JPH09194293A - 金属薄膜及びその形成方法 - Google Patents
金属薄膜及びその形成方法Info
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- JPH09194293A JPH09194293A JP8006963A JP696396A JPH09194293A JP H09194293 A JPH09194293 A JP H09194293A JP 8006963 A JP8006963 A JP 8006963A JP 696396 A JP696396 A JP 696396A JP H09194293 A JPH09194293 A JP H09194293A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 単結晶を有した金属薄膜を非晶質体表面、あ
るいは多結晶体又はその配向層表面に形成する。 【解決手段】 デュアルイオンビームスパッタリング装
置１を使用して、非晶質体材料であるガラス基板１２の
表面にアルミニウム薄膜１３を形成する。すなわち、ア
シスト用イオンソース４からアシスト用イオンビーム２
１をガラス基板１２の表面に照射してイオンアシストを
しつつ、スパッタリング用イオンソース３からスパッタ
リング用イオンビーム２２をアルミニウムターゲット１
１に照射して発生させたスパッタリング原子をガラス基
板１２の表面に堆積させてアルミニウム薄膜１３を形成
する。
るいは多結晶体又はその配向層表面に形成する。 【解決手段】 デュアルイオンビームスパッタリング装
置１を使用して、非晶質体材料であるガラス基板１２の
表面にアルミニウム薄膜１３を形成する。すなわち、ア
シスト用イオンソース４からアシスト用イオンビーム２
１をガラス基板１２の表面に照射してイオンアシストを
しつつ、スパッタリング用イオンソース３からスパッタ
リング用イオンビーム２２をアルミニウムターゲット１
１に照射して発生させたスパッタリング原子をガラス基
板１２の表面に堆積させてアルミニウム薄膜１３を形成
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属薄膜、例えば
各種電子部品の電極等として利用される金属薄膜及びそ
の形成方法に関する。
各種電子部品の電極等として利用される金属薄膜及びそ
の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、各種コンデンサ、ＬＳＩ、コイ
ル、フィルタ、発振子等が小型化するにつれて、その電
極材料であるアルミニウム等の薄膜に高耐電力性が求め
られている。アルミニウム等の薄膜の耐電力性はその結
晶性に大きく左右される。薄膜材料の結晶性が多結晶あ
るいは非晶質の場合、高電流密度、高応力下では、薄膜
原子が結晶粒界中を拡散移動する現象が生じる。いわゆ
る、エレクトロマイグレーション、ストレスマイグレー
ションと呼ばれる現象である。薄膜原子が粒界中に拡散
すると、薄膜にボイド（空隙）やヒロック（盛り上が
り）が生じ、電極のショート、断線の原因となる。故
に、薄膜の耐電力性（耐エレクトロマイグレーション、
耐ストレスマイグレーション）を向上させるには、原子
の拡散経路である結晶粒界をなくす必要があり、そのた
めには、薄膜を単結晶化する必要がある。
ル、フィルタ、発振子等が小型化するにつれて、その電
極材料であるアルミニウム等の薄膜に高耐電力性が求め
られている。アルミニウム等の薄膜の耐電力性はその結
晶性に大きく左右される。薄膜材料の結晶性が多結晶あ
るいは非晶質の場合、高電流密度、高応力下では、薄膜
原子が結晶粒界中を拡散移動する現象が生じる。いわゆ
る、エレクトロマイグレーション、ストレスマイグレー
ションと呼ばれる現象である。薄膜原子が粒界中に拡散
すると、薄膜にボイド（空隙）やヒロック（盛り上が
り）が生じ、電極のショート、断線の原因となる。故
に、薄膜の耐電力性（耐エレクトロマイグレーション、
耐ストレスマイグレーション）を向上させるには、原子
の拡散経路である結晶粒界をなくす必要があり、そのた
めには、薄膜を単結晶化する必要がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の成膜方
法では、非晶質体表面あるいは多結晶体又はその配向層
表面に単結晶を形成することはできなかった。そこで、
本発明の目的は、非晶質体表面あるいは多結晶体又はそ
の配向層表面に形成され、かつ、膜全体又は部分的に単
結晶を有した金属薄膜及びその形成方法を提供すること
にある。
法では、非晶質体表面あるいは多結晶体又はその配向層
