JPH09204888A - 陰極線管の内蔵抵抗素子及びその製造方法 - Google Patents
陰極線管の内蔵抵抗素子及びその製造方法Info
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- JPH09204888A JPH09204888A JP1026296A JP1026296A JPH09204888A JP H09204888 A JPH09204888 A JP H09204888A JP 1026296 A JP1026296 A JP 1026296A JP 1026296 A JP1026296 A JP 1026296A JP H09204888 A JPH09204888 A JP H09204888A
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- electrode member
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 陰極線管内の放電で発生する大きいサージ電
流を抑制するために電子銃に接続される内蔵抵抗素子に
おいて、ノッキング処理時の温度上昇によっても、セラ
ミック抵抗素体と電極部材間の導通を良好にする。 【解決手段】 Ａｌ2 Ｏ3 （アルミナ）とＳｉＯ2 とＣ
（炭素）を主体として含有するセラミック抵抗素体２４
の端面に、一部セラミック抵抗素体２４内に入り込むよ
うに、Ｓｉより酸化物生成の自由エネルギーが大きい金
属材料、又はＡｕ材料からなる電極部材２７がスパッタ
リング又はイオン注入により形成された構成とする。
流を抑制するために電子銃に接続される内蔵抵抗素子に
おいて、ノッキング処理時の温度上昇によっても、セラ
ミック抵抗素体と電極部材間の導通を良好にする。 【解決手段】 Ａｌ2 Ｏ3 （アルミナ）とＳｉＯ2 とＣ
（炭素）を主体として含有するセラミック抵抗素体２４
の端面に、一部セラミック抵抗素体２４内に入り込むよ
うに、Ｓｉより酸化物生成の自由エネルギーが大きい金
属材料、又はＡｕ材料からなる電極部材２７がスパッタ
リング又はイオン注入により形成された構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、陰極線管の内蔵抵
抗素子、特に電子銃に設けられたサージ電流抑制用の内
蔵抵抗素子、及びその製造方法に関する。
抗素子、特に電子銃に設けられたサージ電流抑制用の内
蔵抵抗素子、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばカラー陰極線管においては、図４
に示すように、陰極線管体１のネック部に電子銃２が封
入されて成る。電子銃２は、この例では、赤，緑及び青
に対応する３つのカソードＫR ，ＫG 及びＫB がインラ
イン配列され、この３つのカソードＫR ，ＫG 及びＫB
に共通となるように同軸上に沿って、第１グリッド
Ｇ1，第２グリッドＧ2 ，第３グリッドＧ3 ，第４グリ
ッドＧ4 及び第５グリッドＧ 5 が配列され、第５グリッ
ドＧ5 の先端に４枚の偏向電極板Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 及び
Ｃ4 からなるコンバージェンス手段Ｃ0 が配置される。
ｈ1 及びｈ2 は第１グリッドＧ1 及び第２グリッドＧ2
の端面に設けられた電子ビーム透過孔を示す。
に示すように、陰極線管体１のネック部に電子銃２が封
入されて成る。電子銃２は、この例では、赤，緑及び青
に対応する３つのカソードＫR ，ＫG 及びＫB がインラ
イン配列され、この３つのカソードＫR ，ＫG 及びＫB
に共通となるように同軸上に沿って、第１グリッド
Ｇ1，第２グリッドＧ2 ，第３グリッドＧ3 ，第４グリ
ッドＧ4 及び第５グリッドＧ 5 が配列され、第５グリッ
ドＧ5 の先端に４枚の偏向電極板Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 及び
Ｃ4 からなるコンバージェンス手段Ｃ0 が配置される。
ｈ1 及びｈ2 は第１グリッドＧ1 及び第２グリッドＧ2
の端面に設けられた電子ビーム透過孔を示す。
【０００３】この電子銃２においては、例えば、第１グ
リッドＧ1 に０Ｖが、第２グリッドＧ2 に７００Ｖ程度
が、第３グリッドＧ3 と第５グリッドＧ5 にアノード電
位である例えば２７ＫＶ〜３０ＫＶ程度が、第４グリッ
ドＧ4 にはフォーカス電位の例えば１０ＫＶ程度が夫々
印加される。また、コンバージェンス手段の内側偏向電
極板Ｃ2 及びＣ3 にアノード電位の２７ＫＶ〜３０ＫＶ
