JP2813526B2 - Circuit inspection device and method of manufacturing the same - Google Patents

Circuit inspection device and method of manufacturing the same

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JP2813526B2
JP2813526B2 JP16939793A JP16939793A JP2813526B2 JP 2813526 B2 JP2813526 B2 JP 2813526B2 JP 16939793 A JP16939793 A JP 16939793A JP 16939793 A JP16939793 A JP 16939793A JP 2813526 B2 JP2813526 B2 JP 2813526B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ上の集積
回路(IC)等の被検査デバイスの電極(パッド)に検
査信号を入出力して被検査デバイスの特性を検査(測
定)する際に用いる回路検査用デバイス(プローブカー
ド)とその製造方法に係り、特に、被検査デバイスの電
極(パッド)と接触する接触子(バンプ)が電気絶縁性
の可撓性膜に配設されている回路検査用デバイス(プロ
ーブカード)とその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to testing (measuring) characteristics of a device under test by inputting / outputting a test signal to / from an electrode (pad) of the device under test such as an integrated circuit (IC) on a semiconductor wafer. Inspection device (probe card) and method of manufacturing the same, particularly, a contact (bump) in contact with an electrode (pad) of a device to be inspected is disposed on an electrically insulating flexible film. The present invention relates to a circuit inspection device (probe card) and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】接触子(バンプ)が電気絶縁性の可撓性
膜に配設されているプローブカードとしては、例えば特
開昭62−182672号公報に記載されたものが広く
知られている。このプローブカードは、次のような方法
で製造される。
2. Description of the Related Art As a probe card in which contacts (bumps) are disposed on an electrically insulating flexible film, for example, a probe card described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-182672 is widely known. . This probe card is manufactured by the following method.

【0003】まず、ポリイミド膜からなる電気絶縁性薄
膜の一主表面にフォトリソグラフィ法によりリード線を
形成し、リード線を形成した面とは反対側の主表面から
レーザー光を照射して、複数の貫通孔を所定間隔で前記
電気絶縁性薄膜に穿設する。次に、電気メッキ法により
導電性金属を各貫通孔内に堆積させることにより、接触
子(バンプ)を形成する。このとき、バンプの一端は電
気絶縁性薄膜の表面よりも突出させる。この後、上述の
ようにして得たバンプおよびリード線付き電気絶縁性薄
膜を、支持枠たるプリント回路基板の開口部に張り、そ
の周縁部をクランプで固定することによりプローブカー
ドを得る。このとき、電気絶縁性薄膜上のリード線と、
このリード線に対応するプリント回路基板上の導体(伝
送線)とは、電気絶縁性薄膜に開けた穴に導電性材料を
埋め込むことにより接続される。
First, a lead wire is formed on one main surface of an electrically insulating thin film made of a polyimide film by a photolithography method, and a laser beam is irradiated from the main surface on the opposite side to the surface on which the lead wire is formed, thereby forming a plurality of layers. Are formed at predetermined intervals in the electrically insulating thin film. Next, a contact (bump) is formed by depositing a conductive metal in each through hole by an electroplating method. At this time, one end of the bump is made to protrude from the surface of the electrically insulating thin film. Thereafter, the electrical insulating thin film with the bumps and the lead wires obtained as described above is stretched over the opening of the printed circuit board as the support frame, and the peripheral edge is fixed with a clamp to obtain a probe card. At this time, the lead wire on the electrically insulating thin film,
A conductor (transmission line) on the printed circuit board corresponding to the lead wire is connected by embedding a conductive material in a hole formed in the electrically insulating thin film.

【0004】ところで、LSIや超LSIに代表される
ように集積回路の集積度は増加の一途にあり、集積度の
増加に伴ってパッド電極はチップの周縁部に狭い間隔で
並ぶのみならず内側にも形成されるようになった。そし
て、プローブカードにおいてもこのような配置のパッド
電極に対応したバンプを形成することが望まれているわ
けであるが、各バンプにはそれぞれ個別にリード線を設
ける必要があり、1枚の電気絶縁性薄膜上に形成するこ
とができるリード線の数には限界がある。
The degree of integration of integrated circuits is steadily increasing, as represented by LSIs and VLSIs. As the degree of integration increases, pad electrodes not only line up at the peripheral edge of a chip but also at the inner periphery thereof. Began to be formed. Also, it is desired to form bumps corresponding to the pad electrodes having such an arrangement also in the probe card. However, it is necessary to provide a lead wire individually for each bump, so that one electrical There is a limit to the number of leads that can be formed on an insulating thin film.

【0005】そこで、例えば前記公報では、リード線を
設けた電気絶縁性薄膜を数層積層しすることが提案され
ている。そして、この場合のバンプの形成は、バンプ形
成面(最下層の電気絶縁性薄膜の下面)から所定のリー
ド線に達する貫通孔を設け、この貫通孔内にメッキ等の
技術により導電体を堆積させことで行うことが提案され
ている。このときの前記導電体の堆積は、一端が最下層
の電気絶縁性薄膜の下面から所定の長さ突出するまで行
う。
Therefore, for example, the above-mentioned publication proposes laminating several layers of an electrically insulating thin film provided with a lead wire. In this case, a bump is formed by providing a through hole reaching a predetermined lead wire from the bump forming surface (the lower surface of the lowermost electrically insulating thin film), and depositing a conductor in the through hole by plating or the like. It has been proposed to do this by letting them do it. At this time, the conductor is deposited until one end protrudes from the lower surface of the lowermost electrically insulating thin film by a predetermined length.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、複数の
電気絶縁性薄膜に亘る貫通孔を単に導電体で埋めること
でバンプを形成した場合、このバンプはプローブカード
の使用時に折れてしまうおそれが強いため、信頼性の高
いプローブカードを得るうえからは、上述の提案は未だ
不十分である。
However, when a bump is formed by simply filling a through-hole extending over a plurality of electrically insulating thin films with a conductor, the bump is likely to break when the probe card is used. The above proposals are still insufficient for obtaining a highly reliable probe card.

【0007】例えば図9に示すように、リード線101
を設けた電気絶縁性薄膜102とリード線103を設け
た電気絶縁性薄膜104とを積層し、バンプ形成面(電
気絶縁性薄膜102の下面)からリード線101,10
3に達する貫通孔を設け、これらの貫通孔をメッキ等の
技術により導電体で埋めてバンプ105,106を形成
した場合、2枚の電気絶縁性薄膜102,104に亘る
貫通孔を単に導電体で埋めることで形成したバンプ10
6は、その長さが長いため、プローブカードの使用時に
バンプ形成面と突出部分との境目辺りや電気絶縁性薄膜
102,104の界面辺りで折れてしまい、先端部分が
欠落してしまうおそれが強い。
[0007] For example, as shown in FIG.
The electric insulating thin film 102 provided with the lead and the electric insulating thin film 104 provided with the lead wire 103 are laminated, and the lead wires 101, 10 are formed from the bump forming surface (the lower surface of the electric insulating thin film 102).
In the case where bumps 105 and 106 are formed by filling these through holes with a conductor by a technique such as plating, the through holes extending between the two electrically insulating thin films 102 and 104 are simply formed by a conductor. Bump 10 formed by filling with
6 has a long length, so that when the probe card is used, it is likely to be broken around the boundary between the bump forming surface and the protruding portion or around the interface between the electrically insulating thin films 102 and 104, and the tip portion may be dropped. strong.

【0008】これは、プローブカードの使用時において
は、プローブカードのバンプと被検査デバイスのパッド
との安定した接触を図るために、一般に、水平に置かれ
た被検査デバイスに対して垂直方向の力をプローブカー
ドに加えて押圧するのみならず、水平方向の力をプロー
ブカードに加えて若干水平移動させ、被検査デバイスの
パッド上を横滑りさせる。そのとき、バンプの先端部分
にかかる力によりバンプは電気絶縁性薄膜内で撓むこと
から、バンプの長さが長いとバンプが折れる可能性が高
くなるからである。
This is because, when the probe card is used, in order to ensure stable contact between the bumps of the probe card and the pads of the device under test, the device is generally placed in a vertical direction with respect to the device under test placed horizontally. Not only is a force applied to the probe card to press it, but also a horizontal force is applied to the probe card to cause the probe card to move slightly horizontally and slide on the pad of the device under test. At this time, since the bump is bent in the electrically insulating thin film by the force applied to the tip portion of the bump, the longer the length of the bump, the higher the possibility that the bump is broken.

