JP2023176416A - Substrate processing device and substrate processing method - Google Patents

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建治 枝光
Kenji Edamitsu
滋 山本
Shigeru Yamamoto
敬次 岩田
Keiji Iwata
健一 伊藤
Kenichi Ito
侑哉 川井
Yuya Kawai
大樹 藤井
Daiki Fujii
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Abstract

To provide a substrate processing device and a substrate processing method in which a problem does not occur in an explosion protection manner even when a solvent is mixed with sealing water.SOLUTION: A control unit 111 decompresses the inside of a chamber 3 by actuating a water sealing type vacuum pump 45, and supplies water repellency agent gas from a third nozzle 19 to perform processing on a substrate W, and discharges a portion of sealing water in a drain tank 57 by opening an on-off valve 73 when the decompression in the chamber 3 by the water sealing type vacuum pump 45 is complete. Therefore, the density of the water repellency agent in the sealing water in the drain tank 57 can be prevented from increasing to a fixed level or higher. Consequently, a problem does not occur in an explosion protection manner even when a solvent is mixed with sealing water.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。基板は、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機EL(Electroluminescence)用基板、FPD(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. Examples of the substrate include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, organic EL (Electroluminescence) substrates, FPD (Flat Panel Display) substrates, optical display substrates, magnetic disk substrates, optical disk substrates, magneto-optical disk substrates, These are photomask substrates and solar cell substrates.

従来、この種の装置として、基板を加工する装置がある(例えば、特許文献1参照)。この装置は、チャックテーブルと、水封式真空ポンプと、排水タンクと、循環経路と、熱交換器とを備えている。 Conventionally, as this type of apparatus, there is an apparatus for processing a substrate (see, for example, Patent Document 1). This device includes a chuck table, a water ring vacuum pump, a drainage tank, a circulation path, and a heat exchanger.

チャックテーブルは、加工対象の基板が載置され、加工水が供給される。チャックテーブルに供給された加工水の一部と空気は、水封式真空ポンプの吸引により、吸引経路を通って排水タンクに貯留される。循環経路は、一端側が排水タンクに連通接続され、熱交換器を介して他端側が水封式真空ポンプの水封水供給口に連通接続されている。排水タンク内に貯留された加工水は、循環経路を通って熱交換器により冷却される。これにより、水封式真空ポンプに対して、冷却された新たな水封水を補充する必要がなく、完全循環式に構成できる。排水タンクは、加工水及び水封水と空気とを分離して、空気を大気に放出する。排水タンクは、開閉弁を備えた排出管が下部に接続されており、開閉弁の操作により排水可能に構成されている。 A substrate to be processed is placed on the chuck table, and processing water is supplied to the chuck table. A portion of the processing water and air supplied to the chuck table are collected in a drainage tank through a suction path by suction by a water ring vacuum pump. One end of the circulation path is connected to the drainage tank, and the other end is connected to the water seal water supply port of the water ring vacuum pump via a heat exchanger. Processing water stored in the drainage tank passes through a circulation path and is cooled by a heat exchanger. Thereby, there is no need to replenish the water ring type vacuum pump with new cooled water seal water, and a complete circulation type can be constructed. The drainage tank separates the processed water and sealed water from air and releases the air to the atmosphere. The drain tank is configured such that a discharge pipe equipped with an on-off valve is connected to the lower part thereof, and water can be drained by operating the on-off valve.

特許第4608074号公報Patent No. 4608074

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、加工水と、水封水と、空気とが混合したものが排水タンクに貯留される。ところで、半導体の処理プロセスによっては、水封水に溶剤が混入することがある。そのため、水封水に溶剤が混入し続けると、水封水中の溶剤濃度が高くなり、排水タンク内で溶剤が揮発するので、防爆的に問題となる。
However, the conventional example having such a configuration has the following problems.
That is, in the conventional device, a mixture of processed water, sealed water, and air is stored in a drainage tank. By the way, depending on the semiconductor processing process, a solvent may be mixed into the water sealing water. Therefore, if the solvent continues to be mixed into the water seal water, the concentration of the solvent in the water seal water will increase, and the solvent will volatilize in the drainage tank, causing a problem in terms of explosion protection.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、溶剤が水封水に混入する場合であっても防爆的に問題が生じない基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that do not cause explosion-proof problems even when a solvent is mixed into water sealing water. purpose.

