JPH09210830A - 圧力検出装置 - Google Patents

圧力検出装置

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JPH09210830A
JPH09210830A JP8013794A JP1379496A JPH09210830A JP H09210830 A JPH09210830 A JP H09210830A JP 8013794 A JP8013794 A JP 8013794A JP 1379496 A JP1379496 A JP 1379496A JP H09210830 A JPH09210830 A JP H09210830A
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JP
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pressure
circuit
clamp
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pressure detecting
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JP8013794A
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Takanobu Takeuchi
孝信 竹内
Tateki Mitani
干城 三谷
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/02Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
    • G01L9/04Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of resistance-strain gauges
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01DMEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D3/00Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups
    • G01D3/08Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups with provision for safeguarding the apparatus, e.g. against abnormal operation, against breakdown
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/08Means for indicating or recording, e.g. for remote indication

Abstract

(57)【要約】 【課題】 異常な圧力が印加されてフェイルモードとな
ったことを確実に検知することができる圧力検出装置を
提供することである。 【解決手段】 圧力検出部に印加されている圧力を検出
して増幅回路により増幅して出力する圧力検出装置であ
る。最終段の増幅回路5がクランプ回路11,12を備
える。上記増幅回路5から出力する出力信号Voutが
予め定めた上限値と下限値との間を外れると、上記クラ
ンプ回路11,12が上記圧力信号を上限値または下限
値にクランプする。圧力検出部に予め定められた値を越
える圧力が印加されて圧力検出部が破壊されてフェイル
モードとなると、上記クランプ回路11,12を構成し
ている回路の一部R24,14,R26が切断されて上
記クランプ回路11,12のクランプ動作が解除され、
上記増幅回路5の出力が上限値および下限値を越える値
を取る。この値からフェイルモードの発生を知る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、検出圧力の出力値
が予め与えられた上限値もしくは下限値を越えると検出
圧力の出力値を上限値もしくは下限値にクランプする機
能を有するとともに、検出圧力の異常発生時には出力値
が上限値を越える電位もしくは下限値よりもさらに低い
電位の信号を出力する圧力検出装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、圧力検出装置としては、圧力
検出部に印加されている圧力を圧力センサで検出し、該
圧力センサの出力を増幅器で増幅して最終段の増幅器か
ら圧力信号を取り出すようにしたものが知られている。
かかる圧力検出装置において、その出力を利用して各種
の制御や表示を行なう場合、例えば圧力表示計器等の表
示範囲に対応して、最終段の増幅器にクランプ回路を設
けて出力電圧の範囲を制限するようにしたものがある。
すなわち、最終段の増幅器から出力する出力電圧の大き
さが予め定めた上限値を越えたときには上記出力電圧を
該上限値にクランプし、また、最終段の増幅手段から出
力する出力電圧の大きさが予め定められた下限値よりも
小さくなったときには上記出力電圧を該下限値にクラン
プする。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記のように最終段の
増幅器にクランプ回路を設けて出力電圧の範囲を制限す
るようにした従来の圧力検出装置では、例えば予め定め
られた値を越える大きい圧力が印加されて該圧力検出装
置自体に故障が生じる等の事態が発生した場合でも、最
終段の増幅器の出力電圧はクランプ回路により上限値も
しくは下限値に制限されるだけであるので、圧力検出装
置に異常が発生したことを検出することができないとい
う問題があった。
【0004】本発明はかかる従来の圧力検出装置におけ
る問題を解消するためになされたものであって、第1の
目的は、自身の故障を確実に検出することができる圧力
検出装置を提供することである。
【0005】本発明の第2の目的は、上記第1の目的に
加えて、さらに信頼性の高い圧力検出装置を提供するこ
とである。
【0006】本発明の第3の目的は、上記第1および第
2の目的に加えて、設計の自由度の高い圧力検出装置を
提供することである。
【0007】本発明の第4の目的は、フェイルモードを
確実に検出することができる加速度検出装置として使用
することができる圧力検出装置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1にかかる発明
は、圧力検出部に印加されている圧力を検出して増幅手
段により増幅し、最終段の増幅手段から出力する出力信
号が予め定めた上限値と下限値との間を外れたときに、
上記圧力信号を上限値または下限値にクランプするクラ
ンプ手段を備えた圧力検出装置において、上記圧力検出
部に予め定められた値を越える圧力が印加されてフェイ
ルモードとなる異常発生時に上記クランプ手段のクラン
プを解除するようにしたことを特徴とする。
【0009】請求項2にかかる発明は、請求項1に記載
の圧力検出装置において、上記クランプ手段の一部が上
記圧力検出部に形成され、上記異常発生時にクランプ手
段の一部を切断して上記クランプを解除するようにした
ことを特徴とする。
【0010】請求項3にかかる発明は、請求項2に記載
の圧力検出装置において、上記圧力検出部が半導体ダイ
ヤフラムであり、異常発生時に該半導体ダイヤフラムが
破壊されて上記クランプが解除されることを特徴とす
る。
【0011】請求項4にかかる発明は、請求項1に記載
の圧力検出装置において、上記異常発生を検出する異常
発生検出手段を備え、異常発生時に該異常発生検出手段
から出力するクランプ解除信号を上記クランプ手段に供
給するようにしたことを特徴とする。
【0012】請求項5にかかる発明は、請求項4に記載
の圧力検出装置において、上記異常発生検出手段が上記
異常発生時に切断される抵抗を有する抵抗回路と該抵抗
回路より比較電圧が供給されるコンパレータにより構成
されていることを特徴とする。
【0013】請求項6にかかる発明は、請求項5に記載
の圧力検出装置において、上記抵抗回路が半導体ダイヤ
フラム上に形成されていることを特徴とする。
【0014】請求項7にかかる発明は、請求項4に記載
の圧力検出装置において、上記異常発生検出手段が最終
段の増幅手段の前段の増幅手段の出力信号により上記異
常発生を検出し、上記クランプ手段にクランプ解除信号
を供給するようにしたことを特徴とする。
【0015】請求項8にかかる発明は、請求項1から7
のいずれか一に記載の圧力検出装置において、圧力検出
部に印加される圧力が加速度に基づく圧力であることを
特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】以下に、添付の図面を参照して本
発明の実施の形態を説明する。
【0017】発明の実施の形態1 本発明の実施の形態1にかかる圧力検出装置の全体構成
を図1に示す。該圧力検出装置は、圧力検出部としての
圧力センサ1および該圧力センサ1の出力を増幅する4
段の増幅回路2〜5からなる。上記圧力センサ1は、後
に図3および図4を参照して説明する半導体ダイヤフラ
ム6のダイヤフラム部分6a上に抵抗ブリッジ回路7を
構成してなるものである。上記半導体ダイヤフラム6の
ダイヤフラム部分6aに圧力が印加されて変形し、半導
体ダイヤフラム6のダイヤフラム部分6aに応力が発生
すると、その応力の大きさに対応して上記抵抗ブリッジ
回路7の各辺の抵抗R1ないしR4の抵抗値が変化し、
上記圧力センサ1は印加された圧力に対応する信号を出
力する。増幅回路2は演算増幅器OP1と抵抗R5〜R
8とにより構成された非反転増幅器であり、上記抵抗ブ
リッジ回路7の抵抗R1と抵抗R2との接続点JAの電
位を増幅する。一方、増幅回路3は演算増幅器OP2と
抵抗R9,R10とにより構成され、上記抵抗ブリッジ
回路7の抵抗R3と抵抗R4との接続点JBの電位と上
記増幅回路2の出力との差を増幅する。増幅回路4は演
算増幅器OP3と抵抗R11〜R14とにより構成され
た反転増幅器であり、増幅回路4は演算増幅器OP4と
抵抗R17,R18とで構成された反転増幅器である。
最終段の増幅回路5を構成している演算増幅器OP4の
具体的な回路構成を図2に示す。
【0018】図2において、トランジスタQ1ないしQ
13、抵抗R21ないしR24、定電流源I1,I2、
コンデンサC1,C2により構成される回路は演算増幅
器OP4を構成している。該演算増幅器OP4のnpn
型の出力トランジスタQ13は、そのエミッタがアース
に接続され、そのコレクタと電源ラインVccとの間に
抵抗R23と抵抗R24とが直列に接続されている。こ
れら抵抗R23と抵抗R24とは上記トランジスタQ1
3の負荷抵抗を構成しており、その接続点8が上記演算
増幅器OP4の出力端子9に接続されている。上記抵抗
R24と出力トランジスタQ13は、上記演算増幅器O
P4の出力端子9から出力する出力電圧Voutを下限
クランプ値VLにクランプする下限クランプ回路11を
構成している。
【0019】トランジスタQ21ないしQ24、抵抗R
25ないしR28は、上記演算増幅器OP4の出力端子
9から出力する出力電圧Voutを上限クランプ値VU
にクランプする上限クランプ回路12を構成している。
該上限クランプ回路12において、抵抗R25およびR
26は上記上限クランプ値VUを決定するための抵抗で
ある。上記抵抗R25とR26とは電源ラインVccと
アースとの間に直列に接続されている。上記抵抗R25
とR26との接続点13にはnpn型のトランジスタQ
21のベースが接続されている。該トランジスタQ21
は、そのコレクタが電源ラインVccに接続され、その
エミッタがpnp型のトランジスタQ22のエミッタに
接続されている。該トランジスタQ22は、そのベース
がpnp型のトランジスタQ23のベースおよびトラン
ジスタQ22のコレクタに接続され、該トランジスタQ
22のコレクタとアースとの間には抵抗R27が接続さ
れている。上記トランジスタQ23は、そのコレクタと
アースとの間に抵抗R28が接続され、そのエミッタが
npn型のトランジスタQ24のエミッタに接続されて
いる。該トランジスタQ24は、そのベースおよびコレ
クタが接続線14により上記出力端子9に接続されてい
る。
【0020】本発明の実施の形態1では、図3および図
4に示すように、半導体ダイヤフラム6の上に図2の増
幅回路5を形成し、その演算増幅器OP4の出力トラン
ジスタQ13のコレクタに接続された抵抗R24を半導
体ダイヤフラム6のダイヤフラム部分6aの上に形成す
るとともに、上限クランプ回路11のトランジスタQ2
4のコレクタと出力端子9との間の接続線14も半導体
ダイヤフラム6の上記ダイヤフラム部分6aの上に形成
するようにしている。上記半導体ダイヤフラム6は、四
角形状の半導体基板の中心から一定の半径を有する領域
の厚みを、その外側の部分よりも薄く形成し、ダイヤフ
ラム部分6aを形成したものである。上記半導体ダイヤ
フラム6にはまた、そのダイヤフラム部分6aの上に、
既に図1において説明した抵抗ブリッジ回路7の各辺の
抵抗R1〜R4が形成されている。
【0021】このような構成において、上記半導体ダイ
ヤフラム6のダイヤフラム部分6aにそれが破壊される
ことがない所定範囲内の圧力が印加されるノーマルモー
ドでは、上記ダイヤフラム部分6aに印加される圧力に
比例して、上記演算増幅器OP4の出力端子9から出力
する出力電圧Voutはリニアに上昇する。該出力電圧
Voutが上限クランプ回路11の上限クランプ電圧V
Uを規定する抵抗R25とR26との接続点13の電位
Vaに達すると、次に説明するように、上限クランプ回
路12のトランジスタQ24がオンし、上記出力電圧V
outは上記電位Vaにクランプされる。
【0022】上記上限クランプ回路12において、np
n型のトランジスタQ21のエミッタの電位はそのベー
スの電位Vaから該トランジスタQ21のベース・エミ
ッタ電圧(VBE)を引いた値(Va−VBE)に等しい。
一方、2つのpnp型のトランジスタQ22,Q23は
そのベースが互いに接続されているので、これらトラン
ジスタQ22およびトランジスタQ23のベース・エミ
ッタ電圧(VBE)が等しいときには、上記トランジスタ
Q22のエミッタの電位と上記トランジスタQ23のエ
ミッタの電位とは互いに等しい。また、上記トランジス
タQ23のエミッタとトランジスタQ24のエミッタと
は互いに接続されている。よって、上記トランジスタQ
24のエミッタの電位はトランジスタQ21のエミッタ
の電位に等しく(Va−VBE)である。したがって、上
記トランジスタQ22のベース・エミッタ電圧(VBE
が上記トランジスタQ23のベース・エミッタ電圧(V
BE)に等しいとき、上記演算増幅器OP4の出力電圧V
outが上記トランジスタQ21のベース電位Vaを越
えると、上記トランジスタQ24がオンする。これによ
り、上記演算増幅器OP4の出力電圧Voutは上記電
位Vaにクランプされることになる。
【0023】上記とは逆に、半導体ダイヤフラム6の上
記ダイヤフラム部分6aに印加される圧力が低下する
と、上記演算増幅器OP4の出力トランジスタQ13に
流れるコレクタ電流が増加し、それに応じて上記演算増
幅器OP4の出力端子9から出力する出力電圧はリニア
に低下する。上記圧力がさらに低下し、上記出力トラン
ジスタQ13が線形動作領域から飽和領域に入ると、上
記出力電圧Voutは下限クランプ回路11の抵抗R2
4に流れる電流と上記出力トランジスタQ13のコレク
タ飽和電圧(VCES)により決まる下限クランプ値VL
にクランプされる。
【0024】上記半導体ダイヤフラム6のダイヤフラム
部分6aにそれが耐えることができる限度を越える大き
い圧力が印加されて上記ダイヤフラム部分6aが破壊さ
れてフェイルモードとなり、その上に形成されている上
記演算増幅器OP4の出力トランジスタQ13の負荷抵
抗R24および上限クランプ回路12の接続線14が切
断されたとする。該接続線14の切断により、上記演算
増幅器OP4の出力電圧Voutに対して上限クランプ
回路12のクランプ機能が機能しなくなる。また、上記
出力トランジスタQ13の負荷抵抗R24の切断によ
り、出力端子9から見た外部のインピーダンスが無限大
の場合、演算増幅器OP4の出力電圧Voutは抵抗R
23により電源ラインVccの電圧(以下、電源電圧と
記す。)Vccとほぼ等しくなる。このとき、上記演算
増幅器OP4のフィードバック抵抗R18を上記抵抗R
23に対して十分大きく取っておけば、上記演算増幅器
OP4の出力電圧Voutは、上限クランプ値VUを越
える電位を保持しようとする。
【0025】このことを具体的に数値を挙げて説明する
と、例えば、上記フィードバック抵抗R18の抵抗値が
200kΩ、抵抗R23の抵抗値が5kΩ、電源電圧V
ccが5Vで、上記演算増幅器OP4の非反転入力端子
の電位が2.5Vの場合、上記出力電圧Voutは電源
電圧Vcc=5Vから上記抵抗R23およびフィードバ
ック抵抗R18を通り、上記演算増幅器OP4の反転入
力端子の電位が2.5Vとなるような電流により決ま
る。この場合、上記電流は(5−2.5)/(200×
103+5×103)≒12.2μAとなり、出力電圧V
outはVcc=5Vよりも5kΩ×12.2μA=6
1mV低下した、4.939Vとなる。したがって、上
限クランプ値VUが例えば4.5ボルトに設定されてい
るときに、上記演算増幅器OP4から該上限クランプ値
VUを越える上記出力電圧Voutが出力すると、半導
体ダイヤフラム6のダイヤフラム部分6aが破壊された
ことを知ることができる。
【0026】上記発明の実施の形態1では、図2の抵抗
R24と上限クランプ回路12の接続線14を半導体ダ
イヤフラム6のダイヤフラム部分6aに形成したが、図
2の上記抵抗R24と上限クランプ回路12の抵抗R2
6を上記半導体ダイヤフラム6のダイヤフラム部分6a
に形成するようにしてもよい。このようにすれば、上記
半導体ダイヤフラム6のダイヤフラム部分6aが破損
し、抵抗R24および抵抗R26が切断されると、上限
クランプ回路12の上限クランプ値VUが電源電圧Vc
cとなり、上限クランプ回路12が機能しなくなる。こ
れにより、上記接続線14の切断により上限クランプ回
路12が機能しなくなった場合と同様に、上記半導体ダ
イヤフラム6のダイヤフラム部分6aが破損し、抵抗R
24および抵抗R26が切断されると、上記演算増幅器
OP4の出力電圧Voutが上限クランプ値VUを越
え、それにより半導体ダイヤフラム6のダイヤフラム部
分6aが破壊されたことを知ることができる。
【0027】発明の実施の形態2 発明の実施の形態2にかかる圧力検出装置の最終段の増
幅回路5aを図5に示す。上記増幅回路5aは、図2に
おいて説明した発明の実施の形態1における増幅回路5
において、異常信号発生回路21と、該異常信号発生回
路21の出力によりオン、オフが制御されるnpn型の
トランジスタQ31およびnpn型のトランジスタQ3
2を設けたものである。上記異常信号発生回路21は、
フェイルモード時に、異常信号を上記トランジスタQ3
1およびQ32に供給し、トランジスタQ31により下
限クランプ回路11を構成している抵抗R24の両端を
短絡する一方、トランジスタQ32により抵抗R25の
両端を短絡して上限クランプ回路12の機能を停止させ
るようにしたものである。
【0028】上記トランジスタQ31は、そのエミッタ
が上記出力トランジスタQ13のコレクタに接続され、
そのコレクタが抵抗R23と抵抗R24との接続点8に
接続され、また、そのベースには上記異常信号発生回路
21から異常信号が供給される。いま一つの上記トラン
ジスタQ32は、そのエミッタが上記抵抗R25と抵抗
R26との接続点13に接続され、そのコレクタが上記
電源Vccに接続され、また、そのベースには上記異常
信号発生回路21から異常信号が供給される。なお、図
5において図2に対応する部分には対応する符号を付し
て示し、重複した説明は省略する。
【0029】上記異常信号発生回路21は、図6に示す
ように、コンパレータCP1と抵抗Ra,Rb,Rcお
よびRdから構成されている。上記コンパレータCP1
の非反転入力端子は、電源Vccとアースとの間に直列
に接続した抵抗Raと抵抗Rbとの接続点22に接続し
ている。また上記コンパレータCP1の反転入力端子
は、電源Vccとアースとの間に直列に接続した抵抗R
cと抵抗Rdとの接続点23に接続している。そして、
図7に示すように、図6の異常信号発生回路21の4つ
の抵抗Ra,Rb,Rc,Rdのうち、抵抗Rbを半導
体ダイヤフラム6のダイヤフラム部分6a上に形成して
いる。上記異常信号発生回路21において、上記コンパ
レータCP1の反転入力端子および非反転入力端子にそ
れぞれ供給される電圧をVbおよびVcとすると、これ
ら電圧VbおよびVcは、Vcc>Vb>Vcを満足す
るように、上記抵抗Ra,Rb,Rc,Rdの抵抗値が
設定される。なお、上記異常信号発生回路21のコンパ
レータCP1および抵抗Rc,Rdは、図7のように半
導体ダイヤフラム6の外に形成されていても、また、該
半導体ダイヤフラム6の上に形成されていてもよい。ま
た、図7では図示されていないが、半導体ダイヤフラム
6のダイヤフラム部分6a上には、図3の抵抗ブリッジ
回路7が形成される。
【0030】以上に説明した発明の実施の形態2におい
て、半導体ダイヤフラム6のダイヤフラム部分6aに通
常の圧力が印加され、上記圧力検出装置が正常に動作し
ているノーマルモードのときには、上記したVcc>V
b>Vcの関係により、上記異常信号発生回路21のコ
ンパレータCP1の出力は「L」である。したがって、
抵抗R24に接続されたトランジスタQ31および抵抗
R25に接続されたトランジスタQ32はいずれもオフ
である。よって、上記半導体ダイヤフラム6のダイヤフ
ラム部分6aにそれが破壊されることがない所定範囲内
の圧力が印加されるノーマルモードの場合の図5の増幅
回路5aは、発明の実施の形態1で説明した図2の増幅
回路5と全く同様の動作を行う。
【0031】上記半導体ダイヤフラム6のダイヤフラム
部分6aにそれが耐えることができる限度を越える大き
い圧力が印加されて上記ダイヤフラム部分6aが破壊さ
れてフェイルモードとなり、その上に形成されている上
記異常信号発生回路21の抵抗Rbが切断されたとす
る。該抵抗Rbの切断により、上記異常信号発生回路2
1のコンパレータCP1の非反転入力端子は抵抗Raを
介して電源電圧Vccに引き上げられ「H」となり、該
コンパレータCP1からは「H」が出力する。したがっ
て、抵抗R24に接続されたトランジスタQ31および
抵抗R25に接続されたトランジスタQ32はいずれも
オンとなる。
【0032】上記トランジスタQ31のオンにより抵抗
R24の両端が短絡され、増幅回路5aの出力電圧Vo
utに対して下限クランプ回路11のクランプ機能が解
除される。また、上記トランジスタQ32のオンによ
り、接続点13の電位Vaが電源電位Vccまで上昇
し、上記増幅回路5aの出力電圧Voutに対して上限
クランプ回路12のクランプ機能が解除される。
【0033】したがって、上記半導体ダイヤフラム6の
ダイヤフラム部分6aが破損し、異常信号発生装置21
の抵抗Rbが切断されると、下限クランプ回路11のク
ランプ機能および上限クランプ回路12のクランプ機能
が解除される。このように、上記異常信号発生回路21
の抵抗Rbが切断すると、上記増幅回路5aの出力電圧
Voutが上限クランプ値VUを越える値または下限ク
ランプ値VLよりも小さい値を取る。このときの上記増
幅回路5aの出力Voutから半導体ダイヤフラム6の
ダイヤフラム部分6aが破壊されたことを知ることがで
きる。
【0034】以上に説明した本発明の実施の形態2にお
いて、半導体ダイヤフラム6のダイヤフラム部分6aに
は、図8に示すように、図6の異常信号発生回路21の
抵抗Rcを形成するようにしてもよい。この場合も、上
記異常信号発生回路の抵抗Ra,Rb,Rc,Rdは、
Vcc>Vb>Vcの関係を満たすように設定される。
【0035】上記の場合には、上記半導体ダイヤフラム
6のダイヤフラム部分6aが破損し、異常信号発生装置
21の抵抗Rcが切断されると、該異常信号発生装置2
1のコンパレータCP1の出力が「L」から「H」に反
転し、該コンパレータCP1の出力に接続されている図
5のトランジスタQ31およびQ32がいずれもオンす
る。これにより、下限クランプ回路11のクランプ機能
および上限クランプ回路12のクランプ機能が解除さ
れ、上記増幅回路5aの出力電圧Voutが上限クラン
プ値VUを越える値または下限クランプ値VLよりも小
さい値を取ることができる。よって、このときの上記増
幅回路5aの出力Voutから半導体ダイヤフラム6の
ダイヤフラム部分6aが破壊されたことを知ることがで
きる。
【0036】図5の最終段の増幅回路5aにおいて、下
限クランプ回路11のクランプを解除するnpn型のト
ランジスタ31および上限クランプ回路12のクランプ
を解除するnpn型のトランジスタ32に代えて、図9
に示すように、pnp型のトランジスタQ41およびQ
42をそれぞれ用いることもできる。これらpnp型の
トランジスタQ41およびQ42をオン、オフさせる2
つの異常信号発生回路21aを図10および図11に示
す。
【0037】図10の異常信号発生回路21aではVc
c>Vb>Vcで、上記半導体ダイヤフラム6のダイヤ
フラム部分6aが破損し、異常信号発生装置21aの抵
抗Rbが切断されると、該異常信号発生装置21aのコ
ンパレータCP2の出力が「H」から「L」に反転し、
該コンパレータCP2の出力に接続されている図9の増
幅回路5bのトランジスタQ41およびQ42がいずれ
もオンする。これにより、下限クランプ回路11のクラ
ンプ機能および上限クランプ回路12のクランプ機能が
解除され、上記増幅回路5bの出力電圧Voutが下限
クランプ値VLよりも小さい値または上限クランプ値V
Uを越える値を取ることができる。このときの上記増幅
回路5bの出力Voutから半導体ダイヤフラム6のダ
イヤフラム部分6aが破壊されたことを知ることができ
る。
【0038】図11の異常信号発生回路21aではVc
c>Vb>Vcで、上記半導体ダイヤフラム6のダイヤ
フラム部分6aが破損し、異常信号発生装置21aの抵
抗Rcが切断されると、該異常信号発生装置21aのコ
ンパレータCP2の出力が「H」から「L」に反転し、
該コンパレータCP2の出力に接続されている図9の増
幅回路5bのトランジスタQ41およびQ42がいずれ
もオンする。これにより、下限クランプ回路11のクラ
ンプ機能および上限クランプ回路12のクランプ機能が
解除され、上記増幅回路5bの出力電圧Voutが下限
クランプ値VLよりも小さい値または上限クランプ値V
Uを越える値を取ることができる。このときの上記増幅
回路5bの出力Voutから半導体ダイヤフラム6が破
壊されたことを知ることができる。
【0039】発明の実施の形態3 発明の実施の形態3にかかる圧力検出装置の最終段の増
幅回路5cを図12に示す。上記増幅回路5cは図5に
おいて説明した発明の実施の形態2における増幅回路5
aにおいて、異常信号発生回路21に代えて、図13に
示す構成を有する異常信号発生回路21bを設けたもの
である。なお、図12において図5に対応する部分には
対応する符号を付して示し、重複した説明は省略する。
上記異常信号発生回路21cは、第1図により説明した
圧力検出装置の上記最終段の増幅回路5の前段の増幅回
路4の演算増幅器OP3の出力信号Vxが予め定められ
た範囲Va≧Vx≧Vbを外れたことを検出すると、最
終段の増幅回路5c(図12参照)の下限クランプ回路
11のクランプもしくは上限クランプ回路12のクラン
プの解除を指令するクランプ解除信号を出力する。
【0040】上記異常信号発生回路21bは、図13に
示すように、圧力検出装置の最終段の増幅回路5cの前
段の増幅回路4の演算増幅器OP3の出力信号Vxが入
力する2つのコンパレータCP3,CP4および抵抗R
p,Rq,Rrからなる。上記コンパレータCP3はそ
の非反転入力端子が上記演算増幅器OP3の出力端子に
接続され、その反転入力端子が電源ラインVccとアー
スとの間に直列に接続された上記抵抗Rp,Rq,Rr
のうちの抵抗Rpと抵抗Rqとの接続点31に接続され
ている。いま一つのコンパレータCP4はその反転入力
端子が上記演算増幅器OP3の出力端子に接続され、そ
の非反転入力端子が上記抵抗Rqと抵抗Rrとの接続点
32に接続されている。
【0041】このような構成において、図1の半導体ダ
イヤフラム6のダイヤフラム部分6aにそれが耐えるこ
とができる限度内の圧力が印加されており、図13に示
す増幅回路4の上記出力信号VxがVa≧Vx≧Vbの
ときは、上記コンパレータCP3の出力Aおよびコンパ
レータCP4の出力Bはいずれも「L」である。これに
より、図12のnpn型のトランジスタQ51およびQ
52はいずれもオフである。したがって、図12の最終
段の増幅回路5cは、下限クランプ回路11および上限
クランプ回路12の機能が停止することはなく、通常の
動作を行なう。
【0042】一方、図1の半導体ダイヤフラム6のダイ
ヤフラム部分6aにそれが耐えることができる限度を越
える大きい圧力が印加され、上記ダイヤフラム部分6a
が破壊されてフェイルモードとなったとき、図13の増
幅回路4の出力VxがVx>Vaとなった場合には、コ
ンパレータCP3の出力Aが「H」となり、コンパレー
タCP4出力Bが「L」となる。これにより、図12の
増幅回路5cのnpn型のトランジスタQ51がオンし
て下限クランプ回路11の機能が解除されるが、npn
型のトランジスタQ52はオフであるから上限クランプ
回路12の機能は解除されない。しかしながら、最終段
の増幅回路5cは反転増幅器の構成を有しているので、
最終段の増幅回路5cの出力Voutは上記のように前
段の増幅回路4の出力VxがVx>Vaとなると下限ク
ランプ値VLを越えて低下することになる。したがっ
て、このときの上記増幅回路5cの出力Voutから半
導体ダイヤフラム6が破壊されたことを知ることができ
る。
【0043】上記フェイルモードにおいて、最終段の増
幅回路5cの前段の増幅回路4の出力VxがVb>Vx
となった場合には、上記とは逆に、コンパレータCP3
の出力Aが「L」となり、コンパレータCP4の出力B
が「H」となる。これにより、図12のnpn型のトラ
ンジスタQ52がオンして上限クランプ回路12の機能
は解除されるが、npn型のトランジスタQ51はオフ
であるから下限クランプ回路11の機能は解除されな
い。しかし、上記したように、最終段の増幅回路5cは
反転増幅器の構成を有しているので、上記のように前段
の増幅回路5cの出力VxがVb>Vxとなると、最終
段の増幅回路5cの出力Voutは上限クランプ値VU
を越えて上昇することになる。したがって、このときの
上記増幅回路5cの出力Voutから半導体ダイヤフラ
ム6が破壊されたことを知ることができる。
【0044】以上に説明した本発明の実施の形態3にか
かる図12の最終段の増幅回路5cでは、下限クランプ
回路11の機能を停止させるトランジスタQ51および
上限クランプ回路12の機能を停止させるトランジスタ
Q52はnpn型のものを用いたが、これらnpn型の
トランジスタQ51およびQ52に代えて、図14に示
すように、pnp型のトランジスタQ61およびQ62
を使用することもできる。この場合、異常信号発生回路
21cは、図15に示すように、最終段の増幅回路5d
の前段の増幅回路4の出力端子がコンパレータCP5の
反転入力端子およびいま一つのコンパレータCP6の非
反転入力端子に接続される。また、上記コンパレータC
P5の非反転入力端子は抵抗RpとRqとの接続点31
に接続され、上記コンパレータCP6の反転入力端子は
抵抗RqとRrとの接続点32に接続される。
【0045】図14の増幅回路5dでは、図1の半導体
ダイヤフラム6のダイヤフラム部分6aにそれが耐える
ことができる限度内の圧力が印加されており、上記前段
の増幅回路4の出力VxがVa≧Vx≧Vbのときは、
コンパレータCP5の出力AおよびコンパレータCP6
の出力Bはいずれも「H」である。このときは、図14
のpnp型のトランジスタQ61およびQ62はいずれ
もオフである。したがって、図14の最終段の増幅回路
5dは、下限クランプ回路11および上限クランプ回路
12の機能が停止することはなく、通常の動作を行な
う。
【0046】図1の半導体ダイヤフラム6のダイヤフラ
ム部分6aにそれが耐えることができる限度を越える大
きい圧力が印加されて上記ダイヤフラム部分6aが破壊
されてフェイルモードとなったとき、最終段の増幅回路
5dの前段の増幅回路4の出力VxがVx>Vaとなっ
た場合には、コンパレータCP5の出力Aが「L」とな
り、コンパレータCP6の出力Bが「H」となる。これ
により、図14の増幅回路5dのpnp型のトランジス
タQ61がオンして下限クランプ回路11の機能が解除
されるが、pnp型のトランジスタQ62はオフである
から上限クランプ回路12の機能は解除されない。しか
しながら、最終段の増幅回路5dは反転増幅器の構成を
有しているので、最終段の増幅回路5dの出力Vout
は上記のように前段の増幅回路4の出力VxがVx>V
aとなると下限クランプ値VLを越えて低下することに
なる。したがって、このときの上記増幅回路5dの出力
Voutから半導体ダイヤフラム6のダイヤフラム部分
6aが破壊されたことを知ることができる。
【0047】上記フェイルモードにおいて、最終段の増
幅回路5dの前段の増幅回路4の出力VxがVb>Vx
となった場合には、上記とは逆に、コンパレータCP5
の出力Aが「H」となり、コンパレータCP6の出力B
が「L」となる。これにより、図14のpnp型のトラ
ンジスタQ62がオンして上限クランプ回路12の機能
が解除されるが、pnp型のトランジスタQ61はオフ
であるから下限クランプ回路11の機能は解除されな
い。しかし、上記したように、最終段の増幅回路5dは
反転増幅器の構成を有しているので、上記のように前段
の増幅回路4の出力VxがVb>Vxとなると、最終段
の増幅回路5dの出力Voutは上限クランプ値VUを
越えて上昇することになる。したがって、このときの増
幅回路5dの出力Voutから半導体ダイヤフラム6の
ダイヤフラム部分6aが破壊されたことを知ることがで
きる。
【0048】発明の実施の形態4 以上に説明した発明の実施の形態1ないし3において説
明した各圧力検出装置は、図3および図4に2点鎖線で
示すように、半導体ダイヤフラム6のダイヤフラム部分
6a上に、加速度を検知する質量Mを配置することによ
り、加速度を検出することができる。
【0049】
【発明の効果】この発明は、以上に説明したように構成
されているので、以下に説明するような効果を奏する。
【0050】請求項1にかかる発明によれば、異常発生
時に圧力検出部に予め定められた値を越える圧力が印加
されてフェイルモードとなると、最終段の増幅手段のク
ランプが解除されるので、そのときの最終段の増幅手段
の出力からフェイルモードとなったことを知ることがで
きる。
【0051】また、請求項2にかかる発明によれば、異
常発生時に圧力検出部が破壊されてクランプ手段の一部
が切断されて最終段の増幅手段のクランプが解除される
ので、請求項1にかかる発明の効果に加えて、圧力検出
部の破壊からフェイルモードを確実に知ることができ
る。
【0052】さらにまた、請求項3にかかる発明によれ
ば、異常発生時に半導体ダイヤフラムが破壊されると、
その上に形成されたクランプ手段の一部が切断されて最
終段の増幅手段のクランプが解除されるので、請求項2
にかかる発明の効果に加えて、半導体ダイヤフラムの破
壊からフェイルモードを確実に知ることができる。
【0053】さらに、請求項4にかかる発明によれば、
異常発生時に異常発生検出手段からクランプ解除信号が
クランプ手段に供給されるので、請求項1にかかる発明
の効果に加えて、異常発生検出手段をクランプ回路とは
別に配置することができるので、圧力検出装置の設計の
自由度が高くなる。
【0054】さらにまた、請求項5にかかる発明によれ
ば、コンパレータに供給される比較電圧を供給する抵抗
回路の一部を圧力検出部の外側に設けて比較電圧を自由
に設定できるので、請求項4にかかる発明の効果に加え
て、圧力検出装置の設計の自由度がより高くなるばかり
でなく、ユーザ側で圧力検出装置を設置する対象物に対
応して比較電圧を自由に設定できる。
【0055】さらにまた、請求項6にかかる発明によれ
ば、半導体ダイヤフラムに異常な圧力が印加されて破壊
されるとその上に形成されている抵抗回路の抵抗が切断
されるので、請求項5にかかる発明の効果に加えて、半
導体ダイヤフラムの破壊により確実にフェイルモードと
なったことを知ることができる。
【0056】さらにまた、請求項7にかかる発明によれ
ば、異常発生検出手段が最終段の増幅手段の前段の増幅
手段の出力信号により上記異常発生を検出し、上記クラ
ンプ手段にクランプ解除信号を供給するようにしたの
で、請求項4にかかる発明の効果に加えて、圧力検出部
にその破壊を検出するために異常発生検出手段の回路の
一部を形成する必要がなく、圧力検出装置の設計の自由
度がさらに高くなる。
【0057】さらにまた、請求項8にかかる発明によれ
ば、圧力検出部に印加される圧力が加速度に基づく圧力
であり、加速度が規定の値を越えると圧力検出部が破壊
