JPH09181066A - 電子デバイスの絶縁エレメントとして使用される低誘電率の材料 - Google Patents

電子デバイスの絶縁エレメントとして使用される低誘電率の材料

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JPH09181066A
JPH09181066A JP8295888A JP29588896A JPH09181066A JP H09181066 A JPH09181066 A JP H09181066A JP 8295888 A JP8295888 A JP 8295888A JP 29588896 A JP29588896 A JP 29588896A JP H09181066 A JPH09181066 A JP H09181066A
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dielectric
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Thomas C Rosenmayer
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高性能集積回路に必要な極めて低い誘電率を
有し、熱的・機械的安定性を有し、加工が容易な電子デ
バイスの中間層誘電体を提供する。 【解決手段】 集積回路構造体の誘電体エレメントとし
て使用され、420℃で0.15%/分未満の重量減少
と、5μm未満の厚さを有するフルオロポリマー又はフ
ッ化ポリマー材料を含む誘電体材料であり、また、この
誘電体エレメントを備えた電子デバイスである。好まし
くは、フルオロポリマー又はフッ化ポリマーの誘電体エ
レメントが約1.9〜約2.2の範囲の誘電率を有し、
厚さが1.5μm未満であり、重量減少が420℃で
0.01%/分未満であり、フルオロポリマーがテトラ
フルオロエチレンのホモポリマー又はテトラフルオロエ
チレンのコポリマーである。フルオロポリマー又はフッ
化ポリマーが酸化防止剤、及び二酸化ケイ素をさらに含
み、多孔質であることもできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、広くは、高速集積
回路に関する。より詳しくは、本発明は、限定されるも
のではないが集積回路構造体のような電子デバイスの絶
縁エレメントとして使用される改良された誘電性材料に
関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】将来の
高性能集積回路は、出来るだけ低い誘電率を有する中間
層誘電体(ILD)材料を必要とするであろう。中間層
誘電体の一般的な作成方法の1つは、化学蒸着めっき
(CVD)技術を用いて二酸化ケイ素(SiO2 )の層
を堆積させることである。このような中間層誘電体は、
集積回路のメタルシグナルトレースの上に共形の層を提
供する。SiO2 のCVDの後、一般にスピンオン堆積
技術を用いて平滑化用ガラス層が施される。次いで平滑
化用ガラスが、化学的・機械的研磨として公知のプロセ
スを用いて平滑に研磨される。これらのガラス層は、残
存する機械的応力のレベルを抑えるように、注意深く堆
積されなければならない。ガラスの高い弾性率のため、
残存応力の不適格なレベルは、メタルシグナルトレース
に深刻な信頼性の問題を生じさせることがある。
【0003】集積回路の信頼性に与える応力の効果の説
明は、例えば「C.T. Rosenmayer, et al., "EFFECT OF
STRESSES ON ELECTROMIGRATION", 29th Annual Proceed
ingsof the IEEE International Reliability Physics
Symposium, 1991」に記載されている。低い誘電率の中
間層誘電体として使用するためのいくつかの材料が提案
されている。これらの材料には、多孔質ガラス、フッ化
ガラス、2,2-ビストリフルオロメチル-4,5- ジフルオロ
-1,3- ジオキソール(PDD)とテトラフルオロエチレ
ン(TFE)のコポリマーを含む材料、フッ化ポリイミ
ド、フッ化ポリ(ベンゾシクロブテン)が挙げられる。
これらの材料は、ある用途においてはいろいろな成功の
程度で作用することができるが、それらは、有益性を損
なう多数の欠点が問題とされている。例えば、これらの
材料は、信頼性が一貫せず、長いプロセス周期、不十分
な熱的・化学的安定性、及び高い応力を有する。また、
これらの列挙した材料の中で、多孔質ガラスとPDD−
TFEコポリマーのみが2.2未満の誘電率を有する。
しかしながら、多孔質ガラスはその長い加工時間(〜1
0時間)によって実用性が限られ、一方で、PDD−T
FEコポリマーは不十分な熱的安定性を有する。
【0004】上記は、現状の集積回路構造体に存在する
ことが知られる制約を例示する。集積回路構造体の中の
絶縁エレメントとして使用され、上記の制約の1つ以上
の解決に結びつく改良された低い誘電率の材料を提供す
ることは有益であることが明らかである。従って、最低
限の誘電率を有し、400℃より高い熱的安定性を有
し、妥当な加工時間を有する適切な代替物が提供され
る。
【0005】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】本発明
は、限定されるものではないが例えば集積回路構造体の
ような電子デバイスの絶縁エレメントとして使用される
低誘電率材料を提供する。このような低誘電率材料は、
水系のフルオロポリマーのミクロエマルジョン又はミク
ロ分散系から作成されることができる。本低誘電率材料
は多孔質に作成され、その誘電率をさらに下げることが
できる。本低誘電率材料は、スピンコーティングプロセ
スによって堆積されることができ、反応性イオンエッチ
ング又は他の適切な技術によってパターンを形成される
ことができる。
【0006】本発明の1つの態様において、改良された
電子デバイスが提供され、その改良は、2.2未満の誘
電率、420℃において0.15%/分未満の重量減
少、及び5μm未満の厚さを有するフルオロポリマー誘
電性材料を含む。水系のフルオロポリマーのミクロエマ
ルジョン又はミクロ分散系は、水系媒体の全体にわたっ
て分散されたモノマー分子の非常に微細なセルを用いて
調製される。その微細なセルのそれぞれは、ポリマーの
非常に微細な粒子を作成するための重合箇所として作用
する。このミクロエマルジョンは重合され、ポリテトラ
フルオロエチレン(PTFE)又はそのコポリマーのよ
うなフルオロポリマーを含むコロイド状重合系を形成す
る。その粒子は、1〜約80ナノメートルの範囲の平均
直径を有する。
【0007】本発明の1つの態様において、微細粒子を
作成するのに必要な界面活性剤/TFEモノマーの比は
1.17以上であることが見出された。コロイド状ポリ
マー粒子は、20〜100重量%の重合されたテトラフ
ルオロエチレンと、0〜80重量%のテトラフルオロエ
チレンと共重合可能な少なくとも1種のモノマーの単位
を含むことができる。このコモノマーには、2〜18の
炭素のフッ素含有オレフィン、2〜18の炭素の塩素含
有オレフィン、又は2〜18の炭素の完全に水素化され
たオレフィン、例えばエチレンやプロピレンが挙げられ
る。例えばグリシジルビニルエーテル、クロロアルキル
ビニルエーテルなどの架橋剤も存在することができる。
【0008】ミクロエマルジョン中の成分の比によって
