JPH09180968A - Aluminum foil for electrolytic capacitor electrode - Google Patents

Aluminum foil for electrolytic capacitor electrode

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Publication number
JPH09180968A
JPH09180968A JP33360495A JP33360495A JPH09180968A JP H09180968 A JPH09180968 A JP H09180968A JP 33360495 A JP33360495 A JP 33360495A JP 33360495 A JP33360495 A JP 33360495A JP H09180968 A JPH09180968 A JP H09180968A
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JP
Japan
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ppm
foil
aluminum
thickness
electrolytic capacitor
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Application number
JP33360495A
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Japanese (ja)
Inventor
Ichizo Tsukuda
市三 佃
Tadao Fujihira
忠雄 藤平
Tomoaki Yamanoi
智明 山ノ井
Kimitoku Sugimoto
公徳 杉本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Aluminum Can Corp
Original Assignee
Showa Aluminum Corp
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Filing date
Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To distribute etching pits uniformly at a high density by permitting the aluminum purity to be at a specific value or more at a specified core part and permitting the foil to have a specified quantity of Sb and Pb on a surface layer part with specified depth from the surface of at least one face of the foil. SOLUTION: An aluminum ingot is removed by 0.1μm from the surface, is cold-rolled and is annealed so as to provide the core part of the aluminum foil. Then, Sb-Pb alloy is deposited on the copper foil, heat diffusion is performed, and the aluminum foil which has a Sb-Pb concentrating layer on the surface layer part is manufactured. The aluminum purity of the surface layer part 0.1μm from the surface is 99.8% or more, containing 10-10000ppm Sb, and 10-1000ppm Pb, and the content of the crystal grain boundary with an orientation difference of 10 deg. or less at the core part is permitted to be 80% or more of the whole part.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、電解コンデンサ
電極用アルミニウム箔に関する。
The present invention relates to an aluminum foil for an electrode of an electrolytic capacitor.

【0002】[0002]

【従来の技術】アルミニウム電解コンデンサ用電極材と
して一般に用いられるAl箔には、その実効面積を拡大
して単位面積当たりの静電容量を増大するため、通常、
電気化学的あるいは化学的エッチング処理が施される。
2. Description of the Related Art An Al foil generally used as an electrode material for an aluminum electrolytic capacitor usually has a large effective area to increase the capacitance per unit area.
An electrochemical or chemical etching process is performed.

【0003】しかし、箔を単にエッチング処理するのみ
では十分な静電容量が得られない。このため、一般的に
は箔圧延後の最終焼鈍工程において、立方体方位を多く
有する集合組織にして箔のエッチング特性を向上させる
べく、450℃程度以上の高温加熱処理が施されてい
る。また、箔の化学組成に関しては、箔全体あるいは表
層部に微量元素を添加することが行われている(特開平
6−316737号等)。
[0003] However, a sufficient capacitance cannot be obtained simply by etching the foil. For this reason, generally, in the final annealing step after foil rolling, a high temperature heat treatment of about 450 ° C. or higher is performed in order to improve the etching characteristics of the foil by forming a texture having many cubic orientations. Regarding the chemical composition of the foil, it has been practiced to add a trace element to the entire foil or the surface layer portion (JP-A-6-316737, etc.).

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の高温加
熱処理を施したアルミニウム箔、あるいは微量元素を添
加したアルミニウム箔は、昨今の電解コンデンサの高静
電容量化の要求に対して十分な満足を得るものではなか
った。
However, the aluminum foil which has been subjected to the above-mentioned high temperature heat treatment or the aluminum foil to which trace elements have been added sufficiently satisfies the recent demand for high capacitance of electrolytic capacitors. Did not get

【0005】この発明は、かかる技術的背景に鑑みてな
されたものであって、静電容量を増大し得る電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム箔の提供を目的とする。
The present invention has been made in view of the above technical background, and an object of the present invention is to provide an aluminum foil for an electrolytic capacitor electrode capable of increasing electrostatic capacitance.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、発明者は鋭意研究の結果、アルミニウム箔にSb−
Pb表面濃化層を設け、さらに微量元素を添加し、ある
いはさらに結晶粒界の方位差を規定することで、エッチ
ングピットを均一かつ高密度に分布させ、高静電容量箔
が得られることを見出した。
In order to achieve the above object, the inventors of the present invention have made earnest studies and, as a result, found that Sb--
By providing a Pb surface concentrated layer, adding a trace element, or further defining the orientation difference of the crystal grain boundaries, the etching pits can be uniformly and densely distributed, and a high capacitance foil can be obtained. I found it.

