JPH09212543A - Mask pattern designing device - Google Patents
Mask pattern designing deviceInfo
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- JPH09212543A JPH09212543A JP3912796A JP3912796A JPH09212543A JP H09212543 A JPH09212543 A JP H09212543A JP 3912796 A JP3912796 A JP 3912796A JP 3912796 A JP3912796 A JP 3912796A JP H09212543 A JPH09212543 A JP H09212543A
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- light intensity
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Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は，ＬＳＩ、超ＬＳＩ、超
々ＬＳＩ等の高密度集積回路の製造におけるフオトマス
クのマスクパターン設計装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mask pattern designing apparatus for photomasks in the manufacture of high-density integrated circuits such as LSI, VLSI, and ultra-super LSI.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＬＳＩの集積度は年々高まってきてお
り、ＬＳＩを作製する際に用いられるパターニング用の
フオトマスクのマスクパターンも益々微細化が求められ
るようになってきた。そして、フオトマスクのマスクパ
ターンの微細化とこれに伴うマスクパターンデータの増
大化に対応する為、従来は手作業で行っていたマスクパ
ターン設計も自動化あるいは半自動化され、パターンの
修正などの処理も比較的容易に行えるようになってき
た。一般には、マスクパターン設計により作成された図
形データの集合からなるマスクパターンデータは、電子
線露光装置等の描画装置用のデータに変換され、この変
換されたデータを用い描画装置により、クロム等の遮光
性の薄膜を設けたフオトマスク用のブランクス基板上に
塗布された、露光する電子線ないし光に感光性のあるレ
ジストを選択的に露光照射し、レジストを現像すること
により該レジストをパターンニングし、パターンニング
されたレジストをマスクとして遮光性の薄膜をパターニ
ングしてフオトマスクを作製する。また、ＬＳＩを作製
するためのウエハーのパターニングは、上記のようにし
て遮光性の膜をパターンニングして作製されたフオトマ
スクを用い、フオトマスクの遮光膜の絵柄（パターン）
を縮小投影して、ウエハー上に塗布された投影光に感光
性のあるレジストを露光し、これを現像してレジストパ
ターンを形成するものである。そして、パターニングさ
れたレジストをマスクとして、ウエハーの各工程におけ
る各プロセス処理を行うものである。このようにして、
フオトマスクが作製され、マスクパターンがウエハー上
のレジストへ縮小投影され転写されるが、フオトマスク
のマスクパターンの微細化に伴い、設計値どおりに作成
されたマスクパターンが、ウエハーに所望のパターンと
して、縮小投影されない場合が多くなってきた。この
為、最近では、フオトマスクを作製して実際にウエーハ
ー上に縮小投影露光を行う前に、ウエハー上での光強度
をあらかじめ光強度分布シミュレーションにより算出す
ることによって、このシミュレーション結果をもとに各
ウエハープロセス処理に適切なマスクパターンの設計を
行うようになってきた。尚、上記、光強度分布シミュレ
ーションとしては、種々の光強度分布シミュレータがあ
る。2. Description of the Related Art The degree of integration of LSIs has been increasing year by year, and the mask patterns of photomasks for patterning used in manufacturing LSIs have been required to be further miniaturized. To cope with the miniaturization of photomask mask patterns and the accompanying increase in mask pattern data, the mask pattern design that was conventionally done manually is also automated or semi-automated, and the processing such as pattern correction is also compared. It has become easy to do. In general, mask pattern data composed of a set of graphic data created by mask pattern design is converted into data for a drawing apparatus such as an electron beam exposure apparatus, and the converted data is used by the drawing apparatus to write data such as chrome. A photomask blank substrate provided with a light-shielding thin film is applied to selectively expose and irradiate a resist sensitive to an electron beam or light to be exposed, and the resist is developed to pattern the resist. Using the patterned resist as a mask, the light-shielding thin film is patterned to produce a photomask. Further, the patterning of the wafer for manufacturing the LSI uses the photomask manufactured by patterning the light-shielding film as described above, and the pattern (pattern) of the light-shielding film of the photomask is used.
Is reduced and projected, the photosensitive resist is exposed to the projection light applied on the wafer, and this is developed to form a resist pattern. Then, using the patterned resist as a mask, each process in each step of the wafer is performed. In this way,
A photo mask is produced, and the mask pattern is reduced and projected onto the resist on the wafer and transferred.However, with the miniaturization of the mask pattern of the photo mask, the mask pattern created according to the design value is reduced as a desired pattern on the wafer. In many cases, it is not projected. Therefore, recently, before making a photomask and actually performing reduction projection exposure on a wafer, the light intensity on the wafer is calculated in advance by a light intensity distribution simulation. Design of mask patterns suitable for wafer processing has come to be performed. As the light intensity distribution simulation, there are various light intensity distribution simulators.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、現状の自動化
ないし半自動化されたマスクパターンの設計装置では、
所望の図形データを作成し、所望のマスクパターンとす
ることは可能であるが、上記光強度分布シミュレーショ
ン等の結果から、ウエハー上での光強度を加味した、適
切なマスクパターン設計にフオトマスクの図形データの
変更の必要性が生じる場合がある。この場合、マスクパ
ターン設計装置を用い再度図形データの生成を行うが、
マスクパターンの設計装置と光強度分布シミュレータと
はそれぞれ独立した関係にある為に、ウエハー上で所望
の光強度分布となる図形データを得るためには、マスク
パターン設計処理と光強度分布シミュレーション処理と
を何回も行うのが普通で、作業上問題となっていた。ま
た、マスクパターン設計装置と光強度分布シミュレーシ
ョン装置との間にはデータの互換性がなく、それぞれに
対して独自のフオーマットデータが存在するため、双方
のデータを準備しなければならないという問題もあり、
適切なフオトマスクの図形データを作成するのに多大な
時間がかかっていた。本発明は、上記問題を解決しよう
とするもので、フオトマスクのマスクパターン生成用の
図形データ作成の際に、必要に応じて、ウエハー上での
所望の光強度分布を得ることができるか否かを確認しな
がら生成できる、マスクパターン設計装置を提供しよう
とするものである。However, in the current automated or semi-automated mask pattern designing apparatus,