いろいろな形態のポリテトラフルオロエチレンが得られ
ることが見出された。より詳しくは、界面活性剤/液体
TFEモノマーの比が約1:1の場合、得られるPTF
E材料は血小板状である。界面活性剤/液体TFEモノ
マーの比が約1.17より大きい場合、PTFEの微細
な粒子が生成される。即ち、重量で1.17よりも大き
い界面活性剤/TFEモノマーの比が、非常に高い分子
量のPTFEの微細で丸い粒子を生成するのに有利であ
る。
【0009】上記の要旨と、以下の本発明の好ましい態
様の詳細な説明は、添付の図面と併せて読み進めること
によってより適切に理解されるであろう。本発明を例証
する目的で、図面に現状で好ましい態様が示されてい
る。ここで、本発明は図示したそのものの厳密な配置や
方式に限定されるものではないことを理解すべきであ
る。
【0010】本発明は、集積回路構造体のような電子デ
バイスの絶縁エレメントとして使用される低誘電率材料
である。この集積回路構造体は、能動デバイス又は受動
デバイスでよく、本発明のフルオロポリマーのミクロエ
マルジョン又はミクロ分散系から作成される低誘電率材
料の1つ以上の中間層である誘電体(ILD)の層を含
むことができる。
【0011】本願における用語「ミクロエマルジョン(m
icroemulsion) 」又は「ミクロ分散系(microdispersio
n) 」は、成分が接触すると自然に(spontaneously) に
生成する樹脂、オイル、水、及び/又は界面活性剤の安
定な等方性(isotropic) の混合物を意味する。また、そ
の他の成分の例えば塩や共界面活性剤(例えば、アルコ
ール、アミン、又は他の両親媒性分子)もミクロエマル
ジョン処方の一部であっることができる。オイルと水
は、界面活性剤に富む界面層によって隔てられた別々の
領域に存在する。オイル又は水の領域は非常に微細なた
め、ミクロエマルジョンは見た目に透明又は半透明に観
察される。エマルジョンとは異なり、ミクロエマルジョ
ンは平衡相である。
【0012】ミクロエマルジョンは、組成に依存し、場
合により温度と圧力に依存していくつかのミクロ構造を
有することができる。3種の最も一般的な構造がある。
第1は、水中オイル形のミクロエマルジョンであり、オ
イルは、連続的な水に富む領域の中の別個の領域(ドロ
プレット)の内側に含まれる。第2は、オイル中水形の
いわゆる逆ミクロエマルジョンであり、水は、連続的な
オイルに富む領域の中の別個の領域(ドロプレット)の
内側に含まれる。第3は、重連続(bicontinuous)ミクロ
エマルジョンであり、界面活性剤に富むスポンジ状の構
造によって相互に隔てられた、オイルと水の双方の橋を
架けたような(sample-spanning) 絡み合った路が存在す
る。
【0013】エマルジョン化された及びミクロエマルジ
ョン化された不飽和炭化水素モノマーの重合は公知であ
り、高い反応速度、高い転化率、及び高い分子量が達成
されることができる。ミクロエマルジョンは、通常のエ
マルジョンとは、その光学的透明性、低粘度、小さなド
メインサイズ、熱力学的安定性、及び自然発生的生成に
よって区別される。ミクロエマルジョン化されたモノマ
ーの重合は、従来のエマルジョン化されたモノマーの重
合に勝る多くの長所を有する。ミクロエマルジョンは通
常は透明から半透明であり、このため、光化学反応に特
に適し、一方でエマルジョンは濁って不透明である。ま
た、ミクロエマルジョンの構造的多様性(ドロプレット
と重連続)は熱力学によって規定され、速い重合は、初
期の構造の一部を取得することができる。また、ミクロ
エマルジョン重合は、旧来のエマルジョン重合プロセス
から得られるものより小さいコロイド状粒子を含む安定
で単分散のミクロラテックスの生成を可能にする。より
小さい粒子サイズは、ミクロクラックなしにコーティン
グを形成する性能を改良する。高められた表面積は、成
形操作の間の粒子の融合を改良する。
【0014】ミクロエマルジョン重合とは異なり、溶解
したガス状のテトラフルオロエチレン(TFE)又はそ
のコポリマーのエマルジョン重合は公知のプロセスであ
る。PTFE又はそのコポリマーの水系コロイド状分散
系は、ガス状モノマー又はモノマー混合物を、圧力反応
器の中で、少なくとも1種の乳化剤(一般にフッ化界面
活性剤)、多くの場合所定のpHに媒体を維持するため
の緩衝剤、及び少なくとも1種の開始剤(重合温度でフ
リーラジカルを形成することができる)を含む水溶液に
接触させることによって、調製されることができる。フ
リーラジカル開始剤は、水溶性のペルオキシド、又はア
ルカリ性の若しくはアンモニウムの過硫酸塩であること
ができる。米国特許第4384092号明細書(この特
許は参考にして取り入れられている)に開示のように、
重合温度が約50℃より高ければ、過硫酸塩は単独で使
用されることができ、又は重合温度が約5〜55℃であ
れば、第1鉄塩、硝酸銀、亜硫酸水素ナトリウムのよう
な還元剤と併用されることができる。
【0015】前記プロセスにおいて、ガス状のモノマー
分子は水系液体の中に入り、最初に別の液体相を形成す
ることなく、反応してポリマーを形成する。即ち、ポリ
マー粒子は、水系混合物の中に懸濁した大粒子であり、
そのプロセスは、真の意味での液体中液体のエマルジョ
ン重合ではない。このプロセスは、場合により分散重合
と称される。
【0016】ミクロエマルジョン重合は、エマルジョン
重合とは異なるメカニズムによって起きる。これは、ガ
ス状モノマーよりむしろ液体モノマーの重合を含む。こ
の重合は液体モノマーの極めて微小なセルの重合を含む
ため、得られるポリマー粒子は、格別に微細である。こ
こで、液体TFEの重合は、周知の起こり得る取扱上の
危険のため、一般に行われない。
【0017】本願における用語「低誘電率」は、約1.
0〜3.0の誘電率を意味し、ここで、通常のSiO2
中間層誘電体材料は3.9の誘電率を有する。1.0〜
3.0の誘電率を有することによって、本発明の教示に
よって作成される中間層誘電体は、ポリシリコンや金属
のような2枚の導電性層の間に電気絶縁性層を形成し
て、中間層誘電体によって隔てられた導電性層の有効キ
ャパシタンスを下げ、混線を減らし、信号伝搬速度(V
P)を高めるのに効果的である。
【0018】本願における用語「フルオロポリマー」
は、完全にフッ化された構造を有するポリマーを意味す
る。完全にフッ化されたポリマーにおいては、本質的に
全ての水素原子がフッ素原子によって置換されている。
本願における用語「フッ化ポリマー」は、部分的にフッ
化された構造を有するポリマーを意味する。部分的にフ
ッ化された構造においては、全てではない水素原子がフ
ッ素原子によって置換されている。
【0019】本願の教示によって作成される中間層誘電
体の厚さは、約0.1〜約5.0μmの範囲である。よ
り一般には、厚さは約0.5〜約1.5μmの範囲であ
る。このような厚さの範囲は、現在及び次世代の集積回
路構造体の生産に特に望ましいであろう。本発明の低誘
電性材料は、約1〜約80ナノメートル(0.001〜
0.080μm)、好ましくは約1〜約60ナノメート
ル、最も好ましくは約1〜約30ナノメートルの平均サ
イズの粒子、界面活性剤、及び水を含むミクロエマルジ
ョン又はミクロ分散系から堆積されたフルオロポリマー
である。本フルオロポリマーには、限定されるものでは
ないが、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、フ
ッ化エチレンプロピレンコポリマー(FEP)、フルオ
ロメタクリレートポリマー(Fac)、又はペルフルオ
