JPH09181295A - 共振トンネリング電子装置 - Google Patents
共振トンネリング電子装置Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＰＶＲを増加してスイッチング装置及び論理装
置の性能を向上せしめ得る共振トンネリング電子装置を
提供する。 【解決手段】本発明の共振トンネリング電子装置は、エ
ミッタ１とコレクタ７との間に複数の量子バリヤ層２、
４、６及び量子井戸層３、５を順次交互に積層すること
によって、各量子バリヤの高さが漸進的に増加すると共
に、量子バリヤ層の間に形成された各量子井戸の幅が漸
進的に減少するように形成して、バリヤの高さと量子井
戸の高さとが非対称となるように形成することで、量子
バリヤ及び量子井戸の構造を調節し、トンネリングする
電流を容易に制御する。
置の性能を向上せしめ得る共振トンネリング電子装置を
提供する。 【解決手段】本発明の共振トンネリング電子装置は、エ
ミッタ１とコレクタ７との間に複数の量子バリヤ層２、
４、６及び量子井戸層３、５を順次交互に積層すること
によって、各量子バリヤの高さが漸進的に増加すると共
に、量子バリヤ層の間に形成された各量子井戸の幅が漸
進的に減少するように形成して、バリヤの高さと量子井
戸の高さとが非対称となるように形成することで、量子
バリヤ及び量子井戸の構造を調節し、トンネリングする
電流を容易に制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ヘテロ接合量子井
戸構造を有する共振トンネリング電子装置に関し、特
に、ＰＶＲ(Peak to Valley Ratio)が増加してスイッチ
ング装置及び論理装置の性能を向上させることができる
共振トンネリング電子装置に関する。
戸構造を有する共振トンネリング電子装置に関し、特
に、ＰＶＲ(Peak to Valley Ratio)が増加してスイッチ
ング装置及び論理装置の性能を向上させることができる
共振トンネリング電子装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、数十年間分子線エピタキシー（Ｍ
ＢＥ）、金属有機化合物蒸着法（ＭＯＣＶＤ）のような
半導体成長技術の発展に応じてヘテロ接合構造を用いる
半導体装置の開発が活性化されてきた。このようなヘテ
ロ接合装置に於いては、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ、ＧａＡｓ
／ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ及びＩｎＡｓ／Ｚ
ｎＴｅのようなヘテロ接合構造のバンドラインアップ(b
and line-up)による量子井戸構造で現す電子の量子束縛
状態を考えて、電子の共振トンネル効果に対して研究が
進んでいる。
ＢＥ）、金属有機化合物蒸着法（ＭＯＣＶＤ）のような
半導体成長技術の発展に応じてヘテロ接合構造を用いる
半導体装置の開発が活性化されてきた。このようなヘテ
ロ接合装置に於いては、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ、ＧａＡｓ
／ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ及びＩｎＡｓ／Ｚ
ｎＴｅのようなヘテロ接合構造のバンドラインアップ(b
and line-up)による量子井戸構造で現す電子の量子束縛
状態を考えて、電子の共振トンネル効果に対して研究が
進んでいる。
【０００３】このような共振トンネル効果によって電子
の移動速度及び遷移時間がかなり早くなることによっ
て、素子をテラレベル(tera level)の速度で駆動せしめ
ることができる。特に、共振トンネリングによる電流の
ＮＤＲ(negative differentialresistance)特性は、早
いスイッチング時間及び低い電力消費のため、超高速の
スイッチング装置、マイクロ波素子及び論理素子に応用
される。従って、そのようなＮＤＲ特性を有する半導体
装置に於いては、高いピーク(peak)電流及び高いＰＶＲ
は素子の性能向上に重要な要因として作用する。
の移動速度及び遷移時間がかなり早くなることによっ
て、素子をテラレベル(tera level)の速度で駆動せしめ
ることができる。特に、共振トンネリングによる電流の
ＮＤＲ(negative differentialresistance)特性は、早
いスイッチング時間及び低い電力消費のため、超高速の
スイッチング装置、マイクロ波素子及び論理素子に応用
