JPH09211435A - 液晶表示装置およびその製造方法と投射型ディスプレイ - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法と投射型ディスプレイInfo
- Publication number
- JPH09211435A JPH09211435A JP19994196A JP19994196A JPH09211435A JP H09211435 A JPH09211435 A JP H09211435A JP 19994196 A JP19994196 A JP 19994196A JP 19994196 A JP19994196 A JP 19994196A JP H09211435 A JPH09211435 A JP H09211435A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- display device
- phase
- crystal layer
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 閾値特性および散乱特性に優れ、表示品質の
高い高分子分散型の液晶表示装置を実現する。 【解決手段】 内側に透明電極１２ａ，１２ｂを形成し
た一対の基板１１ａ，１１ｂ間に液晶層１０を挟持し、
液晶層１０は高分子マトリクス１３中に液晶滴１４が分
散されており、液晶層１０の厚さをｄ（μｍ）、液晶滴
１４の平均粒径をＲ（μｍ）とするとき、 ２．５８５・ｄ-1/3−０．３＜Ｒ＜２．５８５・ｄ-1/3
＋０．３ の関係を満足するようにする。
高い高分子分散型の液晶表示装置を実現する。 【解決手段】 内側に透明電極１２ａ，１２ｂを形成し
た一対の基板１１ａ，１１ｂ間に液晶層１０を挟持し、
液晶層１０は高分子マトリクス１３中に液晶滴１４が分
散されており、液晶層１０の厚さをｄ（μｍ）、液晶滴
１４の平均粒径をＲ（μｍ）とするとき、 ２．５８５・ｄ-1/3−０．３＜Ｒ＜２．５８５・ｄ-1/3
＋０．３ の関係を満足するようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高分子分散型液晶
を用いた散乱型の液晶表示装置およびその製造方法と投
射型ディスプレイに関するものである。
を用いた散乱型の液晶表示装置およびその製造方法と投
射型ディスプレイに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ）を
用いた液晶表示装置（以下、ＰＤＬＣＤと略す）が開発
された。ＰＤＬＣについては、例えば、LIQUID CRYSTAL
S,APPLICATIONS AND USES, Vol. 1, Chapter 14, Edite
d by Brendra Bahadur, WorldScientific Publishing,
1990. に紹介されている。
用いた液晶表示装置（以下、ＰＤＬＣＤと略す）が開発
された。ＰＤＬＣについては、例えば、LIQUID CRYSTAL
S,APPLICATIONS AND USES, Vol. 1, Chapter 14, Edite
d by Brendra Bahadur, WorldScientific Publishing,
1990. に紹介されている。
【０００３】ＰＤＬＣは、高分子マトリクス中に多数の
液晶滴（droplet ）が分散した構造を有する。ＰＤＬＣ
に電圧が印加されない状態では、液晶滴中の液晶分子は
ランダムに配向しており、ＰＤＬＣに入射した光は散乱
される。一方、ＰＤＬＣに電圧を印加すると、液晶滴中
の液晶分子は電界の方向に配向する。この時、液晶分子
の常光屈折率ｎo と高分子マトリクスの屈折率ｎp とが
概ね一致する場合には、ＰＤＬＣに入射した光は散乱さ
れることなく透過する。従って、電圧のスイッチングに
よって、光散乱状態と光透過状態との間をスイッチング
することができる。ＰＤＬＣＤは、ＰＤＬＣのこの光学
的なスイッチング現象を利用して、表示を行う。
液晶滴（droplet ）が分散した構造を有する。ＰＤＬＣ
に電圧が印加されない状態では、液晶滴中の液晶分子は
ランダムに配向しており、ＰＤＬＣに入射した光は散乱
される。一方、ＰＤＬＣに電圧を印加すると、液晶滴中
の液晶分子は電界の方向に配向する。この時、液晶分子
の常光屈折率ｎo と高分子マトリクスの屈折率ｎp とが
概ね一致する場合には、ＰＤＬＣに入射した光は散乱さ
れることなく透過する。従って、電圧のスイッチングに
よって、光散乱状態と光透過状態との間をスイッチング
することができる。ＰＤＬＣＤは、ＰＤＬＣのこの光学
的なスイッチング現象を利用して、表示を行う。
【０００４】また、ＰＤＬＣＤおよびそれを用いた投射
型液晶表示装置は、例えば、特開平３−５８０２１号公
報に開示されている。特開平３−５８０２１号公報は、
従来のＴＮモードの液晶表示装置用のアクティブ素子お
よび駆動回路を用いて、高コントラスト比の表示を実現
できるＰＤＬＣＤを開示している。そのＰＤＬＣＤは、
液晶滴の平均粒径Ｒ（μｍ）、セル厚ｄ（μｍ）、液晶
材料の屈折率異方性（複屈折率）Δｎ、および最大印加
電圧Ｖmax （Ｖ）が、下記の条件を全て満たすように設
定されている。液晶滴の平均粒径Ｒおよびセル厚ｄは、
ＰＤＬＣの散乱特性だけでなく、閾値特性（閾値電圧）
にも影響するからである。
型液晶表示装置は、例えば、特開平３−５８０２１号公
報に開示されている。特開平３−５８０２１号公報は、
従来のＴＮモードの液晶表示装置用のアクティブ素子お
よび駆動回路を用いて、高コントラスト比の表示を実現
できるＰＤＬＣＤを開示している。そのＰＤＬＣＤは、
液晶滴の平均粒径Ｒ（μｍ）、セル厚ｄ（μｍ）、液晶
材料の屈折率異方性（複屈折率）Δｎ、および最大印加
電圧Ｖmax （Ｖ）が、下記の条件を全て満たすように設
定されている。液晶滴の平均粒径Ｒおよびセル厚ｄは、
ＰＤＬＣの散乱特性だけでなく、閾値特性（閾値電圧）
にも影響するからである。
【０００５】０．３＜Ｒ・Δｎ＜０．７ ４Ｒ＜ｄ＜８Ｒ ０．５・Ｒ・Ｖmax ＜ｄ＜Ｒ・Ｖmax さらに、ＰＤＬＣパネルを３枚用い、それぞれのパネル
に赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）および青色光（Ｂ）を照
射して、ＰＤＬＣパネルによって変調されたそれぞれの
色光を合成し、カラー画像を投射表示する投射型ディス
プレイが提案されている。しかしながら、ＰＤＬＣの光
散乱特性には波長依存性があり、赤色光のような長波長
光の散乱強度は弱い。従って、３枚のＰＤＬＣパネルを
用いて投射型カラー液晶表示装置（三板式）を構成する
場合、それぞれの色に対応するＰＤＬＣパネルの構成を
最適化する必要があった。例えば、ＰＤＬＣの液晶滴の
各平均粒径とセル厚とをそれぞれのパネルで調整する必
要があった。
に赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）および青色光（Ｂ）を照
射して、ＰＤＬＣパネルによって変調されたそれぞれの
色光を合成し、カラー画像を投射表示する投射型ディス
プレイが提案されている。しかしながら、ＰＤＬＣの光
散乱特性には波長依存性があり、赤色光のような長波長
光の散乱強度は弱い。従って、３枚のＰＤＬＣパネルを
用いて投射型カラー液晶表示装置（三板式）を構成する
場合、それぞれの色に対応するＰＤＬＣパネルの構成を
最適化する必要があった。例えば、ＰＤＬＣの液晶滴の
各平均粒径とセル厚とをそれぞれのパネルで調整する必
要があった。
【０００６】例えば、特開平３−５８０２２号公報は、
それぞれの色に対応して、液晶滴の平均粒径とセル厚と
の両方を最適化したＰＤＬＣを用いる液晶表示装置を開
示している。具体的には、下記の条件が示されている。 0.3＜Ｒ0 ・Δｎ＜0.7 ４Ｒ0 ＜ｄ0 ＜８Ｒ0 0.9Ｒ0 ／λ0 ＜Ｒx ／λx ＜ 1.1Ｒ0 ／λ0 0.9ｄ0 ／λ0 ＜ｄx ／λx ＜ 1.1ｄ0 ／λ0 ここで、液晶材料の複屈折率をΔｎ、各色に対応するＰ
ＤＬＣ中の液晶滴の平均粒子径をＲx （μｍ）、セル厚
をｄx （μｍ）、各色光の主波長をλx とし、緑色光の
主波長をλ0 、緑色光（主波長λ0 ＝５４０ｎｍ）用Ｐ
ＤＬＣの液晶滴の平均粒子径をＲ0 、セル厚をｄ0 とし
ている。
それぞれの色に対応して、液晶滴の平均粒径とセル厚と
の両方を最適化したＰＤＬＣを用いる液晶表示装置を開
示している。具体的には、下記の条件が示されている。 0.3＜Ｒ0 ・Δｎ＜0.7 ４Ｒ0 ＜ｄ0 ＜８Ｒ0 0.9Ｒ0 ／λ0 ＜Ｒx ／λx ＜ 1.1Ｒ0 ／λ0 0.9ｄ0 ／λ0 ＜ｄx ／λx ＜ 1.1ｄ0 ／λ0 ここで、液晶材料の複屈折率をΔｎ、各色に対応するＰ
ＤＬＣ中の液晶滴の平均粒子径をＲx （μｍ）、セル厚
をｄx （μｍ）、各色光の主波長をλx とし、緑色光の
主波長をλ0 、緑色光（主波長λ0 ＝５４０ｎｍ）用Ｐ
ＤＬＣの液晶滴の平均粒子径をＲ0 、セル厚をｄ0 とし
ている。
【０００７】また、特開平３−９８０２２号公報は、同
じ平均粒径の液晶滴を有し、セル厚をそれぞれの色光に
対応して最適化したＰＤＬＣを用いた液晶表示装置を開
示している。具体的な条件として、下記の関係が示され
ている。 0.3＜Ｒ・Δｎ＜0.7 ４Ｒ＜ｄ＜８Ｒ 0.9ｄ0 ／λ0 1/2＜ｄx ／λx 1/2 ＜ 1.1ｄ0 ／λ0 1/2 ここで、ＲはＰＤＬＣ中の液晶滴の平均粒径（μｍ）で
あり、他のパラメータは上記と同じである。
じ平均粒径の液晶滴を有し、セル厚をそれぞれの色光に
対応して最適化したＰＤＬＣを用いた液晶表示装置を開
示している。具体的な条件として、下記の関係が示され
ている。 0.3＜Ｒ・Δｎ＜0.7 ４Ｒ＜ｄ＜８Ｒ 0.9ｄ0 ／λ0 1/2＜ｄx ／λx 1/2 ＜ 1.1ｄ0 ／λ0 1/2 ここで、ＲはＰＤＬＣ中の液晶滴の平均粒径（μｍ）で
あり、他のパラメータは上記と同じである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ＰＤ
ＬＣを用いた液晶表示装置では、閾値電圧や散乱特性を
考慮しても十分な表示特性が得られなかった。また、Ｐ
ＤＬＣを用いた投射型カラー液晶表示装置では、さら
に、それぞれの色光に対して、ＰＤＬＣの散乱特性を最
適化する必要があり、その結果、生産性の低下やコスト
の上昇を招くという問題があった。
ＬＣを用いた液晶表示装置では、閾値電圧や散乱特性を
考慮しても十分な表示特性が得られなかった。また、Ｐ
ＤＬＣを用いた投射型カラー液晶表示装置では、さら
に、それぞれの色光に対して、ＰＤＬＣの散乱特性を最
適化する必要があり、その結果、生産性の低下やコスト
の上昇を招くという問題があった。
【０００９】本発明の目的は、閾値特性および散乱特性
に優れ、表示品質の高い液晶表示装置（ＰＤＬＣＤ）お
よびその製造方法を提供することと、三原色の色光に対
して同一の構成のＰＤＬＣＤを用いた投射型ディスプレ
イを提供することである。
に優れ、表示品質の高い液晶表示装置（ＰＤＬＣＤ）お
よびその製造方法を提供することと、三原色の色光に対
して同一の構成のＰＤＬＣＤを用いた投射型ディスプレ
イを提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の液晶表示