【0009】本発明の目的は、より信頼性の高い回路検
査用デバイス(プローブカード)およびその製造方法を
提供することにある。
An object of the present invention is to provide a more reliable circuit inspection device (probe card) and a method for manufacturing the same.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の回路検査用デバイスは、複数本のリード線を設けた
電気絶縁性薄膜が複数枚積層されており、かつ前記電気
絶縁性薄膜の1枚または複数枚を貫通して所定の電気絶
縁性薄膜上のリード線の1つと導通する接触子が最下層
の電気絶縁性薄膜の下面に突出して複数個設けられてい
るバンプ付き可撓性膜部と、このバンプ付き可撓性膜部
を支持する回路基板とを少なくとも有し、前記回路基板
に設けられた複数の伝送線と前記バンプ付き可撓性膜部
の前記リード線および前記接触子を介して検査信号の入
出力を行うものであり、前記電気絶縁性薄膜の複数枚を
貫通して所定の電気絶縁性薄膜上のリード線の1つと導
通する接触子は、導通対象の前記リード線が設けられて
いる電気絶縁性薄膜よりも下層に位置する電気絶縁性薄
膜上に付着した導電性部材により複数に区分されてお
り、かつ前記導電性部材は、前記接触子を形成するため
に前記電気絶縁性薄膜に設けられる貫通孔の開口を少な
くとも覆う大きさを有していることを特徴とするもので
ある。
A circuit inspection device according to the present invention, which achieves the above object, comprises a plurality of electrically insulating thin films provided with a plurality of lead wires, wherein the plurality of electrically insulating thin films are laminated. A plurality of bumps are provided on a lower surface of the lowermost electrically insulating thin film, and a plurality of contacts penetrating one or more of the plurality of electrically conductive thin films and conducting to one of the lead wires on the predetermined electrically insulating thin film are provided. A plurality of transmission lines provided on the circuit board, the lead wires and the contacts of the flexible film section with bumps, the film section having at least a circuit board supporting the flexible film section with bumps; A contact that conducts input / output of a test signal through a contact and conducts through one of the plurality of the electrically insulating thin films to one of the lead wires on the predetermined electrically insulating thin film is a contact to be conducted. Electrically insulating thin film with lead wire A plurality of conductive members attached to an electrically insulating thin film located below the conductive insulating film, and the conductive member has a through hole formed in the electrically insulating thin film to form the contact. Characterized in that it has a size to cover at least the opening.

【0011】また上記目的を達成する本発明の回路検査
用デバイスの製造方法は、複数本のリード線を設けた電
気絶縁性薄膜が複数枚積層されており、かつ前記電気絶
縁性薄膜の1枚または複数枚を貫通して所定の電気絶縁
性薄膜上のリード線の1つと導通する接触子が最下層の
電気絶縁性薄膜の下面に突出して複数個設けられている
バンプ付き可撓性膜部を形成する工程と、このバンプ付
き可撓性膜部と複数の伝送線を有する回路基板とを、前
記バンプ付き可撓性膜部の前記リード線と前記回路基板
の前記伝送線とを互いに導通させつつ一体化させて回路
検査用デバイスとする工程とを少なくとも含み、前記バ
ンプ付き可撓性膜部を形成するにあたり、電気絶縁性薄
膜の複数枚を貫通して所定の電気絶縁性薄膜上のリード
線の1つと導通する前記接触子は、導通対象の前記リー
ド線が設けられている電気絶縁性薄膜よりも下層に位置
する電気絶縁性薄膜上の所定の位置に付着した導電性部
材を設け、この導電性部材を境とする貫通孔を該貫通孔
の上および下に位置する電気絶縁性薄膜に形成し、前記
導電性部材を電極として用いた電気メッキ法により前記
貫通孔内に導電性金属を堆積させて形成することを特徴
とするものである。
[0011] In addition, a method of manufacturing a circuit inspection device according to the present invention, which achieves the above-mentioned object, is characterized in that a plurality of electrically insulating thin films provided with a plurality of lead wires are laminated, and one of the electrically insulating thin films is provided. Or a flexible film section with bumps provided with a plurality of contacts penetrating through a plurality of sheets and conducting to one of the lead wires on the predetermined electrically insulating thin film so as to protrude from the lower surface of the lowermost electrically insulating thin film. Forming a circuit board having a flexible film portion with bumps and a plurality of transmission lines by electrically connecting the lead wires of the flexible film portion with bumps and the transmission lines of the circuit board to each other. And forming a circuit inspection device by integrating the plurality of electrically insulating thin films on the predetermined electrically insulating thin film in forming the bumped flexible film portion. Conduct with one of the leads The contact is provided with a conductive member attached at a predetermined position on an electric insulating thin film located below the electric insulating thin film provided with the lead wire to be conducted, and the conductive member is bounded by the conductive member. Is formed in an electrically insulating thin film located above and below the through hole, and a conductive metal is deposited in the through hole by an electroplating method using the conductive member as an electrode. It is characterized by the following.

【0012】[0012]

【作用】本発明の回路検査用デバイスでは、電気絶縁性
薄膜の複数枚を貫通して所定の電気絶縁性薄膜上のリー
ド線の1つと導通する接触子は、導通対象の前記リード
線が設けられている電気絶縁性薄膜よりも下層に位置す
る電気絶縁性薄膜上に付着した導電性部材により複数に
区分されており、かつ前記導電性部材は、前記接触子を
形成するために前記電気絶縁性薄膜に設けられる貫通孔
の開口を少なくとも覆う大きさを有している。
In the circuit inspection device of the present invention, a contact penetrating a plurality of electrically insulating thin films and conducting to one of the lead wires on the predetermined electrically insulating thin film is provided with the lead wire to be conducted. Is divided into a plurality by a conductive member attached on the electrically insulating thin film located below the electrically insulating thin film, and the conductive member is electrically insulated to form the contact. It has a size to cover at least the opening of the through hole provided in the conductive thin film.

【0013】ここで、前記導電性部材は、上述のように
前記接触子の導通対象のリード線が設けられている電気
絶縁性薄膜よりも下層に位置する電気絶縁性薄膜上に付
着している。このため前記導電性部材は、回路検査用デ
バイスの使用時(接触子の先端を被検査デバイスのパッ
ドに押圧した状態で回路検査用デバイスを水平方向に移
動させたとき)に接触子の先端にかかる力の影響を受け
にくい。したがって、回路検査用デバイスの使用時に生
じる接触子のたわみは、電気絶縁性薄膜の複数枚を貫通
して所定の電気絶縁性薄膜上のリード線の1つと導通す
る接触子については最下位の区分(接触子の突出部分を
含む区分)で主に生じることになる。
Here, the conductive member is attached to the electrically insulating thin film located below the electrically insulating thin film provided with the lead wire to which the contact is conducted as described above. . Therefore, the conductive member is attached to the tip of the contact when the circuit inspection device is used (when the circuit inspection device is moved in the horizontal direction with the tip of the contact pressed against the pad of the device under test). It is less susceptible to such forces. Therefore, the bending of the contact caused when the circuit inspection device is used is the lowest classification for the contact penetrating a plurality of the electrically insulating thin films and conducting to one of the leads on the predetermined electrically insulating thin film. (A section including the protruding portion of the contact).

【0014】しかしながら、この区分の長さは、当該区
分を形成するための導電性部材を付着させた電気絶縁性
薄膜上のリード線の1つと導通する接触子の長さと同等
であり、その長さは短いため、たわみは若干生じる程度
である。このため、本発明の回路検査用デバイスでは使
用時に接触子が折れる可能性が低く、結果として、従来
提案されている同種のものよりも信頼性が高い。
However, the length of this section is equal to the length of a contact that is conductive to one of the leads on the electrically insulating thin film to which the conductive member for forming the section is attached, Since the length is short, the deflection is slightly generated. For this reason, in the circuit inspection device of the present invention, the possibility that the contact breaks during use is low, and as a result, the reliability is higher than that of the same type conventionally proposed.