It is possible to create desired figure data and make it a desired mask pattern, but from the result of the above light intensity distribution simulation, etc., the figure of the photo mask is added to the appropriate mask pattern design considering the light intensity on the wafer. The need for data changes may arise. In this case, the mask pattern design device is used to generate the graphic data again,
Since the mask pattern designing device and the light intensity distribution simulator are independent of each other, the mask pattern designing process and the light intensity distribution simulation process are performed in order to obtain the graphic data having the desired light intensity distribution on the wafer. It was usual to do this many times, which was a problem in work. In addition, since the mask pattern design device and the light intensity distribution simulation device do not have data compatibility and each has its own format data, there is a problem that both data must be prepared. ,
It took a great deal of time to create the appropriate photomask figure data. The present invention is intended to solve the above-mentioned problems, and whether or not a desired light intensity distribution on a wafer can be obtained as necessary when creating graphic data for mask pattern generation of a photomask. It is intended to provide a mask pattern design device that can be generated while checking
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明のマスクパターン
設計装置は、ウエハー等へ投影露光によりパターン転写
を行う為のフオトマスクのマスクパターン設計装置であ
って、少なくとも、命令を入力する入力部と、入力部か
ら入力された所定の命令表現から図形データを生成する
マスクパターン設計部と、生成した図形データの集合か
ら構成されるマスクパターンデータをファイルとして保
持するマスクパターンデータファイル蓄積部と、生成さ
れた図形データを図形として表示するマスクパターン表
示部と、入力部により指定された前記生成された図形デ
ータないし該図形データから編集した図形データに対応
するウエハー等の被転写物上の光強度分布をシミュレー
ションにより算出する光強度分布シミュレーション部
と、光強度分布シミュレーション部で検討する必要があ
ると入力部の命令により指定された図形データを、生成
された図形データの集合から構成されるマスクパターン
データから抽出し、編集する図形データ編集部と、算出
された光強度分布シミュレーションデータの集合から構
成されるシミュレーションデータをファイルとして保持
する光強度分布シミュレーションファイル蓄積部とを備
えていることを特徴とするものである。そして、上記に
おいて、生成した図形データを、電子線露光装置等の描
画装置用のデータに変換、およびまたは電子線露光装置
等の描画装置用のデータを前記図形データに変換するデ
ータ変換部と、電子線露光装置等の描画装置用のデータ
および前記図形データを外部媒体と入出力する入出力部
とを備えていることを特徴とするものである。そして、
上記における図形データ編集部は、生成した図形データ
の集合から構成されるマスクパターンデータから抽出
し、光強度分布シミュレーション部で扱えるデータに変
換する変換機能を備えたものであることを特徴とするも
のである。そしてまた、上記において、光強度分布シミ
ュレーション部により算出されたシミュレーション結果
を表示する光強度分布シミュレーション結果を表示する
光強度分布シミュレーション結果表示部と、シミュレー
ション条件やシミュレーションの対象となるマスクパタ
ーンの情報を表示するマスクパターン情報表示部とを備
えていることを特徴とするものである。A mask pattern designing apparatus according to the present invention is a photomask mask pattern designing apparatus for transferring a pattern onto a wafer or the like by projection exposure, and at least an input unit for inputting a command, A mask pattern design unit that generates graphic data from a predetermined command expression input from the input unit, a mask pattern data file storage unit that holds mask pattern data composed of a set of generated graphic data as a file, and A mask pattern display section for displaying the figure data as a figure, and a light intensity distribution on a transferred object such as a wafer corresponding to the generated figure data designated by the input section or the figure data edited from the figure data. The light intensity distribution simulation part calculated by simulation and the light intensity distribution stain The graphic data editing unit that extracts and edits the graphic data specified by the command of the input unit from the mask pattern data composed of the set of generated graphic data And a light intensity distribution simulation file storage unit for holding, as a file, simulation data composed of a set of light intensity distribution simulation data. Then, in the above, a data conversion unit that converts the generated graphic data into data for a drawing apparatus such as an electron beam exposure apparatus, and / or converts data for a drawing apparatus such as an electron beam exposure apparatus into the graphic data. It is characterized by comprising an input / output unit for inputting / outputting data for a drawing apparatus such as an electron beam exposure apparatus and the graphic data to / from an external medium. And
The graphic data editing unit described above is provided with a conversion function for extracting from the mask pattern data composed of a set of generated graphic data and converting it into data that can be handled by the light intensity distribution simulation unit. Is. Further, in the above, the light intensity distribution simulation result display unit that displays the light intensity distribution simulation result that displays the simulation result calculated by the light intensity distribution simulation unit, and the simulation condition and information about the mask pattern that is the simulation target are displayed. A mask pattern information display unit for displaying is provided.