装置は、一対の基板と、この一対の基板間に狭持された
液晶層と、この液晶層に電圧を印加する電極とを備えた
液晶表示装置であって、液晶層は、高分子相と液晶相と
を含む高分子分散液晶からなり、液晶層の厚さをｄ（μ
ｍ）、液晶相の平均粒径または液晶相の平均厚みをＲ
（μｍ）とするとき、 ２．５８５・ｄ-1/3−０．３＜Ｒ＜２．５８５・ｄ-1/3
＋０．３ の関係を満足することを特徴とする。
装置は、一対の基板と、この一対の基板間に狭持された
液晶層と、この液晶層に電圧を印加する電極とを備えた
液晶表示装置であって、液晶層は、高分子相と液晶相と
を含む高分子分散液晶からなり、液晶層の厚さをｄ（μ
ｍ）、液晶相の平均粒径または液晶相の平均厚みをＲ
（μｍ）とするとき、 ２．５８５・ｄ-1/3−０．３＜Ｒ＜２．５８５・ｄ-1/3
＋０．３ の関係を満足することを特徴とする。
【００１１】これにより、散乱強度が高く、閾値電圧が
低くなり、低電圧駆動を可能とし、表示品質を向上する
ことができる。請求項２記載の液晶表示装置は、一対の
基板と、この一対の基板間に狭持された液晶層と、この
液晶層に電圧を印加する電極とを備えた液晶表示装置で
あって、液晶層は、高分子相と液晶相とを含む高分子分
散液晶からなり、液晶層の厚さをｄ（μｍ）、液晶相の
平均粒径または液晶相の平均厚みをＲ（μｍ）とすると
き、 ２．５８５・ｄ-1/3−０．１＜Ｒ＜２．５８５・ｄ-1/3
＋０．１ の関係を満足することを特徴とする。
低くなり、低電圧駆動を可能とし、表示品質を向上する
ことができる。請求項２記載の液晶表示装置は、一対の
基板と、この一対の基板間に狭持された液晶層と、この
液晶層に電圧を印加する電極とを備えた液晶表示装置で
あって、液晶層は、高分子相と液晶相とを含む高分子分
散液晶からなり、液晶層の厚さをｄ（μｍ）、液晶相の
平均粒径または液晶相の平均厚みをＲ（μｍ）とすると
き、 ２．５８５・ｄ-1/3−０．１＜Ｒ＜２．５８５・ｄ-1/3
＋０．１ の関係を満足することを特徴とする。
【００１２】これにより、散乱強度がより高く、閾値電
圧が低くなり、低電圧駆動を可能とし、表示品質をより
向上することができる。請求項３記載の液晶表示装置
は、請求項１記載の液晶表示装置において、液晶相の平
均粒径または液晶相の平均厚みＲが、０．９＜Ｒ＜１．
２５の関係を満足する。
圧が低くなり、低電圧駆動を可能とし、表示品質をより
向上することができる。請求項３記載の液晶表示装置
は、請求項１記載の液晶表示装置において、液晶相の平
均粒径または液晶相の平均厚みＲが、０．９＜Ｒ＜１．
２５の関係を満足する。
【００１３】これは、ＴＦＴを用いたアクティブマトリ
クス型ＰＤＬＣＤの実用的な駆動電圧（６〜１２Ｖ程
度）を考慮すれば、好ましい関係である。請求項４記載
の液晶表示装置は、請求項１記載の液晶表示装置におい
て、液晶層の厚さｄが、８＜ｄ＜１５の関係を満足す
る。これは、ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型Ｐ
ＤＬＣＤの実用的な駆動電圧（６〜１２Ｖ程度）を考慮
すれば、好ましい関係である。
クス型ＰＤＬＣＤの実用的な駆動電圧（６〜１２Ｖ程
度）を考慮すれば、好ましい関係である。請求項４記載
の液晶表示装置は、請求項１記載の液晶表示装置におい
て、液晶層の厚さｄが、８＜ｄ＜１５の関係を満足す
る。これは、ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型Ｐ
ＤＬＣＤの実用的な駆動電圧（６〜１２Ｖ程度）を考慮
すれば、好ましい関係である。
【００１４】請求項５記載の液晶表示装置の製造方法
は、一対の基板と、この一対の基板間に狭持された液晶
層と、この液晶層に電圧を印加する電極とを備え、液晶
層が高分子相と液晶相とを含む高分子分散液晶からなる
液晶表示装置の製造方法であって、液晶材料と重合性モ
ノマーと重合性オリゴマーとを含む混合物を重合誘起相
分離することによって高分子分散液晶を形成する工程を
包含し、一対の基板間の距離をｄ（μｍ）とし、混合物
中の重合性モノマーの重量分率をＭ、重合性オリゴマー
の重量分率をＯとするとき、 ０．８・５５０・ｄ-3/2＜Ｍ／Ｏ＜１．２・５５０・ｄ
-3/2 の関係を満足することを特徴とする。
は、一対の基板と、この一対の基板間に狭持された液晶
層と、この液晶層に電圧を印加する電極とを備え、液晶
層が高分子相と液晶相とを含む高分子分散液晶からなる
液晶表示装置の製造方法であって、液晶材料と重合性モ
ノマーと重合性オリゴマーとを含む混合物を重合誘起相
分離することによって高分子分散液晶を形成する工程を
包含し、一対の基板間の距離をｄ（μｍ）とし、混合物
中の重合性モノマーの重量分率をＭ、重合性オリゴマー
の重量分率をＯとするとき、 ０．８・５５０・ｄ-3/2＜Ｍ／Ｏ＜１．２・５５０・ｄ
-3/2 の関係を満足することを特徴とする。
【００１５】これにより、散乱強度が高く、閾値電圧が
低くなり、低電圧駆動を可能とし、表示品質の向上が図
れる液晶表示装置を製造できる。請求項６記載の液晶表
示装置の製造方法は、請求項５記載の液晶表示装置の製
造方法において、一対の基板間の距離ｄ（μｍ）と、混
合物中の重合性モノマーの重量分率Ｍと、重合性オリゴ
マーの重量分率Ｏとが、 ０．９・５５０・ｄ-3/2＜Ｍ／Ｏ＜１．１・５５０・ｄ
-3/2 の関係を満足する。
低くなり、低電圧駆動を可能とし、表示品質の向上が図
れる液晶表示装置を製造できる。請求項６記載の液晶表
示装置の製造方法は、請求項５記載の液晶表示装置の製
造方法において、一対の基板間の距離ｄ（μｍ）と、混
合物中の重合性モノマーの重量分率Ｍと、重合性オリゴ
マーの重量分率Ｏとが、 ０．９・５５０・ｄ-3/2＜Ｍ／Ｏ＜１．１・５５０・ｄ
-3/2 の関係を満足する。
【００１６】これにより、散乱強度がより高く、閾値電
圧が低くなり、低電圧駆動を可能とし、表示品質のより
向上が図れる液晶表示装置を製造できる。請求項７記載
の液晶表示装置は、一対の基板と、一対の基板間に狭持
された液晶層と、液晶層に電圧を印加する電極とを備え
た液晶表示装置であって、液晶層は、高分子相と液晶相
とを含む高分子分散液晶からなり、液晶層の厚さをｄ
（μｍ）、液晶相の平均粒径または液晶相の平均厚みを
Ｒ（μｍ）とし、液晶相の液晶材料の屈折率異方性をΔ
ｎとするとき、 Ｒ・Δｎ＞０．３、かつ ８Ｒ＜ｄ の関係を満足することを特徴とする。
圧が低くなり、低電圧駆動を可能とし、表示品質のより
向上が図れる液晶表示装置を製造できる。請求項７記載
の液晶表示装置は、一対の基板と、一対の基板間に狭持
された液晶層と、液晶層に電圧を印加する電極とを備え
た液晶表示装置であって、液晶層は、高分子相と液晶相
とを含む高分子分散液晶からなり、液晶層の厚さをｄ
（μｍ）、液晶相の平均粒径または液晶相の平均厚みを
Ｒ（μｍ）とし、液晶相の液晶材料の屈折率異方性をΔ
ｎとするとき、 Ｒ・Δｎ＞０．３、かつ ８Ｒ＜ｄ の関係を満足することを特徴とする。
【００１７】これにより、赤色光，緑色光，青色光の各
色光に対する散乱ゲインの差は小さくなり、投射型ディ
スプレイを作製した場合に、良好な黒表示を実現でき、
また色バランスも良好となる。また、液晶層の厚さｄに
むらがあっても、また、液晶材料の屈折率異方性Δｎが
温度によって変動しても、それらが表示に与える影響が
少なく、表示品質を向上することができる。
色光に対する散乱ゲインの差は小さくなり、投射型ディ
スプレイを作製した場合に、良好な黒表示を実現でき、
また色バランスも良好となる。また、液晶層の厚さｄに
むらがあっても、また、液晶材料の屈折率異方性Δｎが
温度によって変動しても、それらが表示に与える影響が
少なく、表示品質を向上することができる。
【００１８】請求項８記載の液晶表示装置は、請求項７
記載の液晶表示装置において、液晶層の厚さｄ（μｍ）
が１８μｍ以下である。これにより、実用的に良好な液
晶の応答速度を得ることができる。請求項９記載の液晶
表示装置は、請求項７記載の液晶表示装置において、液
晶相の平均粒径または液晶相の平均厚みＲ（μｍ）と、
液晶相の液晶材料の屈折率異方性Δｎとが、Ｒ・Δｎ＞
０．３５の関係を満足し、かつ、液晶層の厚さｄが１０
％変動した場合に散乱ゲインの変動量が２０％以下とな
る液晶層の最小の厚さをｄc とするときに、ｄ＜１．２
ｄc の関係を満足する。
記載の液晶表示装置において、液晶層の厚さｄ（μｍ）
が１８μｍ以下である。これにより、実用的に良好な液
晶の応答速度を得ることができる。請求項９記載の液晶
表示装置は、請求項７記載の液晶表示装置において、液
晶相の平均粒径または液晶相の平均厚みＲ（μｍ）と、
液晶相の液晶材料の屈折率異方性Δｎとが、Ｒ・Δｎ＞
０．３５の関係を満足し、かつ、液晶層の厚さｄが１０
％変動した場合に散乱ゲインの変動量が２０％以下とな
る液晶層の最小の厚さをｄc とするときに、ｄ＜１．２
ｄc の関係を満足する。
【００１９】これにより、表示品質をより高め、また、
液晶の応答速度をより速めることができる。請求項１０
記載の液晶表示装置は、請求項７記載の液晶表示装置に
おいて、一対の基板のうち一方の基板は、電極が複数の
画素電極からなり、各画素電極に印加する電圧を制御す
るアクティブ素子を設けたアクティブマトリクス基板で
ある。
液晶の応答速度をより速めることができる。請求項１０
記載の液晶表示装置は、請求項７記載の液晶表示装置に
おいて、一対の基板のうち一方の基板は、電極が複数の
画素電極からなり、各画素電極に印加する電圧を制御す
るアクティブ素子を設けたアクティブマトリクス基板で
ある。
【００２０】これにより、アクティブマトリックス型の
液晶表示装置の表示品質を向上することができる。請求
項１１記載の液晶表示装置は、一対の基板と、この一対
の基板間に狭持された液晶層と、この液晶層に電圧を印
加する電極とを備えた液晶表示装置であって、液晶層
は、高分子相と液晶相とを含む高分子分散液晶からな
り、液晶層の厚さが１０％変動した場合の散乱ゲインの
変動量が２０％以下であることを特徴とする。
液晶表示装置の表示品質を向上することができる。請求
項１１記載の液晶表示装置は、一対の基板と、この一対
の基板間に狭持された液晶層と、この液晶層に電圧を印
加する電極とを備えた液晶表示装置であって、液晶層
は、高分子相と液晶相とを含む高分子分散液晶からな
り、液晶層の厚さが１０％変動した場合の散乱ゲインの
変動量が２０％以下であることを特徴とする。
【００２１】これにより、赤色光，緑色光，青色光の各
色光に対する散乱ゲインの差は小さくなり、投射型ディ
スプレイを作製した場合に、良好な黒表示を実現でき、
また色バランスも良好となる。また、液晶層の厚さｄに
むらがあっても、また、液晶材料の屈折率異方性Δｎが
温度によって変動しても、それらが表示に与える影響が
少なく、表示品質を向上することができる。
色光に対する散乱ゲインの差は小さくなり、投射型ディ
スプレイを作製した場合に、良好な黒表示を実現でき、
また色バランスも良好となる。また、液晶層の厚さｄに
むらがあっても、また、液晶材料の屈折率異方性Δｎが
温度によって変動しても、それらが表示に与える影響が
少なく、表示品質を向上することができる。
【００２２】請求項１２記載の液晶表示装置は、請求項
１１記載の液晶表示装置において、液晶層の厚さが１０
