JP2749566B2 - Probe head for semiconductor LSI inspection device and method of manufacturing the same - Google Patents

Probe head for semiconductor LSI inspection device and method of manufacturing the same

Info

Publication number
JP2749566B2
JP2749566B2 JP30499296A JP30499296A JP2749566B2 JP 2749566 B2 JP2749566 B2 JP 2749566B2 JP 30499296 A JP30499296 A JP 30499296A JP 30499296 A JP30499296 A JP 30499296A JP 2749566 B2 JP2749566 B2 JP 2749566B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pin
pads
electrode pad
substrate
probe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP30499296A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH09203749A (en
Inventor
豊 秋庭
正男 三谷
彰夫 藤原
博信 沖野
毅 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP30499296A priority Critical patent/JP2749566B2/en
Publication of JPH09203749A publication Critical patent/JPH09203749A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2749566B2 publication Critical patent/JP2749566B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、LSIに代表される半
導体装置の検査装置用プローブヘッド及びその製造方法
に係り、特に高密度多ピン化に好適なプロープヘッド及
びその製造方法に関する。 【0002】 【従来の技術】半導体LSIの電極パッドに接触して電
気信号を検査装置に伝送するプローブヘッドとして、従
来の装置は、例えばテストプローブを形成するのに、予
め準備されたプローブピンを個別にプローブ構造体に設
けた貫通孔に挿入した構造のものである。また、プロー
ブピンの先端部は、電気的接触特性を向上させるため尖
鋭化する必要があり、プローブピンをプローブ構造体に
固着させた後、切削、研磨により平坦面を得てエッチン
グによりその先端を半球状もしくは円錐状に露出形成さ
れている。なお、この種の装置として関連するものには
例えば特開昭61−80067号公報が挙げられる。 【0003】 【発明が解決しようとする問題点】上記従来技術は、プ
ローブピンの高密度多ピン化の点について配慮されてお
らず、プローブピンの組立性やピン先端部位置の高精度
化に問題があった。つまり、従来技術では貫通開孔を有
するプローブ構造体にプローブピンを個々に挿入して組
立てるため、プローブピンの高密度化、多ピン化に対し
て高精度な挿入組立技術が必要となり、一定の限界があ
る。 【0004】更に、挿入したプローブピンの先端部は、
特に半導体ウエハの電極パッド(はんだバンプ)に接触
するピン先端部の場合、スプリングレスで、ピン−パッ
ド間の接触抵抗特性を確保するため一定のエリア(1チ
ップ分)内で、高さ方向及び横方向の位置を高精度でそ
ろえる必要がある。従来技術では、プローブピンの先端
部をエッチングにより形成しているが、特に先端部の位
置について高精度化の必要性が配慮されていない。 【0005】本発明の目的は、プローブヘッド部のピン
組立性を向上させると共に、高密度で高精度ピン立てを
実現させるプローブヘッドの構造及びその製造方法を提
供することにある。 【0006】 【問題点を解決するための手段】高密度多ピン化におけ
る上記目的のうち、まず組立性向上については、配線基
板の電極パッド部で例えばロウ付けした導体シートをレ
ジストマスクを用いてウエットエッチング法によるアン
ダーカットを用いて選択エッチングすることにより達成
される。更に高精度ピン立ては、ピン先端部を導体シー
トの平坦面を用いる構造とすることにより達成される。 【0007】以下、本発明の第1の発明である半導体L
SI検査装置用ペローブヘッドについて、その特徴点を
列挙し具体的に説明する。 【0008】(1)半導体LSIの電極パッドに接触し
て電気信号を伝送するプローブヘッドにおいて、両面に
電極パッド列が形成され、かつ前記両面のパッド間がそ
れぞれ特定の配列関係で電気的に相互に接続されると共
に給電層と信号入出力層と接地層とから成る少なくとも
3種の配線層を有し、しかもピンプローブが設けられる
一方の基板面側から基板裏面側に向かってパッド間のピ
ッチ拡大に伴い基板内の配線が引き回された多層配線基
板と、前記一方の基板面の各パッド上に導体層を介して
植設固定された基部が肉太でその先端が微小な平坦面を
有する円を含む多角形錐状のピンプローブとから成るこ
とを特徴とする。 【0009】(2)上記多層配線基板がセラミックスの
多層積層板から成ることを特徴とする。 【0010】(3)上記ピンプローブがタングステン
(W)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、クロム(C
r)、ベリリウム(Be)−銅(Cu)合金及び表面を銅 (C
u)よりも硬質の金属でメッキした銅(Cu)基材から成
る群から選ばれたいずれか1種の金属から成ることを特
徴とする。 【0011】(4)上記ピンプローブの配線基板面から
の高さをhとし、隣接するピンプローブの植設されたパ
ッド間のピッチをdとしたとき、h=0.5〜2dとしたこ
とを特徴とする。上記ピンプローブの高さhとパッド間
のピッチdとの関係は、信号を良く通すための好ましい
条件であり、ピンプローブを構成する材質により多少は
異なるが概ね上記数値の範囲が実用的である。 【0012】(5)ピンの少なくとも先端部である平坦
部の表面に金やロジューム等のメッキ被膜を設けたこと
を特徴とする。 【0013】次に本発明の第2の発明である半導体LS
I検査装置用プローブヘッドの製造方法について、その
特徴点を列挙し具体的に説明する。 【0014】(1)一方の面にピンプローブを植設固定
するための第1の電極パッド列が、そしてその裏面には
検査装置に接続されるための第2の電極パツド列がそれ
ぞれ形成され、しかも前記両面のパツド間が特定の配列
関係で電気的に相互に接続された配線基板を準備する工
程;導体シート上に前記第1の電極パッド列に対応した
パターンの第3の電極パッド列を形成する工程;前記
1及び第3の両パッド列を対向させ導体層を介して前記
導体シートを前記配線基板に固定する工程;前記導体シ
ート表面に前記第1及び第3の両電極パッド列の各パッ
ドと中心位置を同じくした円を含む多角形のマスクパタ
ーンを形成する工程;上記第3の電極パッド列に対応す
る円を含む多角形錐状の尖鋭化したピン列を形成する
めに上記マスクパターンをマスクとして上記導体シート
を選択エッチングする工程;及び上記マスクを除去する
工程を有することを特徴とする。 【0015】(2)上記導体シートがタングステン
(W)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、クロム(C
r)、ベリリウム(Be)−銅(Cu)合金及び銅(Cu)から
成る群のいずれか1種の金属から成り、マスクとして前
記導体シートの選択エッチングに耐え得る金属もしくは
ホトレジストから成ることを特徴とする。 【0016】(3)上記両パッド列を対向させ導体層を
介して前記導体シートを前記配線基板に固定する工程に
おいて、あらかじめ両パッド上に金属ロウ材を被覆形成
しておき、ロウ付けにより両パッド列を固定することを
特徴とする。 【0017】(4)上記ロウ材として金(Au)を用い
ることを特徴とする。 【0018】(5)上記マスクパターンをマスクとして
上記導体シートを選択エッチングする工程におけるエッ
チング処理として、ウエットエッチング法を用いてサイ
ドエッチングを行いながらエッチングするか、もしくは
ドライエッチングにより途中までエッチングしておき、
その後ウエットエッチング法によりサイドエッチングを
行いながらエッチングし、円を含む多角形錐状の尖鋭化
したピン列を形成することを特徴とする。 【0019】なお、前記導体シートの厚さは最終的に得
