JP2002176327A - センサの過剰な負のオフセットを検出するための方法および装置 - Google Patents

センサの過剰な負のオフセットを検出するための方法および装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 センサの過剰な負のオフセットシフトを検出
すること。 【解決手段】 好ましくは、利得およびオフセットの双
方に対して信号を補償した後にセンサの出力信号を取り
込み、信号(VX)と得ることのできない刺激入力状態
を示すように選択された基準電圧(VREF1)とを比較
し、補償される信号が基準電圧を越えた時に補償される
信号を障害レベルまでドライブすることにより、状態に
応答自在なセンサ、例えば圧力に応答自在なフルホイー
トストーンブリッジ要素(10)およびこれに連動する
回路の過剰な負のオフセットを検出する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、センサ信号、特に
信号が条件化されたセンサ信号の過剰な負のオフセット
シフトを検出することに、一般に関する。
【0002】
【従来の技術】センサ出力を解釈するシステム(以下、
本明細書では単にシステムと称する)は、下記の場合の
一方または双方により、センサの出力オフセット(最小
刺激入力でのセンサ出力)が許容できる量よりも大き
く、負方向にシフトした場合、これを検出できないこと
が多い。
【0003】1.シフトされたセンサ出力がシステムの
入力レンジから外れた場合 2.センサが出力を所定レベルよりも低くクランプし、
実際の負のオフセットシフトをマスクした場合
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術の上記問題を克服したセンサを提供することにあ
る。本発明の別の目的は、負のオフセットシフトを感度
良く検出し、センサの障害を表示するシステムによりセ
ンサ出力を発生するための方法および装置を提供するこ
とにある。更に別の目的は、センサ自体のドリフトまた
は関連する回路の補償のドリフトのいずれかに起因す
る、オフセットシフトを検出する、かかる方法および装
置を提供することにある。本発明の別の目的は、ピエゾ
抵抗性ホイートストーンセンサ出力の負のオフセットシ
フトを検出可能に検出し、障害を表示するシステムによ
りセンサ出力を発生するための方法および装置を提供す
ることにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明を要約すれば、障
害状態を判断するため、信号条件化回路内のオフセット
補償信号は不感刺激入力条件に基づく基準電圧と比較さ
れる。障害状態が生じた場合、システムが障害であると
判断した出力レベルまで出力信号をドライブする。セン
サの電子部品はオフセットおよび利得補償を行う信号条
件化回路を有するASIC(アプリケーション特定集積
回路)に結合された検出要素を含む。
【0006】障害状態の比較に先立ち、利得を補償する
必要はないが、ASICの公差によるオフセットと利得
の補償された信号(ASIC利得の変化はオフセットに
影響を与え得る)双方に基づいて比較を行うことによ
り、より優れた負のオフセットドリフト検出感度を得る
ことができる。
【0007】図面を参照した詳細な説明である、本発明
の好ましい実施例の次の説明から、本発明の新規かつ改
良された装置および方法の上記以外の目的、利点および
細部が明らかとなる。
【0008】
【発明の実施の形態】図1には、一実施例を示す簡略化
された回路図が示されている。本発明を実施した、圧力
刺激を検出するのに使用するある種の検出要素として、
フルホイートストーンブリッジ10が示されている。こ
のブリッジ10はハーフブリッジ内のピエゾ抵抗性抵抗
器R1、R2と、他方のハーフブリッジ内の抵抗器R
3、R4とを含む。フルホイートストーンブリッジは2
つのハーフブリッジが並列接続されたものであり、この
ブリッジは電源VBRGとアースRTNとの間に接続され
ており、第1出力端INPと第2出力端INMとを有す
る。これら出力端INP、INMはオフセットと利得補
償を行う信号条件化回路を有するASICへの入力端と
して働く。図1に示されるように、ASICの入力端I
NP、INMは、粗調節部12aと、オフセット微調節