ロアルコキシポリマー(PFA)が挙げられる。
【0020】低誘電性材料は、その誘電率を下げるため
に導入された気孔を有することができる。この気孔は、
重連続(bicontinuous)ミクロエマルジョンを用いること
によって形成されることができる。このような重連続フ
ルオロポリマーのミクロエマルジョン系は、互いに絡み
合い、界面活性剤層によって隔てられたオイル(モノマ
ー)相と水系相の両相を含む。モノマー(オイル相)の
速い重合は、未重合の微細構造を取得することができ
る。乾燥工程の間に水が除去されると、その後に多孔質
の構造が残される。
【0021】本発明の低誘電率材料は、ミクロエマルジ
ョン液体を用いたスピンコーティングプロセスによって
堆積され、中間層誘電体を形成することができる。スピ
ンコーティングプロセスは下記に概説するいくつかの工
程を含む。 1)基板、例えばシリコンウェハーが、約500rpm
で回転される。基板をその速度で回転させながら、湿潤
剤の例えばイソプロパノールが、回転している基板の表
面上に施され、基板の表面を濡らす。
【0022】2)フルオロポリマーのミクロエマルジョ
ンが、基板を500rpmで回転させながら、その回転
する基板の表面上に施される。 3)次いで基板の回転速度が約1000〜約5000r
pmの範囲に高められる。図3を参照して最も的確に理
解されるように、採用される回転速度が、得られる誘電
体層の厚さを決める。
【0023】4)ミクロエマルジョンのコーティングの
厚さが安定化するまで、高められた回転速度が維持され
る。一般に、回転速度に依存して10〜約50秒間で安
定化が起きる。この点に関し、より高い速度は、安定化
するのにより短い時間を必要とする。 5)コーティングされた基板は、先ず約200℃の温度
に加熱され、ミクロエマルジョンの水と界面活性剤を逃
散させる。
【0024】6)次いで、基板に対するフルオロポリマ
ーの接着性を改良するため、基板がフルオロポリマーの
融点の近くで加熱される。 7)加熱用デバイスの例えばホットプレートの表面から
離れて上に基板を持ち上げることによって、基板が約2
00℃までゆっくりと冷却される。 8)最後に、冷却プレートを用いて、基板が周囲の温度
条件まで冷却される。
【0025】所望により、基板は、当業者に公知の通常
の集積回路加工技術を利用することによって、平滑化、
イメージ化、及び/又はエッチングされてよい。 〔ポリテトラフルオロエチレンの微細粒子を作成するた
めのミクロエマルジョン重合法〕水系のミクロエマルジ
ョン重合法は、本願の教示による低い誘電率の中間層誘
電体を作成するのに特に有用なポリテトラフルオロエチ
レン(PTFE)の格別に小さい粒子を作成する。
【0026】ミクロエマルジョンの成分、比、及び条件
は、液体テトラフルオロエチレン(TFE)の重合をも
たらすように選択される。1つの局面において、得られ
るポリマーは、フィブリルと束のフィブリルと、ランダ
ムに分散されたTFEポリマーの血小板状体(platelet)
の3次元の連続的微細網状構造を有する。別な局面にお
いて、作成されて得られたポリマーは、見た目では、T
FEポリマーの複雑なランダムに配置されたフィブリル
及び束のフィブリルの3次元の連続的網状構造の微細構
造を有し、シート状形状の層を含むスポンジ状のかたま
りとして特徴づけられるゲルである。別な局面におい
て、得られるポリマーは、主としてランダムに配置され
た血小板状体が相互に接続し又は相互に侵入し、且つラ
ンダムに配置されたフィブリルによってランダムに接続
された微細構造を有し、TFEポリマーの3次元の連続
的網状構造を形成したスポンジ状のかたまりとして特徴
づけられる。さらに別な局面において、TFEポリマー
の非常に微細な粒子が得られる。どの形態のポリマーが
得られるかは、前述のように、界面活性剤/液体TFE
の比に依存する。
【0027】微細構造などは、その構造が肉眼では見え
ないことを意味する。ポリマーを作成するため、液体テ
トラフルオロエチレン(TFE)と少なくとも1種のフ
ッ化界面活性剤との水中の混合物が使用される。TFE
は、2までの酸素、窒素、又は硫黄原子を有し、好まし
くは500未満の分子量の飽和脂肪族又は芳香族の有機
化合物である液体ペルフルオリネーティッド炭化水素の
ミクロエマルジョン化された種粒子又はミセルの存在中
で、液体の形態で反応容器に導入され、あるいはガス状
の形態で導入されて次いで液化されることができる。
【0028】界面活性剤/モノマーの比が少なくとも
1.17の場合にミクロエマルジョン重合によって作成
されたPTFEは一般に微細であり、1〜80ナノメー
トル(0.001〜0.080μm)、好ましくは1〜
60ナノメートル、最も好ましくは1〜30ナノメート
ルの平均サイズのオーダーであり、100000より大
きい、好ましくは500000より大きい、最も好まし
くは1000000より大きいポリマー平均分子量であ
る。このような格別に微細なポリマー粒子が得られるの
は、ガス状TFEの重合が、ミクロエマルジョン中の炭
化水素有機化合物の非常に微細なミセルの内側で起きる
ためと考えられる。
【0029】反応に使用される界面活性剤の量は、上述
のような所望のタイプの粒子の生成を最大限にするよう
に調節される。適切なフッ化界面活性剤又は混合物のフ
ッ化界面活性剤は、所望の生成物に応じて調節される液
体相中の界面活性剤/モノマーの重量比で必要とされ
る。上限はそれ程重要ではないが、一般に5:1より高
いことは普通には行われない。適切なフッ化界面活性剤
には、フッ化アニオン系界面活性剤の例えばフッ化され
たカルボン酸やスルホン酸の塩、スルフェート、カチオ
ン系界面活性剤の例えばフッ化第4級アンモニウム塩、
又はフッ化ノニオン系界面活性剤が挙げられる。混合物
は、好ましくは、TFEの臨界温度(TC)(TFEで
は約33.3℃)未満で、界面活性剤を含む水溶液の凍
結温度より高い温度で作成されることができる。機械的
攪拌が提供されることができる。水溶性のフリーラジカ
ル開始剤の例えば過酸化物、アルカリ性の又はアンモニ
ウムの過硫酸塩、又はいくつかの水溶性アゾ化合物又は
過マンガン酸塩を添加することによってフリーラジカル
重合が開始されることができる。また、このフリーラジ
カル開始剤は、第1鉄塩、硝酸銀、亜硫酸水素ナトリウ
ムなどのような還元剤と併用されることもできる。ま
た、光化学反応によって重合を開始させることもでき
る。あり得る光照射線源には、紫外線(UV)、電子ビ
ーム、又はガンマ線が挙げられる。重合温度は、ポリテ
トラフルオロエチレンについては5〜100℃、好まし
くは5〜33.3℃でよい。
【0030】混合物中に存在することができるコモノマ
ーには、2〜18の炭素原子のハロゲン化(塩素又はフ
ッ素)オレフィンの例えば塩化ビニル、塩化ビニリデ
ン、クロロトリフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロ
ピレン、ペルフルオロアルキルビニルエーテルなど、水
素化不飽和モノマーの例えばエチレン、プロピレン、イ
ソブチレン、ビニルアセテート、アクリレートなど、架
橋剤の例えばグリシジルビニルエーテル、クロロアルキ
ルビニルエーテル、アリルグリシジルエーテル、アクリ
レート、メタクリレートなどが挙げられる。存在するこ
とができるコモノマーの量は、PTFEが生成物の場合
に得られたであろう生成物の性質を変化させる程に多く
すべきでない。
【0031】ペルフルオリネーティッド炭化水素は、重
合が行われる温度で液体である低分子量の化合物であ