られるピンプローブの高さを決定することになるので、
表面平坦化の研磨量及び電極パッドの高さを考慮しつつ
所望の厚さのものを使用する。また、材質としては、ピ
ンプローブとして或る程度の硬さ(剛性)と、導電性
(低抵抗)と耐脆性(もろくない)とを有しているもの
であればよく、一般には上記のものが適当である。ただ
し、銅を使用する場合には、硬さがやや不足するので、
ピンプローブが形成された時点で、表面に例えばニッケ
ル、クロム等のメッキをして用いることが望ましい。そ
の他、材質により硬度が満足されている場合であって
も、ピンの表面酸化を防止するため防蝕を目的として周
知の適当なメッキ層を形成すると信頼性の高いものが得
られより好ましい。 【0020】上記マスクパターンとしては、円、楕円、
その他三角、四角、五角などいずれの多角形のものでも
よい。材質も金属は勿論、一般に用いられているホトレ
ジスト(感光性レジスト)でもよく、いずれにしても導
体シートをエッチングする際に十分にマスク作用をする
ものであればよく、周知の技術で十分に対応可能であ
る。金属マスクの場合は、導体シート上にCVD(he
mical apor eposition)、スパッタリング、その他
周知の薄膜形成技術(一般の蒸着を含む)でマスク材と
なる薄膜を形成しておき、この薄膜にホトレジスト膜
(紫外線のみならず、電子線、X線で感光するものを含
む)を形成し、所望のマスクを介して露光し、現像、エ
ッチングすることにより容易に目的とする金属マスクパ
ターンを導体シート上に形成することができる。微細な
パターンを形成する場合には、紫外線よりはX線、X線
よりは電子線に感光するレジストを用いればよいことは
周知のとおりである。また、レジストの解像度からすれ
ば一般にネガ型よりもポジ型の方が優れている。 【0021】 【作用】配線基板の電極パッド部で平坦面を有するよう
に導体層、例えばロウ付けにより固定した導体シート
を、上記平坦面にピン形成用のマスクパターンを形成し
た後ウエットエッチング法を用いて一括形成することが
できるので、高密度多ピン化においてプローブヘッド部
のピン組立性を向上させることができる。 【0022】更に、ピン先端部となる導体シートの平坦
面にピン形成用のマスクパターンを形成し、上記電極パ
ッド部の中央に位置する部分に微小なフラット面が残る
ようにアンダーカットを行うことにより、ピン先端部の
高さ方向バラツキを導体シートの平坦面と同レベルにす
ることができ、かつ横方向バラツキをマスクパターンの
寸法精度に近いレベルにもっていくことができるので、
プローブヘッド部の高精度ピン立てを実現させることが
できる。 【0023】 【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。図1A〜図1Eは、本発明の一実施例となる多
層配線基板1上に多ピンを形成するための製造プロセス
を工程順に示したものである。 【0024】図1Aは、給電層と信号層(入出力)と接
地層とを有する多層配線基板1、導体シート2のメタラ
イズ工程後を示す。多層配線基板1は、湿式厚膜セラミ
ック基板であり、両面に形成したタングステン系の電極
パッド部3、4に各々ニッケルメッキ5、6、金メッキ
7、8を施している。 【0025】一方、導体シート2は、タングステンを材
質とし、片側の面に上記した電極パツド部3に対応する
位置に所望のパターンによりニッケルメッキ9、金メッ
キ10を施している。ここで電極パッド部3は、多層配線
基板1の内部配線(図示せず)により拡大された電極パ
ッド部4と電気的に接続されている。 【0026】図1Bは、多層配線基板1と導体シート2
のロウ付け工程後を示す。多層配線基板1の電極パッド
部3上のニッケルメッキ5を介して形成した金メッキ7
と導体シート2上のニッケルメッキ9を介して形成した
金メッキ10を、対応するパターンが上下重なるように対
向位置合わせした後、加熱圧着することにより金(Au)
−金(Au)のロウ付け部11を形成する。特に、導体シー
ト2のロウ付け部11を形成していない反対面は、加熱圧
着時に平坦面12を得ている。この導体シート2に形成さ
れる平坦面12は、ロウ付け後研磨等により更に平坦度を
向上させることができる。 【0027】なお、電極パッド部3上のニッケルメッキ
5/ロウ付け部11/導体シート2上のニッケルメッキ9
の3層は、後の図1Dの導体シートのエッチング工程で
パッド部3とピン16とを接続固定する導体層11aを
形成する。 【0028】図1Cは、導体シート2の平坦面12上への
メタルマスク13の形成工程後を示す。このマスクの形成
工程はタングステン(W)の導体シート2の平坦面12上
に銅を一様に蒸着する。次に、その上に感光性レジスト
をスピンナーで塗布し、所望のパターンを石英マスク等
を用いて露光、現象する。なお、この例ではレジストと
して東京応化(株)製、商品名OMR−83ネガ型紫外線
レジストを使用し、露光は400nm付近の紫外線照射で行
った。 【0029】次に、感光部のレジストを除去し、過硫酸
アンモニウム系水溶液により銅膜をエッチングし、銅の
メタルマスク13が形成される。このメタルマスク13の形
状は、通常円形パターンを用いるが、後工程におけるピ
ン先端部形状を制御するため、角形他種々の形状をと
る。また、メタルマスク13は、ピン立ての条件から通常
多層配線基板1上に形成した電極パッド部3の位置と中
心軸14が一致するように形成される。 【0030】図1Dは、導体シート2の選択エッチング
工程後を示す。タングステンの導体シート2を、銅のメ
タルマスク13を形成した面から、水酸化カリウムと赤血
塩の混合系水溶液によりウエットエッチングを行う。こ
の時、アンダーカット(サイドエッジ、側面腐食ともい
う)を積極的に利用し、かつ制御することにより、メタ
ルマスク13の中央下部に導体シート2の微小なフラット
面15を形成すると同時に、導体シート2をロウ付け部11
の近傍を残して除去する。 【0031】この結果、多層配線基板1のロウ付け部11
上に、先端部に微小なフラット面15を有する尖鋭化した
ピン16が、メタルマスク13を残した状態で形成される。
ここで、ピン16を垂直に立てるためには、メタルマスク
13とロウ付け部11の中心軸14を一致させる必要がある。
また、上記したエッチング液が導体シート2のロウ付け
部11の面からの浸入によるピン16の形状バラツキを除去
する必要がある場合には、選択エッチング工程前(図1
B又は図1C)に導体シート2のロウ付け部11の面上
に樹脂系ワックスを塗布又は充填しておき、エッチング
終了後に有機溶媒により取り除けばよい。 【0032】図1Eは、ピン16の先端部に残ったメタ
ルマスク13を除去した工程後を示す。銅のメタルマスク
13は、過硫酸アンモニウム系水溶液により取り除かれ
る。これにより、多層配線基板1上に多ピンを形成する
製造プロセスが基本的に完了する。ピン16の材質とし
て、タングステンの導体シート2を用いたが、メタルマ
スク13やロウ付け部11をエッチングしない水溶液を選択
することにより、他の金属を使用することができる。 【0033】例えば、導体シート2に銅を使用した場合
には、メタルマスク13にクロムを用いる。この時、銅、
クロムのエッチング液は、各々過硫酸アンモニウム系水
溶液、フェリシアン化カリウム系水溶液を用いる。ま
た、ピン16の表面に金やロジュームのメッキ皮膜を形成
することにより、半導体ウエハ(チップ)の電極パッド
(はんだバンプ)とピン16との電気的な接触特性を安定
にし、かつ向上させることができる。 【0034】図2は、上記した多ピンを形成した多層配
線基板1の断面構造を示す。多層配線基板1は、アルミ
ナ絶縁層17の中にタングステン等からなる導体材料で信
号配線18、電源層19、グランド層20が形成されている。
さらに上下面には電極パッド21、22が各々形成され、上
面の電極パッド21間のピッチ23は、下面の電極パッド22
間のピッチ24の3倍程度に拡大され、上面の電極パッド
21との電気的、機械的接続を容易にする構造としてい
る。下面の電極パッド22上には、上記した多ピン形成方
法によりピン16が形成されている。また、上面の電極パ
ッド21上には、ニッケル、金のメタライズ25が施され、
ピン接触やはんだ接続に対する信頼度を向上させてい
る。 【0035】一方、信号配線18は、高速電気信号の授受
を行うため電源層19、グランド層20をレファレンス層と
してストリップ線路又はマイクロストリップ線路となっ
ており、一定の特性インピーダンスを有している。 【0036】図3は、上記した多ピンを形成する基板に
多層配線基板1を用いない場合を示す。この時、ピン16
を形成した電極パッド22のパッド間ピッチ24は拡大され
ず、スルーホール印刷により配線26が垂直に形成され
る。このような構造を有する配線基板27は、上記した多
層配線基板1と比べて簡易構造となるため、製造上コス