される。従って、そのようなＮＤＲ特性を有する半導体
装置に於いては、高いピーク(peak)電流及び高いＰＶＲ
は素子の性能向上に重要な要因として作用する。
【０００４】量子井戸を用いる従来の電子装置の中の一
つが、Appl.Phys.Lett., Vol.45, No.12, p1319-1321,
December1984, 「Quantum well oscilltors」の論文に開
示されている。
つが、Appl.Phys.Lett., Vol.45, No.12, p1319-1321,
December1984, 「Quantum well oscilltors」の論文に開
示されている。
【０００５】上記の従来の量子井戸発信器は典型的に、
図１に示すように、メサの直径が３μｍである。各層の
構造は、ｎ+ＧａＡｓ基板１０の上に分子線エピタキシ
ー法によって成長される。ＧａＡｓ薄膜層１４は、第１
のＧａ0.7Ａｌ0.3Ａｓ薄膜層１２と第２のＧａ0.7Ａｌ
0.3Ａｓ薄膜層１６との間に介在されており、第２のＧ
ａ0.7Ａｌ0.3Ａｓ薄膜層１６の上にはＧａＡｓ層１８が
形成されている。第１及び第２のＧａ0.7Ａｌ0.3Ａｓ薄
膜層１２、１６にアルミニウムが含まれることによっ
て、ＧａＡｓ薄膜層１４のバンドギャップ(band gap)よ
りも大きくなり、この領域が電子に対する透明ミラーと
しての働きを果たして、電荷は５０Ａ厚さのバリヤ（薄
膜層１４）を通じて伝送されてトンネリングされる。
図１に示すように、メサの直径が３μｍである。各層の
構造は、ｎ+ＧａＡｓ基板１０の上に分子線エピタキシ
ー法によって成長される。ＧａＡｓ薄膜層１４は、第１
のＧａ0.7Ａｌ0.3Ａｓ薄膜層１２と第２のＧａ0.7Ａｌ
0.3Ａｓ薄膜層１６との間に介在されており、第２のＧ
ａ0.7Ａｌ0.3Ａｓ薄膜層１６の上にはＧａＡｓ層１８が
形成されている。第１及び第２のＧａ0.7Ａｌ0.3Ａｓ薄
膜層１２、１６にアルミニウムが含まれることによっ
て、ＧａＡｓ薄膜層１４のバンドギャップ(band gap)よ
りも大きくなり、この領域が電子に対する透明ミラーと
しての働きを果たして、電荷は５０Ａ厚さのバリヤ（薄
膜層１４）を通じて伝送されてトンネリングされる。
【０００６】これらの二つのミラーは、入射電子エネル
ギーの関数として電子伝送においてピークを有する電子
ファブリ・ペロー(Fabry-Perot)の分類を形成する。
ギーの関数として電子伝送においてピークを有する電子
ファブリ・ペロー(Fabry-Perot)の分類を形成する。
【０００７】前述した構成からなる従来の量子井戸共振
器は、低い電力で高い周波数源として役目を果たす。
器は、低い電力で高い周波数源として役目を果たす。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の装置は、量子井戸層と量子障壁（バリヤ）層とが対
称的な幅及び高さ即ち、同一の厚さで形成されるので、
ピーク電流の減少を防止し、且つバリヤ効果を増加する
には不都合がある。
来の装置は、量子井戸層と量子障壁（バリヤ）層とが対
称的な幅及び高さ即ち、同一の厚さで形成されるので、
ピーク電流の減少を防止し、且つバリヤ効果を増加する
には不都合がある。
【０００９】従って、本発明の目的は、量子束縛準位等
のシュタルクシフト(stark shift)による整列を通じて
共振トンネリング効果が増加することによって、ピーク
電流の量及び実効バリヤの高さが増加することになり、
谷(valley)電流の減少に応じてＰＶＲを増加せしめるこ
とによって、スイッチング装置及び論理装置の性能を向
上せしめ得る共振トンネリング電子装置を提供すること
にある。
のシュタルクシフト(stark shift)による整列を通じて
共振トンネリング効果が増加することによって、ピーク
電流の量及び実効バリヤの高さが増加することになり、
谷(valley)電流の減少に応じてＰＶＲを増加せしめるこ
とによって、スイッチング装置及び論理装置の性能を向
上せしめ得る共振トンネリング電子装置を提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、エミッタ層とコレクタ層との間に複数の
量子バリヤ及び量子井戸を有する共振トンネリング電子
装置であって、前記エミッタの方から前記コレクタの方
へ形成された量子バリヤ有効エネルギー障壁の高さが増
加するように積層されており、前記量子バリヤの間に介
在された量子井戸の幅が減少するように形成されること
を特徴とする。
めに本発明は、エミッタ層とコレクタ層との間に複数の
