JPH09192598A - 透明塗布物におけるヘーズの減少 - Google Patents

透明塗布物におけるヘーズの減少

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JPH09192598A
JPH09192598A JP9000376A JP37697A JPH09192598A JP H09192598 A JPH09192598 A JP H09192598A JP 9000376 A JP9000376 A JP 9000376A JP 37697 A JP37697 A JP 37697A JP H09192598 A JPH09192598 A JP H09192598A
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George A Neuman
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 透明物品の表面ヘーズを減少する。 【解決手段】 基体の粗表面に起因する表面ヘーズを、
粗い表面を平滑にするに十分な厚さの平滑表面塗布物で
粗表面を塗布することによって減少する。特に、ガラス
表面上に堆積されたフッ素ドープされた酸化錫の熱分解
塗布物は、通常塗布厚の５〜２５％に等しいピーク〜谷
間の平均距離を有し、これは目視で塗布ガラスに表面ヘ
ーズの外観を結果として与える。酸化錫塗布物のピーク
と谷間の間の距離、例えば約１００〜２０００Å、より
大きい厚さを有するシリカ塗布フィルムが酸化錫塗布物
の上に堆積されて表面ヘーズを減少する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は粗い表面から生ずる
表面ヘーズを最小にする又は除去する方法、及びこれに
より作られた物品に関するものであり、更に特に、例え
あるとしても最小の表面ヘーズを有する太陽光をコント
ロールする塗布物を有するガラス基体、及びその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在有用な塗布技術は、表面ヘーズを有
する塗布物に結果として帰着する。例えば、太陽光コン
トロール塗布物のガラス基体への適用は低放射率酸化錫
塗布物を含むものであって、これは非酸化性大気下で溶
融金属バス上に支持されている間にガラス基体表面上に
堆積される。米国特許第３，６７７，８１４号；同第
３，７５９，７４３号；及び同第４，８５７，３６１号
において、一般にヘーズは塩化ナトリウムの形成から起
こる塗布物中の穴又は小孔から生ずるものであると開示
している。米国特許はこのようなヘーズを少なく或いは
除去する種々の方法を開示しており、これはプレカーサ
ーから塩素を除去して塩化ナトリウムの生成を最小に又
は除去する方法を含む。
【０００３】米国特許第４，３２９，３７９号；同第
４，１８７，３３６号；同第４，５４７，４００号；及
び同第４，６００，６５４号は、同様に一般に小孔又は
穴は塩化ナトリウムの形成の結果であることを開示して
おり、そして酸化錫塗布物の堆積の前にガラス表面上に
障壁塗布物を堆積させることを開示している。障壁塗布
物はガラスから塗布物へのナトリウムの移動を遮断し塩
化ナトリウムの生成を防ぎ、これにより小孔又は穴に起
因するヘーズを減少している。更に、米国特許第４，３
２９，３７９号、及び同第４，６００，６５４号は、一
般に、ヘーズは表面の不規則性から生ずるものであり、
酸化錫塗布物の表面を変える方法を開示している。塗布
物は酸化錫塗布物の下に下塗り層を設けることにより改
良され、酸化錫塗布物中に好ましい順応性を形成して表
面の不規則性や塗布物中の粗さを減少させ、表面ヘーズ
を除去出来ないとしても最小にするとしている。
【０００４】ＷＯ ９２／１７４１２号は、粗い表面の
屈折率に殆ど一致する透明なガラスの薄い層で粗い表面
を塗布することによってヘーズを除去する技術を教示し
ている。ガラスの薄い層はガラスが流れるまで加熱さ
れ、塗布物上に滑らかな表面を形成する。ＷＯ ９２／
１７４１２号に開示された技術は滑らかな表面を与える
けれども、欠点を有している。更に、特にガラスの層が
溶融する温度に基体を加熱することは、特に基体がプラ
スチックの場合には、塗布物に及び/ 又は基体に損傷を
与える結果をもたらす。
【０００５】ヘーズを最小にする又は除去するために現
在用いられている技術は、上記の諸点に加えて幾つかの
限定がある。特に、プレカーサーから塩素を除去するこ
とによってヘーズを減少させる技術は塗布に用いる有用
なプレカーサーが限定され、そして障壁表面を設けるこ
とによってヘーズを減少させる技術は塗布物中の小孔や
穴のみであって、塗布物表面の不規則性については処理
していない。
【０００６】良く認識することができるように、現在用
いられている技術の欠点や限定を有すること無く、小孔
や穴、及び／又は表面不規則性によって生ずるヘーズを
減少或いは除去する新しい技術を提供することが特に有
利である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、物品を目視
した場合、たとえあるとしても最小の表面ヘーズを有す
る物品に関する。物品は主要表面を有する基体、あるレ
ベルの表面ヘーズを有する主要表面を含む。本発明の一
つの態様において、基体は酸化錫塗布層を有するガラス
片であり、酸化錫層は基体の主要表面である。塗布層は
平均で塗布されたガラスを目視した場合表面ヘーズを生
ずる塗布厚の約５〜２５パーセントに等しいピークと谷
間の距離を有している。本発明は基体の主要表面上の塗
布フィルムを熟視するものであり、塗布フィルムは基体
の主要表面より滑らかな表面を有している。更に特に、
塗布フィルムの谷間とピークの高さと深さは、基体の主
要表面の谷間とピークの高さと深さより小さい。本発明
の一つの態様において、１００〜２０００オングストロ
ームの厚さを有するシリカ塗布フィルムが酸化錫塗布層
上に堆積されて、最小の表面ヘーズを有する物品を与え
る。
【０００８】本発明はまた、物品例えば上記のタイプの
物品の表面ヘーズを減少させる方法に関するものであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】以下の記載において、発
明は熱分解性低輻射能塗布物と共に議論されるが、認識
されるように、発明は任意の方法、例えばスパッターコ
ーティング、フローコーティング、スプレーコーティン
グ、等の任意の方法で適用された塗布物の表面ヘーズ
を、除去されないとしても最小にするよう実施すること
ができる。更に、基体上の塗布物は低輻射能塗布物であ
ることができ、例えば０．５又はいかなる他のタイプの
塗布物より低い輻射能を持つものである。更に尚、基体
は例えば金属製の不透明材料、又は例えばガラス、着色
ガラス製の透明材料、又はプラスチック材料、その他で
あることができる。更になお、発明は未塗布の基体、例
えばガラス、金属又はプラスチックその他から作られた
基体の反射表面の表面ヘーズを除去するよう実施するこ
とができる。
【００１０】本発明の実施において表面ヘーズを有する
物品は、原子的なスケールで粗の外表面を有しており、
例えば谷間、ボイド、及びピークであり、これらは塗布
物又は未塗布物品の表面に広げられて粗い表面を結果と
して生ずる。更に特に、塗布物や物品表面のボイド或い
は谷間が深ければ深いほど、そしてピークが高ければ高
いほどヘーズはより激しく、その逆もまた同様である。
熱分解的に適用された酸化錫の低輻射能塗布フィルム又
