JPH09162147A - Substrate treating system - Google Patents

Substrate treating system

Info

Publication number
JPH09162147A
JPH09162147A JP31905395A JP31905395A JPH09162147A JP H09162147 A JPH09162147 A JP H09162147A JP 31905395 A JP31905395 A JP 31905395A JP 31905395 A JP31905395 A JP 31905395A JP H09162147 A JPH09162147 A JP H09162147A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing
opening
liquid
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31905395A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasumasa Shima
泰正 志摩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP31905395A priority Critical patent/JPH09162147A/en
Publication of JPH09162147A publication Critical patent/JPH09162147A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a substrate treating system in which the liquid can be cut sufficiently before drying up pefectly at the time of transferring the substrate from an upstream side treating bath to a downstream side treating bath while suppressing the facility cost. SOLUTION: The substrate treating system comprises a partition wall 13 interposed between an upstream side treating bath 2 and a downstream side treating bath 3, an opening for passing a substrate B made through the partition wall 13, and a roller 15 for transferring the substrate B from the upstream side treating bath 2 through the opening to the downstream side treating bath 3 substantially in horizontal attitude. An air knife part 40 for blowing a gas to the surface of the substrate B being fed with a treating liquid is provided at the opening while extending in the direction intersecting the carrying direction of the substrate B perpendicularly. The air knife part 40 comprises an upstream side air knife 41 and a downstream side air knife 42 having nozzles 41c, 42c inclining in the direction approaching each other on the forward end side thereof.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、略水平方向に搬送
される基板に処理液を供給する複数の処理槽が連設され
てなる基板処理装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus in which a plurality of processing baths for supplying a processing liquid to a substrate transported in a substantially horizontal direction are connected in series.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶や半導体等の基板は、複数の処理槽
が連設された処理槽内に、コンベヤベルトやローラ等の
搬送手段によって略水平姿勢で順番に搬送され、各処理
槽内で各種の処理液が供給されることによって所定の処
理が施される。上記処理液は、例えば、現像液、洗浄
液、エッチング液、剥離液、純水など性状の異なる液が
用いられ、各処理槽では異なった処理液が供給される。
上記各処理槽間には基板を通す開口部を備えた仕切壁が
設けられ、上記開口部によって処理槽間の基板の搬送を
可能にしているとともに、仕切壁によって隣接した処理
槽の処理液が混ざり合わないようにしている。
2. Description of the Related Art Substrates such as liquid crystals and semiconductors are sequentially transported in a substantially horizontal posture by a transporting means such as a conveyor belt or rollers into a processing bath in which a plurality of processing baths are arranged in series. Predetermined processing is performed by supplying various processing liquids. As the processing liquid, for example, a developing liquid, a cleaning liquid, an etching liquid, a stripping liquid, pure water, or the like having different properties is used, and different processing liquids are supplied to the respective processing tanks.
A partition wall having an opening through which a substrate is passed is provided between the processing tanks, and the opening allows the substrates to be transferred between the processing tanks. I try not to mix them.

【0003】しかしながら、上手側処理槽において処理
液を供給された基板が開口部を通って下手側処理槽に搬
送されると、下手側処理槽に移行した基板には上手側の
処理液が付着しているため、下手側処理槽において基板
上で上手側の処理液と下手側の処理液とが相互に混ざり
合い、下手側の処理液の性状が変化して基板が処理不良
になるという不都合が生じる。特に上手側処理液に薬液
を用いている場合は、下手側処理層の処理液が上手側処
理液に混入すると、性状変化が大きく、処理品質が大き
く劣化する。
However, when the substrate to which the processing liquid is supplied in the upper processing tank is conveyed to the lower processing tank through the opening, the upper processing liquid adheres to the substrate transferred to the lower processing tank. Therefore, in the lower side processing tank, the upper side processing liquid and the lower side processing liquid are mixed with each other on the substrate, and the property of the lower side processing liquid is changed, resulting in defective processing of the substrate. Occurs. In particular, when a chemical solution is used as the good-side processing solution, if the processing solution of the lower-side processing layer mixes with the good-side processing solution, the property changes greatly and the processing quality deteriorates significantly.

【0004】このような不都合を回避する対策の採用さ
れた基板処理装置として、上手側処理槽の出口部分に基
板の表裏面に対向したエアーナイフを設けるとともに、
下手側処理槽の入口部分にも同様のエアーナイフを設
け、これらエアーナイフからの基板表裏面への気体の吐
出によって上手側の処理液が下手側処理槽に移行しない
ようにした液切り装置や、上手側および下手側の処理槽
の出口部分および入口部分に基板の表裏を横断するよう
に液切りローラを設け、この液切りローラによる液切り
によって上手側および下手側の処理液が混ざり合わない
ようにした液切り装置が知られている。さらにこれら以
外に、各処理槽での処理液供給が完了した時点で基板の
搬送を一旦停止し、基板を傾斜させて液切りを行うよう
にしたものが知られている。
As a substrate processing apparatus adopting measures for avoiding such inconvenience, an air knife facing the front and back surfaces of the substrate is provided at the exit of the upper processing tank,
A similar air knife was also installed at the inlet of the lower processing tank, and a liquid draining device that prevented the processing liquid on the upper side from moving to the lower processing tank due to the discharge of gas from these air knives to the front and back surfaces of the substrate. , Liquid draining rollers are installed at the outlet and inlet of the processing tanks on the upper and lower sides so as to cross the front and back of the substrate, and the processing liquids on the upper and lower sides are not mixed by this liquid draining roller. Such a drainer is known. In addition to these, there is known one in which the transfer of the substrate is temporarily stopped when the supply of the processing liquid in each processing tank is completed, and the substrate is tilted to perform the liquid draining.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記上手側
処理槽および下手側処理槽の双方の内部にエアーナイフ
が設けられているものは、エアーナイフ間の距離が大き
くなり、かつエアーーの供給量が過剰になり易く、基板
が乾燥して表裏に斑点状あるいは帯状のムラが生じる可
能性があり、このムラに付着したパーティクルが乾燥に
よって基板の表面に固着し、除去が困難な状態になると
いう問題点を有していた。そこで、基板を半乾き状態に
すればよいが、この調節は非常に困難であった。
By the way, in the case where the air knives are provided inside both the above-mentioned upper processing tank and the lower processing tank, the distance between the air knives becomes large and the supply amount of air is large. Is likely to become excessive, and the substrate may dry to cause spot-like or band-like unevenness on the front and back surfaces, and particles adhering to this unevenness adhere to the surface of the substrate due to drying, making removal difficult. I had a problem. Therefore, the substrate may be made semi-dry, but this adjustment is very difficult.

【0006】また、上記液切りローラを設けるものにあ
っては、液切りローラ間の隙間調整が難しく、基板とロ
ーラとの間隔が狭すぎると、ローラに付着した空気中の
浮遊物が基板表面に転写され、逆に基板とローラとの間
隔が広すぎると、基板の液切りが不十分になるという問
題点を有していた。
Further, in the case where the liquid draining roller is provided, it is difficult to adjust the gap between the liquid draining rollers, and if the distance between the substrate and the roller is too small, the suspended matter in the air adhering to the roller will be the surface of the substrate. However, if the distance between the substrate and the roller is too wide, the liquid draining of the substrate becomes insufficient.

【0007】また、上記基板を傾斜させて液切りを行う
ようにしたものにあっては、処理槽内の搬送経路中に基
板を傾斜させるための機構が必要になり、装置が複雑に
なって設備コストが嵩むとともに、基板の傾斜と元の水
平姿勢への復元とに時間を要し、基板の処理効率が低下
するという問題点を有していた。
Further, in the case where the substrate is tilted to perform the liquid draining, a mechanism for tilting the substrate is required in the transfer path in the processing tank, and the apparatus becomes complicated. In addition to the increase in equipment cost, it takes time to tilt the substrate and restore it to its original horizontal position, which causes a problem that the processing efficiency of the substrate decreases.