量子バリヤ及び量子井戸を有する共振トンネリング電子
装置であって、前記エミッタの方から前記コレクタの方
へ形成された量子バリヤ有効エネルギー障壁の高さが増
加するように積層されており、前記量子バリヤの間に介
在された量子井戸の幅が減少するように形成されること
を特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて、図２及び図３を参照しながら詳細に説明する。
ついて、図２及び図３を参照しながら詳細に説明する。
【００１２】本発明による共振トンネリング電子装置の
概略構成を図２に示す。図２において、１は導電型エミ
ッタ層Ｅ、２は第１量子障壁層、３は第１量子井戸層、
４は第２量子障壁層、５は第２量子井戸層、６は第３量
子障壁層、７は導電型コレクタ層Ｃ、８は基板を示す。
概略構成を図２に示す。図２において、１は導電型エミ
ッタ層Ｅ、２は第１量子障壁層、３は第１量子井戸層、
４は第２量子障壁層、５は第２量子井戸層、６は第３量
子障壁層、７は導電型コレクタ層Ｃ、８は基板を示す。
【００１３】本発明の第１の実施形態による装置は、図
２に示す構成において、エミッタ層１側からコレクタ層
７側の方向で、量子障壁（バリア）層２、４、６の障壁
の高さが漸進的に増加すると共に、前者の量子井戸層
３、５の量子井戸の幅が漸進的に減少するように、量子
障壁量２、４、６と量子井戸層３、５とが交互に形成さ
れた構造を有している。
２に示す構成において、エミッタ層１側からコレクタ層
７側の方向で、量子障壁（バリア）層２、４、６の障壁
の高さが漸進的に増加すると共に、前者の量子井戸層
３、５の量子井戸の幅が漸進的に減少するように、量子
障壁量２、４、６と量子井戸層３、５とが交互に形成さ
れた構造を有している。
【００１４】本発明の第２の実施形態による装置は、図
２に示す構成において、エミッタ層１とコレクタ層７と
の間の量子障壁層２、４、６の量子障壁の高さが漸進的
に減少すると共に、前者の量子井戸層３、５の量子井戸
の幅が漸進的に増加するように、量子障壁量２、４、６
と量子井戸層３、５が交互に形成された構造を有してい
る。
２に示す構成において、エミッタ層１とコレクタ層７と
の間の量子障壁層２、４、６の量子障壁の高さが漸進的
に減少すると共に、前者の量子井戸層３、５の量子井戸
の幅が漸進的に増加するように、量子障壁量２、４、６
と量子井戸層３、５が交互に形成された構造を有してい
る。
【００１５】以上のような構造を有する本発明の共振ト
ンネリング電子装置は、２つ以上の量子井戸構造（３つ
以上の量子障壁構造）を備え、電子の量子束縛状態(qua
ntum-confined states)を提供する量子井戸層の量子井
戸の幅(quantum-well width)を漸進的に減少（または増
加）させ、量子障壁層の量子障壁の高さ(quantum-well
height)を漸進的に増加（または減少）させる方法の非
対称的な組合構造で構成される。
ンネリング電子装置は、２つ以上の量子井戸構造（３つ
以上の量子障壁構造）を備え、電子の量子束縛状態(qua
ntum-confined states)を提供する量子井戸層の量子井
戸の幅(quantum-well width)を漸進的に減少（または増
加）させ、量子障壁層の量子障壁の高さ(quantum-well
height)を漸進的に増加（または減少）させる方法の非
対称的な組合構造で構成される。
【００１６】従って、外部電圧の印加の際、電子の量子
束縛準位等の整列が生じ得、整列された状態により共振
トンネリング効果が増大され得る共振電圧の際にはピー
ク電流が増加し、非共振電圧の際には従来の対称的共振
トンネリング構造に比べて、電圧降下によるバリヤの高
さの減少を補って実効バリヤ高さを増加することによっ
て、谷電流が減少されるという効果を奏する。
束縛準位等の整列が生じ得、整列された状態により共振
トンネリング効果が増大され得る共振電圧の際にはピー
ク電流が増加し、非共振電圧の際には従来の対称的共振
トンネリング構造に比べて、電圧降下によるバリヤの高
さの減少を補って実効バリヤ高さを増加することによっ
て、谷電流が減少されるという効果を奏する。
【００１７】図３〜図５は、各電圧下における各層内で
導電バンドの最低準位とバランスバンドの最高準位を示
すエネルギー帯域図(energy band diagram)である。
導電バンドの最低準位とバランスバンドの最高準位を示
すエネルギー帯域図(energy band diagram)である。
【００１８】図３は、熱平衡状態における共振トンネリ
ング電子装置（ＲＴＤ）構造層のエネルギー帯域を示
