JPH09160255A - Tight adhesion intensifying device - Google Patents

Tight adhesion intensifying device

Info

Publication number
JPH09160255A
JPH09160255A JP7316272A JP31627295A JPH09160255A JP H09160255 A JPH09160255 A JP H09160255A JP 7316272 A JP7316272 A JP 7316272A JP 31627295 A JP31627295 A JP 31627295A JP H09160255 A JPH09160255 A JP H09160255A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
exhaust
aspirator
adhesion
adhesion strengthening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7316272A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroaki Sugimoto
洋昭 杉本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP7316272A priority Critical patent/JPH09160255A/en
Publication of JPH09160255A publication Critical patent/JPH09160255A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a tight adhesion intensifying agent from leaking outside in carrying in or out of a substrate. SOLUTION: A discharge pipeline 7 is mounted at the rear surface of a chamber body 2 of the tight adhesion intensifying device 1 and an aspirator 8 is disposed in mid-way of this discharge pipeline 7. A control section 9 drives this aspirator 8 to have a discharge operation executed when a hermetic closing cap 5 is opened in carrying in and out of the substrate 10, thereby preventing the HMDS(hexamethyl disilazane) remaining in a chamber space 13 from leaking to the circumference. The discharge operation is kept continued while the hermetic closing cap 5 is held open.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板とレジストと
の密着性を強化するための処理を行う密着強化装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an adhesion strengthening apparatus that performs a process for strengthening the adhesion between a substrate and a resist.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化をさら
に押し進めるために、微細化技術の進展が強く望まれて
いる。微細パターンの形成においては、露光処理の解像
力の向上が不可欠な要素となっている。このために、近
年の露光処理では、従来の水銀ランプのi線よりもさら
に波長の短いKrFエキシマレーザが用いられるように
なってきている。
2. Description of the Related Art In recent years, progress in miniaturization technology has been strongly desired in order to further promote high integration of semiconductor devices. In forming a fine pattern, improving the resolution of the exposure process is an essential element. For this reason, in recent exposure processes, a KrF excimer laser having a shorter wavelength than the i-line of a conventional mercury lamp has come to be used.

【0003】ところが、KrFエキシマレーザは、短波
長で照度が小さいため、従来型のレジストでは十分な感
度を得ることができない。そこで、感度の高い化学増幅
型レジストが新たに開発されている。化学増幅型レジス
トは、ベース樹脂、酸発生剤、溶剤の3種類からなって
いる。そして、KrFエキシマレーザ光を受けると、酸
発生剤から酸が生じ、この酸がベース樹脂と反応してレ
ジストパターンを形成する。
However, since the KrF excimer laser has a short wavelength and a small illuminance, a conventional resist cannot obtain sufficient sensitivity. Therefore, a chemically amplified resist having high sensitivity has been newly developed. The chemically amplified resist is composed of three kinds of base resin, acid generator and solvent. When receiving the KrF excimer laser light, an acid is generated from the acid generator, and the acid reacts with the base resin to form a resist pattern.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、高感度の化
学増幅型レジストでは、雰囲気中のアルカリ成分に曝さ
れると、レジストの化学触媒反応が停止することが問題
となっている。
However, in a chemically amplified resist having high sensitivity, there is a problem that the chemical catalytic reaction of the resist is stopped when exposed to an alkaline component in the atmosphere.

【0005】雰囲気中にアルカリ成分を発生する発生源
として密着強化装置がある。通常、ウエハ(基板)の表
面は親水性となっており、基板上に形成したレジストと
の間の密着性が悪く、レジストパターンの剥離が生じる
場合がある。このため、基板上にレジストを塗布する前
に、密着強化装置を用いて基板の表面に対して密着強化
処理が行われている。
An adhesion strengthening device is a source for generating an alkaline component in the atmosphere. Normally, the surface of the wafer (substrate) is hydrophilic, and the adhesion between the wafer and the resist formed on the substrate is poor, and the resist pattern may peel off. Therefore, before applying the resist on the substrate, the adhesion enhancing process is performed on the surface of the substrate using the adhesion enhancing device.

