JPH09205122A - 半導体装置の解析方法および解析装置 - Google Patents
半導体装置の解析方法および解析装置Info
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- JPH09205122A JPH09205122A JP1245596A JP1245596A JPH09205122A JP H09205122 A JPH09205122 A JP H09205122A JP 1245596 A JP1245596 A JP 1245596A JP 1245596 A JP1245596 A JP 1245596A JP H09205122 A JPH09205122 A JP H09205122A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の異素材，同素材，拡散層の境界
を、安全に再現性良く明確化し、走査型電子顕微鏡で容
易に不良解析することができる。 【解決手段】 解析断面を切り出した半導体装置Ｐを解
析装置内に設置し、半導体装置Ｐの解析断面をプラズマ
エッチングし、半導体装置Ｐを解析装置から取り出し走
査型電子顕微鏡にて解析断面を解析する。解析装置は、
エッチングチャンバ１０と、エッチングチャンバ１０内
に取り出し可能に設けられ半導体装置Ｐを支持する半導
体支持治具２１と、エッチングチャンバに接続したガス
排気ライン１５，ガス導入ライン１６と、ガス導入ライ
ン１６に接続したエッチングガスボンベ１８，１９，２
０と、エッチングチャンバ１０に設置し高周波電源１４
を接続した電極１１，１２からなる。
を、安全に再現性良く明確化し、走査型電子顕微鏡で容
易に不良解析することができる。 【解決手段】 解析断面を切り出した半導体装置Ｐを解
析装置内に設置し、半導体装置Ｐの解析断面をプラズマ
エッチングし、半導体装置Ｐを解析装置から取り出し走
査型電子顕微鏡にて解析断面を解析する。解析装置は、
エッチングチャンバ１０と、エッチングチャンバ１０内
に取り出し可能に設けられ半導体装置Ｐを支持する半導
体支持治具２１と、エッチングチャンバに接続したガス
排気ライン１５，ガス導入ライン１６と、ガス導入ライ
ン１６に接続したエッチングガスボンベ１８，１９，２
０と、エッチングチャンバ１０に設置し高周波電源１４
を接続した電極１１，１２からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の解
析方法および解析装置に関するものである。
析方法および解析装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の微細化，高集積化に
伴いパターンルールが微細になり、不良解析も走査型電
子顕微鏡等を用いるようになっている。しかしながら、
半導体装置の素子構成も複雑化し、走査型電子顕微鏡等
でも不良解析が難しくなってきている。
伴いパターンルールが微細になり、不良解析も走査型電
子顕微鏡等を用いるようになっている。しかしながら、
半導体装置の素子構成も複雑化し、走査型電子顕微鏡等
でも不良解析が難しくなってきている。
【０００３】以下、図３を参照しながら、従来の半導体
装置の解析方法の一例について説明する。図３は、解析
試料Ｐである自己整合型のバイポーラトランジスタのベ
ース，エミッタ領域の構造断面図である。図３におい
て、３０はエピタキシャル基板、３１は第１のシリコン
酸化膜、３２は第２のシリコン酸化膜、３３は第３のシ
リコン酸化膜、３４は第１の多結晶シリコン膜、３５は
第２の多結晶シリコン膜、３６は第３の多結晶シリコン
膜、３７はシリコン窒化膜、３８はエピタキシャル基板
３０と第３の多結晶シリコン膜３６の界面、３９はエピ
タキシャル基板３０と第１の多結晶シリコン膜３４の界
面、４０は拡散層である。
装置の解析方法の一例について説明する。図３は、解析
試料Ｐである自己整合型のバイポーラトランジスタのベ