【0008】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、小型で簡易な構成でもっ
て、上手側処理槽から下手側処理槽への基板の移行時
に、処理液が完全に乾燥してしまわない状態で必要かつ
充分に液切りを行うことが可能な基板処理装置を提供す
ることを目的としている。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and has a small and simple structure, and when the substrate is transferred from the upper processing tank to the lower processing tank, It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of performing necessary and sufficient drainage in a state in which it is not completely dried.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
基板を通過させる開口部を備えた仕切壁を介して形成さ
れ、それぞれ異なる処理液を供給する上手側処理槽およ
び下手側処理槽と、上記開口部を通して上手側処理槽か
ら下手側処理槽に基板を搬送する搬送手段と、上記開口
部で処理液を液切りすべく基板に気体を吹き付ける気体
供給手段とを備えてなる基板処理装置において、上記気
体供給手段は、仕切壁の上手側と下手側とにそれぞれ上
記開口部に臨むように向けられ、かつ、基板に対し上手
側吐出位置と下手側吐出位置とに向かって気体を吐出す
るように設けられた上手側ノズルと下手側ノズルとを有
し、上記上手側吐出位置と下手側吐出位置とが略一致す
るように上記上手側ノズルと下手側ノズルとが配置設定
されていることを特徴とするものである。
According to the first aspect of the present invention,
The upper processing tank and the lower processing tank are formed through a partition wall having an opening for passing the substrate, and supply different processing liquids respectively, and the substrate is transferred from the upper processing tank to the lower processing tank through the opening. In a substrate processing apparatus comprising a transfer means for transferring a gas and a gas supply means for spraying a gas onto the substrate to drain the processing liquid at the opening, the gas supply means includes upper and lower sides of a partition wall. And a lower-side nozzle that are respectively directed to face the opening and that are configured to discharge gas toward the upper-side discharge position and the lower-side discharge position with respect to the substrate. However, the upper hand side nozzle and the lower hand side nozzle are arranged and set such that the upper hand side ejection position and the lower hand side ejection position substantially coincide with each other.

【0010】この発明によれば、搬送手段によって水平
姿勢で上手側処理槽に導入された基板に処理液が供給さ
れ、この処理液によって所定の処理が施されたのち、仕
切壁に設けられた開口部を通って下手側処理槽に送り込
まれ、ここで上記上手側処理液とは異なった種類の処理
液が供給され、この処理液で所定の処理が施される。
According to the present invention, the processing liquid is supplied to the substrate introduced into the upper processing tank in the horizontal posture by the transfer means, and after the predetermined processing is performed by the processing liquid, the processing liquid is provided on the partition wall. It is fed into the lower processing bath through the opening, where a processing liquid of a different type from the above-mentioned processing liquid is supplied, and a predetermined processing is performed with this processing liquid.

【0011】そして、基板が開口部を通過するに際し、
基板には上手側ノズルから上手側吐出位置に向かって、
また下手側ノズルから下手側吐出位置に向かって気体が
吐出され、しかも両吐出位置は略一致するように設定さ
れているため、開口部に位置した基板の上部には、上手
側ノズルから吹き出された気体と、下手側ノズルから吹
き出された気体とが衝突して乱流が形成され、この乱流
の形成された部分は上手側および下手側の処理槽内より
も高圧になっているとともに、乱流形成部分から上手側
および下手側の処理槽内に向かった気流が発生する。
When the substrate passes through the opening,
From the good side nozzle to the good side discharge position on the substrate,
Further, gas is discharged from the lower side nozzle toward the lower side discharge position, and both discharge positions are set to substantially coincide with each other, so that the gas is discharged from the upper side nozzle to the upper part of the substrate located in the opening. Gas and the gas blown out from the lower side nozzle collide to form a turbulent flow, and the part where this turbulent flow is formed has a higher pressure than the inside of the processing tank on the upper side and the lower side, Air currents are generated from the turbulent flow forming portion toward the upper and lower processing tanks.

【0012】そして、この気流によって基板の処理液被
供給面に存在する処理液が吹き飛ばされ、これによって
開口部に位置した基板に上手側処理槽の処理液と、下手
側処理槽の処理液とが相互に混ざり合わない境界域が形
成される。この境界域の存在によって、上手側処理槽か
ら下手側処理槽に送り込まれる基板に残留した上手側処
理槽の処理液が下手側処理槽内に混入されることはな
く、両処理液の混合による基板処理に対する悪影響が回
避される。同様に下手側処理層の処理液が上手側処理層
に混入することもない。
The air flow blows off the treatment liquid present on the treatment liquid supply surface of the substrate, whereby the treatment liquid in the upper treatment tank and the treatment liquid in the lower treatment tank are applied to the substrate positioned at the opening. A boundary area is formed in which the two do not mix with each other. Due to the existence of this boundary area, the processing liquid of the upper processing tank remaining on the substrate sent from the upper processing tank to the lower processing tank is not mixed into the lower processing tank, and it is possible to mix both processing solutions. Negative effects on substrate processing are avoided. Similarly, the processing liquid of the lower processing layer does not mix into the upper processing layer.

【0013】しかも、上手側気体吹出し口から吹き出さ
れた気体と、下出側吹出し口から吹き出された気体とは
基板の処理液被供給面上で相互に交差、あるいは衝突し
合うため、上記境界域の基板搬送方向の幅寸法は、従来
の上手側および下手側ノズルから互いに離間する方向に
気体を吐出するようにした境界域に比較して小さくなっ
ている。従って、境界域における基板の処理液被供給面
の完全な乾燥を抑制することができ、基板が完全に乾燥
することによるムラの発生を確実に抑制することが可能
になる。
Moreover, the gas blown out from the upper gas outlet and the gas blown out from the lower gas outlet cross each other or collide with each other on the surface to be supplied with the processing liquid of the substrate, so that the above-mentioned boundary is caused. The width of the region in the substrate transport direction is smaller than that of the boundary region in which the gas is discharged in the direction away from the conventional upper and lower nozzles. Therefore, it is possible to suppress the complete drying of the processing liquid supply surface of the substrate in the boundary area, and it is possible to reliably suppress the occurrence of unevenness due to the complete drying of the substrate.

【0014】請求項2記載の発明は、請求項1記載の発
明において、上記上手側吐出位置と下手側吐出位置とが
上記開口部の開口面上で一致していることを特徴とする
ものである。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the upper discharge position and the lower discharge position are coincident with each other on the opening surface of the opening. is there.

【0015】この発明によれば、基板上における上手側
処理槽の処理液と、下手側処理槽の処理液とが相互に混
ざり合わない境界域の基板搬送方向の幅寸法を最小にす
ることが可能になる。
According to the present invention, it is possible to minimize the width dimension in the substrate transfer direction of the boundary area where the processing liquid in the upper processing tank and the processing liquid in the lower processing tank do not mix with each other on the substrate. It will be possible.

【0016】請求項3記載の発明は、請求項1または2
記載の発明において、上記上手側ノズルと下手側ノズル
とは、それぞれ上記開口部に臨む角度が同一に設定され
ていることを特徴とするものである。
The third aspect of the present invention is the first or second aspect.
In the described invention, the upper side nozzle and the lower side nozzle are characterized in that the angles facing the opening are set to be the same.

【0017】この発明によれば、上手側ノズルおよび下
手側ノズルの仕様を同一にすることが可能になり、設備
コストの低減を図り得るようになる。
According to the present invention, the specifications of the upper side nozzle and the lower side nozzle can be made the same, and the equipment cost can be reduced.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】図1は、本発明に係る基板処理装
置1の一実施形態を示す説明図である。基板処理装置1
は、複数の処理槽11が相互に隣接するように並設され
て形成されている。各処理槽11は、上部に基板Bを処
理する直方体形状の基板処理室12を有している。各基
板処理室12は仕切壁13を挟んで互いに形成され、こ
の仕切壁13には基板Bを通過させる開口部14が形成
されている。基板Bは、これらの開口部14を通って図
1の左方の処理槽11から右方の処理槽11に向かって
順次搬送されるようになっている。基板処理室12の下
部にはすり鉢形状の漏斗部12aが設けられ、これによ
って基板Bに供給された処理液が集液されるようにして
いる。
1 is an explanatory view showing an embodiment of a substrate processing apparatus 1 according to the present invention. Substrate processing apparatus 1
Is formed by arranging a plurality of processing tanks 11 in parallel so as to be adjacent to each other. Each processing tank 11 has a rectangular parallelepiped substrate processing chamber 12 for processing the substrate B at the top. The substrate processing chambers 12 are formed with a partition wall 13 in between, and an opening 14 is formed in the partition wall 13 for allowing the substrate B to pass therethrough. The substrate B is sequentially transported from the processing tank 11 on the left side in FIG. 1 toward the processing tank 11 on the right side through these openings 14. A mortar-shaped funnel portion 12a is provided below the substrate processing chamber 12 so that the processing liquid supplied to the substrate B is collected.

