JPH09203749A - Probe head for semiconductor lsi inspection device, and manufacture thereof - Google Patents

Probe head for semiconductor lsi inspection device, and manufacture thereof

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JPH09203749A
JPH09203749A JP30499296A JP30499296A JPH09203749A JP H09203749 A JPH09203749 A JP H09203749A JP 30499296 A JP30499296 A JP 30499296A JP 30499296 A JP30499296 A JP 30499296A JP H09203749 A JPH09203749 A JP H09203749A
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pin
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probe head
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豊 秋庭
Masao Mitani
正男 三谷
Akio Fujiwara
彰夫 藤原
Hironobu Okino
博信 沖野
Takeshi Fujita
毅 藤田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance the easiness in the pin assembling work for a probe head and setting pins with a high accuracy and in high density. SOLUTION: Rows of electrode pads are formed on both surfaces, and the pads 21, 22 on the two surfaces are electrically connected in the specific arrangement, and at least three wiring layers are provided consisting of a current feed layer (power supply layer) 19, signal input/output layer 18, and ground layer 20, and a multi-layer wiring base board 1 is formed where the wiring (signal wiring 18) in the base board is expanded from one of the board surfaces fitted with a pin probe 16 toward the rear surface of the board, and a probe head is configured with this and the pin probe 16 in a polygonal pyramid shape including a circle having a minute plane 15 at the tip having a thick base part implanted on the pads 22 on one surface through a conductor layer 11a. The conductor layer 11a is formed in a sandwich structure of Ni and Au such as Ni/Au-Au brazed part/Ni.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、LSIに代表される半
導体装置の検査装置用プローブヘッド及びその製造方法
に係り、特に高密度多ピン化に好適なプロープヘッド及
びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe head for an inspection device of a semiconductor device typified by LSI and a manufacturing method thereof, and more particularly to a probe head suitable for high density multi-pin and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体LSIの電極パッドに接触して電
気信号を検査装置に伝送するプローブヘッドとして、従
来の装置は、例えばテストプローブを形成するのに、予
め準備されたプローブピンを個別にプローブ構造体に設
けた貫通孔に挿入した構造のものである。また、プロー
ブピンの先端部は、電気的接触特性を向上させるため尖
鋭化する必要があり、プローブピンをプローブ構造体に
固着させた後、切削、研磨により平坦面を得てエッチン
グによりその先端を半球状もしくは円錐状に露出形成さ
れている。なお、この種の装置として関連するものには
例えば特開昭61−80067号公報が挙げられる。
2. Description of the Related Art As a probe head for contacting an electrode pad of a semiconductor LSI and transmitting an electric signal to an inspection device, a conventional device uses a probe pin prepared in advance to form a test probe, for example. The structure is inserted in a through hole provided in the structure. Also, the tip of the probe pin needs to be sharpened to improve the electrical contact characteristics.After fixing the probe pin to the probe structure, a flat surface is obtained by cutting and polishing, and the tip is etched. It is formed in a hemispherical or conical shape. Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-80067 is an example of this type of apparatus.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする問題点】上記従来技術は、プ
ローブピンの高密度多ピン化の点について配慮されてお
らず、プローブピンの組立性やピン先端部位置の高精度
化に問題があった。つまり、従来技術では貫通開孔を有
するプローブ構造体にプローブピンを個々に挿入して組
立てるため、プローブピンの高密度化、多ピン化に対し
て高精度な挿入組立技術が必要となり、一定の限界があ
る。
The above-mentioned prior art does not take into consideration the problem of increasing the density of the probe pins and increasing the number of pins, and there is a problem in the assemblability of the probe pins and the accuracy of the pin tip position. It was In other words, in the prior art, probe pins are individually inserted into a probe structure having a through-hole and assembled, so that high-density and multi-pin probe pins require high-precision insertion and assembly technology. There is a limit.

【0004】更に、挿入したプローブピンの先端部は、
特に半導体ウエハの電極パッド(はんだバンプ)に接触
するピン先端部の場合、スプリングレスで、ピン−パッ
ド間の接触抵抗特性を確保するため一定のエリア(1チ
ップ分)内で、高さ方向及び横方向の位置を高精度でそ
ろえる必要がある。従来技術では、プローブピンの先端
部をエッチングにより形成しているが、特に先端部の位
置について高精度化の必要性が配慮されていない。
Further, the tip of the inserted probe pin is
In particular, in the case of a pin tip contacting an electrode pad (solder bump) of a semiconductor wafer, a spring-less, in a certain area (for one chip) in a height direction and in a certain area (for one chip) in order to secure contact resistance characteristics between a pin and a pad. It is necessary to align the horizontal position with high precision. In the prior art, the tip of the probe pin is formed by etching, but the necessity of improving the accuracy of the tip, especially, is not considered.

【0005】本発明の目的は、プローブヘッド部のピン
組立性を向上させると共に、高密度で高精度ピン立てを
実現させるプローブヘッドの構造及びその製造方法を提
供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a probe head structure and a method of manufacturing the same, which improve the pin assemblability of the probe head portion and realize high-density and high-precision pinning.

【0006】[0006]

【問題点を解決するための手段】高密度多ピン化におけ
る上記目的のうち、まず組立性向上については、配線基
板の電極パッド部で例えばロウ付けした導体シートをレ
ジストマスクを用いてウエットエッチング法によるアン
ダーカットを用いて選択エッチングすることにより達成
される。更に高精度ピン立ては、ピン先端部を導体シー
トの平坦面を用いる構造とすることにより達成される。
[Means for Solving the Problems] Among the above-mentioned objects in high density multi-pinning, first of all, in order to improve the assembling property, for example, a conductive sheet brazed at an electrode pad portion of a wiring board is wet-etched by using a resist mask. It is achieved by selective etching using an undercut according to Further, high-precision pin setting is achieved by using a structure in which the tip end portion uses a flat surface of a conductive sheet.

【0007】以下、本発明の第1の発明である半導体L
SI検査装置用ペローブヘッドについて、その特徴点を
列挙し具体的に説明する。
Hereinafter, a semiconductor L according to a first aspect of the present invention will be described.
The characteristic points of the probe head for an SI inspection device are listed and described in detail.