【0015】[0015]

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の回路検査用
デバイス(以下、プローブカードと表記する)およびそ
の製造方法に係る一実施例を説明する。図1は本実施例
のプローブカードを構成するバンプ付き可撓性膜部の断
面図(図3のX−X′線断面図)、図2は製造工程(図
4(e))におけるバンプ付き可撓性膜部を上面から見
た平面図、図3はバンプ付き可撓性膜部を裏面(接触子
形成面とは反対側の面)から見た平面図、図4、図5お
よび図6はバンプ付き可撓性膜部の製造方法を説明する
ための工程図、図7は本実施例のプローブカードの断面
図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to the drawings, an embodiment of a circuit inspection device (hereinafter referred to as a probe card) of the present invention and a method of manufacturing the same will be described. FIG. 1 is a cross-sectional view (cross-sectional view taken along line XX 'of FIG. 3) of a flexible film portion with bumps constituting a probe card of the present embodiment, and FIG. FIG. 3 is a plan view of the flexible film portion as viewed from above, and FIG. 3 is a plan view of the flexible film portion with bumps as viewed from the back surface (surface opposite to the contact forming surface); FIGS. 6 is a process diagram for explaining a method of manufacturing a flexible film portion with bumps, and FIG. 7 is a cross-sectional view of the probe card of the present embodiment.

【0016】最初に、本実施例に係るプローブカードの
特徴部分であるバンプ付き可撓性膜部20の構成につい
て図1〜図3を参照して説明する。図1に示すように、
バンプ付き可撓性膜部20では、中央部から外周部へ延
びる所定本数のリード線10aと中央部に設けられた導
電性部材11とを有するポリイミド膜12aと、中央部
から外周部へ延びる所定本数のリード線10bと外周部
に設けられた接続用導電部13とを有するポリイミド膜
12bとが積層されている。また、この積層物の中央部
には、所定数のバンプ14が正方形の輪郭に沿って2列
に配設されている(以下、外側のバンプを外側バンプ1
4a、内側のバンプを内側バンプ14bと呼ぶ)。
First, the structure of the flexible film portion 20 with bumps, which is a characteristic portion of the probe card according to the present embodiment, will be described with reference to FIGS. As shown in FIG.
In the flexible film portion 20 with bumps, a polyimide film 12a having a predetermined number of lead wires 10a extending from the central portion to the outer peripheral portion and a conductive member 11 provided at the central portion, and a predetermined number extending from the central portion to the outer peripheral portion. A polyimide film 12b having a number of lead wires 10b and a connecting conductive portion 13 provided on the outer peripheral portion is laminated. A predetermined number of bumps 14 are arranged in two rows along a square outline at the center of the laminate (hereinafter, the outer bumps are referred to as the outer bumps 1).
4a, the inner bumps are referred to as inner bumps 14b).

【0017】外側バンプ14aは、ポリイミド膜12a
を貫通してこのポリイミド膜12a上に設けられている
リード線10aと導通している。また、内側バンプ14
bは、ポリイミド膜12aに設けられた導電性部材11
により2つの部分(14b−1,14b−2)に区分さ
れながらポリイミド膜12a,12bの2枚を貫通し
て、ポリイミド膜12b上に設けられているリード線1
0bと導通している。
The outer bump 14a is made of a polyimide film 12a.
Through the lead wire 10a provided on the polyimide film 12a. Also, the inner bump 14
b denotes the conductive member 11 provided on the polyimide film 12a.
The lead wire 1 provided on the polyimide film 12b penetrates two of the polyimide films 12a and 12b while being divided into two portions (14b-1 and 14b-2).
0b.

【0018】ここで、下面側のポリイミド膜12aは、
膜厚25μmのポリイミド膜を直径68mmの円形に成
形したものである。このポリイミド膜12a上に設けら
れているリード線10aは、銅(Cu)からなる膜厚1
8μmの薄膜であり、その線幅は50μm、総数は約4
00である。図2(同図に示してあるリード線10aお
よび導電性部材11の数は全数ではなく、簡略化してい
る)に示すように、リード線10aは放射状に配列され
ており、内側先端部は直径100μmの円形になってお
り、外側先端部は線幅が200μmに広がっている。ま
た、このポリイミド膜12aの中央部に設けられている
導電性部材11は膜厚18μmの銅薄膜からなり、直径
100μmの円形を呈している。
Here, the polyimide film 12a on the lower surface side is
It is obtained by molding a polyimide film having a thickness of 25 μm into a circular shape having a diameter of 68 mm. The lead wire 10a provided on the polyimide film 12a has a thickness of 1 made of copper (Cu).
8 μm thin film with a line width of 50 μm and a total number of about 4
00. As shown in FIG. 2 (the numbers of the lead wires 10a and the conductive members 11 shown in FIG. 2 are not 100% but are simplified), the lead wires 10a are arranged radially, and the inner tip portion has a diameter. It has a circular shape of 100 μm, and the outer end has a line width of 200 μm. The conductive member 11 provided at the center of the polyimide film 12a is made of a copper thin film having a thickness of 18 μm and has a circular shape with a diameter of 100 μm.

【0019】一方、上面側のポリイミド膜12bはリー
ド線10aからの厚さが10μmであり、このポリイミ
ド膜12bも直径68mmの円形を呈している。ポリイ
ミド膜12b上に設けられているリード線10bは、銅
(Cu)からなる膜厚2μmの薄膜であり、その線幅は
50μm、総数は約250である。図3(同図に示して
あるリード線10bおよび接続用導電部13の数は全数
ではなく、簡略化している)に示すように、リード線1
0bも放射状に配列されており、内側先端部は直径10
0μmの円形になっており、外側先端部は線幅が200
μmに広がっている。また、このポリイミド膜12bの
外周部に設けられている接続用導電部13は膜厚2μm
の銅薄膜からなり、その大きさは200μm×2mmで
ある。
On the other hand, the thickness of the polyimide film 12b on the upper surface side from the lead wire 10a is 10 μm, and this polyimide film 12b also has a circular shape with a diameter of 68 mm. The lead wire 10b provided on the polyimide film 12b is a thin film made of copper (Cu) with a thickness of 2 μm, the line width is 50 μm, and the total number is about 250. As shown in FIG. 3 (the numbers of the lead wires 10b and the connecting conductive portions 13 shown in FIG.
0b are also arranged radially, and the inner tip has a diameter of 10
It has a circular shape of 0 μm, and the outer tip has a line width of 200 μm.
spread to μm. The connecting conductive portion 13 provided on the outer peripheral portion of the polyimide film 12b has a thickness of 2 μm.
And a size of 200 μm × 2 mm.

【0020】ポリイミド膜12aを貫通してリード線1
0aと導通している外側バンプ14aは、ニッケル(N
i)合金からなる略円柱状(直径30μm、高さ25μ
mの円柱の下側先端部に高さ35μmの半球が載ってい
る)であり、その先端部はポリイミド膜12aの表面か
ら35μm突出している。外側バンプ14aの総数は約
400個であり、これらは正方形の輪郭に沿って100
μmのピッチで植立されている。
Lead wire 1 penetrating through polyimide film 12a
0a is formed of nickel (N
i) A substantially cylindrical shape made of an alloy (diameter 30 μm, height 25 μ)
A hemisphere having a height of 35 μm is placed on the lower end of the m-shaped cylinder), and the end protrudes 35 μm from the surface of the polyimide film 12a. The total number of outer bumps 14a is about 400, which are 100 points along the square contour.
It is planted at a pitch of μm.

