JPH09162168A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH09162168A JPH09162168A JP31661095A JP31661095A JPH09162168A JP H09162168 A JPH09162168 A JP H09162168A JP 31661095 A JP31661095 A JP 31661095A JP 31661095 A JP31661095 A JP 31661095A JP H09162168 A JPH09162168 A JP H09162168A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【課題】幅が２μmレベルのトレンチの場合でも、アス
ペクト比が従来の1/2程度でも、トレンチ形成と同時に
底部のコーナー部の曲率半径を増大させ、底部全体の丸
底化を実現することのできる半導体装置の製造方法を提
供すること。 【解決手段】シリコン基板の主面上にシリコン酸化物を
主成分とする誘電体層を形成する工程、上記誘電体層の
所望の領域に１箇所当りの最大幅が２μm以下の開口部
を設けてシリコン基板を露出させる工程、水素化臭素、
塩素、酸素及びヘリウムの混合ガスを用いた、シリコン
のマグネトロンリアクティブイオンエッチングによるア
スペクト比３以上の深穴を形成する工程を有し、上記リ
アクティブイオンエッチングにおける反応圧力を100mTo
rrに制御し、13.56MHzの高周波電力を密度電力1.6W/cm2
印加し、上記水素化臭素の流量を10〜20sccm、塩素の流
量を20〜50sccm、酸素の流量を２〜６sccmの範囲とする
半導体装置の製造方法とすること。
ペクト比が従来の1/2程度でも、トレンチ形成と同時に
底部のコーナー部の曲率半径を増大させ、底部全体の丸
底化を実現することのできる半導体装置の製造方法を提
供すること。 【解決手段】シリコン基板の主面上にシリコン酸化物を
主成分とする誘電体層を形成する工程、上記誘電体層の
所望の領域に１箇所当りの最大幅が２μm以下の開口部
を設けてシリコン基板を露出させる工程、水素化臭素、
塩素、酸素及びヘリウムの混合ガスを用いた、シリコン
のマグネトロンリアクティブイオンエッチングによるア
スペクト比３以上の深穴を形成する工程を有し、上記リ
アクティブイオンエッチングにおける反応圧力を100mTo
rrに制御し、13.56MHzの高周波電力を密度電力1.6W/cm2
印加し、上記水素化臭素の流量を10〜20sccm、塩素の流
量を20〜50sccm、酸素の流量を２〜６sccmの範囲とする
半導体装置の製造方法とすること。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、特に、シリコン基板内部に深穴や深溝を形成し
これを電極として利用する構造の半導体装置の製造に好
適な製造方法に関する。
に係り、特に、シリコン基板内部に深穴や深溝を形成し
これを電極として利用する構造の半導体装置の製造に好
適な製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置において、深穴や深溝(以
下、「トレンチ１」と略称する)を形成し、これをゲート
電極やキャパシタ電極として用いる場合に、リアクティ
ブイオンエッチング(以下、「RIE」と略称する)法により
形成したトレンチ１底部に図８に示すような鋭角なコー
ナー部分５が存在すると、応力や電界が集中して素子性
能を低下させたり破壊に至らしめる場合があり、このた
め、図９に示すように、上記鋭角部分を丸めて、トレン
チ幅に対する曲率半径が可能な限り大きくなるように、
下記の例に示すような工夫がなされてきた。
下、「トレンチ１」と略称する)を形成し、これをゲート
電極やキャパシタ電極として用いる場合に、リアクティ
ブイオンエッチング(以下、「RIE」と略称する)法により
形成したトレンチ１底部に図８に示すような鋭角なコー
ナー部分５が存在すると、応力や電界が集中して素子性
能を低下させたり破壊に至らしめる場合があり、このた
め、図９に示すように、上記鋭角部分を丸めて、トレン
チ幅に対する曲率半径が可能な限り大きくなるように、
下記の例に示すような工夫がなされてきた。
【０００３】第１の例は、広く知られた方法で、シリコ
ン基板２上にトレンチを形成した後、トレンチ内のシリ
コン表面を凡そ1000℃以上の高温で酸化することによっ
て、コーナー部分５を幾分丸めるという方法である。
ン基板２上にトレンチを形成した後、トレンチ内のシリ
コン表面を凡そ1000℃以上の高温で酸化することによっ
て、コーナー部分５を幾分丸めるという方法である。
【０００４】第２の例は、上記例と同様に広く知られた
方法で、トレンチを形成した後、トレンチ内のシリコン
をフッ化水素酸と硝酸との混合液を用いて等方的にエッ
チングすることによって、曲率半径を大きくするという
方法である。