％変動した場合の散乱ゲインの変動量が１０％以下であ
る。これにより、より表示品質を向上することができ
る。請求項１３記載の液晶表示装置は、一対の基板と、
一対の基板間に狭持された液晶層と、液晶層に電圧を印
加する電極とを備えた液晶表示装置であって、液晶層
は、高分子相と液晶相とを含む高分子分散液晶からな
り、液晶層の赤色光に対する散乱ゲインが、緑色光に対
する散乱ゲインの１．２倍以下であることを特徴とす
る。
１１記載の液晶表示装置において、液晶層の厚さが１０
％変動した場合の散乱ゲインの変動量が１０％以下であ
る。これにより、より表示品質を向上することができ
る。請求項１３記載の液晶表示装置は、一対の基板と、
一対の基板間に狭持された液晶層と、液晶層に電圧を印
加する電極とを備えた液晶表示装置であって、液晶層
は、高分子相と液晶相とを含む高分子分散液晶からな
り、液晶層の赤色光に対する散乱ゲインが、緑色光に対
する散乱ゲインの１．２倍以下であることを特徴とす
る。
【００２３】これにより、請求項１１，１２と同様の効
果が得られる。請求項１４記載の投射型ディスプレイ
は、複数の色光の各色光を変調する複数の液晶表示装置
と、この複数の液晶表示装置で変調された光を合成し投
射する投射光学系とを備えた投射型ディスプレイであっ
て、液晶表示装置は、請求項７，８，９，１０，１１，
１２または１３記載の液晶表示装置であることを特徴と
する。
果が得られる。請求項１４記載の投射型ディスプレイ
は、複数の色光の各色光を変調する複数の液晶表示装置
と、この複数の液晶表示装置で変調された光を合成し投
射する投射光学系とを備えた投射型ディスプレイであっ
て、液晶表示装置は、請求項７，８，９，１０，１１，
１２または１３記載の液晶表示装置であることを特徴と
する。
【００２４】このように、請求項７，８，９，１０，１
１，１２または１３記載の液晶表示装置を用いて構成す
ることにより、１種類のパネル（液晶表示装置）を用い
ても色むらのない良好な特性の投射型ディスプレイを実
現できる。
１，１２または１３記載の液晶表示装置を用いて構成す
ることにより、１種類のパネル（液晶表示装置）を用い
ても色むらのない良好な特性の投射型ディスプレイを実
現できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について説明する。図１は本発明の実施
の形態における高分子分散型液晶表示装置（ＰＤＬＣ
Ｄ）の断面図である。図１（ａ）は液晶相が独立相（液
晶滴）として高分子マトリクス（高分子相）中に分散し
たタイプのＰＤＬＣを用いたものであり、図１（ｂ）は
液晶相および高分子相がともに連続相を形成しているタ
イプのＰＤＬＣを用いたものである。
明の実施の形態について説明する。図１は本発明の実施
の形態における高分子分散型液晶表示装置（ＰＤＬＣ
Ｄ）の断面図である。図１（ａ）は液晶相が独立相（液
晶滴）として高分子マトリクス（高分子相）中に分散し
たタイプのＰＤＬＣを用いたものであり、図１（ｂ）は
液晶相および高分子相がともに連続相を形成しているタ
イプのＰＤＬＣを用いたものである。
【００２６】以下の説明では、主として、図１（ａ）に
示すように、液晶相が独立相として高分子相中に分散し
たＰＤＬＣを用いたＰＤＬＣＤについて述べるが、本発
明は、図１（ｂ）に示した液晶相および高分子相ともに
連続相を形成しているポリマーネットワーク構造にも適
用できるものである。 〔第１の実施の形態〕この第１の実施の形態では、図１
（ａ）に示すＰＤＬＣＤ１００について説明する。ＰＤ
ＬＣＤ１００は、一対の基板１１ａと１１ｂの間に、Ｐ
ＤＬＣからなる液晶層１０を有する。ＰＤＬＣは、液晶
滴１４が高分子マトリクス１３中に分散された構造であ
り、この液晶滴１４は略球形をしており、液晶滴１４の
大きさはその直径（以下「平均粒径」という）Ｒで表さ
れる。
示すように、液晶相が独立相として高分子相中に分散し
たＰＤＬＣを用いたＰＤＬＣＤについて述べるが、本発
明は、図１（ｂ）に示した液晶相および高分子相ともに
連続相を形成しているポリマーネットワーク構造にも適
用できるものである。 〔第１の実施の形態〕この第１の実施の形態では、図１
（ａ）に示すＰＤＬＣＤ１００について説明する。ＰＤ
ＬＣＤ１００は、一対の基板１１ａと１１ｂの間に、Ｐ
ＤＬＣからなる液晶層１０を有する。ＰＤＬＣは、液晶
滴１４が高分子マトリクス１３中に分散された構造であ
り、この液晶滴１４は略球形をしており、液晶滴１４の
大きさはその直径（以下「平均粒径」という）Ｒで表さ
れる。
【００２７】一対の基板１１ａおよび１１ｂは、それぞ
れ液晶層１０側の面に透明電極１２ａ、１２ｂが形成さ
れており、液晶層１０に電圧を印加する。なお、一方の
基板として、複数の画素電極（透明電極）をマトリクス
状に形成し、それぞれの画素電極に印加する電圧をスイ
ッチング制御するための薄膜トランジスタ（以下「ＴＦ
Ｔ」という）を形成したアクティブマトリクス基板を用
いてもよい。液晶層１０の厚さ（以下「セル厚」とい
う）ｄは、所定の粒径のスペーサ（例えば、樹脂ビー
ズ）を用いて調整される。なお、図１では、簡単化のた
めに、スペーサやＴＦＴを省略している。
れ液晶層１０側の面に透明電極１２ａ、１２ｂが形成さ
れており、液晶層１０に電圧を印加する。なお、一方の
基板として、複数の画素電極（透明電極）をマトリクス
状に形成し、それぞれの画素電極に印加する電圧をスイ
ッチング制御するための薄膜トランジスタ（以下「ＴＦ
Ｔ」という）を形成したアクティブマトリクス基板を用
いてもよい。液晶層１０の厚さ（以下「セル厚」とい
う）ｄは、所定の粒径のスペーサ（例えば、樹脂ビー
ズ）を用いて調整される。なお、図１では、簡単化のた
めに、スペーサやＴＦＴを省略している。
【００２８】また、図１（ａ）では、液晶滴１４を完全
な球として図示したが、液晶滴１４の形状は、球に限ら
れず、球が歪んだ形状や、部分的に隣接する液晶滴１４
と連続的につながったものもある。球からずれた形状を
有する液晶滴１４を含むＰＤＬＣについても、平均粒径
Ｒでその大きさを特徴づけることができる。また、図１
（ｂ）に示したＰＤＬＣＤ１００’のように、ポリマー
ネットワーク構造を有するＰＤＬＣについては、液晶相
１４’の平均厚みＲ’を平均粒径Ｒと同様のパラメータ
として用いて、液晶相１４’の大きさを特徴づけること
ができる。なお、ＰＤＬＣの相分離構造（独立相または
連続相）は、材料や相分離条件等を調整することによっ
て、制御することができる。
な球として図示したが、液晶滴１４の形状は、球に限ら
れず、球が歪んだ形状や、部分的に隣接する液晶滴１４
と連続的につながったものもある。球からずれた形状を
有する液晶滴１４を含むＰＤＬＣについても、平均粒径
Ｒでその大きさを特徴づけることができる。また、図１
（ｂ）に示したＰＤＬＣＤ１００’のように、ポリマー
ネットワーク構造を有するＰＤＬＣについては、液晶相
１４’の平均厚みＲ’を平均粒径Ｒと同様のパラメータ
として用いて、液晶相１４’の大きさを特徴づけること
ができる。なお、ＰＤＬＣの相分離構造（独立相または
連続相）は、材料や相分離条件等を調整することによっ
て、制御することができる。
【００２９】図１（ａ）に示したＰＤＬＣＤ１００の製
造方法を説明する。ここでは、光重合誘起相分離法を用
いて、ＰＤＬＣを形成した。光重合性モノマー，光重合
性オリゴマーおよび光重合開始剤を含む光重合性化合物
と、液晶材料との混合物からなるＰＤＬＣ前駆体を調製
し、この前駆体混合物を所定のセルギャップを有する液
晶セルに、例えば、毛細管現象を利用して注入した。液
晶材料にはＭＪ９５８（メルク社製）、重合性モノマー
には２−エチルヘキシルアクリレート（ナカライラスク
製）、重合性オリゴマーにはビスコート８２８（大阪有
機化学工業製）、重合開始剤にはダロキュア４２６５
（チバガイキ製）を用いた。
造方法を説明する。ここでは、光重合誘起相分離法を用
いて、ＰＤＬＣを形成した。光重合性モノマー，光重合
性オリゴマーおよび光重合開始剤を含む光重合性化合物
と、液晶材料との混合物からなるＰＤＬＣ前駆体を調製
し、この前駆体混合物を所定のセルギャップを有する液
晶セルに、例えば、毛細管現象を利用して注入した。液
晶材料にはＭＪ９５８（メルク社製）、重合性モノマー
には２−エチルヘキシルアクリレート（ナカライラスク
製）、重合性オリゴマーにはビスコート８２８（大阪有
機化学工業製）、重合開始剤にはダロキュア４２６５
（チバガイキ製）を用いた。
【００３０】次に、得られた液晶セルに、超高圧水銀灯
の紫外線（波長３６５ｎｍの光の照度が６０ｍＷ／ｃｍ
2 ）を約２０℃で約６０秒間照射した。この時、波長３
５０ｎｍ以下の紫外線をカットするフィルターと赤外線
カットフィルターを用いて、紫外線照射した。この紫外
線照射により、前駆体混合物中の光重合性化合物が重合
することによって相分離が起こり、高分子マトリクス１
３中に液晶滴１４が分散したＰＤＬＣが得られた。液晶
材料ＭＪ９５８の屈折率はｎo （常光屈折率）＝１．５
２９５、ｎe （異常光屈折率）＝１．７８０６であり、
Δｎ（屈折率異方性）＝０．２５１１である。また、高
分子マトリクス１３を構成する高分子材料の屈折率はｎ
p ＝１．４９９であった。
の紫外線（波長３６５ｎｍの光の照度が６０ｍＷ／ｃｍ
2 ）を約２０℃で約６０秒間照射した。この時、波長３
５０ｎｍ以下の紫外線をカットするフィルターと赤外線
カットフィルターを用いて、紫外線照射した。この紫外
線照射により、前駆体混合物中の光重合性化合物が重合
することによって相分離が起こり、高分子マトリクス１
３中に液晶滴１４が分散したＰＤＬＣが得られた。液晶
材料ＭＪ９５８の屈折率はｎo （常光屈折率）＝１．５
２９５、ｎe （異常光屈折率）＝１．７８０６であり、
Δｎ（屈折率異方性）＝０．２５１１である。また、高
分子マトリクス１３を構成する高分子材料の屈折率はｎ
p ＝１．４９９であった。
【００３１】得られた液晶セルを分解し、イソプロピル
アルコールで液晶材料を洗浄除去し、ＰＤＬＣの相分離
構造を光学顕微鏡で観察した。このＰＤＬＣの液晶滴１
４は完全な球形ではなく、歪んだ形状になっていた。ま
た部分的には隣の液晶滴１４と連続的につながっている
ものも存在した。また、光学顕微鏡観察の結果から、平
均粒径Ｒを求めた。
アルコールで液晶材料を洗浄除去し、ＰＤＬＣの相分離
構造を光学顕微鏡で観察した。このＰＤＬＣの液晶滴１
４は完全な球形ではなく、歪んだ形状になっていた。ま
た部分的には隣の液晶滴１４と連続的につながっている
ものも存在した。また、光学顕微鏡観察の結果から、平
均粒径Ｒを求めた。
【００３２】ＰＤＬＣＤの散乱特性（散乱強度）を定量
化するための指標として、散乱ゲインＧを用いた。散乱
ゲインＧは、ＰＤＬＣＤの光照射側の面での照度をＥ、
ＰＤＬＣＤに電圧を印加しない状態でのＰＤＬＣＤの光
照射側とは反対側の面での輝度をＢ、円周率をπとし
て、次式で定義される。 Ｇ＝πＢ／Ｅ 散乱ゲインＧは、以下のようにして評価した。ＰＤＬＣ
Ｄの面（基板面）に垂直に平行光を照射し、ＰＤＬＣＤ
の光照射側の面上に配置した照度計（ミノルタ製Ｔ−１
Ｍ）を用いて、照度Ｅを測定した。また、ＰＤＬＣＤを
透過した光の輝度（正面輝度Ｂ）を光入射側とは反対側
のＰＤＬＣＤの面上に配置した輝度計（ＴＯＰＣＯＮ製