表面に単結晶を形成することはできなかった。そこで、
本発明の目的は、非晶質体表面あるいは多結晶体又はそ
の配向層表面に形成され、かつ、膜全体又は部分的に単
結晶を有した金属薄膜及びその形成方法を提供すること
にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明に係る金属薄膜は、アシスト用イオンビーム
を非晶質体表面あるいは多結晶体又はその配向層表面に
照射しつつ、前記非晶質体表面あるいは多結晶体又はそ
の配向層表面に形成され、かつ膜全体又は部分的に単結
晶を有したことを特徴とする。
め、本発明に係る金属薄膜は、アシスト用イオンビーム
を非晶質体表面あるいは多結晶体又はその配向層表面に
照射しつつ、前記非晶質体表面あるいは多結晶体又はそ
の配向層表面に形成され、かつ膜全体又は部分的に単結
晶を有したことを特徴とする。
【０００５】また、本発明に係る金属薄膜の形成方法
は、アシスト用イオンビームを非晶質体表面あるいは多
結晶体又はその配向層表面に照射しつつ、前記非晶質体
表面あるいは多結晶体又はその配向層表面に膜全体又は
部分的に単結晶を有する金属薄膜を形成することを特徴
とする。ここに、アシスト用イオンビームのイオンとし
ては、ヘリウム又はネオン又はアルゴン又はクリプトン
又はキセノンの少なくともいずれか一種類のイオン、あ
るいはそれらの混合イオンが使用される。薄膜材料とし
ては、アルミニウム又は金又は銀又は銅又は白金又はパ
ラジウム又はチタン又はクロム又はニッケル又はタング
ステン、あるいは前記金属の合金又は前記金属の少なく
とも一種類を主成分とする合金が使用される。
は、アシスト用イオンビームを非晶質体表面あるいは多
結晶体又はその配向層表面に照射しつつ、前記非晶質体
表面あるいは多結晶体又はその配向層表面に膜全体又は
部分的に単結晶を有する金属薄膜を形成することを特徴
とする。ここに、アシスト用イオンビームのイオンとし
ては、ヘリウム又はネオン又はアルゴン又はクリプトン
又はキセノンの少なくともいずれか一種類のイオン、あ
るいはそれらの混合イオンが使用される。薄膜材料とし
ては、アルミニウム又は金又は銀又は銅又は白金又はパ
ラジウム又はチタン又はクロム又はニッケル又はタング
ステン、あるいは前記金属の合金又は前記金属の少なく
とも一種類を主成分とする合金が使用される。
【０００６】
【作用】アシスト用イオンビームを非晶質体表面あるい
は多結晶体又はその配向層表面に照射しつつ、前記非晶
質体表面あるいは多結晶体又はその配向層表面に金属薄
膜を形成することにより、非晶質体表面あるいは多結晶
体又はその配向層表面に膜全体又は部分的に単結晶を有
した金属薄膜が形成される。
は多結晶体又はその配向層表面に照射しつつ、前記非晶
質体表面あるいは多結晶体又はその配向層表面に金属薄
膜を形成することにより、非晶質体表面あるいは多結晶
体又はその配向層表面に膜全体又は部分的に単結晶を有
した金属薄膜が形成される。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る金属薄膜及び
その形成方法の一実施形態について添付図面を参照して
説明する。本実施形態は、ガラス基板上に（１１１）配
向アルミニウム薄膜を形成する場合について説明する。
図１に示すように、薄膜形成装置としては、デュアルイ
オンビームスパッタリング装置１を使用する。このデュ
アルイオンビームスパッタリング装置１は、概略、真空
チャンバ２、真空チャンバ２の内側左寄りに配置された
スパッタリング用イオンソース３及びアシスト用イオン
ソース４、真空チャンバ２の内側右寄りに配置されたバ
ッキングプレート５及びこのバッキングプレート５を臨
む基板支持台６、真空チャンバ２の右側部の排気口２ａ
に連結した真空ポンプ（図示せず）にて構成されてい
る。
その形成方法の一実施形態について添付図面を参照して
説明する。本実施形態は、ガラス基板上に（１１１）配
向アルミニウム薄膜を形成する場合について説明する。
図１に示すように、薄膜形成装置としては、デュアルイ
オンビームスパッタリング装置１を使用する。このデュ
アルイオンビームスパッタリング装置１は、概略、真空
チャンバ２、真空チャンバ２の内側左寄りに配置された
スパッタリング用イオンソース３及びアシスト用イオン
ソース４、真空チャンバ２の内側右寄りに配置されたバ
ッキングプレート５及びこのバッキングプレート５を臨
む基板支持台６、真空チャンバ２の右側部の排気口２ａ
に連結した真空ポンプ（図示せず）にて構成されてい
る。
【０００８】このスパッタリング装置１を用いて薄膜を
形成する。スパッタリングターゲット材料であるアルミ
ニウムターゲット１１は、バッキングプレート５の表面