す。熱平衡状態ではエネルギー帯域が平坦な状態とな
る。
ング電子装置（ＲＴＤ）構造層のエネルギー帯域を示
す。熱平衡状態ではエネルギー帯域が平坦な状態とな
る。
【００１９】図４は、共振トンネリングの動作状態での
エネルギー帯域を示す。電子の共振トンネリング電圧
（Ｖｅｒ）下では、電子の束縛準位の整列が起こり、共
振トンネリング現象が起こる。
エネルギー帯域を示す。電子の共振トンネリング電圧
（Ｖｅｒ）下では、電子の束縛準位の整列が起こり、共
振トンネリング現象が起こる。
【００２０】図５は、電子のオフ共振トンネリング電圧
(electron off-resonant voltage)（Ｖｅｏｒ）を印加
した際、高い有効障壁層により谷電流(valley current)
が減少する状態でのエネルギー帯域を示す。このような
状態では、共振トンネリング電圧（Ｖｅｒ）時の動作状
態で整列された量子準位の間に、次のような関係式が成
り立つ。
(electron off-resonant voltage)（Ｖｅｏｒ）を印加
した際、高い有効障壁層により谷電流(valley current)
が減少する状態でのエネルギー帯域を示す。このような
状態では、共振トンネリング電圧（Ｖｅｒ）時の動作状
態で整列された量子準位の間に、次のような関係式が成
り立つ。
【００２１】 EQI+Ver｛(2L-2LBI-LQI)/2L}=EQII+Veor｛(2LBIII-2LQII)/2L} …（数１） 上記数１において、ＥQIは電子の第１量子井戸の量子束
縛準位、ＥQIIは電子の第２量子井戸の量子束縛準位、
ＬQIは第１量子井戸の幅、ＬQIIは第２量子井戸の幅、
ＬBIは第１量子バリヤの高さ、ＬBIIは第２量子バリヤ
の高さ、ＬBIIIは第３量子バリヤの有効障壁の高さ、Ｖ
erは共振トンネリング電圧、Ｖeorは非共振トンネリン
グ電圧を各々表す。
縛準位、ＥQIIは電子の第２量子井戸の量子束縛準位、
ＬQIは第１量子井戸の幅、ＬQIIは第２量子井戸の幅、
ＬBIは第１量子バリヤの高さ、ＬBIIは第２量子バリヤ
の高さ、ＬBIIIは第３量子バリヤの有効障壁の高さ、Ｖ
erは共振トンネリング電圧、Ｖeorは非共振トンネリン
グ電圧を各々表す。
【００２２】オフ共振電圧の際には、従来の対称的共振
トンネリング構造に比べて、高い有効障壁の高さを増加
させられるし、電圧降下によるバリヤの高さの減少を補
って、谷電流が減少されるという効果を奏する。上記の
図３〜図５から分かるように、量子井戸束縛準位等は各
量子井戸の幅及び量子バリヤの高さによって制御される
ことができる。
トンネリング構造に比べて、高い有効障壁の高さを増加
させられるし、電圧降下によるバリヤの高さの減少を補
って、谷電流が減少されるという効果を奏する。上記の
図３〜図５から分かるように、量子井戸束縛準位等は各
量子井戸の幅及び量子バリヤの高さによって制御される
ことができる。
【００２３】更に、エミッタとコレクタとの間にドーピ
ング(doping)されないスペース層、即ちバッファ層を、
例えば全体の両者井戸層と両者バリア層との間に形成し
て、エミッタ側でコレクタ側に流れる電流を緩衝させる
構成としても良い。
ング(doping)されないスペース層、即ちバッファ層を、
例えば全体の両者井戸層と両者バリア層との間に形成し
て、エミッタ側でコレクタ側に流れる電流を緩衝させる
構成としても良い。
【００２４】また、３個以上の量子井戸構造を用いる場
合、量子束縛準位の数が増加して多様性が提供される。
即ち、電子の量子井戸層の非対称的組合せ構造及びシュ
タルク効果によって、様々な多重層の組合せの整列が可
能することになる。
合、量子束縛準位の数が増加して多様性が提供される。
即ち、電子の量子井戸層の非対称的組合せ構造及びシュ
タルク効果によって、様々な多重層の組合せの整列が可
能することになる。
【００２５】従って、本発明に基づく共振トンネリング
電子装置によれば、電子の共振トンネリング電子装置構
造は電子の共振トンネリング効果を増大せしめてピーク
電流を増加し、実効バリヤの高さを増加せしめて谷電流
を減少することによって、電流のＰＶＲが増加すること
になる。
電子装置によれば、電子の共振トンネリング電子装置構
造は電子の共振トンネリング効果を増大せしめてピーク
電流を増加し、実効バリヤの高さを増加せしめて谷電流
を減少することによって、電流のＰＶＲが増加すること
になる。
【００２６】その結果、改善された超高速論理装置及び
スイッチング装置などに適用することができる。更に、
共振トンネリング構造の変化、即ち、位置変化、ヘテロ