ＢＭ−８）で測定した。このとき、光源、ＰＤＬＣＤ
および輝度計は、一直線上に配置した。また、輝度計の
集光角は、０．２°（±０．１°）とした。ＰＤＬＣが
入射光を全天球に均一に散乱する完全な散乱体である場
合、散乱ゲインＧの値は０．５になる。ＰＤＬＣに十分
な電圧を印加した場合には、ＰＤＬＣに入射した平行光
は散乱されることなくＰＤＬＣを透過し、輝度計に入射
するので、極めて大きな輝度が得られる。このＰＤＬＣ
Ｄを用いて投射表示した場合のコントラスト比の値は、
散乱ゲインＧの逆数に比例する。なお、特に断らない限
り、散乱ゲインＧの測定には、緑色光（視感度フィルタ
ーを透過した光）を用いた。上記の散乱ゲインＧは、ス
クリーンの輝度の評価に良く用いられ、例えば、「液晶
ビデオプロジェクタ技術、監修 佐々木 正 他、199
0.10.29p139-146」に解説されている。
化するための指標として、散乱ゲインＧを用いた。散乱
ゲインＧは、ＰＤＬＣＤの光照射側の面での照度をＥ、
ＰＤＬＣＤに電圧を印加しない状態でのＰＤＬＣＤの光
照射側とは反対側の面での輝度をＢ、円周率をπとし
て、次式で定義される。 Ｇ＝πＢ／Ｅ 散乱ゲインＧは、以下のようにして評価した。ＰＤＬＣ
Ｄの面（基板面）に垂直に平行光を照射し、ＰＤＬＣＤ
の光照射側の面上に配置した照度計（ミノルタ製Ｔ−１
Ｍ）を用いて、照度Ｅを測定した。また、ＰＤＬＣＤを
透過した光の輝度（正面輝度Ｂ）を光入射側とは反対側
のＰＤＬＣＤの面上に配置した輝度計（ＴＯＰＣＯＮ製
ＢＭ−８）で測定した。このとき、光源、ＰＤＬＣＤ
および輝度計は、一直線上に配置した。また、輝度計の
集光角は、０．２°（±０．１°）とした。ＰＤＬＣが
入射光を全天球に均一に散乱する完全な散乱体である場
合、散乱ゲインＧの値は０．５になる。ＰＤＬＣに十分
な電圧を印加した場合には、ＰＤＬＣに入射した平行光
は散乱されることなくＰＤＬＣを透過し、輝度計に入射
するので、極めて大きな輝度が得られる。このＰＤＬＣ
Ｄを用いて投射表示した場合のコントラスト比の値は、
散乱ゲインＧの逆数に比例する。なお、特に断らない限
り、散乱ゲインＧの測定には、緑色光（視感度フィルタ
ーを透過した光）を用いた。上記の散乱ゲインＧは、ス
クリーンの輝度の評価に良く用いられ、例えば、「液晶
ビデオプロジェクタ技術、監修 佐々木 正 他、199
0.10.29p139-146」に解説されている。
【００３３】なお、ＰＤＬＣＤの正面輝度Ｂは、ＰＤＬ
Ｃの光散乱特性だけでなく、ＰＤＬＣＤの開口率にも影
響されるので、散乱ゲインＧの値は、ＰＤＬＣＤの開口
率で規格化した。以下、特に開口率の具体的な数値を明
示せずに散乱ゲインＧの値を示す場合には、開口率１０
０％の散乱ゲインＧに換算した値とする。この実施の形
態では、上述の材料および製造方法で、液晶材料の重量
分率を８０％、光重合開始剤の重量分率を０．１％に固
定し、光重合性モノマーの重量分率Ｍと光重合性オリゴ
マーの重量分率Ｏとの比Ｍ／Ｏを変化させて、液晶滴の
平均粒径Ｒを変化させた。Ｍ／Ｏが７．０の場合に、液
晶滴の平均粒径Ｒ＝１．２μｍが得られた。また、Ｍ／
Ｏを一定に保ちながらＰＤＬＣ前駆体中の液晶材料の重
量分率を変化させることでも、同様に液晶滴の平均粒径
Ｒを変化させることができた。なお、平均粒径Ｒを制御
する方法は上記の方法に限られず、例えば、紫外線の照
度を変える等の方法によって光重合速度を変えたり、紫
外線を照射するときのＰＤＬＣ前駆体の温度を変化させ
ることによって、相分離速度を調整することによっても
平均粒径Ｒを制御することができる。
Ｃの光散乱特性だけでなく、ＰＤＬＣＤの開口率にも影
響されるので、散乱ゲインＧの値は、ＰＤＬＣＤの開口
率で規格化した。以下、特に開口率の具体的な数値を明
示せずに散乱ゲインＧの値を示す場合には、開口率１０
０％の散乱ゲインＧに換算した値とする。この実施の形
態では、上述の材料および製造方法で、液晶材料の重量
分率を８０％、光重合開始剤の重量分率を０．１％に固
定し、光重合性モノマーの重量分率Ｍと光重合性オリゴ
マーの重量分率Ｏとの比Ｍ／Ｏを変化させて、液晶滴の
平均粒径Ｒを変化させた。Ｍ／Ｏが７．０の場合に、液
晶滴の平均粒径Ｒ＝１．２μｍが得られた。また、Ｍ／
Ｏを一定に保ちながらＰＤＬＣ前駆体中の液晶材料の重
量分率を変化させることでも、同様に液晶滴の平均粒径
Ｒを変化させることができた。なお、平均粒径Ｒを制御
する方法は上記の方法に限られず、例えば、紫外線の照
度を変える等の方法によって光重合速度を変えたり、紫
外線を照射するときのＰＤＬＣ前駆体の温度を変化させ
ることによって、相分離速度を調整することによっても
平均粒径Ｒを制御することができる。
【００３４】このようにして異なる平均粒径の液晶滴を
有するＰＤＬＣを複数作製し、散乱特性（散乱ゲイン
Ｇ）や閾値特性（閾値電圧Ｖa ）と平均粒径Ｒおよびセ
ル厚ｄとの関係について検討した。まず、平均粒径Ｒと
散乱ゲインＧとの関係を調べた結果を図２に示す。図２
において、２０ａ（●）はセル厚ｄが約１０μｍの場合
の結果であり、２０ｂ（〇）はセル厚ｄが約１３μｍの
場合の結果である。
有するＰＤＬＣを複数作製し、散乱特性（散乱ゲイン
Ｇ）や閾値特性（閾値電圧Ｖa ）と平均粒径Ｒおよびセ
ル厚ｄとの関係について検討した。まず、平均粒径Ｒと
散乱ゲインＧとの関係を調べた結果を図２に示す。図２
において、２０ａ（●）はセル厚ｄが約１０μｍの場合
の結果であり、２０ｂ（〇）はセル厚ｄが約１３μｍの
場合の結果である。
【００３５】図２から、セル厚ｄが約１０μｍの場合、
約１３μｍの場合の何れにおいても、散乱ゲインＧが極
小となる平均粒径Ｒが存在することがわかる。すなわ
ち、平均粒径Ｒが大き過ぎると散乱ゲインＧの値は大き
く、散乱特性は比較的悪い。この理由は、平均粒径Ｒが
大きいとセル厚方向に存在する液晶滴の個数が減少し、
その結果、入射光が散乱される回数が減少するためと、
１個の液晶滴によって光が散乱される角度分布（散乱
角）が狭くなるためである。また、平均粒径Ｒが極端に
小さい場合も散乱ゲインＧの値は大きくなる。この理由
は、平均粒径Ｒが小さくなりすぎると１個の液晶滴の散
乱断面積が小さくなり、直進光が現れるためである。液
晶滴の平均粒径Ｒを小さくしたときに散乱ゲインＧが大
きくなり始める平均粒径Ｒを臨界粒径とすると、セル厚
ｄが約１０μｍ（図２中の２０ａ）での臨界粒径は約
１．０μｍであり、セル厚ｄが約１３μｍ（図２中２０
ｂ）での臨界粒径は約０．９μｍであった。
約１３μｍの場合の何れにおいても、散乱ゲインＧが極
小となる平均粒径Ｒが存在することがわかる。すなわ
ち、平均粒径Ｒが大き過ぎると散乱ゲインＧの値は大き
く、散乱特性は比較的悪い。この理由は、平均粒径Ｒが
大きいとセル厚方向に存在する液晶滴の個数が減少し、
その結果、入射光が散乱される回数が減少するためと、
１個の液晶滴によって光が散乱される角度分布（散乱
角）が狭くなるためである。また、平均粒径Ｒが極端に
小さい場合も散乱ゲインＧの値は大きくなる。この理由
は、平均粒径Ｒが小さくなりすぎると１個の液晶滴の散
乱断面積が小さくなり、直進光が現れるためである。液
晶滴の平均粒径Ｒを小さくしたときに散乱ゲインＧが大
きくなり始める平均粒径Ｒを臨界粒径とすると、セル厚
ｄが約１０μｍ（図２中の２０ａ）での臨界粒径は約
１．０μｍであり、セル厚ｄが約１３μｍ（図２中２０
ｂ）での臨界粒径は約０．９μｍであった。
【００３６】同じ平均粒径Ｒで比較すると、セル厚ｄが
約１３μｍの場合の散乱ゲインＧは、セル厚ｄが約１０
μｍの場合の散乱ゲインＧよりも小さくなっている。こ
れは、セル厚ｄを厚くすることにより、入射光がＰＤＬ
Ｃ内で散乱される回数（多重散乱）が増えるからであ
る。この多重散乱の結果、直進光（透過光）はセル厚ｄ
に対して指数関数的に減衰する。セル厚ｄが約１３μｍ
の場合の臨界粒径（約０．９μｍ）が、セル厚ｄが約１
０μｍの場合の臨界粒径（約１．０μｍ）よりも小さく
なる理由も、多重散乱の効果と考えられる。すなわち、
平均粒径Ｒが小さくなり１つの液晶滴の散乱強度が低下
し直進光が発生した場合でも、セル厚ｄが厚いと直進光
が他の液晶滴によって散乱される確率が高いので、散乱
ゲインＧは低くなり、散乱ゲインＧが上昇する臨界粒径
は小さくなる。このように、セル厚ｄが厚くなるにつれ
て、散乱特性の最適化の指標となる臨界粒径が小さくな
ることを見いだした。
約１３μｍの場合の散乱ゲインＧは、セル厚ｄが約１０
μｍの場合の散乱ゲインＧよりも小さくなっている。こ
れは、セル厚ｄを厚くすることにより、入射光がＰＤＬ
Ｃ内で散乱される回数（多重散乱）が増えるからであ
る。この多重散乱の結果、直進光（透過光）はセル厚ｄ
に対して指数関数的に減衰する。セル厚ｄが約１３μｍ
の場合の臨界粒径（約０．９μｍ）が、セル厚ｄが約１
０μｍの場合の臨界粒径（約１．０μｍ）よりも小さく
なる理由も、多重散乱の効果と考えられる。すなわち、
平均粒径Ｒが小さくなり１つの液晶滴の散乱強度が低下
し直進光が発生した場合でも、セル厚ｄが厚いと直進光
が他の液晶滴によって散乱される確率が高いので、散乱
ゲインＧは低くなり、散乱ゲインＧが上昇する臨界粒径
は小さくなる。このように、セル厚ｄが厚くなるにつれ
て、散乱特性の最適化の指標となる臨界粒径が小さくな
ることを見いだした。
【００３７】次に、平均粒径Ｒと閾値電圧Ｖa との関係
について検討した結果を図３に示す。図３において、３
０ａ（□）はセル厚ｄが約１０μｍの場合の結果であ
り、３０ｂ（×）はセル厚ｄが約１３μｍの場合の結果
である。この結果から、閾値電圧Ｖa は基本的に平均粒
径Ｒと反比例することを見いだした。これは１個の液晶
滴の閾値電圧Ｖd がほぼ等しいことによると考えられ
る。１個の液晶滴の閾値電圧Ｖd は、ＰＤＬＣ全体の閾
値電圧Ｖa 、セル厚ｄ、平均粒径Ｒの関数であり、近似
的に Ｖd ＝Ｖa ・Ｒ／ｄ で表される。この例では、Ｖd の値は０．６Ｖであっ
た。
について検討した結果を図３に示す。図３において、３
０ａ（□）はセル厚ｄが約１０μｍの場合の結果であ
り、３０ｂ（×）はセル厚ｄが約１３μｍの場合の結果
である。この結果から、閾値電圧Ｖa は基本的に平均粒
径Ｒと反比例することを見いだした。これは１個の液晶
滴の閾値電圧Ｖd がほぼ等しいことによると考えられ
る。１個の液晶滴の閾値電圧Ｖd は、ＰＤＬＣ全体の閾
値電圧Ｖa 、セル厚ｄ、平均粒径Ｒの関数であり、近似
的に Ｖd ＝Ｖa ・Ｒ／ｄ で表される。この例では、Ｖd の値は０．６Ｖであっ
た。
【００３８】また、セル厚ｄを変化させた場合のＰＤＬ
Ｃの閾値電圧Ｖa も同様の理由で変化し、閾値電圧Ｖa
はセル厚ｄにほぼ比例する。ＰＤＬＣＤの平均粒径Ｒと
セル厚ｄを最適化するためには、最小の閾値電圧Ｖ a で
最小の散乱ゲインＧを得る条件が望ましい。そこで、種
々の平均粒径を有するＰＤＬＣについて、閾値電圧Ｖa
と散乱ゲインＧの値との関係を検討した。得られた結果
を図４に示す。図４において、４０ａ（●）はセル厚ｄ
が約１０μｍの場合を示し、４０ｂ（○）はセル厚ｄが
約１３μｍの場合を示す。この図４において、原点（閾
値電圧Ｖa ＝０Ｖ，散乱ゲインＧ＝０．１）に近いポイ
ントが最適条件となる。また、各セル厚における最適条
件を与えるＰＤＬＣの液晶滴の平均粒径Ｒを最適平均粒
径と呼ぶ。
Ｃの閾値電圧Ｖa も同様の理由で変化し、閾値電圧Ｖa