【0007】この発明は、かかる知見に基いてなされた
ものであって、表面から厚さ0.1μmを除く芯部にお
いて、アルミニウム純度が99.8%以上であり、かつ
箔の少なくとも片面の表面から厚さ0.1μmの表層部
において、Sb;100〜10000ppmおよびP
b;10〜1000ppmを含有することを基本要旨と
する。
The present invention has been made on the basis of such findings, and in the core portion excluding the thickness of 0.1 μm from the surface, the aluminum purity is 99.8% or more, and at least one surface of the foil is From the surface layer portion having a thickness of 0.1 μm, Sb: 100 to 10,000 ppm and P
b; The basic gist is to contain 10 to 1000 ppm.

【0008】この発明に係るアルミニウム箔のアルミニ
ウム純度に99.8%以上を必要とするのは、99.8
%未満の純度では、エッチング時にエッチングピットの
成長が多くの不純物の存在によって阻害され、本発明範
囲のSb−Pb濃化層の形成によってもなお均一な深い
トンネル状のエッチングピットを形成できず、従って静
電容量の高いアルミニウム箔を得ることができないから
である。好ましくはアルミニウム純度を99.9%以上
とするのが良い。
The aluminum purity of the aluminum foil according to the present invention is required to be 99.8% or more because it is 99.8.
If the purity is less than%, the growth of etching pits during etching is hindered by the presence of many impurities, and even the formation of the Sb-Pb concentrated layer within the scope of the present invention cannot form uniform deep tunnel-shaped etching pits. Therefore, an aluminum foil having a high capacitance cannot be obtained. The aluminum purity is preferably 99.9% or more.

【0009】アルミニウム箔表層部のSbおよびPb
は、エッチングによりピットを高密度かつ均一に分布さ
せるために必要な元素である。即ち、一般にエッチング
初期には箔表面に存在する表面の凹凸や油、ロールコー
ティングなどの付着物、あるいはそれらが変質したもの
から発生する不均一な局部溶解ピットが発生し、エッチ
ングピット密度の不均一性(疎・密)を生じ、著しい場
合には表面がクレーター状に溶解する。この不均一性は
エッチング終了後も残り、静電容量低下の原因となって
いる。そこで、このような不具合点を防止するために、
これら表面に存在するエッチングピットの不均一要因を
制御する試みが行われているが、発明者は、この点につ
いて鋭意研究の結果、Sb−Pb表面濃化層を有するア
ルミニウム箔がエッチングピットの局部性をなくすとと
もに、高密度に形成させる効果を有することを知見し
た。即ち、Sb−Pb表面濃化層があると、Sb単独あ
るいはPb単独で存在する場合よりもAlとの濡れ性が
向上し、Alマトリックス中に均一に分散しやすくな
り、かつこの合金層がエッチピットの核となるため、均
一かつ高密度に分散したエッチングピットが発生するの
である。このような効果を得るために、表面から厚さ
0.1μmの表層部において、Sb含有量は100pp
m以上必要であるが、10000ppmを越えると濃度
が高すぎて著しい表面溶解が起こり、高静電容量箔を得
ることができない。そこで、表面から厚さ0.1μmの
表層部におけるSb含有量は、100〜10000pp
mとする必要がある。特に好ましくは200〜5000
ppmとするのが良い。また、同様の理由により、Pb
含有量は10〜1000ppmとする必要があり、特に
20〜500ppmが好ましい。このようなSb−Pb
濃化層は、箔の少なくとも片面に存在すれば良い。もち
ろん両面に存在していても良い。
Sb and Pb on the surface of aluminum foil
Is an element necessary for uniformly distributing pits with high density by etching. That is, generally, in the initial stage of etching, uneven unevenness of the surface existing on the foil surface, oil, deposits such as roll coating, or those that have been altered cause uneven local dissolution pits, resulting in uneven etching pit density. The property (sparse / dense) occurs, and in the remarkable case, the surface melts like a crater. This non-uniformity remains even after the end of the etching, causing a decrease in capacitance. Therefore, in order to prevent such defects,
Attempts have been made to control the non-uniformity factor of the etching pits existing on these surfaces, but as a result of earnest research on this point, the inventor has found that the aluminum foil having the Sb-Pb surface concentrated layer has localized etching pits. It was found that it has the effect of eliminating the property and forming it at a high density. That is, when the Sb-Pb surface concentrated layer is present, the wettability with Al is improved as compared with the case where Sb alone or Pb is present alone, and it becomes easier to uniformly disperse in the Al matrix, and the alloy layer is etched. Since it becomes the core of the pits, etching pits that are uniformly and densely dispersed are generated. In order to obtain such an effect, the Sb content is 100 pp in the surface layer portion having a thickness of 0.1 μm from the surface.
It is necessary to have m or more, but if it exceeds 10000 ppm, the concentration is too high and remarkable surface dissolution occurs, so that a high capacitance foil cannot be obtained. Therefore, the Sb content in the surface layer portion having a thickness of 0.1 μm from the surface is 100 to 10000 pp.
m. Particularly preferably 200 to 5000
It is good to use ppm. For the same reason, Pb
The content needs to be 10 to 1000 ppm, and particularly preferably 20 to 500 ppm. Such Sb-Pb
The thickened layer may be present on at least one side of the foil. Of course, it may exist on both sides.