【0008】(1)半導体LSIの電極パッドに接触し
て電気信号を伝送するプローブヘッドにおいて、両面に
電極パッド列が形成され、かつ前記両面のパッド間がそ
れぞれ特定の配列関係で電気的に相互に接続されると共
に給電層と信号入出力層と接地層とから成る少なくとも
3種の配線層を有し、しかもピンプローブが設けられる
一方の基板面側から基板裏面側に向かって基板内の配線
が拡張された多層配線基板と、前記一方の基板面の各パ
ッド上に導体層を介して植設固定された基部が肉太でそ
の先端が微小な平坦面を有する円を含む多角形錐状のピ
ンプローブとから成ることを特徴とする。
(1) In a probe head for transmitting an electric signal by contacting an electrode pad of a semiconductor LSI, electrode pad rows are formed on both sides, and the pads on both sides are electrically connected to each other in a specific arrangement relationship. Wiring in the substrate from at least one substrate surface side on which the pin probe is provided and which has at least three kinds of wiring layers connected to the A multi-layered wiring board having an expanded shape, and a polygonal pyramid shape including a circle with a thick base and a small flat surface at the end fixed to each pad on the one board surface through a conductor layer. And a pin probe of.

【0009】(2)上記多層配線基板がセラミックスの
多層積層板から成ることを特徴とする。
(2) The multilayer wiring board is characterized by comprising a ceramic multilayer laminate.

【0010】(3)上記ピンプローブがタングステン
(W)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、クロム(C
r)、ベリリウム(Be)−銅(Cu)合金及び表面を銅 (C
u)よりも硬質の金属でメッキした銅(Cu)基材から成
る群から選ばれたいずれか1種の金属から成ることを特
徴とする。
(3) The pin probe is made of tungsten (W), molybdenum (Mo), titanium (Ti), chromium (C
r), beryllium (Be) -copper (Cu) alloy and copper (C
It is characterized by being made of any one metal selected from the group consisting of copper (Cu) substrates plated with a harder metal than u).

【0011】(4)上記ピンプローブの配線基板面から
の高さをhとし、隣接するピンプローブの植設されたパ
ッド間のピッチをdとしたとき、h=0.5〜2dとしたこ
とを特徴とする。上記ピンプローブの高さhとパッド間
のピッチdとの関係は、信号を良く通すための好ましい
条件であり、ピンプローブを構成する材質により多少は
異なるが概ね上記数値の範囲が実用的である。
(4) When the height of the pin probe from the surface of the wiring board is h and the pitch between the implanted pads of adjacent pin probes is d, h = 0.5 to 2d. And The relationship between the height h of the pin probe and the pitch d between the pads is a preferable condition for passing a signal well, and the range of the above numerical values is practical, though slightly different depending on the material constituting the pin probe. .

【0012】(5)ピンの少なくとも先端部である平坦
部の表面に金やロジューム等のメッキ被膜を設けたこと
を特徴とする。
(5) A plating film such as gold or rhodium is provided on the surface of at least the flat portion which is the tip of the pin.

【0013】次に本発明の第2の発明である半導体LS
I検査装置用プローブヘッドの製造方法について、その
特徴点を列挙し具体的に説明する。
Next, the semiconductor LS according to the second invention of the present invention
The method of manufacturing the probe head for the I inspection apparatus will be described specifically with the features of the method.

【0014】(1)一方の面にピンプローブを植設固定
するための電極パッド列が、そしてその裏面には検査装
置に接続されるための電極パッド列がそれぞれ形成さ
れ、しかも前記両面のパッド間が特定の配列関係で電気
的に相互に接続された配線基板を準備する工程;導体シ
ート上に前記配線基板のピンプローブを植設固定するた
めの電極パッド列に対応したパターンの電極パッド列を
形成する工程;前記両パッド列を対向させ導体層を介し
て前記導体シートを前記配線基板に固定する工程;前記
導体シートの表面を所望により平滑に研磨したのち、前
記導体シート表面に前記両電極パッド列の各パッドと中
心位置を同じくした円を含む多角形のマスクパターンを
形成する工程;前記マスクパターンをマスクとして上記
導体シートを選択エッチングすることにより、上記電極
パッド列に対応する円を含む多角形錐状の尖鋭化したピ
ン列を形成する工程;及び上記マスクを除去する工程を
有することを特徴とする。
(1) An electrode pad row for implanting and fixing a pin probe is formed on one surface, and an electrode pad row for connecting to an inspection device is formed on the back surface thereof, and the pads on both sides are formed. A step of preparing a wiring board electrically connected to each other in a specific arrangement relationship; an electrode pad row having a pattern corresponding to an electrode pad row for implanting and fixing a pin probe of the wiring board on a conductor sheet A step of fixing the conductor sheet to the wiring board through a conductor layer so that the pad rows are opposed to each other; a surface of the conductor sheet is polished to be smooth if desired, and then the conductor sheet is formed on the surface of the conductor sheet. Forming a polygonal mask pattern including a circle having the same center position as each pad of the electrode pad row; selecting the conductor sheet using the mask pattern as a mask By quenching, the step of forming a sharpened pin rows of polygonal conical including a circle corresponding to the electrode pad rows; characterized by having a step of removing and the mask.

【0015】(2)上記導体シートがタングステン
(W)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、クロム(C
r)、ベリリウム(Be)−銅(Cu)合金及び銅(Cu)から
成る群のいずれか1種の金属から成り、マスクとして前
記導体シートの選択エッチングに耐え得る金属もしくは
ホトレジストから成ることを特徴とする。
(2) The conductor sheet is made of tungsten (W), molybdenum (Mo), titanium (Ti), chromium (C
r), beryllium (Be) -copper (Cu) alloy, and copper (Cu), and a mask or a metal that can withstand selective etching of the conductor sheet as a mask. And

【0016】(3)上記両パッド列を対向させ導体層を
介して前記導体シートを前記配線基板に固定する工程に
おいて、あらかじめ両パッド上に金属ロウ材を被覆形成
しておき、ロウ付けにより両パッド列を固定することを
特徴とする。
(3) In the step of fixing the conductor sheet to the wiring board via the conductor layer with the two pad rows facing each other, a metal brazing material is coated on both pads in advance, and both pads are formed by brazing. The pad row is fixed.

【0017】(4)上記ロウ材として金(Au)を用い
ることを特徴とする。
(4) Gold (Au) is used as the brazing material.