【0019】各処理槽11内には、基板Bの搬送方向に
直交した軸心を有するローラ(搬送手段)15が設けら
れている。これらローラ15は、基板処理室12内で上
記開口部14とほぼ同一の高さ位置に設定されて並設さ
れている。基板Bは、これらローラ15上に載置された
状態でローラ15の回転駆動により開口部14を通って
上手側の処理槽11から下手側の処理槽11に移動する
ようになっている。以下、図1においては、中央部分の
左側の処理槽11を上手側処理槽2、右側の処理槽11
を下手側処理槽3と呼ぶ。
Inside each processing tank 11, there is provided a roller (conveying means) 15 having an axis perpendicular to the conveying direction of the substrate B. These rollers 15 are set in the substrate processing chamber 12 at substantially the same height as the opening 14 and arranged side by side. The substrate B, which is placed on the rollers 15, is adapted to move from the upper processing tank 11 to the lower processing tank 11 through the opening 14 by the rotational driving of the rollers 15. In the following, in FIG. 1, the processing tank 11 on the left side of the central portion is the processing tank 2 on the upper side and the processing tank 11 on the right side.
Is called the lower processing tank 3.

【0020】上記上手側処理槽2は、基板処理室12内
のローラ15列の上方に配設された散液管21を有して
おり、この散液管21からローラ15上の基板Bの表面
に向けて上手側処理液Xが供給されるようにしている。
この上手側処理液Xの供給によって基板Bの表面に所定
の処理が施されるようになっている。基板Bの処理に使
用された上手側処理液Xは、基板Bの縁部から落下し、
漏斗部12aを介してその下部に設けられた液留タンク
22に回収されるようになっている。
The above-mentioned upper processing tank 2 has a sprinkling pipe 21 arranged above the row of rollers 15 in the substrate processing chamber 12, and from this sprinkling pipe 21 to the substrate B on the roller 15. The good processing liquid X is supplied toward the surface.
The surface of the substrate B is subjected to a predetermined process by the supply of the good side processing liquid X. The good-side processing liquid X used for processing the substrate B drops from the edge of the substrate B,
It is adapted to be collected in the liquid distilling tank 22 provided below the funnel portion 12a.

【0021】この液留タンク22と上記散液管21との
間には、液留タンク22内の上手側処理液Xを散液管2
1に供給する上手側処理液供給管路23が配設されてお
り、この上手側処理液供給管路23には、上流側から処
理液供給ポンプ23aおよびフィルタ23bが設けら
れ、上記処理液供給ポンプ23aの駆動によって液留タ
ンク22内の上手側処理液Xが循環使用されるようにな
っている。
Between the liquid distilling tank 22 and the sprinkling pipe 21, the upper processing liquid X in the liquid distilling tank 22 is sprinkled in the liquid sprinkling pipe 2.
1 is provided with a processing liquid supply pipeline 23 for supplying the processing liquid, and the processing liquid supply pipe 23 for supplying the processing liquid is provided with a processing liquid supply pump 23a and a filter 23b from the upstream side. The upper processing liquid X in the liquid distilling tank 22 is circulated and used by driving the pump 23a.

【0022】上記下手側処理槽3は、基板処理室12内
のローラ15列の上方に配設された散液管31を有して
いる。この散液管31からローラ15上の基板Bの表面
に向けて下手側処理液Yが供給されるようにしている。
この下手側処理液Yの供給によって基板Bの表面に所定
の処理が施されるようになっている。そして、基板Bの
処理に使用された下手側処理液Yは、基板Bの縁部から
落下し、漏斗部12aを介してその下部に設けられた液
留タンク32に回収されるようになっている。
The lower processing bath 3 has a sprinkling pipe 31 arranged above the row of rollers 15 in the substrate processing chamber 12. The lower processing liquid Y is supplied from the liquid sprinkling pipe 31 toward the surface of the substrate B on the roller 15.
The surface of the substrate B is subjected to a predetermined process by the supply of the lower processing liquid Y. Then, the lower-side processing liquid Y used for processing the substrate B drops from the edge of the substrate B and is collected in the liquid distilling tank 32 provided therebelow via the funnel portion 12a. There is.

【0023】本実施形態においては、上手側処理液Xと
しては基板を処理するための現像、エッチング剥離等、
所定の薬液が用いられ、下手側処理液Yとしては、基板
上の上記薬液を洗浄除去するための洗浄用薬液や純水等
の洗浄水が用いられている。
In the present embodiment, the processing liquid X on the good side includes development for processing the substrate, etching separation, etc.
A predetermined chemical liquid is used, and as the lower processing liquid Y, a cleaning chemical liquid for cleaning and removing the chemical liquid on the substrate and cleaning water such as pure water are used.

【0024】この液留タンク32と上記散液管31との
間には、液留タンク32内の下手側処理液Yを散液管3
1に供給する下手側処理液供給管路33が配設されてお
り、この下手側処理液供給管路33には、上流側から処
理液供給ポンプ33aおよびフィルタ33bが設けら
れ、上記処理液供給ポンプ33aの駆動によって液留タ
ンク32内の下手側処理液Yが循環使用されるようにな
っている。
Between the liquid distilling tank 32 and the sprinkling pipe 31, the lower processing liquid Y in the liquid distilling tank 32 is sprinkled on the sprinkling pipe 3.
1 is provided with a lower processing liquid supply pipeline 33, and the lower processing liquid supply pipeline 33 is provided with a processing liquid supply pump 33a and a filter 33b from the upstream side. By driving the pump 33a, the lower processing liquid Y in the liquid distilling tank 32 is circulated and used.

【0025】上記各処理槽2,3の近傍には、開口部1
4を通過する基板Bの表面に気体を吹き付けるための気
体供給手段4が設けられている。この気体供給手段4
は、上記開口部14の上縁の仕切壁13に取り付けられ
たエアーナイフ部40(図2参照)と、このエアーナイ
フ部40に気体供給管路44を通して気体を供給する気
体源43とを有している。
An opening 1 is provided near each of the processing tanks 2 and 3.
Gas supply means 4 for spraying a gas onto the surface of the substrate B passing through 4 is provided. This gas supply means 4
Has an air knife portion 40 (see FIG. 2) attached to the partition wall 13 at the upper edge of the opening 14 and a gas source 43 for supplying gas to the air knife portion 40 through a gas supply conduit 44. doing.

【0026】図2は、仕切壁13の開口部14に設けら
れたエアーナイフ部40の一実施形態を示す一部切欠き
斜視図であり、図3はエアーナイフ部40の横断面図で
ある。これらの図に示すように、エアーナイフ部40
は、上手側エアーナイフ41と下手側エアーナイフ42
とを備えて形成されている。これらのエアーナイフ4
1,42は、それぞれ上部に長手方向の全長に亘って中
実に形成された中実部41a,42a、これら中実部4
1a,42aの下部に水平方向に延びるように形成され
たエアー通路41b,42b、これらエアー通路41
b,42bに連通した気体吹出し口41d,42dを有
するノズル41c,42cとを具備している。
FIG. 2 is a partially cutaway perspective view showing an embodiment of the air knife portion 40 provided in the opening 14 of the partition wall 13, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the air knife portion 40. . As shown in these figures, the air knife portion 40
Is a side air knife 41 and a side air knife 42
Are formed. These air knives 4
Reference numerals 1 and 42 denote solid portions 41a and 42a, respectively, which are solidly formed on the upper portion along the entire length in the longitudinal direction.
Air passages 41b and 42b formed in the lower part of 1a and 42a so as to extend horizontally, and these air passages 41
Nozzles 41c and 42c having gas outlets 41d and 42d communicating with b and 42b are provided.

【0027】上記各エアーナイフ41,42は、長さ寸
法が少なくとも搬送中の基板Bを横断するように設定さ
れた所定厚みの直方体状の金属あるいは樹脂(PVC
等)ブロックによって形成されている。一方、上記開口
部14の上部に形成された仕切壁13の下端縁部に、上
手側処理槽2内に向かって突出し、かつ、下方が開放し
た二股状の上手側ブラケット13aが設けられていると
ともに、同下手側処理槽内に向かって突出し、かつ、下
方が開放した二股状の下側ブラケット13bが設けられ
ている。そして、各エアーナイフ41,42の中実部4
1a,42aがそれぞれのブラケット13a,13bに
嵌め込まれ、ボルト止めされた状態で固定されている。
Each of the air knives 41, 42 has a rectangular parallelepiped metal or resin (PVC) of a predetermined thickness whose length dimension is set so as to cross at least the substrate B being conveyed.
Etc.) is formed by blocks. On the other hand, at the lower end edge of the partition wall 13 formed at the upper part of the opening 14, a bifurcated upper bracket 13a that projects toward the inside of the upper processing tank 2 and is open downward is provided. At the same time, a bifurcated lower bracket 13b is provided which projects into the lower processing tank and is open downward. And the solid portion 4 of each air knife 41, 42
1a and 42a are fitted into the brackets 13a and 13b, respectively, and are fixed in a bolted state.

【0028】かかるエアーナイフ部40がブラケット1
3a,13bに固定された状態で、上記上手側気体吹出
し口41dおよび下手側気体吹出し口42dとその下部
を通過する基板Bとの間に若干の隙間が形成されるよう
にエアーナイフ部40の取付位置が設定されており、こ
れによってエアーナイフ部40と、基板Bとが相互に干
渉し合わないようになっている。
The air knife portion 40 has the bracket 1
In the state of being fixed to 3a and 13b, a slight gap is formed between the upper side gas outlet 41d and the lower side gas outlet 42d and the substrate B passing thereunder so that a slight gap is formed. The mounting position is set so that the air knife portion 40 and the substrate B do not interfere with each other.

【0029】そして、エアーナイフ部40が仕切壁13
に固定された状態で、上記上手側気体吹出し口41dは
開口部14を通過中の基板Bの下手側の表面に向くとと
もに、下手側気体吹出し口42dは同基板Bの上手側の
表面に向くように方向設定され、上手側エアーナイフ4
1からは基板Bの表面の上手側吐出位置に、下手側エア
ーナイフ42からは同下手側吐出位置に向けて気体供給
手段4から供給された気体が吐出されるようになってい
る。
The air knife section 40 is attached to the partition wall 13.
The upper gas outlet 41d faces the lower surface of the substrate B passing through the opening 14 and the lower gas outlet 42d faces the upper surface of the substrate B while being fixed to the substrate B. The air knife 4 on the right side
The gas supplied from the gas supply means 4 is discharged from 1 toward the upper discharge position on the surface of the substrate B, and from the lower air knife 42 toward the lower discharge position.

【0030】本実施形態においては、図3に示すよう
に、上手側ノズル41cの気体吹出し方向に延びるノズ
ル中心線S1と基板Bの表面との間に形成される角度α
は、下手側ノズル42cのノズル中心線S2と基板Bの
表面との間に形成される角度βよりも小さく設定され
(すなわちα<β)、これによって上手側エアーナイフ
41からの気流による下手側処理液層Y1に対する押圧
力を、下手側エアーナイフ42からの気流による上手側
処理液層X1に対する押圧力よりも大きくし、特に下手
側処理液Y1が上手側処理槽2内に入り込むのを防止す
るようになっている。
In this embodiment, as shown in FIG. 3, an angle α formed between the surface of the substrate B and the nozzle center line S1 extending in the gas blowing direction of the upstream nozzle 41c.
Is set to be smaller than the angle β formed between the nozzle center line S2 of the lower side nozzle 42c and the surface of the substrate B (that is, α <β), whereby the lower side due to the air flow from the upper side air knife 41. The pressing force on the processing liquid layer Y1 is made larger than the pressing force on the upper processing liquid layer X1 by the air flow from the lower air knife 42, and in particular, the lower processing liquid Y1 is prevented from entering the upper processing tank 2. It is supposed to do.

【0031】また、本実施形態においては、上手側ノズ
ル中心線S1と、下手側ノズル中心線S2とが基板Bの
表面であって、かつ、開口部14の開口面上で互いに交
わるように、すなわち上手側吐出位置と下手側吐出位置
とが開口部14の開口面上で一致するように各ノズル4
1c,42cの角度設定がなされ、これによって基板B
の表面に各処理液層X1,Y1が存在しない境界域Rの
幅寸法dを小さくなるようにしている。
Further, in the present embodiment, the upper hand side nozzle center line S1 and the lower hand side nozzle center line S2 intersect with each other on the surface of the substrate B and on the opening surface of the opening 14. That is, each nozzle 4 is arranged so that the upper discharge position and the lower discharge position match on the opening surface of the opening 14.
The angles of 1c and 42c are set, and the board B
The width dimension d of the boundary region R where the treatment liquid layers X1 and Y1 do not exist on the surface of is reduced.

【0032】一方、基板処理装置1の近傍には、図1お
よび図2に示すように、エアーナイフ部40に高圧気体
を供給する気体源43が配設されている。本実施形態で
は、気体源43は高圧窒素ボンベが適用され、このボン
ベから各エアーナイフ41,42に高圧窒素ガスが供給
されるようになっている。具体的には、上記気体源43
には気体供給管路44が接続され、この気体供給管路4
4は下流端で上手側支管44aと下手側支管44bとの
分岐されている。
On the other hand, in the vicinity of the substrate processing apparatus 1, as shown in FIGS. 1 and 2, a gas source 43 for supplying a high pressure gas to the air knife section 40 is arranged. In this embodiment, a high-pressure nitrogen cylinder is used as the gas source 43, and the high-pressure nitrogen gas is supplied from this cylinder to the air knives 41 and 42. Specifically, the gas source 43
A gas supply pipeline 44 is connected to the gas supply pipeline 4
Reference numeral 4 denotes a downstream end, which is branched into an upper hand side branch pipe 44a and a lower hand side branch pipe 44b.

【0033】そして、上手側支管44aは、その下流端
が上手側開閉弁45aを介して上手側エアーナイフ41
に接続されているとともに、下手側支管44bは、その
下流端が下手側開閉弁45bを介して下手側エアーナイ
フ42に接続されている。従って、各開閉弁45a,4
5bの開度を調節することによって各エアーナイフ4
1,42から吐出される気体の吐出量を変更することが
可能になっている。
The upstream side branch pipe 44a has its downstream end through the upstream side opening / closing valve 45a and the upstream side air knife 41.
The lower side branch pipe 44b is connected at its downstream end to the lower side air knife 42 via the lower side opening / closing valve 45b. Therefore, each on-off valve 45a, 4
Each air knife 4 by adjusting the opening of 5b
It is possible to change the discharge amount of the gas discharged from 1, 42.

【0034】本実施形態においては、上手側開閉弁45
aの開度を、下手側開閉弁45bの開度よりも大きくし
ており、これによって上手側エアーナイフ41からの気
体吐出量を下手側エアーナイフ42からの気体吐出量よ
りも大きくし、下手側処理液Yの上手側処理槽2内への
混入を確実に防止するようにしている。かかる開閉操作
を行うことによって気体源43からの高圧気体が気体供
給管路44を通って各エアーナイフ41,42のエアー
通路41b,42bに調整供給されるようにしている。
In the present embodiment, the right side opening / closing valve 45
The opening degree of a is made larger than the opening degree of the lower side opening / closing valve 45b, so that the amount of gas discharged from the upper side air knife 41 is made larger than the amount of gas discharged from the lower side air knife 42. The side processing solution Y is surely prevented from entering the upper processing tank 2. By performing the opening / closing operation, the high-pressure gas from the gas source 43 is adjusted and supplied to the air passages 41b and 42b of the air knives 41 and 42 through the gas supply pipe line 44.

【0035】上記構成の基板処理装置1によれば、ロー
ラ15の駆動回転によって上手側処理槽2から下手側処
理槽3に搬送される基板Bは、仕切壁13の開口部14
を通過するに際し、その上面部はエアーナイフ部40の
上手側気体吹出し口41dからの気体の噴射を受けると
ともに、下手側気体吹出し口42dからの気体の噴射を
受け、これによって基板Bの表面には仕切壁13の直下
に、各エアーナイフ41,42からの気流と、下手側気
体吹出し口42dからの気流の衝突による乱流域が形成
される。
According to the substrate processing apparatus 1 having the above structure, the substrate B transferred from the upper processing tank 2 to the lower processing tank 3 by the driving rotation of the roller 15 has the opening 14 of the partition wall 13.
When passing through, the upper surface of the air knife portion 40 receives a gas jet from the upper gas outlet 41d and a gas jet from the lower gas outlet 42d. Immediately below the partition wall 13, a turbulent flow region is formed due to the collision of the airflow from each of the air knives 41 and 42 and the airflow from the lower gas outlet 42d.

【0036】そして、基板Bの表面に形成された上手側
処理液層X1は、上記乱流からの上流側に向かう気流に
よって基板Bの表面を上流側に押し遣られた状態になる
ため、開口部14を通過する基板Bの表面は上手側処理
液層X1が取り除かれた状態になる。また、散液ノズル
31aから基板Bの表面に供給された下手側処理液Yに
よる下手側処理液層Y1は、上記乱流からの下流側に向
かう気流によって押圧され、下手側処理液層Y1が上流
側に向かうことが阻止される。従って、基板B上におい
て上手側処理液Xと下手側処理液Yとが相互に混合し合
うことはない。
The upper-side processing liquid layer X1 formed on the surface of the substrate B is pushed to the upstream side of the surface of the substrate B by the air current flowing from the turbulent flow toward the upstream side, so that the opening is formed. The surface of the substrate B passing through the portion 14 is in a state in which the upper processing liquid layer X1 is removed. Further, the lower processing liquid layer Y1 by the lower processing liquid Y supplied to the surface of the substrate B from the sprinkling nozzle 31a is pressed by the air flow toward the downstream side from the turbulent flow, and the lower processing liquid layer Y1 is It is blocked from going upstream. Therefore, the upper processing liquid X and the lower processing liquid Y do not mix with each other on the substrate B.

【0037】しかも、上手側ノズル41cと下手側ノズ
ル42cとは、それらの先端が互いに接近するように傾
斜されているため、各気体吹出し口41d,42dから
吐出された気体による基板B表面の境界域Rの幅寸法d
は狭くなり、この部分での完全乾燥が確実に防止され
る。そして、基板Bの表面に上手側ノズル中心線S1と
下手側ノズル中心線S2との交差点を設定することによ
り、上記幅寸法dを最小にすることが可能になる。
Moreover, since the upper side nozzle 41c and the lower side nozzle 42c are inclined so that their tips approach each other, the boundary of the surface of the substrate B due to the gas discharged from the gas outlets 41d and 42d. Width R of area R
Becomes narrower, and complete drying in this area is reliably prevented. Then, by setting the intersection of the upper side nozzle center line S1 and the lower side nozzle center line S2 on the surface of the substrate B, the width dimension d can be minimized.

【0038】図4は、本発明の作用を説明するために図
1の要部を拡大した部分拡大説明図であり、(イ)は、
基板Bが開口部14に到達する直前の状態、(ロ)は、
基板Bの下流端(右方)が開口部14に到達した状態、
(ハ)は、基板Bが開口部14を通過しつつある状態、
(ニ)は、基板Bが開口部14を通過し、その上流端が
散液ノズル31aの下流側に搬送された状態をそれぞれ
示している。
FIG. 4 is a partially enlarged explanatory view in which an essential part of FIG. 1 is enlarged in order to explain the operation of the present invention.
The state immediately before the substrate B reaches the opening 14, (b) is
A state where the downstream end (right side) of the substrate B reaches the opening 14,
(C) shows a state in which the substrate B is passing through the opening 14,
(D) shows a state in which the substrate B has passed through the opening 14 and the upstream end thereof has been transported to the downstream side of the spray nozzle 31a.

【0039】まず図4の(イ)に示すように、上手側処
理槽2にある基板Bが仕切壁13の開口部14に到達す
る直前においては、上手側処理槽2の散液管21からの
上手側処理液Xの供給によって基板Bの表面全面には上
手側処理液層X1が形成された状態になっている。ま
た、下手側処理槽3の散液管31から供給された下手側
処理液Yは、下部に基板Bがないためそのまま下手側処
理槽3の漏斗部12aに流下した状態になっている。さ
らに、エアーナイフ部40の各気体吹出し口41d,4
2dから供給された気体は、矢印で示すように下部で互
いに交差した状態になっている。
First, as shown in FIG. 4 (a), immediately before the substrate B in the upper processing tank 2 reaches the opening 14 of the partition wall 13, the sprinkle pipe 21 of the upper processing tank 2 is removed. By supplying the upper-side processing liquid X, the upper-side processing liquid layer X1 is formed on the entire surface of the substrate B. Further, since the lower processing liquid Y supplied from the sprinkling pipe 31 of the lower processing tank 3 does not have the substrate B in the lower portion, it is in a state of flowing down to the funnel portion 12a of the lower processing tank 3 as it is. Further, the gas outlets 41d, 4 of the air knife unit 40
The gases supplied from 2d are in a state where they cross each other at the lower part as shown by the arrow.

【0040】つぎに、図4の(ロ)に示す状態では、基
板Bの下流側の端部が開口部14に到達し、一部が開口
部14を通り越した状態になっている。この状態では、
エアーナイフ部40の各エアーナイフ41,42から供
給された気体は基板Bの表面に先窄みで供給され、これ
によって基板Bの表面に形成されている上手側処理液層
X1は上流側(左方)に押し遣られた状態になる。
Next, in the state shown in FIG. 4B, the downstream end of the substrate B reaches the opening 14 and a part thereof passes over the opening 14. In this state,
The gas supplied from each of the air knives 41 and 42 of the air knife unit 40 is supplied to the surface of the substrate B by a constriction, and the good side processing liquid layer X1 formed on the surface of the substrate B is upstream ( It will be pushed to the left).

【0041】つぎに、図4の(ハ)に示す状態では、基
板Bはその下流側が下手側処理槽3に相当長さ進入し、
下手側処理槽3の散液管31からの下手側処理液Yが基
板Bの表面に供給される状態になっている。この状態で
は、各気体吹出し口41d,42dから噴出し、交差す
ることによって形成された乱気流によって上手側処理液
層X1の下流側への進行が阻まれるとともに、下手側気
体吹出し口42dから噴出した気体の気流によって下手
側処理液Yの上流側への進入が阻止され、これによって
エアーナイフ部40の直下の基板B上には上手側処理液
Xと下手側処理液Yとが相互に混ざり合わない帯状の境
界域R(図2、図3)が形成された状態になっている。
この状態で基板Bの散液管31より下流側に下手側処理
液層Y1が順次形成されていく。
Next, in the state shown in FIG. 4C, the downstream side of the substrate B enters the lower processing tank 3 by a considerable length,
The lower processing liquid Y is supplied to the surface of the substrate B from the sprinkling pipe 31 of the lower processing tank 3. In this state, the gas is ejected from the gas outlets 41d and 42d, and the turbulent airflow formed by the intersections prevents the upper processing liquid layer X1 from proceeding to the downstream side and is ejected from the lower gas outlet 42d. The gas flow prevents the lower processing liquid Y from entering the upstream side, whereby the upper processing liquid X and the lower processing liquid Y are mixed with each other on the substrate B immediately below the air knife section 40. The strip-shaped boundary region R (FIGS. 2 and 3) is formed.
In this state, the lower processing liquid layer Y1 is sequentially formed on the downstream side of the liquid spray tube 31 of the substrate B.

【0042】そして、図4の(ニ)に示す状態では、基
板Bの上流端は下手側処理槽3の散液管31からの下手
側処理液Yの吐出流の下側を通過し、これによって基板
Bの表面全面に下手側処理液層Y1が形成された状態に
なっている。
Then, in the state shown in FIG. 4D, the upstream end of the substrate B passes below the discharge flow of the lower processing liquid Y from the sprinkling pipe 31 of the lower processing bath 3. Thus, the lower processing liquid layer Y1 is formed on the entire surface of the substrate B.

【0043】本実施形態の基板処理装置1は、以上詳述
したように、上手側処理槽2と下手側処理槽3とを仕切
る仕切壁13に穿設された開口部14の上縁部にエアー
ナイフ部40が設けられ、開口部14に搬送されてきた
基板Bを横断するように上手側気体吹出し口41dおよ
び下手側気体吹出し口42dから帯状の気流を先窄みで
噴出するようにしたものであるため、基板Bが開口部1
4を通過するに際し、上記上手側気体吹出し口41dお
よび下手側気体吹出し口42dからの上流側および下流
側に向かう気流によってエアーナイフ部40の直下の基
板B上には上手側処理液Xと下手側処理液Yとが相互に
混ざり合わない境界域Rが形成される。
As described in detail above, the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment has the upper edge portion of the opening 14 formed in the partition wall 13 for partitioning the upper processing tank 2 and the lower processing tank 3 from each other. An air knife portion 40 is provided, and a belt-like airflow is ejected with a constriction from the upper gas outlet 41d and the lower gas outlet 42d so as to traverse the substrate B conveyed to the opening 14. Substrate B has opening 1
4, the upper processing liquid X and the lower processing liquid X on the substrate B immediately below the air knife portion 40 due to the air currents flowing from the upper gas outlet 41d and the lower gas outlet 42d toward the upstream side and the downstream side. A boundary region R is formed in which the side treatment liquid Y does not mix with each other.

【0044】従って、仕切壁13の開口部14を通過す
るに際し、基板Bの表面で上手側処理液Xと下手側処理
液Yとが相互に混ざり合うことが確実に防止されるとと
もに、境界域Rの幅寸法d(図3)も従来に比べて非常
に小さくなっているため、基板Bの表面に散液管31か
らの下手側処理液Yの散液が行われるまでの間で基板B
の表面が完全に乾燥することによるムラの発生が確実に
抑制されるとともに、完全な乾燥による浮遊ミストの基
板B表面への固着が確実に抑制される。
Therefore, when passing through the opening 14 of the partition wall 13, the upper processing liquid X and the lower processing liquid Y are surely prevented from being mixed with each other on the surface of the substrate B, and the boundary region is prevented. Since the width dimension d (FIG. 3) of R is also much smaller than that of the conventional one, the substrate B is not sprinkled on the surface of the substrate B until the lower side processing liquid Y is sprinkled from the sprinkling pipe 31.
The occurrence of unevenness due to the complete drying of the surface of the is reliably suppressed, and the adhesion of the floating mist to the surface of the substrate B due to the complete drying is reliably suppressed.

【0045】本発明は、上記の実施形態のに限定される
ものではなく、下の実施形態をも採用し得るものであ
る。 (1)上記実施形態では、エアーナイフ部40は、仕切
壁13に穿設された開口部14の上縁部にのみ設けられ
ているが、開口部14の下縁部にも設けるようにし、下
縁部に設けたエアーナイフによって基板Bの裏面にも気
体を噴射するようにしてもよい。こうすることによっ
て、基板Bの裏面に上手側処理液Xが付着していても、
上手側処理液Xへの下手側処理液Yの混入が確実に抑制
される。
The present invention is not limited to the above embodiment, but the following embodiment can be adopted. (1) In the above embodiment, the air knife portion 40 is provided only on the upper edge portion of the opening portion 14 formed in the partition wall 13, but may be provided also on the lower edge portion of the opening portion 14, The gas may be jetted to the back surface of the substrate B by an air knife provided at the lower edge portion. By doing so, even if the good side processing liquid X adheres to the back surface of the substrate B,
The mixing of the lower processing liquid Y into the upper processing liquid X is reliably suppressed.

【0046】(2)上記実施形態では、エアーナイフ部
40から吹き出される気体に窒素が適用されているが、
本発明は、エアーナイフ部40から噴出される気体が窒
素であることに限定されるものではなく、基板Bを処理
する処理液の種類によっては空気を用いてもよいし、そ
の他の不活性ガスを用いてもよい。また、場合によって
は水素等の還元性ガスを用いてもよい。
(2) In the above embodiment, nitrogen is applied to the gas blown from the air knife section 40.
The present invention is not limited to the case where the gas ejected from the air knife section 40 is nitrogen, and air may be used depending on the type of the processing liquid for processing the substrate B, or other inert gas. May be used. Further, a reducing gas such as hydrogen may be used depending on the case.

【0047】(3)上記実施形態では、エアーナイフ部
40の各気体吹出し口41d,42dは、基板Bの搬送
方向に直交した方向(長手方向)に延びるスリット状の
開口によって形成されているが、各気体吹出し口41
d,42dをスリット状にする代わりに、スポット状に
形成した気体吹出し口を長手方向に多数並設し、各スポ
ット条の気体吹出し口の基板Bでの吐出域が相互に重複
するように各気体吹出し口間の間隔設定を行うようにし
てもよい。
(3) In the above embodiment, the gas outlets 41d and 42d of the air knife portion 40 are formed by slit-shaped openings extending in the direction (longitudinal direction) orthogonal to the substrate B transport direction. , Each gas outlet 41
Instead of forming the slits d and 42d, a large number of gas outlets formed in spots are arranged in parallel in the longitudinal direction, and the gas outlets of each spot are arranged so that the discharge areas on the substrate B overlap with each other. You may make it set the space | interval between gas outlets.

【0048】(4)上記実施形態では、基板Bを搬送す
る搬送手段として駆動回転するローラ15が用いられて
いるが、本発明は、搬送手段がローラ15に限定される
ものではなく、コンベヤベルトを用いてもよい。この場
合、エアーナイフ部40は、基板Bの上面側にのみ設け
られる。
(4) In the above embodiment, the roller 15 that is driven and rotated is used as the transporting means for transporting the substrate B, but the transporting means is not limited to the roller 15 in the present invention, and a conveyor belt is used. May be used. In this case, the air knife section 40 is provided only on the upper surface side of the substrate B.

【0049】(5)上記実施形態では、基板Bに供給さ
れる処理液X,Yは、循環使用されるようにしている
が、本発明は、処理液X,Yが循環使用されることに限
定されるものではなく、基板Bに供給されたのち系外に
排出するようにしてもよい。
(5) In the above embodiment, the processing liquids X and Y supplied to the substrate B are circulated and used, but in the present invention, the processing liquids X and Y are circulated and used. It is not limited to this, and it may be discharged to the outside of the system after being supplied to the substrate B.

【0050】(6)上記の実施形態では、上手側処理液
Xとしては基板を処理するための所定の薬液が用いら
れ、下手側処理液Yとしては、基板上の上記薬液を洗浄
除去するための洗浄水が用いられているが、本発明は、
上手側処理液Xとして薬液を用い、下手側処理液Yとし
て洗浄水を用いる場合にのみ適用されるものではなく、
上手側処理液Xとして洗浄水を用い、下手側処理液Yと
して薬液を用いる場合にも適用することができるし、さ
らに処理液の一方が洗浄水であることに限定されるもの
ではなく、双方ともに薬液あるいは洗浄液であってもよ
い。
(6) In the above embodiment, a predetermined chemical liquid for treating the substrate is used as the upper processing liquid X, and a lower chemical liquid Y is used for cleaning and removing the chemical liquid on the substrate. Although the washing water of
It is not applied only when a chemical solution is used as the upper processing liquid X and cleaning water is used as the lower processing liquid Y.
The present invention can be applied to a case where cleaning water is used as the upper processing liquid X and a chemical liquid is used as the lower processing liquid Y, and one of the processing liquids is not limited to the cleaning water. Both may be a chemical solution or a cleaning solution.

【0051】(7)上記の実施形態では、開口部14に
おける基板B表面の上手側吐出位置と、下手側吐出位置
とを一致させているが、本発明は両吐出位置が一致して
いることに限定されるものではなく、上手側吐出位置と
下手側吐出位置とが若干離間または交差していてもよ
い。
(7) In the above embodiment, the upper discharge position and the lower discharge position on the surface of the substrate B in the opening 14 are made to coincide with each other, but in the present invention, both discharge positions are coincident with each other. However, the upper discharge position and the lower discharge position may be slightly separated or intersect with each other.

【0052】(8)上記の実施形態では、上手側ノズル
中心線S1の傾斜角度αと、下手側ノズル中心線S2の
傾斜角度βとは異ならせているが、両ノズル中心線S
1,S2の傾斜角度α,βを同一にしてもよい。こうす
ることによって、上手側エアーナイフ41と下手側エア
ーナイフ42とを同一仕様にすることが可能になり、こ
れによってエアーナイフ41,42が共用できるので、
製造コストを低減することが可能になる。
(8) In the above embodiment, the inclination angle α of the upper hand side nozzle center line S1 and the inclination angle β of the lower hand side nozzle center line S2 are different, but both nozzle center lines S are different.
The inclination angles α and β of 1 and S2 may be the same. By doing so, the upper side air knife 41 and the lower side air knife 42 can be made to have the same specifications, so that the air knives 41 and 42 can be shared,
It becomes possible to reduce the manufacturing cost.

【0053】[0053]

【発明の効果】上記請求項1記載の発明によれば、気体
供給手段は、仕切壁の上手側と下手側とにそれぞれ上記
開口部に臨むように向けられ、かつ、基板に対し上手側
吐出位置と下手側吐出位置とに向かって気体を吐出する
ように設けられた上手側ノズルと下手側ノズルとを有
し、上手側吐出位置と下手側吐出位置とが略一致するよ
うに上記上手側ノズルと下手側ノズルとが配置設定され
ているため、基板が開口部を通過するに際し、基板には
上手側ノズルから上手側吐出位置に向かって、また下手
側ノズルから下手側吐出位置に向かって気体が吐出され
る。そして、開口部に位置した基板の上部には、上手側
ノズルから吹き出された気体と、下手側ノズルから吹き
出された気体とが衝突して乱流が形成され、この乱流の
形成された部分は上手側および下手側の処理槽内よりも
高圧になっているとともに、乱流形成部分から上手側お
よび下手側の処理槽内に向かった気流が発生する。
According to the invention described in claim 1, the gas supply means is oriented so as to face the opening on the upper side and the lower side of the partition wall, respectively, and discharges on the upper side of the substrate. The upper hand side nozzle and the lower hand side nozzle which are provided so as to discharge the gas toward the position and the lower side discharge position, and the upper hand side so that the upper hand side discharge position and the lower hand side discharge position are substantially coincident with each other. Since the nozzle and the lower side nozzle are arranged and set, when the substrate passes through the opening, the substrate moves from the upper side nozzle to the upper side discharge position and from the lower side nozzle to the lower side discharge position. Gas is discharged. Then, on the upper part of the substrate located at the opening, the gas blown out from the upper side nozzle and the gas blown out from the lower side nozzle collide with each other to form a turbulent flow. Has a higher pressure than in the upper and lower processing tanks, and an air flow is generated from the turbulent flow forming portion toward the upper and lower processing tanks.

【0054】そして、この気流によって基板の処理液被
供給面に存在する処理液が吹き飛ばされ、これによって
開口部に位置した基板に上手側処理槽の処理液と、下手
側処理槽の処理液とが相互に混ざり合わない境界域が形
成される。この境界域の存在によって、上手側処理槽か
ら下手側処理槽に送り込まれる基板に残留して上手側処
理槽の処理液が下手側処理槽内に混入されることはな
く、またその逆も防止できるので、両処理液の混合によ
る基板処理に対する悪影響が回避される。
The air flow blows off the processing liquid existing on the surface of the substrate to which the processing liquid is supplied, whereby the processing liquid in the upper processing tank and the processing liquid in the lower processing tank are applied to the substrate positioned at the opening. A boundary area is formed in which the two do not mix with each other. Due to the existence of this boundary area, the processing liquid from the upper processing tank does not remain on the substrate sent from the upper processing tank to the lower processing tank and is mixed into the lower processing tank, and vice versa. Therefore, the adverse effect on the substrate processing due to the mixture of both processing solutions can be avoided.

【0055】しかも、上手側気体吹出し口から吹き出さ
れた気体と、下出側吹出し口から吹き出された気体とは
基板の処理液被供給面上で相互に交差、あるいは衝突し
合うため、上記境界域の基板搬送方向の幅寸法は、従来
の上手側および下手側ノズルから互いに離間する方向に
気体を吐出するようにした境界域に比較して小さくなっ
ている。従って、境界域における基板の処理液被供給面
の完全な乾燥を抑制することができ、基板が完全に乾燥
することによるムラの発生を確実に抑制することが可能
になり、完全な乾燥による浮遊ミストの基板表面への固
着が確実に抑制される。
Moreover, the gas blown out from the upper gas outlet and the gas blown out from the lower gas outlet cross each other or collide with each other on the surface to which the processing liquid is supplied on the substrate. The width of the region in the substrate transport direction is smaller than that of the boundary region in which the gas is discharged in the direction away from the conventional upper and lower nozzles. Therefore, it is possible to suppress complete drying of the processing liquid supply surface of the substrate in the boundary area, and it is possible to reliably suppress the occurrence of unevenness due to the complete drying of the substrate. Adhesion of the mist to the substrate surface is surely suppressed.

【0056】上記請求項2記載の発明によれば、上手側
吐出位置と下手側吐出位置とが開口部の開口面上で一致
しているため、上記境界域の基板搬送方向の幅寸法を最
小にすることが可能になる。
According to the second aspect of the invention, since the upper discharge position and the lower discharge position are coincident with each other on the opening surface of the opening, the width of the boundary area in the substrate transfer direction is minimized. It becomes possible to

【0057】上記請求項3記載の発明によれば、上手側
ノズルと下手側ノズルとは、それぞれ上記開口部に臨む
角度が同一に設定されているため、上手側ノズルおよび
下手側ノズルの仕様を同一にすることが可能になり、ノ
ズルの共用が可能となるので、設備コストの低減を図る
ことが可能になる。
According to the third aspect of the invention, the upper side nozzle and the lower side nozzle are set to have the same angle facing the opening, so that the specifications of the upper side nozzle and the lower side nozzle are specified. Since it is possible to use the same nozzle and share the nozzle, it is possible to reduce the equipment cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る基板処理装置の一実施形態を示す
説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.

【図2】仕切壁の開口部に設けられたエアーナイフ部の
一実施形態を示す一部切欠き斜視図である。
FIG. 2 is a partially cutaway perspective view showing an embodiment of an air knife portion provided in an opening of a partition wall.

【図3】図2に示すエアーナイフ部の部分拡大断面図で
ある。
FIG. 3 is a partially enlarged sectional view of the air knife portion shown in FIG.

