高純度塩化コバルト水溶
液(カソライトとなる)を少なくとも間欠的に入れると
共にアノード側から不純物濃度の高いアノライトを少な
くとも間欠的に抜き出すことが好ましい。この時添加す
るカソライト量は、少なくとも抜き出すアノライト量と
同等以上であることが好ましい。本発明において、使用
できる隔膜あるいは陰イオン交換膜は特に限定されない
が、隔膜としては、濾布PP−2020、PP−100
(安積濾紙(株)製)、テビロン1010、陰イオン交
換膜としては、アイオナックMA−3475(室町化学
(株)製)等が例示される。
In the electrolytic refining, the cathode and the anode are separated by a diaphragm or anion exchange membrane, and the cathode side is purified by anion exchange so that impurities eluted from the anode do not enter the cathode side. It is preferable that anolyte having a high impurity concentration is extracted at least intermittently from the anode side. The amount of catholyte added at this time is preferably at least equal to or more than the amount of anolyte to be extracted. In the present invention, the septum or anion exchange membrane that can be used is not particularly limited, but examples of the septum include filter cloths PP-2020 and PP-100.
(Azumi Filter Paper Co., Ltd.), Teviron 1010, and anion exchange membranes include Ionac MA-3475 (Muromachi Chemical Co., Ltd.) and the like.

【0025】そして、抜き出したアノライトは、塩酸濃
度を7〜12Nとした後、陰イオン交換樹脂に接触させ
ることにより、循環再利用することができ、これによっ
て電解精製を連続して行なうことができる。なお、本発
明において、少なくとも間欠的とは、連続又は間欠的と
いうことを意味する。
The extracted anolyte can be recycled by circulating it by bringing it into contact with an anion exchange resin after adjusting the hydrochloric acid concentration to 7 to 12 N, whereby electrolytic refining can be continuously carried out. . In the present invention, at least intermittent means continuous or intermittent.

【0026】電解精製により、電解液中に残存する微量
のU、Th等の放射性元素とコバルトを分離することが
できる。
By electrolytic refining, a small amount of radioactive elements such as U and Th remaining in the electrolytic solution can be separated from cobalt.

【0027】回収した電析コバルトは、必要に応じて、
エレクトロンビーム溶解等の真空溶解方法で溶解し、そ
こに含まれる微量のNa、K等の揮発性元素を取り除く
ことができる。エレクトロンビーム溶解は、電極(ここ
では電析コバルト)をまず作製し、それを再溶解して高
純度のインゴットを得る方法である。電極の高温・高真
空下での溶解中に、揮発成分が蒸発する。例えば、溶解
量5kgの場合、次の条件で、エレクトロンビーム溶解
が実施される: 電流:0.7A、電圧:20KV、真空度:10-5mm
Hg、時間:2hr。
The recovered electrodeposited cobalt is, if necessary,
It can be dissolved by a vacuum melting method such as electron beam melting to remove a trace amount of volatile elements such as Na and K contained therein. Electron beam melting is a method in which an electrode (here, electrodeposited cobalt) is first prepared and then remelted to obtain a high-purity ingot. Volatile components evaporate during melting of the electrode under high temperature and high vacuum. For example, when the melting amount is 5 kg, electron beam melting is performed under the following conditions: current: 0.7 A, voltage: 20 KV, vacuum degree: 10 −5 mm
Hg, time: 2 hr.

【0028】以上の操作により製造した高純度コバルト
中には、不純物含有量が少なく、半導体製造用のターゲ
ット材料等として好ましい。ナトリウム含有量0.05
ppm以下、カリウム含有量0.05ppm以下、鉄、
ニッケル、クロムの各元素の含有量1ppm以下、ウラ
ン含有量0.01ppb以下、トリウム含有量0.01
ppb以下、炭素含有量50ppm以下、好ましくは1
0ppm以下、酸素含有量100ppm以下;残部がコ
バルト及びその他の不可避不純物であることを特徴とす
る高純度コバルトスパッタリングターゲットを得ること
ができる。
The high-purity cobalt produced by the above operation has a small amount of impurities and is preferable as a target material for semiconductor production. Sodium content 0.05
ppm or less, potassium content 0.05 ppm or less, iron,
The content of each element of nickel and chromium is 1 ppm or less, the uranium content is 0.01 ppb or less, and the thorium content is 0.01.
ppb or less, carbon content 50 ppm or less, preferably 1
It is possible to obtain a high-purity cobalt sputtering target characterized in that 0 ppm or less and oxygen content 100 ppm or less; the balance is cobalt and other unavoidable impurities.