【0021】また、ポリイミド膜12a,12bを貫通
してリード線10bと導通している内側バンプ14b
は、前述したようにポリイミド膜12aに設けられた導
電性部材11により2つの部分(14b−1,14b−
2)に区分されている。下側部分14b−1は、ニッケ
ル(Ni)合金からなる略円柱状(直径30μm、高さ
25μmの円柱の下側先端部に高さ35μmの半球が載
っている)であり、その先端部はポリイミド膜12aの
表面から35μm突出している。また、上側部分14b
−2は、ニッケル(Ni)合金からなる直径30μm、
高さ12μmの円柱状を呈している。内側バンプ14b
の総数は約250個であり、これらは正方形の輪郭に沿
って100μmのピッチで植立されている。
Further, the inner bumps 14b penetrating through the polyimide films 12a and 12b and conducting with the lead wires 10b.
The two parts (14b-1, 14b-) are formed by the conductive member 11 provided on the polyimide film 12a as described above.
It is classified into 2). The lower portion 14b-1 has a substantially cylindrical shape made of a nickel (Ni) alloy (a hemisphere having a height of 35 μm is placed on a lower end portion of a cylinder having a diameter of 30 μm and a height of 25 μm). It protrudes from the surface of the polyimide film 12a by 35 μm. Also, the upper part 14b
-2 is a 30 [mu] m diameter made of a nickel (Ni) alloy;
It has a column shape with a height of 12 μm. Inner bump 14b
Are approximately 250 and are planted at a pitch of 100 μm along the square contour.

【0022】なお、リード線10aの外側先端部と接続
用導電部13とは接続部材15により接続されており、
この接続部材15は直径30μmの円柱状を呈するニッ
ケル(Ni)合金からなる。また、リード線10bの外
側先端部と接続用導電部13は、後述する回路基板31
の伝送線37b,37aに各々接続される。
The outer end of the lead wire 10a and the conductive portion 13 for connection are connected by a connecting member 15,
This connecting member 15 is made of a nickel (Ni) alloy having a cylindrical shape with a diameter of 30 μm. Further, the outer end portion of the lead wire 10b and the connecting conductive portion 13 are connected to a circuit board 31 described later.
Are connected to the transmission lines 37b and 37a, respectively.

【0023】次に、図4〜図6の工程図を参照して、上
述の構成からなるバンプ付き可撓性膜部20の製造方法
を説明する。まず、円形状のポリイミド膜12a(膜厚
25μm,直径68mm)の一主表面に、膜厚18μm
の銅薄膜21を形成した(図4(a)参照)。この銅薄
膜21の形成は、以下の手順で行った。最初に、ポリイ
ミド膜12aの一主表面に膜厚が約5000オングスト
ロームの銅薄膜をスパッタリング法により形成する。そ
の後、これを硫酸銅を主成分とする溶液に浸漬し、電気
メッキ法により銅薄膜の膜厚が18μmになるまで銅薄
膜上に銅を析出させて、銅薄膜21を形成した。
Next, a method of manufacturing the flexible film section 20 with bumps having the above-described configuration will be described with reference to the process charts of FIGS. First, a 18 μm-thick polyimide film 12 a (25 μm in thickness, 68 mm in diameter) is formed on one main surface of the circular polyimide film 12 a.
(FIG. 4A). The formation of the copper thin film 21 was performed in the following procedure. First, a copper thin film having a thickness of about 5000 angstroms is formed on one main surface of the polyimide film 12a by a sputtering method. Thereafter, this was immersed in a solution containing copper sulfate as a main component, and copper was deposited on the copper thin film by electroplating until the thickness of the copper thin film became 18 μm, thereby forming a copper thin film 21.

【0024】次に、銅薄膜21上にポジ型フォトレジス
ト(シープレイ社製AZ1350)を膜厚2μmに塗布
してレジスト膜22を形成し(図4(b))、その後、
このレジスト膜22にベーク処理、選択的露光および現
像処理を順次施して、レジストパターン23を形成した
(図4(c))。なお、レジスト膜22に施す前述の選
択的露光は、図1および図2に示すリード線10aおよ
び導電性部材11に対応している。
Next, a positive photoresist (AZ1350 manufactured by Seaplay) is applied to a thickness of 2 μm on the copper thin film 21 to form a resist film 22 (FIG. 4B).
The resist film 22 was sequentially subjected to baking, selective exposure and development to form a resist pattern 23 (FIG. 4C). The above-described selective exposure performed on the resist film 22 corresponds to the lead wire 10a and the conductive member 11 shown in FIGS.

【0025】次いで、前工程で得られたレジストパター
ン23をマスクとし、ペルオキソ二硫酸ナトリウム水溶
液をエッチング溶液として用いて、銅薄膜21をエッチ
ングした(図4(d))。その後、残存レジストパター
ン23をアセトン等の有機溶剤で除去して、リード線1
0aおよび導電性部材11を得た(図4(e))。
Next, using the resist pattern 23 obtained in the previous step as a mask, the copper thin film 21 was etched using an aqueous solution of sodium peroxodisulfate as an etching solution (FIG. 4D). Thereafter, the remaining resist pattern 23 is removed with an organic solvent such as acetone, and the lead wire 1 is removed.
0a and the conductive member 11 were obtained (FIG. 4E).

【0026】次に、外側バンプ14aを設けるための貫
通孔24aをリード線10aの内側先端部の下に、また
内側バンプ14bを設けるための貫通孔24bを導電性
部材11の下に、それぞれ所定数形成した(図5
(f))。これらの形成は、ポリイミド膜12aの下面
(リード線10aおよび導電性部材11を設けた面とは
反対側の面)の所定位置にXeClエキシマレーザー光
(波長308nm,ビーム径約30μm,パワー密度1
J/cm2 )を照射して、ポリイミド膜12aを穿孔す
ることにより行った。このとき、位置合わせ用のマーク
としてリード線10aおよび導電性部材11を用いた。
Next, a through hole 24a for providing the outer bump 14a is provided below the inner end of the lead wire 10a, and a through hole 24b for providing the inner bump 14b is provided below the conductive member 11, respectively. Number formed (Fig. 5
(F)). These are formed by placing a XeCl excimer laser beam (wavelength 308 nm, beam diameter about 30 μm, power density 1) at a predetermined position on the lower surface of polyimide film 12a (the surface opposite to the surface on which lead wire 10a and conductive member 11 are provided).
J / cm 2 ) to pierce the polyimide film 12a. At this time, the lead wire 10a and the conductive member 11 were used as alignment marks.

【0027】次いで、前工程で形成した貫通孔24a,
24b内に電気メッキ法によりニッケル合金を堆積させ
て、貫通孔24aには外側バンプ14aを、貫通孔24
bには内側バンプ24bの下側部分24b−1を形成し
た(図5(g))。このときの電気メッキ処理は、前工
程を終えたポリイミド膜12aを硫酸ニッケルを主成分
とする混合溶液に浸漬し、リード線10aと導電性部材
11とをそれぞれ電極として通電することで行った。こ
のようにして通電することにより貫通孔24a,24b
内にニッケル合金が堆積(析出)し、堆積したニッケル
合金の先端部がポリイミド膜12aの表面からほぼ35
μm突出したときに通電を停止した。これにより、外側
バンプ14aの高さと内側バンプ14bの下側部分14
b−1の高さとは実質的に同じになった。
Next, the through holes 24a,
A nickel alloy is deposited in the through hole 24a by an electroplating method, and the outer bump 14a is
The lower portion 24b-1 of the inner bump 24b was formed on the portion b (FIG. 5 (g)). At this time, the electroplating treatment was performed by immersing the polyimide film 12a having undergone the previous step in a mixed solution containing nickel sulfate as a main component, and supplying electricity to the lead wire 10a and the conductive member 11 as electrodes. By supplying electricity in this manner, the through holes 24a, 24b
The nickel alloy is deposited (precipitated) in the inside, and the tip of the deposited nickel alloy is approximately 35 mm from the surface of the polyimide film 12a.
When projecting by μm, the current supply was stopped. Thereby, the height of the outer bump 14a and the lower portion 14 of the inner bump 14b are reduced.
The height of b-1 became substantially the same.

【0028】次に、リード線10aを設けた側のポリイ
ミド膜12a上に、リード線10aからの厚さが約10
μmとなるように液状ポリイミド樹脂を塗布し、これを
130℃で30〜40分間ベークすることにより固化さ
せて、ポリイミド膜12bを得た(図5(h))。
Next, on the polyimide film 12a on the side where the lead wire 10a is provided, the thickness from the lead wire 10a is about 10 mm.
A liquid polyimide resin was applied so as to have a thickness of μm, and was baked at 130 ° C. for 30 to 40 minutes to be solidified, thereby obtaining a polyimide film 12b (FIG. 5 (h)).