【０００５】入力部から入力された所定の命令表現から
図形データを生成するマスクパターン設計部は、所定の
パラメーターテーブルを参照にしながら前記命令表現に
基づいて図形データを生成するもので、マスクパターン
データは生成された図形データの集合からなり、１つの
ファイルとして保持蓄積される。また、光強度分布シミ
ュレーション部は、入力部の命令により検討する必要の
ある生成された図形データを対象として、シミュレーシ
ョンを行うもので、所定の光強度分布シミュレーション
パラメータテーブルを参照して光強度分布を算出するも
のである。尚、上記において、前記生成された図形デー
タないし該図形データから編集した図形データに対応す
るウエハー等の被転写物上の光強度分布とは、前記生成
された図形データないし該図形データから編集した図形
データによりフオトマスクを作製し、これを用いてウエ
ハー等の被転写物へ投影露光によりパターン転写を行っ
た場合における、ウエハー等の被転写物上の前記図形デ
ータに対応する光強度分布を意味している。そして、編
集した図形データとは、マスクパターン設計部により生
成された図形データを変換して光強度分布シミュレーシ
ョン部に使用できる図形データにフオーマット変換した
もの、マスクパターン設計部により生成された図形デー
タや前記フオーマット変換されたデータとは異なるサイ
ズのシミュレーションに使用できる図形データのことで
ある。勿論、マスクパターン設計部に用いられているデ
ータフオーマットでそのまま光強度分布シミュレーショ
ンが行える場合には、マスクパターン設計部に用いられ
ているデータから光強度分布シミュレーション部に使用
できるデータにフオーマット変換する必要はない。The mask pattern design unit, which generates graphic data from a predetermined command expression input from the input unit, generates graphic data based on the command expression while referring to a predetermined parameter table. Consists of a set of generated graphic data and is stored and stored as one file. In addition, the light intensity distribution simulation unit performs a simulation on the generated graphic data that needs to be examined by the instruction of the input unit, and refers to a predetermined light intensity distribution simulation parameter table to calculate the light intensity distribution. It is to be calculated. In the above description, the light intensity distribution on the transferred object such as a wafer corresponding to the generated graphic data or the graphic data edited from the graphic data is edited from the generated graphic data or the graphic data. This means the light intensity distribution corresponding to the figure data on a transfer object such as a wafer when a photomask is created from the figure data and the pattern is transferred to the transfer object such as a wafer by projection exposure using this. ing. The edited graphic data is the graphic data generated by the mask pattern design unit, converted into the graphic data usable for the light intensity distribution simulation unit, and the graphic data generated by the mask pattern design unit. This is graphic data that can be used for a simulation of a size different from that of the data subjected to the format conversion. Of course, if the light intensity distribution simulation can be performed directly with the data format used in the mask pattern design unit, it is necessary to perform the format conversion from the data used in the mask pattern design unit to the data that can be used in the light intensity distribution simulation unit. There is no.
【０００６】[0006]
【作用】本発明のマスクパターン設計装置は、このよう
な構成にすることにより、フオトマスクのマスクパター
ン生成用の図形データ作成の際に、必要に応じて、ウエ
ハー上で所望の光強度分布を得ることができるか否かを
確認しながらマスクパターンを生成できる、マスクパタ
ーン設計装置の提供を可能としている。具体的には、命
令を入力する入力部と、入力部から入力された所定の命
令表現から図形データを生成するマスクパターン設計部
と、生成した図形データの集合から構成されるマスクパ
ターンデータをファイルとして保持するマスクパターン
データファイル蓄積部と、生成された図形データを図形
として表示するマスクパターン表示部と、入力部により
指定された前記生成された図形データないし該図形デー
タから編集した図形データに対応するウエハー等の被転
写物上の光強度分布をシミュレーションにより算出する
光強度分布シミュレーション部と、光強度分布シミュレ
ーション部で検討する必要があると入力部の命令により
指定された図形データを、生成された図形データの集合
から構成されるマスクパターンデータから抽出し、編集
する図形データ編集部と、算出された光強度分布シミュ
レーションデータの集合から構成されるシミュレーショ
ンデータをファイルとして保持する光強度分布シミュレ
ーションファイル蓄積部とを備えていることにより、と
を備えていることにより、これを達成している。即ち、
マスクパターン設計者は、図形データを生成するマスク
パターン設計部と、図形データに対応するウエハー上で
の光強度分布をシミュレーションで確認できる光強度分
布シミュレーション部を適宜使用することができ、シミ
ュレーションの検討が必要な生成された図形データに対
しては、図形データ編集部により、該図形データを抽
出、編集して、シミュレーションを行い、光強度分布シ
ミュレーション部のシミュレーション結果により適切と
判断される図形データを作成することを可能としてい
る。そして、生成した図形データを、電子線露光装置等
の描画装置用のデータに変換、およびまたは電子線露光
装置等の描画装置用のデータを前記図形データに変換す
るデータ変換部と、電子線露光装置等の描画装置用のデ
ータおよび前記図形データを外部媒体と入出力する入出
力部とを備えていることにより、一貫して、フオトマス
ク作製のための電子線露光装置等の描画装置用のデータ
を作製することを可能としており、また電子線露光装置
等の描画装置用のデータを比較的簡単に修正、手直しで
きるものとしている。結果として、フオトマスク作製で
のデータ準備時間を大幅に削減することを可能としてい
く。また、図形データ編集部は、生成した図形データの
集合から構成されるマスクパターンデータから抽出し、
光強度分布シミュレーション部で扱えるデータに変換す
る変換機能を備えたもので、汎用の光強度分布シミュレ
ーション装置の使用を可能とするものである。The mask pattern designing apparatus of the present invention, having such a structure, obtains a desired light intensity distribution on the wafer when necessary when creating graphic data for generating a mask pattern of a photomask. It is possible to provide a mask pattern designing device that can generate a mask pattern while confirming whether or not it is possible. Specifically, an input unit for inputting a command, a mask pattern design unit for generating graphic data from a predetermined command expression input from the input unit, and a mask pattern data file composed of a set of generated graphic data are stored in a file. Corresponding to the generated pattern data specified by the input unit or the pattern data edited from the mask pattern data file storage unit for holding the mask pattern data file storage unit for displaying the generated pattern data as a pattern The light intensity distribution simulation part that calculates the light intensity distribution on the transferred object such as a wafer by simulation, and the graphic data specified by the command of the input part that the light intensity distribution simulation part needs to consider are generated. Extracted from the mask pattern data composed of a set of figure data By including the graphic data editing unit and the light intensity distribution simulation file storage unit that holds the simulation data composed of a set of the calculated light intensity distribution simulation data as a file, by including, You have achieved this. That is,
The mask pattern designer can appropriately use the mask pattern design unit that generates the graphic data and the light intensity distribution simulation unit that can confirm the light intensity distribution on the wafer corresponding to the graphic data by simulation. For the generated graphic data that needs to be generated, the graphic data editing unit extracts and edits the graphic data to perform simulation, and the graphic data determined to be appropriate based on the simulation result of the light intensity distribution simulation unit is generated. It is possible to create. Then, the generated graphic data is converted into data for a drawing apparatus such as an electron beam exposure apparatus, and / or a data conversion unit for converting data for a drawing apparatus such as an electron beam exposure apparatus into the graphic data, and an electron beam exposure Data for a drawing apparatus such as an electron beam exposure apparatus for producing a photomask is consistently provided by having an input / output unit for inputting / outputting data for the drawing apparatus such as an apparatus and the graphic data to / from an external medium. In addition, it is possible to modify and modify the data for the drawing apparatus such as the electron beam exposure apparatus relatively easily. As a result, it will be possible to significantly reduce the data preparation time for photomask fabrication. Further, the graphic data editing unit extracts from the mask pattern data composed of a set of generated graphic data,
The light intensity distribution simulation unit has a conversion function for converting the data into data that can be handled, and enables the use of a general-purpose light intensity distribution simulation device.