【0029】[0029]

【実施例】以下に、本発明の実施例を呈示するが、これ
によって、本発明は、何ら制限されるものではない。
EXAMPLES Examples of the present invention will be presented below, but the present invention is not limited thereto.

【0030】(実施例1)表1に示すような純度の粗コ
バルト塊600gを、約12.5Lの11.6Nの塩酸
水溶液の容器に装入した。そして、温度を95℃にあげ
12時間後に塩酸濃度9N、コバルト濃度50g/Lの
塩化コバルト水溶液を得た。この液12Lを、陰イオン
交換樹脂(室町化学:DOWEX、2×8)12Lを充
填したポリプロピレン製のカラム(150mmφ×12
00mmL)に通液し、コバルトを吸着させた後、9N
の塩酸12Lで洗浄した。なお、この時用いた樹脂は、
新しいものであった。
Example 1 600 g of crude cobalt ingot having the purity shown in Table 1 was charged into a container of about 12.5 L of 11.6 N hydrochloric acid aqueous solution. Then, the temperature was raised to 95 ° C. and 12 hours later, an aqueous cobalt chloride solution having a hydrochloric acid concentration of 9 N and a cobalt concentration of 50 g / L was obtained. 12 L of this liquid was used as a polypropylene column (150 mmφ × 12) filled with 12 L of anion exchange resin (Muromachi Kagaku: DOWEX, 2 × 8).
00mmL) and after adsorbing cobalt, 9N
It was washed with 12 L of hydrochloric acid. The resin used at this time was
It was new.

【0031】次にコバルトを溶離するために4Nの塩酸
18Lを通液した。得られた精製塩化コバルト水溶液
を、ロータリーエバポレーション装置を用いて温度11
0℃で蒸発乾固させた。蒸発乾固物は、CoCl2 ・2
2 OでありCo換算で600gを得た。これを純水に
溶かして10Lとした。この時のコバルト濃度は、60
g/Lであった。そして、pHを2に調整した後、活性
炭により有機物を除去し、この高純度コバルト溶液を電
解槽に5L入れ、残りの5Lはカソライトの供給液とし
て使用した。活性炭は、使用する前に6Nの塩酸で洗浄
し、Fe等の不純物を十分除去した。
Next, 18 L of 4N hydrochloric acid was passed in to elute cobalt. The obtained purified cobalt chloride aqueous solution was heated at a temperature of 11 using a rotary evaporation device.
Evaporated to dryness at 0 ° C. Evaporated dry matter is CoCl 2 · 2
It was H 2 O and obtained 600 g in terms of Co. This was dissolved in pure water to make 10 L. The cobalt concentration at this time is 60
g / L. Then, after adjusting the pH to 2, organic matter was removed by activated carbon, 5 L of this high-purity cobalt solution was put in an electrolytic cell, and the remaining 5 L was used as a supply liquid for catholyte. The activated carbon was washed with 6N hydrochloric acid before use to sufficiently remove impurities such as Fe.

【0032】次に、電流密度0.02A/cm2 、温度
50℃とし、粗コバルト板をカソードとして電解精製を
おこなった。この時、アノード側とカソード側は隔膜
(安積濾紙(株)製、PP2020)で区切った。カソ
ード側には、高純度塩化コバルト水溶液を供給速度12
0mL/hrで供給し、アノード側から同じ速度で抜き
出した。40hr後、得られた電析物は、83gであ
り、収率は95%であった。電析状態は、表面の凹凸の
ない平滑なものであり、電析コバルトの剥離は生じなか
った。
Next, electrolytic purification was carried out with a current density of 0.02 A / cm 2 and a temperature of 50 ° C. and using a crude cobalt plate as a cathode. At this time, the anode side and the cathode side were separated by a diaphragm (PP2020, manufactured by Azumi Filter Paper Co., Ltd.). A high-purity cobalt chloride aqueous solution is supplied to the cathode side at a feeding rate of 12
It was supplied at 0 mL / hr and withdrawn at the same rate from the anode side. After 40 hours, the obtained electrodeposit was 83 g, and the yield was 95%. The electrodeposited state was smooth with no surface irregularities, and no peeling of the electrodeposited cobalt occurred.

【0033】さらに、得られた電析コバルトについてエ
レクトロンビーム溶解を行い、スパッタリングターゲッ
トに加工した。電析コバルトおよびエレクトロンビーム
溶解後の不純物含有量を表1に示す。
Further, the obtained electrodeposited cobalt was subjected to electron beam melting and processed into a sputtering target. Table 1 shows the content of impurities after electrodeposited cobalt and electron beam melting.