【0029】次いで、このポリイミド膜12b上に、ス
パッタリングにより膜厚が2μmの銅薄膜25を形成し
た(図5(i))。この銅薄膜25は、膜応力で剥がれ
てしまうこと、および電気絶縁薄膜全体(ポリイミド膜
12a,12b)の可撓性が失われることを防止するた
めに、ポリイミド膜12aに設けた銅薄膜21よりも膜
厚を薄くしている。
Next, a copper thin film 25 having a thickness of 2 μm was formed on the polyimide film 12b by sputtering (FIG. 5 (i)). In order to prevent the copper thin film 25 from peeling off due to the film stress, and to prevent the entire electrically insulating thin film (polyimide films 12a and 12b) from losing flexibility, the copper thin film 25 provided on the polyimide film 12a is used. Also has a reduced thickness.

【0030】次に、銅薄膜25上にポジ型フォトレジス
ト(シープレイ社製AZ1350)を膜厚3μmに塗布
してレジスト膜26を形成し(図5(j))、その後、
このレジスト膜26にベーク処理、選択的露光および現
像処理を順次施して、レジストパターン27を形成した
(図6(k))。なお、レジスト膜26に施す前述の選
択的露光は、図1および図2に示すリード線10bおよ
び接続用導電部13に対応している。
Next, a positive photoresist (AZ1350 manufactured by Seaplay) is applied to a thickness of 3 μm on the copper thin film 25 to form a resist film 26 (FIG. 5 (j)).
The resist film 26 was sequentially subjected to baking, selective exposure, and development to form a resist pattern 27 (FIG. 6 (k)). Note that the above-described selective exposure performed on the resist film 26 corresponds to the lead wire 10b and the connection conductive portion 13 shown in FIGS.

【0031】次いで、前工程で得られたレジストパター
ン27をマスクとし、ペルオキソ二硫酸ナトリウム水溶
液をエッチング溶液として用いて、銅薄膜25をエッチ
ングした。このエッチングにより、レジストパターン2
7の下には、銅薄膜25の一部からなるリード線10b
と接続用導電部13とが形成された(図6(l))。次
に、内側バンプ14bの上側部分14b−2を設けるた
めの貫通孔28aを導電性部材11の上に、またリード
線10aの外側先端部と接続用導電部13とを接続する
ための接続部材15を設けるための貫通孔28bをリー
ド線10aの外側先端部の上に、それぞれ所定数形成し
た(図6(m))。これらの形成は、レジストパターン
27の上面の所定位置にXeClエキシマレーザー光
(波長308nm,ビーム径約30μm,パワー密度1
J/cm2 )を照射して、レジスト部、銅薄膜25およ
びポリイミド膜10bを穿孔することにより行った。こ
のとき、位置合わせ用のマークとしてリード線10bお
よび接続用導電部13を用いた。
Next, using the resist pattern 27 obtained in the previous step as a mask, the copper thin film 25 was etched using an aqueous solution of sodium peroxodisulfate as an etching solution. By this etching, the resist pattern 2
7, a lead wire 10b formed of a part of the copper thin film 25
And the conductive portion 13 for connection were formed (FIG. 6 (l)). Next, a through hole 28a for providing the upper portion 14b-2 of the inner bump 14b is formed on the conductive member 11, and a connecting member for connecting the outer end of the lead wire 10a and the connecting conductive portion 13 is formed. A predetermined number of through holes 28b for providing the holes 15 were respectively formed on the outer ends of the lead wires 10a (FIG. 6 (m)). These are formed by placing a XeCl excimer laser beam (wavelength 308 nm, beam diameter about 30 μm, power density 1) at a predetermined position on the upper surface of the resist pattern 27.
J / cm 2 ) to pierce the resist portion, the copper thin film 25 and the polyimide film 10b. At this time, the lead wire 10b and the connection conductive portion 13 were used as alignment marks.

【0032】次いで、洗浄および乾燥した後に、前工程
で形成した貫通孔28a,28b内に電気メッキ法によ
りニッケル合金を堆積させて、貫通孔28aには内側バ
ンプ14bの上側部分14b−2を、貫通孔28bには
導電性部材15を形成した(図6(n))。このときの
電気メッキ処理は、洗浄および乾燥した後の積層物を硫
酸ニッケルを主成分とする混合溶液に浸漬し、リード線
10aと導電性部材11とをそれぞれ電極として通電す
ることで行った。このようにして通電することにより貫
通孔28a,28b内にニッケル合金が堆積(析出)
し、堆積したニッケル合金の先端部がポリイミド膜12
bの表面と同程度の高さとなったときに通電を停止し
た。この後、残存レジストパターン27をアセトン等の
有機溶剤で除去して、目的とするバンプ付き可撓性膜部
20を得た(図6(o))。
Next, after cleaning and drying, a nickel alloy is deposited by electroplating in the through holes 28a and 28b formed in the previous step, and the upper portion 14b-2 of the inner bump 14b is placed in the through hole 28a. The conductive member 15 was formed in the through hole 28b (FIG. 6 (n)). The electroplating treatment at this time was performed by immersing the washed and dried laminate in a mixed solution containing nickel sulfate as a main component, and applying current to the lead wire 10a and the conductive member 11 as electrodes. By energizing in this manner, a nickel alloy is deposited (precipitated) in the through holes 28a and 28b.
The tip of the deposited nickel alloy is a polyimide film 12
When the height became almost the same as the surface of b, the energization was stopped. Thereafter, the remaining resist pattern 27 was removed with an organic solvent such as acetone to obtain the intended flexible film section 20 with bumps (FIG. 6 (o)).

【0033】このように本実施例によれば、バンプを区
分する導電性部材11をリード線10aと同時に容易に
形成することができる。また、形成方法としてスパッタ
リング法を用いているのでポリイミド膜12aに充分に
付着させることができるため、プローブカードの使用時
にバンプを被検査デバイスのパッドに押圧しながら水平
方向に移動させてもバンプが折れにくいものが得られ
た。また、導電性部材11およびリード線10aを電極
として用いてバンプを形成するため、全てのバンプを同
じ条件で形成することができ、高さの揃ったバンプを得
ることができた。次に、このバンプ付き可撓性膜部20
を備えたプローブカードについて図7を参照しつつ説明
する。図7に示すプローブカード30は、バンプ付き可
撓性膜部20、回路基板31、第1本体32、第2本体
33、および弾性力付与手段34とから構成されてい
る。
As described above, according to this embodiment, the conductive member 11 for dividing the bump can be easily formed simultaneously with the lead wire 10a. Further, since the sputtering method is used as the forming method, the bump can be sufficiently adhered to the polyimide film 12a. Therefore, even if the bump is moved in the horizontal direction while pressing the bump against the pad of the device under test when using the probe card, A hard-to-break product was obtained. In addition, since bumps were formed using the conductive member 11 and the lead wires 10a as electrodes, all bumps could be formed under the same conditions, and bumps with uniform height could be obtained. Next, the flexible film section 20 with bumps
The probe card provided with is described with reference to FIG. The probe card 30 shown in FIG. 7 includes a flexible film section 20 with bumps, a circuit board 31, a first main body 32, a second main body 33, and elastic force applying means.

