JPH0918152A - Low temperature fired circuit board - Google Patents

Low temperature fired circuit board

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JPH0918152A
JPH0918152A JP7165175A JP16517595A JPH0918152A JP H0918152 A JPH0918152 A JP H0918152A JP 7165175 A JP7165175 A JP 7165175A JP 16517595 A JP16517595 A JP 16517595A JP H0918152 A JPH0918152 A JP H0918152A
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Abstract

PURPOSE: To obtain an integrally low temperature fired circuit board having a surface wiring conductor excellent in practicality, e.g. solder wettability, in which bonding reliability is enhanced while suppressing warpaqe of board. CONSTITUTION: An Ag based conductor film, serving as a surface wiring conductor 2, is formed on an unfired board made of a glass-ceramic material and then the conductor film is fired integrally with the unfired board thus producing a low temperature fired circuit board. The Ag based surface wiring conductor contains 0.2-1wt.% of Cu2 O for the metallic component.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、基板材料に、ガラス−
セラミック材料を用いて、低温、例えば800〜105
0℃で焼成可能な低温焼成回路基板に関するものであ
り、特に、信頼性の高い表面配線導体を有する低温焼成
回路基板に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
Low temperature, eg 800-105, using ceramic material
The present invention relates to a low temperature fired circuit board that can be fired at 0 ° C., and particularly to a low temperature fired circuit board having a highly reliable surface wiring conductor.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、基板の焼成温度を800〜1
050℃と比較的低い温度で焼成可能な材料の検討がさ
れてきた。これは、例えば多層回路基板において、内部
配線導体やビアホール導体をAg系、Cu系、Au系な
どの低抵抗材料を用いることにより、回路の高速化を図
るためである。このようなAg系、Cu系、Au系など
の低抵抗材料は、融点が比較的低いことから、融点以下
の温度で焼成可能な基板材料が研究されてきた。
2. Description of the Related Art Conventionally, the baking temperature of a substrate is 800 to 1
Materials that can be fired at temperatures as low as 050 ° C. have been investigated. This is because, for example, in a multilayer circuit board, the internal wiring conductor and the via-hole conductor are made of a low resistance material such as Ag-based, Cu-based, or Au-based to speed up the circuit. Since low-resistance materials such as Ag-based, Cu-based, and Au-based materials have relatively low melting points, substrate materials that can be fired at a temperature below the melting point have been studied.

【0003】このような基板材料として、一般にガラス
−セラミック材料、例えば、コージェライト、ムライ
ト、アノートサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイ
ト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライト、オオスミ
ライト及びその置換誘導体などの結晶相のうち少なくと
も1種類を析出し得る低融点ガラス成分とクリストバラ
イト、石英、コランダム(αアルミナ)のうち少なくと
も1種類のセラミック材料(無機物フィラー)とをから
なっていた。特に、このようなガラス−セラミック基板
の混合比率はセラミック材料が10〜60wt%、低融
点ガラス成分が90wt%〜40wt%と、低融点ガラ
ス成分が多いものであった。
[0003] Such substrate materials are generally glass-ceramic materials such as cordierite, mullite, anorthite, serdian, spinel, garnite, willemite, dolomite, petalite, osumilite and substituted derivatives thereof. It consisted of a low melting point glass component capable of precipitating at least one of them, and at least one kind of ceramic material (inorganic filler) among cristobalite, quartz and corundum (α-alumina). In particular, the mixing ratio of such a glass-ceramic substrate was such that the ceramic material was 10 to 60 wt%, the low melting glass component was 90 to 40 wt%, and the low melting glass component was large.

【0004】実際、このような基板材料を用いて、回路
基板を構成するには、回路基板の表面に表面配線導体を
形成する必要がある。また、製造工程上、基板の焼成と
表面配線導体の焼成工程を共通化して、製造方法の簡略
化を図ることが考えられていた。
In fact, in order to construct a circuit board using such a board material, it is necessary to form a surface wiring conductor on the surface of the circuit board. Further, in the manufacturing process, it has been considered to simplify the manufacturing method by sharing the firing process of the substrate and the firing process of the surface wiring conductor.

【0005】基板と一体的に焼成される表面配線導体と
しては、Ag系導体やCu系導体などが例示できる。し
かしながら、表面配線導体にICチップなどをワイヤボ
ンディング細線で接続するためには、専らAg系導体に
限られていた。
[0005] Examples of the surface wiring conductor integrally fired with the substrate include an Ag-based conductor and a Cu-based conductor. However, in order to connect an IC chip or the like to the surface wiring conductor by a wire bonding fine wire, the conductor is limited to the Ag-based conductor.

【0006】従来、基板と一体的に焼成されるAg系表
面配線導体は、例えば金属成分中約99wt%Ag系金
属粉末、金属成分中約1wt%Pt系金属粉末、ホウケ
イ酸系低融点ガラス、有機バインダー、有機溶剤を均質
混合したAg系導電性ペーストを用いて、未焼成状態の
基板(単板または内部に配線導体膜が形成された多層基
板)上に、スクリーン印刷で所定形状の導体膜を形成
し、基板と一体的に酸化性雰囲気、大気雰囲気でピーク
温度800〜1050℃で焼成することによって形成さ
れていた。
Conventionally, an Ag-based surface wiring conductor that is integrally fired with a substrate is, for example, about 99 wt% Ag-based metal powder in the metal component, about 1 wt% Pt-based metal powder in the metal component, borosilicate low-melting glass, A conductive film of a predetermined shape is screen-printed on an unbaked substrate (a single plate or a multilayer substrate having a wiring conductive film formed therein) using an Ag-based conductive paste in which an organic binder and an organic solvent are homogeneously mixed. And was fired at a peak temperature of 800 to 1050 ° C. integrally with the substrate in an oxidizing atmosphere and an air atmosphere.