部12bと、アナログアース12cとを有する従来のオ
フセット補償部分12に接続されている。このオフセッ
ト補償部分12の出力端14は利得粗設定部16aと、
利得微設定部16bと、アナログアース16cとを有す
る従来の利得補償部分16に接続されている。
【0009】利得補償部分16の出力端VXは選択され
た基準電圧VREF1に接続されており、比較器Q1の出力
端は制御可能なスイッチFET M1に接続されてい
る。補償された信号VXは抵抗器R5にも送られ、次に
抵抗器R5は増幅器Q2への負の入力端にも直列に接続
されている。増幅器Q2の正の入力端は所定の基準電圧
REF2に接続されており、増幅器の出力信号はフィード
バック抵抗器R6を介して増幅器の負の入力端にフィー
ドバックされるようになっている。スイッチM1の出力
端は増幅器Q2の負の入力端に接続されている。
【0010】図示された回路では、最小入力刺激で、補
償により信号VXはアナログアース電圧に等しくなる。
Xの電圧とVREF1の電圧との比較によって障害状態を
判断する。基準電圧VREF1は(図示された回路におけ
る)アナログ電圧に公差項デルタΔを加えた値に等し
い。図示された回路において、電圧VXがスレッショル
ド値VREF1を越えた場合、Q1の出力は論理「1」とな
り、これによって制御可能なスイッチFET M1がオ
ンとなる。次に、このオンにより増幅器Q2への負の入
力端をプルダウンし、よってQ2はセンサ出力を高電源
レール電圧VPWRまでドライブさせる。厄介な障害のレ
ポートをすることなく検出感度を最大にするには、公差
項デルタΔをできるだけ小さくしなければならない。1
つの特定の実施例について示したが、本発明は初期のオ
フセット補正された信号と電源レール電圧との間の基準
電圧とオフセット補正された信号との電圧比較を可能に
するのに、電源レール内の十分大きい、オフセットのト
リミング後の電圧にアクセスする、センサ条件化回路に
関するものである。
【0011】図2におけるプロットライン「a」は、刺
激に応答自在なセンサの最大刺激感度を示し、一方、プ
ロットライン「c」は、最小刺激感度を示す。ライン
「d」は実際の最小刺激を示す。ゼロ刺激時における、
最大刺激オフセットの出力は「e」として示されてお
り、最小刺激出力における出力は「f」として示されて
いる。出力「g」および「h」は、厄介な障害を防止す
ると共に、製造公差に起因して必要とされる最大および
最小検出スレッショルドを得るように選択された、最大
および最小過剰オフセットシフト検出スレッショルドを
示す。
【0012】これまでの説明に従って製造された回路の
一例は、0.70Vpwrに等しいアナログアース電圧
を使用する。出力ステージの反転入力信号として働く、
一部が条件化された信号は、ゼロ刺激時においてオフセ
ットおよび利得補償後のアナログアースに公称上等しく
なる。{0.70Vpwr−0.05Vpwr/出力ス
テージ電圧利得}よりも大きい信号スレッショルドを出
力ステージの反転入力端に有する障害検出回路は、セン
サ較正の後でゼロ刺激時の公称出力よりも公称上5%低
い信号の検出を行う。代表的な応用例は、5.0Vに等
しいVpwrおよび−1.5V/Vの出力ステージの電
圧利得を前提とした場合、3.667Vの障害スレッシ
ョルドに10mVの製造公差を加えた値に設定できる。
【0013】オフセットおよび利得の補償によって、電
子回路のふるまいの内部レンジを定めることができ、こ
の結果、条件化信号の既知の傾きおよびオフセットが得
られ、圧力検出の応用例と組み合わせて、得ることので
きない圧力である、絶対ゼロ圧力を示すための基準電圧
を選択する。
【0014】出力は所定の要素、例えば電源電圧および
外部負荷ドライブ能力によって制限されているので、出
力前で電圧VXとVREF1との比較を行うことに留意すべ
きである。
【0015】本発明によって検出できる障害として、検
出要素の電気的パラメータ、例えば0.05Vpwr/
出力ステージ電圧利得を検出することに関連する補償だ
けでなく、条件化電子回路における障害も挙げることが
できる。
【0016】本発明は、圧力の他の種々の刺激、例えば
加速度に応答自在なセンサと共に使用でき、更に本発明
は、特許請求の範囲内にある上記実施例のすべての変形
例および均等物を含むことが理解できよう。
【図面の簡単な説明】