る。その分子量は好ましくは500未満である。ペルフ
ルオリネーティッド炭化水素は好ましくは230℃未満
の沸点を有する。ペルフルオリネーティッド炭化水素
は、ペルフルオリネーティッド飽和脂肪族化合物の例え
ばペルフルオリネーティッドアルカン、ペルフルオリネ
ーティッド芳香族化合物の例えばペルフルオリネーティ
ッドベンゼン又はペルフルオリネーティッドテトラヒド
ロデカヒドロフェナンセン(phenanthene) であることが
できる。また、ペルフルオリネーティッドアルキルアミ
ンの例えばペルフルオリネーティッドトリアルキルアミ
ンでもよい。また、それはペルフルオリネーティッド環
状脂肪族化合物の例えばデカリンでもよく、好ましくは
環の中に酸素又は硫黄を含むヘテロ環状脂肪族化合物の
例えばペルフルオロ-2- ブチルテトラヒドロフランであ
ることもできる。
【0032】ペルフルオリネーティッド炭化水素の例に
は、ペルフルオロ-2- ブチルテトラヒドロフラン、ペル
フルオロデカリン、ペルフルオロメチルデカリン、ペル
フルオロジメチルデカリン、ペルフルオロメチルシクロ
ヘキサン、ペルフルオロ(1,3- ジメチルシクロヘキサ
ン)、ペルフルオロジメチルデカヒドロナフタレン、ペ
ルフルオロフルオオレン(perfluorofluoorene)、ペルフ
ルオロ(テトラデカヒドロフェナントレン)、ペルフル
オロテトラコサン、ペルフルオロケロセン、オクタフル
オロナフタレン、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)
のオリゴマー、ペルフルオロ(トリアルキルアミン)の
例えばペルフルオロ(トリプロピルアミン)、ペルフル
オロ(トリブチルアミン)又はペルフルオロ(トリペン
チルアミン)、及びオクタフルオロトルエン、ヘキサフ
ルオロベンゼン、及び市販のフッ化溶媒の例えばスリー
エム社により製造のフルオリナートFC−75が挙げら
れる。フッ化アルカンは、3〜20の炭素原子数の線状
又は枝分かれであることができる。酸素、窒素又は硫黄
原子が分子中に存在してもよいが、そのような原子の数
は1分子中に2以下であるべきである。
【0033】ミクロエマルジョンの調製は、成分の慎重
な選択に依存する。ミクロエマルジョンは、水、ペルフ
ルオリネーティッド炭化水素、フッ化界面活性剤(複数
でもよい)、及び随意の共溶媒又は無機塩を混合するこ
とによって調製される。使用される量は、0.1〜40
重量%、好ましくは0.1〜20重量%のペルフルオリ
ネーティッド炭化水素、0.1〜40重量%、好ましく
は0.1〜25重量%の界面活性剤、及び随意の共界面
活性剤であり、残りは水である。ミクロエマルジョン化
されたペルフルオリネーティッド炭化水素は、フッ化モ
ノマーが入り込んで重合される微小反応器として役立つ
と考えられる。ミクロエマルジョンの生成温度は0〜1
50℃、好ましくは40〜100℃であることができ
る。
【0034】フッ化界面活性剤は構造Rf EXを有し、
ここで、Rf は4〜16の炭素数を有するフッ化アルキ
ル基、Eは0〜4の炭素数を有するアルキレン基、Xは
アニオン系塩の例えばCOOM、SO3 M、SO3 NR
2 、SO4 M、カチオン系部分の例えば第4アンモニウ
ム塩、又は両性部分の例えばアミンオキサイド、又はノ
ニオン部分の例えば(CH2 CH2 O)n Hで、Mは
H、Li、Na、K、又はNH4 、Rは炭素数が1〜5
のアルキル基、nは2〜40の基数である。
【0035】本願においてテトラフルオロエチレンが指
称される場合、この用語は、いわゆる改質された、ポリ
マー鎖がペルフルオロ(プロピルビニルエーテル)又は
ヘキサフルオロプロピレンから誘導された微小量の単位
を有する「ホモポリマー」を含むものと理解すべきであ
る。重合を開始させるため、ミクロエマルジョンの温度
が0〜150℃、好ましくは40〜100℃に調節され
る。重合開始剤には、フリーラジカル開始剤の例えば過
硫酸塩、アゾ系開始剤、過酸化物、又は紫外線やガンマ
線によってフリーラジカルを発生させる光開始剤が挙げ
られる。存在する開始剤の量は、最終的なポリマー量を
基準に0.001〜5重量%の範囲でよい。ミクロエマ
ルジョンの生成を促進させるため、所望により、共界面
活性剤のアルコール、アミンその他の両親媒性分子、又
は塩が使用されることもできる。
【0036】テトラフルオロエチレンは、気相から水系
ミクロエマルジョン相の中へと、反応器に導入される。
物質移動を促進するため、液相と気相の間での十分な混
合が重要である。超微細ポリマー粒子の生成メカニズム
は十分には分かっていない。ペルフルオリネーティッド
炭化水素中のテトラフルオロエチレンモノマーの溶解性
が高い程、最初のミクロエマルジョン粒子のサイズと形
状がより良好に得られると考えられる。反応時間は1〜
500分間でよい。
【0037】得られる分散系の中の得られるポリマー粒
子は、1〜80ナノメートル、好ましくは1〜60ナノ
メートル、最も好ましくは1〜30ナノメートルの平均
粒子サイズと、100000より大きい、好ましくは1
000000より大きいポリマー平均分子量を有する。
格別に微細な粒子サイズは、より大きい粒子を含む系に
勝る多数の長所をポリマー系に与える。この系は、水系
のコロイド状分散系であり、濁っていると言うよりはむ
しろ透明である。
【0038】存在し得るコモノマーの量が、PTFEが
生成物の場合に得られたであろう生成物の性質を変化さ
せる程には多くなければ、コモノマーからの少量の単位
がポリマー中に存在してもよい。言い換えると、コポリ
マーは、依然として溶融加工性ではない。コモノマー
は、2〜18の炭素原子のハロゲン化(塩素又はフッ
素)オレフィンの例えば塩化ビニル、塩化ビニリデン、
クロロトリフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレ
ン、ペルフルオロアルキルビニルエーテル等、水素化不
飽和モノマーの例えばエチレン、プロピレン、イソブチ
レン、ビニルアセテート、アクリレートなど、架橋剤の
例えばグリシジルビニルエーテル、クロロアルキルビニ
ルエーテル、アリルグリシジルエーテル、アクリレー
ト、メタクリレートなどでよい。
【0039】本願の教示による中間層誘電体として使用
されるのに適切な1つのミクロエマルジョンは、330
/230の界面活性剤/TFE液体モノマーの重量比、
即ち1.17より十分に高い比を有した。得られるポリ
マーは、約0.001〜0.06μmのオーダーの非常
に微細なPTFEの粒子を含んだ。このような材料は、
最初に、10リットルの圧力容器の中に5kgの脱イオ
ン水、330gのアンモニウムペルフルオロオクタノエ
ート(スリーエム社のフルオラドFC−143)を充填
することによって作成されることができる。圧力容器
は、減圧下にあり、減圧の圧力操作によって、3回テト
ラフルオロエチレンガスでパージされていた。水系混合
物の酸素分は20ppm未満であった。圧力容器が約1
0℃に冷却され、テトラフルオロエチレンガスが反応器
に供給され、一部のテトラフルオロエチレンが水系相の
中で液体状態に凝固された。圧力容器に充填された液体
テトラフルオロエチレンの合計量は約230gであっ
た。APFO/TFEの比は1.17より大きかった。
反応容器はミキサーを具備し、約400rpmの速度で
水系混合物を攪拌するために使用された。100gのH
2 Oの中の2gの過硫酸アンモニウムを容器に充填し、
次いで100gのH2 Oの中の1gの硫酸第1鉄(Fe