接合物質の選択による量子井戸及び量子準位の変化、及
び量子井戸準位の個数の変化に従って様々な形態を有す
る半導体装置をデザインすることができる。つまり、様
々な形態のデザインで、量子束縛準位のシュタルクシフ
トによる整列の組合わせを調整することによって、多重
ピークの形成ができて論理素子の個数を減らし得る新た
な高速論理素子にも応用可能である。
スイッチング装置などに適用することができる。更に、
共振トンネリング構造の変化、即ち、位置変化、ヘテロ
接合物質の選択による量子井戸及び量子準位の変化、及
び量子井戸準位の個数の変化に従って様々な形態を有す
る半導体装置をデザインすることができる。つまり、様
々な形態のデザインで、量子束縛準位のシュタルクシフ
トによる整列の組合わせを調整することによって、多重
ピークの形成ができて論理素子の個数を減らし得る新た
な高速論理素子にも応用可能である。
【００２７】上記において、本発明の好適な実施形態に
ついて説明したが、本発明の特許請求の範囲を逸脱する
ことなく、種々の変更を加え得ることは勿論である。
ついて説明したが、本発明の特許請求の範囲を逸脱する
ことなく、種々の変更を加え得ることは勿論である。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、電子の共振トンネリン
グ効果を増大せしめてピーク電流を増加し、且つ実効バ
リヤの高さを増加せしめて谷電流を減少して電流のＰＶ
Ｒが増加することによって、スイッチング装置及び論理
装置の性能を向上せしめ得る事ができる。
グ効果を増大せしめてピーク電流を増加し、且つ実効バ
リヤの高さを増加せしめて谷電流を減少して電流のＰＶ
Ｒが増加することによって、スイッチング装置及び論理
装置の性能を向上せしめ得る事ができる。
【図１】従来の共振トンネリング電子装置の断面構造を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図２】本発明に基づく共振トンネリング電子装置の断
面構造を示す説明図である。
面構造を示す説明図である。
【図３】各層の伝導帯の最低レベルとバランス帯の最高
レベルとを表すエネルギー帯を説明するためのエネルギ
ー帯域図である。
レベルとを表すエネルギー帯を説明するためのエネルギ
ー帯域図である。
【図４】各層の伝導帯の最低レベルとバランス帯の最高
レベルとを表すエネルギー帯を説明するためのエネルギ
ー帯域図である。
レベルとを表すエネルギー帯を説明するためのエネルギ
ー帯域図である。
【図５】各層の伝導帯の最低レベルとバランス帯の最高
レベルとを表すエネルギー帯を説明するためのエネルギ
ー帯域図である。
レベルとを表すエネルギー帯を説明するためのエネルギ
ー帯域図である。
１ エミッタ層 ２ 第１量子障壁層 ３ 第１量子井戸層 ４ 第２量子障壁層 ５ 第２量子井戸層 ６ 第３量子障壁層 ７ コレクタ層 ８ 基板 １２ 第１のＧａ0.7Ａｌ0.3Ａｓ薄膜層 １４ ＧａＡｓ薄膜層 １６ 第２のＧａ0.7Ａｌ0.3Ａｓ薄膜層 １８ ＧａＡｓ層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 セウンウォン パエク 大韓民国、チュンジュ、ヒュンドゥクク、 ボクデドン 2170
Claims (4)
- 【請求項１】エミッタとコレクタとの間に複数の量子バ
リヤ層及び量子井戸層を有する共振トンネリング電子装
置であって、 前記エミッタ側から前記コレクタ側の方へ形成されてい
る各量子バリヤの有効エネルギー障壁の高さが漸進的に
増加するように積層されており、前記量子バリヤの間に
介在された各量子井戸の幅が漸進的に減少するように形
成されることを特徴とする共振トンネリング電子装置。 - 【請求項２】前記量子バリヤ層と前記量子井戸層との間
に、電位変化の緩和のためのバッファ層がさらに設けら
れることを特徴とする請求項１に記載の共振トンネリン
グ電子装置。 - 【請求項３】エミッタとコレクタとの間に複数の量子バ
リヤ層及び量子井戸層を有する共振トンネリング電子装
置であって、 ２つ以上の量子井戸構造を有し、量子束縛状態を提供す
る各量子井戸の幅が漸進的に減少し、各量子バリアの高
さが漸進的に増加するように非対称結合構造を有するこ
とを特徴とする共振トンネリング電子装置。 - 【請求項４】前記量子バリヤ層と前記量子井戸層との間
に、電位変化の緩和のためのバッファ層がさらに設けら
れることを特徴とする請求項３に記載の共振トンネリン
グ電子装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR95-53647 | 1995-12-21 | ||