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に対して所定の処理を行う基板処理装置において、基板を収容して基板に対して処理を行うチャンバと、純水に対して不溶性の溶剤を前記チャンバ内に溶剤ガスとして供給する溶剤ガス供給手段と、前記チャンバ内の気体を吸引するものであって、気体を吸引する吸引口と、気体を排出する排出口と、水封水を供給される水封水供給口とを備えた水封式真空ポンプと、前記チャンバに一端側が連通接続され、他端側が前記吸引口に連通接続された減圧管と、前記排出口に連通接続され、前記溶剤を含む前記チャンバ内の気体及び水封水を貯留する排水タンクと、前記排水タンクと前記水封式真空ポンプの水封水供給口とを連通接続する循環配管と、前記循環配管に設けられ、前記循環配管内を流通する液体を冷却する熱交換器と、前記排水タンクの上部に連通接続された排気管と、前記排水タンクの下部に連通接続された排液管と、前記排液管に設けられ、前記排液管における液体の流通を制御する開閉弁と、前記水封式真空ポンプを作動させて前記チャンバ内を減圧し、前記溶剤ガス供給手段から溶剤ガスを供給して前記基板に対する処理を行った後、前記水封式真空ポンプによる前記チャンバ内の減圧が完了した場合には、前記開閉弁を開放して前記排水タンク内の液体の一部を排出する制御部と、を備えていることを特徴とするものである。
In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, the invention according to claim 1 provides a substrate processing apparatus that performs predetermined processing on a substrate, including a chamber that accommodates a substrate and performs processing on the substrate, and a chamber that contains a solvent insoluble in pure water. A solvent gas supply means for supplying the solvent gas into the chamber, a suction port for sucking the gas in the chamber, a discharge port for discharging the gas, and a water seal to which water is supplied. a water ring type vacuum pump having a water seal water supply port; a pressure reducing pipe having one end connected to the chamber and the other end connected to the suction port; and a water ring vacuum pump having a water seal water supply port; a drainage tank for storing the gas and water seal in the chamber containing the water seal, a circulation piping that communicates and connects the drainage tank and the water seal water supply port of the water ring vacuum pump, and provided in the circulation piping, a heat exchanger that cools the liquid flowing in the circulation pipe; an exhaust pipe connected to the upper part of the drainage tank; a drain pipe connected to the lower part of the drainage tank; An on-off valve is provided to control the flow of liquid in the drain pipe, and the water ring vacuum pump is operated to reduce the pressure in the chamber, and a solvent gas is supplied from the solvent gas supply means to supply the substrate. a control unit that opens the on-off valve and discharges a part of the liquid in the drainage tank when the pressure reduction in the chamber by the water ring vacuum pump is completed after the treatment; It is characterized by the fact that

[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、制御部は、水封式真空ポンプを作動させてチャンバ内を減圧し、溶剤ガス供給手段から溶剤ガスを供給して基板に対する処理を行う。その後、水封式真空ポンプによるチャンバ内の減圧が完了した場合には、開閉弁を開放して排水タンク内の液体の一部を排出する。したがって、排水タンク内の液体における溶剤の濃度が一定以上に高くなることを抑制できる。その結果、溶剤が水封水に混入する場合であっても防爆的に問題が生じない。 [Operation/Effect] According to the invention described in claim 1, the control unit operates the water ring vacuum pump to reduce the pressure in the chamber, and supplies the solvent gas from the solvent gas supply means to process the substrate. conduct. Thereafter, when the pressure reduction in the chamber by the water ring vacuum pump is completed, the on-off valve is opened to discharge a portion of the liquid in the drainage tank. Therefore, it is possible to prevent the concentration of the solvent in the liquid in the drainage tank from becoming higher than a certain level. As a result, even if the solvent is mixed into the water sealing water, there will be no explosion-proof problem.