ース，エミッタ領域の構造断面図である。図３におい
て、３０はエピタキシャル基板、３１は第１のシリコン
酸化膜、３２は第２のシリコン酸化膜、３３は第３のシ
リコン酸化膜、３４は第１の多結晶シリコン膜、３５は
第２の多結晶シリコン膜、３６は第３の多結晶シリコン
膜、３７はシリコン窒化膜、３８はエピタキシャル基板
３０と第３の多結晶シリコン膜３６の界面、３９はエピ
タキシャル基板３０と第１の多結晶シリコン膜３４の界
面、４０は拡散層である。
【０００４】つぎに、弗酸と水と硝酸を容積比３：８
０：２００の割合で混合する。混合した薬液で解析を実
施する試料Ｐを処理し、断面を走査型電子顕微鏡で観察
する。混合した薬液では、第１の多結晶シリコン膜３
４，第２の多結晶シリコン膜３５，第３の多結晶シリコ
ン膜３６とエピタキシャル基板３０がエッチングされ、
第１のシリコン酸化膜３１と第１の多結晶シリコン膜３
４の境界、第２のシリコン酸化膜３２と第１の多結晶シ
リコン膜３４の境界、第２の多結晶シリコン膜３５とシ
リコン窒化膜３７との境界が明確化され、素子の断面形
状から不良解析等ができる。
０：２００の割合で混合する。混合した薬液で解析を実
施する試料Ｐを処理し、断面を走査型電子顕微鏡で観察
する。混合した薬液では、第１の多結晶シリコン膜３
４，第２の多結晶シリコン膜３５，第３の多結晶シリコ
ン膜３６とエピタキシャル基板３０がエッチングされ、
第１のシリコン酸化膜３１と第１の多結晶シリコン膜３
４の境界、第２のシリコン酸化膜３２と第１の多結晶シ
リコン膜３４の境界、第２の多結晶シリコン膜３５とシ
リコン窒化膜３７との境界が明確化され、素子の断面形
状から不良解析等ができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の方法では、エッチングの反応が酸化・還元反応である
ため、断面の第１のシリコン酸化膜３１と第１の多結晶
シリコン膜３４、第２のシリコン酸化膜３２と第１の多
結晶シリコン膜３４、第２の多結晶シリコン膜３５とシ
リコン窒化膜３７の面積差で電子のやりとりに差が生
じ、エッチングの状態が変化し、再現性に乏しかった。
の方法では、エッチングの反応が酸化・還元反応である
ため、断面の第１のシリコン酸化膜３１と第１の多結晶
シリコン膜３４、第２のシリコン酸化膜３２と第１の多
結晶シリコン膜３４、第２の多結晶シリコン膜３５とシ
リコン窒化膜３７の面積差で電子のやりとりに差が生
じ、エッチングの状態が変化し、再現性に乏しかった。
【０００６】また、同素材であれば同じようにエッチン
グされるため、エピタキシャル基板３０と第１の多結晶
シリコン膜３４の界面３９、エピタキシャル基板３０と
第３の多結晶シリコン膜３６の界面３８が明確化され
ず、同素材の境界状態を解析するのは不可能であるとい
う問題点を有していた。さらに、エッチング液に強酸を
使用するため危険であり、作業の安全性に乏しいという
問題点も有していた。
グされるため、エピタキシャル基板３０と第１の多結晶
シリコン膜３４の界面３９、エピタキシャル基板３０と
第３の多結晶シリコン膜３６の界面３８が明確化され
ず、同素材の境界状態を解析するのは不可能であるとい
う問題点を有していた。さらに、エッチング液に強酸を
使用するため危険であり、作業の安全性に乏しいという
問題点も有していた。
【０００７】上記課題に鑑み、この発明の目的は、半導
体装置の異素材，同素材，拡散層の境界を、安全に再現
性良く明確化し、走査型電子顕微鏡で容易に不良解析の
できる半導体装置の解析方法および解析装置を提供する
ものである。
体装置の異素材，同素材，拡散層の境界を、安全に再現
性良く明確化し、走査型電子顕微鏡で容易に不良解析の
できる半導体装置の解析方法および解析装置を提供する
ものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体装
置の解析方法は、解析断面を切り出した半導体装置をプ
ラズマエッチング装置内に設置し、半導体装置の解析断