程度が、外側偏向電極板Ｃ1 及びＣ2 には之より１ＫＶ
程度低い２６ＫＶ〜２９ＫＶ程度が印加される。
リッドＧ1 に０Ｖが、第２グリッドＧ2 に７００Ｖ程度
が、第３グリッドＧ3 と第５グリッドＧ5 にアノード電
位である例えば２７ＫＶ〜３０ＫＶ程度が、第４グリッ
ドＧ4 にはフォーカス電位の例えば１０ＫＶ程度が夫々
印加される。また、コンバージェンス手段の内側偏向電
極板Ｃ2 及びＣ3 にアノード電位の２７ＫＶ〜３０ＫＶ
程度が、外側偏向電極板Ｃ1 及びＣ2 には之より１ＫＶ
程度低い２６ＫＶ〜２９ＫＶ程度が印加される。
【０００４】第３グリッドＧ3 ，第４グリッドＧ4 及び
第５グリッドＧ5 で主電子レンズが構成され、各カソー
ドＫR ，ＫG 及びＫB から出射された電子ビームは主電
子レンズで交叉し、発散した後、中央の緑に対応する電
子ビームが内側偏向電極板Ｃ 2 及びＣ3 間を直進し、両
側の赤及び青に対応する電子ビームが夫々対応する偏向
電極板Ｃ3 及びＣ4 間、偏向電極板Ｃ1 及びＣ2 間を通
り夫々内方に偏向作用を受けて蛍光面上で３つの電子ビ
ームがコンバージェンスされるようになされる。
第５グリッドＧ5 で主電子レンズが構成され、各カソー
ドＫR ，ＫG 及びＫB から出射された電子ビームは主電
子レンズで交叉し、発散した後、中央の緑に対応する電
子ビームが内側偏向電極板Ｃ 2 及びＣ3 間を直進し、両
側の赤及び青に対応する電子ビームが夫々対応する偏向
電極板Ｃ3 及びＣ4 間、偏向電極板Ｃ1 及びＣ2 間を通
り夫々内方に偏向作用を受けて蛍光面上で３つの電子ビ
ームがコンバージェンスされるようになされる。
【０００５】低圧が印加される第１グリッドＧ1 ，第２
グリッドＧ2 ，第４グリッドＧ4 は、夫々端子ピン４を
通じて電圧が印加される。第３グリッドＧ3 と第５グリ
ッドＧ5 は、リード線５によって共通接続され、第５グ
リッドＧ5 から之と一体に延長した弾性接触片６がアノ
ードボタンを通じてアノード電圧が印加された内装導電
膜７に接触することによって、アノード電圧が印加され
るようになされる。
グリッドＧ2 ，第４グリッドＧ4 は、夫々端子ピン４を
通じて電圧が印加される。第３グリッドＧ3 と第５グリ
ッドＧ5 は、リード線５によって共通接続され、第５グ
リッドＧ5 から之と一体に延長した弾性接触片６がアノ
ードボタンを通じてアノード電圧が印加された内装導電
膜７に接触することによって、アノード電圧が印加され
るようになされる。
【０００６】尚、コンバージェンス手段の内側偏向電極
板Ｃ2 及びＣ3 は第５グリッドＧ5に電気的、機械的に
接続される。また、図示せざるも外側偏向電極板Ｃ1 及
びＣ 4 の電圧印加は、内蔵した抵抗分割板を通して抵抗
分割によって与えられる。
板Ｃ2 及びＣ3 は第５グリッドＧ5に電気的、機械的に
接続される。また、図示せざるも外側偏向電極板Ｃ1 及
びＣ 4 の電圧印加は、内蔵した抵抗分割板を通して抵抗
分割によって与えられる。
【０００７】ところで、このような電子銃２において
は、陰極線管内の放電、例えば各グリッド間の放電によ
って、非常に大きいサージ電流が流れる。サージ電流の
経路は、（ｉ）第５グリッドＧ5 −第４グリッドＧ4 −
端子ピン４の経路、(ii)第３グリッドＧ3 −第４グリッ
ドＧ4 −端子ピン４の経路、(iii) 第３グリッドＧ3 −
第２グリッドＧ2 −端子ピン４の経路が考えられる。
は、陰極線管内の放電、例えば各グリッド間の放電によ
って、非常に大きいサージ電流が流れる。サージ電流の
経路は、（ｉ）第５グリッドＧ5 −第４グリッドＧ4 −
端子ピン４の経路、(ii)第３グリッドＧ3 −第４グリッ
ドＧ4 −端子ピン４の経路、(iii) 第３グリッドＧ3 −
第２グリッドＧ2 −端子ピン４の経路が考えられる。
【０００８】従来、この大きいサージ電流を抑制するた
めに、図４に示すように第３グリッドＧ3 と第５グリッ
ドＧ5 間に抵抗の高い抵抗素子１１が接続され、また、
第４グリッドＧ4 と端子ピン４間に同様の抵抗素子１１
が接続される。
めに、図４に示すように第３グリッドＧ3 と第５グリッ
ドＧ5 間に抵抗の高い抵抗素子１１が接続され、また、
第４グリッドＧ4 と端子ピン４間に同様の抵抗素子１１
が接続される。
【０００９】通常、かかる抵抗素子１１は、次のように
して製造される。Ａｌ2 Ｏ3 （アルミナ），ＳｉＯ2 ，
ＭｇＯ等とＣ（炭素）をある一定の割合で湿式混合し酸
化性雰囲気、例えば空気雰囲気中で焼成し、図６に示す
抵抗素体ブロック１３を形成する。この抵抗素体ブロッ
ク３をダイアモンドカッタにより、所望の長さに切断し