【0006】図4は、従来の減圧密閉式の密着強化装置
の構成図である。密着強化装置20は、チャンバー本体
21と、密閉蓋24とを備えている。密閉蓋24は開閉
可能に構成されている。
FIG. 4 is a block diagram of a conventional pressure-reducing and sealing type adhesion strengthening device. The adhesion strengthening device 20 includes a chamber body 21 and a sealing lid 24. The sealing lid 24 is configured to be openable and closable.

【0007】密着強化処理中は、密閉蓋24が閉じら
れ、その内部が減圧される。基板26は基板保持台22
上に保持され、密閉蓋24に接続された供給管路25か
ら密着強化剤としてHMDS(ヘキサメチルジシラザ
ン)28が基板26表面に供給される。HMDS28の
供給が終了すると、密閉蓋24内部の雰囲気が不活性ガ
スで置換され、その後、密閉蓋24が開放されて基板2
6の搬出および新たな基板の搬入動作が行われる。
During the adhesion strengthening process, the sealing lid 24 is closed and the inside thereof is depressurized. The substrate 26 is the substrate holder 22.
HMDS (hexamethyldisilazane) 28 as an adhesion enhancer is supplied to the surface of the substrate 26 from a supply pipe line 25 which is held above and connected to the sealing lid 24. When the supply of the HMDS 28 is completed, the atmosphere inside the sealing lid 24 is replaced with an inert gas, and then the sealing lid 24 is opened to open the substrate 2
The carry-out operation of 6 and the carry-in operation of a new substrate are performed.

【0008】ところが、HMDS28を不活性ガスで置
換したとしても、密閉蓋24の内部雰囲気中にはHMD
S28が一部残存する。このため、基板26の搬出時に
密閉蓋24が開放されると、残存したHMDS28が外
部に漏洩する。ところで、HMDS28は、水分と接触
するとアンモニア(アルカリ成分)を発生する性質を有
している。したがって、外部に漏洩したHMDS28が
外部の空気と接触すると、空気中の水分と反応してアン
モニアが発生する。このため、密着強化装置の周辺から
外部の雰囲気中にアンモニア27が拡散される。
However, even if the HMDS 28 is replaced with an inert gas, the HMD is still present in the atmosphere inside the sealing lid 24.
Part of S28 remains. Therefore, when the sealing lid 24 is opened when the substrate 26 is carried out, the remaining HMDS 28 leaks to the outside. By the way, HMDS28 has a property of generating ammonia (alkali component) when it comes into contact with water. Therefore, when the HMDS 28 leaking to the outside comes into contact with the outside air, it reacts with the moisture in the air to generate ammonia. Therefore, the ammonia 27 is diffused from the periphery of the adhesion strengthening device into the outside atmosphere.

【0009】例えば、一般的な基板処理装置では、密着
強化装置20の近傍に基板加熱装置(ホットプレート)
が配置されている。基板加熱装置は、化学増幅型レジス
ト膜に露光処理が施された基板の加熱処理を行う装置で
ある。基板加熱装置に搬送される基板は密着強化装置の
近傍を通過する。このため、露光後の化学増幅型レジス
ト膜が密着強化装置から発生したアンモニア成分に曝さ
れる。アンモニア成分は、露光によって化学増幅型レジ
スト膜中に生成されていた酸を中和してしまう。このた
め、露光パターンが消失したり、露光精度が損なわれる
といった問題を生じさせる。
For example, in a general substrate processing apparatus, a substrate heating device (hot plate) is provided near the adhesion strengthening device 20.
Is arranged. The substrate heating device is a device that heats a substrate on which a chemically amplified resist film has been exposed. The substrate conveyed to the substrate heating device passes near the adhesion strengthening device. Therefore, the chemically amplified resist film after exposure is exposed to the ammonia component generated from the adhesion strengthening device. The ammonia component neutralizes the acid generated in the chemically amplified resist film by exposure. Therefore, there arises a problem that the exposure pattern disappears and the exposure accuracy is impaired.

【0010】また、空気中に拡散したアンモニア成分
は、露光後の化学増幅型レジスト膜に限らず、回転塗布
装置のノズルから吐出された化学増幅型レジスト液や、
基板上に回転塗布されたレジスト膜に接触した場合に
も、化学増幅型レジストの感光能力を低下させるという
問題を引き起こす。
The ammonia component diffused in the air is not limited to the chemically amplified resist film after exposure, but the chemically amplified resist solution discharged from the nozzle of the spin coater,
Even when it comes into contact with the resist film spin-coated on the substrate, it causes a problem that the photosensitivity of the chemically amplified resist is lowered.