【０００７】[0007]
【実施例】本発明のマスクパターン設計装置の実施例を
図にもとづいて説明する。図１は実施例マスクパターン
設計装置の構成を示した概略図である。図１中、１００
はマスクパターン設計装置、１１０は入力部、１２０は
マスクパターン設計部、１２１はマスクパターンパラメ
ータテーブル、１２２はマスクパターンデータファイル
蓄積部、１３０は光強度分布シミュレーション部、１３
１は光強度分布シミュレーションパラメータテーブル、
１３２は光強度分布シミレーションファイル蓄積部、１
４０は図形データ編集部、１５０はマスクパターン情報
表示部、１６０はマスクパターン表示部、１７０は光強
度分布シミュレーション結果表示部、１８０はディスプ
レイ、１９０はデータ変換部、２００は入出力部、２１
０は外部媒体、２２０電子線露光描画装置である。図１
に示す本実施例のマスクパターン生成装置１００は、図
形データに対応したウエハー上の光強度分布をシミュレ
ートすることができる光強度分布シミュレーション部１
３０を備えたもので、必要に応じて所定の生成された図
形データについて、シミュレーションを行い、その結果
から適切な図形データを得ることができるようにしたも
のである。実際には、本実施例装置においては、マスク
パターン設計装置において生成された図形データを光強
度分布シミュレーション部にて扱うことのできるフオー
マットにデータ変換したものや、マスクパターン設計装
置により生成された図形データや前記フオーマット変換
されたデータとは異なるサイズのシミュレーションに使
用できる図形データを用いてシミュレーションを行う。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a mask pattern designing apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of an embodiment mask pattern designing apparatus. In FIG. 1, 100
Is a mask pattern design device, 110 is an input unit, 120 is a mask pattern design unit, 121 is a mask pattern parameter table, 122 is a mask pattern data file storage unit, 130 is a light intensity distribution simulation unit, 13
1 is a light intensity distribution simulation parameter table,
Reference numeral 132 denotes a light intensity distribution simulation file storage unit, 1
40 is a graphic data editing unit, 150 is a mask pattern information display unit, 160 is a mask pattern display unit, 170 is a light intensity distribution simulation result display unit, 180 is a display, 190 is a data conversion unit, 200 is an input / output unit, 21
Reference numeral 0 is an external medium, 220 electron beam exposure drawing apparatus. FIG.
The mask pattern generation apparatus 100 of the present embodiment shown in FIG. 2 is capable of simulating the light intensity distribution on the wafer corresponding to the graphic data.
This is provided with 30 and is capable of obtaining appropriate graphic data from a result of performing a simulation on predetermined generated graphic data as needed. Actually, in the apparatus of this embodiment, the figure data generated by the mask pattern design apparatus is converted into a format which can be handled by the light intensity distribution simulation unit, and the figure generated by the mask pattern design apparatus. The simulation is performed using graphic data that can be used for a simulation of a size different from that of the data or the format-converted data.
【０００８】入力部１１０は、キーボード、マウス、タ
ブレット等により構成され、設計者はマスクパターン設
計装置１１０および光強度分布シミュレーション部１３
０に所定の命令を入力する。入力部から図形データ作成
のために、一単位の所定の命令表現で入力がなされる
と、マスクパターン設計部１２０ではマスクパターンパ
ラメータテーブル１２１の内容を参照にしながら、与え
られた命令に基づいて図形データが生成される。ここで
のマスクパターンパラメータテーブル１２１の内容は、
単位図形セル、パターンレイヤー、図形着色パレットや
セルライブラリー等により構成されており、あらかじめ
与えられているが、必要に応じて、設計者により、変
更、追加は可能である。そして、生成された図形データ
は、図形データの集合として構成されるマスクパターン
データのファイルとしてマスクパターンデータファイル
蓄積部１２２に蓄積される。シミュレーションの必要の
ある生成された図形データは、入力部より命令にしたが
いアクセスされ、図形データ編集部１４０により部分的
にマスクパターンデータファイル蓄積部１２２から抽出
され、且つ、フオーマット変換され、効率良くシミュレ
ーション解析可能なデータファイルとなって光強度分布
シミュレーション部１３０に与えられる。The input unit 110 is composed of a keyboard, a mouse, a tablet, etc., and the designer uses the mask pattern designing apparatus 110 and the light intensity distribution simulation unit 13.
Input a predetermined command to 0. When an input is made with a predetermined command expression for one unit for creating graphic data from the input unit, the mask pattern designing unit 120 refers to the contents of the mask pattern parameter table 121 and draws a graphic based on the given command. Data is generated. The contents of the mask pattern parameter table 121 here are
It is composed of a unit graphic cell, a pattern layer, a graphic coloring palette, a cell library, etc., and is given in advance, but can be changed or added by the designer as necessary. Then, the generated graphic data is stored in the mask pattern data file storage unit 122 as a file of mask pattern data configured as a set of graphic data. The generated graphic data that needs to be simulated is accessed according to an instruction from the input unit, partially extracted from the mask pattern data file storage unit 122 by the graphic data editing unit 140, and subjected to format conversion for efficient simulation. A data file that can be analyzed is provided to the light intensity distribution simulation unit 130.
