JPH09186508A - ストリップライン回路構造 - Google Patents

ストリップライン回路構造

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JPH09186508A
JPH09186508A JP7341559A JP34155995A JPH09186508A JP H09186508 A JPH09186508 A JP H09186508A JP 7341559 A JP7341559 A JP 7341559A JP 34155995 A JP34155995 A JP 34155995A JP H09186508 A JPH09186508 A JP H09186508A
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JP7341559A
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English (en)
Inventor
Katsuhiko Tanno
勝彦 丹野
Shigeru Okawa
滋 大川
Yasuhiro Tanno
康弘 丹野
Hiroshi Suzuki
鈴木  寛
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237High frequency adaptations
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4685Manufacturing of cross-over conductors

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  • Waveguides (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波帯で動作するストリップライン回路の
構造に関し、2つのストリップラインが交差する部分の
製造を容易にすることのできる構造を提供する。 【解決手段】 第1の信号を伝送する第1のストリップ
ライン1と、第1の信号より低周波の第2の信号を伝送
する第2のストリップライン2とが相互に交差して基板
3上に配設され、その交差部分7において、第1の信号
は通過させ第2の信号は阻止する第1のインピーダンス
構造11を、第1のストリップライン1に沿って形成
し、その交差部分7において、第2の信号は通過させ第
1の信号は阻止する第2のインピーダンス構造12を、
第2のストリップライン2に沿って形成するように構成
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はストリップライン回
路構造に関する。衛星通信装置、無線中継伝送路、携帯
電話器等の無線装置あるいは機器においては、複数のス
トリップラインを基板上に配設したストリップライン回
路からなる高周波回路が不可欠である。
【0002】本発明はそのストリップライン回路の構
造、特にそのストリップライン回路の中で2つのストリ
ップラインが交差する部分での構造について述べるもの
である。
【0003】
【従来の技術】既述のストリップライン回路において
は、複数のストリップラインが1つの基板上に設計に従
ったパターンで配設されるが、これら複数のストリップ
ラインは高周波の信号を伝送するものであるから相互干
渉を防ぐべく、ストリップライン相互間はなるべく近接
し合わないようなパターンが選ばれる。しかし回路機能
の複雑、高度化により、ストリップライン相互間が全く
近接し合わないようなパターンを選ぶことはきわめて難
しくなっている。
【0004】ストリップライン相互間の近接パターンで
最も避けなければならないパターンは、2つのストリッ
プライン相互間の交差である。このような交差があると
これら2つのストリップライン間に干渉が生じ、期待す
る特性が得られなくなってしまうからである。しかしな
がら実際の設計においては、少なくとも2つのストリッ
プライン間で全く交差を伴わないようなパターンを編み
出すことは至難である。このため、どうしても2つのス
トリップライン間での交差パターンが生じてしまう。こ
のような場合、従来は次のような対策を講じていた。