は層においては、塗布物の総厚の約5 〜約25パーセント
の深さを有するボイドや谷間は、顕著な表面ヘーズを作
ると期待される。塗布物及び/ 又は物品の粗表面を通過
そして/ 又は反射した光線は光線を散乱しその結果とし
て表面ヘーズを生ずる。観察される像がしばしば不鮮明
或いは"かすんだ" ように見えるので、表面ヘーズ又は
ヘーズなる用語が用いられるけれども、ここに用いられ
る" かすんだ" の用語は同様に、反射した及び/ 又は透
過した光線の散乱による光強度の消失を含むものであ
る。この概念は以下において更に詳細に議論される。ヘ
ーズは窓ガラスのような視覚的透明性が要求される多く
の応用、そして光損失を最小に保たなければならない光
学的な応用面において望ましくない。
【００１１】議論を簡単にするため、光の反射及び／又
は透過は、スペキュラー（specular) とディフューズ(d
iffuse) の二つのタイプに分類される。スペキュラー反
射においては、反射した光線の角度は入射光線の角度に
等しい。ディフューズ反射における反射光線の角度は入
射光の角度とは異なる。かくて、スペキュラー反射は平
滑反射塗布物、又は平滑表面を有する金属のような不透
明基体に通常見られる。スペキュラー透過において、透
過された光はスネルの法則(Snell's law) に従い、ディ
フューズ伝達では伝達された光はスネルの法則に従わな
い。
【００１２】以下の議論、及びここに示す図面を引用し
て、上記の議論を更に展開する。図１を参照すると、矢
印の線２１で示される方向に移動する光線２０は境界面
２４の２２において入射し、境界２４を通過しそして矢
印の線２７で示される方向に移動して透過光線２６とし
て出てゆく。次の式１はスネルの法則である。
【式１】Sin Φi X ni ＝ Sin Φt X nt （図１に示すΦi は境界面２４に垂直の線から測定した
光線２０の入射角、図１に示す ni は光線２０が境界２
４の２２に突き当たる直前に進む媒体の屈折率、図１に
示すΦt は境界面２４に垂直の線から測定した境界２４
を出る時の透過光線２６の角度、そして図１に示す nt
は透過光線２６が境界２４を出た直後に進む媒体の屈折
率)
【００１３】図２を参照すると、光線２０及び光線２
８、３０及び３２はお互いに平行で、そして平滑な境界
２４を通過する。矢印の線２７の方向に境界２４から離
れて移動する透過光線２６及び透過光３４、３６及び３
８は、光線が通過する媒体中で互いに平行であり、そし
て観察される像は明瞭で、言い換えれば歪められず、か
すんでいない。更に、矢印の線３５の方向に進む反射光
線２７、２９、３１、及び３３は、平行であり明瞭な反
射像を形成する。
【００１４】当業者らによって認識されているように、
平行光線は光を視凖する時に実現されるけれども、光が
視準されない場合光線は互いに平行ではない。議論を簡
単にするため、複数の光線は互いに平行であると考えら
れるけれども、スペキュラー表面から反射又は通過する
場合、平行ではない光線が空間的な関係を持続するの
で、議論は平行ではない光線を含むことが理解される。
【００１５】図３を参照すると、光線２０、２８、３
０、及び３２は、粗い即ち平滑ではない境界４０で入射
することを示している。矢印２７の方向に移動する透過
光線２６、３４、３６、及び３８は互いに平行ではな
く、そしてこの事例では観察される像は歪んでおり例え
ば、はっきりしていない。更に、反射光線２７、２９、
３１、及び３３は平行ではなくその結果としてはっきり
しない反写像を生ずる。
【００１６】図４を参照すると、光線２０は透過光２６
として境界４０の部分４２を通過し、そして光線２８は
透過光３４として境界４０の部分４４を通過する。境界
４０の部分４２と４４は角度αによって相殺されてい
る。光線２０と境界部分４２に垂直な線４６に対する角
度Φi は、光線２８と境界部分４４＋角度αに垂直な線
４８で作られる角度Φi2に等しい。図４において、光線
２０と２８は互いに平行でありそして透過光２６と３４
は粗い境界４０のために互いに平行ではない。しかしな
がら、光線２０と２８が通過する媒体が透過光線２６と
３４が通過する媒体と同一の屈折率を有し、そして光線
２０と２８が平行である時、たとえ境界4０の４２と４
４の部分が互いに角度αによって相殺されているとして
も即ち境界４０が粗くとも、透過光２６と３４は互いに
平行となる。
【００１７】ここで認識できるように、そして続いて図
４を参照して、光線２０と２８が互いに平行でそして同
一の屈折率を有する媒体を通過し、そして透過光２６と
３４が光線２０と２８が通過する媒体とは異なる屈折率
を有する媒体を通過する時、透過光２６と３４は互いに
平行でなく、表面ヘーズを生ずる。透過光２６と３４の
平行線からの相違角度は、点線４９で示されるように、
部分４２を延長することによって決められ、点線４９と
境界４０の部分４２は同一の平面上にあり、そして互い
にオーバーラップするか又は互いに平行である。点線50
は点線４９に対し垂直に描かれている。点線５０と透過
光３４との間の角度は角度Φt3を形成する。透過光３４
と平行線との角度の相違は、Φt3−Φt の角度である。
ここで分かるとおり、図４の議論は光線２０と２８、及
び透過光線２６と３４のみを議論を分かり易くするため
考慮したけれども、議論は光線及び/ 又は透過光の数に
は限定されない。
【００１８】媒体 ni を通過して入射する平行光線が、
媒体 nt を通過するときの透過光線の平行光線との平均
相違角度( 以降 DA と引用する) は、以下の関係から決
定することができる。 DA は、｛ ASIN [SIN (Φi - α
a ) n i /nt ] + αa ｝ - ASIN [SIN (Φi )ni /nt ]
に等しい。
【００１９】上記関係中の”αa ”の名称は、平均小面
角度であり、光線が通過する境界４０の部分４２と４４
との間の差引である( 図４参照）。もし平均小面角度が
ゼロなら、即ち平滑面であるなら、差引はゼロである。
平均小面角度（αa ）が増加する時、平行からの平均相
違角度（DA )は増加する。前記の点から、当業者らにと
って、表面の粗さを除去することが、表面ヘーズを除去
するということがここに認識される。多結晶物質のよう
な多くの応用において、粗表面が本質的なものである。
平行線からの平均相違角度(DA)( 以降同様に偏差として
引用する) は、同様に屈折率に関係する。もし屈折率の
間の差異が減少するなら、そのとき偏差は同様に減少
し、 ni = nt の場合偏差なしが実現される。
【００２０】二重窓への応用において、入射媒体（
ni ) は通常気体であり、ガラスシートと窓枠ユニット
の間は例えば、大気、又はアルゴン、窒素、または酸素
である。明らかにヘーズを減少するように入射媒体を変
更することは実際的ではなく、そして更に媒体が大気で
ある時明らかに実際的ではないので、本発明は入射媒体
と粗い表面の間にフィルムを置くことを熟考したのであ
る。発明を実施するに当たり、フィルムは粗表面の屈折
率により近い屈折率を持つことが好ましく、表面ヘーズ
を減少させる偏差を減少する。先に述べた通り、粗表面
は基体の表面、又は基体例えばガラス片に適用された層
の表面であることができる。
【００２１】好ましくは本発明のフィルムは粗表面を有
してはいないけれども、下にある表面のそれより小さい
粗さを有するフィルム、即ち下に在る表面の谷間とピー
クの深さと高さよりも小さい深さと高さを持つ谷間とピ
ークを有するフィルムが、本発明の実施に容認でき、表
面ヘーズを減少させる。