【0034】回路基板31はガラスエポキシ樹脂からな
り、中央部に開口部を有する円板36と、この円板36
の内部に付設された伝送線37a,37bとから構成さ
れている。円板36の一主表面には、伝送線37aとバ
ンプ付き可撓性膜部20の接続用導電部13との接続を
図るための接続部(図示せず)と、伝送線37bとバン
プ付き可撓性膜部20のリード線10bの外側先端部と
の接続を図るための接続部(図示せず)が設けられてい
る。そして、伝送線37aは円板36の周縁部に立設さ
れた中継端子39aに、また伝送線37bは円板36の
周縁部に立設された中継端子39bに、それぞれ接続さ
れている。これらの中継端子39a,39bは、このプ
ローブカード30に検査信号を入出力するための外部端
子(例えば半導体テスターの外部端子)に接続される。
The circuit board 31 is made of glass epoxy resin, and has a disk 36 having an opening at the center,
And transmission lines 37a and 37b attached to the inside. A connection portion (not shown) for connecting the transmission line 37a to the connection conductive portion 13 of the flexible film portion 20 with a bump, and a transmission line 37b and a bump on one main surface of the disc 36 are provided. A connection portion (not shown) for connecting the flexible film portion 20 to the outer end portion of the lead wire 10b is provided. The transmission line 37a is connected to a relay terminal 39a erected on the peripheral edge of the disk 36, and the transmission line 37b is connected to a relay terminal 39b erected on the peripheral edge of the disk 36. These relay terminals 39a and 39b are connected to external terminals (for example, external terminals of a semiconductor tester) for inputting and outputting test signals to and from the probe card 30.

【0035】第1本体32と第2本体33は共に、回路
基板31を構成する円板36の開口部に対応する開口部
を有する肉厚円板であり、両者はネジ部材(図示せず)
により一体的に固着されている。また、弾性付与手段3
4は、上端部にフランジ部41bを有する円筒体からな
る内筒41と、一端が第1本体32の上面周縁部に固定
され、他端が自由端の状態で内筒41のフランジ部41
bの外周部を上から押圧するバネ部材42とからなる。
内筒41は、回路基板31を構成する円板36の開口
部、およびこれに対応する第1本体32と第2本体33
の各開口部に挿入されており、内筒41の中空部分43
には、例えば半導体テスタ等に配設された押圧部材が挿
入される。
Both the first main body 32 and the second main body 33 are thick disks having openings corresponding to the openings of the disk 36 forming the circuit board 31, and both are screw members (not shown).
And are integrally fixed. Also, the elasticity applying means 3
Reference numeral 4 denotes an inner cylinder 41 formed of a cylindrical body having a flange portion 41b at an upper end, and a flange portion 41 of the inner cylinder 41 having one end fixed to a peripheral edge of the upper surface of the first main body 32 and the other end being a free end.
and a spring member 42 for pressing the outer peripheral portion of b from above.
The inner cylinder 41 has an opening of the disk 36 constituting the circuit board 31 and a corresponding first main body 32 and second main body 33.
And the hollow portion 43 of the inner cylinder 41
For example, a pressing member provided in a semiconductor tester or the like is inserted into the device.

【0036】これらの部材からなるプローブカード30
において、バンプ付き可撓性膜部20は、その上面に付
設された接続用導電部13を伝送線37aの接続部(図
示せず)に接触させるとともに、リード線10bの外側
先端部を伝送線37bの接続部(図示せず)に接触させ
た状態で、回路基板31とともに第1本体32と第2本
体33とにより挟持されている。バンプ付き可撓性膜部
20は弛緩しない状態で第1本体32と第2本体33と
により挟持されており、かつ、その裏面(バンプ形成面
とは反対側の面)は内筒41の下端部(バネ部材42に
より押圧されている端部とは反対の端部)に弾性的に押
圧されている。この結果、バンプ付き可撓性膜部20は
図中下方に張り出した状態になっている。したがって、
このバンプ付き可撓性膜部20は回路基板31に離間・
接近する方向の両方に撓むことができる。
The probe card 30 composed of these members
In the above, the flexible film section 20 with bumps makes the connection conductive section 13 provided on the upper surface thereof contact the connection section (not shown) of the transmission line 37a, and connects the outer end of the lead wire 10b to the transmission line. The first body 32 and the second body 33 are sandwiched together with the circuit board 31 in a state of being in contact with a connection portion (not shown) of 37b. The flexible film portion 20 with bumps is sandwiched between the first main body 32 and the second main body 33 without being relaxed, and the back surface (the surface opposite to the bump formation surface) is the lower end of the inner cylinder 41. (The end opposite to the end pressed by the spring member 42). As a result, the flexible film section 20 with bumps is in a state of projecting downward in the figure. Therefore,
The flexible film section 20 with bumps is separated from the circuit board 31 by
It can flex in both approaching directions.

【0037】以上の構成からなるプローブカード30の
一使用例を、被検査デバイスがICである場合を例に挙
げて説明する。なお、この例で使用する半導体テスター
(図示せず)は、検査信号を入出力することによりIC
の特性を測定する手段を備えている。また、プローブカ
ード30を構成する内筒41の中空部分43に挿入され
た状態で内筒41を押圧する押圧手段も備えている。
An example of the use of the probe card 30 having the above configuration will be described with reference to a case where the device to be inspected is an IC. Note that a semiconductor tester (not shown) used in this example inputs and outputs a test signal,
Means for measuring the characteristics of Further, a pressing means for pressing the inner tube 41 while being inserted into the hollow portion 43 of the inner tube 41 constituting the probe card 30 is also provided.

【0038】まず、プローブカード30を、その中継端
子39a,39bを半導体テスターの外部端子に接続す
ることにより前記半導体テスターに取り付ける。次に、
プローブカード30を構成するバンプ14a,14bの
突出した先端部を、ICの電極(パッド)に接触させ
る。更に、半導体テスターの押圧手段を駆動させること
により、バンプとパッドとの接触を堅固にする。
First, the probe card 30 is attached to the semiconductor tester by connecting the relay terminals 39a and 39b to external terminals of the semiconductor tester. next,
The protruding tips of the bumps 14a and 14b constituting the probe card 30 are brought into contact with the electrodes (pads) of the IC. Further, by driving the pressing means of the semiconductor tester, the contact between the bump and the pad is made firm.

【0039】そして、半導体テスターからプローブカー
ド30を介してICに検査信号を供給し、供給した検査
信号はプローブカード30を介して再び半導体テスター
に帰還させる。この帰還した検査信号に基づいて判断す
ることにより、ICの特性検査を行うことができる。
Then, an inspection signal is supplied from the semiconductor tester to the IC via the probe card 30, and the supplied inspection signal is returned to the semiconductor tester again via the probe card 30. By making a determination based on the returned test signal, a characteristic test of the IC can be performed.

【0040】本実施例によれば、プローブカード使用時
にバンプが折れることがなく、またバンプの高さが揃っ
ていることから、信頼性の高い良好な検査が可能となっ
た。なお、本発明は上述した実施例に限定されるもので
はなく、種々の変形例を含む。以下、本発明の特徴部分
であるバンプ付き可撓性膜部およびその製造方法に関す
る変形例について説明する。
According to the present embodiment, the bumps are not broken when the probe card is used, and the bumps have the same height, so that a reliable and favorable inspection can be performed. Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but includes various modifications. Hereinafter, modified examples of the flexible film portion with bumps and the method of manufacturing the same, which are characteristic portions of the present invention, will be described.

【0041】まず、上記実施例ではバンプを2列に形成
したが、必要に応じて3列以上形成してもよい。図8
は、バンプを3列に形成したバンプ付き可撓性膜部の例
を示す。図8に示したバンプ付き可撓性膜部60では、
リード線61aおよび導電性部材62a,62bを有す
る電気絶縁性薄膜63aと、リード線61b、導電性部
材62cおよび接続用導電部64aを有する電気絶縁性
薄膜63bと、リード線61cおよび接続用導電部64
b,64cを有する電気絶縁性薄膜63cとが積層され
ている。そして、リード線61aの内側先端部にはバン
プ65aが接続されており、リード線61bの内側先端
部には導電性部材62aにより2つの部分に区分された
バンプ65bが接続されており、リード線61cの内側
先端部には導電性部材62b,62cにより3つの部分
に区分されたバンプ65cが接続されている。また、リ
ード線61aの外側先端部は、接続用導電部64aによ
り2つの部分に区分された接続部材66aにより接続用
導電部64bと接続しており、リード線61bの外側先
端部は、接続部材66bにより接続用導電部64cと接
続している。このように、本発明の特徴部分であるバン
プ付き可撓性膜部は必要に応じて3層以上の多層構造で
あってもよい。
First, in the above embodiment, the bumps are formed in two rows, but three or more rows may be formed as necessary. FIG.
Shows an example of a flexible film portion with bumps in which bumps are formed in three rows. In the flexible film section 60 with bumps shown in FIG.
An electrically insulating thin film 63a having a lead wire 61a and conductive members 62a and 62b, an electrically insulating thin film 63b having a lead wire 61b, a conductive member 62c and a conductive portion 64a for connection, a lead wire 61c and a conductive portion for connection 64
b and 64c are laminated. A bump 65a is connected to an inner end of the lead wire 61a, and a bump 65b divided into two parts by a conductive member 62a is connected to an inner end of the lead wire 61b. A bump 65c divided into three parts by conductive members 62b, 62c is connected to the inner front end of 61c. Further, the outer end of the lead wire 61a is connected to the connecting conductive part 64b by a connecting member 66a divided into two parts by the connecting conductive part 64a, and the outer end of the lead wire 61b is connected to the connecting member 64a. The connection portion 66c is connected to the connection conductive portion 64c. As described above, the flexible film portion with bumps, which is a feature of the present invention, may have a multilayer structure of three or more layers as necessary.