【0005】図12は2つのストリップラインが交差す
る場合の従来の構造を示し、(A)はその斜視図、
(B)は(A)における矢視B図である。本図におい
て、3は誘電体からなる基板であり、その表面には第1
のストリップライン1および第2のストリップライン2
が配設される。またその裏面にはほぼ全面にアース層4
が形成される。
【0006】図中、左右方向に伸びる第2のストリップ
ライン2は、これと直交する方向に伸びる第1のストリ
ップライン1と本来は交差するパターンとなっている。
しかし、これらを直接交差させることは許されないの
で、従来は本図に示すような交差構造が採られた。すな
わち、本来第1および第2のストリップライン1および
2が交差すべき交差部分7において、第1のストリップ
ライン1を通過させるための切欠き部を第2のストリッ
プライン2に形成する。そして、この切欠き部の両端に
おいてそれぞれスルーホール5を形成し、基板3の裏面
に同軸線路6を設けて、この同軸線路6の両端を一対の
スルーホール5間に接続する。つまり、第2のストリッ
プライン2は、交差部分7において、基板3の裏面側に
迂回させるようにしている。
【0007】かくして第1および第2のストリップライ
ン1,2間の相互干渉は大幅に減少せしめられ、回路設
計上、所期の特性が得られる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の交差構
造を有する回路基板を製造するに当り、同軸線路6は、
その両端において、基板3の裏面の各スルーホール5に
半田付けされる。この作業は自動化が困難で通常は作業
員の手作業で行われる。殆どの回路部品がロボットによ
る自動化で迅速に基板3上に組立てることができる中
で、この交差構造のみが手作業で行われることから、当
該高周波回路基板の工数はその分増大し、したがってコ
ストアップにつながる、という問題がある。
【0009】したがって本発明は、上記問題点に鑑み、
自動化が容易な、交差ストリップラインを有するストリ
ップライン回路構造を提供することを目的とするもので
ある。
【0010】
【課題を解決するための手段】図1は本発明に係るスト
リップライン回路構造の基本構成を表す平面図である。
なお、全図を通じ、同様の構成要素には同一の参照番号
または記号を付して示す。本図に示すストリップライン
回路は、第1の信号S1を伝送する第1のストリップラ
イン1と、第1の信号S1より低周波の第2の信号を伝
送する第2のストリップライン2とが交差部分7におい
て相互に交差して基板3上に配設されるストリップライ
ン回路である。
【0011】ここに第1の信号S1は例えば1GHZ
高周波信号(RF)であり、第2の信号S2は例えば1
00MHZ の高周波信号(IF)である。本図におい
て、本発明を特徴づける構成は、交差部分7において、
第1の信号S1は通過させ第2の信号S2は阻止する第
1のインピーダンス構造11であり、第1のストリップ
ライン1に沿って形成される。
【0012】また交差部分7において、第2の信号S2
は通過させ第1の信号S1は阻止する第2のインピーダ
ンス構造12であり、第2のストリップライン2に沿っ
て形成される。かくして、図1の交差部分7において円
弧状の矢印(4ヶ所)で図解的に示す、第1および第2
のストリップライン間の相互干渉は抑制される。
【0013】
【発明の実施の形態】 形態1 まず交差部分7において第2のストリップライン2を通
過させるために第1のストリップライン1に切欠き部を
形成する。ここに、第1のインピーダンス構造11は、
その切欠き部の両側を橋絡するチップ電気部品からな
り、第2のインピーダンス構造12は、交差部分7から
それぞれλ/4(λは第1の信号S1の周波数の逆数)
のところに第2のストリップライン2に対し並列接続さ
れる一対のオープンスタブからなる。
【0014】形態2 まず交差部分7からそれぞれ一定距離を置いたところに
第1のストリップライン1に対し一対の切欠き部を形成
する。ここに、第1のインピーダンス構造11は、その
一対の切欠き部の各両側を橋絡する一対のチップ電気部
品からなる。また、第2のインピーダンス構造12は、
交差部分7からそれぞれλ/4のところに第2のストリ
ップライン2に対し並列接続される一対のオープンスタ