はセル厚ｄにほぼ比例する。ＰＤＬＣＤの平均粒径Ｒと
セル厚ｄを最適化するためには、最小の閾値電圧Ｖ a で
最小の散乱ゲインＧを得る条件が望ましい。そこで、種
々の平均粒径を有するＰＤＬＣについて、閾値電圧Ｖa
と散乱ゲインＧの値との関係を検討した。得られた結果
を図４に示す。図４において、４０ａ（●）はセル厚ｄ
が約１０μｍの場合を示し、４０ｂ（○）はセル厚ｄが
約１３μｍの場合を示す。この図４において、原点（閾
値電圧Ｖa ＝０Ｖ，散乱ゲインＧ＝０．１）に近いポイ
ントが最適条件となる。また、各セル厚における最適条
件を与えるＰＤＬＣの液晶滴の平均粒径Ｒを最適平均粒
径と呼ぶ。
【００３９】なお、ＰＤＬＣＤの駆動電圧は、駆動装置
によって制限されるので、ＰＤＬＣの閾値電圧は、駆動
電圧に応じて設定される。例えば、アクティブマトリク
ス型ＰＤＬＣＤの場合、ＰＤＬＣの閾値電圧はＴＦＴな
どのアクティブ素子によって制約される。閾値電圧Ｖa
および散乱ゲインＧは、上述したように、セル厚ｄおよ
び平均粒径Ｒに依存する。更に、散乱ゲインＧを最小と
する平均粒径Ｒはセル厚ｄに依存する。従って、アクテ
ィブ素子の特性に応じて、セル厚ｄとともに、それぞれ
のセル厚ｄでの最適条件（最適平均粒径）を検討し、最
適セル厚および最適平均粒径を選択する必要がある。
によって制限されるので、ＰＤＬＣの閾値電圧は、駆動
電圧に応じて設定される。例えば、アクティブマトリク
ス型ＰＤＬＣＤの場合、ＰＤＬＣの閾値電圧はＴＦＴな
どのアクティブ素子によって制約される。閾値電圧Ｖa
および散乱ゲインＧは、上述したように、セル厚ｄおよ
び平均粒径Ｒに依存する。更に、散乱ゲインＧを最小と
する平均粒径Ｒはセル厚ｄに依存する。従って、アクテ
ィブ素子の特性に応じて、セル厚ｄとともに、それぞれ
のセル厚ｄでの最適条件（最適平均粒径）を検討し、最
適セル厚および最適平均粒径を選択する必要がある。
【００４０】この図４では、セル厚ｄが約１０μｍ、約
１３μｍにおける最適平均粒径は、それぞれ約１．２μ
ｍ、約１．１μｍであった。また同様にして検討した結
果、セル厚ｄが約９μｍの場合の最適平均粒径は約１．
２５μｍであり、セル厚ｄが約２０μｍの場合の最適平
均粒径は約０．９５μｍであった（但し、図４中不図
示）。セル厚ｄが厚くなるほど最適平均粒径が小さくな
るのは、前述した臨界粒径が小さくなる現象と同じであ
る。
１３μｍにおける最適平均粒径は、それぞれ約１．２μ
ｍ、約１．１μｍであった。また同様にして検討した結
果、セル厚ｄが約９μｍの場合の最適平均粒径は約１．
２５μｍであり、セル厚ｄが約２０μｍの場合の最適平
均粒径は約０．９５μｍであった（但し、図４中不図
示）。セル厚ｄが厚くなるほど最適平均粒径が小さくな
るのは、前述した臨界粒径が小さくなる現象と同じであ
る。
【００４１】これら、各セル厚について求めた最適平均
粒径に対応する点を結ぶと、図４中の破線４０ｃの曲線
が得られる。最適条件のＰＤＬＣを選択するということ
は、駆動電圧による閾値電圧に対する制限の下で、破線
４０ｃ上の点を選択することに対応する。上述の種々の
セル厚ｄについて得られた最適平均粒径と、その最適平
均粒径を有するＰＤＬＣを得るための重合性モノマーの
重量分率Ｍと重合性オリゴマーの重量分率Ｏとの比Ｍ／
Ｏとを併せて表１に示す。
粒径に対応する点を結ぶと、図４中の破線４０ｃの曲線
が得られる。最適条件のＰＤＬＣを選択するということ
は、駆動電圧による閾値電圧に対する制限の下で、破線
４０ｃ上の点を選択することに対応する。上述の種々の
セル厚ｄについて得られた最適平均粒径と、その最適平
均粒径を有するＰＤＬＣを得るための重合性モノマーの
重量分率Ｍと重合性オリゴマーの重量分率Ｏとの比Ｍ／
Ｏとを併せて表１に示す。
【００４２】
【表１】
【００４３】表１の結果から、セル厚ｄと最適平均粒径
Ｒとの関係は、次式で与えられる。 Ｒ＝２．５８５・ｄ-1/3 最適平均粒径Ｒの誤差は、±約０．３μｍ以下であれば
実用上問題なく、±約０．１μｍ以下であることが特性
上好ましい。また、セル厚ｄと、そのセル厚ｄに対する
最適平均粒径を有するＰＤＬＣを得るための重合性モノ
マーの重量分率Ｍと重合性オリゴマーの重量分率Ｏとの
比Ｍ／Ｏとの関係は、近似的に次式で与えられる。
Ｒとの関係は、次式で与えられる。 Ｒ＝２．５８５・ｄ-1/3 最適平均粒径Ｒの誤差は、±約０．３μｍ以下であれば
実用上問題なく、±約０．１μｍ以下であることが特性
上好ましい。また、セル厚ｄと、そのセル厚ｄに対する
最適平均粒径を有するＰＤＬＣを得るための重合性モノ
マーの重量分率Ｍと重合性オリゴマーの重量分率Ｏとの
比Ｍ／Ｏとの関係は、近似的に次式で与えられる。
【００４４】Ｍ／Ｏ＝５５０・ｄ-3/2 重合性モノマーの重量分率Ｍと重合性オリゴマーの重量
分率Ｏとの比Ｍ／Ｏの誤差は、±約２０％以下であれば
実用上問題なく、±約１０％以下であることが特性上好
ましい。また、ＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリク
ス型ＰＤＬＣＤの実用的な駆動電圧が、６〜１２Ｖ程度
であることを考慮すると、最適平均粒径Ｒおよびセル厚
ｄは、それぞれ以下の範囲にあることが好ましい。
分率Ｏとの比Ｍ／Ｏの誤差は、±約２０％以下であれば
実用上問題なく、±約１０％以下であることが特性上好
ましい。また、ＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリク
ス型ＰＤＬＣＤの実用的な駆動電圧が、６〜１２Ｖ程度
であることを考慮すると、最適平均粒径Ｒおよびセル厚
ｄは、それぞれ以下の範囲にあることが好ましい。
【００４５】０．９＜Ｒ＜１．２５ ８＜ｄ＜１５ 以上に述べた関係式に基づいて、セル厚ｄと平均粒径Ｒ
を最適化することによって、散乱ゲインが低く（散乱強
度が高く）、閾値電圧が低いＰＤＬＣを作製することが
可能となる。その結果、低電圧駆動が可能で、表示品質
の高いＰＤＬＣＤを実現することができる。
を最適化することによって、散乱ゲインが低く（散乱強
度が高く）、閾値電圧が低いＰＤＬＣを作製することが
可能となる。その結果、低電圧駆動が可能で、表示品質
の高いＰＤＬＣＤを実現することができる。
【００４６】〔第２の実施の形態〕この実施の形態で
は、投射型ディスプレイである３板式投射型カラー表示
装置のパネルとして、３原色の光に対して共通に用いる
ことができるＰＤＬＣＤについて説明する。投射型ディ
スプレイの例として、図７に示す構成の３板式の投射型
カラー表示装置７０を作製した。この投射型カラー表示
装置７０は、三原色の光に対して、３枚のＰＤＬＣＤ７
３を使用している。光源７１から出射された白色光は、
３枚のダイクロイックミラー７２ａ，７２ｂ，７２ｃで
色分離され、それぞれのＰＤＬＣＤ７３に導かれる。ダ
イクロイックミラー７２ａ〜７２ｃとしては、反射波長
帯域が、青用（４８０〜５００ｎｍ）、緑用（５３０〜
５７０ｎｍ）、赤用（６００ｎｍ以上）のものを用い
た。それぞれのＰＤＬＣＤ７３で強度変調された色光
は、ミラー７７で反射され、投射レンズ７４および絞り
７５を有する投射光学系で合成され、スクリーン７６に
投射される。
は、投射型ディスプレイである３板式投射型カラー表示
装置のパネルとして、３原色の光に対して共通に用いる
ことができるＰＤＬＣＤについて説明する。投射型ディ
スプレイの例として、図７に示す構成の３板式の投射型
カラー表示装置７０を作製した。この投射型カラー表示
装置７０は、三原色の光に対して、３枚のＰＤＬＣＤ７
３を使用している。光源７１から出射された白色光は、
３枚のダイクロイックミラー７２ａ，７２ｂ，７２ｃで
色分離され、それぞれのＰＤＬＣＤ７３に導かれる。ダ
イクロイックミラー７２ａ〜７２ｃとしては、反射波長
帯域が、青用（４８０〜５００ｎｍ）、緑用（５３０〜
５７０ｎｍ）、赤用（６００ｎｍ以上）のものを用い
た。それぞれのＰＤＬＣＤ７３で強度変調された色光
は、ミラー７７で反射され、投射レンズ７４および絞り
７５を有する投射光学系で合成され、スクリーン７６に
投射される。
【００４７】この実施の形態で用いたＰＤＬＣＤ７３の
材料は、液晶材料としてＴＬ２１３（メルク社製、ｎo
＝１．５２７３、ｎe ＝１．７６６４、Δｎ＝０．２３
９１）を用いた以外は全て第１の実施の形態のＰＤＬＣ
Ｄと同様である。ＰＤＬＣＤ７３の散乱ゲインＧのセル
厚ｄに対する依存性をＲ、Ｇ、Ｂの各色光に対して調べ
た結果を図５に示す。図５において、５０Ｒ，５０Ｇ，
５０ＢはそれぞれＲ（赤色）光，Ｇ（緑色）光，Ｂ（青
色）光に対する結果である。図５からわかるように、セ
ル厚ｄが薄くなるにつれて散乱ゲインＧは大きくなり、
散乱強度が低下している。特に、赤色光（５０Ｒ）で
は、他の色光（５０Ｇおよび５０Ｂ）に対して比較的厚
いセル厚ｄで散乱ゲインＧの上昇が見られた。
材料は、液晶材料としてＴＬ２１３（メルク社製、ｎo
＝１．５２７３、ｎe ＝１．７６６４、Δｎ＝０．２３
９１）を用いた以外は全て第１の実施の形態のＰＤＬＣ
Ｄと同様である。ＰＤＬＣＤ７３の散乱ゲインＧのセル
厚ｄに対する依存性をＲ、Ｇ、Ｂの各色光に対して調べ
た結果を図５に示す。図５において、５０Ｒ，５０Ｇ，
５０ＢはそれぞれＲ（赤色）光，Ｇ（緑色）光，Ｂ（青
色）光に対する結果である。図５からわかるように、セ
ル厚ｄが薄くなるにつれて散乱ゲインＧは大きくなり、
散乱強度が低下している。特に、赤色光（５０Ｒ）で
は、他の色光（５０Ｇおよび５０Ｂ）に対して比較的厚
いセル厚ｄで散乱ゲインＧの上昇が見られた。
【００４８】この赤色光に対して、急激に散乱ゲインＧ
が上昇し始める臨界的なセル厚ｄをｄc とする。具体的
には、図５中の曲線（５０Ｂ、５０Ｇ、５０Ｒ）の傾き
の絶対値（｜ΔＧ／Δｄc ｜）が１以下となる最小のセ
ル厚を臨界セル厚ｄc と定義した。この条件は、セル厚
ｄが１０％変動した場合の散乱ゲインの変動が１０％以
下となる条件である。なお、セル厚ｄが１０％変動した
場合の散乱ゲインの変動が２０％以下となる条件を満足
するように、臨界セル厚ｄc を設定しても実用上問題は
無く、材料の選定や製造マージンを広くとれる等の利点
があるので、必要に応じて臨界セル厚ｄc を設定すれば
よい。
が上昇し始める臨界的なセル厚ｄをｄc とする。具体的
には、図５中の曲線（５０Ｂ、５０Ｇ、５０Ｒ）の傾き
の絶対値（｜ΔＧ／Δｄc ｜）が１以下となる最小のセ
ル厚を臨界セル厚ｄc と定義した。この条件は、セル厚
ｄが１０％変動した場合の散乱ゲインの変動が１０％以
下となる条件である。なお、セル厚ｄが１０％変動した
場合の散乱ゲインの変動が２０％以下となる条件を満足
するように、臨界セル厚ｄc を設定しても実用上問題は
無く、材料の選定や製造マージンを広くとれる等の利点
があるので、必要に応じて臨界セル厚ｄc を設定すれば
よい。
【００４９】このｄc 以下のセル厚ｄのＰＤＬＣＤは赤
色光に対する散乱強度が弱く、このようなＰＤＬＣＤを
用いた投射型カラー表示装置は、黒表示を行った場合、
赤っぽい黒が表示される。そこでｄc 以上のセル厚ｄに
すると、Ｒ光、Ｇ光、Ｂ光の各色光に対する散乱ゲイン
Ｇの差は比較的小さく、良好な黒表示を実現できる。ま
た色バランスも良好である。
色光に対する散乱強度が弱く、このようなＰＤＬＣＤを
用いた投射型カラー表示装置は、黒表示を行った場合、