て各セラミック抵抗素体１４を得る。
して製造される。Ａｌ2 Ｏ3 （アルミナ），ＳｉＯ2 ，
ＭｇＯ等とＣ（炭素）をある一定の割合で湿式混合し酸
化性雰囲気、例えば空気雰囲気中で焼成し、図６に示す
抵抗素体ブロック１３を形成する。この抵抗素体ブロッ
ク３をダイアモンドカッタにより、所望の長さに切断し
て各セラミック抵抗素体１４を得る。
【００１０】セラミック抵抗素体１４は、上述の焼成工
程で表面のＣ（炭素）がＣＯ2 の形で放出されてガラス
状体、即ち絶縁部分１５となり、Ｃ（炭素）を含んでい
る芯が抵抗部分１６として形成される。このセラミック
抵抗素体１４の切断された両端面にアルミニウムを溶射
して抵抗部分１６に接触するアルミニウム電極部材１７
を形成し、この電極部材１７に電気的に接続するように
例えばステンレス製のメタルキャップ１８を圧入し、さ
らにこのメタルキャップ１８にリード線１９を接続して
図５に示す内蔵抵抗素子１１を得ている。
程で表面のＣ（炭素）がＣＯ2 の形で放出されてガラス
状体、即ち絶縁部分１５となり、Ｃ（炭素）を含んでい
る芯が抵抗部分１６として形成される。このセラミック
抵抗素体１４の切断された両端面にアルミニウムを溶射
して抵抗部分１６に接触するアルミニウム電極部材１７
を形成し、この電極部材１７に電気的に接続するように
例えばステンレス製のメタルキャップ１８を圧入し、さ
らにこのメタルキャップ１８にリード線１９を接続して
図５に示す内蔵抵抗素子１１を得ている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、陰極線管の
製造工程においては、通常使用時の耐圧特性を確保する
ためにノッキングと呼ばれる処理が行なわれる。このノ
ッキング処理は、通常の約２倍以上の電圧を印加し、例
えば低圧側の第１グリッドＧ1 ，第２グリッドＧ2 及び
第４グリッドＧ4 を接地電圧とし、第３グリッドＧ3 ，
第５グリッドＧ5 に−７０ＫＶを印加して行い、各グリ
ッドのバリを取り除く処理である。
製造工程においては、通常使用時の耐圧特性を確保する
ためにノッキングと呼ばれる処理が行なわれる。このノ
ッキング処理は、通常の約２倍以上の電圧を印加し、例
えば低圧側の第１グリッドＧ1 ，第２グリッドＧ2 及び
第４グリッドＧ4 を接地電圧とし、第３グリッドＧ3 ，
第５グリッドＧ5 に−７０ＫＶを印加して行い、各グリ
ッドのバリを取り除く処理である。
【００１２】このノッキング処理時に、当然のごとく内
蔵抵抗素子１１に大量のジュール熱が発生し、このジュ
ール熱によって、アルミニウム電極部材１７とセラミッ
ク抵抗素体１４の抵抗部分１６との間に絶縁層が発生す
る。即ち、図７に示すように、第１は、ジュール熱によ
って抵抗部分１６の端面からＣＯ2 の形でＣ（炭素）が
放出され、その端面の極表面に絶縁層２１が形成され
る。第２は、ＡｌがＳｉに比べて酸化物生成の自由エネ
ルギーが小さいので、電極部材１７の内面にＳｉＯ2 の
Ｏ（酸素）をうばってＡｌ2 Ｏ3 層２２が形成される。
蔵抵抗素子１１に大量のジュール熱が発生し、このジュ
ール熱によって、アルミニウム電極部材１７とセラミッ
ク抵抗素体１４の抵抗部分１６との間に絶縁層が発生す
る。即ち、図７に示すように、第１は、ジュール熱によ
って抵抗部分１６の端面からＣＯ2 の形でＣ（炭素）が
放出され、その端面の極表面に絶縁層２１が形成され
る。第２は、ＡｌがＳｉに比べて酸化物生成の自由エネ
ルギーが小さいので、電極部材１７の内面にＳｉＯ2 の
Ｏ（酸素）をうばってＡｌ2 Ｏ3 層２２が形成される。
【００１３】この現像によって内蔵抵抗素子１１を介挿
している第３グリッドＧ3 及び第５グリッドＧ5 間の導
通、及び第４グリッドＧ4 と端子ピン４間の導通が不良
となって、ダイナミックフォーカスが取れないという、
使用上の問題が生じていた。この現像は、特にアノード
電圧の大きい高輝度を必要とする陰極線管において顕著
である。
している第３グリッドＧ3 及び第５グリッドＧ5 間の導
通、及び第４グリッドＧ4 と端子ピン４間の導通が不良
となって、ダイナミックフォーカスが取れないという、
使用上の問題が生じていた。この現像は、特にアノード
電圧の大きい高輝度を必要とする陰極線管において顕著
である。
【００１４】本発明は、上述の点に鑑み、ノッキング処
理時においても不導通状態とならない陰極線管の内蔵抵
抗素子及びその製造方法を提供するものである。
理時においても不導通状態とならない陰極線管の内蔵抵
抗素子及びその製造方法を提供するものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る陰極線管の
内蔵抵抗素子は、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＣを主体とし
て含有するセラミック抵抗素体の端面に、一部セラミッ
ク抵抗素体内に入り込むように、Ｓｉより酸化物生成の
自由エネルギーが大きい金属材料又はＡｕ材料からなる
電極部材をスパッタリング又はイオン注入により形成し
た構成とする。
内蔵抵抗素子は、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＣを主体とし
て含有するセラミック抵抗素体の端面に、一部セラミッ
ク抵抗素体内に入り込むように、Ｓｉより酸化物生成の
自由エネルギーが大きい金属材料又はＡｕ材料からなる
電極部材をスパッタリング又はイオン注入により形成し
た構成とする。
【００１６】この構成においては、セラミック抵抗素体
の端面にＳｉより酸化物生成の自由エネルギーが大きい
金属材料又はＡｕ材料からなる電極部材を形成すること
により、陰極線管のノッキング処理での温度上昇におい
ても、電極部材が酸化することがなく、電極部材とセラ
ミック抵抗素体との導通を良好にする。また、スパッタ
リング又はイオン注入等によってセラミック抵抗素体の
端面から一部内部に入り込むように電極部材を形成して
いるので、上記温度上昇でＣＯ 2 の形でＣ（炭素）が蒸
発し、セラミック抵抗素体の端面の極表面が絶縁化され
ても、内部に入り込んだ電極部材によって、電極部材と
セラミック抵抗素体との良好な導通が得られる。
の端面にＳｉより酸化物生成の自由エネルギーが大きい
金属材料又はＡｕ材料からなる電極部材を形成すること
により、陰極線管のノッキング処理での温度上昇におい
ても、電極部材が酸化することがなく、電極部材とセラ
ミック抵抗素体との導通を良好にする。また、スパッタ
リング又はイオン注入等によってセラミック抵抗素体の
端面から一部内部に入り込むように電極部材を形成して
いるので、上記温度上昇でＣＯ 2 の形でＣ（炭素）が蒸
発し、セラミック抵抗素体の端面の極表面が絶縁化され
ても、内部に入り込んだ電極部材によって、電極部材と
セラミック抵抗素体との良好な導通が得られる。
【００１７】本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗素子の製
造方法は、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＣを主体とする素材
を湿式混合し、酸化性雰囲気中で焼成してセラミック抵
抗素体を形成する工程と、セラミック抵抗素体の両端面
に、Ｓｉより酸化物生成の自由エネルギーが大きい金属
材料又はＡｕ材料を一部端面からセラミック抵抗素体内
に入り込むようにスパッタリング又はイオン注入して電
極部材を形成する工程を有する。
造方法は、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＣを主体とする素材
を湿式混合し、酸化性雰囲気中で焼成してセラミック抵
抗素体を形成する工程と、セラミック抵抗素体の両端面
に、Ｓｉより酸化物生成の自由エネルギーが大きい金属
材料又はＡｕ材料を一部端面からセラミック抵抗素体内
に入り込むようにスパッタリング又はイオン注入して電
極部材を形成する工程を有する。
【００１８】この製法においては、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ
2 とＣを主体とする素材からなるセラミック抵抗素体の
両端面に、Ｓｉより酸化物生成の自由エネルギーが大き
い金属材料又は酸化物を生成しないＡｕによる電極部材
を形成することにより、陰極線管のノッキング処理時の
温度上昇に際しても、セラミック抵抗素体中のＳｉＯ 2
と電極部材間で酸素のとり合いが起こらず、電極部材に
酸化物が生成しない。これによって、電極部材とセラミ
ック抵抗素体との導通が維持される。
2 とＣを主体とする素材からなるセラミック抵抗素体の
両端面に、Ｓｉより酸化物生成の自由エネルギーが大き
い金属材料又は酸化物を生成しないＡｕによる電極部材
を形成することにより、陰極線管のノッキング処理時の
温度上昇に際しても、セラミック抵抗素体中のＳｉＯ 2
と電極部材間で酸素のとり合いが起こらず、電極部材に
酸化物が生成しない。これによって、電極部材とセラミ
ック抵抗素体との導通が維持される。
【００１９】また、スパッタリング又はイオン注入によ
って一部端面からセラミック抵抗素体内に入り込むよう
にして電極部材を形成するようにしたことにより、上記
ノッキング処理時の温度上昇でセラミック抵抗素体の端
面の極表面からＣＯ2 の形でＣ（炭素）が蒸発し端面が
絶縁化されても、一部端面から内部に入り込んだ電極部
材によってセラミック抵抗素体との導通が維持される。
って一部端面からセラミック抵抗素体内に入り込むよう
にして電極部材を形成するようにしたことにより、上記
ノッキング処理時の温度上昇でセラミック抵抗素体の端
面の極表面からＣＯ2 の形でＣ（炭素）が蒸発し端面が
絶縁化されても、一部端面から内部に入り込んだ電極部
材によってセラミック抵抗素体との導通が維持される。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例について説明する。
施例について説明する。
【００２１】先ず、図１を用いて本発明の内蔵抵抗素子
を備えた陰極線管について説明する。本例の陰極線管
は、前述と同様の構成をとるもので、陰極線管体１のネ
ック部に電子銃２が封入されて成る。電子銃２は、例え
ば赤，緑及び青に対応する３つのカソードＫR ，ＫG 及
びＫB がインライン配列され、この３つのカソード
ＫR，ＫG 及びＫB に共通となるように同軸上に沿っ
て、第１グリッドＧ1 ，第２グリッドＧ2 ，第３グリッ
ドＧ3 ，第４グリッドＧ4 及び第５グリッドＧ5 が配列
され、第５グリッドＧ5 の先端に４枚の偏向電極板
Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 及びＣ4 からなるコンバージェンス手
段Ｃ0 が配置される。ｈ1 及びｈ2 は第１グリッドＧ 1
及び第２グリッドＧ2 の端面に設けられた電子ビーム透
過孔を示す。
を備えた陰極線管について説明する。本例の陰極線管
は、前述と同様の構成をとるもので、陰極線管体１のネ
ック部に電子銃２が封入されて成る。電子銃２は、例え
ば赤，緑及び青に対応する３つのカソードＫR ，ＫG 及
びＫB がインライン配列され、この３つのカソード
ＫR，ＫG 及びＫB に共通となるように同軸上に沿っ
て、第１グリッドＧ1 ，第２グリッドＧ2 ，第３グリッ
ドＧ3 ，第４グリッドＧ4 及び第５グリッドＧ5 が配列
され、第５グリッドＧ5 の先端に４枚の偏向電極板
Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 及びＣ4 からなるコンバージェンス手
段Ｃ0 が配置される。ｈ1 及びｈ2 は第１グリッドＧ 1
及び第２グリッドＧ2 の端面に設けられた電子ビーム透
過孔を示す。
【００２２】この電子銃２においては、例えば、第１グ
リッドＧ1 にＯＶが、第２グリッドＧ2 に７００Ｖ程度
が、第３グリッドＧ3 と第５グリッドＧ5 にアノード電
位である例えば２７ＫＶ〜３０ＫＶ程度が、第４グリッ
ドＧ4 にはフォーカス電位の例えば１０ＫＶ程度が夫々
印加される。
リッドＧ1 にＯＶが、第２グリッドＧ2 に７００Ｖ程度
が、第３グリッドＧ3 と第５グリッドＧ5 にアノード電
位である例えば２７ＫＶ〜３０ＫＶ程度が、第４グリッ
ドＧ4 にはフォーカス電位の例えば１０ＫＶ程度が夫々
印加される。
【００２３】また、コンバージェンス手段Ｃの内側偏向
電極板Ｃ2 及びＣ3 にアノード電位の２７ＫＶ〜３０Ｋ
Ｖ程度が、外側偏向電極板Ｃ1 及びＣ4 には之より１Ｋ
Ｖ程度低い２６ＫＶ〜２９ＫＶ程度が印加される。
電極板Ｃ2 及びＣ3 にアノード電位の２７ＫＶ〜３０Ｋ
Ｖ程度が、外側偏向電極板Ｃ1 及びＣ4 には之より１Ｋ
Ｖ程度低い２６ＫＶ〜２９ＫＶ程度が印加される。
【００２４】第３グリッドＧ3 ，第４グリッドＧ4 及び
第５グリッドＧ5 で主電子レンズが構成され、各カソー
ドＫR ，ＫG 及びＫB から出射された電子ビームは、主
電子レンズで交叉し、発散した後、中央の緑に対応する
電子ビームが内側偏向電極板Ｃ2 及びＣ3 間を直進し、
両側の赤及び青に対応する電子ビームが夫々対応する偏
向電極板Ｃ3 及びＣ4 間、偏向電極板Ｃ1 及びＣ2 間を
通り夫々内方に偏向作用を受けて蛍光面上で３つの電子
ビームがコンバージェンスされるようになされる。
第５グリッドＧ5 で主電子レンズが構成され、各カソー
ドＫR ，ＫG 及びＫB から出射された電子ビームは、主
電子レンズで交叉し、発散した後、中央の緑に対応する
電子ビームが内側偏向電極板Ｃ2 及びＣ3 間を直進し、
両側の赤及び青に対応する電子ビームが夫々対応する偏
向電極板Ｃ3 及びＣ4 間、偏向電極板Ｃ1 及びＣ2 間を
通り夫々内方に偏向作用を受けて蛍光面上で３つの電子
ビームがコンバージェンスされるようになされる。
【００２５】低圧が印加される第１グリッドＧ1 ，第２
グリッドＧ2 ，第４グリッドＧ4 は、夫々端子ピン４を
通じて電圧が印加される。第３グリッドＧ3 と第５グリ
ッドＧ5 はリード線５によって共通接続され、第５グリ
ッドＧ5 から之と一体に延長した弾性接触片６がアノー
ドボタンを通じてアノード電圧が印加された内装導電膜
７に接触することによって、アノード電圧が印加される
ようになされる。
グリッドＧ2 ，第４グリッドＧ4 は、夫々端子ピン４を
通じて電圧が印加される。第３グリッドＧ3 と第５グリ
ッドＧ5 はリード線５によって共通接続され、第５グリ
ッドＧ5 から之と一体に延長した弾性接触片６がアノー
ドボタンを通じてアノード電圧が印加された内装導電膜
７に接触することによって、アノード電圧が印加される
ようになされる。
【００２６】コンバージェンス手段Ｃ0 の内側偏向電極
板Ｃ2 及びＣ3 は第５グリッドＧ5に電気的、機械的に
接続される。また、図示せざるも、外側偏向電極板Ｃ1
及びＣ4 への電圧印加は内蔵した抵抗分割板を通じて抵
抗分割によって与えられる。
板Ｃ2 及びＣ3 は第５グリッドＧ5に電気的、機械的に
接続される。また、図示せざるも、外側偏向電極板Ｃ1
及びＣ4 への電圧印加は内蔵した抵抗分割板を通じて抵
抗分割によって与えられる。
【００２７】そして、本例においては、陰極線管内の放
電、例えば各グリッド間の放電によって非常に大きいサ
ージ電流が流れるを阻止するために、図１に示すよう
に、第３グリッドＧ3 及び第５グリッドＧ5 間と、第４
グリッドＧ4 及び端子ピン４間とに夫々本発明に係る抵
抗値の高い抵抗素子３１が接続される。
電、例えば各グリッド間の放電によって非常に大きいサ
ージ電流が流れるを阻止するために、図１に示すよう
に、第３グリッドＧ3 及び第５グリッドＧ5 間と、第４
グリッドＧ4 及び端子ピン４間とに夫々本発明に係る抵
抗値の高い抵抗素子３１が接続される。
【００２８】次に、この抵抗素子３１の一例をその製法
と共に説明する。本例においては、Ａｌ2 Ｏ3 （アルミ
ナ），ＳｉＯ2 ，Ｃ（炭素）を主体とする素材、例えば
Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ等とＣをある一定の割合
で湿式混合し、酸化性雰囲気、例えば空気雰囲気中で焼
成し、抵抗素体ブロックを形成する。この抵抗素体ブロ
ックをダイアモンドカッタにより所望の長さに切断して
各セラミック抵抗素体２４を得る。
と共に説明する。本例においては、Ａｌ2 Ｏ3 （アルミ
ナ），ＳｉＯ2 ，Ｃ（炭素）を主体とする素材、例えば
Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ等とＣをある一定の割合
で湿式混合し、酸化性雰囲気、例えば空気雰囲気中で焼
成し、抵抗素体ブロックを形成する。この抵抗素体ブロ
ックをダイアモンドカッタにより所望の長さに切断して
各セラミック抵抗素体２４を得る。
【００２９】抵抗素体２４は、上記焼成工程で表面のＣ
（炭素）がＣＯ2 の形で放出され表面がガラス状体、即
ち絶縁部分２５となり、Ｃ（炭素）を含んでいる芯の部
分が抵抗部分２６として形成される。
（炭素）がＣＯ2 の形で放出され表面がガラス状体、即
ち絶縁部分２５となり、Ｃ（炭素）を含んでいる芯の部
分が抵抗部分２６として形成される。
【００３０】次に、このセラミック抵抗素体２４の両端
面に対して、Ｓｉより酸化物生成の自由エネルギーの大
きい金属材料、例えばＦｅ，Ｃｒ等、或いは酸化物が生
成されないＡｕを例えばスパッタリングにて被着形成
し、セラミック抵抗素体２４の端面と電気的且つ機械的
に接続した電極部材２７を形成する。尚、この電極部材
を構成する上記金属材料は陰極線管での使用温度で蒸気
圧が低いことも必要条件となる。
面に対して、Ｓｉより酸化物生成の自由エネルギーの大
きい金属材料、例えばＦｅ，Ｃｒ等、或いは酸化物が生
成されないＡｕを例えばスパッタリングにて被着形成
し、セラミック抵抗素体２４の端面と電気的且つ機械的
に接続した電極部材２７を形成する。尚、この電極部材
を構成する上記金属材料は陰極線管での使用温度で蒸気
圧が低いことも必要条件となる。
【００３１】ここで、その後の温度上昇でセラミック抵
抗素体２４側のＣ（炭素）が蒸発するのはある程度やむ
を得ないので、電極部材２７を積極的にセラミック抵抗
素体の端面から内部に入り込ませるために、上記したよ
うに例えばスパッタリング法を採用する。条件としては
印加高圧の高い方がより深い所に侵入出来るため、より
優位となる。
抗素体２４側のＣ（炭素）が蒸発するのはある程度やむ
を得ないので、電極部材２７を積極的にセラミック抵抗
素体の端面から内部に入り込ませるために、上記したよ
うに例えばスパッタリング法を採用する。条件としては
印加高圧の高い方がより深い所に侵入出来るため、より
優位となる。
【００３２】この結果、図３の拡大図で示すように一部
２７ａが端面より内方に所定の深さにわたって、即ちそ
の後の温度上昇でＣ（炭素）が蒸発して絶縁化される膜
厚より深く入り込んだ電極部材２７が形成される。
２７ａが端面より内方に所定の深さにわたって、即ちそ
の後の温度上昇でＣ（炭素）が蒸発して絶縁化される膜
厚より深く入り込んだ電極部材２７が形成される。
【００３３】しかる後、セラミック抵抗素体２４の両端
に対して、夫々電極部材２７に電気的に接続するよう
に、例えばステンレス製のメタルキャップ２８を圧入
し、さらに、このメタルキャップ２８にリード線２９を
接続して目的の内蔵抵抗素子３１を得る。
に対して、夫々電極部材２７に電気的に接続するよう
に、例えばステンレス製のメタルキャップ２８を圧入
し、さらに、このメタルキャップ２８にリード線２９を
接続して目的の内蔵抵抗素子３１を得る。
【００３４】上述した実施例の内蔵抵抗素子３１によれ
ば、セラミック抵抗素体２４の端面にＳｉより酸化物生
成の自由エネルギーが大きい金属材料又はＡｕ材料から
なる電極部材２７を形成することにより、陰極線管の製
造工程におけるノッキング処理時に、温度上昇しても、
電極部材２７が酸化することがない。即ち、セラミック
抵抗素体２４中のＳｉＯ2 と電極部材２７間でＯ（酸
素）のとり合いが起こらず、電極部材２７に酸化物が生
成しない。これによって、高温状態になっても、セラミ
ック抵抗素体２４と電極部材２７間は良好な導通が維持
される。
ば、セラミック抵抗素体２４の端面にＳｉより酸化物生
成の自由エネルギーが大きい金属材料又はＡｕ材料から
なる電極部材２７を形成することにより、陰極線管の製
造工程におけるノッキング処理時に、温度上昇しても、
電極部材２７が酸化することがない。即ち、セラミック
抵抗素体２４中のＳｉＯ2 と電極部材２７間でＯ（酸
素）のとり合いが起こらず、電極部材２７に酸化物が生
成しない。これによって、高温状態になっても、セラミ
ック抵抗素体２４と電極部材２７間は良好な導通が維持
される。
【００３５】また、電極部材２７はスパッタリング法で
被着形成することにより、電極部材２７の一部２７ａ
は、セラミック抵抗素体２４の端面より所望の深さに入
り込んで形成される。従って、ノッキング処理での温度
上昇でセラミック抵抗素体２４の端面からＣ（炭素）が
ＣＯ2 の形で蒸発して極表面が絶縁化されても、所要の
深さに入り込んだ電極部材２７ａによって、セラミック
抵抗素体２４と電極部材２７との導通状態は良好に維持
される。
被着形成することにより、電極部材２７の一部２７ａ
は、セラミック抵抗素体２４の端面より所望の深さに入
り込んで形成される。従って、ノッキング処理での温度
上昇でセラミック抵抗素体２４の端面からＣ（炭素）が
ＣＯ2 の形で蒸発して極表面が絶縁化されても、所要の
深さに入り込んだ電極部材２７ａによって、セラミック
抵抗素体２４と電極部材２７との導通状態は良好に維持
される。
【００３６】本例によれば、従来、電極部材２７とセラ
ミック抵抗素体２４の両者側でノッキング処理時に発生
していた絶縁層の形成が回避される。従って、陰極線管
のアノード電圧がより高圧化されて高輝度化されても、
内蔵抵抗素子３１は正常に動作し、第３グリッドＧ3 と
第５グリッドＧ5 間、及び第４グリッドＧ4 と端子ピン
４間の夫々の導通が良好に得られ、例えばダイナミック
フォーカスが取れなくなる等の使用上の問題の発生が回
避される。
ミック抵抗素体２４の両者側でノッキング処理時に発生
していた絶縁層の形成が回避される。従って、陰極線管
のアノード電圧がより高圧化されて高輝度化されても、
内蔵抵抗素子３１は正常に動作し、第３グリッドＧ3 と
第５グリッドＧ5 間、及び第４グリッドＧ4 と端子ピン
４間の夫々の導通が良好に得られ、例えばダイナミック
フォーカスが取れなくなる等の使用上の問題の発生が回
避される。
【００３７】尚、上例では電極部材２７の形成をスパッ
タリング法で行ったが、その他イオン注入法で行っても
同様に一部所定の深さに入り込んだ電極部材２７を形成
することが可能である。例えばイオン注入の電圧を変化
させながら行うことで可能である。
タリング法で行ったが、その他イオン注入法で行っても
同様に一部所定の深さに入り込んだ電極部材２７を形成
することが可能である。例えばイオン注入の電圧を変化
させながら行うことで可能である。
【００３８】
【発明の効果】本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗素子に
よれば、高圧のノッキング処理で温度上昇しても、セラ
ミック抵抗素体とその両端の電極部材との間で導通不良
が生じない。従って、高輝度化されても信頼性の高い陰
極線管を提供することができる。
よれば、高圧のノッキング処理で温度上昇しても、セラ
ミック抵抗素体とその両端の電極部材との間で導通不良
が生じない。従って、高輝度化されても信頼性の高い陰
極線管を提供することができる。
【００３９】本発明に係る内蔵抵抗素子の製造方法によ
れば、セラミック抵抗素体の端面に対して、一部内部に
入り込むようにして電極部材を形成することができ、且
つその後の温度上昇においても、電極部材に酸化物の生
成がなく、良好な導通状態の電極部材を形成することが
できる。従って、信頼性の高い内蔵抵抗素子を製造する
ことができる。
れば、セラミック抵抗素体の端面に対して、一部内部に
入り込むようにして電極部材を形成することができ、且
つその後の温度上昇においても、電極部材に酸化物の生
成がなく、良好な導通状態の電極部材を形成することが
できる。従って、信頼性の高い内蔵抵抗素子を製造する
ことができる。
【図１】本発明に係る内蔵抵抗素子を備えた陰極線管の
要部の構成図である。
要部の構成図である。
【図２】本発明による内蔵抵抗素子の一例を示す断面図
である。
である。
【図３】図２の要部の拡大断面図である。
【図４】従来例に係る陰極線管の要部の構成図である。
【図５】従来の内蔵抵抗素子の断面図である。
【図６】従来の内蔵抵抗素子の製造工程図である。
【図７】従来例の説明に供する内蔵抵抗素子の要部の拡
大断面図である。
大断面図である。
１ 陰極線管体 ２ 電子銃 ４ 端子ピン ＫR ，ＫG ，ＫB カソード Ｇ1 〜Ｇ5 グリッド Ｃ0 コンバージェンス手段 １１，３１ 内蔵抵抗素子 ２４ セラミック抵抗素体 ２５ 絶縁部分 ２７ 抵抗部分 ２７ 電極部材 ２８ キャップ ２９ リード線
Claims (2)
- 【請求項１】 Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＣを主体として
含有するセラミック抵抗素体の端面に、一部前記セラミ
ック抵抗素体内に入り込むように、Ｓｉより酸化物生成
の自由エネルギーが大きい金属材料又はＡｕ材料からな
る電極部材がスパッタリング又はイオン注入により形成
されて成ることを特徴とする陰極線管の内蔵抵抗素子。 - 【請求項２】 Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＣを主体とする
素材を湿式混合し、酸化性雰囲気中で焼成してセラミッ
ク抵抗素体を形成する工程と、 前記セラミック抵抗素体の両端面に、Ｓｉより酸化物生
成の自由エネルギーが大きい金属材料又はＡｕ材料を一
部前記端面からセラミック抵抗素体内に入り込むように
スパッタリング又はイオン注入して電極部材を形成する
工程とを有することを特徴とする陰極線管の内蔵抵抗素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1026296A JPH09204888A (ja) | 1996-01-24 | 1996-01-24 | 陰極線管の内蔵抵抗素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1026296A JPH09204888A (ja) | 1996-01-24 | 1996-01-24 | 陰極線管の内蔵抵抗素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09204888A true JPH09204888A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=11745408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1026296A Pending JPH09204888A (ja) | 1996-01-24 | 1996-01-24 | 陰極線管の内蔵抵抗素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09204888A (ja) |
-
1996
- 1996-01-24 JP JP1026296A patent/JPH09204888A/ja active Pending
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