また、本発明において、前記制御部は、前記水封式真空ポンプを作動させて、前記排水タンク内の液体を前記循環配管により循環させた直後に前記開閉弁を開放することが好ましい(請求項2)。 Further, in the present invention, it is preferable that the control unit opens the on-off valve immediately after activating the water ring vacuum pump to circulate the liquid in the drainage tank through the circulation pipe. 2).

溶剤が純水に対して不溶性であるので、排水タンク内において貯留する液体では、溶剤が分離する。そこで、循環配管により排水タンク内の液体を循環させることにより、溶剤と純水とを撹拌し、溶剤を純水に混合させる。その直後に開閉弁を開放するので、排水タンクから溶剤成分を確実に排出できる。 Since the solvent is insoluble in pure water, the solvent separates from the liquid stored in the drain tank. Therefore, by circulating the liquid in the drainage tank through the circulation piping, the solvent and pure water are stirred, and the solvent is mixed with the pure water. Since the on-off valve is opened immediately after that, the solvent component can be reliably discharged from the drainage tank.

また、本発明において、前記チャンバ内に不活性ガスを供給する第1の不活性ガス供給手段をさらに備え、前記制御部は、前記循環を行わせる際に、前記第1の不活性ガス供給手段から不活性ガスを供給させることが好ましい(請求項3)。 Further, in the present invention, the invention further includes a first inert gas supply means for supplying an inert gas into the chamber, and the control unit controls the first inert gas supply means when performing the circulation. It is preferable that the inert gas is supplied from (Claim 3).

チャンバ内の気体を排出して循環配管による循環を行わせる際に、第1の不活性ガス供給手段から不活性ガスを供給する。したがって、チャンバ内を減圧することなく、排水タンクの液体を循環させることができる。 When the gas in the chamber is exhausted and circulated through the circulation piping, inert gas is supplied from the first inert gas supply means. Therefore, the liquid in the drain tank can be circulated without reducing the pressure inside the chamber.

また、本発明において、前記減圧管に設けられ、前記減圧管における気体の流通を制御する減圧開閉弁と、前記チャンバ内に配置され、基板を収容して基板を処理液に浸漬させて処理を行う処理槽と、前記チャンバの底部に一端側が連通接続され、前記チャンバの底部に貯留する処理液を排出するチャンバ排液管と、前記チャンバ排液管の他端側が連通接続され、前記チャンバの下方に配置された下部タンクと、前記下部タンクに不活性ガスを供給する第2の不活性ガス供給手段と、前記下部タンクと前記減圧管とを連通接続した副減圧管と、前記副減圧管に設けられ、前記副減圧管における気体の流通を制御する副減圧開閉弁と、をさらに備え、前記制御部は、前記循環を行わせる際に、前記減圧開閉弁を閉止し、前記副減圧開閉弁を開放した状態で、前記第2の不活性ガス供給手段から不活性ガスを供給させることが好ましい(請求項4)。 Further, in the present invention, a pressure reduction on/off valve is provided in the pressure reduction pipe and controls gas flow in the pressure reduction pipe, and a pressure reduction on/off valve is arranged in the chamber to accommodate the substrate and immerse the substrate in the processing liquid to perform the processing. A processing tank, one end of which is connected to the bottom of the chamber, and a chamber drain pipe that discharges the processing liquid stored at the bottom of the chamber, and the other end of the chamber drain pipe, which is connected to the bottom of the chamber. a lower tank disposed below, a second inert gas supply means for supplying inert gas to the lower tank, a sub-reducing pipe that communicates with the lower tank and the reducing pipe, and the sub-reducing pipe. further comprising: a sub-reducing on-off valve that is provided in the sub-reducing pipe to control gas flow in the sub-reducing pipe; the control unit closes the on-off valve when performing the circulation; It is preferable that the inert gas is supplied from the second inert gas supply means with the valve open (Claim 4).

制御部は、循環を行わせる際に、減圧開閉弁を閉止し、副減圧開閉弁を開放した状態で、第2の不活性ガス供給手段から不活性ガスを供給させる。したがって、チャンバ内に影響を与えることなく、水封式真空ポンプを作動させて排水タンク内の液体を循環させることができる。そのため、次の基板をチャンバ内に搬入するタイミングを早めることができるので、スループットを向上できる。 When performing the circulation, the control unit closes the pressure reduction on-off valve, opens the auxiliary pressure reduction on-off valve, and supplies inert gas from the second inert gas supply means. Therefore, the liquid in the drainage tank can be circulated by operating the water ring vacuum pump without affecting the inside of the chamber. Therefore, the timing for loading the next substrate into the chamber can be brought forward, and throughput can be improved.

また、本発明において、前記排水タンクは、前記水封水供給口より高い位置に配置されていることが好ましい(請求項5)。 Further, in the present invention, it is preferable that the drainage tank is arranged at a higher position than the water seal water supply port (Claim 5).

排水タンク内の液体が水封水供給口へ重力により移動する。したがって、循環配管にポンプなどの動力を必要としない。その結果、構成を簡易化してコストを抑制できるとともに、省電力化を図ることができる。 The liquid in the drain tank moves by gravity to the water seal water supply port. Therefore, power such as a pump is not required for the circulation piping. As a result, it is possible to simplify the configuration and reduce costs, as well as to save power.

また、本発明において、前記排水タンクにおける液面の所定高さ位置を検出する液面センサをさらに備え、前記制御部は、前記開閉弁を開放した後、前記液面センサが作動したら前記開閉弁を閉止することが好ましい(請求項6)。 Further, in the present invention, the control unit further includes a liquid level sensor that detects a predetermined height position of the liquid level in the drainage tank, and after opening the on-off valve, when the liquid level sensor is activated, the control unit controls the on-off valve. It is preferable to close the (Claim 6).

排水タンク内の液体が所定高さ位置を下回ることを防止できる。したがって、水封式真空ポンプの水封水が不足することに起因して、水封式真空ポンプの動作に悪影響を与えることを防止できる。ここでいう所定高さ位置は、水封式真空ポンプの動作に必要な水封水の容量に対応した高さ位置である。 It is possible to prevent the liquid in the drainage tank from falling below a predetermined height. Therefore, it is possible to prevent the operation of the water ring vacuum pump from being adversely affected due to a shortage of water in the water ring vacuum pump. The predetermined height position here is a height position corresponding to the capacity of water seal water required for operation of the water ring vacuum pump.

また、本発明において、前記制御部は、次の基板が前記チャンバに搬入され、前記チャンバ内が減圧されるまでに前記開閉弁を閉止することが好ましい(請求項7)。 Further, in the present invention, it is preferable that the control unit closes the on-off valve before the next substrate is carried into the chamber and the pressure inside the chamber is reduced (Claim 7).

次の基板がチャンバに搬入されると、すぐにチャンバ内を減圧し始めることができる。したがって、次の処理を円滑に行うことができる。 As soon as the next substrate is loaded into the chamber, vacuuming can begin. Therefore, the next process can be performed smoothly.

また、本発明において、前記排水タンクに水封水を供給する水封水供給管と、前記水封水供給管に備えられ、水封水の流通を制御する水封水開閉弁と、をさらに備え、前記制御部は、前記排水タンクの液面レベルに基づいて、前記水封水開閉弁を制御して、前記排水タンクに水封水を補充することが好ましい(請求項8)。 Further, in the present invention, a water sealing water supply pipe that supplies water sealing water to the drainage tank, and a water sealing water opening/closing valve provided in the water sealing water supply pipe and controlling the flow of water sealing water are further provided. It is preferable that the control unit replenishes the drainage tank with water sealing water by controlling the water sealing water on/off valve based on the liquid level of the drainage tank (claim 8).

制御部は、排水タンクの液面レベルに基づいて、水封水開閉弁を制御して排水タンクに水封水を補充する。したがって、水封水が不足することがないので、水封式真空ポンプによる減圧動作を長期間にわたって安定して行うことができる。 The control unit replenishes the drainage tank with water sealing water by controlling the water sealing water on/off valve based on the liquid level of the drainage tank. Therefore, since there is no shortage of water seal water, the pressure reduction operation by the water ring vacuum pump can be performed stably over a long period of time.

また、請求項9に記載の発明は、基板に対して所定の処理を行う基板処理方法において、チャンバに基板を収容した後、前記チャンバ内を水封式真空ポンプにより減圧する減圧ステップと、前記減圧を維持しつつ、純水に対して不溶性の溶剤を前記チャンバ内に溶剤ガスとして供給する供給ステップと、前記水封式真空ポンプによる前記チャンバの減圧が完了した後、前記水封式真空ポンプの排出口に連通接続され、前記溶剤を含む前記チャンバ内の気体及び水封水を貯留する排水タンク内の液体の一部を排出する排出ステップと、を実施することを特徴とするものである。 In addition, the invention according to claim 9 provides a substrate processing method for performing a predetermined process on a substrate, including a step of reducing the pressure in the chamber using a water ring type vacuum pump after accommodating the substrate in the chamber; After the supply step of supplying a solvent insoluble in pure water as a solvent gas into the chamber while maintaining the reduced pressure, and the depressurization of the chamber by the water ring vacuum pump, the water ring vacuum pump and a discharge step of discharging a part of the liquid in a drainage tank that is connected to the discharge port of the chamber and stores gas and water sealed in the chamber containing the solvent. .

[作用・効果]請求項9に記載の発明によれば、減圧ステップと供給ステップとの後、排出ステップにおいて、水封式真空ポンプによるチャンバの減圧が完了した後、排水タンク内の液体の一部を排出する。したがって、したがって、排水タンク内の液体における溶剤の濃度が一定以上に高くなることを抑制できる。その結果、溶剤が水封水に混入する場合であっても防爆的に問題が生じない。 [Operation/Effect] According to the invention described in claim 9, after the pressure reduction step and the supply step, in the discharge step, after the pressure reduction of the chamber by the water ring vacuum pump is completed, all of the liquid in the drainage tank is removed. drain the portion. Therefore, it is possible to prevent the concentration of the solvent in the liquid in the drainage tank from becoming higher than a certain level. As a result, even if the solvent is mixed into the water sealing water, there will be no explosion-proof problem.

本発明に係る基板処理装置によれば、制御部は、水封式真空ポンプを作動させてチャンバ内を減圧し、溶剤ガス供給手段から溶剤ガスを供給して基板に対する処理を行う。その後、水封式真空ポンプによるチャンバ内の減圧が完了した場合には、開閉弁を開放して排水タンク内の液体の一部を排出する。したがって、排水タンク内の液体における溶剤の濃度が一定以上に高くなることを抑制できる。その結果、溶剤が水封水に混入する場合であっても防爆的に問題が生じない。 According to the substrate processing apparatus according to the present invention, the control section operates the water ring vacuum pump to reduce the pressure in the chamber, and supplies the solvent gas from the solvent gas supply means to process the substrate. Thereafter, when the pressure reduction in the chamber by the water ring vacuum pump is completed, the on-off valve is opened to discharge a portion of the liquid in the drainage tank. Therefore, it is possible to prevent the concentration of the solvent in the liquid in the drainage tank from becoming higher than a certain level. As a result, even if the solvent is mixed into the water sealing water, there will be no explosion-proof problem.

実施例1に係る基板処理装置の全体構成を示す図である。1 is a diagram showing the overall configuration of a substrate processing apparatus according to Example 1. FIG. 実施例1に係る処理の一例を示すタイムチャートである。5 is a time chart illustrating an example of processing according to the first embodiment. 実施例1に係る循環ステップを表した模式図である。3 is a schematic diagram showing a circulation step according to Example 1. FIG. 実施例2に係る処理の一例を示すタイムチャートである。7 is a time chart illustrating an example of processing according to the second embodiment. 実施例2に係る循環ステップを表した模式図である。3 is a schematic diagram showing a circulation step according to Example 2. FIG.

以下に本発明の実施例について説明する。 Examples of the present invention will be described below.

以下、図面を参照して本発明の実施例1について説明する。
図1は、実施例1に係る基板処理装置の全体構成を示す図である。
Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram showing the overall configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment.

<1.装置構成> <1. Device configuration>

基板処理装置1は、基板Wに対して所定の処理を行う。基板Wは、例えば、ほぼ円形状を呈する。基板処理装置1は、複数枚の基板Wに対して同時に同じ処理を行うことが可能である。基板処理装置1は、一枚の基板Wを処理することもできる。基板処理装置1は、いわゆるバッチ式の装置である。 The substrate processing apparatus 1 performs predetermined processing on the substrate W. For example, the substrate W has a substantially circular shape. The substrate processing apparatus 1 can perform the same processing on a plurality of substrates W at the same time. The substrate processing apparatus 1 can also process one substrate W. The substrate processing apparatus 1 is a so-called batch type apparatus.

基板処理装置1は、チャンバ3を備えている。チャンバ3は、上部に基板Wを搬入出する搬入出口5を備えている。搬入出口5は、図示しないシャッターにより開閉される。チャンバ3は、内部を外部に対して密閉できる。 The substrate processing apparatus 1 includes a chamber 3 . The chamber 3 is provided with a loading/unloading port 5 at the top for loading/unloading the substrate W. The loading/unloading exit 5 is opened and closed by a shutter (not shown). The chamber 3 can be hermetically sealed from the outside.

チャンバ3は、内部に処理槽7を備えている。処理槽7は、チャンバ3の下部に配置されている。処理槽7は、チャンバ3の底面から離間して配置されている。処理槽7の底面は、チャンバ3の下部の上面から離間している。処理槽7は、下部の両側に噴出管9を備えている。噴出管9は、処理槽7に処理液を供給する。処理液は、例えば、純水や有機溶剤などである。処理槽7は、底面に急速排液弁11を備えている。急速排液弁11は、処理槽7に貯留する処理液を短時間でチャンバ3の底部に排出する。 The chamber 3 includes a processing tank 7 therein. The processing tank 7 is arranged at the bottom of the chamber 3. The processing tank 7 is spaced apart from the bottom surface of the chamber 3 . The bottom surface of the processing tank 7 is spaced apart from the upper surface of the lower part of the chamber 3. The processing tank 7 is equipped with ejection pipes 9 on both sides of the lower part. The spout pipe 9 supplies the processing liquid to the processing tank 7 . The processing liquid is, for example, pure water or an organic solvent. The processing tank 7 is equipped with a quick drain valve 11 on the bottom surface. The rapid drain valve 11 drains the processing liquid stored in the processing tank 7 to the bottom of the chamber 3 in a short time.

基板処理装置1は、リフタ13を備えている。リフタ13は、複数枚の基板Wを下部に載置することができる。リフタ13は、複数枚の基板Wを紙面の前後方向に整列させて載置できる。リフタ13は、一枚の基板Wであっても載置できる。リフタ13は、第1の高さH1と、第2の高さH2と、第2の高さH3とに昇降可能である。第1の高さH1は、チャンバ3の外部であって、図示しない搬送機構との間で基板Wを受け渡す位置である。第2の高さH2は、チャンバ3の内部であって、処理槽7の上方の位置である。第2の高さH2は、基板Wを乾燥させる位置である。第3の高さH3は、チャンバ3の内部であって、処理槽7の内部の位置である。第3の高さH3は、基板Wに対して処理槽7において処理液による処理を行う位置である。 The substrate processing apparatus 1 includes a lifter 13. The lifter 13 can place a plurality of substrates W on its lower portion. The lifter 13 can place a plurality of substrates W in alignment in the front-rear direction of the paper. The lifter 13 can place even one substrate W. The lifter 13 can be raised and lowered to a first height H1, a second height H2, and a second height H3. The first height H1 is outside the chamber 3 and is a position where the substrate W is transferred to and from a transport mechanism (not shown). The second height H2 is a position inside the chamber 3 and above the processing tank 7. The second height H2 is the position at which the substrate W is dried. The third height H3 is a position inside the chamber 3 and inside the processing tank 7. The third height H3 is the position at which the substrate W is processed with the processing liquid in the processing tank 7.