【0018】(5)上記マスクパターンをマスクとして
上記導体シートを選択エッチングする工程におけるエッ
チング処理として、ウエットエッチング法を用いてサイ
ドエッチングを行いながらエッチングするか、もしくは
ドライエッチングにより途中までエッチングしておき、
その後ウエットエッチング法によりサイドエッチングを
行いながらエッチングし、円を含む多角形錐状の尖鋭化
したピン列を形成することを特徴とする。
(5) As the etching treatment in the step of selectively etching the conductor sheet using the mask pattern as a mask, etching is performed while performing side etching using a wet etching method, or etching is performed partway by dry etching. ,
Thereafter, etching is performed while performing side etching by a wet etching method to form a sharp pin array having a polygonal pyramid shape including a circle.

【0019】なお、前記導体シートの厚さは最終的に得
られるピンプローブの高さを決定することになるので、
表面平坦化の研磨量及び電極パッドの高さを考慮しつつ
所望の厚さのものを使用する。また、材質としては、ピ
ンプローブとして或る程度の硬さ(剛性)と、導電性
(低抵抗)と耐脆性(もろくない)とを有しているもの
であればよく、一般には上記のものが適当である。ただ
し、銅を使用する場合には、硬さがやや不足するので、
ピンプローブが形成された時点で、表面に例えばニッケ
ル、クロム等のメッキをして用いることが望ましい。そ
の他、材質により硬度が満足されている場合であって
も、ピンの表面酸化を防止するため防蝕を目的として周
知の適当なメッキ層を形成すると信頼性の高いものが得
られより好ましい。
Since the thickness of the conductor sheet determines the height of the pin probe finally obtained,
A material having a desired thickness is used in consideration of the polishing amount of the surface flattening and the height of the electrode pad. Further, the material may be any material having a certain degree of hardness (rigidity), conductivity (low resistance) and brittle resistance (not brittle) as a pin probe, and generally the above-described materials. Is appropriate. However, when using copper, the hardness is slightly insufficient.
When the pin probe is formed, it is desirable that the surface be plated with, for example, nickel or chromium. In addition, even if the hardness is satisfied by the material, it is more preferable to form a well-known appropriate plating layer for the purpose of corrosion prevention in order to prevent oxidation of the surface of the pin because a highly reliable one is obtained.

【0020】上記マスクパターンとしては、円、楕円、
その他三角、四角、五角などいずれの多角形のものでも
よい。材質も金属は勿論、一般に用いられているホトレ
ジスト(感光性レジスト)でもよく、いずれにしても導
体シートをエッチングする際に十分にマスク作用をする
ものであればよく、周知の技術で十分に対応可能であ
る。金属マスクの場合は、導体シート上にCVD(he
mical apor eposition)、スパッタリング、その他
周知の薄膜形成技術(一般の蒸着を含む)でマスク材と
なる薄膜を形成しておき、この薄膜にホトレジスト膜
(紫外線のみならず、電子線、X線で感光するものを含
む)を形成し、所望のマスクを介して露光し、現像、エ
ッチングすることにより容易に目的とする金属マスクパ
ターンを導体シート上に形成することができる。微細な
パターンを形成する場合には、紫外線よりはX線、X線
よりは電子線に感光するレジストを用いればよいことは
周知のとおりである。また、レジストの解像度からすれ
ば一般にネガ型よりもポジ型の方が優れている。
The mask pattern includes a circle, an ellipse,
In addition, any polygonal shape such as a triangle, a square, and a pentagon may be used. The material may be not only metal but also a generally used photoresist (photosensitive resist). In any case, any material that can sufficiently act as a mask when etching a conductive sheet may be used. It is possible. For the metal mask, on the conductor sheet CVD (C he
mical V apor D eposition), sputtering, and other previously formed thin film to be a mask material by a known thin film forming technique (including a general vapor deposition), not to the thin photoresist film (UV only, electron beams, X-rays , Exposure through a desired mask, development, and etching can easily form a target metal mask pattern on a conductive sheet. It is well known that a resist sensitive to X-rays rather than ultraviolet rays and electron beams rather than X-rays can be used to form a fine pattern. In general, the positive type is superior to the negative type in view of the resolution of the resist.

【0021】[0021]

【作用】配線基板の電極パッド部で平坦面を有するよう
に導体層、例えばロウ付けにより固定した導体シート
を、上記平坦面にピン形成用のマスクパターンを形成し
た後ウエットエッチング法を用いて一括形成することが
できるので、高密度多ピン化においてプローブヘッド部
のピン組立性を向上させることができる。
The conductor sheet, which is fixed by brazing to have a flat surface on the electrode pad portion of the wiring board, is formed by a wet etching method after forming a mask pattern for pin formation on the flat surface. Since it can be formed, it is possible to improve the pin assemblability of the probe head portion in high-density multi-pinning.

【0022】更に、ピン先端部となる導体シートの平坦
面にピン形成用のマスクパターンを形成し、上記電極パ
ッド部の中央に位置する部分に微小なフラット面が残る
ようにアンダーカットを行うことにより、ピン先端部の
高さ方向バラツキを導体シートの平坦面と同レベルにす
ることができ、かつ横方向バラツキをマスクパターンの
寸法精度に近いレベルにもっていくことができるので、
プローブヘッド部の高精度ピン立てを実現させることが
できる。
Further, a mask pattern for forming pins is formed on a flat surface of the conductive sheet which is a tip portion of the pin, and an undercut is performed so that a minute flat surface remains in a portion located at the center of the electrode pad portion. As a result, the height variation of the pin tip can be made the same level as the flat surface of the conductor sheet, and the lateral variation can be brought to a level close to the dimensional accuracy of the mask pattern.
High-precision pinning of the probe head can be realized.

【0023】[0023]

【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。図1A〜図1Eは、本発明の一実施例となる多
層配線基板1上に多ピンを形成するための製造プロセス
を工程順に示したものである。
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples. 1A to 1E show a manufacturing process for forming multiple pins on a multilayer wiring board 1 according to an embodiment of the present invention in the order of steps.

【0024】図1Aは、給電層と信号層(入出力)と接
地層とを有する多層配線基板1、導体シート2のメタラ
イズ工程後を示す。多層配線基板1は、湿式厚膜セラミ
ック基板であり、両面に形成したタングステン系の電極
パッド部3、4に各々ニッケルメッキ5、6、金メッキ
7、8を施している。
FIG. 1A shows a multilayer wiring board 1 having a power supply layer, a signal layer (input / output), and a ground layer, and a conductor sheet 2 after a metallizing step. The multilayer wiring board 1 is a wet thick-film ceramic substrate, and nickel platings 5, 6 and gold platings 7, 8 are applied to tungsten-based electrode pads 3, 4 formed on both surfaces, respectively.