面をプラズマエッチングし、半導体装置をプラズマエッ
チング装置から取り出し走査型電子顕微鏡にて解析断面
を解析するものである。
置の解析方法は、解析断面を切り出した半導体装置をプ
ラズマエッチング装置内に設置し、半導体装置の解析断
面をプラズマエッチングし、半導体装置をプラズマエッ
チング装置から取り出し走査型電子顕微鏡にて解析断面
を解析するものである。
【０００９】請求項２記載の半導体装置の解析方法は、
請求項１において、エッチングガスに、フロン系ガス
と、酸素ガスあるいは窒素ガスとの混合ガスを用いるも
のである。請求項３記載の解析装置は、請求項１または
請求項２記載の半導体装置の解析方法で用いる解析装置
であって、エッチングチャンバと、このエッチングチャ
ンバ内に取り出し可能に設けられ半導体装置を支持する
半導体支持治具と、エッチングチャンバに接続されエッ
チングチャンバ内のガスを排気するガス排気ラインと、
エッチングチャンバに接続されエッチングチャンバ内に
エッチングガスを導入するガス導入ラインと、ガス導入
ラインに接続したエッチングガスボンベと、エッチング
チャンバに設置した一対の電極と、この一対の電極に接
続した高周波電源とを備えたものである。
請求項１において、エッチングガスに、フロン系ガス
と、酸素ガスあるいは窒素ガスとの混合ガスを用いるも
のである。請求項３記載の解析装置は、請求項１または
請求項２記載の半導体装置の解析方法で用いる解析装置
であって、エッチングチャンバと、このエッチングチャ
ンバ内に取り出し可能に設けられ半導体装置を支持する
半導体支持治具と、エッチングチャンバに接続されエッ
チングチャンバ内のガスを排気するガス排気ラインと、
エッチングチャンバに接続されエッチングチャンバ内に
エッチングガスを導入するガス導入ラインと、ガス導入
ラインに接続したエッチングガスボンベと、エッチング
チャンバに設置した一対の電極と、この一対の電極に接
続した高周波電源とを備えたものである。
【００１０】請求項４記載の解析装置は、請求項３にお
いて、半導体支持治具が、半導体装置を載置する上向き
溝形の試料固定台と、この試料固定台の一側壁の内面と
で半導体装置を解析断面が上向きとなるように挟み込む
試料固定板と、試料固定板を試料固定台の一側壁方向に
押圧するばねとからなることを特徴とするものである。
いて、半導体支持治具が、半導体装置を載置する上向き
溝形の試料固定台と、この試料固定台の一側壁の内面と
で半導体装置を解析断面が上向きとなるように挟み込む
試料固定板と、試料固定板を試料固定台の一側壁方向に
押圧するばねとからなることを特徴とするものである。
【００１１】このように構成された半導体装置の解析方
法および解析装置によると、半導体装置の解析断面をプ
ラズマエッチングすることによって、解析断面の異素
材，同素材，拡散層が不純物の濃度の差によってエッチ
ングされ、各々の素材の境界が再現性良く明確化され
る。
法および解析装置によると、半導体装置の解析断面をプ
ラズマエッチングすることによって、解析断面の異素
材，同素材，拡散層が不純物の濃度の差によってエッチ
ングされ、各々の素材の境界が再現性良く明確化され
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】この発明の一実施の形態について
図１ないし図３を参照しながら説明する。図１は、この
実施の形態の半導体装置の解析方法で用いる解析装置の
概略構成図を示している。図１において、１０はエッチ
ングチャンバ、１１は上部電極、１２は下部電極、１３
はブロッキングコンデンサ、１４は高周波電源（ＲＦ電
源）、１５はガス排気ライン、１６はガス導入ライン、
１７はマスフローコントローラー、１８は酸素ボンベ、
１９はＣＦ4 ガスボンベ、２０は窒素ボンベ、２１は試
料となる半導体装置Ｐを設置した半導体支持治具であ
る。
図１ないし図３を参照しながら説明する。図１は、この
実施の形態の半導体装置の解析方法で用いる解析装置の
概略構成図を示している。図１において、１０はエッチ