方法で、トレンチを形成した後、トレンチ内のシリコン
をフッ化水素酸と硝酸との混合液を用いて等方的にエッ
チングすることによって、曲率半径を大きくするという
方法である。
【０００５】第３の例は、特開平1‐72551号公報あるい
は特開平6‐21214号公報に記載のように、トレンチを形
成した後、不純物をドープしたアモルファスもしくはポ
リシリコンやアモルファスシリコンを形成してその一部
を酸化し、エッチングにより除去した後、さらに、その
表面を酸化することによってコーナー部５の曲率半径を
大きくする方法である。
は特開平6‐21214号公報に記載のように、トレンチを形
成した後、不純物をドープしたアモルファスもしくはポ
リシリコンやアモルファスシリコンを形成してその一部
を酸化し、エッチングにより除去した後、さらに、その
表面を酸化することによってコーナー部５の曲率半径を
大きくする方法である。
【０００６】第４の例は、特開昭63‐166230号公報記載
のように、トレンチを形成した後、不純物含有シリケー
トガラス層を形成したまま、シリコンを酸化することに
よってコーナー部５の曲率半径を大きくする方法であ
る。
のように、トレンチを形成した後、不純物含有シリケー
トガラス層を形成したまま、シリコンを酸化することに
よってコーナー部５の曲率半径を大きくする方法であ
る。
【０００７】第５の例は、特開昭63‐166230号公報ある
いは特開平5‐226298号公報記載のように、トレンチを
形成した後、シリコン基板２を加熱し、高周波放電によ
って励起させた CF4と酸素ガスに窒素ガスを添加して希
釈したエッチングガスの供給律速条件下でエッチングを
行ったり、フロンガスと酸素ガスの混合ガスを用いたプ
ラズマエッチングを行うことによってコーナー部５の曲
率半径を大きくする方法である。
いは特開平5‐226298号公報記載のように、トレンチを
形成した後、シリコン基板２を加熱し、高周波放電によ
って励起させた CF4と酸素ガスに窒素ガスを添加して希
釈したエッチングガスの供給律速条件下でエッチングを
行ったり、フロンガスと酸素ガスの混合ガスを用いたプ
ラズマエッチングを行うことによってコーナー部５の曲
率半径を大きくする方法である。
【０００８】第６の例は、特開平2‐214140号公報記載
のように、トレンチエッチング用マスク開孔部に酸化シ
リコンの廂を設け、これをマスクとしてトレンチを形成
した後、上記マスク位置にトレンチ側壁が一致するまで
等方的にエッチングをすることによってコーナー部５の
曲率半径を大きくする方法である。
のように、トレンチエッチング用マスク開孔部に酸化シ
リコンの廂を設け、これをマスクとしてトレンチを形成
した後、上記マスク位置にトレンチ側壁が一致するまで
等方的にエッチングをすることによってコーナー部５の
曲率半径を大きくする方法である。
【０００９】第７の例は、特開平5‐102297号公報に記
載のように、トレンチを形成した後、トレンチ内側壁に
酸化シリコンからなる保護膜を設け、これをマスクとし
てトレンチ底部を等方的にエッチングして、底部の丸み
とトレンチの側壁とを一致させることによって、コーナ
ー部５の曲率半径を大きくする方法である。
載のように、トレンチを形成した後、トレンチ内側壁に
酸化シリコンからなる保護膜を設け、これをマスクとし
てトレンチ底部を等方的にエッチングして、底部の丸み
とトレンチの側壁とを一致させることによって、コーナ
ー部５の曲率半径を大きくする方法である。
【００１０】最後に、第８の例は、種々のガスを用いた
リアクティブイオンエッチングにおいて、条件を選ぶこ
とによって、図10に示したように、凡その直径が１μm
以下でかつアスペクト比が７程度以上の場合に、トレン
チ１底部のコーナー部５の曲率半径を大きくする方法で
ある。
リアクティブイオンエッチングにおいて、条件を選ぶこ
とによって、図10に示したように、凡その直径が１μm
以下でかつアスペクト比が７程度以上の場合に、トレン
チ１底部のコーナー部５の曲率半径を大きくする方法で
ある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
第１〜第７の何れの方法においても、トレンチ１底部の
コーナー部の曲率半径を大きくするために、トレンチ形
成後に何らかの処理工程を必要とするもので、その工程
分、材料や作業工数、管理工数を必要とし、コスト上昇
をもたらすことになる。
第１〜第７の何れの方法においても、トレンチ１底部の
コーナー部の曲率半径を大きくするために、トレンチ形
成後に何らかの処理工程を必要とするもので、その工程
分、材料や作業工数、管理工数を必要とし、コスト上昇
をもたらすことになる。
【００１２】さらに、これらの方法は、トレンチの幅が
凡そ１μmレベル以下ではトレンチ底部を平坦部分のな
い丸底を実現することが可能であるが、凡そ２μmのレ
ベルでは平坦部の存在からは逃れ得なかった。
凡そ１μmレベル以下ではトレンチ底部を平坦部分のな