【0025】一方、導体シート2は、タングステンを材
質とし、片側の面に上記した電極パツド部3に対応する
位置に所望のパターンによりニッケルメッキ9、金メッ
キ10を施している。ここで電極パッド部3は、多層配線
基板1の内部配線(図示せず)により拡大された電極パ
ッド部4と電気的に接続されている。
On the other hand, the conductor sheet 2 is made of tungsten, and one surface of the conductor sheet 2 is nickel-plated 9 and gold-plated 10 in a desired pattern at a position corresponding to the electrode pad portion 3 described above. Here, the electrode pad portion 3 is electrically connected to the enlarged electrode pad portion 4 by the internal wiring (not shown) of the multilayer wiring board 1.

【0026】図1Bは、多層配線基板1と導体シート2
のロウ付け工程後を示す。多層配線基板1の電極パッド
部3上のニッケルメッキ5を介して形成した金メッキ7
と導体シート2上のニッケルメッキ9を介して形成した
金メッキ10を、対応するパターンが上下重なるように対
向位置合わせした後、加熱圧着することにより金(Au)
−金(Au)のロウ付け部11を形成する。特に、導体シー
ト2のロウ付け部11を形成していない反対面は、加熱圧
着時に平坦面12を得ている。この導体シート2に形成さ
れる平坦面12は、ロウ付け後研磨等により更に平坦度を
向上させることができる。
FIG. 1B shows a multilayer wiring board 1 and a conductor sheet 2.
After the brazing step. Gold plating 7 formed via nickel plating 5 on electrode pads 3 of multilayer wiring board 1
And gold plating 10 formed via nickel plating 9 on conductive sheet 2 are opposed to each other so that the corresponding patterns are vertically overlapped, and then heated and pressed to form gold (Au).
Forming a brazing portion 11 of gold (Au); In particular, the opposite surface of the conductor sheet 2 where the brazing portion 11 is not formed has a flat surface 12 at the time of thermocompression bonding. The flat surface 12 formed on the conductor sheet 2 can be further improved in flatness by polishing or the like after brazing.

【0027】なお、電極パッド部3上のニッケルメッキ
5/ロウ付け部11/導体シート2上のニッケルメッキ9
の3層は、後の図1Dの導体シートのエッチング工程で
パッド部3とピン16とを接続固定する導体層11aを
形成する。
The nickel plating 5 on the electrode pad portion 3 / the brazing portion 11 / the nickel plating 9 on the conductor sheet 2
The three layers form a conductor layer 11a for connecting and fixing the pad portion 3 and the pin 16 in a later step of etching the conductor sheet of FIG. 1D.

【0028】図1Cは、導体シート2の平坦面12上への
メタルマスク13の形成工程後を示す。このマスクの形成
工程はタングステン(W)の導体シート2の平坦面12上
に銅を一様に蒸着する。次に、その上に感光性レジスト
をスピンナーで塗布し、所望のパターンを石英マスク等
を用いて露光、現象する。なお、この例ではレジストと
して東京応化(株)製、商品名OMR−83ネガ型紫外線
レジストを使用し、露光は400nm付近の紫外線照射で行
った。
FIG. 1C shows a state after the step of forming the metal mask 13 on the flat surface 12 of the conductor sheet 2. In this mask forming step, copper is uniformly deposited on the flat surface 12 of the conductive sheet 2 of tungsten (W). Next, a photosensitive resist is applied thereon by a spinner, and a desired pattern is exposed and developed using a quartz mask or the like. In this example, an OMR-83 negative type ultraviolet resist manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd. was used as the resist, and the exposure was performed by irradiating an ultraviolet ray near 400 nm.

【0029】次に、感光部のレジストを除去し、過硫酸
アンモニウム系水溶液により銅膜をエッチングし、銅の
メタルマスク13が形成される。このメタルマスク13の形
状は、通常円形パターンを用いるが、後工程におけるピ
ン先端部形状を制御するため、角形他種々の形状をと
る。また、メタルマスク13は、ピン立ての条件から通常
多層配線基板1上に形成した電極パッド部3の位置と中
心軸14が一致するように形成される。
Next, the resist in the photosensitive portion is removed, and the copper film is etched with an ammonium persulfate-based aqueous solution to form a copper metal mask 13. Usually, a circular pattern is used as the shape of the metal mask 13. However, in order to control the shape of the tip of the pin in a later step, the metal mask 13 takes a square shape or other various shapes. Further, the metal mask 13 is usually formed so that the central axis 14 coincides with the position of the electrode pad portion 3 formed on the multilayer wiring board 1 under the condition of pin stand.

【0030】図1Dは、導体シート2の選択エッチング
工程後を示す。タングステンの導体シート2を、銅のメ
タルマスク13を形成した面から、水酸化カリウムと赤血
塩の混合系水溶液によりウエットエッチングを行う。こ
の時、アンダーカット(サイドエッジ、側面腐食ともい
う)を積極的に利用し、かつ制御することにより、メタ
ルマスク13の中央下部に導体シート2の微小なフラット
面15を形成すると同時に、導体シート2をロウ付け部11
の近傍を残して除去する。
FIG. 1D shows the conductor sheet 2 after the selective etching step. The tungsten conductive sheet 2 is wet-etched from the surface on which the copper metal mask 13 is formed with a mixed aqueous solution of potassium hydroxide and red blood salt. At this time, by actively utilizing and controlling the undercut (also referred to as side edge, side corrosion), the minute flat surface 15 of the conductor sheet 2 is formed at the lower center of the metal mask 13 and at the same time, the conductor sheet is formed. 2 brazing part 11
Is removed leaving the vicinity of.