ングチャンバ、１１は上部電極、１２は下部電極、１３
はブロッキングコンデンサ、１４は高周波電源（ＲＦ電
源）、１５はガス排気ライン、１６はガス導入ライン、
１７はマスフローコントローラー、１８は酸素ボンベ、
１９はＣＦ4 ガスボンベ、２０は窒素ボンベ、２１は試
料となる半導体装置Ｐを設置した半導体支持治具であ
る。
【００１３】エッチングチャンバ１０，上部電極１１，
下部電極１２の素材はアルミニウムであり、エッチング
チャンバ１０内の上部に上部電極１１が下部に下部電極
１２が、お互いに平行となるように設置されている。ま
た、上部電極１１は接地されており、下部電極１２はブ
ロッキングコンデンサ１３に接続されている。ブロッキ
ングコンデンサ１３は高周波電源１４に接続されてお
り、高周波のインピーダンスマッチングをする。高周波
電源１４は接地されており、１３．５６ＭＨｚの高周波
を供給する。
下部電極１２の素材はアルミニウムであり、エッチング
チャンバ１０内の上部に上部電極１１が下部に下部電極
１２が、お互いに平行となるように設置されている。ま
た、上部電極１１は接地されており、下部電極１２はブ
ロッキングコンデンサ１３に接続されている。ブロッキ
ングコンデンサ１３は高周波電源１４に接続されてお
り、高周波のインピーダンスマッチングをする。高周波
電源１４は接地されており、１３．５６ＭＨｚの高周波
を供給する。
【００１４】半導体支持治具２１が下部電極１２の中央
に設置されており、半導体支持治具２１は下部電極１２
から取り外してエッチングチャンバ１０内から取り出し
可能で、容易に試料の脱着ができる構造となっている。
また、エッチングチャンバ１０の両下端に、各々ガス排
気ライン１５とガス導入ライン１６が設置されている。
下端にガス排気ライン１５とガス導入ライン１６を設置
するのは、導入されたガスに対流が生じ、エッチングチ
ャンバ１０内にくまなくガスを供給することができるか
らである。
に設置されており、半導体支持治具２１は下部電極１２
から取り外してエッチングチャンバ１０内から取り出し
可能で、容易に試料の脱着ができる構造となっている。
また、エッチングチャンバ１０の両下端に、各々ガス排
気ライン１５とガス導入ライン１６が設置されている。
下端にガス排気ライン１５とガス導入ライン１６を設置
するのは、導入されたガスに対流が生じ、エッチングチ
ャンバ１０内にくまなくガスを供給することができるか
らである。
【００１５】ガス排気ライン１５は真空ポンプ（図示せ
ず）に接続されており、エッチングチャンバ１０内の圧
力を一定に保つように制御されている。また、ガス導入
ライン１６は３個のマスフローコントローラー１７と接
続されている。３個のマスフローコントローラー１７
は、各々、例えば酸素ボンベ１８，ＣＦ4 ガスボンベ１
９，窒素ボンベ２０に接続されており、ガス導入ライン
１６からエッチングチャンバ１０内に供給されるガスの
流量を制御する。
ず）に接続されており、エッチングチャンバ１０内の圧
力を一定に保つように制御されている。また、ガス導入
ライン１６は３個のマスフローコントローラー１７と接
続されている。３個のマスフローコントローラー１７
は、各々、例えば酸素ボンベ１８，ＣＦ4 ガスボンベ１
９，窒素ボンベ２０に接続されており、ガス導入ライン
１６からエッチングチャンバ１０内に供給されるガスの
流量を制御する。
【００１６】図２に、半導体支持治具２１の斜視図を示
す。半導体支持治具２１は、溝形の試料固定台２２と、
試料固定板２３と、試料固定板２３に固定し試料固定台
２２の一側壁２２ａに挿通したガイド棒２４と、このガ
イド棒２４に外嵌し試料固定板２３を試料固定台２２の
他側壁２２ｂに押圧する圧縮コイルばね２５とからな
る。なお、半導体支持治具２１は、プラズマで劣化しな
いアルミニウム製であり、試料固定台２２は縦×横×高
さ＝３ｃｍ×３ｃｍ×１ｃｍ、両側壁２２ａ，２２ｂの
厚みは３ｍｍ、ガイド棒２４の長さは４ｃｍであり、走
査型電子顕微鏡の試料観察台として直接使用できる大き
さに形成されている。試料となる半導体装置Ｐは、試料
固定台２２の底壁２２ｃに載置し、他側壁２２ｂと試料
固定板２３とで挟持される。
す。半導体支持治具２１は、溝形の試料固定台２２と、
試料固定板２３と、試料固定板２３に固定し試料固定台
２２の一側壁２２ａに挿通したガイド棒２４と、このガ
イド棒２４に外嵌し試料固定板２３を試料固定台２２の
他側壁２２ｂに押圧する圧縮コイルばね２５とからな
る。なお、半導体支持治具２１は、プラズマで劣化しな
いアルミニウム製であり、試料固定台２２は縦×横×高
さ＝３ｃｍ×３ｃｍ×１ｃｍ、両側壁２２ａ，２２ｂの
厚みは３ｍｍ、ガイド棒２４の長さは４ｃｍであり、走
査型電子顕微鏡の試料観察台として直接使用できる大き
さに形成されている。試料となる半導体装置Ｐは、試料
固定台２２の底壁２２ｃに載置し、他側壁２２ｂと試料
固定板２３とで挟持される。
【００１７】つぎに、解析断面を切り出した半導体装置
Ｐを観察したい解析断面が上部電極１１と平行になるよ
うに半導体支持治具２１に装着し、プラズマエッチング
装置内に設置する。そして、例えばＣＦ4 ガスを９０ｓ
ｃｃｍ、Ｏ2 ガスを１０ｓｃｃｍ流し、圧力２６Ｐａ、
高周波電圧１００Ｗで１分１０秒程度エッチングする。
Ｐを観察したい解析断面が上部電極１１と平行になるよ
うに半導体支持治具２１に装着し、プラズマエッチング
装置内に設置する。そして、例えばＣＦ4 ガスを９０ｓ
ｃｃｍ、Ｏ2 ガスを１０ｓｃｃｍ流し、圧力２６Ｐａ、
高周波電圧１００Ｗで１分１０秒程度エッチングする。
【００１８】前記条件でエッチングすると砒素注入され
た多結晶シリコン膜３６で３００ｎｍ／分のエッチング
レート、ボロン注入された多結晶シリコン膜３４で１５
０ｎｍ／分のエッチングレート、ボロン注入されたエピ
タキシャル基板３０で１００ｎｍ／分のエッチングレー
ト、シリコン酸化膜３１，３２，３３で１０ｎｍ／分の
エッチングレート、シリコン窒化膜３７で５ｎｍ／分の
エッチングレートが得られる。
た多結晶シリコン膜３６で３００ｎｍ／分のエッチング
レート、ボロン注入された多結晶シリコン膜３４で１５
０ｎｍ／分のエッチングレート、ボロン注入されたエピ
タキシャル基板３０で１００ｎｍ／分のエッチングレー
ト、シリコン酸化膜３１，３２，３３で１０ｎｍ／分の
エッチングレート、シリコン窒化膜３７で５ｎｍ／分の
エッチングレートが得られる。
【００１９】エッチングした半導体装置Ｐを走査型電子
顕微鏡で観察すると、図３に示した第１のシリコン酸化
膜３１と第１の多結晶シリコン膜３４の境界、第２のシ
リコン酸化膜３２と第１の多結晶シリコン膜３４の境
界、シリコン窒化膜３７と第２の多結晶シリコン膜３５
の境界のみならず、エピタキシャル基板３０と第３の多
結晶シリコン膜３６の界面３８、エピタキシャル基板３
０と第１の多結晶シリコン膜３４の界面３９も明確化さ
れ、鮮明に観察できる。また、拡散層４０も鮮明に観察
することができる。すなわち、従来であれば、薬液処理
等の方法しかなくエピタキシャル基板３０と第３の多結
晶シリコン膜３６の界面３８、エピタキシャル基板３０
と第１の多結晶シリコン膜３４の界面３９や、同素材の
膜の境界は不明確で、観察し難かった。しかし本発明の
解析方法を用いれば、全ての境界を観察することがで
き、特性不良等の原因究明に役立つ。
顕微鏡で観察すると、図３に示した第１のシリコン酸化
膜３１と第１の多結晶シリコン膜３４の境界、第２のシ
リコン酸化膜３２と第１の多結晶シリコン膜３４の境
界、シリコン窒化膜３７と第２の多結晶シリコン膜３５
の境界のみならず、エピタキシャル基板３０と第３の多
結晶シリコン膜３６の界面３８、エピタキシャル基板３
０と第１の多結晶シリコン膜３４の界面３９も明確化さ
れ、鮮明に観察できる。また、拡散層４０も鮮明に観察
することができる。すなわち、従来であれば、薬液処理
等の方法しかなくエピタキシャル基板３０と第３の多結
晶シリコン膜３６の界面３８、エピタキシャル基板３０
と第１の多結晶シリコン膜３４の界面３９や、同素材の
膜の境界は不明確で、観察し難かった。しかし本発明の
解析方法を用いれば、全ての境界を観察することがで
き、特性不良等の原因究明に役立つ。
【００２０】また、エッチング状態が安定し、再現性良
くエッチングされ、断面の状態にかかわらず全ての境界
を明確化することができるとともに、強酸などの劇物を
使用しないため安全性にも優れている。さらに、半導体
支持治具２１を用いれば、容易に不良解析や素子の出来
映えも評価できる。また、走査型電子顕微鏡の試料観察
台としても使用でき、解析作業性に優れる。
くエッチングされ、断面の状態にかかわらず全ての境界
を明確化することができるとともに、強酸などの劇物を
使用しないため安全性にも優れている。さらに、半導体
支持治具２１を用いれば、容易に不良解析や素子の出来
映えも評価できる。また、走査型電子顕微鏡の試料観察
台としても使用でき、解析作業性に優れる。
【００２１】なお、前記実施の形態では、エッチングガ
スにＣＦ4 ガスと酸素ガスを用いたが、酸素ガスの代わ
りに窒素ガスを使用してもよく、あるいはフロン系のガ
スを用いても同様の効果が得られることはいうまでもな
い。
スにＣＦ4 ガスと酸素ガスを用いたが、酸素ガスの代わ
りに窒素ガスを使用してもよく、あるいはフロン系のガ
スを用いても同様の効果が得られることはいうまでもな
い。
【００２２】
【発明の効果】このように構成された半導体装置の解析
方法および解析装置によると、半導体装置の解析断面を
プラズマエッチングすることによって、解析断面の異素
材，同素材，拡散層が不純物の濃度の差によってエッチ
ングされ、各々の素材の境界が再現性良く明確化され、
走査型電子顕微鏡で容易に不良解析をすることができ
る。また、薬品などを使用しないため安全性に優れ、し
かも半導体支持治具にて半導体装置を支持するので、出
来映え評価が容易に行えるという効果が得られる。
方法および解析装置によると、半導体装置の解析断面を
プラズマエッチングすることによって、解析断面の異素
材，同素材，拡散層が不純物の濃度の差によってエッチ
ングされ、各々の素材の境界が再現性良く明確化され、
走査型電子顕微鏡で容易に不良解析をすることができ
る。また、薬品などを使用しないため安全性に優れ、し
かも半導体支持治具にて半導体装置を支持するので、出
来映え評価が容易に行えるという効果が得られる。
【図１】この発明の実施の形態における解析装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図２】この発明の実施の形態における半導体支持治具
の斜視図である。
の斜視図である。
【図３】解析に用いる半導体装置の構造断面図である。
１０ エッチングチャンバ １１ 上部電極 １２ 下部電極 １４ 高周波電源（ＲＦ電源） １５ ガス排気ライン １６ ガス導入ライン １８ 酸素ボンベ １９ ＣＦ4 ガスボンベ ２０ 窒素ボンベ ２１ 半導体支持治具 ２２ 試料固定台 ２３ 試料固定板 ２５ ばね Ｐ 半導体装置（試料）
Claims (4)
- 【請求項１】 解析断面を切り出した半導体装置をプラ
ズマエッチング装置内に設置する過程と、前記半導体装
置の解析断面をプラズマエッチングする過程と、前記半
導体装置を前記プラズマエッチング装置から取り出し走
査型電子顕微鏡にて前記解析断面を解析する過程とを含
む半導体装置の解析方法。 - 【請求項２】 エッチングガスに、フロン系ガスと、酸
素ガスあるいは窒素ガスとの混合ガスを用いる請求項１
記載の半導体装置の解析方法。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の半導体装
置の解析方法で用いる解析装置であって、 エッチングチャンバと、このエッチングチャンバ内に取
り出し可能に設けられ半導体装置を支持する半導体支持
治具と、前記エッチングチャンバに接続され前記エッチ
ングチャンバ内のガスを排気するガス排気ラインと、前
記エッチングチャンバに接続され前記エッチングチャン
バ内にエッチングガスを導入するガス導入ラインと、前
記ガス導入ラインに接続したエッチングガスボンベと、
前記エッチングチャンバに設置した一対の電極と、この
一対の電極に接続した高周波電源とを備えた解析装置。 - 【請求項４】 半導体支持治具が、半導体装置を載置す
る上向き溝形の試料固定台と、この試料固定台の一側壁
の内面とで前記半導体装置を解析断面が上向きとなるよ
うに挟み込む試料固定板と、前記試料固定板を前記試料
固定台の一側壁方向に押圧するばねとからなることを特
徴とする請求項３記載の解析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1245596A JPH09205122A (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | 半導体装置の解析方法および解析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1245596A JPH09205122A (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | 半導体装置の解析方法および解析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09205122A true JPH09205122A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=11805825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1245596A Pending JPH09205122A (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | 半導体装置の解析方法および解析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09205122A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006509999A (ja) * | 2002-08-02 | 2006-03-23 | イー エイ フィシオネ インストルメンツ インコーポレーテッド | 顕微鏡の試料調製方法及び装置 |
| JP2011242327A (ja) * | 2010-05-20 | 2011-12-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 試料の断面形成方法、固定用治具および測定方法 |
| JP2015045745A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | 株式会社島津テクノリサーチ | 観察試料固定器具 |
-
1996
- 1996-01-29 JP JP1245596A patent/JPH09205122A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006509999A (ja) * | 2002-08-02 | 2006-03-23 | イー エイ フィシオネ インストルメンツ インコーポレーテッド | 顕微鏡の試料調製方法及び装置 |
| JP2011242327A (ja) * | 2010-05-20 | 2011-12-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 試料の断面形成方法、固定用治具および測定方法 |
| JP2015045745A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | 株式会社島津テクノリサーチ | 観察試料固定器具 |
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