い丸底を実現することが可能であるが、凡そ２μmのレ
ベルでは平坦部の存在からは逃れ得なかった。
【００１３】また、上記の第８の例の方法では、トレン
チ形成後の、トレンチ１底部のコーナー部５の曲率半径
を大きくするための処理工程は必要としないものの、ト
レンチ１の寸法は、上記のように、直径が１μm以下で
かつアスペクト比が７程度以上に制限され、半導体装置
設計及び工程設計上制約が大きい。
チ形成後の、トレンチ１底部のコーナー部５の曲率半径
を大きくするための処理工程は必要としないものの、ト
レンチ１の寸法は、上記のように、直径が１μm以下で
かつアスペクト比が７程度以上に制限され、半導体装置
設計及び工程設計上制約が大きい。
【００１４】本発明の目的は、上記従来技術の有してい
た課題を解決して、幅が２μmレベルのトレンチの場合
でも、アスペクト比が従来の1/2程度でも、トレンチ形
成と同時に底部のコーナー部５の曲率半径を増大させ、
ひいては、底部全体の丸底化を実現することのできる半
導体装置の製造方法を提供すると共に、半導体装置設計
及び工程設計の自由度を向上させることにある。
た課題を解決して、幅が２μmレベルのトレンチの場合
でも、アスペクト比が従来の1/2程度でも、トレンチ形
成と同時に底部のコーナー部５の曲率半径を増大させ、
ひいては、底部全体の丸底化を実現することのできる半
導体装置の製造方法を提供すると共に、半導体装置設計
及び工程設計の自由度を向上させることにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、シリコン基
板の主面上にシリコン酸化物を主成分とする誘電体層を
形成する工程と、上記誘電体層の所望の領域に１箇所当
りの最大幅が２μm以下の開口部を設けてシリコン基板
を露出させる工程と、水素化臭素、塩素、酸素及びヘリ
ウムの混合ガスを用いた、シリコンのマグネトロンリア
クティブイオンエッチングによるアスペクト比３以上の
深穴を形成する工程とを有し、上記リアクティブイオン
エッチングにおける反応圧力を100mTorrに制御し、13.5
6MHzの高周波電力を密度電力1.6W/cm2印加し、上記水素
化臭素の流量を10〜20sccm、塩素の流量を20〜50sccm、
酸素の流量を２〜６sccmの範囲とする半導体装置の製造
方法とすることによって達成することができる。
板の主面上にシリコン酸化物を主成分とする誘電体層を
形成する工程と、上記誘電体層の所望の領域に１箇所当
りの最大幅が２μm以下の開口部を設けてシリコン基板
を露出させる工程と、水素化臭素、塩素、酸素及びヘリ
ウムの混合ガスを用いた、シリコンのマグネトロンリア
クティブイオンエッチングによるアスペクト比３以上の
深穴を形成する工程とを有し、上記リアクティブイオン
エッチングにおける反応圧力を100mTorrに制御し、13.5
6MHzの高周波電力を密度電力1.6W/cm2印加し、上記水素
化臭素の流量を10〜20sccm、塩素の流量を20〜50sccm、
酸素の流量を２〜６sccmの範囲とする半導体装置の製造
方法とすることによって達成することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明製造方法の実施の手順につ
いて、図１〜図10によって説明する。まず、図２に示す
ように、シリコン基板２の１主面上に、エッチングマス
ク３として用いるフォスフォシリケートグラス(PSG)の
層を形成し、次いで所望の位置に幅もしくは直径が２μ
m以下の寸法の開孔部４を設けて、シリコン基板２の表
面を露出させる。次に、マグネトロンリアクティブイオ
ンエッチング法を用いてトレンチの形成エッチングを行
う。なお、この実験に用いた装置の各パラメータの制御
においては凡そ10％の誤差を有する。本エッチングにお
いて、反応圧力を100mTorrに制御しながら高周波電力密
度1.6W/cm2を印加し、ガス条件の一例として水素化臭素
の流量15sccm、塩素の流量30sccm、酸素の流量2.1scc
m、ヘリウムの流量4.9sccmの混合ガスを供給し、アスペ
クト比３となる深さ６μmまでエッチングを施すと、図
１に示す形状のトレンチ１が得られる。このトレンチ１
の底部には、コーナー部５と見做せる部分が存在しない
のみならず、曲率半径がトレンチ１底部の幅のほぼ1/2
と見做せる形状となり、これによって、トレンチ形成後
に酸化やエッチングを必要とするトレンチ底部のコーナ
ーの丸め工程が不要となるだけでなく、さらに、底部全
体が丸い形状となっている。この形状は、トレンチを用
いる半導体装置において、トレンチ底部に発生する電界
集中による素子の破壊を防止するための理想形状として
求められていた化学実験用試験管の底のような形状とほ
ぼ一致するものである。
いて、図１〜図10によって説明する。まず、図２に示す
ように、シリコン基板２の１主面上に、エッチングマス
ク３として用いるフォスフォシリケートグラス(PSG)の
層を形成し、次いで所望の位置に幅もしくは直径が２μ