【0011】本発明の目的は、基板の搬入あるいは搬出
時において密着強化剤を外部の雰囲気中に漏洩すること
のない密着強化装置を提供することである。
An object of the present invention is to provide an adhesion strengthening device which does not leak the adhesion strengthening agent into the outside atmosphere when the substrate is loaded or unloaded.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段および発明の効果】第1の
発明に係る密着強化装置は、容器本体と、容器本体に対
して開閉可能に設けられた蓋を有する密閉容器の内部に
基板を保持し、基板上に密着強化剤を付与する密着強化
装置において、密閉容器の内部を排気するための排気手
段と、蓋が開放された際に、排気手段を動作させて密閉
容器内の排気を行なわせる排気動作制御手段とを備えた
ものである。
[Means for Solving the Problems and Effects of the Invention] An adhesion strengthening device according to the first invention holds a substrate inside a closed container having a container body and a lid provided so as to be openable and closable with respect to the container body. Then, in the adhesion strengthening device for applying the adhesion strengthening agent on the substrate, the exhaust means for exhausting the inside of the closed container and the exhaust means are operated when the lid is opened to exhaust the inside of the closed container. And an exhaust operation control means for controlling the exhaust operation.

【0013】第2の発明に係る密着強化装置は、第1の
発明に係る密着強化装置の構成において、排気手段がア
スピレータから構成されたものでる。第1および第2の
発明に係る密着強化装置においては、蓋が開放された際
に排気手段が動作されるため、密閉容器内の気体は外方
へ排気される。このため、密閉容器の内部は蓋が開放さ
れても外部の雰囲気より低圧に保持される。したがっ
て、外部の空気は密閉容器の内部に向かって吸い込ま
れ、さらに排気手段によって外方に排出される。また、
密閉容器の内部に残存した密着強化剤も密閉容器の外部
に漏洩することなく排気手段に吸い込まれて外方に排出
される。このために、密着強化剤が周囲の空気と接触し
てアルカリ成分が発生したとしても、アルカリ成分は排
気手段によって外方へ排出される。
According to a second aspect of the invention, there is provided the adhesion enhancing device according to the first aspect of the present invention, wherein the exhaust means is an aspirator. In the adhesion enhancing device according to the first and second aspects of the present invention, the gas in the closed container is exhausted to the outside because the exhaust means is operated when the lid is opened. Therefore, even if the lid is opened, the inside of the closed container is kept at a lower pressure than the outside atmosphere. Therefore, the outside air is sucked toward the inside of the closed container and further discharged to the outside by the exhaust means. Also,
The adhesion enhancer remaining inside the closed container is also sucked into the exhaust means and discharged outside without leaking to the outside of the closed container. Therefore, even if the adhesion enhancer comes into contact with the surrounding air to generate an alkaline component, the alkaline component is exhausted to the outside by the exhaust means.

【0014】したがって、密着強化装置の周囲の雰囲気
中にアルカリ成分が漏洩することが防止され、密着強化
装置の近傍を搬送される基板上の化学増幅型レジスト膜
に悪影響を及ぼすことを防止することができる。
Therefore, it is possible to prevent the alkaline component from leaking into the atmosphere around the adhesion strengthening device and prevent the chemically amplified resist film on the substrate transported near the adhesion strengthening device from being adversely affected. You can

【0015】特に、第2の発明に係る密着強化装置にお
いては、アスピレータによって排気動作が行なわれる。
アスピレータは、真空ポンプのように直接吸引する構成
でないので、HMDSを吸引しても不都合を生じること
なく排気動作を行なうことができる。
Particularly, in the adhesion strengthening device according to the second aspect of the invention, the exhaust operation is performed by the aspirator.
Since the aspirator does not have a structure for directly sucking, unlike the vacuum pump, even if the HMDS is sucked, the exhaust operation can be performed without causing any inconvenience.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の一実施例による
密着強化装置の断面構造図である。この密着強化装置1
は、減圧密閉式の装置であり、チャンバー本体2と、チ
ャンバー本体2の上方を覆う密閉蓋5とを備えている。
1 is a sectional structural view of an adhesion strengthening device according to an embodiment of the present invention. This adhesion strengthening device 1
Is a vacuum-tight type device, and includes a chamber body 2 and a sealing lid 5 that covers the chamber body 2 from above.