ブからなる。
【0015】形態3 表面に第1および第2のストリップライン1,2が配設
される基板3の裏面に形成されるアース層4内に、交差
部分7およびその近傍にある第2のストリップライン2
に対向する位置においてアース層4を部分的に除去した
非アース層を形成する。ここに、第2のインピーダンス
構造12は、その非アース層の両端部分にそれぞれ形成
される一対のスルーホールと、第2のストリップライン
2を交差部分7においてはこの一対のスルーホールおよ
び非アース層を通して迂回させる裏面ストリップライン
とからなる。そして、第1のインピーダンス構造11
は、第1のストリップライン1に平行して上記非アース
層の両端を橋絡するように配設される第1のチップ電気
部品と、交差部分7からそれぞれλ/4のところに形成
される上記の一対のスルーホールにそれぞれ接続し、か
つ、アース層4に橋絡する一対の第2のチップ電気部品
とからなる。
【0016】形態4 第2のインピーダンス構造12は、上記非アース層の両
端側にそれぞれ形成される一対のスルーホールと、第2
のストリップライン2を交差部分7においてはこの一対
のスルーホールおよび該非アース層を通して迂回させる
裏面ストリップラインとからなる。そして、第1のイン
ピーダンス構造11は、第1のストリップライン1に平
行して上記非アース層の両端を橋絡するように配設され
るチップ電気部品と、交差部分7からそれぞれλ/4の
ところに形成される上記一対のスルーホールにそれぞれ
接続して基板3の表面に配設される一対のオープンスタ
ブからなる。
【0017】形態5 交差部分7において、第2の信号S2は通過させ第1の
信号S1は阻止するインピーダンス構造を、第2のスト
リップライン2に沿って形成する。このインピーダンス
構造は、交差部分7からそれぞれλ/4のところで多層
基板内の中間層に至る一対のスルーホールと、第2のス
トリップライン2を交差部分7においてはこの一対のス
ルーホールおよびその中間層を通して迂回させる中間層
ストリップラインと、上記一対のスルーホールにそれぞ
れ接続して基板3の表面に配設される一対のオープンス
タブとからなる。
【0018】形態6 交差部分7において、第2の信号S2は通過させ第1の
信号S1は阻止するインピーダンス構造を、第2のスト
リップライン2に沿って形成する。このインピーダンス
構造は、交差部分7からそれぞれ一定の距離を置いたと
ころで多層基板内の中間層に至る一対のスルーホール
と、第2のストリップライン2を交差部分7においては
その一対のスルーホールおよび上記中間層を通して迂回
させる中間層ストリップラインと、第2のストリップラ
イン2にそれぞれ直列接続して基板3の表面に配設され
る一対のチップ電気部品とからなる。
【0019】形態7 第2のストリップライン2より第1のストリップライン
1にリークする第2の信号S2を吸収する一対の吸収用
チップ電気部品を、交差部分7よりそれぞれ一定距離を
置いて、第1のストリップライン1に並列接続するよう
にする。 形態8 第1のストリップライン1より第2のストリップライン
2にリークする第1の信号S1を阻止する一対の阻止用
チップ電気部品を交差部分7よりそれぞれ一定の距離を
置いて、第2のストリップライン2に直列接続するよう
にする。
【0020】形態9 交差部分7において第1のストリップライン1を一部切
り欠いて切欠き部を形成し、第1の信号S1を通過させ
るようにその切欠き部を橋絡するチップ電気部品と、基
板3の裏面に形成されるアース層4に導通する第1のス
ルーホールに接続し、上記切欠き部内の基板3の表面に
配設される表面アース層と、この表面アース層に対向す
るアース層4を、第2のストリップライン2に沿って部
分的に除去した非アース層と、第2のストリップライン
2を、上記表面アース層のある部分においては第2のス
ルーホールを介し、上記の非アース層を通して迂回させ
る裏面ストリップラインとからなる。
【0021】
【実施例】図2は本発明の第1実施例を示す平面図であ
る。これは既述の形態1に対応する。この第1実施例で
はまず切欠き部23を第1のストリップライン1に形成
する。そしてこの切欠き部23の両側はチップ電気部品
21で橋絡される。このチップ電気部品21が、第1の
インピーダンス構造11をなす。
【0022】第2のストリップライン2はこの切欠き部
23を通して伸びるが、交差部分7から、図中、左右に
λ/4のところに、一対のオープンスタブ22が並列接
続され、これが第2のインピーダンス構造12をなす。
なお、交差部分の立体的構造を分かり易く説明すると、
チップ電気部品21を、道路(1)に架かる橋に例えれ
ば、第2のストリップライン2は、その橋(21)の下
を流れる川に相当する。
【0023】この第2のインピーダンス構造12につい
てさらに詳しく考察すると、交差部分7の中央から、第
2のストリップライン2を経て、オープンスタブ22の
先端に至るまでを、図示するとおり、各λ/4(λは、
第1のストリップライン1を走る第1の信号S1が有す
る周波数(f)の逆数に当る波長)を経て、オープン端
O、ショート端Sおよびオープン端Oが形成される。
【0024】このため、このO−S−Oの部分、特に交
差部分7からのλ/4のO−S部分2′は、第1の信号
S1(例えば1GHZ )から見ると極めて高いインピー
ダンスを示す。一方、第2の信号S2(例えば100M
Z )から見ると、通常の線路と何ら変わらない。かく
して、第1の信号S1と第2のストリップライン2との
間の結合は抑圧される。この場合、オープンスタブ22
は、高インピーダンス部分2′を形成すべく、交差部分
7のオープン端Oに対するショート端Sを形成するため
に、導入されたものである。
【0025】第1のインピーダンス構造11について見
ると、これはチップ電気部品21であり、この部品21
は、第2の信号S2から見ると高インピーダンスを呈す
るが、第1の信号S1にとっては通常の線路と何ら変わ
らない。このような機能を果すチップ電気部品21とし
ては、例えばチップコンデンサが適当である。このよう
にチップコンデンサのごときチップ電気部品21を導入
可能としたことにより、当該回路基板の製造の完全自動
化が達成され、従来のような人手作業を排除することが
できる。ここに本発明の目的が達成される。なお、一般
にチップ電気部品は他の回路との接続部分に予備半田が
施されており、温度を高めた回路基板上の所定位置に、
ロボットハンドで載せるだけで、装着は完了する。
【0026】図3は本発明の第2実施例を示す平面図で
ある。これは既述の形態2に対応する。この第2実施例
は、上記第1実施例と近似しているが、交差部分7の構
造がやや異なる。すなわち、第2実施例では、交差部分
7が、第1および第2のストリップライン1,2によっ
て完全に交差している。
【0027】このため、第2の信号S2の第1のストリ
ップライン1側へのまわり込みは、図中、上方および下
方に設けたチップ電気部品21によって防止される。こ
れら部品21は、第1の信号S1が伝搬する上では何の
支障も及ぼさない。この部品21の好適例は上記第1実
施例と同様、チップコンデンサである。図4は本発明の
第3実施例を示す図であって、(A)はその平面図、
(B)はその裏面図である。これは既述の形態3に対応
する。
【0028】図4(B)を参照すると、ほぼ全面にアー
ス層4が形成される基板3の裏面の一部が、交差部分7
の近傍で除去され、ここに非アース層32が形成され
る。非アース層32の両端部分には一対のスルーホール
33が形成され、その間は裏面ストリップライン34で
接続される。したがって図4(A)に示す基板表面の第
2のストリップライン2は、この交差部分7に来ると、
基板の裏側に迂回させられることになる。
【0029】裏面ストリップライン34を、第1のスト
リップライン1との間に挟むようにチップ電気部品21
が設けられ、該部品21は、非アース層32の両端を橋
絡する。図4(B)を参照すると、一対のスルーホール
33には、それぞれ第2のチップ電気部品31が接続さ
れ、アース層4との間を橋絡する。
【0030】第1のインピーダンス構造11について見
ると、まず第1のチップ電気部品21が設けられる。一
般にストリップラインは裏面のアース層と対になって所
望の特性を発揮するものであるから、第1のストリップ
ライン1は、非アース層32によって対となるアース層
を失うことになり、交差部分7でロスを生じている。こ
のロスを解消するため、その部品21で擬似的なアース
を形成する。
【0031】この第1のインピーダンス構造11は、一
対のスルーホール33にて、第2のチップ電気部品31
を有している。この部品31は、第1のストリップライ
ン1より第2のストリップライン(裏面ストリップライ
ン34を含む)にまわり込む第1の信号S1をアース層
4に逃がす役目を果す。ただし、第2の信号S2にとっ
ては、アース層4に逃げることができない。
【0032】上記の機能からすると、上記のチップ電気
部品はいずれもチップコンデンサであることが望まし
い。図5は本発明に係る第4実施例を示す図であって、
(A)はその平面図、(B)はその裏面図である。これ
は既述の形態4に相当する。この第4実施例は、上記第
3実施例で用いた、基板裏面側の第2のチップ電気部品
31に代えて、第1および第2実施例で示した一対のオ
ープンスタブ22を用いたものである。
【0033】図6は本発明に係る第5実施例を示す図で
あって、(A)はその平面図、(B)はその側断面図で
ある。これは既述の形態5に対応する。この第5実施例
では、基板として多層基板(例えばEGP)を用いてお
り、上記第4実施例では基板裏面のアース層を一部除去
して布線したストリップラインを、第5実施例では、中
間層44において、中間層ストリップライン46として
布線している。
【0034】したがって、第4実施例と異なり、第1の
ストリップライン1直下のアース層を部分的に除去する
必要がない。このため第4実施例で必要とされたチップ
電気部品21は不要になる。図7は本発明に係る第6実
施例を示す図であって、(A)はその平面図、(B)は
その側断面図である。これは既述の形態6に対応する。
【0035】この第6実施例は、上記第5実施例におけ
る一対のオープンスタブ22に代えて、一対のチップ電
気部品51を採用したものであり、ここに第6実施例の
インピーダンス構造とは異なる、別のインピーダンス構
造14を採用する。すなわち第6実施例のチップ電気部
品51は、第2のストリップライン2に直列接続され
て、該ライン2にまわり込む第1の信号S1を抑圧する
ものである。
【0036】したがって、このチップ電気部品51とし
ては、チップインダクタが好適である。図8は本発明の
第7実施例を表す平面図である。これは既述の形態7に
相当する。この第7実施例の考え方は、既に述べた各実
施例のいずれにも適用できるが、本図では、既述の第1
実施例(図2)に適用した場合を例示する。
【0037】この第7実施例の考え方は、第2のストリ
ップライン2(例えばIF帯)から第1のストリップラ
イン1(例えばRF帯)へリークする第2の信号S2を
吸収し、第1の信号S1と第2の信号S2との間のアイ
ソレーションを一層補強する、というものである。この
ために一対の吸収用チップ電気部品61が、その一端に
て、第1のストリップライン1に並列接続せしめられ
る。各該部品61の他端は、例えばスルーホールを介
し、裏面のアース層4に接続される。
【0038】かかる吸収用チップ電気部品61として
は、チップインダクタが好適である。図9は本発明の第
8実施例を表す平面図である。これは既述の形態8に相
当する。この第8実施例の考え方は、既に述べた各実施
例のいずれにも適用できるが、本図では、既述の第1実
施例(図2)に適用した場合を例示する。この第8実施
例の考え方は、第1のストリップライン1(例えばRF
帯)から第2のストリップライン2(例えばIF帯)へ
リークする第1の信号S1を阻止し、第1の信号S1と
第2の信号S2との間のアイソレーションを一層補強す
る、というものである。このために一対の阻止用チップ
電気部品62が、第2のストリップライン2に直列接続
せしめられる。かかる阻止用チップ電気部品62として
は、チップインダクタが好適である。
【0039】図10は本発明の第9実施例を示す平面図
である。図2を参照すると、チップ電気部品(チップコ
ンデンサ)21は第1のストリップライン1の全面に亘
って横たわっているが、本第9実施例では、このチップ
コンデンサ(21)はその側面で切欠き部23上に直立
するように構成される。なお、チップコンデンサ(2
1)の両端に描かれた島状のもの(ドット付き)は、半
田を表している。
【0040】このような直立チップコンデンサの構成に
より、信号S1と信号S2の間の干渉は一層弱められ、
ストリップライン1と2の間のアイソレーションが高め
られる。このようなアイソレーションの効果が得られる
理由は正確には分からないが、多分、第1のストリップ
ライン1に沿って誘起される第1の電磁界と、第2のス
トリップライン2に沿って誘起される第2の電磁界とが
相互に干渉し難くなったからであると思われる。
【0041】図11は本発明の別の実施例を示す図であ
り、(A)はその平面図、(B)はその裏面図である。
これは既述の形態9に相当する。この図11の実施例
は、第1の信号S1と第2の信号S2との間の干渉を抑
圧するために、基板3の裏面全面に形成されるアース層
4の一部を、第1および第2のストリップライン1,2
の間に部分的に移設しようとする考え方である。すなわ
ち交差部分7は、ダミーアース層によってアイソレーシ
ョンが達成される。
【0042】このためにまず、アース層4の一部を除去
して非アース層77を形成し、その中に裏面ストリップ
ライン78を布線して、第2のスルーホール76を介
し、第2のストリップライン2と接続する。かくして、
交差部分7での第2のストリップライン2の一部に切欠
き部73を作り、ここに上記のダミーアース層となる表
面アース層74を置く。このために、第1のスルーホー
ル75により、裏面のアース層4をその表面アース層7
4につなぐ。
【0043】最後に既述した各種チップ電気部品につい
て他の実例を挙げておく。第3実施例(図4)および第
5実施例(図5)を参照すると、 (i)ここでのチップ電気部品21はチップコンデンサ
であったが、この他、チップ抵抗を用いることもでき
る。ただし、高周波帯(RF)で低抵抗値(OΩ)を示
すチップ抵抗である。
【0044】(ii)また、そのチップ電気部品21は、
上記のチップコンデンサやチップ抵抗に代えて、チップ
状銅箔とすることもできる。
【0045】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
周波ストリップライン回路基板における新規な交差スト
リップライン構造が提供される。この構造によれば、従
来の同軸線路によるブリッジからチップ電気部品による
ブリッジに代えることができ、回路基板の製造における
自動化が可能になる。これにより、工数は減少し、コス
トダウンにもつながる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るストリップライン回路構造の基本
構成を表す平面図である。
【図2】本発明の第1実施例を示す平面図である。
【図3】本発明の第2実施例を示す平面図である。
【図4】本発明の第3実施例を示す図であって、(A)
はその平面図、(B)はその裏面図である。
【図5】本発明に係る第4実施例を示す図であって、
(A)はその平面図、(B)はその裏面図である。
【図6】本発明に係る第5実施例を示す図であって、
(A)はその平面図、(B)はその側断面図である。
【図7】本発明に係る第6実施例を示す図であって、
(A)はその平面図、(B)はその側断面図である。
【図8】本発明の第7実施例を示す平面図である。
【図9】本発明の第8実施例を示す平面図である。
【図10】本発明の第9実施例を示す平面図である。
【図11】本発明の別の実施例を示す図であり、(A)
はその平面図、(B)はその裏面図である。
【図12】2つのストリップラインが交差する場合の従
来の構造を示し、(A)はその斜視図、(B)は(A)
における矢視B図である。
【符号の説明】
1…第1のストリップライン 2…第2のストリップライン 2′…高インピーダンス部分 3…基板 4…アース層 5…スルーホール 6…同軸線路 7…交差部分 11…第1のインピーダンス構造 12…第2のインピーダンス構造 21…チップ電気部品(チップコンデンサ) 22…オープンスタブ 23…切欠き部 31…チップ電気部品(チップコンデンサ) 32…非アース層 33…スルーホール 34…裏面ストリップライン 43…多層基板 44…中間層 45…スルーホール 46…中間層ストリップライン 51…チップ電気部品(チップインダクタ) 61…吸収用チップ電気部品 62…阻止用チップ電気部品 73…切欠き部 74…表面アース層 75…第1のスルーホール 76…第2のスルーホール 77…非アース層 78…裏面ストリップライン
フロントページの続き (72)発明者 丹野 康弘 宮城県仙台市青葉区一番町1丁目2番25号 富士通東北ディジタル・テクノロジ株式 会社内 (72)発明者 鈴木 寛 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の信号を伝送する第1のストリップ
    ライン(1)と、該第1の信号より低周波の第2の信号
    を伝送する第2のストリップライン(2)とが相互に交
    差して基板(3)上に配設されるストリップライン回路
    において、 前記の交差が行われる交差部分(7)において、前記第
    1の信号は通過させ前記第2の信号は阻止する第1のイ
    ンピーダンス構造(11)を、前記第1のストリップラ
    イン(1)に沿って形成し、 前記交差部分(7)において、前記第2の信号は通過さ
    せ前記第1の信号は阻止する第2のインピーダンス構造
    (12)を、前記第2のストリップライン(2)に沿っ
    て形成してなることを特徴とするストリップライン回路
    構造。
  2. 【請求項2】 前記交差部分(7)において前記第2の
    ストリップライン(2)を通過させるために前記第1の
    ストリップライン(1)に切欠き部(23)を形成し、 前記第1のインピーダンス構造(11)は、前記切欠き
    部(23)の両側を橋絡するチップ電気部品(21)か
    らなり、 前記第2のインピーダンス構造(12)は、前記交差部
    分(7)からそれぞれλ/4(λは前記第1の信号の周
    波数の逆数)のところに前記第2のストリップライン
    (2)に対し並列接続される一対のオープンスタブ(2
    2)からなる請求項1に記載のストリップライン回路構
    造。
  3. 【請求項3】 前記交差部分(7)からそれぞれ一定距
    離を置いたところに前記第1のストリップライン(1)
    に対し一対の切欠き部(23)を形成し、 前記第1のインピーダンス構造(11)は、前記一対の
    切欠き部(23)の各両側を橋絡する一対のチップ電気
    部品(21)からなり、 前記第2のインピーダンス構造(12)は、前記交差部
    分(7)からそれぞれλ/4(λは前記第1の信号の周
    波数の逆数)のところに前記第2のストリップライン
    (2)に対し並列接続される一対のオープンスタブ(2
    2)からなる請求項1に記載のストリップライン回路構
    造。
  4. 【請求項4】 表面に前記第1および第2のストリップ
    ライン(1,2)が配設される前記基板(3)の裏面に
    形成されるアース層(4)内に、前記交差部分(7)お
    よびその近傍にある前記第2のストリップライン(2)
    に対向する位置において該アース層(4)を部分的に除
    去した非アース層(32)を形成し、 前記第2のインピーダンス構造(12)は、前記非アー
    ス層(32)の両端側にそれぞれ形成される一対のスル
    ーホール(33)と、前記第2のストリップライン
    (2)を前記交差部分(7)においては該一対のスルー
    ホール(33)および該非アース層(32)を通して迂
    回させる裏面ストリップライン(34)とからなり、 前記第1のインピーダンス構造(11)は、前記第1の
    ストリップライン(1)に平行して前記非アース層(3
    2)の両端を橋絡するように配設される第1のチップ電
    気部品(21)と、前記交差部分(7)からそれぞれλ
    /4(λは前記第1の信号の周波数の逆数)のところに
    形成される前記一対のスルーホール(33)にそれぞれ
    接続し、かつ、前記アース層(4)に橋絡する一対の第
    2のチップ電気部品(31)とからなる請求項1に記載
    のストリップライン回路構造。
  5. 【請求項5】 表面に前記第1および第2のストリップ
    ライン(1,2)が配設される前記基板(3)の裏面に
    形成されるアース層(4)内に、前記交差部分(7)お
    よびその近傍にある前記第2のストリップライン(2)
    に対向する位置において該アース層(4)を部分的に除
    去した非アース層(32)を形成し、 前記第2のインピーダンス構造(12)は、前記非アー
    ス層(32)の両端側にそれぞれ形成される一対のスル
    ーホール(33)と、前記第2のストリップライン
    (2)を前記交差部分(7)においては該一対のスルー
    ホール(33)および該非アース層(32)を通して迂
    回させる裏面ストリップライン(34)とからなり、 前記第1のインピーダンス構造(11)は、前記第1の
    ストリップライン(1)に平行して前記非アース層(3
    2)の両端を橋絡するように配設されるチップ電気部品
    (21)と、前記交差部分(7)からそれぞれλ/4
    (λは前記第1の信号の周波数の逆数)のところに形成
    される前記一対のスルーホール(33)にそれぞれ接続
    して前記基板(3)の表面に配設される一対のオープン
    スタブ(22)からなる請求項1に記載のストリップラ
    イン回路構造。
  6. 【請求項6】 第1の信号を伝送する第1のストリップ
    ライン(1)と、該第1の信号より低周波の第2の信号
    を伝送する第2のストリップライン(2)とが相互に交
    差して多層基板(43)上に配設されるストリップライ
    ン回路において、 前記交差部分(7)において、前記第2の信号は通過さ
    せ前記第1の信号は阻止するインピーダンス構造(1
    3)を、前記第2のストリップライン(2)に沿って形
    成し、該インピーダンス構造(13)は、前記交差部分
    (7)からそれぞれλ/4(λは前記第1の信号の周波
    数の逆数)のところで前記多層基板(43)内の中間層
    (44)に至る一対のスルーホール(45)と、前記第
    2のストリップライン(2)を前記交差部分(7)にお
    いては該一対のスルーホール(45)および該中間層
    (44)を通して迂回させる中間層ストリップライン
    (46)と、前記一対のスルーホール(45)にそれぞ
    れ接続して前記多層基板(43)の表面に配設される一
    対のオープンスタブ(22)とからなるストリップライ
    ン回路構造。
  7. 【請求項7】 第1の信号を伝送する第1のストリップ
    ライン(1)と、該第1の信号より低周波の第2の信号
    を伝送する第2のストリップライン(2)とが相互に交
    差して多層基板(43)上に配設されるストリップライ
    ン回路において、 前記交差部分(7)において、前記第2の信号は通過さ
    せ前記第1の信号は阻止するインピーダンス構造(1
    4)を、前記第2のストリップライン(2)に沿って形
    成し、該インピーダンス構造(14)は、前記交差部分
    (7)からそれぞれ一定の距離を置いたところで前記多
    層基板(43)内の中間層(44)に至る一対のスルー
    ホール(45)と、前記第2のストリップライン(2)
    を前記交差部分(7)においては該一対のスルーホール
    (45)および該中間層(44)を通して迂回させる中
    間層ストリップライン(46)と、前記第2のストリッ
    プライン(2)にそれぞれ直列接続して前記多層基板
    (43)の表面に配設される一対のチップ電気部品(5
    1)とからなるストリップライン回路構造。
  8. 【請求項8】 前記第2のストリップライン(2)より
    前記第1のストリップライン(1)にリークする前記第
    2の信号を吸収する一対の吸収用チップ電気部品(6
    1)を、前記交差部分(7)よりそれぞれ一定距離を置
    いて、前記第1のストリップライン(1)に並列接続す
    る請求項1から7のいずれか一項に記載のストリップラ
    イン回路構造。
  9. 【請求項9】 前記第1のストリップライン(1)より
    前記第2のストリップライン(2)にリークする前記第
    1の信号を阻止する一対の阻止用チップ電気部品(6
    2)を前記交差部分(7)よりそれぞれ一定の距離を置
    いて、前記第2のストリップライン(2)に直列接続す
    る請求項1から7のいずれか一項に記載のストリップラ
    イン回路構造。
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