| KR1019950053647A KR0170473B1 (ko) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 공진 터널링 전자장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181295A true JPH09181295A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=19442540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8285290A Pending JPH09181295A (ja) | 1995-12-21 | 1996-10-28 | 共振トンネリング電子装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5770866A (ja) |
| JP (1) | JPH09181295A (ja) |
| KR (1) | KR0170473B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU1090699A (en) * | 1997-10-16 | 1999-05-03 | California Institute Of Technology | Dual-band quantum-well infrared sensing array |
| US6924501B2 (en) * | 2001-09-27 | 2005-08-02 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Quantum logic gate and quantum logic operation method using exciton |
| US20050069227A1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-03-31 | Mark Steele | Flexible package having integrated slit member |
| CN100437051C (zh) * | 2005-09-12 | 2008-11-26 | 中北大学 | 共振隧穿微声传感器 |
| JP5171539B2 (ja) * | 2007-11-29 | 2013-03-27 | キヤノン株式会社 | 共鳴トンネル構造体 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6028268A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-13 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置 |
| US4878104A (en) * | 1985-04-19 | 1989-10-31 | Texas Instruments Incorporated | Optically pumped quantum coupled devices |
| US4914488A (en) * | 1987-06-11 | 1990-04-03 | Hitachi, Ltd. | Compound semiconductor structure and process for making same |
-
1995
- 1995-12-21 KR KR1019950053647A patent/KR0170473B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-10-25 US US08/736,213 patent/US5770866A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-10-28 JP JP8285290A patent/JPH09181295A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970054429A (ko) | 1997-07-31 |
| KR0170473B1 (ko) | 1999-02-01 |
| US5770866A (en) | 1998-06-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020409 |