【0031】この結果、多層配線基板1のロウ付け部11
上に、先端部に微小なフラット面15を有する尖鋭化した
ピン16が、メタルマスク13を残した状態で形成される。
ここで、ピン16を垂直に立てるためには、メタルマスク
13とロウ付け部11の中心軸14を一致させる必要がある。
また、上記したエッチング液が導体シート2のロウ付け
部11の面からの浸入によるピン16の形状バラツキを除去
する必要がある場合には、選択エッチング工程前(図1
B又は図1C)に導体シート2のロウ付け部11の面上
に樹脂系ワックスを塗布又は充填しておき、エッチング
終了後に有機溶媒により取り除けばよい。
As a result, the brazing portion 11 of the multilayer wiring board 1
A sharpened pin 16 having a fine flat surface 15 at the tip is formed on the top thereof while leaving the metal mask 13.
Here, to raise the pin 16 vertically, use a metal mask
13 and the central axis 14 of the brazing portion 11 need to be aligned.
When it is necessary to remove the variation in the shape of the pin 16 due to the above-mentioned etching solution entering from the surface of the brazing portion 11 of the conductor sheet 2, before the selective etching step (FIG.
B or FIG. 1C) may be coated or filled with a resin-based wax on the surface of the brazing portion 11 of the conductive sheet 2 and may be removed with an organic solvent after completion of the etching.

【0032】図1Eは、ピン16の先端部に残ったメタ
ルマスク13を除去した工程後を示す。銅のメタルマスク
13は、過硫酸アンモニウム系水溶液により取り除かれ
る。これにより、多層配線基板1上に多ピンを形成する
製造プロセスが基本的に完了する。ピン16の材質とし
て、タングステンの導体シート2を用いたが、メタルマ
スク13やロウ付け部11をエッチングしない水溶液を選択
することにより、他の金属を使用することができる。
FIG. 1E shows a state after the step of removing the metal mask 13 remaining at the tip of the pin 16. Copper metal mask
13 is removed by an ammonium persulfate-based aqueous solution. As a result, the manufacturing process for forming multiple pins on the multilayer wiring board 1 is basically completed. Although the conductive sheet 2 made of tungsten is used as the material of the pins 16, other metals can be used by selecting an aqueous solution that does not etch the metal mask 13 and the brazing portion 11.

【0033】例えば、導体シート2に銅を使用した場合
には、メタルマスク13にクロムを用いる。この時、銅、
クロムのエッチング液は、各々過硫酸アンモニウム系水
溶液、フェリシアン化カリウム系水溶液を用いる。ま
た、ピン16の表面に金やロジュームのメッキ皮膜を形成
することにより、半導体ウエハ(チップ)の電極パッド
(はんだバンプ)とピン16との電気的な接触特性を安定
にし、かつ向上させることができる。
For example, when copper is used for the conductor sheet 2, chromium is used for the metal mask 13. At this time, copper,
As the chromium etchant, an aqueous solution of ammonium persulfate and an aqueous solution of potassium ferricyanide are used, respectively. In addition, by forming a plating film of gold or rhodium on the surface of the pin 16, the electrical contact characteristics between the electrode pad (solder bump) of the semiconductor wafer (chip) and the pin 16 can be stabilized and improved. it can.

【0034】図2は、上記した多ピンを形成した多層配
線基板1の断面構造を示す。多層配線基板1は、アルミ
ナ絶縁層17の中にタングステン等からなる導体材料で信
号配線18、電源層19、グランド層20が形成されている。
さらに上下面には電極パッド21、22が各々形成され、上
面の電極パッド21間のピッチ23は、下面の電極パッド22
間のピッチ24の3倍程度に拡大され、上面の電極パッド
21との電気的、機械的接続を容易にする構造としてい
る。下面の電極パッド22上には、上記した多ピン形成方
法によりピン16が形成されている。また、上面の電極パ
ッド21上には、ニッケル、金のメタライズ25が施され、
ピン接触やはんだ接続に対する信頼度を向上させてい
る。
FIG. 2 shows a cross-sectional structure of the multilayer wiring board 1 on which the above-described multi-pin is formed. In the multilayer wiring board 1, a signal wiring 18, a power supply layer 19, and a ground layer 20 are formed of a conductive material made of tungsten or the like in an alumina insulating layer 17.
Further, electrode pads 21 and 22 are formed on the upper and lower surfaces, respectively. The pitch 23 between the electrode pads 21 on the upper surface is
The electrode pad on the top is enlarged to about 3 times the pitch 24 between
It has a structure that facilitates electrical and mechanical connection with 21. The pins 16 are formed on the lower electrode pads 22 by the above-described multi-pin forming method. Further, nickel and gold metallization 25 is applied on the upper surface electrode pad 21,
Improves reliability for pin contact and solder connection.

【0035】一方、信号配線18は、高速電気信号の授受
を行うため電源層19、グランド層20をレファレンス層と
してストリップ線路又はマイクロストリップ線路となっ
ており、一定の特性インピーダンスを有している。
On the other hand, the signal wiring 18 is a strip line or a microstrip line using the power supply layer 19 and the ground layer 20 as reference layers for transmitting and receiving high-speed electric signals, and has a constant characteristic impedance.

【0036】図3は、上記した多ピンを形成する基板に
多層配線基板1を用いない場合を示す。この時、ピン16
を形成した電極パッド22のパッド間ピッチ24は拡大され
ず、スルーホール印刷により配線26が垂直に形成され
る。このような構造を有する配線基板27は、上記した多
層配線基板1と比べて簡易構造となるため、製造上コス
ト低減を図ることができる。更に、簡易構造を活してピ
ン16の配置、つまり電極パッド22の配置を規格化するこ
とにより、配線基板27をピンブロックとして汎用性をも
たせることができる。
FIG. 3 shows a case where the multilayer wiring board 1 is not used as the board on which the above-mentioned multi-pin is formed. At this time, pin 16
The inter-pad pitch 24 of the electrode pad 22 formed with is not enlarged, and the wiring 26 is formed vertically by through-hole printing. Since the wiring board 27 having such a structure has a simple structure as compared with the above-described multilayer wiring board 1, the manufacturing cost can be reduced. Furthermore, by standardizing the arrangement of the pins 16, that is, the arrangement of the electrode pads 22 by utilizing the simple structure, the wiring board 27 can be provided as a pin block for general versatility.

【0037】図4は、半導体ウエハ28の1チップ29エリ
ア上に配置されたはんだボール(電極バッド)30に、上
記した多ピンを形成した多層配線基板1、ピッチ拡大用
多層厚膜基板31、及びピッチ拡大用多層プリント基板32
から構成されるプローブカード33(1、31、32)を多層
配線基板1に設けたピン16(図示せず)により、電気
的、機械的に接触させた状態を示す半導体検査装置の伝
送路要部断面構造を示す。
FIG. 4 shows a multi-layer wiring board 1 having the above-mentioned multi-pin formed thereon, a multi-layer thick film substrate 31 for pitch expansion, and solder balls (electrode pads) 30 arranged on one chip 29 area of a semiconductor wafer 28. And pitch enlargement multilayer printed circuit board 32
The transmission path of a semiconductor inspection apparatus showing a state in which a probe card 33 (1, 31, 32) composed of a semiconductor device is electrically and mechanically contacted by pins 16 (not shown) provided on the multilayer wiring board 1. 2 shows a partial cross-sectional structure.