【0010】上述の如く表層部にSbおよびPbを高濃
度に含有するアルミニウム箔の製造は、特に規定される
ことはないが、次のような方法を例示できる。即ち、芯
部を構成する組成のアルミニウム鋳塊に、面削、熱間圧
延、冷間圧延(中間焼鈍を含む)、最終焼鈍を経て製作
したアルミニウム箔の表面に、Sb−Pb合金を蒸着
し、あるいは溶融Sb−Pb合金中にアルミニウム箔を
浸漬することにより、箔表面にSb−Pb合金層を形成
したのち、400〜600℃で1時間以上の加熱により
拡散処理を施す。その際、蒸着あるいは浸漬に使用する
Sb−Pb合金の組成比率は、重量比でSb/Pb≧6
5/35となることが好ましい。これは、Sb−Pbの
合金相状態図における固液相線を越えて完全に液化する
と、粒界拡散性が強まりSbとPbとの濃度分布が不均
一になるためである。また、表層部の厚さおよび該層に
おけるSb含有量およびPb含有量は、前記Sb−Pb
合金層の組成および厚さ、拡散処理処理条件等により調
節することができる。
The production of the aluminum foil containing a high concentration of Sb and Pb in the surface layer as described above is not particularly specified, but the following method can be exemplified. That is, an Sb-Pb alloy is vapor-deposited on the surface of an aluminum foil produced through chamfering, hot rolling, cold rolling (including intermediate annealing), and final annealing on an aluminum ingot having the composition of the core. Alternatively, an Sb-Pb alloy layer is formed on the foil surface by immersing an aluminum foil in a molten Sb-Pb alloy, and then diffusion treatment is performed by heating at 400 to 600 ° C for 1 hour or more. At that time, the composition ratio of the Sb-Pb alloy used for vapor deposition or immersion is Sb / Pb ≧ 6 by weight ratio.
It is preferably 5/35. This is because when it is completely liquefied beyond the solid-liquid phase line in the Sb-Pb alloy phase diagram, the grain boundary diffusivity is enhanced and the concentration distribution of Sb and Pb becomes nonuniform. Further, the thickness of the surface layer portion and the Sb content and Pb content in the layer are the same as the above Sb-Pb.
It can be adjusted by the composition and thickness of the alloy layer, the diffusion treatment conditions, and the like.

【0011】また、箔の芯部に次の各微量元素を添加す
ることにより、さらに静電容量の増大を図ることができ
る。
Further, the capacitance can be further increased by adding the following trace elements to the core of the foil.

【0012】CuおよびZnは、Alマトリックス中に
固溶することにより、箔の溶解性を増してエッチングピ
ットの成長を促進し、静電容量を増大させる。このよう
な効果においてCu、Znは均等物であり、少なくとも
1種を含有すれば良い。Cu含有量は5ppm未満では
前記効果が乏しく、また80ppmを越えると局部溶解
性が強まり、エッチピットの均一分布を妨げる。そのた
め、Cu含有量は5〜80ppmの範囲が好ましく、特
に好ましくは8〜50ppmである。また、Zn含有量
も、Cuと同様の理由により5〜50ppmが好まし
く、特に好ましくは8〜20ppmである。
When Cu and Zn form a solid solution in the Al matrix, they increase the solubility of the foil, promote the growth of etching pits, and increase the capacitance. In such an effect, Cu and Zn are equivalent, and at least one kind may be contained. If the Cu content is less than 5 ppm, the above effect is poor, and if it exceeds 80 ppm, the local solubility is increased, which hinders the uniform distribution of etch pits. Therefore, the Cu content is preferably in the range of 5 to 80 ppm, particularly preferably 8 to 50 ppm. Also, the Zn content is preferably 5 to 50 ppm, and particularly preferably 8 to 20 ppm for the same reason as Cu.

【0013】Gaは、結晶粒界または亜粒界に偏析しや
すく、単独ではエッチピットの不均一分布をもたらす元
素であるが、SbおよびPbの存在下ではこれら元素の
侵入を抑止し、エッチピットの均一分散性を高める効果
がある。Ga含有量は、5ppm未満では前記効果に乏
しく、50ppmを越えると局部溶解性が強まり、エッ
チピットの均一分布を妨げる。そのため、Ga含有量は
5〜50ppmが好ましく、特に好ましくは8〜20p
pmである。
Ga is an element which is easily segregated at the crystal grain boundaries or sub-grain boundaries and causes an uneven distribution of etch pits by itself. Has the effect of increasing the uniform dispersibility of If the Ga content is less than 5 ppm, the above effect is poor, and if it exceeds 50 ppm, the local solubility is enhanced, which hinders the uniform distribution of etch pits. Therefore, the Ga content is preferably 5 to 50 ppm, particularly preferably 8 to 20 p.
pm.

【0014】Fe、Siは、マトリックス中でAlとの
化合物を形成しやすく、これらの元素の分散状態を制御
することにより、エッチピット分布を均一にすることが
できる。このような効果においてFe、Siは均等物で
あり、少なくとも1種を含有すれば良い。しかし、含有
量が多いとエッチング時の過溶解の原因となり静電容量
が低下する。そのため、Fe含有量は5〜60ppmが
好ましく、特に好ましくは10〜20ppmである。ま
た、Si含有量は5〜80ppmが好ましく、特に好ま
しくは15〜30ppmである。
Fe and Si easily form a compound with Al in the matrix, and the etch pit distribution can be made uniform by controlling the dispersed state of these elements. In such an effect, Fe and Si are equivalent, and at least one kind may be contained. However, if the content is large, it causes overdissolution at the time of etching and the electrostatic capacity is lowered. Therefore, the Fe content is preferably 5 to 60 ppm, particularly preferably 10 to 20 ppm. Further, the Si content is preferably 5 to 80 ppm, particularly preferably 15 to 30 ppm.

【0015】以上の添加元素は、アルミニウム箔の芯部
に含有することにより静電容量の増大に寄与するが、表
層部における含有を制限するものではない。
The above-mentioned additional elements contribute to an increase in electrostatic capacity when contained in the core of the aluminum foil, but do not limit the content in the surface layer.

【0016】さらに、芯部における結晶粒界の方位差を
規定することによっても、静電容量の増大を図ることが
できる。即ち、マトリックスの結晶粒界の方位差が大き
くなると、添加元素の拡散は結晶粒界で優先的に進むた
めに、粒界エッチング性が強まり却ってエッチピットの
不均一性が増す。そのため、方位差が10゜以下の結晶
粒界が全体の80%以上を占めることが好ましく、特に
好ましくは、方位差が5゜以下であり、占有率90%以
上である。
Further, the capacitance can be increased by defining the orientation difference of the crystal grain boundaries in the core portion. That is, when the misorientation of the crystal grain boundaries of the matrix becomes large, the diffusion of the additional element preferentially proceeds at the crystal grain boundaries, so that the grain boundary etching property is strengthened and the nonuniformity of the etch pit is increased. Therefore, it is preferable that the crystal grain boundaries having an orientation difference of 10 ° or less occupy 80% or more of the whole, and particularly preferably that the orientation difference is 5 ° or less and the occupation ratio is 90% or more.

【0017】[0017]

【実施例】次に、この発明の電解コンデンサ電極用アル
ミニウム箔の具体的実施例について説明する。
Next, specific examples of the aluminum foil for an electrolytic capacitor electrode of the present invention will be described.

【0018】まず、アルミニウム箔の芯部を構成するた
めに、表1に示すa〜kの各種組成のアルミニウム鋳塊
を面削した後、熱間圧延、冷間圧延(中間焼鈍を含む)
を施し、さらに最終焼鈍を行った。次いで、箔表面に、
組成の異なるSb−Pb合金を蒸着したのち、550℃
×3時間の加熱拡散処理を施し、最終的に厚さが100
μmで、表層部にSb−Pb濃化層を有するアルミニウ
ム箔を作製した。なお、表2のNo. 14はSbおよびP
bの蒸着を行わず、No. 15はPbのみを蒸着したのち
同一条件で加熱拡散処理を行った。
First, in order to form the core of the aluminum foil, aluminum ingots of various compositions a to k shown in Table 1 are chamfered, and then hot-rolled and cold-rolled (including intermediate annealing).
Then, final annealing was performed. Then, on the foil surface,
After depositing Sb-Pb alloys with different compositions, at 550 ° C
× Heat diffusion treatment for 3 hours, and finally the thickness is 100
An aluminum foil having a Sb-Pb concentrated layer on the surface layer was produced with a thickness of μm. No. 14 in Table 2 is Sb and P
No. 15 b was not vapor-deposited, but in No. 15, Pb was vapor-deposited and then heat diffusion treatment was performed under the same conditions.

【0019】上述のようにして作製した各アルミニウム
箔について、表面から厚さ0.1μmの表層部における
Sb含有量およびPb含有量を測定するとともに、芯部
における方位差が10゜以下の結晶粒界の占有率を調べ
た。表2にこれらの結果を示す。
For each of the aluminum foils produced as described above, the Sb content and the Pb content in the surface layer portion having a thickness of 0.1 μm from the surface were measured, and the crystal grains having an orientation difference of 10 ° or less in the core portion were measured. I investigated the occupation rate of the world. Table 2 shows these results.

【0020】次に、各アルミニウム箔について、以下の
条件でエッチングを実施したのち、得られたアルミニウ
ム箔を5%ホウ酸液中で250Vに化成したときの静電
容量を測定した。その結果を、試料No. 15の静電容量
を100%としたときの相対比較にて表2に示す。
Next, each aluminum foil was etched under the following conditions, and the capacitance of the obtained aluminum foil was measured at 250 V in 5% boric acid solution. The results are shown in Table 2 as a relative comparison when the capacitance of Sample No. 15 is 100%.

【0021】 [エッチング条件] 前処理:なし 一次エッチング 液組成:5%HCl+10%H2 SO4 、液温:70℃ 電流密度:直流20A/dm2 、時間:100秒 二次エッチング 液組成:5%HCl、液温:80℃、 電流密度:直流5A/dm2 、時間:8分[Etching Conditions] Pretreatment: None Primary etching liquid composition: 5% HCl + 10% H 2 SO 4 , liquid temperature: 70 ° C. Current density: DC 20 A / dm 2 , time: 100 seconds Secondary etching liquid composition: 5 % HCl, liquid temperature: 80 ° C., current density: direct current 5 A / dm 2 , time: 8 minutes

【表1】 [Table 1]

【0022】[0022]

【表2】 [Table 2]

【0023】表1および表2の結果から、表面に本発明
範囲のSb−Pb表面濃化層を有する本発明実施品は、
本発明範囲を逸脱する比較品に較べて静電容量を増大し
得ることを確認し得た。また、芯部にCu、Zn、G
a、Fe、Siを所定範囲で添加すること、あるいは方
位差の小さい結晶粒界の占有率を高めることにより、さ
らに静電容量の増大しうることも確認し得た。
From the results shown in Tables 1 and 2, the products of the present invention having the Sb-Pb surface concentrated layer within the scope of the present invention on the surface were:
It was confirmed that the capacitance can be increased as compared with the comparative product that deviates from the scope of the present invention. In addition, Cu, Zn, G is added to the core.
It was also confirmed that the capacitance can be further increased by adding a, Fe, and Si in a predetermined range or by increasing the occupancy rate of crystal grain boundaries having a small misorientation.

【0024】[0024]

【発明の効果】この発明に係る電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム箔は、基本的に、表面から厚さ0.1μmを
除く芯部において、アルミニウム純度が99.8%以上
であり、かつ箔の少なくとも片面の表面から厚さ0.1
μmの表層部において、Sb;100〜10000pp
mおよびPb;10〜1000ppmを含有することを
特徴とするものであるから、エッチピットの密度を高め
るとともに均一に分散させ、エッチング処理により極め
て大きな拡面率を得ることができる。従って、大きな静
電容量を有し電気的特性に優れた電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔となしうる。
EFFECTS OF THE INVENTION The aluminum foil for electrolytic capacitor electrodes according to the present invention basically has an aluminum purity of 99.8% or more in the core portion excluding the thickness of 0.1 μm from the surface and at least one side of the foil. 0.1 from the surface of
In the surface layer portion of μm, Sb; 100 to 10,000 pp
m and Pb: 10 to 1000 ppm are contained, so that the density of the etch pits can be increased and the pits can be uniformly dispersed, and an extremely large surface area ratio can be obtained by the etching treatment. Therefore, it is possible to provide an aluminum foil for an electrolytic capacitor electrode having a large capacitance and excellent electrical characteristics.

【0025】また、上記のSb−Pb濃化層を有する箔
の芯部の組成として、アルミニウム純度を99.8%以
上とするとともに、Cu:5〜80ppm、Zn:5〜
50ppmのうちの少なくとも1種を含有させることに
より、エッチング時の箔の溶解性が増し、さらに大きな
静電容量を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
となしうる。また、前記芯部におけるGa含有量を5〜
50ppmとすることにより、一層エッチピットの均一
分散性が高まり、さらに大きな静電容量を有する電解コ
ンデンサ電極用アルミニウム箔となしうる。また、前記
芯部におけるFe含有量を5〜60ppmおよび/また
はSi含有量を5〜80ppmとすることにより、エッ
チピットの分布が一層均一になり、さらに大きな静電容
量を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム箔となし
うる。
As the composition of the core of the foil having the above Sb-Pb concentrated layer, the aluminum purity is set to 99.8% or more, and Cu: 5 to 80 ppm, Zn: 5 to 5 ppm.
By containing at least one of 50 ppm, the solubility of the foil during etching is increased, and an aluminum foil for an electrolytic capacitor electrode having a larger capacitance can be obtained. In addition, the Ga content in the core is 5 to
By setting the content to 50 ppm, the uniform dispersibility of etch pits is further enhanced, and an aluminum foil for electrolytic capacitor electrodes having a larger capacitance can be obtained. Further, by setting the Fe content in the core portion to 5 to 60 ppm and / or the Si content to 5 to 80 ppm, the distribution of etch pits becomes more uniform, and aluminum for electrolytic capacitor electrodes having a larger capacitance is obtained. Can be made with foil.

【0026】さらに、上記のSb−Pb濃化層を有する
箔の芯部において、方位差が10゜以下の結晶粒界の占
有率を80%以上とすることにより、粒界での優先的な
エッチングが抑制されてエッチピットの分布が一層均一
になり、さらに大きな静電容量を有する電解コンデンサ
電極用アルミニウム箔となしうる。
Further, in the core portion of the foil having the above Sb-Pb concentrated layer, the occupancy rate of the crystal grain boundaries having an orientation difference of 10 ° or less is set to 80% or more, so that the grain boundaries are preferentially occupied. Etching is suppressed, the distribution of etch pits becomes more uniform, and an aluminum foil for electrolytic capacitor electrodes having a larger capacitance can be obtained.

フロントページの続き (72)発明者 杉本 公徳 堺市海山町6丁224番地 昭和アルミニウ ム株式会社内Front page continuation (72) Inventor Kotoku Sugimoto 6-224 Kaiyamacho, Sakai City Showa Aluminum Co., Ltd.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 表面から厚さ0.1μmを除く芯部にお
いて、アルミニウム純度が99.8%以上であり、かつ
箔の少なくとも片面の表面から厚さ0.1μmの表層部
において、Sb;100〜10000ppmおよびP
b;10〜1000ppmを含有することを特徴とする
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔。
1. A core portion excluding a thickness of 0.1 μm from the surface has an aluminum purity of 99.8% or more, and a surface layer portion having a thickness of 0.1 μm from at least one surface of the foil, Sb; 100. ~ 10,000 ppm and P
b; Aluminum foil for electrolytic capacitor electrodes, which contains 10 to 1000 ppm.
【請求項2】 表面から厚さ0.1μmを除く芯部にお
いて、Cu:5〜80ppm、Zn:5〜50ppmの
うちの少なくとも1種を含有するとともに、アルミニウ
ム純度が99.8%以上であり、かつ箔の少なくとも片
面の表面から厚さ0.1μmの表層部において、Sb;
100〜10000ppmおよびPb;10〜1000
ppmを含有することを特徴とする電解コンデンサ電極
用アルミニウム箔。
2. The core portion excluding a thickness of 0.1 μm from the surface contains at least one of Cu: 5 to 80 ppm and Zn: 5 to 50 ppm and has an aluminum purity of 99.8% or more. , And Sb in the surface layer portion having a thickness of 0.1 μm from at least one surface of the foil;
100-10,000 ppm and Pb; 10-1000
Aluminum foil for electrolytic capacitor electrodes, which contains ppm.
【請求項3】 表面から厚さ0.1μmを除く芯部にお
いて、Ga;5〜50ppmを含有するとともに、アル
ミニウム純度が99.8%以上であり、かつ箔の少なく
とも片面の表面から厚さ0.1μmの表層部において、
Sb;100〜10000ppmおよびPb;10〜1
000ppmを含有することを特徴とする電解コンデン
サ電極用アルミニウム箔。
3. The core portion, excluding the thickness of 0.1 μm from the surface, contains Ga; 5 to 50 ppm, has an aluminum purity of 99.8% or more, and has a thickness of 0 from at least one surface of the foil. At the surface layer of 1 μm,
Sb; 100-10,000 ppm and Pb; 10-1
Aluminum foil for electrolytic capacitor electrodes, which contains 000 ppm.
【請求項4】 表面から厚さ0.1μmを除く芯部にお
いて、Fe:5〜60ppm、Si:5〜80ppmの
うちの少なくとも1種を含有するとともに、アルミニウ
ム純度が99.8%以上であり、かつ箔の少なくとも片
面の表面から厚さ0.1μmの表層部において、Sb;
100〜10000ppmおよびPb;10〜1000
ppmを含有することを特徴とする電解コンデンサ電極
用アルミニウム箔。
4. The core portion excluding a thickness of 0.1 μm from the surface contains at least one of Fe: 5 to 60 ppm and Si: 5 to 80 ppm, and has an aluminum purity of 99.8% or more. , And Sb in the surface layer portion having a thickness of 0.1 μm from at least one surface of the foil;
100-10,000 ppm and Pb; 10-1000
Aluminum foil for electrolytic capacitor electrodes, which contains ppm.
【請求項5】 表面から厚さ0.1μmを除く芯部にお
いて、Cu:5〜80ppm、Zn:5〜50ppmの
うちの少なくとも1種と、Ga;5〜50ppmとを含
有するとともに、アルミニウム純度が99.8%以上で
あり、かつ箔の少なくとも片面の表面から厚さ0.1μ
mの表層部において、Sb;100〜10000ppm
およびPb;10〜1000ppmを含有することを特
徴とする電解コンデンサ電極用アルミニウム箔。
5. The core portion, excluding the thickness of 0.1 μm from the surface, contains at least one of Cu: 5 to 80 ppm and Zn: 5 to 50 ppm, Ga: 5 to 50 ppm, and has an aluminum purity. Is 99.8% or more, and the thickness is 0.1 μ from at least one surface of the foil.
In the surface layer portion of m, Sb; 100 to 10,000 ppm
And Pb; 10 to 1000 ppm are contained, The aluminum foil for electrolytic capacitor electrodes characterized by the above-mentioned.
【請求項6】 表面から厚さ0.1μmを除く芯部にお
いて、Cu:5〜80ppm、Zn:5〜50ppmの
うちの少なくとも1種と、Fe:5〜60ppm、S
i:5〜80ppmのうちの少なくとも1種とを含有す
るとともに、アルミニウム純度が99.8%以上であ
り、かつ箔の少なくとも片面の表面から厚さ0.1μm
の表層部において、Sb;100〜10000ppmお
よびPb;10〜1000ppmを含有することを特徴
とする電解コンデンサ電極用アルミニウム箔。
6. In a core portion excluding a thickness of 0.1 μm from the surface, at least one of Cu: 5 to 80 ppm and Zn: 5 to 50 ppm, Fe: 5 to 60 ppm, S:
i: containing at least one of 5 to 80 ppm, having an aluminum purity of 99.8% or more, and having a thickness of 0.1 μm from at least one surface of the foil.
The aluminum foil for electrolytic capacitor electrodes, characterized in that Sb; 100 to 10,000 ppm and Pb;
【請求項7】 表面から厚さ0.1μmを除く芯部にお
いて、Ga;5〜50ppmと、Fe:5〜60pp
m、Si:5〜80ppmのうちの少なくとも1種とを
含有するとともに、アルミニウム純度が99.8%以上
であり、かつ箔の少なくとも片面の表面から厚さ0.1
μmの表層部において、Sb;100〜10000pp
mおよびPb;10〜1000ppmを含有することを
特徴とする電解コンデンサ電極用アルミニウム箔。
7. In the core portion excluding the thickness of 0.1 μm from the surface, Ga: 5 to 50 ppm and Fe: 5 to 60 pp
m, Si: at least one of 5 to 80 ppm, the aluminum purity is 99.8% or more, and the thickness of the foil is 0.1 from at least one surface.
In the surface layer portion of μm, Sb; 100 to 10,000 pp
m and Pb; 10 to 1000 ppm are contained, The aluminum foil for electrolytic capacitor electrodes characterized by the above-mentioned.
【請求項8】 表面から厚さ0.1μmを除く芯部にお
いて、Cu:5〜80ppm、Zn:5〜50ppmの
うちの少なくとも1種と、Ga;5〜50ppmと、F
e:5〜60ppm、Si:5〜80ppmのうちの少
なくとも1種とを含有するとともに、アルミニウム純度
が99.8%以上であり、かつ箔の少なくとも片面の表
面から厚さ0.1μmの表層部において、Sb;100
〜10000ppmおよびPb;10〜1000ppm
を含有することを特徴とする電解コンデンサ電極用アル
ミニウム箔。
8. In a core portion excluding a thickness of 0.1 μm from the surface, at least one of Cu: 5 to 80 ppm and Zn: 5 to 50 ppm, Ga: 5 to 50 ppm, and F:
e: 5-60 ppm, Si: 5-80 ppm, and at least one of aluminum has a purity of 99.8% or more, and a surface layer portion having a thickness of 0.1 μm from at least one surface of the foil. In, Sb; 100
-10,000 ppm and Pb; 10-1000 ppm
An aluminum foil for an electrolytic capacitor electrode, which comprises:
【請求項9】 前記芯部において、方位差が10゜以下
の結晶粒界が全体の80%以上を占める請求項1乃至8
のいずれかに記載の電解コンデンサ電極用アルミニウム
箔。
9. The crystal grain boundaries having an orientation difference of 10 ° or less occupy 80% or more of the whole in the core portion.
An aluminum foil for an electrolytic capacitor electrode according to any one of 1.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3886221A4 (en) * 2018-11-22 2022-08-03 Sumitomo Chemical Company Limited Negative-electrode active material for non-aqueous electrolyte secondary cell, negative electrode, cell, and laminate

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