【0034】(参考例)酸処理を施していない活性炭を
用いたこと以外は実施例1と同様の方法で操作を行っ
た。この操作により得られた電析コバルトの純度を、表
1中に示す。不純物Feの含有量が高いことがわかる。
ただし、Fe含有量の少ない活性炭を使用すれば問題は
生じない。
Reference Example An operation was performed in the same manner as in Example 1 except that activated carbon which had not been subjected to acid treatment was used. The purity of the electrodeposited cobalt obtained by this operation is shown in Table 1. It can be seen that the content of the impurity Fe is high.
However, there is no problem if activated carbon having a low Fe content is used.

【0035】(比較例)活性炭を用いなかったこと以外
は、実施例1と同様の方法で操作を行った。この操作に
より得られた電析コバルトの純度を、表1中に示す。カ
ーボン及びガス成分含有量が高いことがわかる。さら
に、電析状態は凹凸のある表面状態となり、一部はカソ
ード板から剥離しており非常に脆いものであった。
(Comparative Example) The same operation as in Example 1 was carried out except that activated carbon was not used. The purity of the electrodeposited cobalt obtained by this operation is shown in Table 1. It can be seen that the carbon and gas component contents are high. Further, the electrodeposited state was a surface state with irregularities, and a part was peeled off from the cathode plate, which was very brittle.

【0036】[0036]

【表1】 [Table 1]

【0037】(スパッタ試験データ) 実施例1、参考例、比較例で製造したターゲットを用
いて、それぞれスパッタリングを行い、膜中の不純物を
GDMS分析した。結果は、以下の通りであった。 (ガス成分は分析不可)
(Sputtering Test Data) Sputtering was carried out using the targets produced in Example 1, Reference Example and Comparative Example, and impurities in the film were analyzed by GDMS. The results were as follows. (Gas components cannot be analyzed)

【0038】[0038]

【表2】 [Table 2]

【0039】同上の膜をSIMS分析し、C、O、
N、Hについて定性分析した。それぞれの絶対量は分か
らないが、実施例の場合でいずれの成分も最も低い値を
示した。実施例の強度を1とした場合の相対的な強度は
以下の通りであった。
The above film was subjected to SIMS analysis to find C, O,
Qualitative analysis was performed on N and H. Although the absolute amount of each is not known, all the components showed the lowest values in the case of the examples. The relative strength when the strength of the example was 1 was as follows.

【0040】[0040]

【表3】 [Table 3]

【0041】同上の膜の電気抵抗を測定した結果を以
下に示す。(膜厚30nm)
The results of measuring the electric resistance of the above film are shown below. (Film thickness 30 nm)

【0042】[0042]

【表4】 [Table 4]

【0043】[0043]