【0038】プローブカード33は、テスタ部(図示せ
ず)との信号の授受を行う同軸コネクタ34、及びピッチ
拡大用多層プリント基板32の表面に設けられた電極パタ
ーン(図示せず)と電気的、機械的に接触させる同軸形
スプリングコンタクトピン35を配置した支持基板36と、
位置決め用基板37を介して電気的に接続されている。こ
の時、プローブカード33は、支持基板36を開閉すること
により着脱される。また、プローブカード33のピン16が
摩耗、変形した時は、多層配線基板1を、ピッチ拡大用
多層厚膜基板31との接続部(はんだもしくはロウ付け)
で分離して交換を行う。
The probe card 33 is electrically connected to a coaxial connector 34 for transmitting and receiving signals to and from a tester unit (not shown) and an electrode pattern (not shown) provided on the surface of the multilayer printed circuit board 32 for pitch expansion. A support substrate 36 on which a coaxial spring contact pin 35 for mechanical contact is arranged,
They are electrically connected via a positioning substrate 37. At this time, the probe card 33 is detached by opening and closing the support substrate 36. Further, when the pins 16 of the probe card 33 are worn or deformed, the connection portion (solder or brazing) of the multilayer wiring substrate 1 to the multilayer thick film substrate 31 for pitch expansion is performed.
Separate and replace.

【0039】なお、上記のピッチ拡大用多層厚膜基板31
とピッチ拡大用多層プリント基板32の接続もはんだ付け
もしくはロウ付けで形成されている。プローブカード33
の構成について、電極パッド間の拡大をそれ程必要とし
ない場合、上記したピッチ拡大用多層厚膜基板31を取り
除いて用いるか、または上記ピッチ拡大用多層厚膜基板
31の電極パッド(図示せず)上に直接多ピンを形成して
用いることもある。
The multi-layer thick film substrate 31 for pitch expansion described above.
The connection between the substrate and the pitch-enlarging multilayer printed circuit board 32 is also formed by soldering or brazing. Probe card 33
In the configuration of the above, when the expansion between the electrode pads is not so required, the above-mentioned multilayer thick film substrate 31 for pitch expansion is removed and used, or the multilayer thick film substrate for pitch expansion is used.
In some cases, multiple pins may be formed directly on the 31 electrode pads (not shown).

【0040】[0040]

【発明の効果】本発明によれば、配線基板の電極パッド
部に高密度な多ピンを一括形成することができるのでピ
ン立ての組立性を大幅に向上させる効果がある。
According to the present invention, since a high density of multiple pins can be collectively formed on the electrode pad portion of the wiring board, there is an effect of greatly improving the assembling property of the pin stand.

【0041】更に、ピン先端部の高さ方向バラツキを導
体シートの平坦面と同レベルにでき、かつ横方向バラツ
キをマスクパターンの寸法精度に近いレベルにもってい
くことができるので、プローブヘッド部のピン先端部位
置精度を大幅に向上させる効果がある。
Furthermore, since the height direction variation of the pin tip portion can be made to the same level as the flat surface of the conductor sheet, and the lateral direction variation can be brought to a level close to the dimensional accuracy of the mask pattern, the probe head portion This has the effect of significantly improving the pin tip position accuracy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1A】本発明の一実施例の多ピンを形成するための
製造プロセスを示す断面工程図。
FIG. 1A is a sectional process view showing a manufacturing process for forming multiple pins according to an embodiment of the present invention.

【図1B】本発明の一実施例の多ピンを形成するための
製造プロセスを示す断面工程図。
FIG. 1B is a sectional process view showing a manufacturing process for forming a multi-pin according to an embodiment of the present invention.

【図1C】本発明の一実施例の多ピンを形成するための
製造プロセスを示す断面工程図。
FIG. 1C is a sectional process view showing a manufacturing process for forming a multi-pin according to one embodiment of the present invention;

【図1D】本発明の一実施例の多ピンを形成するための
製造プロセスを示す断面工程図。
FIG. 1D is a sectional process view showing the manufacturing process for forming the multi-pin according to one embodiment of the present invention;

【図1E】本発明の一実施例の多ピンを形成するための
製造プロセスを示す断面工程図。
FIG. 1E is a sectional process drawing showing the manufacturing process for forming the multi-pin according to the embodiment of the present invention.

【図2】本発明の他の実施例となる多ピンを形成した基
板の断面図。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate on which multiple pins are formed according to another embodiment of the present invention.

【図3】本発明の他の実施例となる多ピンを形成した基
板の断面図。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a substrate on which multiple pins are formed according to another embodiment of the present invention.

【図4】本発明のプローブヘッドを用いた半導体検査装
置伝送路要部の断面図。
FIG. 4 is a sectional view of a main part of a transmission line of a semiconductor inspection device using the probe head of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…多層配線基板、 2…導体シート、 3、4…電極パッド部、 5、6、9…ニッケルメッキ、 7、8、10…金メッキ、 11…ロウ付け部、 11a…導体層、 12…平坦面、 13…メタルマスク、 14…中心軸、 15…微小なフラット面、 16…ピン、 17…アルミナ絶縁層、 18…信号配線、 19…電源層、 20…グランド層、 21、22…電極パッド、 23、24…ピッチ、 25…金のメタライズ。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Multilayer wiring board, 2 ... Conductor sheet, 3, 4 ... Electrode pad part, 5, 6, 9 ... Nickel plating, 7, 8, 10 ... Gold plating, 11 ... Brazing part, 11a ... Conductor layer, 12 ... Flat Surface, 13 ... Metal mask, 14 ... Central axis, 15 ... Micro flat surface, 16 ... Pin, 17 ... Alumina insulating layer, 18 ... Signal wiring, 19 ... Power supply layer, 20 ... Ground layer, 21, 22 ... Electrode pad , 23, 24 ... Pitch, 25 ... Gold metallization.