【0017】チャンバー本体2の内部には基板保持台3
が配置されている。基板保持台3の上面には基板10を
保持する載置面が構成されている。さらに、載置面に
は、基板10の搬入、搬出時に鉛直方向に上下動作する
複数の基板支持ピン4が備えられている。また、チャン
バー本体2の底面には排気管路7が接続されている。
A substrate holder 3 is provided inside the chamber body 2.
Is arranged. A mounting surface for holding the substrate 10 is formed on the upper surface of the substrate holding table 3. Further, the mounting surface is provided with a plurality of substrate support pins 4 that vertically move up and down when the substrate 10 is loaded and unloaded. An exhaust pipe line 7 is connected to the bottom surface of the chamber body 2.

【0018】排気管路7の途中にはアスピレータ8が設
けられている。アスピレータ8は、排気管路7を通して
密閉蓋5の内部を排気するために設けられている。アス
ピレータ8は、排気管路7の内部に挿入された気体吹き
出しノズルを有している。動作時には、気体吹き出しノ
ズルから排気管路7の下流側に向かって高速で気体を噴
出する。気体を噴出すると、アスピレータ8の下流側の
排気管路7内が負圧となる。これにより、排気管路7の
上流側の気体が下流側に吸い寄せられ、排気が行われ
る。
An aspirator 8 is provided in the middle of the exhaust pipe line 7. The aspirator 8 is provided to exhaust the inside of the closed lid 5 through the exhaust pipe line 7. The aspirator 8 has a gas blowing nozzle inserted inside the exhaust pipe line 7. During operation, the gas is jetted at high speed from the gas blowing nozzle toward the downstream side of the exhaust pipe line 7. When the gas is ejected, the inside of the exhaust pipe line 7 on the downstream side of the aspirator 8 becomes negative pressure. As a result, the gas on the upstream side of the exhaust pipe line 7 is sucked to the downstream side and exhausted.

【0019】アスピレータ8の吸引動作は、制御部9に
よって制御される。なお、制御部9の制御動作について
は後述する。密閉蓋5は、鉛直方向に昇降可能に設けら
れている。密閉蓋5の中央部には供給管路6が接続され
ている。供給管路6は、密着強化剤であるHMDSや不
活性ガス(N2 ガス)をチャンバー空間13内に供給す
る。
The suction operation of the aspirator 8 is controlled by the controller 9. The control operation of the control unit 9 will be described later. The sealing lid 5 is provided so as to be vertically movable. A supply line 6 is connected to the central portion of the sealing lid 5. The supply pipeline 6 supplies HMDS, which is an adhesion enhancer, and an inert gas (N 2 gas) into the chamber space 13.

【0020】ここで、本実施例のアスピレータ8は本発
明の排気手段を構成し、制御部9は排気動作制御手段を
構成する。次に、上記構成を有する密着強化装置1の動
作について説明する。図2は、密着強化装置1の各処理
工程におけるチャンバー空間内の圧力履歴を示す図であ
り、図3は、各処理工程における密着強化装置1の動作
状態を示す模式図である。
Here, the aspirator 8 of this embodiment constitutes the exhaust means of the present invention, and the control section 9 constitutes the exhaust operation control means. Next, the operation of the adhesion enhancing device 1 having the above configuration will be described. FIG. 2 is a diagram showing a pressure history in the chamber space in each processing step of the adhesion enhancing device 1, and FIG. 3 is a schematic diagram showing an operation state of the adhesion enhancing device 1 in each processing step.

【0021】まず最初に、基板保持台3の上面に基板1
0が載置され、密閉蓋5が閉じられる。そして、制御部
9がアスピレータ8を駆動し、図2に示すように、チャ
ンバー空間13に対して真空引きを行う(ステップS
1)。
First, the substrate 1 is placed on the upper surface of the substrate holder 3.
0 is placed and the sealing lid 5 is closed. Then, the controller 9 drives the aspirator 8 to evacuate the chamber space 13 as shown in FIG. 2 (step S
1).

【0022】次に、図2および図3(a)に示すよう
に、制御部9がアスピレータ8を停止させるとともに、
排気管路7が遮断される。この状態で密閉蓋5の供給管
路6からチャンバー空間13内にHMDS11が基板1
0の表面に供給される。この供給期間は、例えば数10
秒程度である(ステップS2)。
Next, as shown in FIGS. 2 and 3 (a), the controller 9 stops the aspirator 8 and
The exhaust pipe line 7 is cut off. In this state, the HMDS 11 is placed in the chamber space 13 from the supply line 6 of the sealing lid 5 to the substrate 1.
0 surface. This supply period is, for example, several tens.
It is about a second (step S2).

【0023】さらに、図2および図3(b)に示すよう
に、制御部9はアスピレータ8を駆動し、排気管路7か
らチャンバー空間13内の雰囲気ガス14を排出させ
る。同時に、供給管路6からは不活性ガス12がチャン
バー空間13内に供給され、チャンバー空間13の内部
が不活性ガス12で置換される。このとき、チャンバー
空間13内のHMDS11の大部分は排気管路7から外
部へ排出される(ステップS3)。
Further, as shown in FIGS. 2 and 3B, the control unit 9 drives the aspirator 8 to discharge the atmospheric gas 14 in the chamber space 13 from the exhaust pipe line 7. At the same time, the inert gas 12 is supplied from the supply pipeline 6 into the chamber space 13, and the inside of the chamber space 13 is replaced with the inert gas 12. At this time, most of the HMDS 11 in the chamber space 13 is discharged to the outside from the exhaust pipe line 7 (step S3).

【0024】さらに、図2および図3(c)に示すよう
に、制御部9がアスピレータ8を停止させるとともに、
排気管路7が閉鎖される。供給管路6からは不活性ガス
12が継続して供給される。これにより、チャンバー空
間13内に不活性ガス12が充満し、常圧に復帰する
(ステップS4)。
Further, as shown in FIGS. 2 and 3 (c), the control section 9 stops the aspirator 8 and
The exhaust line 7 is closed. The inert gas 12 is continuously supplied from the supply pipeline 6. As a result, the inert gas 12 fills the chamber space 13 and returns to normal pressure (step S4).

【0025】以上の工程により、基板10に対する密着
強化処理が終了する。次に、基板10の搬出動作に移行
する。図2および図3(d)に示すように、供給管路6
を閉鎖し、密閉蓋5を上昇させるとともに、基板支持ピ
ン4を上昇させて基板10を基板保持台3の上方に移動
させる。密閉蓋5の上昇と同時に、制御部9はアスピレ
ータ8を駆動し、排気管路7を通して排気動作を開始す
る。
Through the above steps, the adhesion strengthening process for the substrate 10 is completed. Next, the operation of unloading the substrate 10 is performed. As shown in FIG. 2 and FIG. 3D, the supply line 6
Is closed, the lid 5 is raised, and the substrate support pins 4 are raised to move the substrate 10 above the substrate holder 3. Simultaneously with the raising of the sealing lid 5, the control unit 9 drives the aspirator 8 to start the exhaust operation through the exhaust pipe line 7.

【0026】排気動作を開始すると、排気管路7の吸い
込み口近傍の雰囲気ガスが吸引され排気管路7を通して
外方へ排出される。これにより、チャンバー空間13で
は密閉蓋5が開放されても外部の雰囲気に比べて低圧状
態を保持することができる。
When the exhaust operation is started, the atmospheric gas in the vicinity of the suction port of the exhaust pipe line 7 is sucked and discharged to the outside through the exhaust pipe line 7. Thereby, in the chamber space 13, even if the sealing lid 5 is opened, it is possible to maintain a low pressure state as compared with the external atmosphere.

【0027】このため、HMDS11は、チャンバー空
間13内に残存していたとしてもチャンバー空間13か
ら外部に漏洩することなく、排気管路7を通して排出さ
れる。また、外部から吸い込まれた空気とチャンバー空
間13内に残存していたHMDS11とが反応してチャ
ンバー空間13内でアンモニアが発生したとしても、発
生したアンモニアはほとんどアスピレータ8により吸引
されて排気管路7から外方へ排出される。
Therefore, the HMDS 11 is discharged through the exhaust pipe line 7 without leaking from the chamber space 13 to the outside even if it remains in the chamber space 13. Further, even if the air sucked from the outside reacts with the HMDS 11 remaining in the chamber space 13 to generate ammonia in the chamber space 13, most of the generated ammonia is sucked by the aspirator 8 and the exhaust pipe line. 7 is discharged to the outside.

