JPH09213633A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPH09213633A
JPH09213633A JP1386796A JP1386796A JPH09213633A JP H09213633 A JPH09213633 A JP H09213633A JP 1386796 A JP1386796 A JP 1386796A JP 1386796 A JP1386796 A JP 1386796A JP H09213633 A JPH09213633 A JP H09213633A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
sputtering
vacuum chamber
pressure
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1386796A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2786144B2 (ja
Inventor
Masami Kayama
将巳 香山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Kyushu Ltd filed Critical NEC Kyushu Ltd
Priority to JP1386796A priority Critical patent/JP2786144B2/ja
Publication of JPH09213633A publication Critical patent/JPH09213633A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2786144B2 publication Critical patent/JP2786144B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】真空チャンバー内壁に堆積したスパッタ膜がは
がれ、パーティクルとなってウェーハ表面に付着する。 【解決手段】真空チャンバー１に温度調節機構１４を有
する第２のガス供給手段１１と赤外線のランプヒータ１
３を設け、スパッタを行っていない空きの時もスパッタ
を行っている場合と同様に真空チャンバー１内の温度と
圧力を規定の値に保っておく。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特にスパッタ法による金属膜の形成方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の金属配線材料としては、ア
ルミニウム合金あるいはチタン合金が主として使用され
ている。これらの金属膜を形成する方法としてスパッタ
法が用いられているがより良好なステップカバレッジを
得る為、ウェーハの温度をより高温に加熱する高温加熱
スパッタ法が用いられている。この高温加熱スパッタ法
では、ウェーハの温度を急速・正確に制御する必要があ
る為、その構成を図３に示すガスアシスト方式のスパッ
タ装置が使用されている（特開昭６４−１１９６６号公
報）。
【０００３】図３に於いて、１は真空チャンバー、２は
ヒーターブロック、３はウェーハ支持板、４はウェーハ
加熱用兼放電維持用の第１のガス供給手段、５はターゲ
ット、６は放電手段、８はコンタクタンス調整バルブ、
９は温度検出器、１０はウェーハ、１１は第２のガス供
給手段、１２は圧力検出器である。
【０００４】このように構成されたスパッタ装置を用い
てスパッタを実行するには、ウェーハ支持板３にウェー
ハ１０を取り付けウェーハ加熱用兼放電維持用の第１の
ガス供給手段４を介してアルゴン（Ａｒ）ガスを供給し
てウェーハ１０の温度を制御しながら、さらに第２のガ
ス供給手段１１より、一定圧力を保つのに必要なアルゴ
ンガスを供給し、放電手段６を使用してアルゴンガス等
をイオン化し、このイオンをターゲット５に衝突させて
ターゲット材をウェーハ１０に向かってスパッタさせ
て、ターゲット材をウェーハ１０上に堆積させる。ま
た、スパッタを実行していない時は、ガスの供給を停止
し、真空チャンバー１内は超高真空に排気され、スパッ
タ時にスパッタエネルギー等に加熱された真空チャンバ
ー１内は熱源をなくし常温まで下がることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のスパッタ装置を用いて金属膜を堆積させる場
合、スパッタ中の真空チャンバー内は２００〜３００℃
の高温状態でかつ１０-3Ｔｏｒｒ程度の所望の一定圧力
状態に保たれるが、スパッタをしない空き時は、温度は
常温２０〜３０℃まで、圧力は到達圧力１０-7Ｔｏｒｒ
まで排気される為、その状態の起伏が、真空チャンバー
内壁と堆積したスパッタ膜との膜応力差となる。
【０００６】この為、真空チャンバー内壁に堆積したス
パッタ膜がはがれ、パーティクルとなりウェーハ表面に
付着するという問題点がある。半導体装置の製造過程中
でのパーティクルは、パターン欠陥を誘発し、歩留り及
び信頼性を低下させる要因になる。
【０００７】本発明の目的は、ウェーハへのパーティク
ルの付着を防止し、半導体装置の歩留り及び信頼性を向
上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、真空チャンバー内に半導体ウェーハを支持し
チャンバー内を規定の高温及び圧力に保ち、このウェー
ハ上にスパッタにより金属膜を形成する半導体装置の製
造方法において、スパッタ処理を行なわない待ち時間の
間も前記真空チャンバー内を規定の温度及び圧力に保っ
ておくことを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】スパッタを行なわない空き時には、第２のガス
供給手段１１より、温度調整機構１４により所望の温度
に加熱されたアルゴンガスを真空チャンバー１内に導入
するか、あるいは赤外線ランプヒーター１３を作動さ
せ、チャンバー内をスパッタ時と同等の温度，圧力状態
に保っておく。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の第１の実施の形態の製造方
法を説明する為のスパッタ装置の構成図である。
【００１１】図１を参照するとスパッタ装置は、真空チ
ャンバー１と、この真空チャンバー１内に設けられたウ
ェーハ加熱用兼放電維持用の第１のガス供給手段４と、
この第１のガス供給手段４に接続されたウェーハ支持板
３と、このウェーハ支持板３に対向し放電手段６を介し
て設けられたターゲット５と、温度検出器９と、圧力検
出器１２と、ランプヒータ１３と、真空チャンバー１に
接続され温度調整機構１４を有する第２のガス供給手段
１１と、メインバルブ７とコンダクタンス調整バルブ８
等を有する排気系とから主に構成されている。
【００１２】次に第１の実施の形態のスパッタの動作に
ついて図１を参照して説明する。高温加熱スパッタ方法
を実行するには、ウェーハ支持板３にウェーハ１０を取
り付け、ウェーハ加熱用兼放電維持用の第１のガス供給
手段４を介してアルゴンガスを供給してウェーハ１０の
温度を２００〜３００℃の規定温度に制御しながら、不
足分のアルゴンガスを第２のガス供給手段１１から供給
し１０-3Ｔｏｒｒ程度の規定の圧力として、放電手段６
を使用してアルゴンガスをイオン化し、このイオンをタ
ーゲット５に衝突させて、Ａｌ，Ｗ，Ｔｉ等のターゲッ
ト材をウェーハ１０に向かってスパッタさせて、ターゲ
ット材をウェーハ１０上に堆積するが、同時に温度検出
器９と圧力検出器１２とを使用して、真空チャンバー１
の内部温度と内部圧力とをモニターし、一定状態でスパ
ッタする。
【００１３】次にスパッタ終了後もスパッタ時と同一状
態を保つ様に、温度調整機構１４により加熱されたアル
ゴンガスを第２のガス供給手段１１から供給し、また同
様に第１のガス供給手段４からも加熱されたアルゴンガ
スを供給し、空き時とスパッタ時の温度及び圧力の起伏
をなくす。又は、赤外線ランプヒーター１３を単独に動
作させるか、第２のガス供給手段と併用し真空チャンバ
ー１内の温度の低下を防止する。この時も、圧力を一定
に保つ為、第１あるいは第２のガス供給手段４及び１１
から一定量のアルゴンガスを供給しなければならない。
【００１４】このように第１の実施の形態によれば、ス
パッタ時とスパッタを行なわない空き時とにおける真空
チャンバー１内の温度と圧力が一定となる為、温度及び
圧力の起伏による真空チャンバー内壁のスパッタ膜のは
がれを防止できる。
【００１５】図２は本発明の第２の実施の形態の製造方
法を説明する為のスパッタ装置の構成図であり、複数の
真空チャンバーを有するものである。
【００１６】図２を参照するとスパッタ装置は、ロード
ロック室１５を囲むように、例えばＡｌのターゲットを
有する第１真空チャンバー１Ａと、Ｔｉのターゲットを
有する第２真空チャンバー１Ｂと、Ｗのターゲットを有
する第３真空チャンバー１Ｃとが接続されており、各真
空チャンバー１Ａ，１Ｂ，１Ｃは図１で説明したのと同
様に構成されている。
【００１７】このように構成されたスパッタ装置を用
い、まず第１真空チャンバー１ＡでＡｌ膜を形成する場
合は、第１真空チャンバー１Ａのウェーハ支持板３上に
ウェーハ１０をセットしＡｌをスパッターして堆積させ
る。この間空きの第２，第３真空チャンバー１Ｂ，１Ｃ
内は各チャンバーにおけるスパッター時の温度と圧力の
状態を保つようにしておく。次に、例えば同一ウェーハ
にＴｉ膜を形成する場合は、Ａｌ膜が形成されたウェー
ハをロードロック室１５を介して第２真空チャンバー１
Ｂ内にセットしＴｉ膜を堆積させる。この間、第１，第
３真空チャンバー１Ａ，１Ｃは規定の温度と圧力の状態
に保っておく。このようにして同一のウェーハに１〜３
種類の金属膜を形成する場合、スパッタを実施していな
い他の真空チャンバー内をスパッタ時の状態に保ってお
くことにより、第１の実施の形態と同様にスパッタ膜の
はがれを防止することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、スパッタ
を行っていない空きの時もスパッタを行っている場合と
同様に真空チャンバー内の温度と圧力を規定の値に保っ
ておくことにより、真空チャンバー内壁のスパッタ膜の
はがれを防止できる為、半導体装置の歩留り及び信頼性
を向上させることができという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明する為のスパ
ッタ装置の構成図。
【図２】本発明の第２の実施の形態を説明する為のスパ
ッタ装置の構成図。
【図３】従来のスパッタ方法を説明する為のスパッタ装
置の構成図。
【符号の説明】
１，１Ａ〜１Ｃ 真空チャンバー ２ ヒーターブロック ３ ウェーハ支持板 ４ 第１のガス供給手段 ５ ターゲット ６ 放電手段 ７ メインバルブ ８ コンダクタンス調整バルブ ９ 温度検出器 １０ ウェーハ １１ 第２のガス供給手段 １２ 圧力検出器 １３ ランプヒータ １４ 温度調整機構 １５ ロードロック室