フロントページの続き (72)発明者 沖野 博信 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 藤田 毅 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内Front page continuation (72) Inventor Hironobu Okino 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa, Ltd.Inside of Hitachi, Ltd. Hitachi, Ltd., Production Engineering Laboratory

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体LSIの電極パッドに接触して電気
信号を伝送するプローブヘッドにおいて、両面に電極パ
ッド列が形成され、かつ前記両面のパッド間がそれぞれ
特定の配列関係で電気的に相互に接続されると共に給電
層と信号入出力層と接地層とから成る少なくとも3種の
配線層を有し、しかもピンプローブが設けられる一方の
基板面側から基板裏面側に向かって基板内の配線が拡張
された多層配線基板と、前記一方の基板面の各パッド上
に導体層を介して植設固定された基部が肉太でその先端
が微小な平坦面を有する円を含む多角形錐状のピンプロ
ーブとから成ることを特徴とする半導体LSI検査装置
用プローブヘッド。
1. In a probe head for transmitting an electric signal by contacting an electrode pad of a semiconductor LSI, electrode pad rows are formed on both surfaces, and the pads on the both surfaces are electrically connected to each other in a specific arrangement relationship. The wiring in the substrate is connected from at least one substrate surface side on which the pin probe is provided and has at least three wiring layers including a power supply layer, a signal input / output layer, and a ground layer. An expanded multilayer wiring board, and a polygonal pyramid shape including a circle having a thick base and a tip having a minute flat surface, which is implanted and fixed on each pad on the one board surface through a conductor layer. A probe head for a semiconductor LSI inspection device, comprising a pin probe.
【請求項2】半導体LSIの電極パッドに接触して電気
信号を伝送するプローブヘッドにおいて、両面に電極パ
ッド列が形成され、かつ前記両面のパッド間がそれぞれ
特定の配列関係で電気的に相互に接続されると共に給電
層と信号入出力層と接地層とから成る少なくとも3種の
配線層を有し、しかもピンプローブが設けられる一方の
基板面側から基板裏面側に向かって基板内の配線が拡張
されたセラミックスの多層積層板から成る多層配線基板
と、前記一方の基板面の各パッド上に導体層を介して植
設固定された基部が肉太でその先端が微小な平坦面を有
する円を含む多角形錐状のピンプローブとから成ること
を特徴とする半導体LSI検査装置用プローブヘッド。
2. In a probe head for transmitting an electric signal by contacting an electrode pad of a semiconductor LSI, electrode pad rows are formed on both surfaces, and the pads on both surfaces are electrically connected to each other in a specific arrangement relationship. The wiring in the substrate is connected from at least one substrate surface side on which the pin probe is provided and has at least three wiring layers including a power supply layer, a signal input / output layer, and a ground layer. A multilayer wiring board composed of an expanded ceramic multilayer laminated board, and a circle having a thick base and a minute flat surface at the tip fixed and implanted through a conductor layer on each pad on the one board surface. A probe head for a semiconductor LSI inspection device, comprising a polygonal cone-shaped pin probe including
【請求項3】半導体LSIの電極パッドに接触して電気
信号を伝送するプローブヘッドにおいて、両面に電極パ
ッド列が形成され、かつ前記両面のパッド間がそれぞれ
特定の配列関係で電気的に相互に接続されると共に給電
層と信号入出力層と接地層とから成る少なくとも3種の
配線層を有し、しかもピンプローブが設けられる一方の
基板面側から基板裏面側に向かって基板内の配線が拡張
された多層積層板から成る多層配線基板と、前記一方の
基板面の各パッド上に導体層を介して植設固定された基
部が肉太でその先端が微小な平坦面を有する円を含む多
角形錐状のピンプローブとから成り、前記ピンプローブ
がタングステン(W)、モリブデン(Mo)、チタン(T
i)、クロム(Cr)、ベリリウム(Be)−銅(Cu)合金及
び表面を銅(Cu)よりも硬質の金属でメッキした銅
(Cu)基材から成る群から選ばれたいずれか1種の金
属から成ることを特徴とする半導体LSI検査装置用プ
ローブヘッド。
3. A probe head for transmitting an electric signal by contacting an electrode pad of a semiconductor LSI, wherein electrode pad rows are formed on both surfaces, and the pads on both surfaces are electrically connected to each other in a specific arrangement relationship. The wiring in the substrate is connected from at least one substrate surface side on which the pin probe is provided and has at least three wiring layers including a power supply layer, a signal input / output layer, and a ground layer. A multilayer wiring board including an expanded multilayer laminated board, and a circle having a thick base and a minute flat surface at its tip, which is implanted and fixed via a conductor layer on each pad on the one board surface, A polygonal cone-shaped pin probe, wherein the pin probe is made of tungsten (W), molybdenum (Mo), titanium (T).
Any one selected from the group consisting of i), chromium (Cr), beryllium (Be) -copper (Cu) alloy, and a copper (Cu) substrate whose surface is plated with a metal harder than copper (Cu). A probe head for a semiconductor LSI inspection device, which is made of the above metal.
【請求項4】半導体LSIの電極パッドに接触して電気
信号を伝送するプローブヘッドにおいて、両面に電極パ
ッド列が形成され、かつ前記両面のパッド間がそれぞれ
特定の配列関係で電気的に相互に接続されると共に給電
層と信号入出力層と接地層とから成る少なくとも3種の
配線層を有し、しかもピンプローブが設けられる一方の
基板面側から基板裏面側に向かって基板内の配線が拡張
された多層配線基板と、前記一方の基板面の各パッド上
に導体層を介して植設固定された基部が肉太でその先端
が微小な平坦面を有する円を含む多角形錐状のピンプロ
ーブとから成り、前記ピンプローブの配線基板面からの
高さをhとし、隣接するピンプローブの植設されたパッ
ド間のピッチをdとしたとき、h=0.5〜2dとしたこと
を特徴とする半導体LSI検査装置用プローブヘッド。
4. A probe head for transmitting an electric signal in contact with an electrode pad of a semiconductor LSI, wherein electrode pad rows are formed on both surfaces, and the pads on both surfaces are electrically connected to each other in a specific arrangement relationship. The wiring in the substrate is connected from at least one substrate surface side on which the pin probe is provided and has at least three wiring layers including a power supply layer, a signal input / output layer, and a ground layer. An expanded multilayer wiring board, and a polygonal pyramid shape including a circle having a thick base and a tip having a minute flat surface, which is implanted and fixed on each pad on the one board surface through a conductor layer. A pin probe, wherein h = 0.5 to 2d, where h is the height of the pin probe from the wiring board surface and d is the pitch between adjacent pad pads of the pin probe. Semiconductor Probe head for LSI inspection equipment.