【0042】また、3層以上の電気絶縁性薄膜を貫通す
るバンプは、少なくとも1層、好ましくは最下層の電気
絶縁性薄膜上に付着した導電性部材により区分されてい
れば、本発明の効果が得られる。
The effect of the present invention can be obtained if the bumps penetrating the three or more layers of the electrically insulating thin film are separated by a conductive member attached to at least one layer, preferably the lowermost electrically insulating thin film. Is obtained.

【0043】また、支持枠たる回路基板の伝送線と接続
する部分(バンプ付き可撓性膜部における最上層のリー
ド線および最上層の接続用導電部)の形状は、回路基板
の伝送線の接続部の形状に合わせて適宜変更することが
できる。
The shape of the portion of the circuit board serving as the support frame to be connected to the transmission line (the uppermost lead wire and the uppermost connection conductive portion in the flexible film portion with bumps) is determined by the shape of the transmission line of the circuit board. It can be changed appropriately according to the shape of the connection part.

【0044】電気絶縁性薄膜の複数枚を貫通して所定の
電気絶縁性薄膜上のリード線の1つと導通するバンプを
複数に区分するための導電性部材の形状は、円形に限ら
ず、例えば四角形等でもよく、要は少なくともバンプ形
成用の貫通孔を覆い得るものであればその形状を問わな
い。また、1つの貫通孔を覆い得るものに限らず、隣接
する2つ以上の貫通孔を覆い得るものであってもよい。
The shape of the conductive member for partitioning a plurality of bumps that penetrate through a plurality of the electrically insulating thin films and conduct with one of the lead wires on the predetermined electrically insulating thin film is not limited to a circle. The shape may be a quadrangle or the like, and the shape is not particularly limited as long as it can cover at least the through hole for forming a bump. The present invention is not limited to one that can cover one through hole, and may be one that can cover two or more adjacent through holes.

【0045】また、電気絶縁性薄膜の材料としては、ポ
リイミドの他に、アクリル系樹脂、ノボラック樹脂、ポ
リスチレン、塩化ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレ
タン等の有機系材料や、ゴム系樹脂、酸化硅素系材料等
の無機系材料、あるいは有機無機複合材料等を用いても
よい。
As the material of the electrically insulating thin film, besides polyimide, organic materials such as acrylic resin, novolak resin, polystyrene, vinyl chloride resin, epoxy resin, polyurethane, rubber resin, and silicon oxide An inorganic material such as a material or an organic-inorganic composite material may be used.

【0046】バンプを形成するための貫通孔の形成は、
エキシマレーザー光等のレーザー光による穿孔の他に、
フォトリソグラフィー法やケミカルドリル法等により行
ってもよい。バンプを複数に区分するための導電性部材
やリード線の材料としては、Cuの他に、Cr,Ni,
Au,Pt,Al,W、あるいは、これらの金属を含む
合金等を用いてもよい。また、リード線と前記導電性部
材とで異なる材料を使用してもよい。バンプの形成にあ
たっては、Ni合金の他に、Au,Ag,Pt,Cr,
Cu,Co、あるいは、これらの金属を含む合金等を電
気メッキ法により析出させてもよい。
The formation of a through hole for forming a bump is as follows.
In addition to drilling with laser light such as excimer laser light,
It may be performed by a photolithography method, a chemical drill method, or the like. As a material of a conductive member or a lead wire for dividing a bump into a plurality of parts, in addition to Cu, Cr, Ni,
Au, Pt, Al, W, or an alloy containing these metals may be used. Further, different materials may be used for the lead wire and the conductive member. In forming the bumps, Au, Ag, Pt, Cr,
Cu, Co, or an alloy containing these metals may be deposited by electroplating.

【0047】また、ノイズを防止するために、バンプ付
き可撓性膜部の下面の所望の場所に、例えばCu等の金
属による膜厚3μm程度の接地用導電性薄膜を形成して
もよい。この接地用導電性薄膜を用いた接地は、例えば
電気絶縁性薄膜に貫通孔を設けてそのなかに導電性部材
を形成し、この導電性部材を介して前記接地用導電性薄
膜をリード線等に接続することで行うことができる。
Further, in order to prevent noise, a conductive thin film having a thickness of about 3 μm made of a metal such as Cu may be formed at a desired location on the lower surface of the flexible film portion with bumps. The grounding using the grounding conductive thin film is performed, for example, by forming a through hole in an electrically insulating thin film to form a conductive member therein, and connecting the grounding conductive thin film to a lead wire or the like through the conductive member. It can be done by connecting to.

【0048】一方、バンプ付き可撓性膜部の製造工程
は、上記実施例のようにポリイミド膜12a上にリード
線10aおよび導電性部材11を形成した後にバンプ1
4a、14b−1の形成を行う順番に限らず、例えば、
ポリイミド膜12a上にリード線10aおよび導電性部
材11を形成した後に直ぐポリイミド膜12bを形成
し、この後にバンプ14a、14b−1の形成を行って
もよい。要は、まずポリイミド膜12a上にリード線1
0aおよび導電性部材11を形成する工程を行えばよ
い。
On the other hand, in the manufacturing process of the flexible film portion with bumps, the lead wires 10a and the conductive members 11 are formed on the polyimide film 12a as in the above embodiment, and then the bumps 1 are formed.
The order in which the formation of 4a and 14b-1 is performed is not limited.
Immediately after forming the lead wire 10a and the conductive member 11 on the polyimide film 12a, the polyimide film 12b may be formed, and then the bumps 14a and 14b-1 may be formed. In short, first, lead wire 1 is placed on polyimide film 12a.
The step of forming the conductive member 11 and the conductive member 11 may be performed.

【0049】最後に、プローブカードの変形例について
説明する。回路基板の伝送線は、バンプ付き可撓性膜部
のリード線や接続用導電部と中継端子とを単に電気的に
接続するだけでなく、インピーダンス整合用デバイス、
バイパスコンデンサ等を接続するようにしてもよい。ま
た、回路基板の開口部は貫通孔でなくてもよく、バンプ
付き可撓性膜部を張設した反対側端面を塞いだものでも
よい。
Finally, a modified example of the probe card will be described. The transmission line of the circuit board not only connects the relay terminal and the lead wire or connection conductive part of the flexible film part with the bump electrically but also the impedance matching device,
A bypass capacitor or the like may be connected. Further, the opening of the circuit board may not be a through-hole, but may be one in which the opposite end face on which the flexible film section with bumps is stretched is closed.