【０００９】光強度分布シミュレーション部１３０は、
光強度分布シミュレーションパラメータテーブル１３１
の内容を参照にしながら、入力部１１０より与えられた
命令に基づいてシミュレーションが行われる。ここで、
光強度分布シミュレーションパラメータテーブル１３１
の内容は、シミュレーションの精度、光学特性およびシ
ミュレーション回数により構成されており、あらかじめ
装置内に与えられているが、必要に応じて、設計者によ
り、変更、追加は可能である。こうして計算されたシミ
ュレーション結果は、光強度分布シミレーションファイ
ル蓄積部１３２に保存される。設計者は入力部１１０か
ら所定の命令に基づき、マスクパターン設計装置１２０
と光強度分布シミュレーション部１３０をそれぞれ独立
して単独に使用することも可能である。The light intensity distribution simulation unit 130
Light intensity distribution simulation parameter table 131
The simulation is performed based on the instruction given from the input unit 110 while referring to the contents of the above. here,
Light intensity distribution simulation parameter table 131
The content of is composed of the precision of simulation, optical characteristics, and the number of times of simulation, and is given in the apparatus in advance, but can be changed or added by the designer as necessary. The simulation result thus calculated is stored in the light intensity distribution simulation file storage unit 132. The designer uses the mask pattern designing device 120 based on a predetermined command from the input unit 110.
It is also possible to independently use the light intensity distribution simulation unit 130 and the light intensity distribution simulation unit 130 independently.
【００１０】本実施例では、マスクパターン情報表示部
１５０、マスクパターン表示部１６０、光強度分布シミ
ュレーション結果表示部１７０を一つのデイスプレイ１
８０にて同じ画面を用い、表示する領域を分けて表示し
ている。マスクパターン情報表示部１５０には、マスク
パターン設計部１２０で生成された図形データの集合か
らなるマスクパターンデータの情報、すなわちデータ
名、データ容量等と、光強度分布シミレーション部１３
０におけるシミュレーション情報、すなわちデータ名、
データ容量および光学的特性情報等が表示される。ま
た、マスクパターン表示部１６０にはマスクパターン設
計部１２０で生成した図形データに対応した絵柄情報
が、入力部１１０より命令が入力される度に、逐次表示
される。光強度分布シミュレーション結果表示部１７０
には、光強度分布シミュレーション部１３０で算出され
たシミュレーション結果として、光強度断面図、光強度
等高線図、３次元的な鳥瞰図等を表示させることができ
る。In this embodiment, the mask pattern information display section 150, the mask pattern display section 160, and the light intensity distribution simulation result display section 170 are combined into one display 1.
The same screen is used in 80, and the areas to be displayed are divided and displayed. The mask pattern information display unit 150 includes information on mask pattern data, which is a set of graphic data generated by the mask pattern design unit 120, that is, a data name, a data capacity, and the light intensity distribution simulation unit 13.
Simulation information in 0, that is, data name,
The data capacity and optical characteristic information are displayed. In addition, the pattern information corresponding to the graphic data generated by the mask pattern designing unit 120 is sequentially displayed on the mask pattern display unit 160 each time a command is input from the input unit 110. Light intensity distribution simulation result display unit 170
A light intensity cross-sectional view, a light intensity contour map, a three-dimensional bird's-eye view, and the like can be displayed as a simulation result calculated by the light intensity distribution simulation unit 130.
【００１１】本実施例マスクパターン設計装置１２０で
は、生成された図形データの集合からなるマスクパター
ンデータファイル蓄積部１２２に蓄積されたマスクパタ
ーンデータ（ファイル）を電子線露光描画装置２２０用
のデータに変換できるデータ変換部１９０を備えてお
り、変換して電子線露光描画装置２２０用のデータをマ
スクパターンファイル蓄積部１２２に蓄積する。そし
て、入出力部２００から電子線露光描画装置２２０用の
データをマスクパターンファイル蓄積部１２２に蓄積す
ることも可能で、且つ、データ変換部１９０は電子線露
光描画装置２２０用のデータをマスクパターン設計部１
２０で編集可能な図形データの集合からなるマスクパタ
ーンデータファイルに変換することもできる。外部媒体
２１０は磁気ディスク、磁気テープ等で一端外部媒体２
１０を介して本実施例マスクパターン設計装置１００と
電子線露光描画装置２２０との間でデータの授受が可能
である。In the mask pattern designing apparatus 120 of this embodiment, the mask pattern data (file) accumulated in the mask pattern data file accumulating section 122 composed of a set of generated figure data is converted into data for the electron beam exposure drawing apparatus 220. A data conversion unit 190 capable of conversion is provided, and the data for the electron beam exposure drawing apparatus 220 is converted and stored in the mask pattern file storage unit 122. Then, the data for the electron beam exposure drawing apparatus 220 can be stored in the mask pattern file storage unit 122 from the input / output unit 200, and the data conversion unit 190 uses the data for the electron beam exposure drawing apparatus 220 as a mask pattern. Design Department 1
It is also possible to convert into a mask pattern data file composed of a set of editable graphic data in 20. The external medium 210 is a magnetic disk, a magnetic tape, or the like.
Data can be exchanged between the mask pattern designing apparatus 100 of the present embodiment and the electron beam exposure drawing apparatus 220 via 10.
【００１２】本実施例マスクパターン設計装置１００に
おいては、設計者が入力部１１０から図形データ作成の
ための一単位の命令を入力するごとに、マスクパターン
設計部１２０により図形データが生成され、逐次図形デ
ータの集合であるマスクパターンデータを生成しファイ
ルとしてマスクパターンデータファイル蓄積部１２２に
保持された後、図形データ編集部１４０によりフオーマ
ット変換され、光強度分布シミュレーション部１３０に
所定の図形データが引き渡され、この図形データないし
該図形データを編集した図形データを用い、シミュレー
ションが行われる。この為、設計者は、リアルタイムに
シミュレーションを行い確認しながら、所望の図形デー
タを作成することができる。前述の通り、マスクパター
ンの情報、光強度分布シミレーションデータは、ディス
プレイ１８０内のマスクパターン情報表示部１５０、光
強度分布シミュレーション結果表示部１７０、マスクパ
ターン表示部１６０でそれぞれ確認可能である。In the mask pattern designing apparatus 100 of this embodiment, each time the designer inputs an instruction for creating a unit of graphic data from the input unit 110, the mask pattern designing unit 120 generates graphic data and successively outputs the graphic data. After the mask pattern data, which is a set of graphic data, is generated and held as a file in the mask pattern data file storage unit 122, the graphic data editing unit 140 performs format conversion, and the predetermined graphic data is delivered to the light intensity distribution simulation unit 130. Then, a simulation is performed using this graphic data or graphic data obtained by editing the graphic data. Therefore, the designer can create desired graphic data while performing simulation and confirmation in real time. As described above, the mask pattern information and the light intensity distribution simulation data can be confirmed on the mask pattern information display unit 150, the light intensity distribution simulation result display unit 170, and the mask pattern display unit 160 in the display 180, respectively.
【００１３】最終的に完成された図形データの集合から
なるマスクパターンデータ（ファイル）はデータ変換部
１９０により電子線露光描画装置２２０用データにデー
タ変換されるので、フオトマスク作製時間が大幅に従来
より短縮されるようになる。Since the mask pattern data (file) consisting of the finally completed set of graphic data is converted into data for the electron beam exposure drawing apparatus 220 by the data conversion section 190, the photomask production time is significantly longer than in the conventional case. It will be shortened.
【００１４】以下、本実施例のマスクパターン設計装置
の処理動作を更に具体例に説明する。簡単のため、マス
クパターン設計装置にて生成された図形データのみを用
いてシミュレーションを行う場合について説明する。図
２はディスプレイ１８０における表示例を表し、マスク
パターン設計部１２０で生成された図形データに対応す
るパターン１６１（この場合はコンタクトホール）がマ
スクパターン表示部１６０に表示され、このパターン情
報がマスクパターン情報表示部１５０に表示されてい
る。また、この図形データはマスクパターンデータファ
イル内に保存されている。ここでのマスクパターン情報
表示部１５０内の「ＡＡＡ．ｍｓｋ」とは、設計者が入
力部１１０により入力した任意のマスクパターンデータ
名であり、その他の情報も併せてマスクパターン設計部
１２０を介してここに表示されたものである。まだ、光
強度分布シミュレーション部１３０は起動させていない
ので、光強度分布シミュレーション結果表示部１７０に
は、表示がない。The processing operation of the mask pattern designing apparatus of this embodiment will be described below in more detail. For simplicity, a case will be described in which a simulation is performed using only graphic data generated by the mask pattern designing device. FIG. 2 shows a display example on the display 180. A pattern 161 (contact hole in this case) corresponding to the graphic data generated by the mask pattern designing unit 120 is displayed on the mask pattern displaying unit 160, and this pattern information is used as the mask pattern. It is displayed on the information display unit 150. The graphic data is stored in the mask pattern data file. Here, “AAA.msk” in the mask pattern information display unit 150 is an arbitrary mask pattern data name input by the designer through the input unit 110, and other information is also passed through the mask pattern design unit 120. It is what is displayed here. Since the light intensity distribution simulation unit 130 has not been activated yet, the light intensity distribution simulation result display unit 170 has no display.
【００１５】図３はディスプレイ１８０の状態を表した
もので、マスクパターンデータファイルにある図形デー
タを図形データ編集部１４０により部分的に抽出した
後、この図形データをフオーマット変換し、光強度分布
シミュレーション部１３０によりシミュレーションを行
った場合の表示である。ここでマスクパターン情報表示
部１５０内の「ＡＡＡ．ｃｏｎｖ」とは、図形データ編
集部１４０によって、上述の「ＡＡＡ．ｍｓｋ」が光強
度分布シミュレーション部１３０用のデータに変換され
ていることを示している。パターンサイズ、露光条件等
も同時に表示している。マスクパターン表示部１６０内
のパターン１６２は、図形データ編集部１４０によりマ
スクパターンデータファイル内に保存された図形データ
を部分的に抽出し、且つ、光強度分布シミュレーション
部１３０にて使用できるフオーマットに変換した後の図
形データを表したものである。一点鎖線Ａ１−Ａ２は、
光強度分布測定の部位を表している。光強度分布シミュ
レーション結果表示部１７０の破線Ｂは、ウエハー上で
の光強度分布の理想図を示したもので、プロファイルＣ
は光強度分布シミュレーション部１３０が算出した光強
度プロファイルである。設計者はこの場合、光強度プロ
ファイルＣの最大値Ｃｍａｘが十分に確保されていない
ことに気付き、再度マスクパターンの作成を行い、該図
形データを変更生成する。FIG. 3 shows the state of the display 180. After the graphic data in the mask pattern data file is partially extracted by the graphic data editing unit 140, this graphic data is subjected to format conversion to simulate the light intensity distribution. This is a display when a simulation is performed by the unit 130. Here, “AAA.conv” in the mask pattern information display unit 150 indicates that the above-mentioned “AAA.msk” has been converted into data for the light intensity distribution simulation unit 130 by the graphic data editing unit 140. ing. The pattern size, exposure conditions, etc. are also displayed at the same time. The pattern 162 in the mask pattern display unit 160 partially extracts the graphic data stored in the mask pattern data file by the graphic data editing unit 140 and converts it into a format that can be used in the light intensity distribution simulation unit 130. The figure shows the graphic data after the process. The alternate long and short dash line A1-A2 is
The part of the light intensity distribution measurement is shown. A broken line B of the light intensity distribution simulation result display portion 170 shows an ideal view of the light intensity distribution on the wafer, and the profile C
Is a light intensity profile calculated by the light intensity distribution simulation unit 130. In this case, the designer notices that the maximum value Cmax of the light intensity profile C is not sufficiently secured, and again creates a mask pattern to change and generate the graphic data.