【００２２】図５を参照すると、表面ヘーズを減少させ
るため、境界４０上に発明の態様を具体化する屈折率 n
f を有するフィルム６０が示されている。境界４０の元
の粗さの模様を作ったり、或いは増幅することを避ける
ため、フィルム６０はアモルファスであることが好まし
い。発明の実施におけるフィルム６０は、得られたトッ
プ表面６２が境界面４０より小さい粗度を有している限
り、結晶性、多結晶性またはアモルファスであることが
できる。
【００２３】境界面４０上にフィルム６０を適用する際
に、偏差角度(DA)に関する上記の議論において、偏差を
決定するため ni は nf に置き換えられる。 nf = nt
である事例においては、偏差はゼロであり、表面ヘーズ
がたとえあるとしても最小である。 nf が nt に等しく
ない場合、偏差角度(DA)に関する上記の関係を用いて偏
差を決定される。
【００２４】表面ヘーズ減少フィルム６０の厚さは、本
発明を限定するものではないが、好ましくは粗表面にお
ける谷間を満たすに十分であり、そして付加的な厚さは
粗表面を完全に覆うものである。本発明を限定するもの
ではないけれども、最小の表面ヘーズ減少フィルムの厚
さは、粗表面のボイドや谷間を埋めるために必要な厚さ
である。幾つかの事例で認識できるように、最小の厚さ
は完全に表面粗さを消失させるには不十分である。図６
を参照すると、境界４０の粗表面のピークと谷間におけ
る鋭角の形状は、初めは表面ヘーズ減少フィルム６０に
よって丸くされ、そして表面粗さは元の表面粗さより少
なくなる。ヘーズ減少フィルム６０の厚さを増加させる
と、図７に示すように粗さは消失する。図７において、
本発明の開示に従って作られた物品６２の断面図を示
す。物品６２は、その表面６６に、例えば熱分解的に適
用された酸化錫フィルム層６８を有するガラス片６４を
含んでいる。層６８は境界面４０を有している。境界面
４０に表面ヘーズ減少フィルム６０が適用され、これは
境界面４０の粗い面又は層６８の表面を平滑にするに十
分な厚さを有している。
【００２５】本発明の実施に当たり、粗さを消失させる
好ましい厚さは、ヘーズ減少フィルム６０に選択された
材料及び堆積方法に依存する。例えば、もしヘーズ減少
フィルム６０が粗表面即ち層６８の粗表面のパターンに
従うなら、最小のヘーズ減少が実現される。もしヘーズ
減少フィルムが粗い表面即ち層６８の表面を徐々に平滑
にするならば、より厚いフィルム６０が好ましい。基体
が動いている例えばフロートガラスリボンのような例に
おいては、フィルム６０は層６８の表面を急速に平滑化
することが最も好ましい。十分な表面ヘーズの減少は、
ヘーズ減少フィルム６０が、粗表面の例えば層６０の表
面のピークと谷間の間の平均的な差の、１〜３倍の厚さ
を有する時一般に起こり、そして完全なヘーズの減少
は、ヘーズ減少フィルム６０がその差の３〜１０倍の厚
さを持っている時、一般に起こると信じられている。
【００２６】最適のヘーズの減少は、ヘーズ減少フィル
ム６０の屈折率が境界面４０で層６８の屈折率に匹敵す
るとき、及びヘーズ減少フィルム６０が境界面で、例え
ば図７の境界面７０で、入射媒体と平滑な表面を有して
いるとき実現される。認識できるように、層６８が等級
を付けられた指標、例えば二種又はそれ以上の酸化物の
組み合わせを持っている場合、境界４０での層６８の屈
折率は層６８の平均屈折率とは異なってくる。最適のヘ
ーズの減少は、ヘーズ減少フィルムの屈折率が粗表面を
有する物質の屈折率より著しく異なる場合ですら発生す
る。例えば、シリカ( 約１．４５の屈折率) と酸化錫(
約２．０の屈折率) の間の屈折率の差は、約０．５５で
ある。偏差角度(DA)に対する上記の結果から、偏差はヘ
ーズ減少フィルムがシリカでそして粗表面が酸化錫表面
である場合、約４４％まで減少される。言い変えれば、
そして平均偏差角度(DA)に対する関係を参考にし、屈折
率以外の全ての変数を一定にすると、空気の媒体中にお
ける酸化錫の偏差角度は約１０であり、そして屈折率以
外の変数を全て一定に保つと、シリコンフィルムをその
上に有する酸化錫層に対する偏差角は、５．６である。
表面ヘーズの減少は約４４％（（１０−５．６）／１０
＝０．４４）である。表面ヘーズの減少は同様に光線２
０、２８、３０、及び３２の入射角に影響される。表１
を参照、表上の左から右に、光線の入射角度（入射角度
として示す）；ヘーズ減少フィルムの屈折率（ nf とし
て示す) ；基体の主要表面での屈折率（ nt として示
す）；基体の主要表面の平均小面角度（DAとして示す)
；粗境界面上のヘーズ減少フィルムに入射する光線の
偏差角(DA) ( Af として示す）；粗境界面上に入射する
光線の偏差角 (DA）（ AR として示す) ；上記議論の通
り決定された偏差減少パーセント（ヘーズの減少として
示す) を記載する。
【００２７】
【表１】 表 １ 入射角 ＤＡ Ａf ＡR ヘーズ （度） ｎf ｎt ( 度） (度) (度) 減少率 0 1.45 2 20 5.64 10 44% 0 1.5 2 20 5.14 10 49% 0 1.55 2 20 4.63 10 54% 0 1.6 2 20 4.12 10 59% 0 1.65 2 20 3.61 10 64% 0 1.7 2 20 3.10 10 69% 0 1.75 2 20 2.59 10 75% 0 1.8 2 20 2.07 10 80% 0 1.85 2 20 1.56 10 85% 0 1.9 2 20 1.04 10 90% 0 1.95 2 20 0.52 10 95% 0 2 2 20 0.00 10 100% 0 2.05 2 20 0.52 10 95% 0 2.1 2 20 1.05 10 90% 0 2.15 2 20 1.57 10 85% 0 2.2 2 20 2.10 10 79% 0 2.25 2 20 2.63 10 74% 0 2.3 2 20 3.16 10 69% 0 2.35 2 20 3.70 10 64% 0 2.4 2 20 4.23 10 58% 0 2.45 2 20 4.77 10 53% 0 2.5 2 20 5.31 10 48%
【表２】 表 １ （続き） 入射角 ＤＡ Ａf ＡR ヘーズ （度） ｎf ｎt ( 度） (度) (度) 減少率 45 1.45 2 20 7.00 11 39% 45 1.5 2 20 6.45 11 44% 45 1.55 2 20 5.89 11 49% 45 1.6 2 20 5.31 11 54% 45 1.65 2 20 4.72 11 59% 45 1.7 2 20 4.11 11 64% 45 1.75 2 20 3.48 11 70% 45 1.8 2 20 2.83 11 75% 45 1.85 2 20 2.16 11 81% 45 1.9 2 20 1.47 11 87% 45 1.95 2 20 0.75 11 93% 45 2 2 20 0.00 11 100% 45 2.05 2 20 0.78 11 93% 45 2.1 2 20 1.60 11 86% 45 2.15 2 20 2.46 11 79% 45 2.2 2 20 3.36 11 71% 45 2.25 2 20 4.31 11 62% 45 2.3 2 20 5.33 11 54% 45 2.35 2 20 6.41 11 44% 45 2.4 2 20 7.58 11 34% 45 2.45 2 20 8.84 11 23% 45 2.5 2 20 10.23 11 11%