SO4 )と2gの亜硫酸ナトリウム(Na2 SO3 )を
充填し、重合を開始させた。容器の内側の圧力は、開始
から約2時間の反応の終了時点まで約30kg/cm2
であった。反応の全体を通して顕著な圧力変化はなく、
気相中の非常に少量のテトラフルオロエチレンが反応に
関与したに過ぎないことを示した。ブライン水を利用
し、容器の内側の水系混合物の温度は10〜12℃に維
持された。約2時間の反応の後、テトラフルオロエチレ
ンガスが容器から放出され、水系分散系が排出された。
【0040】水系分散系は透明に見え、約4%のポリマ
ー分を含んだ。ポリマーの溶融温度は示差走査熱量測定
(DSC)によって約331℃と測定され、これはポリ
テトラフルオロエチレンの溶融域にある。分散系の透明
度は、サイズが0.06μm以下のオーダーの微細粒子
の存在を示唆する。PTFEのミクロエマルジョンによ
って作成される中間層誘電体は1.0〜3.0の誘電率
を有するであろう。
【0041】〔溶融加工性フルオロポリマー粒子の微細
粒子を作成するためのミクロエマルジョン重合法〕水系
ミクロエマルジョン重合法は、溶融加工性フルオロポリ
マーの格別に微細な粒子を生成する。この方法の間に、
2以下までの酸素、窒素、又は硫黄原子と、好ましくは
500未満の分子量を有する飽和脂肪族又は芳香族の有
機化合物である液体ペルフルオリネーティッド炭化水素
のミクロエマルジョン化された種粒子又はミセルの存在
中で重合が行われる。
【0042】このようにして作成されるポリマー粒子は
通常微細であり、1〜80ナノメートル(0.001〜
0.080μm)、好ましくは1〜60ナノメートル、
最も好ましくは1〜30ナノメートルの平均サイズのオ
ーダーである。このように格別に微細なポリマー粒子が
得られるのは、ミクロエマルジョンの炭化水素有機化合
物の非常に微細なミセルの内側で重合が起きるためと考
えられる。
【0043】ペルフルオリネーティッド炭化水素は、重
合が行われる温度で液体である低分子量の化合物であ
る。分子量は好ましくは500未満である。ペルフルオ
リネーティッド炭化水素は、好ましくは230℃未満の
沸点を有する。ペルフルオリネーティッド炭化水素は、
ペルフルオリネーティッド飽和脂肪族化合物の例えばペ
ルフルオリネーティッドアルカン、ペルフルオリネーテ
ィッド芳香族化合物の例えばペルフルオリネーティッド
ベンゼン、又はペルフルオリネーティッドテトラデカヒ
ドロフェナンセンであることができる。また、それはペ
ルフルオリネーティッドトリアルキルアミンのようなペ
ルフルオリネーティッドアルキルアミンでもよい。それ
はまた、ペルフルオリネーティッド環状脂肪族化合物の
例えばデカリンでもよく、好ましくは環の中に酸素又は
硫黄を含むヘテロ環状脂肪族化合物の例えばペルフルオ
ロ-2- ブチルテトラヒドロフランであってもよい。
【0044】ペルフルオリネーティッド炭化水素の例に
は、ペルフルオロ-2- ブチルテトラヒドロフラン、ペル
フルオロデカリン、ペルフルオロメチルデカリン、ペル
フルオロジメチルデカリン、ペルフルオロメチルシクロ
ヘキサン、ペルフルオロ(1,3- ジメチルシクロヘキサ
ン)、ペルフルオロジメチルデカヒドロナフタレン、ペ
ルフルオロフルオオレン、ペルフルオロ(テトラデカヒ
ドロフェナントレン)、ペルフルオロテトラコサン、ペ
ルフルオロケロセン、オクタフルオロナフタレン、ポリ
(クロロトリフルオロエチレン)のオリゴマー、ペルフ
ルオロ(トリアルキルアミン)の例えばペルフルオロ
(トリプロピルアミン)、ペルフルオロ(トリブチルア
ミン)又はペルフルオロ(トリペンチルアミン)、及び
オクタフルオロトルエン、ヘキサフルオロベンゼン、及
び市販のフッ化溶媒の例えばスリーエム社による製造の
フルオリナートFC−75が挙げられる。フッ化アルカ
ンは、3〜20の炭素原子数の線状又は枝分かれである
ことができる。酸素、窒素又は硫黄原子が分子中に存在
してもよいが、そのような原子の数は1分子中に2以下
であるべきである。
【0045】ミクロエマルジョンの調製は、成分の慎重
な選択に依存する。ミクロエマルジョンは、水、ペルフ
ルオリネーティッド炭化水素、フッ化界面活性剤(複数
でもよい)、及び随意の共溶媒又は無機塩を混合するこ
とによって調製される。使用される量は、0.1〜40
重量%、好ましくは0.1〜20重量%のペルフルオリ
ネーティッド炭化水素、0.1〜40重量%、好ましく
は0.1〜25重量%の界面活性剤、及び随意の共界面
活性剤であり、残りは水である。ミクロエマルジョン化
されたペルフルオリネーティッド炭化水素は、フッ化モ
ノマーが入り込んで重合される微小反応器として役立つ
と考えられる。ミクロエマルジョンの生成温度は0〜1
50℃、好ましくは40〜100℃であることができ
る。
【0046】フッ化界面活性剤は構造Rf EXを有し、
ここで、Rf は4〜16の炭素数を有するフッ化アルキ
ル基、Eは0〜4の炭素数を有するアルキレン基、Xは
アニオン系塩の例えばCOOM、SO3 M、SO3 NR
2 、SO4 M、カチオン系部分の例えば第4アンモニウ
ム塩、又は両性部分の例えばアミンオキサイド、又はノ
ニオン部分の例えば(CH2 CH2 O)n Hで、Mは
H、Li、Na、K、又はNH4 、Rは炭素数が1〜5
のアルキル基、nは2〜40の基数である。
【0047】テトラフルオロエチレン以外の重合可能な
フッ化モノマーには、ヘキサフルオロエチレン、ペルフ
ルオロアルキルビニルエーテル、トリフルオロエチレ
ン、フッ化ビニリデン、フッ化ビニル、クロロトリフル
オロエチレンが挙げられる。塩化ビニリデン、塩化ビニ
ル、エチレン、プロピレン、ブタジエンのような非フッ
化モノマーもコモノマーとして使用されることができ
る。そのモノマーは、好ましくはフリーラジカル重合性
であり、好ましくはエチレン的不飽和である。
【0048】重合を開始させるため、ミクロエマルジョ
ンの温度が0〜150℃、好ましくは40〜100℃に
調節される。重合開始剤には、フリーラジカル開始剤の
例えば過硫酸塩、アゾ系開始剤、過酸化物、又は紫外線
やガンマ線によってフリーラジカルを発生させる光開始
剤が挙げられる。存在する開始剤の量は、最終的なポリ
マー量を基準に0.001〜5重量%の範囲でよい。ミ
クロエマルジョンの生成を促進させるため、所望によ
り、共界面活性剤のアルコール、アミンその他の両親媒
性分子、又は塩が使用されることもできる。
【0049】フッ化ガスモノマーは、気相から水系ミク
ロエマルジョン相の中へと、反応器に導入される。物質
移動を促進するため、液相と気相の間での十分な混合が
重要である。本発明における超微細なフッ化された溶融
加工可能なポリマー粒子の生成メカニズムは十分には分
かっていない。ペルフルオリネーティッド炭化水素中の
モノマーの溶解性が高い程、最初のミクロエマルジョン
粒子のサイズと形状がより良好に得られると考えられ
る。反応時間は1〜500分間でよい。
【0050】得られる分散系の中の得られるポリマー粒
子は、1〜80ナノメートル、好ましくは1〜60ナノ
メートル、最も好ましくは1〜30ナノメートルの平均
粒子サイズと、100000より大きい、好ましくは1
000000より大きいポリマー平均分子量を有する。
格別に微細な粒子サイズは、より大きい粒子を含む系に
勝る多数の長所をポリマー系に与える。この系は、水系
のコロイド状分散系であり、濁っていると言うよりはむ
しろ透明である。
【0051】〔ポリテトラフルオロエチレンの微細粒子
を作成するための重連続的ミクロエマルジョン重合法〕
水系分散系の中で液体テトラフルオロエチレンを重合す