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 真空チャンバー内に半導体ウェーハを支
    持しチャンバー内を規定の高温及び圧力に保ち、このウ
    ェーハ上にスパッタにより金属膜を形成する半導体装置
    の製造方法において、スパッタ処理を行なわない待ち時
    間の間も前記真空チャンバー内を規定の温度及び圧力に
    保っておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 高温に加熱された不活性ガスを導入し真
    空チャンバー内を規定の温度に保つ請求項１記載の半導
    体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 赤外線ランプにより真空チャンバー内を
    規定の温度に保つ請求項１記載の半導体装置の製造方
    法。
  4. 【請求項４】 真空チャンバーは１つのロードロック室
    に接続された複数の真空チャンバーである請求項１又は
    請求項２又は請求項３記載の半導体装置の製造方法。
JP1386796A 1996-01-30 1996-01-30 半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP2786144B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1386796A JP2786144B2 (ja) 1996-01-30 1996-01-30 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1386796A JP2786144B2 (ja) 1996-01-30 1996-01-30 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09213633A true JPH09213633A (ja) 1997-08-15
JP2786144B2 JP2786144B2 (ja) 1998-08-13

Family

ID=11845202

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1386796A Expired - Fee Related JP2786144B2 (ja) 1996-01-30 1996-01-30 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2786144B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6410454B1 (en) 1997-06-10 2002-06-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Method and apparatus for removing contaminants from the surface of a semiconductor wafer
KR100666429B1 (ko) * 2006-06-22 2007-01-09 (주)제이오비앤피 배가스의 습식처리장치
CN100349043C (zh) * 2004-02-26 2007-11-14 东京毅力科创株式会社 处理装置及该处理装置内的颗粒除去方法
CN100372052C (zh) * 2004-06-18 2008-02-27 友达光电股份有限公司 可调节输入气体温度的制作设备

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6410454B1 (en) 1997-06-10 2002-06-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Method and apparatus for removing contaminants from the surface of a semiconductor wafer
CN100349043C (zh) * 2004-02-26 2007-11-14 东京毅力科创株式会社 处理装置及该处理装置内的颗粒除去方法
CN100372052C (zh) * 2004-06-18 2008-02-27 友达光电股份有限公司 可调节输入气体温度的制作设备
KR100666429B1 (ko) * 2006-06-22 2007-01-09 (주)제이오비앤피 배가스의 습식처리장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2786144B2 (ja) 1998-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5505779A (en) Integrated module multi-chamber CVD processing system and its method for processing substrates
US6562141B2 (en) Dual degas/cool loadlock cluster tool
EP0297521A1 (en) High temperature heating sputtering process
JPH06342760A (ja) 差圧ｃｖｄチャック
KR101139165B1 (ko) Ｔｉ계 막의 성막 방법 및 기억 매체
JP4260404B2 (ja) 成膜装置
EP1088331B1 (en) Cleaning process end point determination using throttle valve position
JP2786144B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH11150073A (ja) 薄膜作成装置
JPH05109655A (ja) Ｃｖｄ−スパツタ装置
US6448181B2 (en) Method for forming film
JPH0465823A (ja) 半導体素子の製造方法および製造装置
JPH06322528A (ja) スパッタ方法およびスパッタ装置
US6303994B1 (en) Method and apparatus for reducing the first wafer effect
US6342132B1 (en) Method of controlling gas density in an ionized physical vapor deposition apparatus
EP0869543A2 (en) Method and apparatus for reducing the first wafer effect
JPS63290269A (ja) スパッタリング装置
JPH11172427A (ja) 膜形成装置
JPH07258825A (ja) セラミック被膜被覆材並びにその製造方法及び装置
JPS59208074A (ja) 枚葉式膜形成装置
JP2961224B2 (ja) 薄膜形成方法
JPH1032167A (ja) 半導体基板の処理方法及び半導体処理装置
JP2001081559A (ja) プラズマｃｖｄ装置における温度制御方法
JPH0598434A (ja) マルチチヤンバー型スパツタリング装置
JP2003342713A (ja) 薄膜形成装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980421

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R370 Written measure of declining of transfer procedure

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090529

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090529

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100529

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100529

Year of fee payment: 12

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100529

Year of fee payment: 12

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100529

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110529

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120529

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120529

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130529

Year of fee payment: 15

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees