JPH09186148A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH09186148A JPH09186148A JP32961496A JP32961496A JPH09186148A JP H09186148 A JPH09186148 A JP H09186148A JP 32961496 A JP32961496 A JP 32961496A JP 32961496 A JP32961496 A JP 32961496A JP H09186148 A JPH09186148 A JP H09186148A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＶＤ等の工程を有する半導体製造方法にお
いて、発生するパーティクルによる装置汚染を回避し歩
留りの向上を図る。 【解決手段】 第１の不活性ガスラインから反応室内へ
不活性ガスを供給すると共に、圧力ゲージラインに連結
する第２の不活性ガスラインから反応室内へ不活性ガス
を供給する工程と、第１及び第２の不活性ガスラインか
ら反応室内へ不活性ガスを供給している状態で、反応室
内へウエハを搬入する工程と、反応室内にウエハを搬入
した後、第２の不活性ガスラインから反応室への不活性
ガスの供給を止める工程と、第２の不活性ガスラインか
らの不活性ガスの供給を止めた状態で、ウエハの処理及
び反応室内の圧力を測定する工程と、ウエハの処理後、
反応室からウエハを搬出するに際し、第２の不活性ガス
ラインから反応室内へ不活性ガスを供給する工程とから
なる。
いて、発生するパーティクルによる装置汚染を回避し歩
留りの向上を図る。 【解決手段】 第１の不活性ガスラインから反応室内へ
不活性ガスを供給すると共に、圧力ゲージラインに連結
する第２の不活性ガスラインから反応室内へ不活性ガス
を供給する工程と、第１及び第２の不活性ガスラインか
ら反応室内へ不活性ガスを供給している状態で、反応室
内へウエハを搬入する工程と、反応室内にウエハを搬入
した後、第２の不活性ガスラインから反応室への不活性
ガスの供給を止める工程と、第２の不活性ガスラインか
らの不活性ガスの供給を止めた状態で、ウエハの処理及
び反応室内の圧力を測定する工程と、ウエハの処理後、
反応室からウエハを搬出するに際し、第２の不活性ガス
ラインから反応室内へ不活性ガスを供給する工程とから
なる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に反応室内に各種プロセスガスを供給するガ
ス供給機構を用いた半導体装置の製造方法に関するもの
である。
に関し、特に反応室内に各種プロセスガスを供給するガ
ス供給機構を用いた半導体装置の製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を製造する工程では、プロセ
スガスを用いる各種の工程が行われている。その一つに
例えばＣＶＤ（chemical vapor deposition)工程があ
る。このＣＶＤ工程は、ウエハの表面に化学反応によっ
て薄膜を生成させる工程であり、ウエハを収納した反応
室の内部に、薄膜材料を構成する元素からなるプロセス
ガスと、不活性ガス等からなるキャリアガスを供給して
行われる。
スガスを用いる各種の工程が行われている。その一つに
例えばＣＶＤ（chemical vapor deposition)工程があ
る。このＣＶＤ工程は、ウエハの表面に化学反応によっ
て薄膜を生成させる工程であり、ウエハを収納した反応
室の内部に、薄膜材料を構成する元素からなるプロセス
ガスと、不活性ガス等からなるキャリアガスを供給して
行われる。
【０００３】上記の半導体製造工程では、他の半導体製
造工程と同様に、用いる製造装置の反応室内は所定の清
浄度が要求される。このため、反応室の内部を上記不活
性ガスで常に満たし、大気の侵入を極力抑えている。ま
た、反応室への製品の搬入及び搬出の際には、不活性ガ
スを反応室に供給しながらフロントドアを開け、製品の
搬送及び搬出を行っている。
造工程と同様に、用いる製造装置の反応室内は所定の清
浄度が要求される。このため、反応室の内部を上記不活
性ガスで常に満たし、大気の侵入を極力抑えている。ま
た、反応室への製品の搬入及び搬出の際には、不活性ガ
スを反応室に供給しながらフロントドアを開け、製品の
搬送及び搬出を行っている。
【０００４】上記のような反応室へのガスの供給操作
は、各半導体製造工程に用いられる製造装置に付随する
ガス供給機構によって行われている。上記ガス供給機構
は、プロセスガスラインと、圧力ゲージラインとを有し
ている。それぞれのラインは、製造装置の反応室に接続
されている。上記プロセスガスラインは、反応室の内部
にプロセスガスを供給するための配管であり、プロセス
ガスの流量制御手段が設けられている。そして、このプ
ロセスガスラインには、流量制御手段を設けた不活性ガ
スラインが接続されている。また、上記圧力ゲージライ
ンは、反応室の内部のガス圧力を測定するための配管で
あり、内部に圧力ゲージが配設されている。
は、各半導体製造工程に用いられる製造装置に付随する
ガス供給機構によって行われている。上記ガス供給機構
は、プロセスガスラインと、圧力ゲージラインとを有し
ている。それぞれのラインは、製造装置の反応室に接続
されている。上記プロセスガスラインは、反応室の内部
にプロセスガスを供給するための配管であり、プロセス
ガスの流量制御手段が設けられている。そして、このプ
ロセスガスラインには、流量制御手段を設けた不活性ガ
スラインが接続されている。また、上記圧力ゲージライ
ンは、反応室の内部のガス圧力を測定するための配管で
あり、内部に圧力ゲージが配設されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のガス供
給機構を用いた製造装置による製造方法では、以下のよ
うな問題があった。すなわち、反応室への製品の搬入及
び搬出の際には、プロセスガスラインに接続された不活
性ガスラインから、所定流量の不活性ガスを反応室に流
し込んでいる。したがって、製品と共に反応室に取り込
まれた大気は、プロセスガスラインに入り込むことはな
い。しかし、圧力ゲージラインの内部は、反応室の内部
と同じ雰囲気に保たれているので、上記大気は、反応室
から圧力ゲージラインの内部に拡散する。そして、大気
中の水分が圧力ゲージラインの内壁に吸着する。このう
ちＣＶＤ工程でも高温処理を行う場合には、反応室の温
度と比較して圧力ゲージラインの温度は低くなっている
ために、水分が吸着し易い。吸着した水分は、製品の搬
入の後に反応室内の排気を行っても除去されずに残って
しまう。特に、圧力ゲージラインは、フレキシブルチュ
ーブで形成されているために、吸着物が除去されにくい
構造になっている。
給機構を用いた製造装置による製造方法では、以下のよ
うな問題があった。すなわち、反応室への製品の搬入及
び搬出の際には、プロセスガスラインに接続された不活
性ガスラインから、所定流量の不活性ガスを反応室に流
し込んでいる。したがって、製品と共に反応室に取り込
まれた大気は、プロセスガスラインに入り込むことはな
い。しかし、圧力ゲージラインの内部は、反応室の内部
と同じ雰囲気に保たれているので、上記大気は、反応室
から圧力ゲージラインの内部に拡散する。そして、大気
中の水分が圧力ゲージラインの内壁に吸着する。このう
ちＣＶＤ工程でも高温処理を行う場合には、反応室の温
度と比較して圧力ゲージラインの温度は低くなっている
ために、水分が吸着し易い。吸着した水分は、製品の搬
入の後に反応室内の排気を行っても除去されずに残って
しまう。特に、圧力ゲージラインは、フレキシブルチュ
ーブで形成されているために、吸着物が除去されにくい
構造になっている。
【０００６】そして、上記の様な状態でＣＶＤ等の工程
を行うと、圧力ゲージラインの内壁に吸着した水分がプ
ロセスガスと反応して、反応生成物が生成され、この反
応生成物が圧力ゲージラインの内壁に堆積する。この堆
積物は、フロントドアの開閉を繰り返す毎に蓄積され、
ついにはパーティクルとなって反応室の内部に拡散す
る。拡散したパーティクルは、装置自体を汚染するばか
りでなく、処理を行うウエハ等の製品に付着し、歩留り
低下の原因となっている。
を行うと、圧力ゲージラインの内壁に吸着した水分がプ
ロセスガスと反応して、反応生成物が生成され、この反
応生成物が圧力ゲージラインの内壁に堆積する。この堆
積物は、フロントドアの開閉を繰り返す毎に蓄積され、
ついにはパーティクルとなって反応室の内部に拡散す
る。拡散したパーティクルは、装置自体を汚染するばか
りでなく、処理を行うウエハ等の製品に付着し、歩留り
低下の原因となっている。
【０００７】そこで本発明は、上記の課題を解決する為
なされた半導体の製造方法であって、斯かる製造方法に
よりプロセスガスを用いて行われる製造工程での製品歩
留りの向上を目的とするものである。
なされた半導体の製造方法であって、斯かる製造方法に
よりプロセスガスを用いて行われる製造工程での製品歩
留りの向上を目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明の製造方
法は、反応室内にプロセスガスを供給する為のプロセス
ガスラインに連結する第１の不活性ガスラインから前記
反応室内へ不活性ガスを供給すると共に、前記反応室内
の圧力を測定する圧力ゲージに接続された圧力ゲージラ
インに連結する第２の不活性ガスラインから反応室内へ
不活性ガスを供給する工程と、前記第１及び第２の不活
性ガスラインから前記反応室内へ不活性ガスを供給して
いる状態で、フロントドアから前記反応室内へウエハを
搬入する工程と、前記反応室内にウエハを搬入した後、
前記フロントドアを閉じ、前記第２の不活性ガスライン
から前記反応室への不活性ガスの供給を止める工程と、
前記第２の不活性ガスラインからの不活性ガスの供給を
止めた状態で、前記ウエハの処理及び前記反応室内の圧
力を測定する工程と、前記ウエハの処理後、前記フロン
トドアを開き前記反応室から前記ウエハを搬出するに際
し、前記第２の不活性ガスラインから前記反応室内へ不
活性ガスを供給する工程とからなることを特徴とするも
のである。
法は、反応室内にプロセスガスを供給する為のプロセス
ガスラインに連結する第１の不活性ガスラインから前記
反応室内へ不活性ガスを供給すると共に、前記反応室内
の圧力を測定する圧力ゲージに接続された圧力ゲージラ
インに連結する第２の不活性ガスラインから反応室内へ
不活性ガスを供給する工程と、前記第１及び第２の不活
性ガスラインから前記反応室内へ不活性ガスを供給して
いる状態で、フロントドアから前記反応室内へウエハを
搬入する工程と、前記反応室内にウエハを搬入した後、
前記フロントドアを閉じ、前記第２の不活性ガスライン
から前記反応室への不活性ガスの供給を止める工程と、
前記第２の不活性ガスラインからの不活性ガスの供給を
止めた状態で、前記ウエハの処理及び前記反応室内の圧
力を測定する工程と、前記ウエハの処理後、前記フロン
トドアを開き前記反応室から前記ウエハを搬出するに際
し、前記第２の不活性ガスラインから前記反応室内へ不
活性ガスを供給する工程とからなることを特徴とするも
のである。
【０００９】
【作用】反応室内にプロセスガスを供給する為のプロセ
スガスラインに連結する第１の不活性ガスラインから前
記反応室内へ不活性ガスを供給すると共に、前記反応室
内の圧力を測定する圧力ゲージに接続された圧力ゲージ
ラインに連結する第２の不活性ガスラインから反応室内
へ不活性ガスを供給するので、圧力ゲージライン内は不
活性ガスでパージされる。そして反応室内のガス圧力に
対して圧力ゲージライン内のガス圧力は高く維持され
る。しかも前記第１及び第２の不活性ガスラインから前
記反応室内へ不活性ガスを供給している状態で、フロン
トドアから前記反応室内へウエハを搬入し、前記反応室
内にウエハを搬入した後、前記フロントドアを閉じて前
記第２の不活性ガスラインから前記反応室への不活性ガ
スの供給を止めれば、圧力ゲージライン内の大気侵入は
なく圧力ゲージライン内部のガス圧力は反応室内のガス
圧力と等しく保たれる。その上前記第２の不活性ガスラ
インからの不活性ガスの供給を止めた状態で、前記ウエ
ハの処理及び前記反応室内の圧力を測定し、かつ前記ウ
エハの処理後、前記フロントドアを開き前記反応室から
前記ウエハを搬出するに際して前記第２の不活性ガスラ
インから前記反応室内へ不活性ガスを供給するので反応
室内と圧力ゲージラインの内部雰囲気は同じ状態に保た
れ、反応室内のガス圧測定精度も高くなる。
スガスラインに連結する第１の不活性ガスラインから前
記反応室内へ不活性ガスを供給すると共に、前記反応室
内の圧力を測定する圧力ゲージに接続された圧力ゲージ
ラインに連結する第２の不活性ガスラインから反応室内
へ不活性ガスを供給するので、圧力ゲージライン内は不
活性ガスでパージされる。そして反応室内のガス圧力に
対して圧力ゲージライン内のガス圧力は高く維持され
る。しかも前記第１及び第２の不活性ガスラインから前
記反応室内へ不活性ガスを供給している状態で、フロン
トドアから前記反応室内へウエハを搬入し、前記反応室
内にウエハを搬入した後、前記フロントドアを閉じて前
記第２の不活性ガスラインから前記反応室への不活性ガ
スの供給を止めれば、圧力ゲージライン内の大気侵入は
なく圧力ゲージライン内部のガス圧力は反応室内のガス
圧力と等しく保たれる。その上前記第２の不活性ガスラ
インからの不活性ガスの供給を止めた状態で、前記ウエ
ハの処理及び前記反応室内の圧力を測定し、かつ前記ウ
エハの処理後、前記フロントドアを開き前記反応室から
前記ウエハを搬出するに際して前記第２の不活性ガスラ
インから前記反応室内へ不活性ガスを供給するので反応
室内と圧力ゲージラインの内部雰囲気は同じ状態に保た
れ、反応室内のガス圧測定精度も高くなる。
【００１０】
【実施例】以下に、横型ＣＶＤ装置を用いた本発明の製
造方法を説明する。図１は、横型ＣＶＤ装置の構成図で
ある。図中Ａは、ウエハを収納する反応室であり、例え
ば円筒型の石英管等で形成されている。この反応室Ａ
は、円筒型の先端が開放されており、この開放部が処理
を行うウエハの搬送口Ｂになっている。この搬送口Ｂに
は、開閉自在のフロントドアＣが設けられている。そし
て、搬送口Ｂ付近の反応室Ａの側面には、ガス供給機構
Ｄが接続されている。また、反応室Ａの後端には、反応
室Ａの内部を減圧するための真空系Ｅが接続されてい
る。
造方法を説明する。図１は、横型ＣＶＤ装置の構成図で
ある。図中Ａは、ウエハを収納する反応室であり、例え
ば円筒型の石英管等で形成されている。この反応室Ａ
は、円筒型の先端が開放されており、この開放部が処理
を行うウエハの搬送口Ｂになっている。この搬送口Ｂに
は、開閉自在のフロントドアＣが設けられている。そし
て、搬送口Ｂ付近の反応室Ａの側面には、ガス供給機構
Ｄが接続されている。また、反応室Ａの後端には、反応
室Ａの内部を減圧するための真空系Ｅが接続されてい
る。
【００１１】上記ガス供給機構Ｄのガス系統を説明す
る。ガス供給機構Ｄのガス系統は、プロセスガスライン
Ｌ１，Ｌ２と、圧力ゲージラインＬ３とを有している。
上記プロセスガスラインＬ１，Ｌ２には、リークライン
Ｌ１１，Ｌ２１と不活性ガスラインＬ１２，Ｌ２２，Ｌ
２３が接続している。そして、上記プロセスガスライン
Ｌ１，Ｌ２と上記不活性ガスラインＬ１２，Ｌ２２，Ｌ
２３には、それぞれマスフローコントローラとエアバル
ブが配置されている。また、上記リークラインＬ１１，
Ｌ２１は、それぞれエアバルブが配置されている。一
方、上記圧力ゲージラインＬ３には、圧力ゲージ３０が
配置されると共に、不活性ガスラインＬ３２が接続して
いる。この不活性ガスラインＬ３２には、マスフローコ
ントローラとエアバルブが配置されている。
る。ガス供給機構Ｄのガス系統は、プロセスガスライン
Ｌ１，Ｌ２と、圧力ゲージラインＬ３とを有している。
上記プロセスガスラインＬ１，Ｌ２には、リークライン
Ｌ１１，Ｌ２１と不活性ガスラインＬ１２，Ｌ２２，Ｌ
２３が接続している。そして、上記プロセスガスライン
Ｌ１，Ｌ２と上記不活性ガスラインＬ１２，Ｌ２２，Ｌ
２３には、それぞれマスフローコントローラとエアバル
ブが配置されている。また、上記リークラインＬ１１，
Ｌ２１は、それぞれエアバルブが配置されている。一
方、上記圧力ゲージラインＬ３には、圧力ゲージ３０が
配置されると共に、不活性ガスラインＬ３２が接続して
いる。この不活性ガスラインＬ３２には、マスフローコ
ントローラとエアバルブが配置されている。
【００１２】上記のように構成されたガス供給機構は、
各プロセスガスラインＬ１，Ｌ２では、マスフローコン
トローラによるエアバルブの開閉によって、所定流量の
プロセスガスが反応室Ａに供給される。また、各不活性
ガスラインＬ１２，Ｌ２２，Ｌ２３に配置されたマスフ
ローコントローラによるエアバルブの開閉によって、所
定流量の不活性ガスが各不活性ガスラインＬ１２，Ｌ２
２，Ｌ２３から各プロセスガスラインＬ１，Ｌ２を通っ
て、反応室Ａに供給される。そして、それぞれのリーク
ラインＬ１１，Ｌ２１からは、各ラインの内部のガスを
リークさせることができる。一方、圧力ゲージラインＬ
３では、接続する不活性ガスラインのマスフローコント
ローラによってエアバルブの開閉を行うと、所定流量の
不活性ガスが、圧力ゲージラインＬ３から反応室Ａに供
給される。
各プロセスガスラインＬ１，Ｌ２では、マスフローコン
トローラによるエアバルブの開閉によって、所定流量の
プロセスガスが反応室Ａに供給される。また、各不活性
ガスラインＬ１２，Ｌ２２，Ｌ２３に配置されたマスフ
ローコントローラによるエアバルブの開閉によって、所
定流量の不活性ガスが各不活性ガスラインＬ１２，Ｌ２
２，Ｌ２３から各プロセスガスラインＬ１，Ｌ２を通っ
て、反応室Ａに供給される。そして、それぞれのリーク
ラインＬ１１，Ｌ２１からは、各ラインの内部のガスを
リークさせることができる。一方、圧力ゲージラインＬ
３では、接続する不活性ガスラインのマスフローコント
ローラによってエアバルブの開閉を行うと、所定流量の
不活性ガスが、圧力ゲージラインＬ３から反応室Ａに供
給される。
【００１３】上記ガス供給機構の各ラインから反応室Ａ
に供給するガスは、例えば、シリコンウエハの表面に窒
化膜を生成させるＣＶＤ工程を行う場合には、プロセス
ガスとしてアンモニア（ＮＨ3 ）と二塩化シラン（Ｓｉ
Ｈ2 Ｃｌ2 ）を用い、キャリアガスとして窒素ガス（Ｎ
2 ）を用いる。この場合、プロセスガスラインＬ１にＮ
Ｈ3 を、プロセスガスラインＬ２にＳｉＨ2 Ｃｌ2 を、
不活性ガスラインＬ１２，Ｌ２２，Ｌ２３，Ｌ３２にＮ
2 をそれぞれ配置する。
に供給するガスは、例えば、シリコンウエハの表面に窒
化膜を生成させるＣＶＤ工程を行う場合には、プロセス
ガスとしてアンモニア（ＮＨ3 ）と二塩化シラン（Ｓｉ
Ｈ2 Ｃｌ2 ）を用い、キャリアガスとして窒素ガス（Ｎ
2 ）を用いる。この場合、プロセスガスラインＬ１にＮ
Ｈ3 を、プロセスガスラインＬ２にＳｉＨ2 Ｃｌ2 を、
不活性ガスラインＬ１２，Ｌ２２，Ｌ２３，Ｌ３２にＮ
2 をそれぞれ配置する。
【００１４】以下に、ＣＶＤ工程におけるガス供給につ
いて説明する。先ず、不活性ガスで満たされた反応室Ａ
の内部に処理を行うウェハを搬入する。この場合、プロ
セスガスラインＬ１，Ｌ２に接続された各不活性ガスラ
インＬ１２，Ｌ２３から反応室Ａの内部に不活性ガスを
供給する。また、圧力ゲージラインＬ３に接続された不
活性ガスラインＬ３２からも、反応室Ａの内部に不活性
ガスを供給する。この状態でフロントドアＣを開き、ウ
エハ（図示せず）を搬送口Ｂから反応室Ａの内部に挿入
する。このとき反応室Ａの内部には、大気が取り込まれ
る。しかし、上記工程では圧力ゲージラインＬ３に接続
された不活性ガスラインＬ３２から反応室Ａに不活性ガ
スが流れているので、圧力ゲージラインＬ３の内部は不
活性ガスでパージされると共に、反応室Ａ内のガス圧力
に対して圧力ゲージラインＬ３内のガス圧力が高く保た
れる。このため、斯かる工程中には反応室Ａに取り込ま
れた大気が、圧力ゲージラインＬ３の内部に入り込むこ
とはない。
いて説明する。先ず、不活性ガスで満たされた反応室Ａ
の内部に処理を行うウェハを搬入する。この場合、プロ
セスガスラインＬ１，Ｌ２に接続された各不活性ガスラ
インＬ１２，Ｌ２３から反応室Ａの内部に不活性ガスを
供給する。また、圧力ゲージラインＬ３に接続された不
活性ガスラインＬ３２からも、反応室Ａの内部に不活性
ガスを供給する。この状態でフロントドアＣを開き、ウ
エハ（図示せず）を搬送口Ｂから反応室Ａの内部に挿入
する。このとき反応室Ａの内部には、大気が取り込まれ
る。しかし、上記工程では圧力ゲージラインＬ３に接続
された不活性ガスラインＬ３２から反応室Ａに不活性ガ
スが流れているので、圧力ゲージラインＬ３の内部は不
活性ガスでパージされると共に、反応室Ａ内のガス圧力
に対して圧力ゲージラインＬ３内のガス圧力が高く保た
れる。このため、斯かる工程中には反応室Ａに取り込ま
れた大気が、圧力ゲージラインＬ３の内部に入り込むこ
とはない。
【００１５】次いで、フロントドアＣを閉じ、これと同
時に各不活性ガスラインＬ１２，Ｌ２３，Ｌ３２からの
不活性ガスの供給を止める。そして、真空系Ｅにより、
反応室Ａの内部の真空引きを行い、ＣＶＤ工程を行う。
この真空引き及びＣＶＤ工程では、圧力ゲージラインＬ
３に接続された不活性ガスラインＬ３２からの不活性ガ
スの供給を止める。このため、この工程中圧力ゲージラ
インＬ３の内部雰囲気が、反応室Ａの内部雰囲気と同じ
状態に保たれ、反応室Ａ内のガス圧力を、圧力ゲージ３
０によって精度良く測定できる。
時に各不活性ガスラインＬ１２，Ｌ２３，Ｌ３２からの
不活性ガスの供給を止める。そして、真空系Ｅにより、
反応室Ａの内部の真空引きを行い、ＣＶＤ工程を行う。
この真空引き及びＣＶＤ工程では、圧力ゲージラインＬ
３に接続された不活性ガスラインＬ３２からの不活性ガ
スの供給を止める。このため、この工程中圧力ゲージラ
インＬ３の内部雰囲気が、反応室Ａの内部雰囲気と同じ
状態に保たれ、反応室Ａ内のガス圧力を、圧力ゲージ３
０によって精度良く測定できる。
【００１６】上記ＣＶＤ工程が終了した後、引き続き真
空系Ｅで反応室Ａの内部の真空引きを行いながら、再び
各不活性ガスラインＬ１２，Ｌ２３，Ｌ３２から反応室
Ａの内部に不活性ガスの供給を行う。これによって、反
応室Ａの内部が不活性ガスで置換される。その後、真空
系Ｅをストップして、不活性ガスの供給を続け、反応室
Ａの内部のガス圧力を大気圧に戻していく。そして、反
応室Ａの内部の減圧状態が解消されたことを確認してフ
ロントドアＣを開き、ウエハを搬送口Ｂから取り出す。
この時、反応室Ａの内部には、大気が取り込まれるが、
各不活性ガスラインＬ１２，Ｌ２３，Ｌ３２からは、引
き続き不活性ガスを流しているので、圧力ゲージライン
Ｌ３の内部に、大気が入り込むことはない。
空系Ｅで反応室Ａの内部の真空引きを行いながら、再び
各不活性ガスラインＬ１２，Ｌ２３，Ｌ３２から反応室
Ａの内部に不活性ガスの供給を行う。これによって、反
応室Ａの内部が不活性ガスで置換される。その後、真空
系Ｅをストップして、不活性ガスの供給を続け、反応室
Ａの内部のガス圧力を大気圧に戻していく。そして、反
応室Ａの内部の減圧状態が解消されたことを確認してフ
ロントドアＣを開き、ウエハを搬送口Ｂから取り出す。
この時、反応室Ａの内部には、大気が取り込まれるが、
各不活性ガスラインＬ１２，Ｌ２３，Ｌ３２からは、引
き続き不活性ガスを流しているので、圧力ゲージライン
Ｌ３の内部に、大気が入り込むことはない。
【００１７】その後、フロントドアＣを閉じ、反応室Ａ
の内部を不活性ガスで置換した後、各不活性ガスライン
Ｌ１２，Ｌ２３，Ｌ３２からの不活性ガスの供給を止
め、ＣＶＤの全工程を終了する。
の内部を不活性ガスで置換した後、各不活性ガスライン
Ｌ１２，Ｌ２３，Ｌ３２からの不活性ガスの供給を止
め、ＣＶＤの全工程を終了する。
【００１８】
【発明の効果】以上の如く、本発明の半導体製造方法に
よれば、ウエハの搬入，搬出の各工程で、第２の不活性
ガスラインから不活性ガスを供給するので、圧力ゲージ
ライン内に大気が入り込むことがない。したがってＣＶ
Ｄ工程等のプロセスガスを用いる半導体製造工程では、
反応室の内部で、大気中の水分が原因となるパーテイク
ルの発生が防止され、製品の歩留りの向上が期待され
る。さらに第２不活性ガスラインからの不活性ガスの供
給を止めた状態で、圧力ゲージにより圧力の測定をする
ので、反応室内と圧力ゲージラインの内部雰囲気が同じ
状態に保たれ、反応室内のガス圧力を精度よく測定でき
る。
よれば、ウエハの搬入，搬出の各工程で、第２の不活性
ガスラインから不活性ガスを供給するので、圧力ゲージ
ライン内に大気が入り込むことがない。したがってＣＶ
Ｄ工程等のプロセスガスを用いる半導体製造工程では、
反応室の内部で、大気中の水分が原因となるパーテイク
ルの発生が防止され、製品の歩留りの向上が期待され
る。さらに第２不活性ガスラインからの不活性ガスの供
給を止めた状態で、圧力ゲージにより圧力の測定をする
ので、反応室内と圧力ゲージラインの内部雰囲気が同じ
状態に保たれ、反応室内のガス圧力を精度よく測定でき
る。
【図１】本発明の製造方法に供せられる横型減圧ＣＶＤ
装置の構成図である。
装置の構成図である。
Ａ 反応室 Ｌ１，Ｌ２ プロセスガスライン Ｌ３ 圧力ゲージライン Ｌ３２ 不活性ガスライン
Claims (1)
- 【請求項１】 反応室内にプロセスガスを供給する為の
プロセスガスラインに連結する第１の不活性ガスライン
から前記反応室内へ不活性ガスを供給すると共に、前記
反応室内の圧力を測定する圧力ゲージに接続された圧力
ゲージラインに連結する第２の不活性ガスラインから反
応室内へ不活性ガスを供給する工程と、 前記第１及び第２の不活性ガスラインから前記反応室内
へ不活性ガスを供給している状態で、フロントドアから
前記反応室内へウエハを搬入する工程と、 前記反応室内にウエハを搬入した後、前記フロントドア
を閉じ、前記第２の不活性ガスラインから前記反応室へ
の不活性ガスの供給を止める工程と、 前記第２の不活性ガスラインからの不活性ガスの供給を
止めた状態で、前記ウエハの処理及び前記反応室内の圧
力を測定する工程と、 前記ウエハの処理後、前記フロントドアを開き前記反応
室から前記ウエハを搬出するに際し、前記第２の不活性
ガスラインから前記反応室内へ不活性ガスを供給する工
程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32961496A JP3153138B2 (ja) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32961496A JP3153138B2 (ja) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09186148A true JPH09186148A (ja) | 1997-07-15 |
| JP3153138B2 JP3153138B2 (ja) | 2001-04-03 |
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ID=18223330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32961496A Expired - Fee Related JP3153138B2 (ja) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3153138B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006111617A1 (en) * | 2005-04-22 | 2006-10-26 | Beneq Oy | Reactor |
-
1996
- 1996-12-10 JP JP32961496A patent/JP3153138B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006111617A1 (en) * | 2005-04-22 | 2006-10-26 | Beneq Oy | Reactor |
| EP1874979A4 (en) * | 2005-04-22 | 2008-11-05 | Beneq Oy | REACTOR |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3153138B2 (ja) | 2001-04-03 |
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