されるので、規定の大きさを越える加速度の印加による
フェイルモードを検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1にかかる圧力検出装置
の全体構成を示す回路図である。
【図2】 本発明の実施の形態1にかかる図1の圧力検
出装置の最終段の増幅回路の具体的な回路図である。
【図3】 図1の圧力検出部を構成している半導体ダイ
ヤフラムの平面図である。
【図4】 図3の半導体ダイヤフラムの厚み方向の断面
図である。
【図5】 本発明の実施の形態2にかかる圧力検出装置
の最終段の増幅回路の具体的な回路図である。
【図6】 図5の増幅回路の下限クランプ回路および上
限クランプ回路に異常信号を供給する異常信号発生回路
の具体的な回路図である。
【図7】 半導体ダイヤフラムとその上に形成される図
6の異常信号発生回路の抵抗の一つの例を示す説明図で
ある。
【図8】 半導体ダイヤフラムとその上に形成される図
6の異常信号発生回路の抵抗のいま一つの例を示す説明
図である。
【図9】 本発明の実施の形態2にかかる圧力検出装置
のいま一つの最終段の増幅回路の具体的な回路図であ
る。
【図10】 半導体ダイヤフラムとその上に形成される
図9の異常信号発生回路の抵抗の一つの例を示す説明図
である。
【図11】 半導体ダイヤフラムとその上に形成される
図9の異常信号発生回路の抵抗のいま一つの例を示す説
明図である。
【図12】 本発明の実施の形態3にかかる圧力検出装
置の最終段の増幅回路の具体的な回路図である。
【図13】 図12の増幅回路の下限クランプ回路およ
び上限クランプ回路に異常信号を供給する異常信号発生
回路の具体的な回路図である。
【図14】 本発明の実施の形態3にかかる圧力検出装
置のいま一つの最終段の増幅回路の具体的な回路図であ
る。
【図15】 図14の増幅回路の下限クランプ回路およ
び上限クランプ回路に異常信号を供給する異常信号発生
回路の具体的な回路図である。
【符号の説明】
1 圧力センサ、2〜5 増幅回路、5a〜5d 増幅
回路、6 半導体ダイヤフラム、6a ダイヤフラム部
分、7 抵抗ブリッジ回路、8 接続点、9 出力端
子、11 下限クランプ回路、12 上限クランプ回
路、13 接続点、14 接続線、21 異常信号発生
回路、21a〜21c 異常信号発生回路、22,23
接続点、31,32 接続点、OP4 演算増幅器、
Q1〜Q13 トランジスタ、Q21〜Q24 トラン
ジスタ、Q31,Q32 トランジスタ、Q41,Q4
2 トランジスタ、Q51,Q52 トランジスタ、Q
61,Q62 トランジスタ、R24〜R26 抵抗、
M 質量

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 圧力検出部に印加されている圧力を検出
    して増幅手段により増幅し、最終段の増幅手段から出力
    する出力信号が予め定めた上限値と下限値との間を外れ
    たときに、上記圧力信号を上限値または下限値にクラン
    プするクランプ手段を備えた圧力検出装置において、 上記圧力検出部に予め定められた値を越える圧力が印加
    されてフェイルモードとなる異常発生時に上記クランプ
    手段のクランプを解除するようにしたことを特徴とする
    圧力検出装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の圧力検出装置におい
    て、上記クランプ手段の一部が上記圧力検出部に形成さ
    れ、上記異常発生時にクランプ手段の一部を切断して上
    記クランプを解除するようにしたことを特徴とする圧力
    検出装置。
  3. 【請求項3】 請求項2に記載の圧力検出装置におい
    て、上記圧力検出部が半導体ダイヤフラムであり、異常
    発生時に該半導体ダイヤフラムが破壊されて上記クラン
    プが解除されることを特徴とする圧力検出装置。
  4. 【請求項4】 請求項1に記載の圧力検出装置におい
    て、上記異常発生を検出する異常発生検出手段を備え、
    異常発生時に該異常発生検出手段から出力するクランプ
    解除信号を上記クランプ手段に供給するようにしたこと
    を特徴とする圧力検出装置。
  5. 【請求項5】 請求項4に記載の圧力検出装置におい
    て、上記異常発生検出手段が上記異常発生時に切断され
    る抵抗を有する抵抗回路と該抵抗回路より比較電圧が供
    給されるコンパレータにより構成されていることを特徴
    とする圧力検出装置。
  6. 【請求項6】 請求項5に記載の圧力検出装置におい
    て、上記抵抗回路が半導体ダイヤフラム上に形成されて
    いることを特徴とする圧力検出装置。
  7. 【請求項7】 請求項4に記載の圧力検出装置におい
    て、上記異常発生検出手段が最終段の増幅手段の前段の
    増幅手段の出力信号により上記異常発生を検出し、上記
    クランプ手段にクランプ解除信号を供給するようにした
    ことを特徴とする圧力検出装置。
  8. 【請求項8】 請求項1から7のいずれか一に記載の圧
    力検出装置において、圧力検出部に印加される圧力が加
    速度に基づく圧力であることを特徴とする圧力検出装
    置。
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