る1つの方法が下記に及び米国特許第5399640号
明細書、同5403900号明細書に記載されており、
これらの特許は参考にして本願に取り入れられている。
【0052】成分、比、及び条件は、液体テトラフルオ
ロエチレン(TFE)と、随意に存在することができる
少量のその他のフッ化エチレン的不飽和モノマーの重合
をもたらすように選択される。モノマーのフリーラジカ
ル重合は、テトラフルオロエチレンのポリマーを生成す
る。ポリマーは、フィブリル、束のフィブリル、及びラ
ンダムに分散された血小板状体の3次元の連続した微細
網状構造を有する。
【0053】得られるポリマーは、見た目では、シート
状形状の層を含み、複雑なランダムに配置されたフィブ
リル又は束のフィブリルの3次元の連続的網状構造の微
細構造を有するスポンジ状のかたまりとして特徴づけら
れるゲルである。また、このスポンジ状のかたまりは、
主としてランダムに配置された血小板状体が相互に接続
し又は相互に侵入し、且つランダムに配置されたフィブ
リルによってランダムに接続され、3次元の連続的網状
構造を形成した微細構造を有することができる。
【0054】このようなポリマーを作成するため、液体
テトラフルオロエチレン(TFE)モノマーと少なくと
も1種のフッ化界面活性剤の水中の混合物が使用され
る。TFEが液体状態で反応容器に導入され、反応に使
用される界面活性剤の量が、重連続ミクロエマルジョン
系の生成を最大限にするように調節される。重連続ミク
ロエマルジョンは、自然発生的に生成されると考えられ
る。適切なフッ化界面活性剤又は混合物のフッ化界面活
性剤が、界面活性剤の濃度において、少なくとも1:1
0、好ましくは1:4又は1:2以上の界面活性剤/全
モノマー(液相中)の重量比で必要である。上限はそれ
程重要ではないが、一般に5:1より高いことは普通に
は行われない。使用される界面活性剤の量は、約0.5
〜約50重量%、好ましくは約1〜約20重量%であ
り、全モノマー(液相中)の量は約0.5〜約50重量
%、好ましくは約1〜約30重量%であり、残りは水と
随意のいくつかの塩である。適切なフッ化界面活性剤に
は、フッ化アニオン系界面活性剤の例えばフッ化された
カルボン酸やスルホン酸の塩、スルフェート、カチオン
系界面活性剤の例えばフッ化第4級アンモニウム塩、又
はフッ化ノニオン系界面活性剤が挙げられる。混合物は
TFEの臨界温度(Tc )、例えばTFEについては3
3.3℃未満の温度と、界面活性剤を含む水溶液の凍結
温度より高い温度で作成される。圧力はTFEの臨界圧
力未満(即ち、39気圧未満)であるべきである。機械
的攪拌が提供されることができる。水溶性のフリーラジ
カル開始剤の例えば過酸化物、アルカリ性の又はアンモ
ニウムの過硫酸塩、又はいくつかの水溶性アゾ化合物又
は過マンガン酸塩を添加することによってフリーラジカ
ル重合が開始されることができる。また、このフリーラ
ジカル開始剤は、第1鉄塩、硝酸銀、亜硫酸水素ナトリ
ウムなどのような還元剤と併用されることもできる。ま
た、光化学反応によって重合を開始させることもでき
る。あり得る光照射線源には、紫外線(UV)、電子ビ
ーム、又はガンマ線が挙げられる。重合温度は、約3
3.3℃であるテトラフルオロエチレンの臨界温度より
低い。混合物の凍結点より高ければ、任意のより低い温
度であることができるが、実際には約5℃が好ましい。
【0055】混合物中に存在することができるコモノマ
ーには、2〜18の炭素原子のハロゲン化(塩素又はフ
ッ素)オレフィンの例えば塩化ビニル、塩化ビニリデ
ン、クロロトリフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロ
ピレン、ペルフルオロアルキルビニルエーテルなど、水
素化不飽和モノマーの例えばエチレン、プロピレン、イ
ソブチレン、ビニルアセテート、アクリレートなど、架
橋剤の例えばグリシジルビニルエーテル、クロロアルキ
ルビニルエーテル、アリルグリシジルエーテル、アクリ
レート、メタクリレートなどが挙げられる。存在するこ
とができるコモノマーの量は、PTFEが生成物の場合
に得られたであろう生成物の性質を変化させる程には多
くあるべきでない。
【0056】このような水系の中の不飽和モノマーのフ
リーラジカル重合は、場合により、3次元の連続的網状
微細構造を有するコロイド状フッ化オレフィンを含む水
系媒体を生成することがあり、あるいは、スポンジ状の
ゲル物質を生成することもある。本発明の範囲を制限す
る意図はないが、本発明の製造装置と方法は、次の例を
参照することによってより的確に理解されることができ
る。
【0057】
【実施例】例1 150mmのシリコンウェハーを、16%のPTFE、
10%のアンモニウムペルフルオロオクタノエート、及
び残余は水を含むミクロエマルジョンでスピンコーティ
ングした。平均のPTFE粒子サイズは約30ナノメー
トルであった。ウェハーは500rpmで回転させ、2
20℃で乾燥し、360℃で焼成した。フィルムの厚さ
は、SEMによる横断面の測定で約0.75μmであっ
た。
【0058】例2 150mmのシリコンウェハーを、16%のPTFE、
10%のアンモニウムペルフルオロオクタノエート、及
び残余は水を含むミクロエマルジョンでスピンコーティ
ングした。平均のPTFE粒子サイズは約30ナノメー
トルであった。ウェハーは1000rpmで回転させ、
220℃で乾燥し、360℃で焼成した。フィルムの厚
さは、1.38の屈折率を用いて干渉計測で測定し、約
0.38μm〜約0.40μmであった(ナノメトリッ
クス社から入手したナノスペック210型干渉計を使用
した)。
【0059】例3 150mmのシリコンウェハーを、16%のPTFE、
10%のアンモニウムペルフルオロオクタノエート、及
び残余は水を含むミクロエマルジョンでスピンコーティ
ングした。平均のPTFE粒子サイズは約30ナノメー
トルであった。ウェハーは2000rpmで回転させ、
200℃で乾燥し、360℃で焼成した。フィルムの厚
さは、1.38の屈折率を用いて干渉計測で測定し、約
0.28μm〜約0.30μmであった。
【0060】例4 150mmのシリコンウェハーを、16%のPTFE、
10%のアンモニウムペルフルオロオクタノエート、及
び残余は水を含むミクロエマルジョンでスピンコーティ
ングした。平均のPTFE粒子サイズは約30ナノメー
トルであった。ウェハーは3000rpmで回転させ、
200℃で乾燥し、360℃で焼成した。フィルムの厚
さは、1.38の屈折率を用いて干渉計測で測定し、約
0.21μm〜約0.23μmであった。
【0061】例5 150mmのシリコンウェハーを、16%のPTFE、
10%のアンモニウムペルフルオロオクタノエート、及
び残余は水を含むミクロエマルジョンでスピンコーティ
ングした。平均のPTFE粒子サイズは約30ナノメー
トルであった。ウェハーは5000rpmで回転させ、
200℃で乾燥し、360℃で焼成した。フィルムの厚
さは、1.38の屈折率を用いて干渉計測で測定し、約
0.19μm〜約0.22μmであった。
【0062】例6 150mmのシリコンウェハーを、10%のPTFE、
7%のアンモニウムペルフルオロオクタノエート、及び
残余は水を含む重連続ミクロエマルジョンでスピンコー
ティングした。ウェハーは500rpmで回転させ、2
00℃で乾燥し、360℃で焼成した。得られたコーテ
ィングはSEM観察により多孔質であり、2μmの最大
厚さを有していた。
【0063】図面に関し、図1は、例1によるPTFE