にインジウム等のろう材を用いて固定される。非晶質体
材料であるガラス基板１２は、基板支持台６の表面に固
定される。次に、真空ポンプによって真空チャンバ２内
の空気を排気口２ａから真空引きして、真空チャンバ２
内を０．１Ｐａ以下にするのが好ましい。真空度が０．
１Ｐａを越えると、形成された薄膜中にＨ2Ｏ等の残留
ガスが取り込まれるからである。本実施例では、真空チ
ャンバ２内を９．５×１０-3Ｐａに維持した。
形成する。スパッタリングターゲット材料であるアルミ
ニウムターゲット１１は、バッキングプレート５の表面
にインジウム等のろう材を用いて固定される。非晶質体
材料であるガラス基板１２は、基板支持台６の表面に固
定される。次に、真空ポンプによって真空チャンバ２内
の空気を排気口２ａから真空引きして、真空チャンバ２
内を０．１Ｐａ以下にするのが好ましい。真空度が０．
１Ｐａを越えると、形成された薄膜中にＨ2Ｏ等の残留
ガスが取り込まれるからである。本実施例では、真空チ
ャンバ２内を９．５×１０-3Ｐａに維持した。
【０００９】アシスト用イオンソース４からアルゴンの
アシスト用イオンビーム２１をガラス基板１２の表面に
照射し、いわゆるイオンアシストを行なう。このイオン
アシストは成膜終了まで行なわれる。イオンビーム２１
のエネルギーは１００〜１ＫｅＶが好ましい。エネルギ
ーが１００ｅＶ未満になると薄膜原子に充分なエネルギ
ーを与えられなくなり、１ＫｅＶを越えるとエネルギー
が強過ぎて薄膜表面を逆にスパッタしてガラス基板１２
の表面に堆積したばかりの薄膜原子を飛散させて膜が成
長しなくなるからである。
アシスト用イオンビーム２１をガラス基板１２の表面に
照射し、いわゆるイオンアシストを行なう。このイオン
アシストは成膜終了まで行なわれる。イオンビーム２１
のエネルギーは１００〜１ＫｅＶが好ましい。エネルギ
ーが１００ｅＶ未満になると薄膜原子に充分なエネルギ
ーを与えられなくなり、１ＫｅＶを越えるとエネルギー
が強過ぎて薄膜表面を逆にスパッタしてガラス基板１２
の表面に堆積したばかりの薄膜原子を飛散させて膜が成
長しなくなるからである。
【００１０】また、イオンビーム２１の電流密度は０．
０１〜２０ｍＡ／ｃｍ2が好ましい。０．０１Ａ／ｃｍ2
未満になると薄膜原子に充分なエネルギーを与えられな
くなり、２０ｍＡ／ｃｍ2を越えると電流密度が強過ぎ
て薄膜表面を逆にスパッタして堆積したばかりの薄膜原
子を飛散させて膜が成長しなるからである。さらに、イ
オンビーム２１がガラス基板１２に入射する角度は、ガ
ラス基板１２の法線に対して０゜〜４５゜に設定するの
が好ましい。この入射角度から外れると、薄膜原子に対
して効率良くエネルギーを与えることが困難になるから
である。
０１〜２０ｍＡ／ｃｍ2が好ましい。０．０１Ａ／ｃｍ2
未満になると薄膜原子に充分なエネルギーを与えられな
くなり、２０ｍＡ／ｃｍ2を越えると電流密度が強過ぎ
て薄膜表面を逆にスパッタして堆積したばかりの薄膜原
子を飛散させて膜が成長しなるからである。さらに、イ
オンビーム２１がガラス基板１２に入射する角度は、ガ
ラス基板１２の法線に対して０゜〜４５゜に設定するの
が好ましい。この入射角度から外れると、薄膜原子に対
して効率良くエネルギーを与えることが困難になるから
である。
【００１１】次に、スパッタリング用イオンソース３か
らアルゴンのスパッタリング用イオンビーム２２をアル
ミニウムターゲット１１に照射する。アルゴンイオンが
アルミニウムターゲット１１に衝突し、アルミニウムタ
ーゲット１１の一部原子２３を飛散させる。飛散したア
ルミニウムターゲット１１の一部原子２３はガラス基板
１２の表面に到達し、ガラス基板１２の表面に堆積して
アルミニウム薄膜１３を形成する。成膜速度は０．００
１ｎｍ／秒以上にするのが好ましい。０．００１ｎｍ／
秒未満であると、薄膜原子が凝集して結晶粒成長するか
らである。本実施例の場合、成膜速度は０．０６ｎｍ／
秒、成膜温度は２５℃であった。アルミニウム薄膜１３
の形成初期段階では、ガラス基板１２が非晶質性材料で
あるため、その影響を受けて薄膜１３は単結晶の原子構
造を有さない。しかし、膜が成長して原子層が数層形成
される段階になると、ガラス基板１２の影響はなくな
り、薄膜１３は単結晶の原子構造を有するようになる。
薄膜形成後、表面にアルミニウム薄膜１３を形成された
ガラス基板１２を真空チャンバ２から取り出すと、図２
に示すように、空気雰囲気に触れたアルミニウム薄膜１
３の表面に酸化層１３ａが形成される。
らアルゴンのスパッタリング用イオンビーム２２をアル
ミニウムターゲット１１に照射する。アルゴンイオンが