【図4】本発明の作用を説明するために図1の要部を拡
大した部分拡大説明図であり、(イ)は、基板が開口部
に到達する直前の状態、(ロ)は、基板の下流端(右
方)が開口部に到達した状態、(ハ)は、基板が開口部
を通過しつつある状態、(ニ)は、基板が開口部を通過
し、その上流端が散液ノズルの下流側に搬送された状態
をそれぞれ示している。
FIG. 4 is a partially enlarged explanatory view in which an essential part of FIG. 1 is enlarged to explain the operation of the present invention, (a) is a state immediately before the substrate reaches the opening, and (b) is a substrate. The downstream end (right side) of the substrate has reached the opening, (c) the substrate is passing through the opening, and (d) the substrate has passed through the opening and its upstream end is sprinkled. The respective states are shown when they are transported to the downstream side of the nozzle.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板処理装置 11 処理槽 12 基板処理室 13 仕切壁 14 開口部 13a 上手側ブラケット 13b 下手側ブラケット 15 ローラ(搬送手段) 2 上手側処理槽 21 散液管(処理液供給手段) 22 液留タンク 23 上手側処理液供給管路 23a 処理液供給ポンプ 23b フィルタ 3 上手側処理槽 31 散液管(処理液供給手段) 32 液留タンク 33 下手側処理液供給管路 33a 処理液供給ポンプ 33b フィルタ 4 気体供給手段 40 エアーナイフ部 41 上手側エアーナイフ 42 下手側エアーナイフ 43 気体源 44 気体供給管路 R 境界域 X 上手側処理液 X1 上手側処理液層 Y 下手側処理液 Y1 下手側処理液層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 11 Processing tank 12 Substrate processing chamber 13 Partition wall 14 Opening 13a Upper side bracket 13b Lower side bracket 15 Roller (conveying means) 2 Upper side processing tank 21 Dispersion pipe (processing liquid supply means) 22 Liquid retention tank 23 Superior Treatment Liquid Supply Pipeline 23a Treatment Liquid Supply Pump 23b Filter 3 Superior Treatment Tank 31 Dispersion Pipe (Treatment Liquid Supply Means) 32 Liquid Distillation Tank 33 Lower Treatment Liquid Supply Pipeline 33a Treatment Liquid Supply Pump 33b Filter 4 Gas supply means 40 Air knife part 41 Upper side air knife 42 Lower side air knife 43 Gas source 44 Gas supply line R Boundary area X Upper side processing liquid X1 Upper side processing liquid layer Y Lower side processing liquid Y1 Lower side processing liquid layer

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を通過させる開口部を備えた仕切壁
を介して形成され、それぞれ異なる処理液を供給する上
手側処理槽および下手側処理槽と、上記開口部を通して
上手側処理槽から下手側処理槽に基板を搬送する搬送手
段と、上記開口部で処理液を液切りすべく基板に気体を
吹き付ける気体供給手段とを備えてなる基板処理装置に
おいて、 上記気体供給手段は、仕切壁の上手側と下手側とにそれ
ぞれ上記開口部に臨むように向けられ、かつ、基板に対
し上手側吐出位置と下手側吐出位置とに向かって気体を
吐出するように設けられた上手側ノズルと下手側ノズル
とを有し、 上記上手側吐出位置と下手側吐出位置とが略一致するよ
うに上記上手側ノズルと下手側ノズルとが配置設定され
ていることを特徴とする基板処理装置。
1. A side processing tank and a side processing tank which are formed through a partition wall having an opening through which a substrate passes and which supply different processing liquids, respectively, and a processing side from the side processing tank to the lower side through the opening. In a substrate processing apparatus comprising a transfer means for transferring a substrate to a side processing tank and a gas supply means for blowing a gas onto the substrate to drain the processing liquid at the opening, the gas supply means is a partition wall. An upper-side nozzle and a lower side which are respectively directed to the upper side and the lower side so as to face the opening and which are provided so as to discharge gas toward the upper-side discharge position and the lower-side discharge position with respect to the substrate. A substrate processing apparatus having a side nozzle, wherein the upper-side nozzle and the lower-side nozzle are arranged and set so that the upper-side discharge position and the lower-side discharge position substantially match.
【請求項2】 上記上手側吐出位置と下手側吐出位置と
が上記開口部の開口面上で一致していることを特徴とす
る請求項1記載の基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the upper discharge position and the lower discharge position are coincident with each other on the opening surface of the opening.
【請求項3】 上記上手側ノズルと下手側ノズルとは、
それぞれ上記開口部に臨む角度が同一に設定されている
ことを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装
置。
3. The upper side nozzle and the lower side nozzle,
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the angles facing the openings are set to be the same.
JP31905395A 1995-12-07 1995-12-07 Substrate treating system Pending JPH09162147A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31905395A JPH09162147A (en) 1995-12-07 1995-12-07 Substrate treating system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31905395A JPH09162147A (en) 1995-12-07 1995-12-07 Substrate treating system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09162147A true JPH09162147A (en) 1997-06-20

Family

ID=18105984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31905395A Pending JPH09162147A (en) 1995-12-07 1995-12-07 Substrate treating system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09162147A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100420445B1 (en) * 2001-03-31 2004-03-03 (주)케이.씨.텍 apparatus for injecting a fluid
WO2005059984A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-30 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Method of removing deposit from substrate and method of drying substrate, and device for removing deposit from substrate and device of drying substrate using these methods
WO2020218351A1 (en) * 2019-04-25 2020-10-29 株式会社Screenホールディングス Substrate processing method, semiconductor manufacturing method, and substrate processing device

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100420445B1 (en) * 2001-03-31 2004-03-03 (주)케이.씨.텍 apparatus for injecting a fluid
WO2005059984A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-30 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Method of removing deposit from substrate and method of drying substrate, and device for removing deposit from substrate and device of drying substrate using these methods
JPWO2005059984A1 (en) * 2003-12-19 2007-12-13 三星ダイヤモンド工業株式会社 Substrate deposit removal method and substrate drying method, and substrate deposit removal apparatus and substrate drying apparatus using these methods
CN100446190C (en) * 2003-12-19 2008-12-24 三星钻石工业股份有限公司 Method of removing deposit from substrate and method of drying substrate, and device for removing deposit from substrate and device of drying substrate using these methods
JP4560486B2 (en) * 2003-12-19 2010-10-13 三星ダイヤモンド工業株式会社 Substrate deposit removal method and substrate drying method, and substrate deposit removal apparatus and substrate drying apparatus using these methods
US7931755B2 (en) * 2003-12-19 2011-04-26 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd Method for removing deposit from substrate and method for drying substrate, as well as apparatus for removing deposit from substrate and apparatus for drying substrate using these methods
WO2020218351A1 (en) * 2019-04-25 2020-10-29 株式会社Screenホールディングス Substrate processing method, semiconductor manufacturing method, and substrate processing device
JP2020181892A (en) * 2019-04-25 2020-11-05 株式会社Screenホールディングス Substrate processing method, semiconductor manufacturing method, and substrate processing apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3597639B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100212074B1 (en) Apparatus for removing liquid from substrate
JP3070511B2 (en) Substrate drying equipment
JP2007194490A (en) Treating apparatus and treatment method
TWI227035B (en) Substrate processing device of transporting type
JP3550277B2 (en) Substrate processing equipment
JPH09162147A (en) Substrate treating system
JPH0982592A (en) Substrate processing equipment
KR20030003235A (en) Substrate processing apparatus
JP3881169B2 (en) Substrate processing equipment
JP2004095926A (en) Substrate treatment equipment
JPH0982678A (en) Substrate treating system
JP4346967B2 (en) Resist stripping device
JPH0994546A (en) Liquid-extraction device for substrate
JP2003068702A (en) Substrate processing apparatus
JPH11145109A (en) Substrate processing device
JPH09213668A (en) Substrate processing device
JPH11204489A (en) Substrate drying device and drying of substrate
JP2000266465A (en) Apparatus and method for drying substrate
JPH09213669A (en) Substrate treating device
JPH0766100A (en) Air knife and processor using the same
JP2003031546A (en) Apparatus for liquid dripping substrate having a plurality of slit-like jet port
JP3452895B2 (en) Substrate processing equipment
JPH11121427A (en) Substrate processing apparatus
CN114200791B (en) Developing device and developing method