ト低減を図ることができる。更に、簡易構造を活してピ
ン16の配置、つまり電極パッド22の配置を規格化するこ
とにより、配線基板27をピンブロックとして汎用性をも
たせることができる。 【0037】図4は、半導体ウエハ28の1チップ29エリ
ア上に配置されたはんだボール(電極バッド)30に、上
記した多ピンを形成した多層配線基板1、ピッチ拡大用
多層厚膜基板31、及びピッチ拡大用多層プリント基板32
から構成されるプローブカード33(1、31、32)を多層
配線基板1に設けたピン16(図示せず)により、電気
的、機械的に接触させた状態を示す半導体検査装置の伝
送路要部断面構造を示す。 【0038】プローブカード33は、テスタ部(図示せ
ず)との信号の授受を行う同軸コネクタ34、及びピッチ
拡大用多層プリント基板32の表面に設けられた電極パタ
ーン(図示せず)と電気的、機械的に接触させる同軸形
スプリングコンタクトピン35を配置した支持基板36と、
位置決め用基板37を介して電気的に接続されている。こ
の時、プローブカード33は、支持基板36を開閉すること
により着脱される。また、プローブカード33のピン16が
摩耗、変形した時は、多層配線基板1を、ピッチ拡大用
多層厚膜基板31との接続部(はんだもしくはロウ付け)
で分離して交換を行う。 【0039】なお、上記のピッチ拡大用多層厚膜基板31
とピッチ拡大用多層プリント基板32の接続もはんだ付け
もしくはロウ付けで形成されている。プローブカード33
の構成について、電極パッド間の拡大をそれ程必要とし
ない場合、上記したピッチ拡大用多層厚膜基板31を取り
除いて用いるか、または上記ピッチ拡大用多層厚膜基板
31の電極パッド(図示せず)上に直接多ピンを形成して
用いることもある。 【0040】 【発明の効果】本発明によれば、配線基板の電極パッド
部に高密度な多ピンを一括形成することができるのでピ
ン立ての組立性を大幅に向上させる効果がある。 【0041】更に、ピン先端部の高さ方向バラツキを導
体シートの平坦面と同レベルにでき、かつ横方向バラツ
キをマスクパターンの寸法精度に近いレベルにもってい
くことができるので、プローブヘッド部のピン先端部位
置精度を大幅に向上させる効果がある。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe head for an inspection device of a semiconductor device represented by an LSI and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a probe head suitable for a high-density multi-pin device. The present invention relates to a probe head and a method for manufacturing the same. 2. Description of the Related Art As a probe head for transmitting an electric signal to an inspection device by contacting an electrode pad of a semiconductor LSI, a conventional device uses, for example, a probe pin prepared in advance to form a test probe. This is a structure individually inserted into a through hole provided in the probe structure. Also, the tip of the probe pin needs to be sharpened to improve the electrical contact characteristics.After fixing the probe pin to the probe structure, a flat surface is obtained by cutting and polishing, and the tip is etched. It is formed in a hemispherical or conical shape. Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-80067 is an example of this type of apparatus. [0003] The above prior art does not consider the high density and high pin count of the probe pins, but is intended to improve the assemblability of the probe pins and the precision of the pin tip position. There was a problem. In other words, in the prior art, probe pins are individually inserted into a probe structure having a through-hole and assembled, so that high-density and multi-pin probe pins require high-precision insertion and assembly technology. There is a limit. Further, the tip of the inserted probe pin is
In particular, in the case of a pin tip contacting an electrode pad (solder bump) of a semiconductor wafer, a spring-less, in a certain area (for one chip) in a height direction and in a certain area (for one chip) in order to secure contact resistance characteristics between a pin and a pad. It is necessary to align the horizontal position with high precision. In the prior art, the tip of the probe pin is formed by etching, but the necessity of improving the accuracy of the tip, especially, is not considered. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a probe head structure and a method of manufacturing the same, which improve the pin assemblability of the probe head portion and realize high-density and high-precision pinning. Means for Solving the Problems Among the above-mentioned objects in increasing the number of pins with high density, first, for improving the assemblability, for example, a conductor sheet brazed at an electrode pad portion of a wiring board using a resist mask. This is achieved by performing selective etching using an undercut by a wet etching method. Further, high-precision pin setting is achieved by using a structure in which the tip end portion uses a flat surface of a conductive sheet. Hereinafter, a semiconductor L according to a first aspect of the present invention will be described.