赤っぽい黒が表示される。そこでｄc 以上のセル厚ｄに
すると、Ｒ光、Ｇ光、Ｂ光の各色光に対する散乱ゲイン
Ｇの差は比較的小さく、良好な黒表示を実現できる。ま
た色バランスも良好である。
【００５０】さらに、上記の条件（セル厚ｄ≧ｄc ）を
満足するＰＤＬＣＤは、セル厚ｄにむらがあった場合に
も、そのムラが表示に影響しにくいというメリットがあ
る。また、ＰＤＬＣＤの温度変動によって液晶材料のΔ
ｎが変動した場合でも、セル厚ｄがｄc 以上であれば、
Δｎの変動も表示に影響を与えにくい。従って、ＰＤＬ
ＣＤのセル厚ｄは臨界セル厚ｄc 以上に設定することが
望ましい。図５では、セル厚ｄが臨界セル厚ｄc の場
合、Ｒ光、Ｇ光、Ｂ光のそれぞれの色光に対する散乱ゲ
インＧの値はそれぞれ１．４５、１．２、１．１５であ
った。このとき、Ｒ光に対する散乱ゲイン（＝１．４
５）はＧ光に対する散乱ゲイン（＝１．２）のほぼ１．
２倍であった。種々検討した結果、セル厚ｄを臨界セル
厚ｄc 以上にすることは、Ｒ光に対する散乱ゲインとＧ
光に対する散乱ゲインの比を約１．２以下にすることと
等価であった。
満足するＰＤＬＣＤは、セル厚ｄにむらがあった場合に
も、そのムラが表示に影響しにくいというメリットがあ
る。また、ＰＤＬＣＤの温度変動によって液晶材料のΔ
ｎが変動した場合でも、セル厚ｄがｄc 以上であれば、
Δｎの変動も表示に影響を与えにくい。従って、ＰＤＬ
ＣＤのセル厚ｄは臨界セル厚ｄc 以上に設定することが
望ましい。図５では、セル厚ｄが臨界セル厚ｄc の場
合、Ｒ光、Ｇ光、Ｂ光のそれぞれの色光に対する散乱ゲ
インＧの値はそれぞれ１．４５、１．２、１．１５であ
った。このとき、Ｒ光に対する散乱ゲイン（＝１．４
５）はＧ光に対する散乱ゲイン（＝１．２）のほぼ１．
２倍であった。種々検討した結果、セル厚ｄを臨界セル
厚ｄc 以上にすることは、Ｒ光に対する散乱ゲインとＧ
光に対する散乱ゲインの比を約１．２以下にすることと
等価であった。
【００５１】また、臨界セル厚ｄc は液晶滴の平均粒径
Ｒに依存することを見いだした。これは前述したように
散乱断面積が液晶滴の平均粒径Ｒの関数になっているた
め、平均粒径Ｒによって散乱挙動が異なるためである。
表２に、この実施の形態における平均粒径Ｒと臨界セル
厚ｄc との関係を示す。
Ｒに依存することを見いだした。これは前述したように
散乱断面積が液晶滴の平均粒径Ｒの関数になっているた
め、平均粒径Ｒによって散乱挙動が異なるためである。
表２に、この実施の形態における平均粒径Ｒと臨界セル
厚ｄc との関係を示す。
【００５２】
【表２】
【００５３】この平均粒径Ｒと臨界セル厚ｄc との関係
は、実験結果に基づいて、次式で表すことができる。 ｄc ＝８×Ｒ＝８Ｒ ただし、平均粒径Ｒが約１．２μｍ以下では、上記の関
係は成立しない。その理由は、以下のように考えられ
る。赤色光についての散乱ゲインの平均粒径依存性を図
６に示す。図６に示すように、平均粒径Ｒが１．２μｍ
以下になると急激に増大する。この急激な増大は、液晶
滴の散乱断面積が実際の液晶滴の粒径よりも小さくなる
ために、直進光が発生することに起因している。このよ
うに、１．２μｍ以下の平均粒径Ｒでは散乱ゲインが急
激に上昇するので、上記関係式が成立しない。この上記
関係式を満足する平均粒径Ｒの下限値は、液晶滴の散乱
特性（散乱断面積）と関係しており、液晶材料の複屈折
率Δｎに依存し、次式の関係を満足することが好まし
い。
は、実験結果に基づいて、次式で表すことができる。 ｄc ＝８×Ｒ＝８Ｒ ただし、平均粒径Ｒが約１．２μｍ以下では、上記の関
係は成立しない。その理由は、以下のように考えられ
る。赤色光についての散乱ゲインの平均粒径依存性を図
６に示す。図６に示すように、平均粒径Ｒが１．２μｍ
以下になると急激に増大する。この急激な増大は、液晶
滴の散乱断面積が実際の液晶滴の粒径よりも小さくなる
ために、直進光が発生することに起因している。このよ
うに、１．２μｍ以下の平均粒径Ｒでは散乱ゲインが急
激に上昇するので、上記関係式が成立しない。この上記
関係式を満足する平均粒径Ｒの下限値は、液晶滴の散乱
特性（散乱断面積）と関係しており、液晶材料の複屈折
率Δｎに依存し、次式の関係を満足することが好まし
い。
【００５４】Ｒ・Δｎ＞０．３ また、平均粒径Ｒは、Ｒ・Δｎ＞０．３５の関係を満足
することが更に好ましい。次に、応答時間（応答速度）
と平均粒径Ｒとの関係を検討した結果、応答時間は平均
粒径Ｒにほとんど依存せず、印加電界（印加電圧をセル
厚ｄで割った値）に主に依存することを見いだした。Ｐ
ＤＬＣに印加する電圧の上限値は、上述したように駆動
装置の特性によって制限される。従って、印加電界の上
限値は、セル厚ｄによって決まる。すなわち、セル厚ｄ
を薄くするほど応答速度を早くすることができる。
することが更に好ましい。次に、応答時間（応答速度）
と平均粒径Ｒとの関係を検討した結果、応答時間は平均
粒径Ｒにほとんど依存せず、印加電界（印加電圧をセル
厚ｄで割った値）に主に依存することを見いだした。Ｐ
ＤＬＣに印加する電圧の上限値は、上述したように駆動
装置の特性によって制限される。従って、印加電界の上
限値は、セル厚ｄによって決まる。すなわち、セル厚ｄ
を薄くするほど応答速度を早くすることができる。
【００５５】この実施の形態では、使用したアクティブ
マトリクス基板のＴＦＴの特性から、駆動電圧の上限値
は１０Ｖであり、実用的な応答速度を得るためのセル厚
ｄの上限値は１８μｍであった。このときの応答時間
（立ち上がり時間と立ち下がり時間の和）は１００ｍｓ
であった。現在使用されているＴＦＴの特性から、実用
的な駆動電圧の上限値は１０Ｖ程度あり、上述の結果か
ら、ＰＤＬＣを用いたアクティブマトリクス型液晶表示
装置のセル厚ｄは１８μｍ以下であることが好ましい。
さらに、応答速度を速めるために、セル厚ｄを１．２ｄ
c より薄くすることが好ましい。
マトリクス基板のＴＦＴの特性から、駆動電圧の上限値
は１０Ｖであり、実用的な応答速度を得るためのセル厚
ｄの上限値は１８μｍであった。このときの応答時間
（立ち上がり時間と立ち下がり時間の和）は１００ｍｓ
であった。現在使用されているＴＦＴの特性から、実用
的な駆動電圧の上限値は１０Ｖ程度あり、上述の結果か
ら、ＰＤＬＣを用いたアクティブマトリクス型液晶表示
装置のセル厚ｄは１８μｍ以下であることが好ましい。
さらに、応答速度を速めるために、セル厚ｄを１．２ｄ
c より薄くすることが好ましい。
【００５６】以上をまとめると次の２つの条件が得られ
る。 Ｒ・Δｎ＞０．３、 ８Ｒ＜ｄ＜１８ さらに、好ましくは、 Ｒ・Δｎ＞０．３５、 ８Ｒ＜ｄ＜１．２ｄc の関係を満足することが好ましい。
る。 Ｒ・Δｎ＞０．３、 ８Ｒ＜ｄ＜１８ さらに、好ましくは、 Ｒ・Δｎ＞０．３５、 ８Ｒ＜ｄ＜１．２ｄc の関係を満足することが好ましい。
【００５７】上記の条件を満足するＰＤＬＣＤを用いれ
ば、１種類のパネルを用いても、色むらのない良好な特
性の投射型カラー表示装置を実現できる。その結果、生
産性の向上および低コスト化を図ることができる。な
お、上記第１および第２の実施の形態では、図１（ａ）
に示すＰＤＬＣＤについて、その条件を説明したが、図
１（ｂ）に示すＰＤＬＣＤについては、前述した条件に
おいて、液晶滴１４の平均粒径Ｒの代わりに、液晶相１
４’の平均厚みＲ’を用いればよい。この平均厚みＲ’
は、前述した平均粒径Ｒと同様にして、例えば、液晶セ
ルを分解し、基板側に残った液晶相１４’の跡を光学顕
微鏡で観察して求めることができる。
ば、１種類のパネルを用いても、色むらのない良好な特
性の投射型カラー表示装置を実現できる。その結果、生
産性の向上および低コスト化を図ることができる。な
お、上記第１および第２の実施の形態では、図１（ａ）
に示すＰＤＬＣＤについて、その条件を説明したが、図
１（ｂ）に示すＰＤＬＣＤについては、前述した条件に
おいて、液晶滴１４の平均粒径Ｒの代わりに、液晶相１
４’の平均厚みＲ’を用いればよい。この平均厚みＲ’
は、前述した平均粒径Ｒと同様にして、例えば、液晶セ
ルを分解し、基板側に残った液晶相１４’の跡を光学顕
微鏡で観察して求めることができる。
【００５８】
【発明の効果】請求項１記載の液晶表示装置は、高分子
相と液晶相とを含む高分子分散液晶からなる液晶層の厚
さをｄ（μｍ）、液晶相の平均粒径または液晶相の平均
厚みをＲ（μｍ）とするとき、 ２．５８５・ｄ-1/3−０．３＜Ｒ＜２．５８５・ｄ-1/3
＋０．３ の関係を満足することにより、散乱強度が高く、閾値電
圧が低くなり、低電圧駆動を可能とし、表示品質を向上
することができる。
相と液晶相とを含む高分子分散液晶からなる液晶層の厚
さをｄ（μｍ）、液晶相の平均粒径または液晶相の平均
厚みをＲ（μｍ）とするとき、 ２．５８５・ｄ-1/3−０．３＜Ｒ＜２．５８５・ｄ-1/3
＋０．３ の関係を満足することにより、散乱強度が高く、閾値電
圧が低くなり、低電圧駆動を可能とし、表示品質を向上
することができる。
【００５９】また、請求項２記載の液晶表示装置は、 ２．５８５・ｄ-1/3−０．１＜Ｒ＜２．５８５・ｄ-1/3
＋０．１ の関係を満足することにより、散乱強度がより高く、閾
値電圧が低くなり、低電圧駆動を可能とし、表示品質を
より向上することができる。また、請求項３記載の液晶
表示装置は、請求項１記載の液晶表示装置において、液
晶相の平均粒径または液晶相の平均厚みＲが、０．９＜
Ｒ＜１．２５の関係を満足することが、ＴＦＴを用いた
アクティブマトリクス型ＰＤＬＣＤの実用的な駆動電圧
（６〜１２Ｖ程度）を考慮すれば、好ましい関係であ
る。
＋０．１ の関係を満足することにより、散乱強度がより高く、閾
値電圧が低くなり、低電圧駆動を可能とし、表示品質を
より向上することができる。また、請求項３記載の液晶
表示装置は、請求項１記載の液晶表示装置において、液
晶相の平均粒径または液晶相の平均厚みＲが、０．９＜
Ｒ＜１．２５の関係を満足することが、ＴＦＴを用いた
アクティブマトリクス型ＰＤＬＣＤの実用的な駆動電圧
（６〜１２Ｖ程度）を考慮すれば、好ましい関係であ
る。
【００６０】請求項４記載の液晶表示装置は、請求項１
記載の液晶表示装置において、液晶層の厚さｄが、８＜
ｄ＜１５の関係を満足することが、ＴＦＴを用いたアク
ティブマトリクス型ＰＤＬＣＤの実用的な駆動電圧（６
〜１２Ｖ程度）を考慮すれば、好ましい関係である。請
求項５記載の液晶表示装置の製造方法は、液晶層が高分
子相と液晶相とを含む高分子分散液晶からなる液晶表示
装置の製造方法であって、液晶材料と重合性モノマーと
重合性オリゴマーとを含む混合物を重合誘起相分離する
ことによって高分子分散液晶を形成する工程を包含し、
一対の基板間の距離をｄ（μｍ）とし、混合物中の重合
性モノマーの重量分率をＭ、重合性オリゴマーの重量分
率をＯとするとき、 ０．８・５５０・ｄ-3/2＜Ｍ／Ｏ＜１．２・５５０・ｄ
-3/2 の関係を満足することにより、散乱強度が高く、閾値電
圧が低くなり、低電圧駆動を可能とし、表示品質の向上
が図れる液晶表示装置を製造できる。
記載の液晶表示装置において、液晶層の厚さｄが、８＜
ｄ＜１５の関係を満足することが、ＴＦＴを用いたアク
ティブマトリクス型ＰＤＬＣＤの実用的な駆動電圧（６
〜１２Ｖ程度）を考慮すれば、好ましい関係である。請
求項５記載の液晶表示装置の製造方法は、液晶層が高分