m以下の寸法の開孔部４を設けて、シリコン基板２の表
面を露出させる。次に、マグネトロンリアクティブイオ
ンエッチング法を用いてトレンチの形成エッチングを行
う。なお、この実験に用いた装置の各パラメータの制御
においては凡そ10％の誤差を有する。本エッチングにお
いて、反応圧力を100mTorrに制御しながら高周波電力密
度1.6W/cm2を印加し、ガス条件の一例として水素化臭素
の流量15sccm、塩素の流量30sccm、酸素の流量2.1scc
m、ヘリウムの流量4.9sccmの混合ガスを供給し、アスペ
クト比３となる深さ６μmまでエッチングを施すと、図
１に示す形状のトレンチ１が得られる。このトレンチ１
の底部には、コーナー部５と見做せる部分が存在しない
のみならず、曲率半径がトレンチ１底部の幅のほぼ1/2
と見做せる形状となり、これによって、トレンチ形成後
に酸化やエッチングを必要とするトレンチ底部のコーナ
ーの丸め工程が不要となるだけでなく、さらに、底部全
体が丸い形状となっている。この形状は、トレンチを用
いる半導体装置において、トレンチ底部に発生する電界
集中による素子の破壊を防止するための理想形状として
求められていた化学実験用試験管の底のような形状とほ
ぼ一致するものである。
【００１７】上記の条件において反応圧力を低圧側に変
化させると、側壁の中程に凹み６がエッチングされるう
えに、トレンチ１底部が粗いグラス７と呼ばれるヒゲ状
の突起が形成されるようになり、例えば75mTOrrにまで
達すると、図３に示すように、使用に耐えない形状とな
る。逆に、反応圧力を高圧側に変化させると、トレンチ
１底部のコーナー部５は次第に丸みを失っていき、例え
ば150mTorrまで到達すると、図４に示すように、トレン
チ１底部のコーナー部５は鋭い鋭角となってしまう。以
上の結果から、目的にかなう圧力条件は、上記に示した
制御可能な範囲に限定される。
化させると、側壁の中程に凹み６がエッチングされるう
えに、トレンチ１底部が粗いグラス７と呼ばれるヒゲ状
の突起が形成されるようになり、例えば75mTOrrにまで
達すると、図３に示すように、使用に耐えない形状とな
る。逆に、反応圧力を高圧側に変化させると、トレンチ
１底部のコーナー部５は次第に丸みを失っていき、例え
ば150mTorrまで到達すると、図４に示すように、トレン
チ１底部のコーナー部５は鋭い鋭角となってしまう。以
上の結果から、目的にかなう圧力条件は、上記に示した
制御可能な範囲に限定される。
【００１８】次に、上記の条件において、印加電力密度
を低電力側に減じていく場合にも、トレンチ１底部のコ
ーナー部５は次第に丸みを失っていき、例えば1.2W/cm2
まで到達すると、図５に示すように、トレンチ１底部の
コーナー部５は鋭い鋭角となってしまう。逆に、高電力
に増加させていくと、トレンチ１底部は丸みを維持しな
がらもコーナー部には角が形成されるようになり、3.2W
/cm2まで変化させていくと、図６に示すように、トレン
チ１底部のコーナー部５に鋭い突起と食い込み８を形成
してしまうことになる。この結果から、目的にかなう電
力密度条件も、ガス圧力の場合と同様に、上記に示した
制御可能な範囲に限定される。
を低電力側に減じていく場合にも、トレンチ１底部のコ
ーナー部５は次第に丸みを失っていき、例えば1.2W/cm2
まで到達すると、図５に示すように、トレンチ１底部の
コーナー部５は鋭い鋭角となってしまう。逆に、高電力
に増加させていくと、トレンチ１底部は丸みを維持しな
がらもコーナー部には角が形成されるようになり、3.2W
/cm2まで変化させていくと、図６に示すように、トレン
チ１底部のコーナー部５に鋭い突起と食い込み８を形成
してしまうことになる。この結果から、目的にかなう電
力密度条件も、ガス圧力の場合と同様に、上記に示した
制御可能な範囲に限定される。
【００１９】次に、各ガスの制御に関して述べる。ガス
の条件については、上記の圧力や電力の場合ほどの劇的
な変化はないが、以下の理由によって上記の範囲にほぼ
制限される。まず、水素化臭素ガスについては、その流
量が10sccmを下回ると塩素のみを用いたエッチングの特
性に近い図３に似た形状に近づき、逆に20sccmを上回る
と図４に似た形状に近づいていき、所望の形状を実現し
得なくなる。
の条件については、上記の圧力や電力の場合ほどの劇的
な変化はないが、以下の理由によって上記の範囲にほぼ
制限される。まず、水素化臭素ガスについては、その流
量が10sccmを下回ると塩素のみを用いたエッチングの特
性に近い図３に似た形状に近づき、逆に20sccmを上回る
と図４に似た形状に近づいていき、所望の形状を実現し
得なくなる。
【００２０】塩素ガスについては、その流量が20sccmを
下回ると、図７に示すように、コーナー部５には角が形
成されるようになり、流量が50sccmを上回ると、図３に
似た形状に近づいていき、所望の形状を実現し得なくな
る。
下回ると、図７に示すように、コーナー部５には角が形