【発明の効果】【The invention's effect】

(1)5N以上の高純度コバルトが、陰イオン交換法−
電解精製法(又は電解採取法)に活性炭処理を組合せ、
さらに必要に応じて真空溶解法を行うことにより、不純
物含有量が極めて低く、品質が安定してかつ操作が容易
に、しかも低コストで得ることができる。 (2)得られた高純度コバルトは、半導体デバイス製造
用のターゲット材料等として好適に用いられる。
(1) High-purity cobalt of 5N or more is anion exchange-
Combining electrolytic purification method (or electrolytic collection method) with activated carbon treatment,
Further, by carrying out a vacuum melting method as required, it is possible to obtain an extremely low impurity content, stable quality, easy operation, and low cost. (2) The obtained high-purity cobalt is suitably used as a target material for manufacturing a semiconductor device.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくともFe及び/又はNiを不純物
として含有し、塩酸濃度が7〜12Nの塩化コバルト水
溶液を、陰イオン交換樹脂と接触させコバルトを吸着さ
せた後、1〜6Nの塩酸を用いてコバルトを溶離し、得
られた溶離液を蒸発乾固又は濃縮した後、pH=0〜6
の高純度塩化コバルト水溶液とし、さらに活性炭により
液中の有機物を除去し該水溶液を電解液として電解精製
により電析コバルトを得ることを特徴とする高純度コバ
ルトの製造方法。
1. A cobalt chloride aqueous solution containing at least Fe and / or Ni as impurities and having a hydrochloric acid concentration of 7 to 12 N is contacted with an anion exchange resin to adsorb cobalt, and then 1 to 6 N hydrochloric acid is used. To elute cobalt and evaporate the resulting eluent to dryness or concentration, and then pH = 0 to 6
The method for producing high-purity cobalt, characterized in that the high-purity cobalt chloride aqueous solution is further removed, organic matter in the solution is removed by activated carbon, and the aqueous solution is used as an electrolytic solution to obtain electrodeposited cobalt by electrolytic refining.
【請求項2】 少なくともFe及び/又はNi、及びN
a、Kを含むアルカリ金属、及びU、Thを含む放射性
金属を不純物として含有し、塩酸濃度が7〜12Nの塩
化コバルト水溶液を、陰イオン交換樹脂と接触させCo
並びにFe及びUを吸着させた後、1〜6Nの塩酸を用
いてCoを溶離し、得られた溶離液を蒸発乾固又は濃縮
した後、pH=0〜6の高純度塩化コバルト水溶液と
し、さらに活性炭により前記陰イオン交換樹脂に由来す
る液中の有機物を除去し、該水溶液を電解液として電解
精製により電析コバルトを得ることを特徴とする高純度
コバルトの製造方法。
2. At least Fe and / or Ni, and N
An aqueous solution of cobalt chloride containing an alkali metal containing a, K and a radioactive metal containing U, Th as impurities and having a hydrochloric acid concentration of 7 to 12 N is brought into contact with an anion exchange resin to form Co.
After adsorbing Fe and U, Co was eluted with hydrochloric acid of 1 to 6 N, and the obtained eluent was evaporated to dryness or concentrated to obtain a high-purity cobalt chloride aqueous solution having a pH of 0 to 6, Furthermore, a method for producing high-purity cobalt, characterized in that organic matter in the liquid derived from the anion exchange resin is removed by activated carbon, and electrolytically refined cobalt is obtained by using the aqueous solution as an electrolytic solution.
【請求項3】 電解精製において、アノードとカソード
を隔膜あるいは陰イオン交換膜で仕切り、かつ、高純度
塩化コバルト水溶液を少なくとも間欠的にカソード側に
入れると共にアノライトを少なくとも間欠的に抜き出す
ことを特徴とする請求項1乃至2記載の高純度コバルト
の製造方法。
3. In electrolytic refining, the anode and the cathode are partitioned by a diaphragm or anion exchange membrane, and a high-purity cobalt chloride aqueous solution is at least intermittently introduced into the cathode side, and at least intermittently withdrawing anolyte. The method for producing high-purity cobalt according to claim 1 or 2.
【請求項4】 抜き出したアノライトの塩酸濃度を7〜
12Nとした後、陰イオン交換樹脂に接触させることを
特徴とする請求項3記載の高純度コバルトの製造方法。
4. The hydrochloric acid concentration of the extracted anolyte is 7 to 7.
The method for producing high-purity cobalt according to claim 3, wherein the method is brought into contact with an anion exchange resin after having been adjusted to 12N.
【請求項5】 電析コバルトを更に真空溶解することを
特徴とする請求項1〜4いずれか1項記載の高純度コバ
ルトの製造方法。
5. The method for producing high-purity cobalt according to claim 1, wherein the electrodeposited cobalt is further melted in vacuum.
【請求項6】 活性炭をあらかじめ酸で処理することを
特徴とする請求項1乃至2記載の高純度コバルトの製造
方法。
6. The method for producing high-purity cobalt according to claim 1, wherein the activated carbon is previously treated with an acid.
【請求項7】 ナトリウム含有量0.05ppm以下、
カリウム含有量0.05ppm以下、鉄、ニッケル、ク
ロムの各元素の含有量1ppm以下、ウラン含有量0.
01ppb以下、トリウム含有量0.01ppb以下、
炭素含有量50ppm以下、酸素含有量100ppm以
下;残部がコバルト及びその他の不可避不純物であるこ
とを特徴とする高純度コバルトスパッタリングターゲッ
ト。
7. A sodium content of 0.05 ppm or less,
The content of potassium is 0.05 ppm or less, the content of each element of iron, nickel and chromium is 1 ppm or less, and the content of uranium is 0.
01 ppb or less, thorium content 0.01 ppb or less,
Carbon content 50 ppm or less, oxygen content 100 ppm or less; the balance is cobalt and other unavoidable impurities, a high-purity cobalt sputtering target.
【請求項8】 ナトリウム含有量0.05ppm以下、
カリウム含有量0.05ppm以下、鉄、ニッケル、ク
ロムの各元素の含有量1ppm以下、ウラン含有量0.
01ppb以下、トリウム含有量0.01ppb以下、
炭素含有量10ppm以下、酸素含有量100ppm以
下;残部がコバルト及びその他の不可避不純物であるこ
とを特徴とする高純度コバルトスパッタリングターゲッ
ト。
8. A sodium content of 0.05 ppm or less,
The content of potassium is 0.05 ppm or less, the content of each element of iron, nickel and chromium is 1 ppm or less, and the content of uranium is 0.
01 ppb or less, thorium content 0.01 ppb or less,
Carbon content 10 ppm or less, oxygen content 100 ppm or less; the balance is cobalt and other unavoidable impurities, a high-purity cobalt sputtering target.
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