ミクロエマルジョンでコーティングした単結晶シリコン
ウェハーのSEM横断面図である。このウェハーは、液
体窒素に浸漬後に割ることによって調製した。図1の底
部は割られたシリコンの破断面である。図1の中央部は
PTFEの破断面である。これは低い温度の最大密度の
PTFE破断面に典型的である。100nmの検尺バー
による測定から、厚さは約0.75μmであることが分
かる。図1の上部は堆積したPTFE表面である。それ
は視野が破断面の垂線から若干外れるため見ることがで
きる。表面は非常に滑らかであり、平坦でピンホールが
ない。
【0064】図2は、例6による重連続PTFEミクロ
エマルジョンでコーティングした単結晶シリコンウェハ
ーのSEMによる表面の像である。PTFEは、図2を
ほぼ水平に横切って走行する最大密度のノードの連続と
して存在する。これらのノードは、図2をほぼ縦に横切
って走行するPTFEフィブリルによって相互に接続さ
れている。図2の垂直方向は、回転操作による遠心力の
方向と同じである。ノードを隔てフィブリル化を形成す
るのはこの力である。PTFEは、通常の延伸膨張PT
FE膜と極めて似ている。それは液体ミクロエマルジョ
ンからウェハーの表面上に直接注型された点で相違す
る。このような中間層誘電体を得るためのもう1つの方
法は、いろいろな押出や延伸膨張プロセスによって、P
TFE膜を個別に調製することであろう。次いでこの膜
は、ウェハーにラミネートされる必要があろう。本発明
の教示は、このようなプロセス工程の多くを省略する。
また、基板にラミネートされていないときは弱い非常に
薄い膜を取り扱う必要性が、本発明の教示によって省略
される。
【0065】図3は、本発明の教示による堆積されたフ
ィルムの厚さ(オングストローム)と回転速度(rp
m)のグラフである。回転速度の増加に伴って、厚さが
なだらかに減少することが分かる。このことは、本願の
教示によって、約0.75μmから約0.2μmまでの
範囲のいろいろな厚さのコーティングが、基板上に容易
に堆積されることを可能にする。
【0066】図4は、等温重量減少割合(%/分)と温
度のグラフである。高温でこの材料によって示される、
集積回路構造体の製造と加工に必要な低い重量減少割合
のため、本発明の低誘電性の材料は、集積回路構造体の
誘電性材料として特に有用であることをこのグラフは示
している。上記に本発明のいくつかの代表的な態様を詳
細に説明したが、当業者であれば、本願で開示の新規な
教示と長所から実質的に逸脱することなく、多くの変更
が可能であることを容易に認識するであろう。従って、
そのような変更はいずれも、請求の範囲に限定した本発
明の範囲に包含されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に教示による0.75μmのPTFEフ
ィルムの走査型電子顕微鏡写真(SEM)の横断面図で
あり、基板上の薄膜の状態を図面に代わって示す。
【図2】本発明の教示による重連続PTFEミクロエマ
ルジョンでコーティングされた単結晶シリコンウェハー
のSEMによる表面の像であり、基板上の薄膜の状態を
図面に代わって示す。
【図3】本発明の教示によって堆積されたフィルムの厚
さ(オングストローム)と回転速度(rpm)のグラフ
である。
【図4】等温重量減少割合(%/分)と温度のグラフで
ある。

Claims (44)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 420℃で0.15%/分未満の重量減
    少と、5μm未満の厚さを有するフルオロポリマーの誘
    電性エレメントを備えたことを特徴とする改良された電
    子デバイス。
  2. 【請求項2】 フルオロポリマーの誘電性エレメントが
    約1.9〜約2.2の範囲の誘電率を有することを特徴
    とする請求項1に記載の電子デバイス。
  3. 【請求項3】 厚さが1.5μm未満であることを特徴
    とする請求項1に記載の電子デバイス。
  4. 【請求項4】 重量減少が420℃で0.02%/分未
    満であることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイ
    ス。
  5. 【請求項5】 重量減少が420℃で0.01%/分未
    満であることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイ
    ス。
  6. 【請求項6】 フルオロポリマーがテトラフルオロエチ
    レンのホモポリマーであることを特徴とする請求項1に
    記載の電子デバイス。
  7. 【請求項7】 フルオロポリマーがテトラフルオロエチ
    レンのコポリマーであることを特徴とする請求項1に記
    載の電子デバイス。
  8. 【請求項8】 フルオロポリマーが、ヘキサフルオロプ
    ロピレンとペルフルオロ(アルキルビニルエーテル)か
    らなる群より選択されたコモノマーを含むことを特徴と
    する請求項1に記載の電子デバイス。
  9. 【請求項9】 フルオロポリマーが酸化防止剤をさらに
    含むことを特徴とする請求項1に記載の電子デバイス。
  10. 【請求項10】 フルオロポリマーが二酸化ケイ素をさ
    らに含むことを特徴とする請求項1に記載の電子デバイ
    ス。
  11. 【請求項11】 フルオロポリマーが多孔質であること
    を特徴とする請求項1に記載の電子デバイス。
  12. 【請求項12】 集積回路構造体の絶縁エレメントとし
    て使用され、420℃で0.15%/分未満の重量減少
    と、5μm未満の厚さを有するフルオロポリマー材料を
    含むことを特徴とする改良された誘電性材料。
  13. 【請求項13】 フルオロポリマー材料が約1.9〜約
    2.2の範囲の誘電率を有することを特徴とする請求項
    12に記載の誘電性材料。
  14. 【請求項14】 厚さが1.5μm未満であることを特
    徴とする請求項12に記載の誘電性材料。
  15. 【請求項15】 重量減少が420℃で0.02%/分
    未満であることを特徴とする請求項12に記載の誘電性
    材料。
  16. 【請求項16】 重量減少が420℃で0.01%/分
    未満であることを特徴とする請求項12に記載の誘電性
    材料。
  17. 【請求項17】 フルオロポリマーがテトラフルオロエ
    チレンのホモポリマーであることを特徴とする請求項1
    2に記載の誘電性材料。
  18. 【請求項18】 フルオロポリマーがテトラフルオロエ
    チレンのコポリマーであることを特徴とする請求項12
    に記載の誘電性材料。
  19. 【請求項19】 フルオロポリマーが、ヘキサフルオロ
    プロピレンとペルフルオロ(アルキルビニルエーテル)
    からなる群より選択されたコモノマーを含むことを特徴
    とする請求項12に記載の誘電性材料。
  20. 【請求項20】 フルオロポリマーが酸化防止剤をさら
    に含むことを特徴とする請求項12に記載の誘電性材
    料。
  21. 【請求項21】 フルオロポリマーが二酸化ケイ素をさ
    らに含むことを特徴とする請求項12に記載の誘電性材
    料。
  22. 【請求項22】 フルオロポリマーが多孔質であること
    を特徴とする請求項12に記載の誘電性材料。
  23. 【請求項23】 2.2未満の誘電率、420℃で0.