成されるようになり、流量が50sccmを上回ると、図３に
似た形状に近づいていき、所望の形状を実現し得なくな
る。
【００２１】また、酸素ガスの流量については、２〜６
sccm程度の範囲に維持すればエッチングにおいて安定し
た異方性が確保されるが、これ以下では側壁がエッチン
グされて垂直性が阻害され、これ以上に増加させても形
状的にメリットがなく、また、エッチングガス比のバラ
ンスが崩れて良好なエッチングを実現することができな
い。
sccm程度の範囲に維持すればエッチングにおいて安定し
た異方性が確保されるが、これ以下では側壁がエッチン
グされて垂直性が阻害され、これ以上に増加させても形
状的にメリットがなく、また、エッチングガス比のバラ
ンスが崩れて良好なエッチングを実現することができな
い。
【００２２】ヘリウムガスは酸素のキャリアガスとして
用いたもので、流量によってエッチングにおける自己バ
イアス電圧を制御することもできるが、形状への影響は
無視することができる。
用いたもので、流量によってエッチングにおける自己バ
イアス電圧を制御することもできるが、形状への影響は
無視することができる。
【００２３】また、マグネトロンリアクティブイオンエ
ッチングにおける磁界強度については、磁界が印加され
ていればよく、磁界強度によって上記の自己バイアス電
圧が変化するが、エッチング速度に僅かな変化を与える
だけで、形状への影響は無視することができる。
ッチングにおける磁界強度については、磁界が印加され
ていればよく、磁界強度によって上記の自己バイアス電
圧が変化するが、エッチング速度に僅かな変化を与える
だけで、形状への影響は無視することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上述べてきたように、半導体装置の製
造方法を本発明構成の方法とすることによって、従来技
術の有していた課題を解決して、幅が２μmレベルのト
レンチの場合でも、アスペクト比が従来の1/2程度で
も、トレンチ形成と同時に底部のコーナー部５の曲率半
径を増大させ、ひいては、底部全体の丸底化を実現する
ことのできる半導体装置の製造方法を提供すると共に、
半導体装置設計及び工程設計の自由度を向上させること
ができた。
造方法を本発明構成の方法とすることによって、従来技
術の有していた課題を解決して、幅が２μmレベルのト
レンチの場合でも、アスペクト比が従来の1/2程度で
も、トレンチ形成と同時に底部のコーナー部５の曲率半
径を増大させ、ひいては、底部全体の丸底化を実現する
ことのできる半導体装置の製造方法を提供すると共に、
半導体装置設計及び工程設計の自由度を向上させること
ができた。
【図１】本発明の製造方法を用いて形成したトレンチの
概略形状を示す断面図。
概略形状を示す断面図。
【図２】本発明の方法を用いるために形成したエッチン
グマスクの形状を示す断面図。
グマスクの形状を示す断面図。
【図３】エッチング反応圧力を減じた場合、水素化臭素
ガスの流量を減じた場合もしくは塩素ガスの流量を増加
させた場合の１条件において得られるトレンチの形状を
示す断面図。
ガスの流量を減じた場合もしくは塩素ガスの流量を増加
させた場合の１条件において得られるトレンチの形状を
示す断面図。
【図４】エッチング反応圧力を増加させた場合もしくは
水素化臭素ガスの流量を増加させた場合の１条件におい
て得られるトレンチの形状を示す断面図。
水素化臭素ガスの流量を増加させた場合の１条件におい
て得られるトレンチの形状を示す断面図。
【図５】印加電力密度を減じた場合の１条件において得
られるトレンチの形状を示す断面図。
られるトレンチの形状を示す断面図。
【図６】印加電力密度を増加させた場合の１条件におい
て得られるトレンチの形状を示す断面図。
て得られるトレンチの形状を示す断面図。
【図７】塩素ガスの流量を減じた場合の１条件において
得られるトレンチの形状を示す断面図。
得られるトレンチの形状を示す断面図。
【図８】トレンチ底部に存在する鋭角のコーナー部を示
す図。
す図。
【図９】トレンチ底部の鋭角部分を丸めた状態を示す
図。
図。
【図１０】直径が１μm以下、アスペクト比が７程度以
上の場合にトレンチ底部の曲率半径を大きくした状態を
示す図。
上の場合にトレンチ底部の曲率半径を大きくした状態を
示す図。
１…トレンチ、２…シリコン基板、３…エッチングマス
ク、４…エッチングマスクの開孔部、５…トレンチ底部
のコーナー部、６…トレンチ側壁中程の凹み、７…グラ
ス、８…食い込み。
ク、４…エッチングマスクの開孔部、５…トレンチ底部
のコーナー部、６…トレンチ側壁中程の凹み、７…グラ
ス、８…食い込み。
Claims (1)
- 【請求項１】シリコン基板の主面上にシリコン酸化物を
主成分とする誘電体層を形成する工程と、上記誘電体層
の所望の領域に１箇所当りの最大幅が２μm以下の開口
部を設けてシリコン基板を露出させる工程と、水素化臭
素、塩素、酸素及びヘリウムの混合ガスを用いた、シリ
コンのマグネトロンリアクティブイオンエッチングによ