The characteristic points of the probe head for an SI inspection device are listed and described in detail. (1) In a probe head for transmitting an electric signal by contacting an electrode pad of a semiconductor LSI, an electrode pad row is formed on both sides, and the pads on both sides are electrically connected to each other in a specific arrangement relationship. peak between the pads toward and is connected to the power supply layer and the signal input and output layers and has at least three wiring layers composed of a ground layer, moreover the rear surface side of the substrate from the one substrate side of the pin probe is provided
And the multilayer wiring board in which the wiring is pulled Kai in Tsu substrate with the Chi expansion, implanted fixed base its tip is very small in bold flat through the conductor layer on each pad of the substrate surface of the one And a polygonal conical pin probe including a circle having a surface. (2) The multilayer wiring board is characterized by comprising a ceramic multilayer laminate. (3) The pin probe is made of tungsten (W), molybdenum (Mo), titanium (Ti), chromium (C
r), beryllium (Be) -copper (Cu) alloy and copper (C
It is characterized by being made of any one metal selected from the group consisting of copper (Cu) substrates plated with a harder metal than u). (4) When the height of the pin probe from the surface of the wiring board is h and the pitch between the implanted pads of adjacent pin probes is d, h = 0.5 to 2d. And The relationship between the height h of the pin probe and the pitch d between the pads is a preferable condition for passing a signal well, and the range of the above numerical values is practical, though slightly different depending on the material constituting the pin probe. . (5) A plating film such as gold or rhodium is provided on the surface of at least the flat portion which is the tip of the pin. Next, the semiconductor LS according to the second invention of the present invention
The method of manufacturing the probe head for the I inspection apparatus will be described specifically with the features of the method. [0014] (1) a first electrode pad row for the pin probe implanting secured to one surface, and the second electrode pads columns to be connected to the inspection device are formed respectively on the rear surface And preparing a wiring board in which the pads on both surfaces are electrically connected to each other in a specific arrangement relationship; a third electrode pad row having a pattern corresponding to the first electrode pad row on a conductive sheet; step of forming; the first
Step said conductive sheet through the first and third conductive layers are opposed to both row of pads is fixed to the wiring board; said conductor sheet
Forming a polygonal mask pattern including a circle having the same center position as each of the first and third electrode pad rows on the surface of the gate; including a circle corresponding to the third electrode pad row; It was to form a sharpened pin rows of polygonal conical
In order to use the above conductor pattern as a mask,
And a step of removing the mask. (2) The conductor sheet is made of tungsten (W), molybdenum (Mo), titanium (Ti), chromium (C
r), beryllium (Be) -copper (Cu) alloy and copper (Cu), and the mask is made of a metal or a photoresist capable of withstanding selective etching of the conductive sheet. And (3) In the step of fixing the conductor sheet to the wiring board via the conductor layer with the two pad rows facing each other, a metal brazing material is coated on both pads in advance, and both pads are formed by brazing. The pad row is fixed. (4) Gold (Au) is used as the brazing material. (5) As the etching treatment in the step of selectively etching the conductor sheet using the mask pattern as a mask, etching is performed while performing side etching using a wet etching method, or etching is performed partway by dry etching. ,
Thereafter, etching is performed while performing side etching by a wet etching method to form a sharp pin array having a polygonal pyramid shape including a circle. Since the thickness of the conductor sheet determines the height of the pin probe finally obtained,
A material having a desired thickness is used in consideration of the polishing amount of the surface flattening and the height of the electrode pad. Further, the material may be any material having a certain degree of hardness (rigidity), conductivity (low resistance) and brittle resistance (not brittle) as a pin probe, and generally the above-described materials. Is appropriate. However, when using copper, the hardness is slightly insufficient.
When the pin probe is formed, it is desirable that the surface be plated with, for example, nickel or chromium. In addition, even if the hardness is satisfied by the material, it is more preferable to form a well-known appropriate plating layer for the purpose of corrosion prevention in order to prevent oxidation of the surface of the pin because a highly reliable one is obtained. The mask pattern includes a circle, an ellipse,
In addition, any polygonal shape such as a triangle, a square, and a pentagon may be used. The material may be not only metal but also a generally used photoresist (photosensitive resist). In any case, any material that can sufficiently act as a mask when etching a conductive sheet may be used. It is possible. For the metal mask, on the conductor sheet CVD (C he
mical V apor D eposition), sputtering, and other previously formed thin film to be a mask material by a known thin film forming technique (including a general vapor deposition), not to the thin photoresist film (UV only, electron beams, X-rays , Exposure through a desired mask, development, and etching can easily form a target metal mask pattern on a conductive sheet. It is well known that a resist sensitive to X-rays rather than ultraviolet rays and electron beams rather than X-rays can be used to form a fine pattern. In general, the positive type is superior to the negative type in view of the resolution of the resist. A conductor layer, for example, a conductor sheet fixed by brazing so as to have a flat surface at the electrode pad portion of the wiring board, is subjected to a wet etching method after forming a mask pattern for pin formation on the flat surface. Since they can be formed at once, the pin assemblability of the probe head portion can be improved in increasing the number of pins with high density. Further, a mask pattern for forming pins is formed on a flat surface of the conductive sheet which is a tip portion of the pin, and an undercut is performed so that a minute flat surface remains in a portion located at the center of the electrode pad portion. As a result, the height variation of the pin tip can be made the same level as the flat surface of the conductor sheet, and the lateral variation can be brought to a level close to the dimensional accuracy of the mask pattern.
High-precision pinning of the probe head can be realized. The present invention will now be described more specifically with reference to examples. 1A to 1E show a manufacturing process for forming multiple pins on a multilayer wiring board 1 according to an embodiment of the present invention in the order of steps. FIG. 1A shows a multilayer wiring board 1 having a power supply layer, a signal layer (input / output), and a ground layer, and a conductor sheet 2 after a metallizing step. The multilayer wiring board 1 is a wet thick-film ceramic substrate, and nickel platings 5, 6 and gold platings 7, 8 are applied to tungsten-based electrode pads 3, 4 formed on both surfaces, respectively. On the other hand, the conductor sheet 2 is made of tungsten, and has a nickel plating 9 and a gold plating 10 on one surface in a desired pattern at positions corresponding to the above-mentioned electrode pads 3. Here, the electrode pad portion 3 is electrically connected to the enlarged electrode pad portion 4 by the internal wiring (not shown) of the multilayer wiring board 1. FIG. 1B shows a multilayer wiring board 1 and a conductor sheet 2.
After the brazing step. Gold plating 7 formed via nickel plating 5 on electrode pads 3 of multilayer wiring board 1
And gold plating 10 formed via nickel plating 9 on conductive sheet 2 are opposed to each other so that the corresponding patterns are vertically overlapped, and then heated and pressed to form gold (Au).