【００１６】図４は、上述の結果に基づいてマスクパタ
ーン設計部１２０を再起動し、変更した図形データを生
成し、光強度分布シミュレーション１３０を行った例で
ある。マスクパターン情報表示部１５０内は「ＢＢＢ．
ｃｏｎｖ」となり、マスクパターン設計部１２０により
パターンサイズを変え、マスクパターンデータファイル
が新規作成されている。マスクパターン表示部１６０内
のパターン１６３は、新規作成された図形データを図形
データ編集部１４０によって、抽出し、光強度分布シミ
ュレーション部１３０用のデータにフオーマット変換
し、表示したものである。一点鎖線Ａ３−Ａ４は、光強
度分布測定の部位を表している。光強度分布シミュレー
ション結果表示部１７０に示すように、光強度分布プロ
ファイルＤの最大値Ｄｍａｘが本来想定したものと合致
した為、新規作成された図形データを含むマスクパター
ンデータを所望のマスクパターンデータとした。FIG. 4 shows an example in which the mask pattern designing unit 120 is restarted based on the above result, the changed graphic data is generated, and the light intensity distribution simulation 130 is performed. In the mask pattern information display unit 150, “BBB.
The mask pattern design unit 120 changes the pattern size and a new mask pattern data file is created. The pattern 163 in the mask pattern display unit 160 is the one in which the newly created graphic data is extracted by the graphic data editing unit 140, converted into the data for the light intensity distribution simulation unit 130, and displayed. The alternate long and short dash line A3-A4 represents the site of light intensity distribution measurement. As shown in the light intensity distribution simulation result display section 170, since the maximum value Dmax of the light intensity distribution profile D matches what was originally supposed, the mask pattern data including the newly created graphic data is set as the desired mask pattern data. did.
【００１７】上記例においては、簡単のため、マスクパ
ターン設計装置にて生成された図形データのみを用いて
シミュレーションを行う場合を示した為、図形データの
生成とシミュレーションの工程を繰り返し、シミュレー
ションの結果が良好の場合にそのマスクパターンデータ
を適切なものと判断したが、図形データ編集部１４０に
て、予め、シミュレーションの検討が必要であるマスク
パターン設計装置にて生成された図形とは、同じ、ない
し異なるサイズのシミュレーション用の図形データを複
数個準備するようにして、準備された各シミュレーショ
ン用の図形データに対しシミュレーションを行い、それ
ぞれのシミュレーション結果を比較することにより、適
切なマスクパターンデータ用の図形データを決める方法
もある。すなわち、上記の例において、「ＡＡＡ．ｍｓ
ｋ」を指定した場合、「ＡＡＡ．ｃｏｎｖ」と「ＢＢ
Ｂ．ｃｏｎｖ」とを同時に用意しておき、これらのシミ
ュレーション結果を比較するのである。In the above example, for simplification, the case where the simulation is performed using only the graphic data generated by the mask pattern designing apparatus is shown. Therefore, the process of generating the graphic data and the simulation is repeated, and the simulation result is obtained. If it is determined that the mask pattern data is appropriate, the figure data editing unit 140 is the same as the figure generated by the mask pattern design apparatus that requires examination of simulation in advance. Or, prepare a plurality of graphic data for simulation of different sizes, perform a simulation for the prepared graphic data for each simulation, and compare the simulation results to obtain the appropriate mask pattern data. There is also a method of determining graphic data. That is, in the above example, “AAA.ms
When "k" is specified, "AAA.conv" and "BB"
B. "conv" is prepared at the same time and these simulation results are compared.
【００１８】以上、本発明を実施例にもとづいて説明し
たが、本発明は、この実施例に限定されるものでなく、
光強度分布シミュレーション部１３０が算出する様々な
結果（光強度等高線図や３次元的な鳥瞰図等）を出力す
ることも可能であり、電子線露光描画装置用データとの
互換性を有するようにすることも可能である。電子線露
光描画装置に変え他の描画装置の場合もデータ変換部を
使用する描画装置に併せたものとすれば良い。The present invention has been described above based on the embodiment, but the present invention is not limited to this embodiment.
It is also possible to output various results calculated by the light intensity distribution simulation unit 130 (light intensity contour map, three-dimensional bird's-eye view, etc.) and to have compatibility with the electron beam exposure drawing apparatus data. It is also possible. In the case of another drawing apparatus instead of the electron beam exposure drawing apparatus, it may be combined with the drawing apparatus using the data conversion unit.
【００１９】[0019]
【発明の効果】本発明のマスクパターン設計装置は、上
記のように、マスクパターン設計部と光強度分布シミュ
レーション部との間に、図形データ編集部を介してデー
タの互換性を持たせたので、設計者は、リアルタイムに
所望のマスクパターンデータを作成することができるよ
うになった。そして、データ変換部を設け、電子線露光
等の描画装置用のデータへの変換や入出を可能としたこ
とより、フオトマスク作製にかかるマスクデータ作成時
間を大幅に減少させることが可能となった。As described above, the mask pattern designing apparatus of the present invention provides data compatibility between the mask pattern designing section and the light intensity distribution simulating section through the graphic data editing section. The designer can now create desired mask pattern data in real time. Since the data conversion unit is provided and conversion into and out of data for the drawing apparatus such as electron beam exposure is possible, it is possible to significantly reduce the mask data creation time required for the photomask manufacture.
【図１】実施例のマスクパターン設計装置の概略図FIG. 1 is a schematic diagram of a mask pattern designing apparatus according to an embodiment.
【図２】実施例のマスクパターン設計装置における各表
示部の表示を説明するための図FIG. 2 is a diagram for explaining display on each display unit in the mask pattern designing apparatus of the embodiment.
【図３】実施例のマスクパターン設計装置における各表
示部の表示を説明するための図FIG. 3 is a diagram for explaining display on each display unit in the mask pattern designing apparatus of the embodiment.
【図４】実施例のマスクパターン設計装置における各表
示部の表示を説明するための図FIG. 4 is a diagram for explaining display on each display unit in the mask pattern designing apparatus of the embodiment.