【0050】また、バンプ付き可撓性膜部を弾性的に押
圧する手段としては、実施例の弾性付与手段のような機
械的なものの他に、例えば、バンプ付き可撓性膜部で密
閉空間を形成し、この密閉空間に比較的圧力の高い無色
のガスを封入することでバンプ付き可撓性膜部を弾性的
に押圧してもよい。
As means for elastically pressing the flexible film portion with bumps, in addition to mechanical means such as the elasticity imparting means of the embodiment, for example, the flexible film portion with bumps may be used to close the closed space. May be formed, and a relatively high-pressure colorless gas may be filled in the closed space to elastically press the bumped flexible film portion.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の回路検査
用デバイスではバンプの高さが揃っているため、各バン
プと被検査デバイスのパッドとの均一な接触が得られ
る。また、使用時にバンプが折れることが起きにくいた
め、バンプの先端部分が欠落してしまうことを防止する
ことができる。したがって、本発明によれば信頼性の高
い回路検査用デバイスを提供することが可能になる。
As described above, in the circuit inspection device of the present invention, since the bumps have the same height, uniform contact between each bump and the pad of the device under test can be obtained. In addition, since the bump is unlikely to be broken during use, it is possible to prevent the tip of the bump from dropping. Therefore, according to the present invention, a highly reliable circuit inspection device can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例のプローブカードを構成するバンプ付き
可撓性膜部の断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a flexible film portion with a bump constituting a probe card according to an embodiment.

【図2】図4(e)に示した製造工程におけるバンプ付
き可撓性膜部を上面から見た平面図である。
FIG. 2 is a plan view of the flexible film portion with bumps in the manufacturing process shown in FIG.

【図3】実施例のバンプ付き可撓性膜部を裏面(接触子
形成面とは反対側の面)から見た平面図である。
FIG. 3 is a plan view of the flexible film portion with bumps of the example as viewed from the back surface (the surface opposite to the contact forming surface).

【図4】バンプ付き可撓性膜部の一製造方法を説明する
ための工程図である。
FIG. 4 is a process chart for explaining one manufacturing method of the flexible film portion with a bump.

【図5】バンプ付き可撓性膜部の一製造方法を説明する
ための他の工程図であり、図4(e)に示した工程に続
く工程を説明するための工程図である。
FIG. 5 is another process diagram for explaining one manufacturing method of the flexible film portion with bumps, and is a process diagram for explaining a process following the process shown in FIG. 4 (e).

【図6】バンプ付き可撓性膜部の一製造方法を説明する
ための他の工程図であり、図5(j)に示した工程に続
く工程を説明するための工程図である.
FIG. 6 is another process diagram for explaining one manufacturing method of the flexible film portion with bumps, and is a process diagram for explaining a process subsequent to the process shown in FIG. 5 (j).

【図7】実施例のプローブカードの断面図である。FIG. 7 is a sectional view of the probe card of the embodiment.

【図8】バンプ付き可撓性膜部の他の例の断面図であ
る。
FIG. 8 is a cross-sectional view of another example of a flexible film portion with bumps.

【図9】従来の提案の問題点を説明するための断面図で
ある。
FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining a problem of a conventional proposal.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10a,10b,61a,61b,61c…リード線、
11,62a,62b…導電性部材、 12a,12
b…ポリイミド膜、 14a…外側バンプ、14b…内
側バンプ、14b−1…内側バンプの下側部分、 14
b−2…内側バンプの上側部分、 20,60…バンプ
付き可撓性膜部、 30…プローブカード、 31…回
路基板、 37a,37b…伝送線、 63a,63
b,63c…電気絶縁性薄膜、 65a,65b,65
c…バンプ。
10a, 10b, 61a, 61b, 61c ... lead wire,
11, 62a, 62b ... conductive member, 12a, 12
b: polyimide film, 14a: outer bump, 14b: inner bump, 14b-1: lower part of the inner bump, 14
b-2: Upper part of the inner bump, 20, 60: Flexible film part with bump, 30: Probe card, 31: Circuit board, 37a, 37b: Transmission line, 63a, 63
b, 63c: electrical insulating thin film, 65a, 65b, 65
c ... bump.

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01R 1/073 H01L 21/66 G01R 31/28Continued on the front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) G01R 1/073 H01L 21/66 G01R 31/28

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 複数本のリード線を設けた電気絶縁性薄
膜が複数枚積層されており、かつ前記電気絶縁性薄膜の
1枚または複数枚を貫通して所定の電気絶縁性薄膜上の
リード線の1つと導通する接触子が最下層の電気絶縁性
薄膜の下面に突出して複数個設けられているバンプ付き
可撓性膜部と、このバンプ付き可撓性膜部を支持する回
路基板とを少なくとも有し、前記回路基板に設けられた
複数の伝送線と前記バンプ付き可撓性膜部の前記リード
線および前記接触子を介して検査信号の入出力を行う回
路検査用デバイスにおいて、 前記電気絶縁性薄膜の複数枚を貫通して所定の電気絶縁
性薄膜上のリード線の1つと導通する接触子は、導通対
象の前記リード線が設けられている電気絶縁性薄膜より
も下層に位置する電気絶縁性薄膜上に付着した導電性部
材により複数に区分されており、かつ前記導電性部材
は、前記接触子を形成するために前記電気絶縁性薄膜に
設けられる貫通孔の開口を少なくとも覆う大きさを有し
ていることを特徴とする回路検査用デバイス。
A plurality of electrically insulating thin films provided with a plurality of lead wires are laminated, and a lead on a predetermined electrically insulating thin film penetrates one or more of the electrically insulating thin films. A flexible film portion with a bump provided with a plurality of contacts protruding from a lower surface of the lowermost electrically insulating thin film, and a circuit board supporting the flexible film portion with the bump; A circuit inspection device having at least a plurality of transmission lines provided on the circuit board and inputting / outputting an inspection signal via the lead wires and the contacts of the flexible film portion with bumps, The contact that penetrates a plurality of the electrically insulating thin films and conducts to one of the leads on the predetermined electrically insulating thin film is located below the electrically insulating thin film on which the lead to be conducted is provided. Adhering to the electrically insulating thin film It is divided into a plurality by a conductive member, and the conductive member has a size that at least covers an opening of a through hole provided in the electrically insulating thin film to form the contact. Characteristic device for circuit inspection.
【請求項2】 複数本のリード線を設けた電気絶縁性薄
膜が複数枚積層されており、かつ前記電気絶縁性薄膜の
1枚または複数枚を貫通して所定の電気絶縁性薄膜上の
リード線の1つと導通する接触子が最下層の電気絶縁性
薄膜の下面に突出して複数個設けられているバンプ付き
可撓性膜部を形成する工程と、このバンプ付き可撓性膜
部と複数の伝送線を有する回路基板とを、前記バンプ付
き可撓性膜部の前記リード線と前記回路基板の前記伝送
線とを互いに導通させつつ一体化させて回路検査用デバ
イスとする工程とを少なくとも含む回路検査用デバイス
の製造方法において、 前記バンプ付き可撓性膜部を形成するにあたり、電気絶
縁性薄膜の複数枚を貫通して所定の電気絶縁性薄膜上の
リード線の1つと導通する前記接触子は、導通対象の前
記リード線が設けられている電気絶縁性薄膜よりも下層
に位置する電気絶縁性薄膜上の所定の位置に付着した導
電性部材を設け、この導電性部材を境とする貫通孔を該
貫通孔の上および下に位置する電気絶縁性薄膜に形成
し、前記導電性部材を電極として用いた電気メッキ法に
より前記貫通孔内に導電性金属を堆積させて形成するこ
とを特徴とする回路検査用デバイスの製造方法。
2. A plurality of electrical insulating thin films provided with a plurality of lead wires are laminated, and a lead on a predetermined electrical insulating thin film penetrates one or more of the electrical insulating thin films. Forming a plurality of flexible film portions with bumps provided with a plurality of contacts protruding from the lower surface of the lowermost electrically insulating thin film, the plurality of contacts being electrically connected to one of the wires; A circuit board having the transmission line of the above, at least a step of integrating the lead wire of the flexible film portion with the bump and the transmission line of the circuit board while conducting each other to form a device for circuit inspection, In the method of manufacturing a device for circuit inspection including: forming the flexible film portion with a bump, the conductive film portion penetrates a plurality of electrically insulating thin films and is electrically connected to one of lead wires on a predetermined electrically insulating thin film. The contact is the object of conduction A conductive member attached to a predetermined position on the electric insulating thin film located below the electric insulating thin film provided with the lead wire is provided, and a through hole bordering the conductive member is formed in the through hole. Forming on the electrically insulating thin film positioned above and below, and depositing a conductive metal in the through hole by an electroplating method using the conductive member as an electrode, for circuit inspection. Device manufacturing method.
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