【請求項5】半導体LSIの電極パッドに接触して電気
信号を伝送するプローブヘッドにおいて、両面に電極パ
ッド列が形成され、かつ前記両面のパッド間がそれぞれ
特定の配列関係で電気的に相互に接続されると共に給電
層と信号入出力層と接地層とから成る少なくとも3種の
配線層を有し、しかもピンプローブが設けられる一方の
基板面側から基板裏面側に向かって基板内の配線が拡張
された多層配線基板と、前記一方の基板面の各パッド上
に導体層を介して植設固定された基部が肉太でその先端
にメッキ被膜を有すると共に微小な平坦面を有する円を
含む多角形錐状のピンプローブとから成ることを特徴と
する半導体LSI検査装置用プローブヘッド。
5. In a probe head for transmitting an electric signal by contacting an electrode pad of a semiconductor LSI, electrode pad rows are formed on both surfaces, and the pads on both surfaces are electrically connected to each other in a specific arrangement relationship. The wiring in the substrate is connected from at least one substrate surface side on which the pin probe is provided and has at least three wiring layers including a power supply layer, a signal input / output layer, and a ground layer. Includes an expanded multilayer wiring board and a circle having a thick base with a base planted and fixed via a conductor layer on each pad on the one board surface and having a plated coating on its tip and a minute flat surface. A probe head for a semiconductor LSI inspection device, comprising a polygonal cone-shaped pin probe.
【請求項6】一方の面にピンプローブを植設固定するた
めの電極パッド列が、そしてその裏面には検査装置に接
続されるための電極パツド列がそれぞれ形成され、しか
も前記両面のパツド間が特定の配列関係で電気的に相互
に接続された配線基板を準備する工程;導体シート上に
前記配線基板のピンプローブを植設固定するための電極
パッド列に対応したパターンの電極パッド列を形成する
工程;前記両パッド列を対向させ導体層を介して前記導
体シートを前記配線基板に固定する工程;前記導体シー
トの表面を所望により平滑に研磨したのち、前記導体シ
ート表面に前記両電極パッド列の各パッドと中心位置を
同じくした円を含む多角形のマスクパターンを形成する
工程;前記マスクパターンをマスクとして上記導体シー
トを選択エッチングすることにより、上記電極パッド列
に対応する円を含む多角形錐状の尖鋭化したピン列を形
成する工程;及び上記マスクを除去する工程を有するこ
とを特徴とする半導体LSI検査装置用プローブヘッド
の製造方法。
6. An electrode pad row for implanting and fixing a pin probe on one surface, and an electrode pad row for connecting to an inspection device is formed on the back surface thereof, and between the pads on both sides. A step of preparing a wiring board electrically connected to each other in a specific arrangement relationship; an electrode pad row having a pattern corresponding to an electrode pad row for implanting and fixing a pin probe of the wiring board on a conductor sheet A step of forming; a step of fixing the conductor sheet to the wiring board via a conductor layer with the pad rows facing each other; a surface of the conductor sheet being polished as desired to be smooth, and then the electrodes on the conductor sheet surface. A step of forming a polygonal mask pattern including a circle having the same center position as each pad of the pad row; the conductor sheet is selectively etched using the mask pattern as a mask. By forming a polygonal cone-shaped sharpened pin array including a circle corresponding to the electrode pad array; and removing the mask, the probe head for a semiconductor LSI inspection apparatus. Manufacturing method.
【請求項7】上記導体シートがタングステン(W)、モ
リブデン(Mo)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、ベリリ
ウム(Be)−銅(Cu)合金及び銅(Cu)から成る群のい
ずれか1種の金属から成り、マスクとして前記導体シー
トの選択エッチングに耐え得る金属もしくはホトレジス
トから成ることを特徴とする請求項6記載の半導体LS
I検査装置用プローブヘッドの製造方法。
7. The conductor sheet is any one of the group consisting of tungsten (W), molybdenum (Mo), titanium (Ti), chromium (Cr), beryllium (Be) -copper (Cu) alloy and copper (Cu). 7. The semiconductor LS according to claim 6, wherein the semiconductor LS is made of one kind of metal, and is used as a mask, which is a metal or photoresist that can resist selective etching of the conductor sheet.
Method for manufacturing probe head for I inspection device.
【請求項8】上記両パッド列を対向させ導体層を介して
前記導体シートを前記配線基板に固定する工程におい
て、あらかじめ両パッド上に金属ロウ材を被覆形成して
おき、ロウ付けにより両パッド列を固定することを特徴
とする請求項6もしくは7記載の半導体LSI検査装置
用プローブヘッドの製造方法。
8. In the step of fixing the conductor sheet to the wiring board via a conductor layer with the both pad rows facing each other, a metal brazing material is formed on both pads in advance and both pads are brazed. The method for manufacturing a probe head for a semiconductor LSI inspection device according to claim 6, wherein the rows are fixed.
【請求項9】上記ロウ材として金(Au)を用いること
を特徴とする請求項8記載の半導体LSI検査装置用プ
ローブヘッドの製造方法。
9. The method of manufacturing a probe head for a semiconductor LSI inspection device according to claim 8, wherein gold (Au) is used as the brazing material.
【請求項10】上記マスクパターンをマスクとして上記
導体シートを選択エッチングする工程におけるエッチン
グ処理として、ウエットエッチング法を用いてサイドエ
ッチングを行いながらエッチングするか、もしくはドラ
イエッチングにより途中までエッチングしておき、その
後ウエットエッチング法によりサイドエッチングを行い
ながらエッチングし、円を含む多角形錐状の尖鋭化した
ピン列を形成することを特徴とする請求項6乃至9いず
れか一つに記載の半導体LSI検査装置用プローブヘッ
ドの製造方法。
10. The etching process in the step of selectively etching the conductor sheet using the mask pattern as a mask, is performed while performing side etching using a wet etching method, or is partially etched by dry etching, 10. The semiconductor LSI inspecting apparatus according to claim 6, further comprising a wet etching method for performing side etching while performing side etching to form a polygonal cone-shaped sharpened pin array. For manufacturing probe heads for automobiles.
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