アルミニウムターゲット１１に衝突し、アルミニウムタ
ーゲット１１の一部原子２３を飛散させる。飛散したア
ルミニウムターゲット１１の一部原子２３はガラス基板
１２の表面に到達し、ガラス基板１２の表面に堆積して
アルミニウム薄膜１３を形成する。成膜速度は０．００
１ｎｍ／秒以上にするのが好ましい。０．００１ｎｍ／
秒未満であると、薄膜原子が凝集して結晶粒成長するか
らである。本実施例の場合、成膜速度は０．０６ｎｍ／
秒、成膜温度は２５℃であった。アルミニウム薄膜１３
の形成初期段階では、ガラス基板１２が非晶質性材料で
あるため、その影響を受けて薄膜１３は単結晶の原子構
造を有さない。しかし、膜が成長して原子層が数層形成
される段階になると、ガラス基板１２の影響はなくな
り、薄膜１３は単結晶の原子構造を有するようになる。
薄膜形成後、表面にアルミニウム薄膜１３を形成された
ガラス基板１２を真空チャンバ２から取り出すと、図２
に示すように、空気雰囲気に触れたアルミニウム薄膜１
３の表面に酸化層１３ａが形成される。
【００１２】こうして得られたアルミニウム薄膜１３を
ＲＨＥＥＤ法により評価すると、薄膜１３が単結晶を有
していることが確認できた。従って、このアルミニウム
薄膜１３は高電流密度、高応力下での原子の粒界拡散を
防止することができ、電極として利用すると、高い信頼
性が得られる。例えば、アルミニウム薄膜が多結晶であ
る場合と比較すると、耐電力性が約１００倍向上する。
ＲＨＥＥＤ法により評価すると、薄膜１３が単結晶を有
していることが確認できた。従って、このアルミニウム
薄膜１３は高電流密度、高応力下での原子の粒界拡散を
防止することができ、電極として利用すると、高い信頼
性が得られる。例えば、アルミニウム薄膜が多結晶であ
る場合と比較すると、耐電力性が約１００倍向上する。
【００１３】また、このアルミニウム薄膜１３は結晶欠
陥も少なく、耐腐食性にも優れている（腐食数は、アル
ミニウム薄膜が多結晶である場合と比較して約１／１０
に減少している）ので、電極以外の用途、例えば鏡等の
装飾品用薄膜材料としても有効である。また、塩素雰囲
気（海岸、海中等）で使用される薄膜材料としても有効
である。
陥も少なく、耐腐食性にも優れている（腐食数は、アル
ミニウム薄膜が多結晶である場合と比較して約１／１０
に減少している）ので、電極以外の用途、例えば鏡等の
装飾品用薄膜材料としても有効である。また、塩素雰囲
気（海岸、海中等）で使用される薄膜材料としても有効
である。
【００１４】なお、本発明に係る金属薄膜及びその形成
方法は前記実施形態に限定するものではなく、その要旨
の範囲内で種々に変更することができる。アシスト用イ
オンビームのイオンとしては、アルゴンイオン以外に、
ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノンの少なくとも
いずれか一種類のイオン、あるいはそれらの混合イオン
を使用してもよい。また、薄膜材料としては、アルミニ
ウム以外に、金、銀、銅、白金、パラジウム、チタン、
クロム、ニッケル、タングステン、あるいはこれら金属
の合金又はこれら金属の少なくとも一種類を主成分とす
る合金を使用してもよい。その場合の成膜条件は、薄膜
材料と非晶質体、あるいは、多結晶体又はその配向層と
薄膜材料の組み合わせに依存する。
方法は前記実施形態に限定するものではなく、その要旨
の範囲内で種々に変更することができる。アシスト用イ
オンビームのイオンとしては、アルゴンイオン以外に、
ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノンの少なくとも
いずれか一種類のイオン、あるいはそれらの混合イオン
を使用してもよい。また、薄膜材料としては、アルミニ
ウム以外に、金、銀、銅、白金、パラジウム、チタン、
クロム、ニッケル、タングステン、あるいはこれら金属
の合金又はこれら金属の少なくとも一種類を主成分とす
る合金を使用してもよい。その場合の成膜条件は、薄膜
材料と非晶質体、あるいは、多結晶体又はその配向層と
薄膜材料の組み合わせに依存する。
【００１５】また、前記実施形態はガラス基板上に（１
１１）配向アルミニウム薄膜を形成する場合について説
明したが、薄膜の配向方向は任意であり、例えば（２０
０）配向アルミニウム薄膜であってもよい。さらに、被
成膜物は基板であってもよいし、薄膜であってもよい。
また、被成膜物は全体が非晶質でなくとも、成膜表面層
のみが非晶質であればよい。成膜方法としては、スパッ
タリング法以外に、蒸着法、化学気相成長法、分子線エ
ピタキシー法、レーザアブレーション法等であってもよ
い。非晶質体としては、ガラス基板以外に、窒化ホウ酸