【0007】特に、表面配線導体を形成するための表面
配線用Ag系導電性ペーストに含まれるホウケイ酸系低
融点ガラスの添加量は、例えば金属成分に対して1.0
wt%程度であり、焼成された基板上に後に焼きつけす
る場合の表面配線用Ag系導電性ペーストに含まれるホ
ウケイ酸系低融点ガラスの添加量(金属成分に対して
3.0〜5.0wt%程度)に比較して非常に少なくな
っている。これは、表面配線導体が基板と一体的に焼成
される場合、焼成処理中において基板材料のガラス成分
が表面配線導体に大きく影響し、基板の表面にまで多量
のガラス成分が析出してくるためである。
In particular, the addition amount of the borosilicate low melting point glass contained in the surface wiring Ag-based conductive paste for forming the surface wiring conductor is, for example, 1.0 with respect to the metal component.
It is about wt%, and the addition amount of the borosilicate low melting point glass contained in the Ag conductive paste for surface wiring when it is baked on the baked substrate later (3.0 to 5.0 wt% with respect to the metal component). %), Which is very small compared to This is because when the surface wiring conductor is integrally fired with the substrate, the glass component of the substrate material greatly affects the surface wiring conductor during the firing process, and a large amount of glass component is deposited even on the surface of the substrate. Is.

【0008】そして、上述のように表面配線導体及び基
板とが一体的に形成された回路基板としては、表面配線
導体上に、厚膜抵抗体膜や絶縁保護膜を被着形成し、さ
らに、各種電子部品などが半田を介して接続されて達成
されていた。
As a circuit board in which the surface wiring conductor and the substrate are integrally formed as described above, a thick film resistor film or an insulating protective film is adhered and formed on the surface wiring conductor, and further, This has been achieved by connecting various electronic components and the like via solder.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のように
形成された表面配線導体の初期強度は1.5kgf/2
mm□以上、例えば3.3kgf/2mm□と非常に強
固なものであるが、温度サイクル(−40℃〜125
℃、各30分)試験後の強度は1.0kgf/2mm□
以下となり、例えば、電子部品などを実装した後、過酷
な環境で使用された場合、基板と表面配線導体との接合
信頼性が低くなってしまう。
However, the initial strength of the surface wiring conductor formed as described above is 1.5 kgf / 2.
mm □ or more, for example, 3.3 kgf / 2 mm □, which is extremely strong, but has a temperature cycle (−40 ° C. to 125 ° C.).
The strength after the test is 1.0 kgf / 2 mm □
The following results, for example, when the electronic component is mounted and then used in a harsh environment, the joint reliability between the substrate and the surface wiring conductor becomes low.

【0010】これは、Ag系表面配線導体を構成するA
g粒子と、基板材料のガラス成分とのアンカー効果(A
g粒子と基板材料のガラス成分との界面でスパイク構造
が形成され、両者が強固に接合しあう)が、スパイク構
造が脆弱な場合、熱的に過酷な条件が加わると、スパイ
ク構造が破壊されてしまうと考えられる。
This is A constituting an Ag-based surface wiring conductor.
Anchor effect between g particles and glass component of substrate material (A
A spike structure is formed at the interface between the g particles and the glass component of the substrate material, and they are strongly bonded to each other.) However, if the spike structure is fragile, the spike structure is destroyed when thermally severe conditions are applied. It is thought that it will end up.

【0011】本発明は上述の問題点に問題点に鑑みて案
出されたものであり、その目的は、表面の半田濡れ性に
優れ、温度サイクル(−40℃〜125℃、各30分)
試験後であっても充分な接着強度の表面配線導体を有す
る実用性に優れた低温焼成回路基板を提供するものであ
る。
The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems, and an object thereof is excellent in solder wettability on the surface and temperature cycle (-40 ° C to 125 ° C, 30 minutes each).
It is intended to provide a low-temperature fired circuit board which has a surface wiring conductor having a sufficient adhesive strength even after the test and is excellent in practicality.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は、ガラス−セラ
ミック材料からなる未焼成基板上に、表面配線導体とな
るAgを主成分とする金属粉末から成る導体膜を形成し
た後、前記導体膜及び未焼成基板とを一体的に焼結して
成る低温焼成回路基板において、前記表面配線導体に、
Cu2 Oを含有させることである。
According to the present invention, a conductor film made of a metal powder containing Ag as a main component, which is a surface wiring conductor, is formed on an unfired substrate made of a glass-ceramic material, and then the conductor film is formed. And a low-temperature fired circuit board obtained by integrally sintering a non-fired board, the surface wiring conductor,
It is to contain Cu 2 O.

【0013】このましくは、前記Cu2 Oは、金属粉末
10wt%に対して0.2〜1wt%含有している。
Preferably, the Cu 2 O is contained in an amount of 0.2 to 1 wt% with respect to 10 wt% of the metal powder.

【0014】[0014]

【作用】本発明によれば、表面配線導体を、ガラス−セ
ラミックからなる未焼成の基板上に、Ag系導電性ペー
ストを用いて印刷・乾燥を行い、一体的に焼成して形成
するが、この時、Ag系導電性ペースト中にCu2 Oを
添加しておくことにより、特に、Ag系導電性ペースト
を構成するAg粒子への基板材料のガラス成分によるア
ンカー効果が助長され、これにより温度サイクル(−4
0℃〜125℃、各30分)試験をおこなっても、接着
強度が劣化することを防止できる。Ag粉末の焼成時に
発生する収縮反応を遅らせることができ、これにより、
基板の反りも有効に防止することができる。
According to the present invention, the surface wiring conductor is formed by printing and drying an Ag-based conductive paste on an unfired substrate made of glass-ceramic and integrally firing it. At this time, by adding Cu 2 O to the Ag-based conductive paste, in particular, the anchor effect of the glass component of the substrate material on the Ag particles forming the Ag-based conductive paste is promoted. Cycle (-4
Even if a test is performed at 0 ° C. to 125 ° C. for 30 minutes each, deterioration of the adhesive strength can be prevented. It is possible to delay the shrinkage reaction that occurs during the firing of the Ag powder, which allows
The warp of the substrate can also be effectively prevented.

【0015】特に、Cu2 Oの添加量が、0.2〜1w
t%に設定すると、温度サイクル(−40℃〜125
℃、各30分)試験後であっても、接着強度が1.0K
gf/2mm□と非常に優れ、且つ表面の半田濡れ性も
優れた低温焼成回路基板となる。
In particular, the amount of Cu 2 O added is 0.2 to 1 w.
When set to t%, the temperature cycle (-40 ℃ ~ 125
Even after the test, the adhesive strength is 1.0K.
The low-temperature fired circuit board has an excellent gf / 2 mm □ and also has excellent solder wettability on the surface.

【0016】[0016]

【実施例】以下、本発明の低温焼成回路基板を図面に基
づいて説明する。図1は、本発明に係る低温焼成回路基
板の断面図である。尚、実施例では、基板として、ガラ
ス−セラミック層を5層積層して成る多層回路基板で説
明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A low temperature firing circuit board of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of a low temperature firing circuit board according to the present invention. In the examples, a multi-layer circuit board formed by laminating five glass-ceramic layers will be described as the board.

【0017】図1において、10は低温焼回路基板であ
り、1は、内部に所定回路を構成する内部配線導体を有
する積層体、2は積層体1の表面に形成した表面配線導
体、3は内部配線導体、4はビアホール導体、5は厚膜
抵抗膜であり、6は各種電子部品である。
In FIG. 1, reference numeral 10 is a low temperature fired circuit board, 1 is a laminate having internal wiring conductors forming a predetermined circuit therein, 2 is a surface wiring conductor formed on the surface of the laminate 1, and 3 is a surface wiring conductor. Internal wiring conductors, 4 are via-hole conductors, 5 is a thick film resistance film, and 6 is various electronic parts.

【0018】積層体1は、ガラス−セラミック層1a〜
1eと、ガラス−セラミック層1a〜1eの各層間に
は、所定回路網を達成するや容量成分を発生するための
内部配線導体3が配置されている。また、ガラス−セラ
ミック層1a〜1eには、その層の厚み方向を貫くビア
ホール導体4が形成されている。
The laminated body 1 comprises a glass-ceramic layer 1a.
An internal wiring conductor 3 for achieving a predetermined circuit network and generating a capacitance component is arranged between each of the layers 1e and the glass-ceramic layers 1a to 1e. Further, via-hole conductors 4 are formed in the glass-ceramic layers 1a to 1e so as to extend through the thickness direction of the layers.

【0019】ガラス−セラミック層1a〜1eは、例え
ば850〜1050℃前後の比較的低い温度で焼成可能
にするガラス−セラミック材料からなる。具体的なセラ
ミック材料としては、クリストバライト、石英、コラン
ダム(αアルミナ)、ムライト、コージライトなどが例
示できる。また、ガラス材料として複数の金属酸化物を
含むガラスフリットを焼成処理することによって、コー
ジェライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、ス
ピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタ
ライトやその置換誘導体の結晶を少なくとも1種類を析
出するものである。このガラス−セラミック層1a〜1
eの厚みは例えば100〜300μm程度である。
The glass-ceramic layers 1a to 1e are made of a glass-ceramic material that can be fired at a relatively low temperature, for example, around 850 to 1050 ° C. Specific examples of the ceramic material include cristobalite, quartz, corundum (α-alumina), mullite, and cordierite. In addition, by firing a glass frit containing a plurality of metal oxides as a glass material, at least one kind of crystal of cordierite, mullite, anorthite, Celsian, spinel, garnite, willemite, dolomite, petalite or a substituted derivative thereof is obtained. Is deposited. This glass-ceramic layer 1a-1
The thickness of e is, for example, about 100 to 300 μm.

【0020】内部配線導体3、ビアホール導体4は、A
g系(Ag単体、Ag−PdなどのAg合金)など導体
からなり、内部配線導体3の厚みは8〜15μm程度で
あり、ビアホール導体4の直径は任意な値とすることが
できるが、例えば直径は80〜250μmである。
The internal wiring conductor 3 and the via-hole conductor 4 are A
The internal wiring conductor 3 has a thickness of about 8 to 15 μm, and the diameter of the via-hole conductor 4 can be set to an arbitrary value, for example, although it is made of a conductor such as g-based (Ag simple substance, Ag alloy such as Ag-Pd). The diameter is 80 to 250 μm.

【0021】また、積層体1の両主面には、表面配線導
体2が形成されている。表面配線導体2は、金属酸化物
Cu2 Oを含有するAg系(Ag単体、Ag−Pdなど
のAg合金)導体から成る。
Surface wiring conductors 2 are formed on both main surfaces of the laminate 1. The surface wiring conductor 2 is composed of an Ag-based (Ag simple substance, Ag alloy such as Ag-Pd) conductor containing a metal oxide Cu 2 O.

【0022】また、表面配線導体2のAg系導体は、積
層体1の焼成時に同時に焼成されて形成されるものであ
り、電子部品6をAg系の表面配線導体2上に半田接合
したときに、Ag系表面配線導体2に半田食われが発生
しないように、Ag系導体にPtなどを若干添加されて
いる。
The Ag-based conductor of the surface wiring conductor 2 is formed by firing at the same time as the firing of the laminate 1, and when the electronic component 6 is soldered onto the Ag-based surface wiring conductor 2. , Pt or the like is slightly added to the Ag-based conductor so that solder erosion does not occur in the Ag-based surface wiring conductor 2.

【0023】表面配線導体2は、入出力端子部分や電子
部品搭載パッドを含むものであり、必要に応じて、厚膜
抵抗体膜5や絶縁保護膜が形成され、さらにチップ状コ
ンデンサ、チップ状抵抗、トランジスタ、ICなどの各
種電子部品6などが半田やワイヤボンディングなどによ
って搭載されている。
The surface wiring conductor 2 includes an input / output terminal portion and an electronic component mounting pad. If necessary, a thick film resistor film 5 and an insulating protective film are formed on the surface wiring conductor 2, and a chip-shaped capacitor and a chip-shaped capacitor. Various electronic components 6 such as resistors, transistors, and ICs are mounted by soldering, wire bonding, or the like.

【0024】上述の低温焼成回路の製造方法について説
明する。
A method of manufacturing the above low temperature firing circuit will be described.

【0025】積層セラミック回路基板1の製造方法は、
まず、ガラス−セラミック層1a〜1eとなるガラス−
セラミック材料から成るグリーンシートを形成する。具
体的には、セラミック粉末、低融点ガラス成分のフリッ
ト、有機バインダ、有機溶剤を均質混練したスラリー
を、ドクタブレード法によって所定厚みにテープ成型し
て、所定大きさに切断してシートを作成する。
The method for manufacturing the laminated ceramic circuit board 1 is as follows.
First, glass-ceramic layers 1a to 1e
A green sheet made of a ceramic material is formed. Specifically, a ceramic powder, a frit of a low-melting glass component, an organic binder, and a slurry obtained by homogeneously kneading an organic solvent are tape-formed to a predetermined thickness by a doctor blade method, and cut into a predetermined size to form a sheet. .

【0026】セラミック粉末は、クリストバライト、石
英、コランダム(αアルミナ)、ムライト、コージライ
トなどの絶縁セラミック材料、BaTiO3 、Pb4
2Nb2 12、TiO2 などの誘電体セラミック材
料、Ni−Znフェライト、Mn−Znフェライト(広
義の意味でセラミックという)なとの磁性体セラミック
材料などが挙げられ、その平均粒径1.0〜6.0μ
m、好ましくは1.5〜4.0μmに粉砕したものを用
いる。尚、セラミック材料は2種以上混合して用いられ
てもよい。特に、コランダムを用いた場合、コスト的に
有利となる。
The ceramic powder is an insulating ceramic material such as cristobalite, quartz, corundum (α-alumina), mullite or cordierite, BaTiO 3 , Pb 4 F.
e 2 Nb 2 O 12, the dielectric ceramic material, such as TiO 2, Ni-Zn ferrite, (referred to ceramic in a broad sense) Mn-Zn ferrite Do to as magnetic ceramic material can be mentioned, its average particle size 1 0.0-6.0μ
m, preferably 1.5 to 4.0 μm. Note that two or more ceramic materials may be used in combination. In particular, the use of corundum is advantageous in terms of cost.

【0027】低融点ガラス成分のフリットは、焼成処理
することによってコージェライト、ムライト、アノーサ
イト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイ
ト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶や
スピネル構造の結晶相を析出するものであればよく、例
えば、B2 3 、SiO2 、Al2 3 、ZnO、アル
カリ土類酸化物を含むガラスフリットが挙げられる。こ
の様なガラスフリットは、ガラス化範囲が広くまた屈伏
点が600〜800℃付近にあるため、850〜105
0℃程度の低温焼成に適し、Ag系内部配線導体3、A
g系表面配線導体2となる導体膜との焼結挙動が近似し
ている。尚、このガラスフリットの平均粒径は、1.0
〜6.0μm、好ましくは1.5〜3.5μmである。
The low-melting-point glass component frit is subjected to firing treatment to precipitate crystals of cordierite, mullite, anorthite, sergian, spinel, garnite, willemite, dolomite, petalite or a derivative thereof or a spinel structure. Any material such as glass frit containing B 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 , ZnO, or an alkaline earth oxide can be used. Such a glass frit has a wide vitrification range and a yield point of about 600 to 800 ° C.
Suitable for firing at a low temperature of about 0 ° C, Ag-based internal wiring conductor 3, A
The sintering behavior with the conductor film serving as the g-based surface wiring conductor 2 is similar. The average particle size of the glass frit is 1.0
66.0 μm, preferably 1.5-3.5 μm.

【0028】上述のセラミック材料とガラス材料との構
成比率は、850〜1050℃の比較的低温で焼成する
場合には、セラミック材料が10〜60wt%、好まし
くは30〜50wt%であり、ガラス材料が90〜40
wt%、好ましくは70〜50wt%である。
The composition ratio of the above-mentioned ceramic material and glass material is such that when firing at a relatively low temperature of 850 to 1050 ° C., the ceramic material is 10 to 60 wt%, preferably 30 to 50 wt%. Is 90-40
wt%, preferably 70 to 50 wt%.

【0029】有機バインダは、固形分(セラミック粉
末、低融点ガラス成分のフリット)との濡れ性も重視す
る必要があり、比較的低温で且つ短時間の焼成工程で焼
失できるように熱分解性に優れたものが好ましく、アク
リル酸もしくはメタクリル酸系重合体のようなカルボキ
シル基、アルコール性水酸基を備えたエチレン性不飽和
化合物が好ましい。
It is necessary to give importance to the wettability of the organic binder with the solid content (ceramic powder, frit of a low melting point glass component), and the organic binder is thermally decomposable so that it can be burned out at a relatively low temperature and in a short firing process. An excellent one is preferable, and an ethylenically unsaturated compound having a carboxyl group or an alcoholic hydroxyl group such as an acrylic acid or methacrylic acid polymer is preferable.

【0030】溶剤として、有機系溶剤、水系溶剤を用い
ることができる。例えば、有機溶剤の場合には、2.
2.4−トリメチル−1.3−ペンタジオールモノイソ
ベンチートなどが用いられ、水系溶剤の場合には、水溶
性である必要があり、モノマー及びバインダには、親水
性の官能基、例えばカルボキシル基が付加されている。
As the solvent, an organic solvent or an aqueous solvent can be used. For example, in the case of an organic solvent, 2.
For example, 2.4-trimethyl-1.3-pentadiol monoisoventilate is used. In the case of an aqueous solvent, it must be water-soluble, and a hydrophilic functional group such as carboxyl is contained in the monomer and the binder. A group has been added.

【0031】その付加量は酸価で表せば2〜300あ
り、好ましくは5〜100である。付加量が少ない場合
は水への溶解性、固定成分の粉末の分散性が悪くなり、
多い場合は熱分解性が悪くなるため、付加量は、水への
溶解性、分散性、熱分解性を考慮して、上述の範囲で適
宜付加される。
The amount of addition is 2 to 300, preferably 5 to 100, when expressed as an acid value. If the added amount is small, the solubility in water, the dispersibility of the powder of the fixed component becomes poor,
When the amount is large, the thermal decomposability deteriorates. Therefore, the addition amount is appropriately added in the above range in consideration of solubility in water, dispersibility, and thermal decomposability.

【0032】次に、ガラス−セラミック層1a〜1eと
なるグリーンシートの夫々に、各層のビアホール導体4
の形成位置に、所定径の貫通穴をパンチングによって形
成する。
Next, the via-hole conductor 4 of each layer is formed on each of the green sheets to be the glass-ceramic layers 1a to 1e.
A through hole having a predetermined diameter is formed by punching at the forming position.

【0033】次に、グリーンシートの貫通穴に、ビアホ
ール導体4の導体をAg系導電性ペーストを印刷・充填
するとともに、ガラス−セラミック層1b〜1eとなる
グリーンシート上に、各内部配線導体3となる導体膜を
印刷し、乾燥処理を行う。
Next, the conductor of the via-hole conductor 4 is printed and filled with Ag-based conductive paste in the through hole of the green sheet, and each internal wiring conductor 3 is formed on the green sheet to be the glass-ceramic layers 1b to 1e. A conductive film to be used is printed and dried.

【0034】ここで、内部配線用のAg系導電性ペース
トは、Ag系(Ag単体、Ag−PdなどのAg合金)
導電性粉末、必要に応じて所定量のホウケイ酸系低融点
ガラスフリット、エチルセルロースなどの有機バインダ
ー、溶剤を均質混合したものが用いられる。
Here, the Ag-based conductive paste for internal wiring is Ag-based (Ag simple substance, Ag alloy such as Ag-Pd).
A conductive powder, a predetermined amount of a borosilicate low-melting glass frit, an organic binder such as ethyl cellulose, and a solvent in which a solvent is homogeneously mixed are used as necessary.

【0035】また、ガラス−セラミック層1aとなるグ
リーンシート上に、表面配線導体2となる導体膜を表面
配線用のAg系導電性ペーストを用いて印刷し、乾燥処
理を行う。
On the green sheet which becomes the glass-ceramic layer 1a, a conductor film which becomes the surface wiring conductor 2 is printed by using Ag-based conductive paste for surface wiring, and dried.

【0036】ここで、表面配線用のAg系導電性ペース
トは、Ag系(Ag単体、Ag−PdなどのAg合金)
粉末、Pt粉末、所定量のCu2 O粉末、有機バインダ
ー、溶剤を均質混合したものが用いられる。尚、Cu2
O以外の微量の金属酸化物が含有していても構わない。
Here, the Ag-based conductive paste for surface wiring is Ag-based (Ag simple substance, Ag alloy such as Ag-Pd).
Powder, Pt powder, a predetermined amount of Cu 2 O powder, an organic binder, and a homogeneous mixture of a solvent are used. Cu 2
A trace amount of metal oxide other than O may be contained.

【0037】このようにビアホール導体4となる導体、
内部配線導体3となる導体膜、表面配線導体2となる導
体膜が形成されたグリーンシートを、積層体1のガラス
−セラミック層1a〜1eの積層順に応じて積層一体化
する。
In this way, the conductor that becomes the via-hole conductor 4,
The green sheet on which the conductor film serving as the internal wiring conductor 3 and the conductor film serving as the surface wiring conductor 2 are formed is laminated and integrated in accordance with the lamination order of the glass-ceramic layers 1 a to 1 e of the laminate 1.

【0038】次に、未焼成の積層体を、酸化性雰囲気ま
たは大気雰囲気で焼成処理する。焼成処理は、脱バイン
ダ過程と焼結過程からなる。
Next, the unfired laminate is fired in an oxidizing atmosphere or an air atmosphere. The firing process includes a binder removal process and a sintering process.

【0039】脱バインダ過程は、ガラス−セラミック層
1a〜1eとなるグリーンシート、内部配線導体3とな
る導体膜、ビアホール導体4となる導体、表面配線導体
2となる導体膜に含まれる有機成分を焼失するためのも
のであり、例えば600℃以下の温度領域で行われる。
In the binder removal process, the organic components contained in the green sheets to be the glass-ceramic layers 1a to 1e, the conductor film to be the internal wiring conductor 3, the conductor to be the via-hole conductor 4 and the conductor film to be the surface wiring conductor 2 will be described. It is for burning out, and is performed, for example, in a temperature range of 600 ° C. or lower.

【0040】また、焼結過程は、ガラス−セラミックの
グリーンシートのガラス成分を結晶化させると同時にセ
ラミック粉末の粒界に均一に分散させ、積層体に一定強
度を与え、内部配線導体3となる導体膜、ビアホール導
体4となる導体、表面配線導体2となる導体膜の導電材
料、例えば、Ag系粉末を粒成長させて、低抵抗化さ
せ、ガラス−セラミック層1a〜1eと一体化させるも
のである。これは、ピーク温度850〜1050℃に達
するまでに行われる。
In the sintering process, the glass component of the glass-ceramic green sheet is crystallized, and at the same time, it is uniformly dispersed in the grain boundaries of the ceramic powder to give the laminated body a certain strength to form the internal wiring conductor 3. A conductor film, a conductor to be the via-hole conductor 4, and a conductive material of the conductor film to be the surface wiring conductor 2, for example, Ag-based powder is grain-grown to reduce the resistance and be integrated with the glass-ceramic layers 1a to 1e. Is. This is done until a peak temperature of 850-1050 <0> C is reached.

【0041】これにより、表面配線導体2が形成された
積層体が達成され、その後、必要に応じて、表面配線導
体2に接続する厚膜抵抗素子5や絶縁保護膜を形成し
て、各種電子部品6を半田などで接合・実装を行う。
As a result, a laminated body in which the surface wiring conductor 2 is formed is achieved, and thereafter, if necessary, a thick film resistance element 5 and an insulating protective film connected to the surface wiring conductor 2 are formed, and various electronic components are formed. The parts 6 are joined and mounted by soldering or the like.

【0042】これにより、表面配線導体2が積層体1と
一体的に焼成処理された低温焼成回路基板が達成するこ
とになる。
As a result, a low temperature firing circuit board in which the surface wiring conductor 2 is fired integrally with the laminate 1 is achieved.

【0043】本発明において、積層体1と一体的に焼成
処理される表面配線導体2は、表面配線用Ag系導電性
ペーストを詳細に説明すると、たとえば、平均粒径3μ
mのAg粉末と平均粒径0.5μmのPt粉末と、Cu
2 O粉末の金属酸化物と、エチルセルロースなどの有機
バインダー、ペンタンジオールイソブレートなどの有機
溶剤が均質混合されて形成される。
In the present invention, the surface wiring conductor 2 that is integrally fired with the laminate 1 is, for example, an Ag-based conductive paste for surface wiring.
m Ag powder, Pt powder with an average particle size of 0.5 μm, and Cu
It is formed by homogeneously mixing a metal oxide of 2 O powder, an organic binder such as ethyl cellulose, and an organic solvent such as pentanediol isobrate.

【0044】ここで、Ag粉末は導電性を与える主要な
導電材料であり、金属成分中、例えば約99wt%の割
合で添加されている。
Here, the Ag powder is a main conductive material that gives conductivity, and is added in a ratio of about 99 wt% in the metal component.

【0045】ここで、Pt粉末は、表面配線導体2上に
電子部品7などを半田を介して接合した時にAg成分が
半田に食われることを防止するために添加するものであ
り、金属成分中、例えば約1wtの割合で添加されてい
る。
Here, the Pt powder is added to prevent the Ag component from being eaten by the solder when the electronic component 7 or the like is joined onto the surface wiring conductor 2 through the solder, and the Pt powder is contained in the metal component. , For example, about 1 wt.

【0046】Cu2 Oの金属酸化物の粉末は、Ag系粉
末と、例えば積層体1のガラス−セラミック材料のガラ
ス成分とのアンカー効果のスパイク構造をより強固にす
るものであり、全金属成分(Ag、Pt)に対して0.
1〜2wt%の範囲で添加されている。
The Cu 2 O metal oxide powder further strengthens the spike structure of the anchor effect between the Ag-based powder and the glass component of the glass-ceramic material of the laminated body 1, for example. 0 for (Ag, Pt).
It is added in the range of 1 to 2 wt%.

【0047】上述のように、表面配線導体2となるAg
系導電性ペーストに、Cu2 O粉末を添加しているた
め、上述のようにアンカー効果によるスパイク構造を従
来以上に助長させることができる。これは、Ag系粒子
の凹凸表面に、ガラス−セラミック材料のガラス成分を
安定に付着させることができ、これにより、長期にわた
り、アンカー効果を持続・維持させることができ、積層
体1と表面配線導体2との接着強度が長期にわたり安定
させることができる。さらに、Cu2 Oは、主に積層体
1との表面配線導体2のとの界面部分に作用するため、
表面配線導体2の表面に析出されることが少ないため、
表面配線導体2の表面において、半田の濡れ性を阻害す
ることがない。
As described above, Ag which becomes the surface wiring conductor 2
Since Cu 2 O powder is added to the system conductive paste, the spike structure due to the anchor effect can be further promoted as described above. This allows the glass component of the glass-ceramic material to be stably adhered to the uneven surface of the Ag-based particles, whereby the anchor effect can be maintained and maintained for a long time, and the laminate 1 and the surface wiring can be maintained. The adhesive strength with the conductor 2 can be stabilized for a long time. Furthermore, since Cu 2 O acts mainly on the interface between the laminate 1 and the surface wiring conductor 2,
Since it is less likely to be deposited on the surface of the surface wiring conductor 2,
The wettability of the solder is not hindered on the surface of the surface wiring conductor 2.

【0048】〔実験例〕本発明者は、積層体1と一体的
に焼成される表面配線導体2について、特に、Cu2
の及ぼす影響を調べた。
[Experimental Example] The inventor of the present invention has found that the surface wiring conductor 2 integrally fired with the laminated body 1 is made of Cu 2 O.
The effect of was investigated.

【0049】表面配線用Ag系導電性ペーストとして、
表1に示す固形成分のペーストを作成した。尚、有機バ
インダー、有機溶剤などは省略した。
As an Ag-based conductive paste for surface wiring,
The solid component pastes shown in Table 1 were prepared. The organic binder and organic solvent are omitted.

【0050】試料の積層体を形成するにあたり、基板材
料であるガラス−セラミック材料は、アノーサイト系の
結晶を析出し得るガラス成分とアルナ粉末とからなる2
00μmのグリーンシートを5枚作成し、積層体の下側
となるグリーンシート上に内部配線用のAg系導電性ペ
ーストで所定パターンの導体膜を、最上層となるグリー
ンシート上に、表1に示す表面配線用Ag系導電性ペー
ストで所定形状の導体膜を夫々形成した後、積層圧着を
行い、大気雰囲気中で950℃で焼成処理した。
In forming the laminated body of the sample, the glass-ceramic material which is the substrate material is composed of the glass component capable of precipitating anorthite type crystals and the aluna powder.
Five green sheets with a thickness of 00 μm were prepared, and a conductive film having a predetermined pattern was formed on the lower green sheet of the laminated body with an Ag-based conductive paste for internal wiring. After forming conductive films of a predetermined shape with the Ag-based conductive paste for surface wiring shown in the drawing, lamination and pressure bonding were performed, and baking treatment was performed at 950 ° C. in the air atmosphere.

【0051】〔半田濡れ性の評価〕このようにして得ら
れた試料をロジン系フラックス溶液に浸漬した後、23
0℃の2%Ag入りSn−Pb共晶半田浴中に浸漬し、
表面配線導体2の表面の半田濡れ性を調べた。半田濡れ
性は、全表面面積に対して90%以上の面積で半田が付
着しているものを「優」として、それ以下を「劣」とし
た。
[Evaluation of Solder Wettability] After dipping the sample thus obtained in a rosin-based flux solution, 23
Immerse in a Sn-Pb eutectic solder bath containing 0% 2% Ag,
The solder wettability of the surface of the surface wiring conductor 2 was examined. Regarding the solder wettability, a solder having 90% or more of the total surface area on which solder was adhered was defined as "excellent", and a solder wettability thereof was defined as "poor".

【0052】〔接着強度の評価〕接着強度は2mm□の
表面配線導体2に0.6mmφの鉛メッキ導線を半田接
合して、ピール法で、初期状態の接着強度、−40
℃〜125℃、各30分を100サイクルを施した温度
サイクル試験(サイクル)後の接着強度をそれぞれ調べ
た。
[Evaluation of Adhesive Strength] A lead-plated conductive wire of 0.6 mmφ is soldered to the surface wiring conductor 2 having an adhesive strength of 2 mm □, and the adhesive strength in the initial state is −40 by the peel method.
The adhesive strength after a temperature cycle test (cycle) in which 100 cycles of 30 ° C. to 125 ° C. and 30 minutes each, respectively, was examined.

【0053】本発明では、初期状態で2.0kgf/2
mm□以上、サイクル試験後で1.0kgf/2mm□
以上が信頼性の高い表面配導体とした。
In the present invention, the initial state is 2.0 kgf / 2.
More than mm □, 1.0kgf / 2mm □ after cycle test
The above is a highly reliable surface conductor.

【0054】〔基板の反りの評価〕また、焼成後の寸法
で8.5mm角の表面配線導体2を形成し、積層体一の
反りの状況を測定するとともに、外観での積層体の変色
の状況を測定した。
[Evaluation of Warp of Substrate] Further, the surface wiring conductor 2 having a size of 8.5 mm square was formed after firing, and the state of warpage of the laminate 1 was measured and the appearance of the laminate was discolored. The situation was measured.

【0055】本発明では、基板の反りが0.03mmを
越えるものはと、実用性に劣る回路基板とした。
In the present invention, a circuit board having a warp of more than 0.03 mm is considered to be inferior in practicality.

【0056】その結果を、表1に合わせて示す。The results are also shown in Table 1.

【0057】[0057]

【表1】 [Table 1]

【0058】上述の表1から明らかのように、表面配線
用Ag系導電性ペーストに金属酸化物として、所定量の
Cu2 O粉末を添加すること(試料1、2)によって、
初期の接着強度で2.0Kgf/2mm□を達成し、し
かも、−40℃〜125℃、各30分を100サイクル
を施した温度サイクル試験(サイクル)後の接着強度で
も1.0Kgf/2mm□以上の1.5〜1.6Kgf
/2mm□を達成している。
As is clear from Table 1 above, by adding a predetermined amount of Cu 2 O powder as a metal oxide to the Ag wiring type conductive paste for surface wiring (Samples 1 and 2),
The initial adhesive strength of 2.0 Kgf / 2 mm □ was achieved, and the adhesive strength was also 1.0 Kgf / 2 mm □ after the temperature cycle test (cycle) in which 100 cycles were performed at -40 ° C to 125 ° C for 30 minutes each. Above 1.5-1.6 Kgf
/ 2mm □ has been achieved.

【0059】即ち、過酷な条件に晒されても、長期的に
表面配線導体2と積層体1と接着強度が高く、且つ安定
した低温焼成回路基板が達成されることが分かる。
That is, it can be seen that even when exposed to harsh conditions, a low-temperature fired circuit board having a high adhesive strength between the surface wiring conductor 2 and the laminated body 1 and stable for a long period of time can be achieved.

【0060】これに対して、金属酸化物として、SiO
2 を添加した場合(試料4)、通常のホウケイ酸系低融
点ガラスフリットを添加した場合(試料5)では、初期
状態の接着強度は、夫々2.6Kgf/2mm□、3.
3Kgf/2mm□と非常に高い値を示すものの、温度
サイクル試験後では、0.7Kgf/2mm□と急激に
低下してしまい、長期的に強固な接着強度を維持でき
ず、表面配線導体と積層体との接着信頼性が低い低温焼
成回路基板となってしまう。
On the other hand, as the metal oxide, SiO
When 2 was added (Sample 4) and the usual borosilicate low melting point glass frit was added (Sample 5), the adhesive strength in the initial state was 2.6 Kgf / 2 mm □ and 3.
Although it shows a very high value of 3 Kgf / 2 mm □, it rapidly decreases to 0.7 Kgf / 2 mm □ after the temperature cycle test, and it cannot maintain a strong adhesive strength for a long period of time, and is laminated with the surface wiring conductor. This results in a low-temperature fired circuit board with low reliability of adhesion to the body.

【0061】次に、表面配線用Ag系導電性ペーストに
金属酸化物Cu2 O粉末の添加量を検討すると、試料3
に示すように、添加量が金属成分に対して1.5wt%
となると、基板の反りが0.21mmと急激に大きくな
り実質的に回路基板として用いることができなくなる。
Next, the amount of the metal oxide Cu 2 O powder added to the Ag wiring conductive paste for surface wiring was examined.
As shown in, the addition amount is 1.5 wt% with respect to the metal component.
In that case, the warp of the substrate rapidly increases to 0.21 mm, and it cannot be practically used as a circuit substrate.

【0062】また、試料6に示すように、Cu2 Oの添
加量が0となると、試料4、5と同様に、初期状態の接
着強度は、夫々2.6Kgf/2mm□、3.3Kgf
/2mm□と非常に高い値を示すものの、温度サイクル
試験後では、0.7Kgf/2mm□と急激に低下して
しまい、長期的に強固な接着強度を維持できず、表面配
線導体と積層体との接着信頼性が低い低温焼成回路基板
となり、しかも、基板の反りが0.05mmと非常に大
きいものとなり、実質的に回路基板として用いることが
できなくなる。
As shown in sample 6, when the added amount of Cu 2 O was 0, the adhesive strength in the initial state was 2.6 Kgf / 2 mm □ and 3.3 Kgf, respectively, as in samples 4 and 5.
Although it shows a very high value of / 2 mm □, it drops sharply to 0.7 Kgf / 2 mm □ after the temperature cycle test, and it cannot maintain a strong adhesive strength for a long period of time, and the surface wiring conductor and the laminated body It becomes a low temperature firing circuit board having low adhesion reliability with, and the warp of the board is as large as 0.05 mm, so that it cannot be practically used as a circuit board.

【0063】このことから、第2の発明に示すように、
表面配線導体2として、金属成分に対して、Cu2 Oを
添加し、具体的には0.2wt%以上添加することが重
要であり、上限として、1.5wt%未満、具体的に
は、1.2wt%以下の範囲で添加量することが、半田
の濡れ性に優れ、基板の反りが少なく、初期状態、サイ
クル試験などの過酷な条件をおこなっても接着強度の高
い表面配線導体となり、長期にわたり接着信頼性の高い
低温焼成回路基板となる。
From this, as shown in the second invention,
As the surface wiring conductor 2, it is important to add Cu 2 O to the metal component, specifically 0.2 wt% or more, and the upper limit is less than 1.5 wt%, specifically, If the addition amount is 1.2 wt% or less, the solder wettability is excellent, the warp of the substrate is small, and the surface wiring conductor has high adhesive strength even under severe conditions such as initial conditions and cycle tests, It will be a low temperature firing circuit board with high adhesion reliability for a long time.

【0064】尚、上述の実施例において、基板として、
複数のガラス−セラミック層1a〜1eが積層し、その
間に内部配線導体3を有する積層回路基板で説明した
が、未焼成状態のガラス−セラミック材料からなる単板
であっても構わない。
In the above embodiment, the substrate is
Although the description has been given of the laminated circuit board in which the plurality of glass-ceramic layers 1a to 1e are laminated and the internal wiring conductor 3 is provided therebetween, a single plate made of an unfired glass-ceramic material may be used.

【0065】また、積層体の形成工程がグリーンシート
の積層による方法で説明したが、ガラス−セラミック材
のペーストを順次印刷した印刷多層により積層体を形成
してもよく、また、ガラス−セラミック材からなるスリ
ッフプ材に光硬化モノマーを添加して、ビアホール導体
となる貫通穴を露光・現像によって形成する方法を含む
積層体の形成方法であってもよく、要は未焼成状態の基
板(積層体)の表面に表面配線用のAg系導電性ペース
トを用いて、表面配線導体となる導体膜を形成し、その
後、基板(積層体)と同時に焼成した低温焼成回路基板
であれば、基板(積層体)の構造・形成方法は任意に変
更できる。
Further, although the method of forming the laminated body has been described by the method of laminating the green sheets, the laminated body may be formed by a printing multilayer in which the paste of the glass-ceramic material is sequentially printed. A method of forming a laminated body including a method of adding a photocurable monomer to a slip-up material made of, and forming a through hole to be a via-hole conductor by exposure and development may be used. In the case of a low-temperature fired circuit board in which a conductor film to be a surface wiring conductor is formed on the surface of (1) by using an Ag-based conductive paste for surface wiring and then fired at the same time as the board (laminated body), The structure and forming method of the body can be arbitrarily changed.

【0066】また、上述の表面配線用Ag系導電性ペー
ストとは、上述のようにpt粉末を若干添加したもので
あってもよく、その主成分がAg系(Ag単体、またた
Ag合金)粉末であるものを言い、さらに、Ag系とし
ては、上述のAg粉末であってもよく、また、Ag−P
d合金のようよに、Ag系合金粉末であっても構わな
い。
The above-mentioned Ag-based conductive paste for surface wiring may be the one to which a small amount of pt powder has been added as described above, the main component of which is Ag-based (Ag simple substance or Ag alloy). The above-mentioned Ag powder may be used as the Ag-based material, and Ag-P may be used.
Like the d alloy, it may be an Ag-based alloy powder.

【0067】さらに、Ag系材料を主成分とする金属材
料に対して、金属酸化物として、Cu2 Oを添加した
が、表面配線導体2の半田濡れ性を阻害しない範囲で、
その他の金属酸化物が微量に含まれていても構わない。
Further, Cu 2 O was added as a metal oxide to a metal material containing an Ag-based material as a main component, but the solder wettability of the surface wiring conductor 2 was not impaired.
Minor amounts of other metal oxides may be included.

【0068】[0068]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、表面配線
導体を、ガラス−セラミックからなる未焼成の基板上
に、Cu2 Oを含むAg系導電性ペーストを用いて印刷
・乾燥を行い、一体的に焼成して形成した低温焼成回路
基板である。
As described above, according to the present invention, the surface wiring conductor is printed and dried on the unfired substrate made of glass-ceramic by using the Ag-based conductive paste containing Cu 2 O. Is a low temperature firing circuit board formed by integrally firing.

【0069】このように、Ag系の表面配線導体にCu
2 Oが含まれることにより、表面配線導体のAg粒子へ
の基板材料のガラス成分からのアンカー効果が助長さ
れ、長期にわたり安定且つ強固な接着強度が維持でき、
接着信頼性に優れた低温焼成回路基板となる。また、基
板の反りも有効に防止することができ、実用性に優れた
低温焼成回路基板となる。
As described above, Cu is added to the Ag-based surface wiring conductor.
By containing 2 O, the anchor effect from the glass component of the substrate material to the Ag particles of the surface wiring conductor is promoted, and stable and strong adhesive strength can be maintained for a long period of time.
It becomes a low temperature firing circuit board with excellent adhesion reliability. Further, the warp of the substrate can be effectively prevented, and the low temperature firing circuit substrate is excellent in practicality.

【0070】また、Cu2 Oの添加量を0.2〜1wt
%に設定すると、接着信頼性、基板の反りに加え、表面
の半田濡れ性も優れた低温焼成回路基板となる。
The amount of Cu 2 O added is 0.2 to 1 wt.
When set to%, in addition to the adhesion reliability and the warpage of the board, the low temperature firing circuit board has excellent solder wettability on the surface.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る低温焼成回路基板の断面図であ
る。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a low temperature firing circuit board according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10・・・・・・積層セラミック回路基板 1・・・・・・・積層体 1a〜1e・・・セラミック層 3・・・・・・・内部配線導体 4・・・・・・・ビアホール導体 2・・・・・・・表面配線導体 10-Layered ceramic circuit board 1-Layered body 1a to 1e-Ceramic layer 3-Internal wiring conductor 4-Via-hole conductor 2 ... Surface wiring conductor

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ガラス−セラミック材料からなる未焼成基
板上に、表面配線導体となるAgを主成分とする金属粉
末から成る導体膜を形成した後、前記導体膜及び未焼成
基板とを一体的に焼結して成る低温焼成回路基板におい
て、 前記表面配線導体に、Cu2 Oを含有させることを特徴
とする低温焼成回路基板。
1. A non-fired substrate made of a glass-ceramic material is formed with a conductor film made of a metal powder containing Ag as a main component, which is a surface wiring conductor, and then the conductor film and the non-fired substrate are integrally formed. A low-temperature fired circuit board obtained by sintering to, wherein the surface wiring conductor contains Cu 2 O.
【請求項2】前記表面配線導体のCu2 Oは、金属粉末
100wt%に対して0.2〜1wt%含有することを
特徴とする請求項1記載の低温焼成回路基板。
2. The low temperature firing circuit board according to claim 1, wherein Cu 2 O of the surface wiring conductor is contained in an amount of 0.2 to 1 wt% with respect to 100 wt% of the metal powder.
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