    15%/分未満の重量減少、及び5μm未満の厚さを有
    するフッ化ポリマー誘電性エレメントを含むことを特徴
    とする改良された電子デバイス。
  24. 【請求項24】 誘電率が約1.9〜約2.2の範囲で
    あることを特徴とする請求項23に記載の電子デバイ
    ス。
  25. 【請求項25】 厚さが1.5μm未満であることを特
    徴とする請求項23に記載の電子デバイス。
  26. 【請求項26】 重量減少が420℃で0.02%/分
    未満であることを特徴とする請求項23に記載の電子デ
    バイス。
  27. 【請求項27】 重量減少が420℃で0.01%/分
    未満であることを特徴とする請求項23に記載の電子デ
    バイス。
  28. 【請求項28】 フッ化ポリマーがテトラフルオロエチ
    レンのホモポリマーであることを特徴とする請求項23
    に記載の電子デバイス。
  29. 【請求項29】 フッ化ポリマーがテトラフルオロエチ
    レンのコポリマーであることを特徴とする請求項23に
    記載の電子デバイス。
  30. 【請求項30】 フッ化ポリマーが、ヘキサフルオロプ
    ロピレンとペルフルオロ(アルキルビニルエーテル)か
    らなる群より選択されたコモノマーを含むことを特徴と
    する請求項23に記載の電子デバイス。
  31. 【請求項31】 フッ化ポリマーが酸化防止剤をさらに
    含むことを特徴とする請求項23に記載の電子デバイ
    ス。
  32. 【請求項32】 フッ化ポリマーが二酸化ケイ素をさら
    に含むことを特徴とする請求項23に記載の電子デバイ
    ス。
  33. 【請求項33】 フッ化ポリマーが多孔質であることを
    特徴とする請求項23に記載の電子デバイス。
  34. 【請求項34】 集積回路構造体の中の絶縁エレメント
    として使用され、2.2未満の誘電率、420℃で0.
    15%/分未満の重量減少、及び5μm未満の厚さを有
    するフッ化ポリマー材料を含むことを特徴とする改良さ
    れた誘電性材料。
  35. 【請求項35】 誘電率が約1.9〜約2.2の範囲で
    あることを特徴とする請求項34に記載の誘電性材料。
  36. 【請求項36】 厚さが1.5μm未満であることを特
    徴とする請求項34に記載の誘電性材料。
  37. 【請求項37】 重量減少が420℃で0.02%/分
    未満であることを特徴とする請求項34に記載の誘電性
    材料。
  38. 【請求項38】 重量減少が420℃で0.01%/分
    未満であることを特徴とする請求項34に記載の誘電性
    材料。
  39. 【請求項39】 フッ化ポリマーがテトラフルオロエチ
    レンのホモポリマーであることを特徴とする請求項34
    に記載の誘電性材料。
  40. 【請求項40】 フッ化ポリマーがテトラフルオロエチ
    レンのコポリマーであることを特徴とする請求項34に
    記載の誘電性材料。
  41. 【請求項41】 フッ化ポリマーが、ヘキサフルオロプ
    ロピレンとペルフルオロ(アルキルビニルエーテル)か
    らなる群より選択されたコモノマーを含むことを特徴と
    する請求項34に記載の誘電性材料。
  42. 【請求項42】 フッ化ポリマーが酸化防止剤をさらに
    含むことを特徴とする請求項34に記載の誘電性材料。
  43. 【請求項43】 フッ化ポリマーが二酸化ケイ素をさら
    に含むことを特徴とする請求項34に記載の誘電性材
    料。
  44. 【請求項44】 フッ化ポリマーが多孔質であることを
    特徴とする請求項34に記載の誘電性材料。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000239321A (ja) * 1999-02-23 2000-09-05 Ausimont Spa フルオロエラストマー組成物類
JP2005223107A (ja) * 2004-02-05 2005-08-18 Hitachi Ltd 電界効果型トランジスタ及びその製造方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5889104A (en) * 1996-01-11 1999-03-30 W. L. Gore & Associates, Inc. Low dielectric constant material for use as an insulation element in an electronic device
WO1998044544A1 (en) * 1997-04-03 1998-10-08 W.L. Gore & Associates, Inc. Low dielectric constant material with improved dielectric strength
US6086679A (en) * 1997-10-24 2000-07-11 Quester Technology, Inc. Deposition systems and processes for transport polymerization and chemical vapor deposition
US6051321A (en) 1997-10-24 2000-04-18 Quester Technology, Inc. Low dielectric constant materials and method
US6140456A (en) * 1997-10-24 2000-10-31 Quester Techology, Inc. Chemicals and processes for making fluorinated poly(para-xylylenes)
US6323297B1 (en) * 1997-10-24 2001-11-27 Quester Technology, Inc. Low dielectric constant materials with improved thermal and mechanical properties
US6020458A (en) 1997-10-24 2000-02-01 Quester Technology, Inc. Precursors for making low dielectric constant materials with improved thermal stability
KR100466684B1 (ko) * 1997-12-27 2005-01-24 동경 엘렉트론 주식회사 불소 첨가 카본막 및 그 형성 방법
KR20010071175A (ko) 1998-05-01 2001-07-28 세슈 비. 데스 화학 기상 증착에 의해 증착된 옥사이드/유기 폴리머 다층박막
EP0997929A1 (en) * 1998-10-30 2000-05-03 Tokyo Electron Limited Plasma etching of polymer materials
US6495208B1 (en) 1999-09-09 2002-12-17 Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. Near-room temperature CVD synthesis of organic polymer/oxide dielectric nanocomposites
US6960298B2 (en) 2001-12-10 2005-11-01 Nanogen, Inc. Mesoporous permeation layers for use on active electronic matrix devices
TW202206286A (zh) 2020-07-28 2022-02-16 美商聖高拜塑膠製品公司 介電基板及其形成方法
EP4265073A1 (en) 2020-12-16 2023-10-25 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Dielectric substrate and method of forming the same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2484422A1 (fr) 1980-05-14 1981-12-18 Ugine Kuhlmann Procede de traitement de dispersions aqueuses de polytetrafluorethylene preparees en presence du sel de lithium d'un acide perfluoroalcanesulfonique
JPH0821579B2 (ja) * 1989-04-19 1996-03-04 旭硝子株式会社 半導体素子・集積回路装置
US5312716A (en) * 1991-06-06 1994-05-17 Asahi Glass Company Ltd. Process for producing a semiconductor
US5442237A (en) * 1991-10-21 1995-08-15 Motorola Inc. Semiconductor device having a low permittivity dielectric
WO1995006072A1 (en) 1993-08-27 1995-03-02 Gore & Ass Polymerization of liquid tetrafluoroethylene in aqueous dispersion

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000239321A (ja) * 1999-02-23 2000-09-05 Ausimont Spa フルオロエラストマー組成物類
JP2005223107A (ja) * 2004-02-05 2005-08-18 Hitachi Ltd 電界効果型トランジスタ及びその製造方法

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