基板等が用いられる。また、金属薄膜は膜全体が単結晶
である必要はなく、部分的に単結晶であればよい。
１１）配向アルミニウム薄膜を形成する場合について説
明したが、薄膜の配向方向は任意であり、例えば（２０
０）配向アルミニウム薄膜であってもよい。さらに、被
成膜物は基板であってもよいし、薄膜であってもよい。
また、被成膜物は全体が非晶質でなくとも、成膜表面層
のみが非晶質であればよい。成膜方法としては、スパッ
タリング法以外に、蒸着法、化学気相成長法、分子線エ
ピタキシー法、レーザアブレーション法等であってもよ
い。非晶質体としては、ガラス基板以外に、窒化ホウ酸
基板等が用いられる。また、金属薄膜は膜全体が単結晶
である必要はなく、部分的に単結晶であればよい。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、アシスト用イオンビームを非晶質体表面あるい
は多結晶体又はその配向層表面に照射しつつ、非晶質体
表面あるいは多結晶体又はその配向層表面に金属薄膜を
形成するので、非晶質体表面あるいは多結晶体又はその
配向層表面に、膜全体又は部分的に単結晶を有した金属
薄膜を形成することができる。この金属薄膜は単結晶を
有しているので、高電流密度下、あるいは高応力下での
原子の粒界拡散を抑えることができ、しかも結晶欠陥が
少なく、耐腐食性にも優れている。この結果、この金属
薄膜を電極として利用した場合、信頼性の高い電極とな
る。
よれば、アシスト用イオンビームを非晶質体表面あるい
は多結晶体又はその配向層表面に照射しつつ、非晶質体
表面あるいは多結晶体又はその配向層表面に金属薄膜を
形成するので、非晶質体表面あるいは多結晶体又はその
配向層表面に、膜全体又は部分的に単結晶を有した金属
薄膜を形成することができる。この金属薄膜は単結晶を
有しているので、高電流密度下、あるいは高応力下での
原子の粒界拡散を抑えることができ、しかも結晶欠陥が
少なく、耐腐食性にも優れている。この結果、この金属
薄膜を電極として利用した場合、信頼性の高い電極とな
る。
【図１】本発明に係る金属薄膜及びその形成方法の一実
施形態を示す、金属薄膜形成装置の概略構成図。
施形態を示す、金属薄膜形成装置の概略構成図。
【図２】非晶質体表面に形成された単結晶を有した金属
薄膜の断面図。
薄膜の断面図。
１…デュアルイオンビームスパッタリング装置 ３…スパッタリング用イオンソース ４…アシスト用イオンソース １１…アルミニウムターゲット １２…ガラス基板（非晶質体） １３…アルミニウム薄膜（単結晶を有する薄膜） ２１…アシスト用イオンビーム ２２…スパッタリング用イオンビーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉野 幸夫 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (4)
- 【請求項１】 アシスト用イオンビームを非晶質体表面
あるいは多結晶体又はその配向層表面に照射しつつ、前
記非晶質体表面あるいは多結晶体又はその配向層表面に
形成され、かつ膜全体又は部分的に単結晶を有したこと
を特徴とする金属薄膜。 - 【請求項２】 アシスト用イオンビームを非晶質体表面
あるいは多結晶体又はその配向層表面に照射しつつ、前
記非晶質体表面あるいは多結晶体又はその配向層表面に
膜全体又は部分的に単結晶を有する金属薄膜を形成する
ことを特徴とする金属薄膜形成方法。 - 【請求項３】 アシスト用イオンビームのイオンとし
て、ヘリウム又はネオン又はアルゴン又はクリプトン又
はキセノンの少なくともいずれか一種類のイオン、ある
いはそれらの混合イオンが使用されていることを特徴と
する請求項２記載の金属薄膜形成方法。 - 【請求項４】 金属薄膜がアルミニウム又は金又は銀又
は銅又は白金又はパラジウム又はチタン又はクロム又は
ニッケル又はタングステン、あるいは前記金属の合金又
は前記金属の少なくとも一種類を主成分とする合金から
なることを特徴とする請求項２記載の金属薄膜成形方
法。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8006963A JPH09194293A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 金属薄膜及びその形成方法 |
| EP97100736A EP0785299A1 (en) | 1996-01-19 | 1997-01-17 | Metallic thin film and method of manufacturing the same, and surface acoustic wave device using the metallic thin film and the method thereof |
| TW086100536A TW330341B (en) | 1996-01-19 | 1997-01-17 | Metallic thin film and method of manufacturing the same and surface acoustic wave device using the metallic thin film and the same thereof |
| NO970220A NO970220L (no) | 1996-01-19 | 1997-01-17 | Transduktor med tynnfilmsjikt av metall, for akustiske overflatebölger |
| KR1019970001450A KR100249935B1 (ko) | 1996-01-19 | 1997-01-20 | 금속박막의제조방법및금속박막을사용하는탄성표면파장치의형성방법 |
| CA002195486A CA2195486C (en) | 1996-01-19 | 1997-01-20 | Metallic thin film and method of manufacturing the same, and surface acoustic wave device using the metallic thin film and the method thereof |
| US08/786,410 US6033471A (en) | 1996-01-19 | 1997-01-21 | Metallic thin flim and method of manufacturing the same, and surface acoustic wave device using the metallic thin film and the method thereof |
| US09/481,182 US6229250B1 (en) | 1996-01-19 | 2000-01-12 | Metallic thin film and method of manufacturing the same, and surface acoustic wave device using the method thereof |
| CN01104546A CN1317875A (zh) | 1996-01-19 | 2001-02-13 | 薄膜电极及利用其制造的表面声波器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8006963A JPH09194293A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 金属薄膜及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09194293A true JPH09194293A (ja) | 1997-07-29 |
Family
ID=11652873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8006963A Pending JPH09194293A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 金属薄膜及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09194293A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030012797A (ko) * | 2001-08-01 | 2003-02-12 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 다결정 구조막 및 그 제조 방법 |
-
1996
- 1996-01-19 JP JP8006963A patent/JPH09194293A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030012797A (ko) * | 2001-08-01 | 2003-02-12 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 다결정 구조막 및 그 제조 방법 |
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