Forming a brazing portion 11 of gold (Au); In particular, the opposite surface of the conductor sheet 2 where the brazing portion 11 is not formed has a flat surface 12 at the time of thermocompression bonding. The flat surface 12 formed on the conductor sheet 2 can be further improved in flatness by polishing or the like after brazing. The nickel plating 5 on the electrode pad portion 3 / the brazing portion 11 / the nickel plating 9 on the conductor sheet 2
The three layers form a conductor layer 11a for connecting and fixing the pad portion 3 and the pin 16 in a later step of etching the conductor sheet of FIG. 1D. FIG. 1C shows a state after the step of forming the metal mask 13 on the flat surface 12 of the conductor sheet 2. In this mask forming step, copper is uniformly deposited on the flat surface 12 of the conductive sheet 2 of tungsten (W). Next, a photosensitive resist is applied thereon by a spinner, and a desired pattern is exposed and developed using a quartz mask or the like. In this example, an OMR-83 negative type ultraviolet resist manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd. was used as the resist, and the exposure was performed by irradiating an ultraviolet ray near 400 nm. Next, the resist in the photosensitive portion is removed, and the copper film is etched with an ammonium persulfate-based aqueous solution to form a copper metal mask 13. Usually, a circular pattern is used as the shape of the metal mask 13. However, in order to control the shape of the tip of the pin in a later step, the metal mask 13 takes a square shape or other various shapes. In addition, the metal mask 13 is formed such that the center axis 14 coincides with the position of the electrode pad 3 formed on the multilayer wiring board 1 due to the pin setting condition. FIG. 1D shows the conductor sheet 2 after the selective etching step. The tungsten conductive sheet 2 is wet-etched from the surface on which the copper metal mask 13 is formed with a mixed aqueous solution of potassium hydroxide and red blood salt. At this time, by actively utilizing and controlling the undercut (also referred to as side edge, side corrosion), the minute flat surface 15 of the conductor sheet 2 is formed at the lower center of the metal mask 13 and at the same time, the conductor sheet is formed. 2 brazing part 11
Is removed leaving the vicinity of. As a result, the brazing portion 11 of the multilayer wiring board 1
A sharpened pin 16 having a fine flat surface 15 at the tip is formed on the top thereof while leaving the metal mask 13.
Here, a metal mask is required to set the pins 16 vertically.
13 and the central axis 14 of the brazing portion 11 need to be aligned.
When it is necessary to remove the variation in the shape of the pin 16 due to the above-mentioned etching solution entering from the surface of the brazing portion 11 of the conductor sheet 2, before the selective etching step (FIG.
B or FIG. 1C) may be coated or filled with a resin-based wax on the surface of the brazing portion 11 of the conductive sheet 2 and may be removed with an organic solvent after completion of the etching. FIG. 1E shows a state after the step of removing the metal mask 13 remaining at the tip of the pin 16. Copper metal mask
13 is removed by an ammonium persulfate-based aqueous solution. As a result, the manufacturing process for forming multiple pins on the multilayer wiring board 1 is basically completed. Although the conductive sheet 2 made of tungsten is used as the material of the pins 16, other metals can be used by selecting an aqueous solution that does not etch the metal mask 13 and the brazing portion 11. For example, when copper is used for the conductor sheet 2, chromium is used for the metal mask 13. At this time, copper,
As the chromium etchant, an aqueous solution of ammonium persulfate and an aqueous solution of potassium ferricyanide are used, respectively. In addition, by forming a plating film of gold or rhodium on the surface of the pin 16, the electrical contact characteristics between the electrode pad (solder bump) of the semiconductor wafer (chip) and the pin 16 can be stabilized and improved. it can. FIG. 2 shows a cross-sectional structure of the multilayer wiring board 1 on which the above-described multi-pin is formed. In the multilayer wiring board 1, a signal wiring 18, a power supply layer 19, and a ground layer 20 are formed of a conductive material made of tungsten or the like in an alumina insulating layer 17.
Further, electrode pads 21 and 22 are formed on the upper and lower surfaces, respectively. The pitch 23 between the electrode pads 21 on the upper surface is
The electrode pad on the top is enlarged to about 3 times the pitch 24 between
It has a structure that facilitates electrical and mechanical connection with 21. The pins 16 are formed on the lower electrode pads 22 by the above-described multi-pin forming method. In addition, nickel and gold metallization 25 are applied on the upper electrode pads 21,
Improves reliability for pin contact and solder connection. On the other hand, the signal wiring 18 is a strip line or a microstrip line using the power supply layer 19 and the ground layer 20 as reference layers for transmitting and receiving high-speed electric signals, and has a constant characteristic impedance. FIG. 3 shows a case where the multilayer wiring board 1 is not used as the board on which the above-mentioned multi-pin is formed. At this time, pin 16
The inter-pad pitch 24 of the electrode pad 22 formed with is not enlarged, and the wiring 26 is formed vertically by through-hole printing. Since the wiring board 27 having such a structure has a simple structure as compared with the above-described multilayer wiring board 1, the manufacturing cost can be reduced. Furthermore, by standardizing the arrangement of the pins 16, that is, the arrangement of the electrode pads 22 by utilizing the simple structure, the wiring board 27 can be provided as a pin block for general versatility. FIG. 4 shows a multi-layer wiring board 1 having the above-mentioned multi-pin formed thereon, a multi-layer thick film substrate 31 for pitch expansion, and solder balls (electrode pads) 30 arranged on one chip 29 area of a semiconductor wafer 28. And pitch enlargement multilayer printed circuit board 32
The transmission path of a semiconductor inspection apparatus showing a state in which a probe card 33 (1, 31, 32) composed of a semiconductor device is electrically and mechanically contacted by pins 16 (not shown) provided on the multilayer wiring board 1. 2 shows a partial cross-sectional structure. The probe card 33 is electrically connected to a coaxial connector 34 for transmitting and receiving signals to and from a tester unit (not shown) and an electrode pattern (not shown) provided on the surface of the multilayer printed circuit board 32 for pitch expansion. A support substrate 36 on which a coaxial spring contact pin 35 for mechanical contact is arranged,
They are electrically connected via a positioning substrate 37. At this time, the probe card 33 is detached by opening and closing the support substrate 36. Further, when the pins 16 of the probe card 33 are worn or deformed, the connection portion (solder or brazing) of the multilayer wiring substrate 1 to the multilayer thick film substrate 31 for pitch expansion is performed.
Separate and replace. The multi-layer thick film substrate 31 for pitch expansion described above.
The connection between the substrate and the pitch-enlarging multilayer printed circuit board 32 is also formed by soldering or brazing. Probe card 33
In the configuration of the above, when the expansion between the electrode pads is not so required, the above-mentioned multilayer thick film substrate 31 for pitch expansion is removed and used, or the multilayer thick film substrate for pitch expansion is used.
In some cases, multiple pins are formed directly on 31 electrode pads (not shown). According to the present invention, a high-density multi-pin can be collectively formed on the electrode pad portion of the wiring board, so that the assemblability of the pin stand is greatly improved. Further, the variation in the height direction of the pin tip can be made the same level as the flat surface of the conductor sheet, and the variation in the lateral direction can be brought to a level close to the dimensional accuracy of the mask pattern. This has the effect of significantly improving the pin tip position accuracy.

【図面の簡単な説明】 【図1A】本発明の一実施例の多ピンを形成するための
製造プロセスを示す断面工程図。 【図1B】本発明の一実施例の多ピンを形成するための
製造プロセスを示す断面工程図。 【図1C】本発明の一実施例の多ピンを形成するための
製造プロセスを示す断面工程図。 【図1D】本発明の一実施例の多ピンを形成するための
製造プロセスを示す断面工程図。 【図1E】本発明の一実施例の多ピンを形成するための
製造プロセスを示す断面工程図。 【図2】本発明の他の実施例となる多ピンを形成した基
板の断面図。 【図3】本発明の他の実施例となる多ピンを形成した基
板の断面図。 【図4】本発明のプローブヘッドを用いた半導体検査装
置伝送路要部の断面図。 【符号の説明】 1…多層配線基板、 2…導体シート、 3、4…電極パッド部、 5、6、9…ニッケルメッキ、 7、8、10…金メッキ、 11…ロウ付け部、 11a…導体層、 12…平坦面、 13…メタルマスク、 14…中心軸、 15…微小なフラット面、 16…ピン、 17…アルミナ絶縁層、 18…信号配線、 19…電源層、 20…グランド層、 21、22…電極パッド、 23、24…ピッチ、 25…金のメタライズ。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1A is a sectional process view showing a manufacturing process for forming multiple pins according to an embodiment of the present invention. FIG. 1B is a sectional process view showing a manufacturing process for forming a multi-pin according to an embodiment of the present invention. FIG. 1C is a sectional process view showing a manufacturing process for forming a multi-pin according to one embodiment of the present invention; FIG. 1D is a sectional process view showing the manufacturing process for forming the multi-pin according to one embodiment of the present invention; FIG. 1E is a sectional process view showing the manufacturing process for forming the multi-pin according to one embodiment of the present invention; FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate on which multiple pins are formed according to another embodiment of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view of a substrate on which multiple pins are formed according to another embodiment of the present invention. FIG. 4 is a sectional view of a main part of a transmission line of a semiconductor inspection device using the probe head of the present invention. [Description of Signs] 1 ... multilayer wiring board, 2 ... conductor sheet, 3, 4 ... electrode pad part, 5, 6, 9 ... nickel plating, 7, 8, 10 ... gold plating, 11 ... brazing part, 11a ... conductor Layer: 12: flat surface, 13: metal mask, 14: central axis, 15: minute flat surface, 16: pin, 17: alumina insulating layer, 18: signal wiring, 19: power supply layer, 20: ground layer, 21 , 22 ... electrode pad, 23, 24 ... pitch, 25 ... gold metallization.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沖野 博信 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 藤田 毅 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産技術研究所内   ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page    (72) Inventor Hironobu Okino               292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa               Hitachi, Ltd. Production Technology Laboratory (72) Inventor Takeshi Fujita               292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa               Hitachi, Ltd. Production Technology Laboratory

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 1.半導体LSIの電極パッドに接触して電気信号を伝
送するプローブヘッドにおいて、両面に電極パッド列が
形成され、かつ前記両面のパッド間がそれぞれ特定の配
列関係で電気的に相互に接続されると共に給電層と信号
入出力層と接地層とから成る少なくとも3種の配線層を
有し、しかもピンプローブが設けられる一方の基板面側
から基板裏面側に向かってパッド間のピッチ拡大に伴い
基板内の配線が引き回された多層配線基板と、前記一方
の基板面の各パッド上に導体層を介して植設固定された
基部が肉太でその先端が微小な平坦面を有する円を含む
多角形錐状のピンプローブとから成ることを特徴とする
半導体LSI検査装置用プローブヘッド。 2.半導体LSIの電極パッドに接触して電気信号を伝
送するプローブヘッドにおいて、両面に電極パッド列が
形成され、かつ前記両面のパッド間がそれぞれ特定の配
列関係で電気的に相互に接続されると共に給電層と信号
入出力層と接地層とから成る少なくとも3種の配線層を
有し、しかもピンプローブが設けられる一方の基板面側
から基板裏面側に向かってパッド間のピッチ拡大に伴い
基板内の配線が引き回されたセラミックスの多層積層板
から成る多層配線基板と、前記一方の基板面の各パッド
上に導体層を介して植設固定された基部が肉太でその先
端が微小な平坦面を有する円を含む多角形錐状のピンプ
ローブとから成ることを特徴とする半導体LSI検査装
置用プローブヘッド。 3.半導体LSIの電極パッドに接触して電気信号を伝
送するプローブヘッドにおいて、両面に電極パッド列が
形成され、かつ前記両面のパッド間がそれぞれ特定の配
列関係で電気的に相互に接続されると共に給電層と信号
入出力層と接地層とから成る少なくとも3種の配線層を
有し、しかもピンプローブが設けられる一方の基板面側
から基板裏面側に向かってパッド間のピッチ拡大に伴い
基板内の配線が引き回された多層積層板から成る多層配
線基板と、前記一方の基板面の各パッド上に導体層を介
して植設固定された基部が肉太でその先端が微小な平坦
面を有する円を含む多角形錐状のピンプローブとから成
り、前記ピンプローブがタングステン(W)、モリブデ
ン(Mo)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、ベリリウム
(Be)−銅(Cu)合金及び表面を銅(Cu)よりも硬質の
金属でメッキした銅(Cu)基材から成る群から選ばれ
たいずれか1種の金属から成ることを特徴とする半導体
LSI検査装置用プローブヘッド。 4.半導体LSIの電極パッドに接触して電気信号を伝
送するプローブヘッドにおいて、両面に電極パッド列が
形成され、かつ前記両面のパッド間がそれぞれ特定の配
列関係で電気的に相互に接続されると共に給電層と信号
入出力層と接地層とから成る少なくとも3種の配線層を
有し、しかもピンプローブが設けられる一方の基板面側
から基板裏面側に向かってパッド間のピッチ拡大に伴い
基板内の配線が引き回された多層配線基板と、前記一方
の基板面の各パッド上に導体層を介して植設固定された
基部が肉太でその先端が微小な平坦面を有する円を含む
多角形錐状のピンプローブとから成り、前記ピンプロー
ブの配線基板面からの高さをhとし、隣接するピンプロ
ーブの植設されたパッド間のピッチをdとしたとき、h
=0.5〜2dとしたことを特徴とする半導体LSI検査装
置用プローブヘッド。 5.半導体LSIの電極パッドに接触して電気信号を伝
送するプローブヘッドにおいて、両面に電極パッド列が
形成され、かつ前記両面のパッド間がそれぞれ特定の配
列関係で電気的に相互に接続されると共に給電層と信号
入出力層と接地層とから成る少なくとも3種の配線層を
有し、しかもピンプローブが設けられる一方の基板面側
から基板裏面側に向かってパッド間のピッチ拡大に伴い
基板内の配線が引き回された多層配線基板と、前記一方
の基板面の各パッド上に導体層を介して植設固定された
基部が肉太でその先端にメッキ被膜を有すると共に微小