【0028】したがって、密着強化装置1において発生
したアンモニアが、基板上の化学増幅型レジストに接触
して悪影響を及ぼすといった従来の問題を解消すること
ができる。
Therefore, it is possible to solve the conventional problem that ammonia generated in the adhesion strengthening apparatus 1 comes into contact with the chemically amplified resist on the substrate and exerts an adverse effect.

【0029】排気管路7からの排気動作は、基板10が
搬出され、さらに、新たな基板が搬入され、基板保持台
3に保持されるまで行われる。すなわち、密閉蓋5が開
放されている間は、排気動作が行われる。
The exhaust operation from the exhaust pipe 7 is carried out until the substrate 10 is carried out, a new substrate is carried in, and the substrate 10 is held by the substrate holding table 3. That is, the exhaust operation is performed while the sealing lid 5 is open.

【0030】このように、上記実施例による密着強化装
置1は、減圧密閉式の装置であり、基板10の搬入、搬
出時における排気動作は、減圧下でHMDS11を塗布
するための減圧機構(排気管路7およびアスピレータ8
など)を利用して行っている。しかしながら、基板10
の搬入、搬出時の排気動作を行うための排気管路やアス
ピレータはHMDS11供給のための減圧機構とは別個
に設けられてもよい。また、減圧密閉式以外の密着強化
装置では、上記実施例において説明した排気管路7、ア
スピレータ8および制御部9を新たに設けてもよい。
As described above, the adhesion strengthening apparatus 1 according to the above-described embodiment is a pressure-reducing closed-type apparatus, and the evacuation operation when loading and unloading the substrate 10 is performed by the decompression mechanism (exhaust) for applying the HMDS 11 under reduced pressure. Pipe line 7 and aspirator 8
Etc.). However, the substrate 10
The exhaust pipe line and the aspirator for performing the exhaust operation at the time of carrying in and out may be provided separately from the decompression mechanism for supplying the HMDS 11. Further, in the adhesion strengthening device other than the pressure-reduced airtight type, the exhaust pipe line 7, the aspirator 8 and the control unit 9 described in the above embodiment may be newly provided.

【0031】さらに、排気手段としては、上記実施例で
説明したアスピレータ8に限らず、他の吸引装置を用い
ても構わない。
Further, the exhaust means is not limited to the aspirator 8 described in the above embodiment, but other suction device may be used.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例による密着強化装置の断面構造
図である。
FIG. 1 is a cross-sectional structural diagram of an adhesion enhancing device according to an embodiment of the present invention.

【図2】密着強化装置の処理工程におけるチャンバー空
間内の圧力の履歴線図である。
FIG. 2 is a history diagram of pressure in a chamber space in a treatment process of the adhesion strengthening device.

【図3】密着強化装置の各処理工程における動作説明図
である。
FIG. 3 is an operation explanatory view in each processing step of the adhesion enhancing device.

【図4】従来の密着強化装置の構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram of a conventional adhesion strengthening device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 密着強化装置 2 チャンバー本体 3 基板保持台 5 密閉蓋 7 排気管路 8 アスピレータ 9 制御部 10 基板 11 HMDS 1 Adhesion Strengthening Device 2 Chamber Main Body 3 Substrate Holding Table 5 Sealing Lid 7 Exhaust Pipeline 8 Aspirator 9 Controller 10 Substrate 11 HMDS

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 容器本体と、前記容器本体に対して開閉
可能に設けられた蓋とを有する密閉容器の内部に基板を
保持し、前記基板上に密着強化剤を付与する密着強化装
置において、 前記密閉容器の内部を排気するための排気手段と、 前記蓋が開放された際に前記排気手段を動作させて前記
密閉容器内の排気を行なわせる排気動作制御手段とを備
えたことを特徴とする密着強化装置。
1. An adhesion strengthening device for holding a substrate inside a closed container having a container body and a lid provided to be openable and closable with respect to the container body and applying an adhesion enhancer onto the substrate, An exhaust operation unit for exhausting the inside of the closed container; and an exhaust operation control unit for operating the exhaust unit to exhaust the inside of the closed container when the lid is opened. Adhesion strengthening device.
【請求項2】 前記排気手段はアスピレータからなるこ
とを特徴とする請求項1記載の密着強化装置。
2. The adhesion strengthening device according to claim 1, wherein the exhaust means is an aspirator.
JP7316272A 1995-12-05 1995-12-05 Tight adhesion intensifying device Pending JPH09160255A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7316272A JPH09160255A (en) 1995-12-05 1995-12-05 Tight adhesion intensifying device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7316272A JPH09160255A (en) 1995-12-05 1995-12-05 Tight adhesion intensifying device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09160255A true JPH09160255A (en) 1997-06-20