【表３】 表 １ （続き） 入射角 ＤＡ Ａf ＡR ヘーズ （度） ｎf ｎt ( 度） (度) (度) 減少率 0 1.45 2 40 12.22 21 42% 0 1.5 2 40 11.18 21 47% 0 1.55 2 40 10.12 21 52% 0 1.6 2 40 9.05 21 57% 0 1.65 2 40 7.97 21 62% 0 1.7 2 40 6.88 21 68% 0 1.75 2 40 5.78 21 73% 0 1.8 2 40 4.65 21 78% 0 1.85 2 40 3.52 21 83% 0 1.9 2 40 2.36 21 89% 0 1.95 2 40 1.19 21 94% 0 2 2 40 0.00 21 100% 0 2.05 2 40 1.21 21 94% 0 2.1 2 40 2.45 21 88% 0 2.15 2 40 3.71 21 83% 0 2.2 2 40 5.00 21 76% 0 2.25 2 40 6.31 21 70% 0 2.3 2 40 7.66 21 64% 0 2.35 2 40 9.05 21 57% 0 2.4 2 40 10.47 21 51% 0 2.45 2 40 11.94 21 44% 0 2.5 2 40 13.46 21 37%
【表４】 表 １ （続き） 入射角 ＤＡ Ａf ＡR ヘーズ （度） ｎf ｎt ( 度） (度) (度) 減少率 45 1.45 2 40 12.78 22 41% 45 1.5 2 40 11.72 22 46% 45 1.55 2 40 10.64 22 51% 45 1.6 2 40 9.55 22 56% 45 1.65 2 40 8.44 22 61% 45 1.7 2 40 7.30 22 66% 45 1.75 2 40 6.15 22 72% 45 1.8 2 40 4.98 22 77% 45 1.85 2 40 3.77 22 83% 45 1.9 2 40 2.55 22 88% 45 1.95 2 40 1.29 22 94% 45 2. 2 40 0.00 22 100% 45 2.05 2 40 1.33 22 94% 45 2.1 2 40 2.69 22 88% 45 2.15 2 40 4.10 22 81% 45 2.2 2 40 5.56 22 74% 45 2.25 2 40 7.08 22 68% 45 2.3 2 40 8.65 22 60% 45 2.35 2 40 10.31 22 53% 45 2.4 2 40 12.05 22 45% 45 2.45 2 40 13.89 22 36% 45 2.5 2 40 15.86 22 27%
【００２８】表１から、ヘーズ減少層と粗表面を有する
層の屈折率が入射の角度を考えないで同一であるとき、
表面ヘーズにおいて１００％の減少があることがわか
る。言い換えればフィルムの指標が層の粗表面の指標に
一致する時、ヘーズの減少は入射角に無関係である。更
に、ヘーズ減少フィルムの屈折率が層の粗表面における
屈折率と異なる場合、入射の角度は偏差角度（ Af ) に
作用する。例えば、そして表1 を参照すると、入射角が
ゼロ、そしてフィルムと粗表面の屈折率がそれぞれ１．
４５及び２．０である場合、表面ヘーズ減少は44% であ
り、そして入射角が４５°、そしてフィルムと粗表面の
屈折率がそれぞれ１．４５及び２．０である場合、表面
ヘーズの減少は３９％である。
【００２９】ヘーズ減少層の屈折率は、粗表面における
屈折率と等しいか又は異なっている。表に示す如く、表
面ヘーズの減少はヘーズ減少フィルムの屈折率が境界表
面の屈折率より大きいか又は少ない時に実現されてい
る。
【００３０】更に、反射光が散乱され、そして表面ヘー
ズに起因する粗表面から、及び表面ヘーズを減少さもな
くば除去する本発明のヘーズ減少フィルムから反射され
る光線に対して、発明の態様を示す類似の式を開発する
ことができる。
【００３１】上記から誘導される式は、光線を粒子とし
て考えているけれども、光は理想的に粒子ではなくまた
波の特性を有しているので、散乱の現象に対しては過度
に単純化したアプローチとなる。光が衝突する表面の粗
さに相当する縮尺では、光は波の特性を有しているの
で、光は部分的に粗さによって散乱されている。粗さの
程度が増加する時、光の波にかかる衝撃は増加しそして
大部分の光が散乱される。この方法で、より大きい粗さ
の程度を有する表面は、より高いパーセントで入射光を
散乱する。
【００３２】ヘーズは光線を用いて反射率又は透過率モ
ードで測定することができる。反射率モードにおいて、
光線の総放散反射率が測定され、そして放散反射率のパ
ーセントが”ヘーズ”数となる。透過率モードでは、AS
TM法 D1003-92 が透過した"ヘーズ" 数を決定するため
には推奨される。
【００３３】以下の議論において、本発明はガラス上の
酸化錫塗布物における表面ヘーズを、消失させないとし
ても最小化することを開示するものであって、しかしな
がら、認識されるように本発明はこれに限定されるもの
ではなく、以下は説明の目的の為にのみ提供する。
【００３４】塗布物、例えばヘーズ減少フィルム、及び
／又は粗い表面を有する層の形態の性質は、基体の選択
（アモルファス、多結晶、単一結晶）、核生成条件、及
び堆積パラメーターのような数多くの異なるファクター
に依存している。ガラス片はアモルファスであり、そし
て一般にエピタキシャル、又は単一結晶成長に適当では
ない。ガラス塗布において、ランダムに配向された核生
成サイトは、最初にガラス表面に形成されそしてこれに
続く結晶成長がランダムに配向した多結晶塗布物を作
る。このタイプの塗布物はしばしば、粗い表面を有して
おり、例えばランダムに配向した核生成サイトの形成、
そしてこれに続く多結晶塗布物の成長は多くの異なる処
理パラメーターに依存する。
【００３５】興味あるパラメーターは、基体温度、更に
正確には基体温度と塗布物の融点、即ちゾーンの温度と
の比率である。R.F.ブンシャー( R.F. Bunshah) 、及び
C.デシュパンディ(C. Deshpandey) は、活性化反応性
揮発工程(The Activated Reactive Evaporation Proces
s)、薄いフィルムの物理学 (Physics of Thin Film)、p
p. 60〜107 (1987)において異なる範囲の上記ゾーン温
度から結果として得られる異なる形態を議論しており、
この開示をここに参考として引用する。ゾーン温度が約
０．３と０．８の間である時、塗布物の形態は柱状粒子
構造を有する多結晶性となる。米国特許第４，８５３，
２５７号に開示されている、酸化錫の堆積工程における
ゾーン温度は０．６６であり、多結晶範囲の中心であ
る。この開示を参考としてここに引用する。この温度
は、フロートバスにおいて塗布物を堆積させることの物
理的要求によって本質的に固定される。他の堆積パラメ
ーターを変えることによって (w.A.ブリアント、概説記
事、化学蒸着の基礎、ジャーナルオブマテリアルサイエ
ンス 12 (1977) 1285 〜1306) (W.A. Bryant, in a rev
iew article, The fundamentals of chemical vapor de
position, Journal of Materials Sceince )参照、ここ
にこの開示を参考として引用する) 、特に反応物の種の
過飽和を塗布物の成長以上に変えることによって、形態
も同様に変えることが出来る。
【００３６】米国特許第４，８５３，２５７号、及び他
の熱分解タイプの塗布物に開示されている方法において
は、堆積反応は極めて早く進行し、そして基体温度によ
って支配される形態を変えるに十分な過飽和を経済的に
増加させることは困難である。堆積パラメーターの組み
合わせによる最終的な効果は、塗布物が粗い表面を持っ
た多結晶性で柱状であると言うことにある。
【００３７】以上の論議から、酸化錫フィルムは通常粗
く、そして表面ヘーズを有していることが、当業者らに
よってここに認識される。
【００３８】ヘーズ減少フィルム６０（図７）の選択と
形成は、機能的な塗布物、即ち低放射率を与える酸化錫
塗布物として同一の限定を持っておらず、そしてその形
態は最適のヘーズ減少に更に容易に変えることができ
る。堆積温度は低くすることができ、反応物種の過飽和
は先に述べた如く増加させることができ、そしてこれは
アモルファス塗布物にとって好都合である。これらの変
更はヘーズ減少フィルムの堆積中に影響を及ぼすことが
できるけれども、機能性フィルムである下にあるフィル
ム６８（図７）の堆積中には容易に影響を及ぼすことは
できない。例えば、酸化錫は多結晶構造と共に好ましい
電気伝導性と低い放射率を有する機能性のフィルムであ
る。これらの性質は塗布物がアモルファスであるときそ
の品位を落とす。
【００３９】ここに参考として引用する米国特許第５，
３５６，７１８号は、混合酸化金属の反真珠光沢のアモ
ルファスフィルムをガラス基体上に適用し、続いて酸化
錫の機能性フィルムを適用することを開示している。米
国特許第５，３５６，７１８号は混合金属酸化物の反真
珠色フィルムを堆積するために用いられるプレカーサー
酸化物を開示しており、これは本発明の実施においてヘ
ーズ減少フィルムを堆積させるために用いられる。更に
特に、米国特許第５，３５６，７１８号に開示の金属酸
化物は単一で或いは組み合わされて用いられ、そして得
られたフィルムはその厚さの至るところで均一の屈折率
を、又はその厚さの至るところで変化する屈折率を有し
ている。好ましくは、しかし発明を限定するものではな
いが、粗い表面の場所のフィルムの屈折率、及び粗い表
面の屈折率は同一であるべきである。塗布反応物に添加
剤を使用することは、得られる塗布物に組み込まれそし
て結晶化を抑える効果を持っている為に、米国特許第
５，３５６，７１８号に開示のプレカーサーは本発明に
おいて興味あるものである。非−最適な塗布物形態を生
ずる方法で添加剤なしに堆積工程を強く働かせる時に、
これは塗布物の形態を変更する簡便な方法となる。
【００４０】ヘーズ減少フィルムの適用は、他の堆積方
法、例えばこれに限らないが、ゾル−ゲル、又は真空堆
積のような方法を用いて行うことができる。これらの低
温堆積工程はしばしばアモルファスの塗布物を作り、そ
してそれゆえ本発明の実施に当たり理想的である。
【００４１】本発明を実施してヘーズ減少フィルムを形
成する際に用いられるシリコン化合物の例としては、テ
トラエトキシシラン、シラン、ジエチルシラン、ジ−t
−ブトキシ−ジ−アセトキシシラン、ジエチルジクロロ
シラン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、そして
トリエトキシシラン、及び参考としてここに引用する米
国特許第３，３７８，３９６号；同第４，１８７，３３
６号；同第４，３０８，３１６号；同第４，３７７，６
１３号；同第４，４１９，３８６号；同第４，２０６，
２５２号：同第４，４４０，８２２号及び同第４，３８
６，１１７号、に開示のシリコン化合物が含まれるが、
これに限定されない。上記シリコン- 含有プレカーサー
の他に、本発明はこれに相当するシリコン酸化物に転換
することができ、そして金属含有プレカーサーと混合し
て用いることができ、望みの屈折率を得るに適した酸化
物の比率を用いて、混合酸化物ヘーズ減少フィルムを作
るシリコン−含有プレカーサーを考えている。
【００４２】米国特許第５，３５６，７１８号、８欄３
１行〜１１欄４８行に開示のシリコン- 含有プレカーサ
ーは、本発明の実施の際に用いることができる。
【００４３】そのプレカーサーからシリコンオキサイド
の堆積速度を促進するため用いることが可能な多くの物
質が米国特許第５，３５６，７１８号において確認され
ている。シリコンオキサイド単独の、又は他の酸化物例
えば酸化錫と組み合わせてその堆積速度を増加させる本
発明の実施に用いることができる促進剤としては、以下
のものを挙げることができる。 (1) トリフルオロ酢酸及び塩酸のようなルイス酸、 (2) NaOH, NaF, CH3OH, CH3OCH3, 及び S(CH3CH2)2
のようなルイス塩基、 (3) 水 (4) 以下の構造式を有する、窒素、リン、ボロン、及
び硫黄の化合物
【化１】
【化２】 ［Y は窒素、ボロン、及びリン、から成る群から選ば
れ、そしてR10 、R11 、 R 12、R13 、及び R14は官能基
の以下のリストから選ばれ、以降グループF として引用
する。水素 ハロゲン、好ましくは Cl、２〜１０、好ましくは２〜
４の炭素原子を持つアルケニル又は置換アルケニルラジ
カル、例えば CH=CH2 ;-CClH2 のような１〜１０、
好ましくは１〜４の炭素原子を持つパーハロゲン化アル
キル又は置換アルキルラジカル、又は -CCl2CH2CH3のよ
うな１〜１０、好ましくは１〜４の炭素原子を持つハロ
ゲン化アルキル又は置換アルキルラジカル ;１〜１０、
好ましくは１〜４の炭素原子を持つアシロキシラジカ
ル、例えば -OCOCH3 ;２〜１０、好ましくは２〜４の
炭素原子を持つアルキニル又は置換アルキニルラジカ
ル、例えば -CCH ;１〜１０、好ましくは１〜４の炭
素原子を持つアルキル、又は置換アルキルラジカル、例
えば -CH3、-CH2CH2CH3 ;6 〜１０、好ましくは６〜９
の炭素原子を持つアリール、又は置換アリールラジカ
ル、例えば -C6H4CH3 ;１〜１０、好ましくは１〜４
の炭素原子を持つアルコキシド、又は置換アルコキシド
ラジカル、例えば OCH2CH2CH3 ;（前記置換基は上記
のグループE であり、これら化合物の例としては、トリ
エチルホスファイト、トリメチルホスファイト、トリメ
チルボレート、PF5 、PCl3、PBr3、PCl5、BCl3、BF3 、
(CH3)2BBr 、SF4 、及び HO3SF を含むがこれに限定さ
れない。発明の実施に当たりトリエチルホスファイトが
用いられる) ] (5) 以下の構造式III を有するアルミニウム化合物
は、単独、又は他の金属- 含有プレカーサーと組み合わ
せたシリコン- 含有プレカーサーの堆積速度を促進する
ため用いることができる（" 他の金属- 含有プレカーサ
ー"は、察知することができるように、アルミニウム-
含有プレカーサーを含まない）。
【化３】 ( R15 、R16 、及び R17は同一又は異なり、以下のグル
ープG から選ばれる。水素 ;ハロゲン、好ましくは Cl
;-O-R17 ( R17 は 上記グループE から選ばれた置換
基と共に、１〜１０の好ましくは１〜４の炭素原子を持
つ線状、枝分かれ、又は置換アルキルラジカル) ；-S-R
18 ( R18 は上記 R17 と同等) ;- NH2 ；R19-N-R20
( R19 及びR20 は、上記グループE から選ばれた置換
基を有する、１〜１０、好ましくは１〜４の炭素原子を
持つ線状又は枝分かれアルキル基、又は置換アルキルラ
ジカル、(-PH2 のようなホスフィン基より小さい)) ;
及びN R21 ( R21 は上記グループE から選ばれる置換基
と共に、２〜１０、好ましくは２〜６の炭素原子を持つ
環状基を形成する( ホスフィン基より小さい）) (6) オゾン
【００４４】基体６４( 図７参照) 、例えばガラス片が
粗表面４０を有する層で塗布される時、ヘーズ減少フィ
ルムは単一酸化物、又は混合酸化物例えばシリコンオキ
サイドと酸化錫の混合物の化学蒸着によって堆積され、
引き続き減少した表面ヘーズを有する物品６２を形成す
る。
【００４５】単一又は混合酸化物の化学蒸着が、一種又
はそれ以上の促進剤、例えばリン、アルミニウム、又は
ボロン化合物を添加して行われる時、少量の基礎原子、
例えばリン、アルミニウム、又はボロンが塗布物中に分
散して見出されることが測定されてきた。塗布物中のリ
ン、アルミニウム、及び／又はボロンの存在は、結晶化
度を低下させ（結晶化度０パーセントに近づく）、それ
によりヘーズとして観察される光散乱の性質を減少させ
る事によって、得られた塗布物の形態に影響を与える。
層中に合体されたリン、アルミニウム、ボロンの量は、
可変的な工程の関数である。
【００４６】発明の実施において、毎分１７５〜７３０
インチ (４．２５〜１８メーター)の速度で移動し、１
１８０°F （６３７℃）〜１２２０°F(６６０℃) の温
度を有するガラスリボンを、促進剤としてリン化合物を
有する気体状混合物で塗布した。促進剤のモル分率は、
０．０１〜０．５であった。０〜１２原子パーセントの
リンが塗布物中に分散して見出された。本発明は０より
大きくそして１５原子パーセントまで、好ましくは１〜
５原子パーセントの範囲の促進剤の量を用いることを包
含する。
【００４７】以下の例は塗布表面からの散乱光の減少に
適する。塗布物は省エネルギーの窓に有用な低放射率の
塗布物である。塗布物は約５００〜１０, ０００オング
ストローム、通常１, ０００〜５, ０００オングストロ
ームの厚さを持ったフッ素−ドープされた酸化錫であ
る。堆積された時、酸化錫塗布物は低い放射率を有し、
そして総厚みの約１２〜１５ %に等しい谷間とピーク間
の平均距離を持った多結晶である。散乱光は住宅向けや
商業的な応用に非常に不愉快であり、散乱光を減少する
コスト的に有利な方法が述べられている。
【００４８】本発明の態様を論証する以下の実施例にお
いて、ソレックス（Solex)の商標でPPG社から販売され
ているタイプのガラスリボンを、米国特許第４，８５
３，２５７号に開示の、ここにその開示を参考として引
用する、塗布装置及び方法を用い、商業上のフロートラ
イン(float line)上で塗布した。各実施例において用い
たフッ素ドープ酸化錫塗布プレカーサーは約９０重量 %
のモノブチル錫トリクロライド(MBTC)、５重量 %のトリ
フルオロ酢酸 (TFA)、及び５重量% のメチルイソブチル
ケトンの混合物であり、以降実施例中において" 混合
物" として引用する。混合物を実施例に記載のキャリア
ーガス流中の MBTC モルパーセント濃度が得られる速度
で供給した。水も同様にキャリアーガス流中に、実施例
中に記載のモル濃度に達するように供給された。混合物
と共にキャリアーガスを、約３５０°F （１７７℃）の
温度でガラスリボンの表面に配送した。ガラスリボンを
実施例に記載の温度に加熱して、実施例に記載の厚さを
有する酸化錫塗布物を堆積させた。
【００４９】各実施例中の酸化錫を塗布したガラスリボ
ンを３片にカットした。第１の片を５００オングストロ
ーム( Å) の厚さを有するシリカフィルムで上塗り塗布
し ;第２の片を１０００Åの厚さを持ったシリカフィル
ムで上塗り塗布した。シリカフィルムはラミナーコール
ド壁反応器(laminar cold wall reactor) 中で化学蒸着
によって堆積させた。各々のガラス片の堆積温度は約１
２００°F （６４０℃) であった。塗布されたガラス片
が加熱された時、空気キャリアーガスを石英チューブ中
約２０ｃｍ/ 秒の速度の層流でガラス片上を通過させ
た。テトラエチルオルトシリケート(TEOS)( シリカプレ
カーサー) を、キャリアーガス流中１.7５% のモル濃度
に達するために必要な速度で供給した。５００Å厚のシ
リカフィルムの堆積時間は１１５秒であり、１０００Å
厚のシリカフィルムに対しては２３０秒であった。
【００５０】酸化錫層を持った第３のガラス片を石英チ
ューブ中に置き、約１７３秒( 他の二片の平均加熱時
間) の間、他の片が受けた温度に加熱した。第３片の加
熱の間反応器中には TEOS を供給しなかった。TEOSに曝
されなかった酸化錫塗布ガラスはコントロールサンプル
であり、そしてもしあるなら表面ヘーズの効果を測定す
るために加熱した。
【００５１】各サンプルの表面ヘーズを非−鏡(non-spe
cular)、又は拡散(diffuse) 、光レフレクタンス(ligut
reflectance) のみを測定する、当業界に知られている
タイプのスペクトロガード分光光度計（Spectrogard Sp
ectrophotometer)を用いて測定した。拡散光の値は表面
ヘーズの基準と考えられ、その値が高いほど表面ヘーズ
は大きく、その逆も同様である。サンプルのヘーズの値
を表２に示す。
【００５２】各サンプルの放射率を、酸化錫塗布物を堆
積したのち、２種サンプルのシリカ上塗り塗布の後、そ
してコントロールサンプルの加熱後について赤外分光光
度計を用いて測定した。各サンプルの放射率の値を表２
に示す。
【００５３】
【実施例】実施例１ ガラスリボン速度は毎分約３３９インチ（８. ６メート
ル) 、そして塗布機をリボン上約０. １９７インチ
（０. ５ｃｍ )の高さに置いた。3 つの堆積スロットを
用い、混合物を空気キャリアーガス蒸気に毎分、１スロ
ット当たり約５６ ft3 (１. ６ｍ3)供給し、ガラスリボ
ン上に酸化錫フィルムを堆積させた。混合物は、キャリ
アーガス流中 MBTC 濃度が１. ０９モルパーセントに達
する速度で供給した。水はキャリアーガス流中のモル濃
度が１. ０５ %に達する量で供給した。ガラスリボン温
度は酸化錫フィルムの堆積の間、約１２５４°F(６７９
℃ )であった。塗布物は１８７１Åの厚さであった。
【００５４】実施例２ ガラスリボン速度は毎分約３３９インチ（８. ６メート
ル) 、そして塗布機をリボン上約０. １９７インチ
(０. ５ｃｍ )の高さに置いた。２つの堆積スロットを
用い、混合物を空気キャリアーガス蒸気に毎分、１スロ
ット当たり約６５ ft3 (１．８４ｍ3)供給した。混合物
は、キャリアーガス流中 MBTC 濃度が１．７３モルパー
セントに達する速度で供給した。水はキャリアーガス流
中のモル濃度が１. １０ %に達する量で供給した。ガラ
スリボン温度は酸化錫フィルムの堆積の間、約１２５４
°Ｆ（６７９℃ )であった。塗布物は１６３０Åの厚さ
であった。
【００５５】実施例３ ガラスリボン速度は毎分約３５７インチ（９. ０６メー
トル) 、そして塗布機をリボン上約０．２０１インチ
(０. ５１ｃｍ )の高さに置いた。3 つの堆積スロット
を用い、空気キャリアーガス蒸気を毎分、１スロット当
たり約６１ ft3 (１．７３ｍ3 ）供給した。混合物を、
キャリアーガス流中 MBTC 濃度が１. ２４モルパーセン
トに達する速度で供給した。水はキャリアーガス流中の
モル濃度が第１のスロットで０．３ %、第２の二つのス
ロットで０．８６ %に達する量で供給した。ガラスリボ
ン温度は酸化錫フィルムの堆積の間、約１２２８°F(６
６４℃ )であった。塗布物は１６２８Åの厚さであっ
た。
【００５６】実施例４ ガラスリボン速度は毎分約３３９インチ （８．６メー
トル) 、そして塗布機をリボン上約０. １９７ インチ
(０. ５０ｃｍ )の高さに置いた。3 つの堆積スロット
を用い、空気キャリアーガス蒸気を毎分、１スロット当
たり約６０ ft3(１．７ｍ3)供給した。混合物を、キャ
リアーガス流中 MBTC 濃度が１. ２４モルパーセントに
達する速度で供給した。水はキャリアーガス流中のモル
濃度が０．９３% に達する量で供給した。ガラスリボン
温度は酸化錫フィルムの堆積の間、約１１６０°F(６２
７℃ )であった。塗布物は１６１２Åの厚さであった。
【００５７】実施例５ ガラスリボン速度は毎分約４６８ インチ (１１．８９
メートル) 、そして塗布機をリボン上約０．２１０イン
チ (０. ５３ｃｍ )の高さに置いた。3 つの堆積スロッ
トを用い、空気キャリアーガス蒸気を毎分、１スロット
当たり約６１ ft3 (１．７３ｍ3)供給した。混合物を、
キャリアーガス流中 MBTC 濃度が１. ２４モルパーセン
トに達する速度で供給した。水はキャリアーガス流中の
モル濃度が第１のスロットで１. ５４% 、第２の二つの
スロットで１．８４% に達する量で供給した。ガラスリ
ボン温度は酸化錫フィルムの堆積の間、約１１５１°F
(６２２℃）であった。塗布物は１６１５Åの厚さであ
った。
【００５８】実施例６ ガラスリボン速度は毎分約４６８ インチ (１１．８９
メートル) 、そして塗布機をリボン上約０．２１０イン
チ (０. ５３ｃｍ )の高さに置いた。３つの堆積スロッ
トを用い、空気キャリアーガス蒸気を毎分、１スロット
当たり約１０１ft3 ( ２．８７ｍ3)供給した。混合物
を、キャリアーガス流中 MBTC 濃度が１.２４モルパー
セントに達する速度で供給した。水はキャリアーガス流
中のモル濃度が第１のスロットで２．１７% 、第２の二
つのスロットで２．４６ %に達する量で供給した。ガラ
スリボン温度は酸化錫フィルムの堆積の間、約１２０５
°F(６５２℃ )であった。塗布物は２２７７Åの厚さで
あった。
【００５９】実施例７ ガラスリボン速度は毎分約４６８ インチ (１１．８９
メートル) 、そして塗布機をリボン上約０．３２２イン
チ (０. ８２ｃｍ )の高さに置いた。3 つの堆積スロッ
トを用い、空気キャリアーガス蒸気を毎分、１スロット
当たり約８１ft 3 （２. ２９ｍ3 ）供給した。混合物
を、キャリアーガス流中 MBTC 濃度が１.２４モルパー
セントに達する速度で供給した。水はキャリアーガス流
中のモル濃度が第１の二つのスロットで１. ５７% 、第
３のスロットで０. ４５ %に達する量で供給した。ガラ
スリボン温度は酸化錫フィルムの堆積の間、約１２５０
°F(６５２℃ )であった。塗布物は１８５８Åの厚さで
あった。
【００６０】実施例８ ガラスリボン速度は毎分約４６８ インチ (１１．８９
メートル) 、そして塗布機をリボン上約０. ２２８イン
チ (０. ５８ｃｍ )の高さに置いた。3 つの堆積スロッ
トを用い、空気キャリアーガス蒸気を毎分、１スロット
当たり約８１ft 3 ( ２. ２９ｍ3)供給した。混合物を、
キャリアーガス流中 MBTC 濃度が１. ２４モルパーセン
トに達する速度で供給した。水はキャリアーガス流中の
モル濃度が１. ２３% に達する量で供給した。ガラスリ
ボン温度は酸化錫フィルムの堆積の間、約１２８８°Ｆ
（６９８℃ )であった。塗布物は２３４５Åの厚さであ
った。
【００６１】実施例９ ガラスリボン速度は毎分約４６８インチ (１１．８９メ
ートル) 、そして塗布機をリボン上約０．３４１インチ
（０. ８７ｃｍ )の高さに置いた。3 つの堆積スロット
を用い、空気キャリアーガス蒸気を毎分、１スロット当
たり約８１ft3（２．２９ｍ3 ）供給した。混合物を、
キャリアーガス流中 MBTC 濃度が１. ２４モルパーセン
トに達する速度で供給した。水はキャリアーガス流中の
モル濃度が０．９８ %に達する量で供給した。ガラスリ
ボン温度は酸化錫フィルムの堆積の間、約１２２２°Ｆ
（６５１℃ )であった。塗布物は１９２６Åの厚さであ
った。
【００６２】実施例１０ ガラスリボン速度は毎分約４６８インチ (１１．８９メ
ートル) 、そして塗布機をリボン上約０. １７５インチ
(０. ４４ｃｍ )の高さに置いた。3 つの堆積スロット
を用い、空気キャリアーガス蒸気を毎分、１スロット当
たり約８１ft3（２．２９ｍ3 ）供給した。混合物を、
キャリアーガス流中 MBTC 濃度が０．９９モルパーセン
トに達する速度で供給した。水はキャリアーガス流中の
モル濃度が１. １８ %に達する量で供給した。ガラスリ
ボン温度は酸化錫フィルムの堆積の間、約１２３４°Ｆ
（６６８℃ )であった。塗布物は１９８６Åの厚さであ
った。
【００６３】
【表５】 表 ２ ヘーズ 放射率 パーセントの読み 前 後 実施例１サンプル コントロール 0.19 0.37 0.37 500 Åシリカフィルム 0.05 0.37 0.41 1000Åシリカフィルム 0.05 0.38 0.38 実施例２サンプル コントロール 0.22 0.47 0.46 500 Åシリカフィルム 0.11 0.47 0.46 1000Åシリカフィルム 0.14 0.46 0.47 実施例３サンプル コントロール 0.18 0.43 0.43 500 Åシリカフィルム 0.09 0.44 0.44 1000Åシリカフィルム 0.00 0.43 0.43 実施例４サンプル コントロール 0.12 0.51 0.51 500 Åシリカフィルム 0.06 0.51 0.52 1000Åシリカフィルム 0.06 0.51 0.51 実施例５サンプル コントロール 0.04 0.42 0.47 500 Åシリカフィルム 0.00 0.42 0.47 1000Åシリカフィルム 0.00 0.42 0.46
【表６】 表 ２ ( 続き) ヘーズ 放射率 パーセントの読み 前 後 実施例６サンプル コントロール 0.04 0.29 0.32 500 Åシリカフィルム 0.01 0.29 0.30 1000Åシリカフィルム 0.03 0.29 0.30 実施例７サンプル コントロール 0.44 0.37 0.47 500 Åシリカフィルム 0.29 0.37 0.39 1000Åシリカフィルム 0.23 0.37 0.43 実施例８サンプル コントロール 0.37 0.36 0.34 500 Åシリカフィルム 0.19 0.35 0.35 1000Åシリカフィルム 0.13 0.35 0.35 実施例９サンプル コントロール 0.04 0.36 0.38 500 Åシリカフィルム 0.02 0.36 0.38 1000Åシリカフィルム 0.00 0.36 0.37 実施例１０サンプル コントロール 0.17 0.36 0.37 500 Åシリカフィルム 0.08 0.37 0.38 1000Åシリカフィルム 0.00 0.35 0.38
【００６４】
【発明の効果】表２を参照すると、本発明の実施による
全ての実施例は、放射率になんら影響を与えることなく
表面ヘーズを減少していることは明らかである。本発明
は粗い表面を平滑にしてヘーズを減少させることを論じ
ているけれども、本発明に従って粗表面を平滑にするこ
とは同様に、例えば粗い表面に埋めこまれているパッキ
ング材料の異物粒子を最小としている。
【００６５】ここで認識できるように、上記の実施例及
び論議は本発明を記述する目的のためであって、発明を
なんら限定しようとするものではない。例えば１００〜
２，０００Åの厚さを有するシリカフィルムは本発明の
実施に際し用いることができる。更に、境界面における
屈折率を言及したけれども、もし粗表面を有する層の又
は粗表面を有する基体の屈折率が、その厚さの至るとこ
ろで均一な屈折率を有しているなら、粗表面に言及する
ことは層、及び／又は基体を含むものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、境界面におけるスネルの法則を説明す
る光線の図式。
【図２】図２は、平滑な境界面を通過及び／又は反射し
た光線の平行特性を説明する光線の図式。
【図３】図３は、粗い境界面を通過及び／又は反射した
光線の分岐特性を説明する光線の図式。
【図４】図４は、粗い境界面でのスネルの法則を説明す
る光線の図式。
【図５】図５は、図３に示す光線の分岐特性を除去する
本発明の態様を説明する光線の図式。
【図６】図６は、発明の開示に従う粗表面の部分的な平
滑化を説明する。
【図７】図７は、表面ヘーズを除去しないとしても最小
化する本発明の開示に従って作られた物品の部分的断面
図。

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 最小の表面ヘーズを有する物品であっ
    て、 主要表面が或るレベルの表面ヘーズを持っている、主要
    な表面を有する基体、そして基体の主要表面上に第一の
    表面を、そして第一の表面の反対側に第二の表面を有す
    る塗布フィルムであって、塗布フィルムの第二の表面の
    表面ヘーズのレベルが、基体の主要表面の表面ヘーズの
    レベルより小さく、最小の表面ヘーズを有する物品を与
    える塗布フィルム、より成ることを特徴とする物品。
  2. 【請求項２】 基体の主要表面はピークと谷間に起因し
    ている粗表面を有し、この粗表面は光線を基体の主要表
    面上に入射して拡散反射光線として反射させ、そして塗
    布フィルムの第二の表面は基体の主要表面のピークと谷
    間の深さと高さより少ない深さと高さを有するピークと
    谷間を有し、塗布フィルムの第二の表面から反射された
    光線を、基体の主要表面から反射された光線より拡散を
    少なくする請求項１に記載の物品。
  3. 【請求項３】 基体は透明であり、そして基体の主要表
    面はピークと谷間に起因する粗表面を有し、ピークと谷
    間はいずれも光線を基体の主要表面に入射させ、そして
    第１の透過光線として定義される拡散透過光として出口
    に基体を通して通過させ、そして塗布フィルムの第二の
    表面は基体の主要表面のピークと谷間の深さと高さより
    小さい深さと高さを持ったピークと谷間を有しており、
    その結果として物品を通過する透過光線の拡散を第１の
    透過光線より小さくする請求項１に記載の物品。
  4. 【請求項４】 基体はガラス片に最も近い層の第１の表
    面、及び第１の表面に向かい合っている層の第２の表面
    を持った塗布層を有するガラス片であって、塗布層の第
    ２の表面が基体の主要表面である請求項３に記載の物
    品。
  5. 【請求項５】 塗布フィルムが塗布層の谷間の平均深さ
    とピークの平均高さの間の距離の約１〜３倍の厚さを有
    する請求項４に記載の物品。
  6. 【請求項６】 塗布フィルムが塗布層の谷間の平均深さ
    とピークの平均高さの間の距離の約３〜１０倍の厚さを
    有する請求項４に記載の物品。
  7. 【請求項７】 塗布層が多結晶性塗布層である請求項４
    に記載の物品。
  8. 【請求項８】 塗布層が結晶性塗布層である請求項４に
    記載の物品。
  9. 【請求項９】 塗布層が酸化錫塗布層である請求項４に
    記載の物品。
  10. 【請求項１０】 塗布フィルムがアモルファス塗布層で
    ある請求項９に記載の物品。
  11. 【請求項１１】 塗布フィルムが結晶性塗布フィルムで
    ある請求項９に記載の物品。
  12. 【請求項１２】 塗布フィルムが多結晶性塗布フィルム
    である請求項９に記載の物品。
  13. 【請求項１３】 塗布フィルムの屈折率が塗布層の屈折
    率にほぼ等しい請求項４に記載の物品。
  14. 【請求項１４】 塗布フィルムの屈折率が塗布層の屈折
    率と異なる請求項４に記載の物品。
  15. 【請求項１５】 塗布フィルムがシリカである請求項１
    ４に記載の物品。
  16. 【請求項１６】 塗布層が酸化錫である請求項１５に記
    載の物品。
  17. 【請求項１７】 酸化錫層がフッ素ドープされた酸化錫
    層である請求項１６に記載の物品。
  18. 【請求項１８】 塗布層が５００から１０，０００オン
    グストロームの間の厚さを有している請求項１７に記載
    の物品。
  19. 【請求項１９】 酸化錫が熱分解的に堆積され、そして
    谷間の平均深さとピークの平均高さとの間の距離が、酸
    化錫層の厚さの約５〜２５パーセントに等しい請求項１
    ７に記載の物品。
  20. 【請求項２０】 酸化錫塗布層の厚さが約１，０００〜
    ５，０００オングストロームの範囲にある請求項１９に
    記載の物品。
  21. 【請求項２１】 シリカフィルムの厚さが約１００〜
    ２，０００オングストロームの範囲にある請求項１５に
    記載の塗布物品。
  22. 【請求項２２】 塗布フィルムが混合酸化物である請求
    項４に記載の塗布物品。
  23. 【請求項２３】 混合酸化物がリン、ボロン、アルミニ
    ウム、及びこれらの混合物から成る群から選択される促
    進剤の親原子を含む請求項２２に記載の塗布物品。
  24. 【請求項２４】 塗布フィルムが酸化錫とシリコン酸化
    物である請求項２２に記載の塗布物品。
  25. 【請求項２５】 基体の主要表面上に塗布フィルムを付
    着させることから成り、付着した時該塗布物が基体の主
    要表面の表面ヘーズのレベルより少ないあるレベルの表
    面ヘーズを有していることを特徴とする、基体の主要表
    面に起因する表面ヘーズを減少させる方法。
  26. 【請求項２６】 基体の主要表面の表面ヘーズのレベル
    が基体の主要表面中の谷間とピークに起因するものであ
    って、堆積工程は堆積工程実施後に塗布フィルムが主要
    表面のピークと谷間の高さと深さより小さい高さと深さ
    を持ったピークと谷間を有するように、塗布フィルムを
    選択する工程を含んでいる、減少した表面ヘーズを有す
    る塗布物品を与える請求項２５に記載の方法。
  27. 【請求項２７】 ガラス片上に塗布層を堆積させる工程
    を更に含んで、主要表面を有する基体を与える請求項２
    ６に記載の方法。
  28. 【請求項２８】 塗布層を堆積させる工程が、ガラス片
    上に酸化錫層を熱分解的に堆積する工程を含む請求項２
    ７に記載の方法。
  29. 【請求項２９】 塗布フィルムを堆積させる工程が、酸
    化錫塗布層上にシリカ塗布フィルムを堆積させる工程を
    含む請求項２８に記載の方法。
  30. 【請求項３０】 塗布フィルムを堆積させる工程が混合
    酸化物フィルムを堆積させる工程を含む請求項２９に記
    載の方法。
  31. 【請求項３１】 塗布フィルムを堆積させる工程が、リ
    ン、ボロン、アルミニウム及びこれらの混合物から成る
    群から選択される促進剤を有する塗布溶液を用意する工
    程を含む請求項３１に記載の方法。
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