るアスペクト比３以上の深穴を形成する工程とを有し、
上記リアクティブイオンエッチングにおける反応圧力を
100mTorrに制御し、13.56MHzの高周波電力を密度電力1.
6W/cm2印加し、上記水素化臭素の流量を10〜20sccm、塩
素の流量を20〜50sccm、酸素の流量を２〜６sccmの範囲
とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31661095A JPH09162168A (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31661095A JPH09162168A (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162168A true JPH09162168A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18078991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31661095A Pending JPH09162168A (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09162168A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6469345B2 (en) | 2000-01-14 | 2002-10-22 | Denso Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US6482701B1 (en) | 1999-08-04 | 2002-11-19 | Denso Corporation | Integrated gate bipolar transistor and method of manufacturing the same |
| US6521538B2 (en) | 2000-02-28 | 2003-02-18 | Denso Corporation | Method of forming a trench with a rounded bottom in a semiconductor device |
| US6864532B2 (en) | 2000-01-14 | 2005-03-08 | Denso Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US7368342B2 (en) | 2001-09-27 | 2008-05-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2008294210A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-12-05 JP JP31661095A patent/JPH09162168A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6482701B1 (en) | 1999-08-04 | 2002-11-19 | Denso Corporation | Integrated gate bipolar transistor and method of manufacturing the same |
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| US6864532B2 (en) | 2000-01-14 | 2005-03-08 | Denso Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US7354829B2 (en) | 2000-01-14 | 2008-04-08 | Denso Corporation | Trench-gate transistor with ono gate dielectric and fabrication process therefor |
| US6521538B2 (en) | 2000-02-28 | 2003-02-18 | Denso Corporation | Method of forming a trench with a rounded bottom in a semiconductor device |
| US7368342B2 (en) | 2001-09-27 | 2008-05-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2008294210A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
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