な平坦面を有する円を含む多角形錐状のピンプローブと
から成ることを特徴とする半導体LSI検査装置用プロ
ーブヘッド。 6.一方の面にピンプローブを植設固定するための第1
電極パッド列が、そしてその裏面には検査装置に接続
されるための第2の電極パツド列がそれぞれ形成され、
しかも前記両面のパツド間が特定の配列関係で電気的に
相互に接続された配線基板を準備する工程;導体シート
上に前記第1の電極パッド列に対応したパターンの第3
電極パッド列を形成する工程;前記第1及び第3の
パッド列を対向させ導体層を介して前記導体シートを前
記配線基板に固定する工程;前記導体シート表面に前記
第1及び第3の両電極パッド列の各パッドと中心位置を
同じくした円を含む多角形のマスクパターンを形成する
工程;上記第3の電極パッド列に対応する円を含む多角
形錐状の尖鋭化したピン列を形成するために上記マスク
パターンをマスクとして上記導体シートを選択エッチン
グする工程;及び上記マスクを除去する工程を有するこ
とを特徴とする半導体LSI検査装置用プローブヘッド
の製造方法。 7.上記導体シートがタングステン(W)、モリブデン
(Mo)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、ベリリウム(B
e)−銅(Cu)合金及び銅(Cu)から成る群のいずれか
1種の金属から成り、マスクとして前記導体シートの選
択エッチングに耐え得る金属もしくはホトレジストから
成ることを特徴とする請求項6記載の半導体LSI検査
装置用プローブヘッドの製造方法。 8.上記両パッド列を対向させ導体層を介して前記導体
シートを前記配線基板に固定する工程において、あらか
じめ両パッド上に金属ロウ材を被覆形成しておき、ロウ
付けにより両パッド列を固定することを特徴とする請求
項6もしくは7記載の半導体LSI検査装置用プローブ
ヘッドの製造方法。 9.上記ロウ材として金(Au)を用いることを特徴と
する請求項8記載の半導体LSI検査装置用プローブヘ
ッドの製造方法。 10.上記マスクパターンをマスクとして上記導体シー
トを選択エッチングする工程におけるエッチング処理と
して、ウエットエッチング法を用いてサイドエッチング
を行いながらエッチングするか、もしくはドライエッチ
ングにより途中までエッチングしておき、その後ウエッ
トエッチング法によりサイドエッチングを行いながらエ
ッチングし、円を含む多角形錐状の尖鋭化したピン列を
形成することを特徴とする請求項6乃至9いずれか一つ
に記載の半導体LSI検査装置用プローブヘッドの製造
方法。
(57) [Claims] In a probe head that transmits an electric signal by contacting an electrode pad of a semiconductor LSI, an electrode pad row is formed on both surfaces, and the pads on the both surfaces are electrically connected to each other in a specific arrangement relationship and supplied with power. It has at least three types of wiring layers consisting of a layer, a signal input / output layer, and a ground layer, and furthermore , with the increase in the pitch between pads from one substrate surface side on which the pin probe is provided to the substrate rear surface side. <Br / > circle having a multilayer wiring board in which the wiring is pulled Kai in the substrate, implanted fixed base by way of the conductor layer on each pad of the substrate surface of the one is the tip small flat surface in bold And a polygonal pyramid-shaped pin probe including: 2. In a probe head that transmits an electric signal by contacting an electrode pad of a semiconductor LSI, an electrode pad row is formed on both surfaces, and the pads on the both surfaces are electrically connected to each other in a specific arrangement relationship and supplied with power. It has at least three types of wiring layers consisting of a layer, a signal input / output layer, and a ground layer, and furthermore , with the increase in the pitch between pads from one substrate surface side on which the pin probe is provided to the substrate rear surface side. <Br / > and the multilayer wiring board comprising a multilayer laminate has been ceramic wiring pulls Kai in the substrate, implanted fixed base by way of the conductor layer on each pad of the substrate surface of the one is its tip bold A probe head for a semiconductor LSI inspection apparatus, comprising: a pin probe having a polygonal pyramid shape including a circle having a minute flat surface. 3. In a probe head that transmits an electric signal by contacting an electrode pad of a semiconductor LSI, an electrode pad row is formed on both surfaces, and the pads on the both surfaces are electrically connected to each other in a specific arrangement relationship and supplied with power. It has at least three types of wiring layers consisting of a layer, a signal input / output layer, and a ground layer, and furthermore , with the increase in the pitch between pads from one substrate surface side on which the pin probe is provided to the substrate rear surface side. <Br / > and the multilayer wiring board comprising a multilayer laminate interconnection in the substrate is pulled Kai, implanted fixed base by way of the conductor layer on each pad of the substrate surface of the one whose tip is very small in bold A polygonal pyramid-shaped pin probe including a circle having a flat surface, wherein the pin probe is tungsten (W), molybdenum (Mo), titanium (Ti), chromium (Cr), beryllium.
(Be) -copper (Cu) alloy and any one metal selected from the group consisting of copper (Cu) base material whose surface is plated with a metal harder than copper (Cu). Probe head for semiconductor LSI inspection equipment. 4. In a probe head that transmits an electric signal by contacting an electrode pad of a semiconductor LSI, an electrode pad row is formed on both surfaces, and the pads on the both surfaces are electrically connected to each other in a specific arrangement relationship and supplied with power. It has at least three types of wiring layers consisting of a layer, a signal input / output layer, and a ground layer, and furthermore , with the increase in the pitch between pads from one substrate surface side on which the pin probe is provided to the substrate rear surface side. <Br / > circle having a multilayer wiring board in which the wiring is pulled Kai in the substrate, implanted fixed base by way of the conductor layer on each pad of the substrate surface of the one is the tip small flat surface in bold Where h is the height of the pin probe from the wiring board surface and d is the pitch between the implanted pads of adjacent pin probes.
= 0.5 to 2d, a probe head for a semiconductor LSI inspection device. 5. In a probe head that transmits an electric signal by contacting an electrode pad of a semiconductor LSI, an electrode pad row is formed on both surfaces, and the pads on the both surfaces are electrically connected to each other in a specific arrangement relationship and supplied with power. It has at least three types of wiring layers consisting of a layer, a signal input / output layer, and a ground layer, and furthermore , with the increase in the pitch between pads from one substrate surface side on which the pin probe is provided to the substrate rear surface side. <Br / > and the multilayer wiring board in which the wiring is pulled Kai in the substrate, implanted fixed base by way of the conductor layer on each pad of the substrate surface of the one is minute and has a plated coating on its tip bold A probe head for a semiconductor LSI inspection device, comprising: a polygonal cone-shaped pin probe including a circle having a flat surface. 6. The first for implanting and fixing the pin probe on one side
Electrode pad rows of, and the second electrode pads columns to be connected to the inspection device are formed respectively on the rear surface,
And a step of preparing a wiring board in which the pads on both sides are electrically connected to each other in a specific arrangement relationship; and a third pattern having a pattern corresponding to the first electrode pad row on the conductive sheet .
Step of Forming the electrode pad rows; step for fixing the conductor sheet through the conductive layers are opposed to both pad rows of the first and third to the wiring substrate; the said conductive surface of the sheet
Forming a polygonal mask pattern including a circle having the same center position as each pad of the first and third electrode pad rows; a polygonal conical shape including a circle corresponding to the third electrode pad row; The above mask to form a sharpened pin array
Select the above conductor sheet using the pattern as a mask Etchin
A method of manufacturing a probe head for a semiconductor LSI inspection device, comprising: a step of removing the mask. 7. The conductor sheet is made of tungsten (W), molybdenum (Mo), titanium (Ti), chromium (Cr), beryllium (B
7. The method according to claim 6, wherein said mask is made of a metal selected from the group consisting of copper (Cu) alloy and copper (Cu), and is made of a metal or photoresist capable of withstanding selective etching of said conductive sheet as a mask. A method for manufacturing a probe head for a semiconductor LSI inspection device according to the above. 8. In the step of fixing the conductor sheet to the wiring board via the conductor layer with the two pad rows facing each other, a metal brazing material is coated and formed on both pads in advance, and both pad rows are fixed by brazing. 8. The method for manufacturing a probe head for a semiconductor LSI inspection device according to claim 6, wherein: 9. 9. The method for manufacturing a probe head for a semiconductor LSI inspection device according to claim 8, wherein gold (Au) is used as said brazing material. 10. As an etching treatment in the step of selectively etching the conductor sheet using the mask pattern as a mask, etching is performed while performing side etching using a wet etching method, or etching is performed halfway by dry etching, and then by a wet etching method 10. The probe head for a semiconductor LSI inspection device according to claim 6, wherein a sharp pin row of a polygonal pyramid including a circle is formed by performing etching while performing side etching. Method.
JP30499296A 1996-11-15 1996-11-15 Probe head for semiconductor LSI inspection device and method of manufacturing the same Expired - Fee Related JP2749566B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30499296A JP2749566B2 (en) 1996-11-15 1996-11-15 Probe head for semiconductor LSI inspection device and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30499296A JP2749566B2 (en) 1996-11-15 1996-11-15 Probe head for semiconductor LSI inspection device and method of manufacturing the same

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62281036A Division JPH0640106B2 (en) 1987-11-09 1987-11-09 Probe head for semiconductor LSI inspection device and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09203749A JPH09203749A (en) 1997-08-05
JP2749566B2 true JP2749566B2 (en) 1998-05-13

Family

ID=17939779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30499296A Expired - Fee Related JP2749566B2 (en) 1996-11-15 1996-11-15 Probe head for semiconductor LSI inspection device and method of manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2749566B2 (en)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3553791B2 (en) 1998-04-03 2004-08-11 株式会社ルネサステクノロジ CONNECTION DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, INSPECTION DEVICE, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING METHOD
JP2001174482A (en) 1999-12-21 2001-06-29 Toshiba Corp Contact needle for evaluating electric characteristic, probe structure, probe card and manufacturing method of contact needle for evaluating electric characteristic
US6729019B2 (en) * 2001-07-11 2004-05-04 Formfactor, Inc. Method of manufacturing a probe card
TWI236723B (en) * 2002-10-02 2005-07-21 Renesas Tech Corp Probe sheet, probe card, semiconductor inspection device, and manufacturing method for semiconductor device
JP5020140B2 (en) * 2008-03-24 2012-09-05 京セラ株式会社 Probe card wiring board and probe card using the same
KR101018257B1 (en) * 2008-04-15 2011-03-03 삼성전기주식회사 Ceramic probe card and manufacturing method thereof
KR100964568B1 (en) * 2009-04-22 2010-06-21 주식회사 엠아이티 Advanced Probe cards of method of manufacturing the aligment plate
KR101006350B1 (en) * 2009-04-22 2011-01-06 송광석 Advanced Probe cards and method of constitution the Probe head assembly thereof
JP2012145489A (en) * 2011-01-13 2012-08-02 Sankei Engineering:Kk Manufacturing method of inspection probe
JP6729156B2 (en) * 2016-08-09 2020-07-22 京三電機株式会社 Fuel cutoff valve
KR102551965B1 (en) * 2022-12-02 2023-07-06 주식회사 피엠티 Probe Sheet With Contact Tip On Stacked Multi-Layer And Method Of Manufacturing The Same

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09203749A (en) 1997-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4952272A (en) Method of manufacturing probing head for testing equipment of semi-conductor large scale integrated circuits
US6184053B1 (en) Method of making microelectronic spring contact elements
US6268015B1 (en) Method of making and using lithographic contact springs
US6791176B2 (en) Lithographic contact elements
EP0839323B1 (en) Microelectronic spring contact elements
US6242935B1 (en) Interconnect for testing semiconductor components and method of fabrication
JP3386077B2 (en) Probe card assemblies and kits and methods of using them
US6727580B1 (en) Microelectronic spring contact elements
DE69908638T2 (en) Lithographic Contact Structures
KR100252457B1 (en) Cantilever beams and manufacturing method of interconnects factor using sacrificial substrates
JPH07114227B2 (en) Wafer test probe
JP2749566B2 (en) Probe head for semiconductor LSI inspection device and method of manufacturing the same
JPH0640106B2 (en) Probe head for semiconductor LSI inspection device and manufacturing method thereof
US7579269B2 (en) Microelectronic spring contact elements
JP2590251B2 (en) Method of manufacturing probe head for semiconductor LSI inspection apparatus and inspection apparatus
JPH08220140A (en) Probe card and manufacture thereof
JP4188546B2 (en) Microelectronic spring contact parts
JP3090132B2 (en) Method of manufacturing probe head
JPH01184477A (en) Probe head for semiconductor lsi inspecting device and its manufacture
JPH0718910B2 (en) Method for manufacturing probe head for semiconductor LSI inspection device
EP1468776A2 (en) Microelectronics spring contact elements
KR101301737B1 (en) Method for producing probe card
KR101301739B1 (en) Method for producing probe card
JPH08297142A (en) Probe structure
KR19990029047A (en) Miniature Electronic Spring Contact Elements

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees