JPH09205049A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
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- JPH09205049A JPH09205049A JP2867796A JP2867796A JPH09205049A JP H09205049 A JPH09205049 A JP H09205049A JP 2867796 A JP2867796 A JP 2867796A JP 2867796 A JP2867796 A JP 2867796A JP H09205049 A JPH09205049 A JP H09205049A
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プロセス条件の変更を簡単に行える成膜装置
を提供する。各条件での成膜時間を自動的に計算し、所
望の膜厚の多段成膜を行える成膜装置を提供する。 【解決手段】 各段階でのプロセス条件に対応した成膜
速度を入力する。また、各段階での成膜膜厚も入力す
る。これらの成膜速度・膜厚に基づき成膜時間を各段階
毎に算出する。この成膜時間に基づいて各段階でそのプ
ロセス条件の下に成膜を行う。成膜時間はＣＰＵで演算
されるため、各プロセス条件の変更を簡単に行える。各
プロセス条件の成膜速度をデータベースに格納し、成膜
速度の入力に替えてプロセス条件の入力で成膜速度を得
ることもできる。また、プロセスレシピから成膜内容が
明らかで、装置の操作が容易になる。後からの確認も容
易である。データベースの成膜データが増すと成膜膜厚
の制御精度が向上する。
を提供する。各条件での成膜時間を自動的に計算し、所
望の膜厚の多段成膜を行える成膜装置を提供する。 【解決手段】 各段階でのプロセス条件に対応した成膜
速度を入力する。また、各段階での成膜膜厚も入力す
る。これらの成膜速度・膜厚に基づき成膜時間を各段階
毎に算出する。この成膜時間に基づいて各段階でそのプ
ロセス条件の下に成膜を行う。成膜時間はＣＰＵで演算
されるため、各プロセス条件の変更を簡単に行える。各
プロセス条件の成膜速度をデータベースに格納し、成膜
速度の入力に替えてプロセス条件の入力で成膜速度を得
ることもできる。また、プロセスレシピから成膜内容が
明らかで、装置の操作が容易になる。後からの確認も容
易である。データベースの成膜データが増すと成膜膜厚
の制御精度が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体素子やＬＣ
Ｄ（液晶ディスプレイ）等の製造に使用される成膜装
置、詳しくは成膜速度を可変とした成膜が簡単に行える
成膜装置に関する。
Ｄ（液晶ディスプレイ）等の製造に使用される成膜装
置、詳しくは成膜速度を可変とした成膜が簡単に行える
成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】デバイスにとって大切なのは、成膜速度
と成膜膜厚とである。両者ともデバイスの性能を左右す
る要素である。成膜速度はそのデバイスを作るのに適し
た速度があり、成膜膜厚もデバイスを作るのに適した膜
厚がある。
と成膜膜厚とである。両者ともデバイスの性能を左右す
る要素である。成膜速度はそのデバイスを作るのに適し
た速度があり、成膜膜厚もデバイスを作るのに適した膜
厚がある。
【０００３】従来は、成膜装置の使用者が、使用するプ
ロセス条件でサンプルを成膜し、このサンプルの膜厚を
測定していた。そして、そのサンプルを成膜した時の成
膜時間より成膜速度を求める。さらに、必要膜厚を成膜
するために必要な成膜時間を計算する。そして、その成
膜時間とプロセス条件とをレシピとして、成膜装置に入
力していた。ここに、プロセス条件とは、成膜ガス流
量、成膜圧力、ＲＦ電力の３項目をいう。
ロセス条件でサンプルを成膜し、このサンプルの膜厚を
測定していた。そして、そのサンプルを成膜した時の成
膜時間より成膜速度を求める。さらに、必要膜厚を成膜
するために必要な成膜時間を計算する。そして、その成
膜時間とプロセス条件とをレシピとして、成膜装置に入
力していた。ここに、プロセス条件とは、成膜ガス流
量、成膜圧力、ＲＦ電力の３項目をいう。
【０００４】ところが、この場合、プロセス条件を変更
するたびに、必要膜厚と成膜速度から成膜時間を求め、
成膜装置に入力してやらなければならない。このため、
プロセス条件の変更が不便である。特に多段階の条件で
成膜を行う成膜装置ではなおさら不便であった。
するたびに、必要膜厚と成膜速度から成膜時間を求め、
成膜装置に入力してやらなければならない。このため、
プロセス条件の変更が不便である。特に多段階の条件で
成膜を行う成膜装置ではなおさら不便であった。
【０００５】また、後から基板に対する成膜膜厚を確認
したいとき、成膜時間と成膜速度から成膜膜厚を計算し
なければ分からず、膜厚の確認が容易ではない。
したいとき、成膜時間と成膜速度から成膜膜厚を計算し
なければ分からず、膜厚の確認が容易ではない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】すなわち、従来の成膜
装置では、プロセス条件の変更毎に成膜時間を計算し、
入力するため、プロセス条件の変更がきわめて不便であ
るという課題があった。この結果、現場にてプロセス条
件のわずかな変更にも拘わらず、その変更毎にサンプリ
ングを行わねばならなかった。よって、その作業がきわ
めて煩雑であり、プロセス条件の変更を自由に行いづら
いという課題があった。
装置では、プロセス条件の変更毎に成膜時間を計算し、
入力するため、プロセス条件の変更がきわめて不便であ
るという課題があった。この結果、現場にてプロセス条
件のわずかな変更にも拘わらず、その変更毎にサンプリ
ングを行わねばならなかった。よって、その作業がきわ
めて煩雑であり、プロセス条件の変更を自由に行いづら
いという課題があった。
【０００７】そこで、この発明では、プロセス条件の変
更を簡単に行うことができる成膜装置を提供すること
を、その目的としている。また、この発明の目的は、成
膜時間を自動的に計算し、所望の膜厚を成膜する成膜装
置を提供することである。
更を簡単に行うことができる成膜装置を提供すること
を、その目的としている。また、この発明の目的は、成
膜時間を自動的に計算し、所望の膜厚を成膜する成膜装
置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、プロセス条件を複数段階に変化させて成膜する成膜
装置において、各段階での成膜速度を入力する速度入力
手段と、各段階で成膜する膜厚を入力する膜厚入力手段
と、上記入力した成膜速度、膜厚に基づいて各段階での
成膜時間を算出する時間算出手段と、この算出した各成
膜時間に基づいて各段階での成膜を行う成膜手段とを備
えた成膜装置である。
は、プロセス条件を複数段階に変化させて成膜する成膜
装置において、各段階での成膜速度を入力する速度入力
手段と、各段階で成膜する膜厚を入力する膜厚入力手段
と、上記入力した成膜速度、膜厚に基づいて各段階での
成膜時間を算出する時間算出手段と、この算出した各成
膜時間に基づいて各段階での成膜を行う成膜手段とを備
えた成膜装置である。
【０００９】この成膜装置では、各段階でのプロセス条
件に対応した成膜速度を入力する。また、各段階で成膜
する膜厚も入力する。これらの成膜速度および膜厚に基
づいて成膜時間を、各段階毎に算出する。そして、この
算出した成膜時間に基づいて各段階でそのプロセス条件
の下に成膜を行う。よって、各段階での成膜膜厚の変更
を簡単に行える。なお、各プロセス条件ついての成膜速
度をデータベースに格納しておき、成膜速度の入力に替
えてプロセス条件の入力により、成膜速度を得るように
してもよい。
件に対応した成膜速度を入力する。また、各段階で成膜
する膜厚も入力する。これらの成膜速度および膜厚に基
づいて成膜時間を、各段階毎に算出する。そして、この
算出した成膜時間に基づいて各段階でそのプロセス条件
の下に成膜を行う。よって、各段階での成膜膜厚の変更
を簡単に行える。なお、各プロセス条件ついての成膜速
度をデータベースに格納しておき、成膜速度の入力に替
えてプロセス条件の入力により、成膜速度を得るように
してもよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係る成膜装置の
実施例を図面を参照して説明する。図１はこの発明の一
実施例に係る成膜装置の概略構成を示すブロック図であ
る。図２はこの発明の一実施例に係る成膜装置の構成を
示す模式図である。図３はその成膜装置での成膜速度・
成膜膜厚の変化の様子を示すグラフである。図４は他の
実施例の装置構成を示した模式図である。
実施例を図面を参照して説明する。図１はこの発明の一
実施例に係る成膜装置の概略構成を示すブロック図であ
る。図２はこの発明の一実施例に係る成膜装置の構成を
示す模式図である。図３はその成膜装置での成膜速度・
成膜膜厚の変化の様子を示すグラフである。図４は他の
実施例の装置構成を示した模式図である。
【００１１】図２において示すように、この成膜装置は
プラズマＣＶＤ装置であって、減圧下で、反応性ガスの
プラズマ放電分解によって薄膜を形成するものである。
対向する電極２１の間に高周波電源２２より高周波電圧
（例えば１３．５６ＭＨｚ）を印加し、反応性ガスのプ
ラズマを発生させ、プラズマ分解により基板上に薄膜を
形成するものである。すなわち、このプラズマＣＶＤ装
置にあっては、反応ガスの流量・反応室（成膜槽）２３
の圧力・ＲＦ電力等の成膜条件に応じてその成膜速度が
異なるように構成されている。
プラズマＣＶＤ装置であって、減圧下で、反応性ガスの
プラズマ放電分解によって薄膜を形成するものである。
対向する電極２１の間に高周波電源２２より高周波電圧
（例えば１３．５６ＭＨｚ）を印加し、反応性ガスのプ
ラズマを発生させ、プラズマ分解により基板上に薄膜を
形成するものである。すなわち、このプラズマＣＶＤ装
置にあっては、反応ガスの流量・反応室（成膜槽）２３
の圧力・ＲＦ電力等の成膜条件に応じてその成膜速度が
異なるように構成されている。
【００１２】そして、このプラズマＣＶＤ装置は、上記
高周波電源２２等を制御するための成膜制御装置２４を
有している。この成膜制御装置２４は高周波電源２２か
ら電極２１に印加する高周波電力の印加時間を制御する
ことができる。この成膜制御装置２４には成膜条件等が
入力可能に構成されている。すなわち、成膜制御装置２
４は、成膜ガス流量、成膜圧力、成膜時間等を制御する
機能を持つ。成膜制御装置２４には、各段階のプロセス
条件、成膜速度、成膜膜厚が入力される。そして、この
成膜制御装置２４は、これらの成膜速度と成膜膜厚とに
基づいて各段階での成膜時間を算出し、この成膜時間に
基づいて上記制御を行うものである。この成膜制御装置
２４は、例えば互いにバスラインで接続されたＣＰＵ・
ＲＯＭ・ＲＡＭ・Ｉ／Ｏ・キーボードＫＢＤ等で構成さ
れている。
高周波電源２２等を制御するための成膜制御装置２４を
有している。この成膜制御装置２４は高周波電源２２か
ら電極２１に印加する高周波電力の印加時間を制御する
ことができる。この成膜制御装置２４には成膜条件等が
入力可能に構成されている。すなわち、成膜制御装置２
４は、成膜ガス流量、成膜圧力、成膜時間等を制御する
機能を持つ。成膜制御装置２４には、各段階のプロセス
条件、成膜速度、成膜膜厚が入力される。そして、この
成膜制御装置２４は、これらの成膜速度と成膜膜厚とに
基づいて各段階での成膜時間を算出し、この成膜時間に
基づいて上記制御を行うものである。この成膜制御装置
２４は、例えば互いにバスラインで接続されたＣＰＵ・
ＲＯＭ・ＲＡＭ・Ｉ／Ｏ・キーボードＫＢＤ等で構成さ
れている。
【００１３】そして、これらの成膜制御装置２４を含ん
でプラズマＣＶＤ装置は、図１に示すように、構成され
ている。すなわち、上記各プロセス条件に対応した成膜
速度を入力する速度入力手段１１（キーボード等）と、
各膜厚を入力する膜厚入力手段２２（キーボード等）
と、入力されたこれらの成膜速度・膜厚に基づいて成膜
時間を演算する成膜時間演算手段１３（ＣＰＵ・ＲＯＭ
等）と、を有している。なお、成膜手段１４はこの算出
した各成膜時間に基づいて上記制御を行うことにより、
所定の基板表面に複数条件での成膜を行うものである。
でプラズマＣＶＤ装置は、図１に示すように、構成され
ている。すなわち、上記各プロセス条件に対応した成膜
速度を入力する速度入力手段１１（キーボード等）と、
各膜厚を入力する膜厚入力手段２２（キーボード等）
と、入力されたこれらの成膜速度・膜厚に基づいて成膜
時間を演算する成膜時間演算手段１３（ＣＰＵ・ＲＯＭ
等）と、を有している。なお、成膜手段１４はこの算出
した各成膜時間に基づいて上記制御を行うことにより、
所定の基板表面に複数条件での成膜を行うものである。
【００１４】以上の構成に係るプラズマＣＶＤ装置にあ
っては、所定圧力に制御した反応室２３内に反応ガスを
供給するとともに、平行平板形の電極２１間に高周波電
圧を印加してグロー放電を発生させる。その結果、基板
上に所望の膜が所定の成膜速度で所望の厚さに生成され
る。このとき、そのプロセス条件（ガス流量・圧力・Ｒ
Ｆ電力）を変更すると、成膜速度は異なってくる。
っては、所定圧力に制御した反応室２３内に反応ガスを
供給するとともに、平行平板形の電極２１間に高周波電
圧を印加してグロー放電を発生させる。その結果、基板
上に所望の膜が所定の成膜速度で所望の厚さに生成され
る。このとき、そのプロセス条件（ガス流量・圧力・Ｒ
Ｆ電力）を変更すると、成膜速度は異なってくる。
【００１５】そこで、同一装置（同じ反応室２３）で複
数のプロセス条件で同一基板上に多段階の成膜を行う場
合、このプロセス条件に対応した各成膜速度および所望
の膜厚を入力すると、これらに基づいて各段階での成膜
時間がそれぞれ演算される。さらに、この成膜時間に基
づいて成膜制御装置２４は高周波電源２２を制御する。
同時に、ガス流量、成膜圧力、ＲＦ電力を制御する。す
なわち、高周波電源２２は所定時間だけ電極２１に所定
の高周波電圧電力を印加する。この結果、基板上に複数
層からなる所望の膜厚のＣＶＤ膜を生成することができ
る。
数のプロセス条件で同一基板上に多段階の成膜を行う場
合、このプロセス条件に対応した各成膜速度および所望
の膜厚を入力すると、これらに基づいて各段階での成膜
時間がそれぞれ演算される。さらに、この成膜時間に基
づいて成膜制御装置２４は高周波電源２２を制御する。
同時に、ガス流量、成膜圧力、ＲＦ電力を制御する。す
なわち、高周波電源２２は所定時間だけ電極２１に所定
の高周波電圧電力を印加する。この結果、基板上に複数
層からなる所望の膜厚のＣＶＤ膜を生成することができ
る。
【００１６】図３には２段階の成膜を行う場合の成膜速
度の変化および成膜膜厚の変化をそれぞれ模式的に示し
ている。それぞれの成膜速度及びそれぞれの膜厚で成膜
した複数層からなるＣＶＤ膜により、製品となる液晶デ
ィスプレイを構成するＴＦＴ素子にとって良い特性が得
られる。
度の変化および成膜膜厚の変化をそれぞれ模式的に示し
ている。それぞれの成膜速度及びそれぞれの膜厚で成膜
した複数層からなるＣＶＤ膜により、製品となる液晶デ
ィスプレイを構成するＴＦＴ素子にとって良い特性が得
られる。
【００１７】また、上記プロセス条件を変更したい場
合、その条件およびその条件に対応した成膜速度・所望
の膜厚をそれぞれ入力すると、各段階での成膜時間が得
られ、この成膜時間・成膜条件に基づいて、所望の成膜
を得ることができる。すなわち、このＣＶＤ装置ではプ
ロセス条件の変更を容易に行うことができる。
合、その条件およびその条件に対応した成膜速度・所望
の膜厚をそれぞれ入力すると、各段階での成膜時間が得
られ、この成膜時間・成膜条件に基づいて、所望の成膜
を得ることができる。すなわち、このＣＶＤ装置ではプ
ロセス条件の変更を容易に行うことができる。
【００１８】また、図４にはこの発明に係る成膜装置の
他の実施例が示されている。この図に示すように、この
成膜制御装置３４には成膜データベース３５（例えばハ
ードディスク装置、磁気テープ装置、または、光磁気デ
ィスク装置等で構成される）が接続されており、このデ
ータベース３５にはこの反応室３３での各種プロセス条
件時の成膜速度がデータとして蓄積されている。よっ
て、成膜制御装置３４に各段階のプロセス条件が入力さ
れると、成膜制御装置３４はデータベース３５から、各
段階のプロセス条件時の成膜速度を検索し、その成膜速
度と成膜膜厚から成膜時間を算出し、成膜時間を制御す
ることとなる。また、図中、３１は平行平板型電極、３
２はＲＦ電源を示している。さらに、この装置にあって
も、初めての条件で成膜を行うときは、その条件に近似
した条件のデータに基づいて、成膜速度を計算・推測
し、これをデータベース３５に蓄積しておくものとす
る。また、成膜した膜厚を測定し、このデータもデータ
ベース３５にフィードバックするものとする。
他の実施例が示されている。この図に示すように、この
成膜制御装置３４には成膜データベース３５（例えばハ
ードディスク装置、磁気テープ装置、または、光磁気デ
ィスク装置等で構成される）が接続されており、このデ
ータベース３５にはこの反応室３３での各種プロセス条
件時の成膜速度がデータとして蓄積されている。よっ
て、成膜制御装置３４に各段階のプロセス条件が入力さ
れると、成膜制御装置３４はデータベース３５から、各
段階のプロセス条件時の成膜速度を検索し、その成膜速
度と成膜膜厚から成膜時間を算出し、成膜時間を制御す
ることとなる。また、図中、３１は平行平板型電極、３
２はＲＦ電源を示している。さらに、この装置にあって
も、初めての条件で成膜を行うときは、その条件に近似
した条件のデータに基づいて、成膜速度を計算・推測
し、これをデータベース３５に蓄積しておくものとす
る。また、成膜した膜厚を測定し、このデータもデータ
ベース３５にフィードバックするものとする。
【００１９】なお、この発明にあっては、プラズマＣＶ
Ｄ装置以外の熱ＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置等についても
適用することができる。さらに、この発明は、ＣＶＤ装
置以外の薄膜形成装置、例えば真空蒸着装置、スパッタ
リング装置、エピタキシャル成長装置にも適用すること
ができる。
Ｄ装置以外の熱ＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置等についても
適用することができる。さらに、この発明は、ＣＶＤ装
置以外の薄膜形成装置、例えば真空蒸着装置、スパッタ
リング装置、エピタキシャル成長装置にも適用すること
ができる。
【００２０】
【発明の効果】この発明によれば、デバイスを作る上で
重要な成膜速度と成膜膜厚を入力するだけで、成膜時間
を求めることができ、その結果、この成膜時間を計算し
てから装置に入力する手間がなく、プロセス条件の変更
が簡単に行える。また、プロセスレシピを見れば、どの
ような膜を成膜するか一目瞭然なので、デバイスメーカ
から見て装置の操作が容易になる。後からの確認も容易
である。さらに、データベースに蓄積された成膜データ
が増すと、これに伴いその成膜膜厚の制御精度が向上す
る。
重要な成膜速度と成膜膜厚を入力するだけで、成膜時間
を求めることができ、その結果、この成膜時間を計算し
てから装置に入力する手間がなく、プロセス条件の変更
が簡単に行える。また、プロセスレシピを見れば、どの
ような膜を成膜するか一目瞭然なので、デバイスメーカ
から見て装置の操作が容易になる。後からの確認も容易
である。さらに、データベースに蓄積された成膜データ
が増すと、これに伴いその成膜膜厚の制御精度が向上す
る。
【図１】この発明の一実施例に係る成膜装置の構成を示
す機能ブロック図である。
す機能ブロック図である。
【図２】この発明の一実施例に係る成膜装置の構成を示
す模式図である。
す模式図である。
【図３】この発明の一実施例に係る成膜装置での成膜速
度・成膜膜厚の変化の様子を示すグラフである。
度・成膜膜厚の変化の様子を示すグラフである。
【図４】この発明の他の実施例の装置構成を示した模式
図である。
図である。
１１ 速度入力手段、 １２ 膜厚入力手段、 １３ 時間算出手段、 １４ 成膜手段。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｚ
Claims (1)
- 【請求項１】 プロセス条件を複数段階に変化させて成
膜する成膜装置において、 各段階での成膜速度を入力する手段と、 各段階で成膜する膜厚を入力する手段と、 上記入力した成膜速度、膜厚に基づいて各段階での成膜
時間を算出する手段と、 この算出した各成膜時間に基づいて各段階での成膜を行
う成膜手段と、を備えた成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2867796A JPH09205049A (ja) | 1996-01-23 | 1996-01-23 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2867796A JPH09205049A (ja) | 1996-01-23 | 1996-01-23 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09205049A true JPH09205049A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=12255138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2867796A Pending JPH09205049A (ja) | 1996-01-23 | 1996-01-23 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09205049A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002510877A (ja) * | 1998-04-06 | 2002-04-09 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 表面平坦化のための、表面への制御された多様な厚みの材料の蒸着 |
-
1996
- 1996-01-23 JP JP2867796A patent/JPH09205049A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002510877A (ja) * | 1998-04-06 | 2002-04-09 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 表面平坦化のための、表面への制御された多様な厚みの材料の蒸着 |
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