子相と液晶相とを含む高分子分散液晶からなる液晶表示
装置の製造方法であって、液晶材料と重合性モノマーと
重合性オリゴマーとを含む混合物を重合誘起相分離する
ことによって高分子分散液晶を形成する工程を包含し、
一対の基板間の距離をｄ（μｍ）とし、混合物中の重合
性モノマーの重量分率をＭ、重合性オリゴマーの重量分
率をＯとするとき、 ０．８・５５０・ｄ-3/2＜Ｍ／Ｏ＜１．２・５５０・ｄ
-3/2 の関係を満足することにより、散乱強度が高く、閾値電
圧が低くなり、低電圧駆動を可能とし、表示品質の向上
が図れる液晶表示装置を製造できる。
【００６１】また、請求項６記載の液晶表示装置の製造
方法は、請求項５記載の液晶表示装置の製造方法におい
て、 ０．９・５５０・ｄ-3/2＜Ｍ／Ｏ＜１．１・５５０・ｄ
-3/2 の関係を満足することにより、散乱強度がより高く、閾
値電圧が低くなり、低電圧駆動を可能とし、表示品質の
より向上が図れる液晶表示装置を製造できる。
方法は、請求項５記載の液晶表示装置の製造方法におい
て、 ０．９・５５０・ｄ-3/2＜Ｍ／Ｏ＜１．１・５５０・ｄ
-3/2 の関係を満足することにより、散乱強度がより高く、閾
値電圧が低くなり、低電圧駆動を可能とし、表示品質の
より向上が図れる液晶表示装置を製造できる。
【００６２】請求項７記載の液晶表示装置は、一対の基
板と、一対の基板間に狭持された液晶層と、液晶層に電
圧を印加する電極とを備えた液晶表示装置であって、液
晶層は、高分子相と液晶相とを含む高分子分散液晶から
なり、液晶層の厚さをｄ（μｍ）、液晶相の平均粒径ま
たは液晶相の平均厚みをＲ（μｍ）とし、液晶相の液晶
材料の屈折率異方性をΔｎとするとき、 Ｒ・Δｎ＞０．３、かつ ８Ｒ＜ｄ の関係を満足することにより、赤色光，緑色光，青色光
の各色光に対する散乱ゲインの差は小さくなり、投射型
ディスプレイを作製した場合に、良好な黒表示を実現で
き、また色バランスも良好となる。また、液晶層の厚さ
ｄにむらがあっても、また、液晶材料の屈折率異方性Δ
ｎが温度によって変動しても、それらが表示に与える影
響が少なく、表示品質を向上することができる。
板と、一対の基板間に狭持された液晶層と、液晶層に電
圧を印加する電極とを備えた液晶表示装置であって、液
晶層は、高分子相と液晶相とを含む高分子分散液晶から
なり、液晶層の厚さをｄ（μｍ）、液晶相の平均粒径ま
たは液晶相の平均厚みをＲ（μｍ）とし、液晶相の液晶
材料の屈折率異方性をΔｎとするとき、 Ｒ・Δｎ＞０．３、かつ ８Ｒ＜ｄ の関係を満足することにより、赤色光，緑色光，青色光
の各色光に対する散乱ゲインの差は小さくなり、投射型
ディスプレイを作製した場合に、良好な黒表示を実現で
き、また色バランスも良好となる。また、液晶層の厚さ
ｄにむらがあっても、また、液晶材料の屈折率異方性Δ
ｎが温度によって変動しても、それらが表示に与える影
響が少なく、表示品質を向上することができる。
【００６３】請求項８記載の液晶表示装置は、請求項７
記載の液晶表示装置において、液晶層の厚さｄ（μｍ）
が１８μｍ以下であることにより、実用的に良好な液晶
の応答速度を得ることができる。請求項９記載の液晶表
示装置は、請求項７記載の液晶表示装置において、液晶
相の平均粒径または液晶相の平均厚みＲ（μｍ）と、液
晶相の液晶材料の屈折率異方性Δｎとが、Ｒ・Δｎ＞
０．３５の関係を満足し、かつ、液晶層の厚さｄが１０
％変動した場合に散乱ゲインの変動量が２０％以下とな
る液晶層の最小の厚さをｄc とするときに、ｄ＜１．２
ｄc の関係を満足することにより、表示品質をより高
め、また、液晶の応答速度をより速めることができる。
記載の液晶表示装置において、液晶層の厚さｄ（μｍ）
が１８μｍ以下であることにより、実用的に良好な液晶
の応答速度を得ることができる。請求項９記載の液晶表
示装置は、請求項７記載の液晶表示装置において、液晶
相の平均粒径または液晶相の平均厚みＲ（μｍ）と、液
晶相の液晶材料の屈折率異方性Δｎとが、Ｒ・Δｎ＞
０．３５の関係を満足し、かつ、液晶層の厚さｄが１０
％変動した場合に散乱ゲインの変動量が２０％以下とな
る液晶層の最小の厚さをｄc とするときに、ｄ＜１．２
ｄc の関係を満足することにより、表示品質をより高
め、また、液晶の応答速度をより速めることができる。
【００６４】請求項１０記載の液晶表示装置は、請求項
７記載の液晶表示装置において、一対の基板のうち一方
の基板を、電極が複数の画素電極からなり、各画素電極
に印加する電圧を制御するアクティブ素子を設けたアク
ティブマトリクス基板とすることにより、表示品質の高
いアクティブマトリックス型の液晶表示装置を実現する
ことができる。
７記載の液晶表示装置において、一対の基板のうち一方
の基板を、電極が複数の画素電極からなり、各画素電極
に印加する電圧を制御するアクティブ素子を設けたアク
ティブマトリクス基板とすることにより、表示品質の高
いアクティブマトリックス型の液晶表示装置を実現する
ことができる。
【００６５】請求項１１記載の液晶表示装置は、一対の
基板と、この一対の基板間に狭持された液晶層と、この
液晶層に電圧を印加する電極とを備えた液晶表示装置で
あって、液晶層は、高分子相と液晶相とを含む高分子分
散液晶からなり、液晶層の厚さが１０％変動した場合の
散乱ゲインの変動量が２０％以下であることを特徴とす
ることにより、赤色光，緑色光，青色光の各色光に対す
る散乱ゲインの差は小さくなり、投射型ディスプレイを
作製した場合に、良好な黒表示を実現でき、また色バラ
ンスも良好となる。また、液晶層の厚さｄにむらがあっ
ても、また、液晶材料の屈折率異方性Δｎが温度によっ
て変動しても、それらが表示に与える影響が少なく、表
示品質を向上することができる。
基板と、この一対の基板間に狭持された液晶層と、この
液晶層に電圧を印加する電極とを備えた液晶表示装置で
あって、液晶層は、高分子相と液晶相とを含む高分子分
散液晶からなり、液晶層の厚さが１０％変動した場合の
散乱ゲインの変動量が２０％以下であることを特徴とす
ることにより、赤色光，緑色光，青色光の各色光に対す
る散乱ゲインの差は小さくなり、投射型ディスプレイを
作製した場合に、良好な黒表示を実現でき、また色バラ
ンスも良好となる。また、液晶層の厚さｄにむらがあっ
ても、また、液晶材料の屈折率異方性Δｎが温度によっ
て変動しても、それらが表示に与える影響が少なく、表
示品質を向上することができる。
【００６６】請求項１２記載の液晶表示装置は、請求項
１１記載の液晶表示装置において、液晶層の厚さが１０
％変動した場合の散乱ゲインの変動量が１０％以下であ
ることにより、より表示品質を向上することができる。
請求項１３記載の液晶表示装置は、一対の基板と、一対
の基板間に狭持された液晶層と、液晶層に電圧を印加す
る電極とを備えた液晶表示装置であって、液晶層は、高
分子相と液晶相とを含む高分子分散液晶からなり、液晶
層の赤色光に対する散乱ゲインが、緑色光に対する散乱
ゲインの１．２倍以下であることを特徴とすることによ
り、請求項１１，１２と同様の効果が得られる。
１１記載の液晶表示装置において、液晶層の厚さが１０
％変動した場合の散乱ゲインの変動量が１０％以下であ
ることにより、より表示品質を向上することができる。
請求項１３記載の液晶表示装置は、一対の基板と、一対
の基板間に狭持された液晶層と、液晶層に電圧を印加す
る電極とを備えた液晶表示装置であって、液晶層は、高
分子相と液晶相とを含む高分子分散液晶からなり、液晶
層の赤色光に対する散乱ゲインが、緑色光に対する散乱
ゲインの１．２倍以下であることを特徴とすることによ
り、請求項１１，１２と同様の効果が得られる。
【００６７】請求項１４記載の投射型ディスプレイは、
複数の色光の各色光を変調する複数の液晶表示装置と、
この複数の液晶表示装置で変調された光を合成し投射す
る投射光学系とを備えた投射型ディスプレイであって、
液晶表示装置に、請求項７，８，９，１０，１１，１２
または１３記載の液晶表示装置を用いることにより、１
種類のパネル（液晶表示装置）を用いても色むらのない
良好な特性の投射型ディスプレイを実現でき、生産性の
向上および低コスト化を図ることができる。
複数の色光の各色光を変調する複数の液晶表示装置と、
この複数の液晶表示装置で変調された光を合成し投射す
る投射光学系とを備えた投射型ディスプレイであって、
液晶表示装置に、請求項７，８，９，１０，１１，１２
または１３記載の液晶表示装置を用いることにより、１
種類のパネル（液晶表示装置）を用いても色むらのない
良好な特性の投射型ディスプレイを実現でき、生産性の
向上および低コスト化を図ることができる。
【図１】本発明の実施の形態における液晶表示装置（Ｐ
ＤＬＣＤ）の断面図である。
ＤＬＣＤ）の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態におけるＰＤＬＣＤ
の散乱ゲインと液晶滴の平均粒径との関係を示す特性図
である。
の散乱ゲインと液晶滴の平均粒径との関係を示す特性図
である。
【図３】本発明の第１の実施の形態におけるＰＤＬＣＤ
の閾値電圧と液晶滴の平均粒径との関係を示す特性図で
ある。
の閾値電圧と液晶滴の平均粒径との関係を示す特性図で
ある。
【図４】本発明の第１の実施の形態におけるＰＤＬＣＤ
の散乱ゲインと閾値電圧との関係を示す特性図である。
の散乱ゲインと閾値電圧との関係を示す特性図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態におけるＰＤＬＣＤ
の散乱ゲインとセル厚の関係をＲＧＢ三色に対して示す
特性図である。
の散乱ゲインとセル厚の関係をＲＧＢ三色に対して示す
特性図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態におけるＰＤＬＣＤ
の散乱ゲインと液晶滴の平均粒径との関係を示す特性図
である。
の散乱ゲインと液晶滴の平均粒径との関係を示す特性図
である。
【図７】本発明の第２の実施の形態におけるＰＤＬＣＤ
を用いた投射型カラー表示装置の構成を示す模式図であ
る。
を用いた投射型カラー表示装置の構成を示す模式図であ
る。
１０ 液晶層 １１ａ，１１ｂ 基板 １２ａ，１２ｂ 透明電極 １３ 高分子マトリクス（高分子相） １４ 液晶滴（液晶相） １４’液晶相 ｄ 液晶層の厚さ Ｒ 液晶滴の平均粒径 Ｒ’液晶相の平均厚み ７０ 投射型カラー表示装置（投射型ディスプレイ） ７１ 光源 ７２ａ〜７２ｃ ダイクロイックミラー ７３ ＰＤＬＣＤ（液晶表示装置） ７４ 投射レンズ（投射光学系） ７５ 絞り（投射光学系） ７６ スクリーン ７７ ミラー（投射光学系）
Claims (14)
- 【請求項１】 一対の基板と、この一対の基板間に狭持
された液晶層と、この液晶層に電圧を印加する電極とを
備えた液晶表示装置であって、 前記液晶層は、高分子相と液晶相とを含む高分子分散液
晶からなり、前記液晶層の厚さをｄ（μｍ）、前記液晶
相の平均粒径または前記液晶相の平均厚みをＲ（μｍ）
とするとき、 ２．５８５・ｄ-1/3−０．３＜Ｒ＜２．５８５・ｄ-1/3
＋０．３ の関係を満足することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 一対の基板と、この一対の基板間に狭持
された液晶層と、この液晶層に電圧を印加する電極とを