Family

ID=18075261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7316272A Pending JPH09160255A (en) 1995-12-05 1995-12-05 Tight adhesion intensifying device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09160255A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006128412A (en) * 2004-10-28 2006-05-18 Hirata Corp Adhesion reinforcement processor

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62131264A (en) * 1985-12-03 1987-06-13 Nec Corp Apparatus for treating silane coupling agent
JPH05160041A (en) * 1991-12-06 1993-06-25 Kawasaki Steel Corp Semiconductor manufacturing device
JPH06283411A (en) * 1993-03-29 1994-10-07 Sony Corp Treatment of semiconductor substrate and treating device for semiconductor device
JPH06302666A (en) * 1993-04-14 1994-10-28 Hitachi Ltd Multi-chamber device
JPH06302679A (en) * 1993-04-13 1994-10-28 Tokyo Electron Ltd Material-to-be-treated conveying box and treating apparatus
JPH07142311A (en) * 1993-06-30 1995-06-02 Sony Corp Device and apparatus for processing substrate using silane coupling agent
JPH07312329A (en) * 1994-05-18 1995-11-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Apparatus and method for strengthening adhesion

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62131264A (en) * 1985-12-03 1987-06-13 Nec Corp Apparatus for treating silane coupling agent
JPH05160041A (en) * 1991-12-06 1993-06-25 Kawasaki Steel Corp Semiconductor manufacturing device
JPH06283411A (en) * 1993-03-29 1994-10-07 Sony Corp Treatment of semiconductor substrate and treating device for semiconductor device
JPH06302679A (en) * 1993-04-13 1994-10-28 Tokyo Electron Ltd Material-to-be-treated conveying box and treating apparatus
JPH06302666A (en) * 1993-04-14 1994-10-28 Hitachi Ltd Multi-chamber device
JPH07142311A (en) * 1993-06-30 1995-06-02 Sony Corp Device and apparatus for processing substrate using silane coupling agent
JPH07312329A (en) * 1994-05-18 1995-11-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Apparatus and method for strengthening adhesion

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006128412A (en) * 2004-10-28 2006-05-18 Hirata Corp Adhesion reinforcement processor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9214363B2 (en) Coating and developing apparatus, coating film forming method, and storage medium storing program for performing the method
JP4410119B2 (en) Cleaning device, coating, developing device and cleaning method
JP2009032878A (en) Apparatus and method for processing substrate, and storage medium
TW201409536A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN109541890B (en) Exposure apparatus, substrate processing apparatus, exposure method, and substrate processing method
JP2003332213A (en) Wet processing device and method
JPH09160255A (en) Tight adhesion intensifying device
JP2756502B2 (en) Ashing processing apparatus and method
JPH0992595A (en) Thermal treatment device and method
JP2912595B2 (en) Developing device
JPS5988824A (en) Wafer processing apparatus
CN110770879B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3027686B2 (en) UV irradiation device
JP3048982B2 (en) Pre-treatment system for resist coating
JP2008091653A (en) Application/development processing method
JP2000021705A (en) Method and device for processing substrate
JPH06333896A (en) Substrate treatment apparatus
JP2000114153A (en) Chemical resupplying system and substrate processing system
JPH11274040A (en) Apparatus and method for substrate treating
JP2023176416A (en) Substrate processing device and substrate processing method
JPH0794382A (en) Method and device for puddle type development processing of substrate surface
JP3170416B2 (en) Adhesion strengthening treatment equipment
KR20230167732A (en) Heat treatment apparatus, heat treatment method, and recording medium
JP2003007625A (en) Substrate-processing apparatus
JPH05251324A (en) Surface treatment apparatus of semiconductor substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040113