【図1】所定の信号条件化電子回路が示されているAS
ICおよび過剰な負のオフセットシフトを検出する回路
に結合されたホイートストーンブリッジ検出要素の略図
であり、このフルホイートストーンブリッジ検出要素の
出力信号はASICへの入力信号であり、ASICは入
力刺激に対し特定の出力関係を有する出力信号を発生す
るよう、オフセット補償および利得補償を行うようにな
っている。
【図2】出力と刺激(例えば圧力)との関係を示すグラ
フであり、出力変化と刺激との関係だけでなく、過剰負
オフセットシフト検出回路の変化も示す。
【符号の説明】
10 ホイートストーンブリッジ 12 オフセット補償部分 12a オフセット粗調節部 12b オフセット微調節部 12c アナログアース 14 出力 16 利得補償部分 16a 利得粗設定部 16b 利得微設定部 16c アナログアース R1〜R6 抵抗器 Q1 比較器 Q2 増幅器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F055 AA40 BB20 CC60 DD20 EE11 FF13 FF18 GG33 GG34 2F075 AA06 EE01 FF07 2F076 AA03 AA18 5J091 AA01 CA13 FA17 HA09 HA25 HA39 HA42 KA17 MA09 MA11 SA15 TA01 TA02

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 正および負の電源接続部、出力ノードお
    よび検出要素への接続部を含み、条件化回路を有する検
    出要素を備え、オフセット信号の補償を行うことができ
    る、センサの過剰な負のオフセットを検出するための装
    置において、 正および負の入力端および出力端を有する第1比較器
    と、 比較器の正の入力端および比較器の負の入力端に接続さ
    れた第1基準電圧に接続されているオフセットおよび利
    得補償回路によって補償された信号であって、第2比較
    器の負の入力端に接続されている抵抗器へ送られる信号
    と、 第2比較器の出力端に入力端が接続されている制御可能
    なスイッチとを備え、 前記第2比較器の正の入力端が第2基準電圧およびフィ
    ードバック抵抗器に接続されており、フィードバック抵
    抗器が第2比較器の出力端とその第2比較器の負の出力
    端との間に接続されている、センサの過剰な負のオフセ
    ットを検出するための装置。
  2. 【請求項2】 前記検出要素がピエゾ抵抗性抵抗器を含
    む、請求項1記載の装置。
  3. 【請求項3】 前記検出要素がフルホイートストーンブ
    リッジを含む、請求項1記載の装置。
  4. 【請求項4】 前記検出要素が圧力に応答自在であり、
    絶対ゼロ圧力を表示する出力信号を発生するよう、前記
    第1基準電圧が選択されている、請求項1記載の装置。
  5. 【請求項5】 前記制御自在なスイッチがFETであ
    る、請求項1記載の装置。
  6. 【請求項6】 検出要素と、正および負の電源接続部を
    備えた信号条件化回路と、前記検出要素への少なくとも
    1つの出力ノードおよび接続部と、補償された検出要素
    の信号と電圧基準信号とを比較するための比較回路とを
    備え、該比較回路の特定の出力極性に対して障害状態を
    表示するセンサ出力を発生するようになっている、セン
    サの過剰な負のオフセットを検出するための装置。
  7. 【請求項7】 利得およびオフセットに関し、信号を補
    償する工程と、 補償センサ信号と得ることのできない状態を示すように
    選択された基準電圧とを比較する工程と、 補償される電圧が基準電圧を越えた時に、補償される信
    号を選択された障害レベルまでドライブする工程とを備
    えた、状態に応答自在なセンサ信号の過剰な負のオフセ
    ットを検出するための方法。
  8. 【請求項8】 前記状態に応答自在なセンサが圧力に応
    答自在であり、絶対ゼロの検出された圧力を示すよう、
    基準電圧を選択する、請求項7記載の方法。
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