備えた液晶表示装置であって、 前記液晶層は、高分子相と液晶相とを含む高分子分散液
晶からなり、前記液晶層の厚さをｄ（μｍ）、前記液晶
相の平均粒径または前記液晶相の平均厚みをＲ（μｍ）
とするとき、 ２．５８５・ｄ-1/3−０．１＜Ｒ＜２．５８５・ｄ-1/3
＋０．１ の関係を満足することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】 液晶相の平均粒径または前記液晶相の平
均厚みＲが、０．９＜Ｒ＜１．２５の関係を満足する請
求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 液晶層の厚さｄが、８＜ｄ＜１５の関係
を満足する請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 一対の基板と、この一対の基板間に狭持
された液晶層と、この液晶層に電圧を印加する電極とを
備え、前記液晶層が高分子相と液晶相とを含む高分子分
散液晶からなる液晶表示装置の製造方法であって、 液晶材料と重合性モノマーと重合性オリゴマーとを含む
混合物を重合誘起相分離することによって前記高分子分
散液晶を形成する工程を包含し、 前記一対の基板間の距離をｄ（μｍ）とし、前記混合物
中の前記重合性モノマーの重量分率をＭ、前記重合性オ
リゴマーの重量分率をＯとするとき、 ０．８・５５０・ｄ-3/2＜Ｍ／Ｏ＜１．２・５５０・ｄ
-3/2 の関係を満足することを特徴とする液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項６】 一対の基板間の距離ｄ（μｍ）と、混合
物中の重合性モノマーの重量分率Ｍと、重合性オリゴマ
ーの重量分率Ｏとが、 ０．９・５５０・ｄ-3/2＜Ｍ／Ｏ＜１．１・５５０・ｄ
-3/2 の関係を満足する請求項５記載の液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項７】 一対の基板と、前記一対の基板間に狭持
された液晶層と、前記液晶層に電圧を印加する電極とを
備えた液晶表示装置であって、 前記液晶層は、高分子相と液晶相とを含む高分子分散液
晶からなり、前記液晶層の厚さをｄ（μｍ）、前記液晶
相の平均粒径または前記液晶相の平均厚みをＲ（μｍ）
とし、前記液晶相の液晶材料の屈折率異方性をΔｎとす
るとき、 Ｒ・Δｎ＞０．３、かつ ８Ｒ＜ｄ の関係を満足することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項８】 液晶層の厚さｄ（μｍ）が１８μｍ以下
である請求項７記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 液晶相の平均粒径または前記液晶相の平
均厚みＲ（μｍ）と、前記液晶相の液晶材料の屈折率異
方性Δｎとが、Ｒ・Δｎ＞０．３５の関係を満足し、か
つ、 液晶層の厚さｄが１０％変動した場合に散乱ゲインの変
動量が２０％以下となる前記液晶層の最小の厚さをｄc
とするときに、ｄ＜１．２ｄc の関係を満足する請求項
７記載の液晶表示装置。 - 【請求項１０】 一対の基板のうち一方の基板は、電極
が複数の画素電極からなり、各画素電極に印加する電圧
を制御するアクティブ素子を設けたアクティブマトリク
ス基板である請求項７記載の液晶表示装置。 - 【請求項１１】 一対の基板と、この一対の基板間に狭
持された液晶層と、この液晶層に電圧を印加する電極と
を備えた液晶表示装置であって、 前記液晶層は、高分子相と液晶相とを含む高分子分散液
晶からなり、前記液晶層の厚さが１０％変動した場合の
散乱ゲインの変動量が２０％以下であることを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項１２】 液晶層の厚さが１０％変動した場合の
散乱ゲインの変動量が１０％以下である請求項１１記載
の液晶表示装置。 - 【請求項１３】 一対の基板と、前記一対の基板間に狭
持された液晶層と、前記液晶層に電圧を印加する電極と
を備えた液晶表示装置であって、 前記液晶層は、高分子相と液晶相とを含む高分子分散液
晶からなり、前記液晶層の赤色光に対する散乱ゲイン
が、緑色光に対する散乱ゲインの１．２倍以下であるこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１４】 複数の色光の各色光を変調する複数の
液晶表示装置と、この複数の液晶表示装置で変調された
光を合成し投射する投射光学系とを備えた投射型ディス
プレイであって、 前記液晶表示装置は、請求項７，８，９，１０，１１，
１２または１３記載の液晶表示装置であることを特徴と
する投射型ディスプレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19994196A JPH09211435A (ja) | 1995-07-31 | 1996-07-30 | 液晶表示装置およびその製造方法と投射型ディスプレイ |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19451095 | 1995-07-31 | ||
| JP7-194510 | 1995-11-30 | ||
| JP7-312013 | 1995-11-30 | ||
| JP31201395 | 1995-11-30 | ||
| JP19994196A JPH09211435A (ja) | 1995-07-31 | 1996-07-30 | 液晶表示装置およびその製造方法と投射型ディスプレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09211435A true JPH09211435A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=27326951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19994196A Pending JPH09211435A (ja) | 1995-07-31 | 1996-07-30 | 液晶表示装置およびその製造方法と投射型ディスプレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09211435A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000007065A1 (fr) * | 1998-07-29 | 2000-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif d'affichage a diffusion et procede d'excitation de ce dispositif |
-
1996
- 1996-07-30 JP JP19994196A patent/JPH09211435A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000007065A1 (fr) * | 1998-07-29 | 2000-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif d'affichage a diffusion et procede d'excitation de ce dispositif |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5949506A (en) | LCD with diffuser having diffusing particles therein located between polarizers | |
| JP4760275B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2007004104A5 (ja) | ||
| KR101255292B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
| US6215536B1 (en) | Reflective liquid crystal display device having light scattering liquid crystal display element, and method for manufacturing reflective liquid crystal display device | |
| JP2000221497A (ja) | 反射型液晶表示装置 | |
| US6088075A (en) | Liquid crystal display device, method for producing the same, and projection-type display apparatus including the liquid crystal display device | |
| JP2803214B2 (ja) | 液晶樹脂複合体、アクティブマトリクス液晶表示素子、及び投射型アクティブマトリクス液晶表示装置 | |
| US5610735A (en) | Light scattering light valve projection apparatus | |
| JPH09211435A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法と投射型ディスプレイ | |
| JP3048468B2 (ja) | 液晶投写型テレビ | |
| JPH05203931A (ja) | 液晶パネルとその製造方法および液晶表示装置 | |
| JP3370758B2 (ja) | 液晶パネルおよびその製造方法および投写型表示装置 | |
| JP2006221069A (ja) | スクリーン及びリアプロジェクタ装置 | |
| KR20210061857A (ko) | 백라이트 유닛 및 이를 포함한 디스플레이 장치 | |
| JPH05241133A (ja) | 液晶パネル及びそれを用いた液晶投写型テレビ | |
| KR100357956B1 (ko) | 반사형 칼라 액정표시소자의 칼라 필터 및 제조방법 | |
| JPH0588162A (ja) | 液晶パネルおよびそれを用いた液晶表示装置 | |
| JPH0511235A (ja) | 液晶パネルおよびその製造方法と液晶投写型テレビ | |
| KR100464291B1 (ko) | 고분자분산액정패널및이를이용한영상투사장치와그제조방법 | |
| JP3681612B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP4151260B2 (ja) | 半透過型液晶表示装置用カラーフィルタ及びその製造方法 | |
| JPH0588153A (ja) | 液晶パネルおよびそれを用いた液晶表示装置 | |
| JP2000221483A (ja) | 反射型液晶表示装置用基板及びそれを用いた反射型液晶表示装置 | |
| JP3623224B6 (ja) | 液晶表示装置とその駆動方法 |