１００ マスクパターン設計装置 １１０ 入力部 １２０ マスクパターン設計部 １２１ マスクパターンパラメータテ
ーブル １２２ マスクパターンデータファイ
ル蓄積部 １３０ 光強度分布シミュレーション
部 １３１ 光強度分布シミュレーション
パラメータテーブル １３２ 光強度分布シミレーションフ
ァイル蓄積部 １４０ 図形データ編集部 １５０ マスクパターン情報表示部 １６０ マスクパターン表示部 １６１、１６２、１６３ パターン １７０ 光強度分布シミュレーション
結果表示部 １８０ ディスプレイ １９０ データ変換部 ２００ 入出力部 ２１０ 外部媒体 ２２０ 電子線露光描画装置100 mask pattern design device 110 input unit 120 mask pattern design unit 121 mask pattern parameter table 122 mask pattern data file storage unit 130 light intensity distribution simulation unit 131 light intensity distribution simulation parameter table 132 light intensity distribution simulation file storage unit 140 graphic data Editing unit 150 Mask pattern information display unit 160 Mask pattern display unit 161, 162, 163 Pattern 170 Light intensity distribution simulation result display unit 180 Display 190 Data conversion unit 200 Input / output unit 210 External medium 220 Electron beam exposure drawing device
Claims (4)
写を行う為のフオトマスクのマスクパターン設計装置で
あって、少なくとも、命令を入力する入力部と、入力部
から入力された所定の命令表現から図形データを生成す
るマスクパターン設計部と、生成した図形データの集合
から構成されるマスクパターンデータをファイルとして
保持するマスクパターンデータファイル蓄積部と、生成
された図形データを図形として表示するマスクパターン
表示部と、入力部により指定された前記生成された図形
データないし該図形データから編集した図形データに対
応するウエハー等の被転写物上の光強度分布をシミュレ
ーションにより算出する光強度分布シミュレーション部
と、光強度分布シミュレーション部で検討する必要があ
ると入力部の命令により指定された図形データを、生成
された図形データの集合から構成されるマスクパターン
データから抽出し、編集する図形データ編集部と、算出
された光強度分布シミュレーションデータの集合から構
成されるシミュレーションデータをファイルとして保持
する光強度分布シミュレーションファイル蓄積部とを備
えていることを特徴とするマスクパターン設計装置。1. A mask pattern design apparatus for a photomask for transferring a pattern onto a wafer or the like by projection exposure, comprising at least an input section for inputting a command and graphic data from a predetermined command expression input from the input section. And a mask pattern data storage unit that holds the mask pattern data composed of a set of generated graphic data as a file, and a mask pattern display unit that displays the generated graphic data as a graphic. A light intensity distribution simulation unit for calculating a light intensity distribution on a transferred object such as a wafer corresponding to the generated graphic data designated by the input unit or the graphic data edited from the graphic data by a simulation; In the instruction of the input section that it is necessary to consider in the distribution simulation section Simulation data composed of a graphic data editing unit that extracts and edits the specified graphic data from mask pattern data that is composed of a set of generated graphic data, and a set of calculated light intensity distribution simulation data. And a light intensity distribution simulation file accumulating section for holding the above as a file.
を、電子線露光装置等の描画装置用のデータに変換、お
よびまたは電子線露光装置等の描画装置用のデータを前
記図形データに変換するデータ変換部と、電子線露光装
置等の描画装置用のデータおよび前記図形データを外部
媒体と入出力する入出力部とを備えていることを特徴と
するマスクパターン設計装置。2. The generated graphic data is converted into data for a drawing device such as an electron beam exposure device, and / or the data for a drawing device such as an electron beam exposure device is converted into the graphic data according to claim 1. An apparatus for designing a mask pattern, comprising: a data conversion section; and an input / output section for inputting / outputting data for a drawing apparatus such as an electron beam exposure apparatus and the graphic data to / from an external medium.
集部は、生成した図形データの集合から構成されるマス
クパターンデータから抽出し、光強度分布シミュレーシ
ョン部で扱えるデータに変換する変換機能を備えたもの
であることを特徴とするマスクパターン設計装置。3. The graphic data editing unit according to claim 1 or 2 is provided with a conversion function for extracting from the mask pattern data composed of a set of generated graphic data and converting it into data that can be handled by the light intensity distribution simulation unit. An apparatus for designing a mask pattern, which is characterized by being a thing.
度分布シミュレーション部により算出されたシミュレー
ション結果を表示する光強度分布シミュレーション結果
を表示する光強度分布シミュレーション結果表示部と、
シミュレーション条件やシミュレーションの対象となる
マスクパターンの情報を表示するマスクパターン情報表
示部とを備えていることを特徴とするマスクパターン設
計装置。4. The light intensity distribution simulation result display unit for displaying the light intensity distribution simulation result for displaying the simulation result calculated by the light intensity distribution simulation unit according to claim 1.
A mask pattern designing apparatus, comprising: a mask pattern information display unit for displaying information on a simulation condition and a mask pattern to be simulated.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3912796A JPH09212543A (en) | 1996-02-02 | 1996-02-02 | Mask pattern designing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3912796A JPH09212543A (en) | 1996-02-02 | 1996-02-02 | Mask pattern designing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09212543A true JPH09212543A (en) | 1997-08-15 |
Family
ID=12544445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3912796A Pending JPH09212543A (en) | 1996-02-02 | 1996-02-02 | Mask pattern designing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09212543A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003084421A (en) * | 2001-09-13 | 2003-03-19 | Dainippon Printing Co Ltd | Confirmation device for pattern data for plotting device in mask data for plotting device |
| US7523437B2 (en) | 2003-12-18 | 2009-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern-producing method for semiconductor device |
| JP2013140863A (en) * | 2011-12-29 | 2013-07-18 | Renesas Electronics Corp | Simulation device and simulation program |
-
1996
- 1996-02-02 JP JP3912796A patent/JPH09212543A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003084421A (en) * | 2001-09-13 | 2003-03-19 | Dainippon Printing Co Ltd | Confirmation device for pattern data for plotting device in mask data for plotting device |
| US7523437B2 (en) | 2003-12-18 | 2009-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern-producing method for semiconductor device |
| US7966584B2 (en) | 2003-12-18 | 2011-06-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern-producing method for semiconductor device |
| JP2013140863A (en) * | 2011-12-29 | 2013-07-18 | Renesas Electronics Corp | Simulation device and simulation program |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060207 |
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| A02 | Decision of refusal |
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