チャンバ3は、第1のノズル15と、第2のノズル17と、第3のノズル19とを備えている。第1のノズル15と、第2のノズル17と、第3のノズル19とは、それぞれ左右方向に一対のノズルで構成されている。第1のノズル15と、第2のノズル17と、第3のノズル19とは、複数枚の基板Wが整列されている方向に長軸を有する。第1のノズル15は、チャンバ3において最も高い位置に設けられている。第2のノズル17は、第1のノズル15より下方であって、第3のノズル19より上方の位置に設けられている。第3のノズル19は、第2のノズル17より下方であって、処理槽7の上縁より上方の位置に設けられている。 The chamber 3 includes a first nozzle 15, a second nozzle 17, and a third nozzle 19. The first nozzle 15, the second nozzle 17, and the third nozzle 19 are each configured as a pair of nozzles in the left-right direction. The first nozzle 15, the second nozzle 17, and the third nozzle 19 have long axes in the direction in which the plurality of substrates W are aligned. The first nozzle 15 is provided at the highest position in the chamber 3. The second nozzle 17 is provided below the first nozzle 15 and above the third nozzle 19. The third nozzle 19 is provided below the second nozzle 17 and above the upper edge of the processing tank 7 .

第1のノズル15は、供給管21の一端側が連通接続されている。供給管21の他端側には、窒素ガス供給源23が連通接続されている。供給管21は、開閉弁25を備えている。窒素ガス供給源23は、窒素ガス(ドライNガス)を供給する。開閉弁25は、供給管21における窒素ガスの流通を制御する。 The first nozzle 15 is connected to one end of the supply pipe 21 . A nitrogen gas supply source 23 is connected to the other end of the supply pipe 21 . The supply pipe 21 is equipped with an on-off valve 25. The nitrogen gas supply source 23 supplies nitrogen gas (dry N 2 gas). The on-off valve 25 controls the flow of nitrogen gas in the supply pipe 21 .

上述した第1のノズル15は、本発明における「第1の不活性ガス供給手段」に相当する。 The first nozzle 15 described above corresponds to the "first inert gas supply means" in the present invention.

第2のノズル17は、供給管27の一端側が連通接続されている。供給管27の他端側には、水溶性溶剤供給源29が連通接続されている。供給管27は、開閉弁31を備えている。水溶性溶剤供給源29は、純水に対して可溶性の溶剤を蒸気で供給する。水溶性の溶剤は、例えば、IPA(イソプロピルアルコール)である。開閉弁31は、供給管27における水溶性溶剤蒸気の流通を制御する。第2のノズル17からの水溶性溶剤蒸気の供給は、高濃度での供給を実現するために、いわゆるキャリアガスを用いない方式であることが好ましい。但し、濃度が低くても処理に問題がない場合には、キャリアガスを用いて供給してもよい。 The second nozzle 17 is connected to one end of the supply pipe 27 . A water-soluble solvent supply source 29 is connected to the other end of the supply pipe 27 . The supply pipe 27 is equipped with an on-off valve 31. The water-soluble solvent supply source 29 supplies a solvent soluble in pure water in the form of steam. The water-soluble solvent is, for example, IPA (isopropyl alcohol). The on-off valve 31 controls the flow of water-soluble solvent vapor in the supply pipe 27 . In order to supply the water-soluble solvent vapor from the second nozzle 17 at a high concentration, it is preferable to use a method that does not use a so-called carrier gas. However, if there is no problem in processing even if the concentration is low, a carrier gas may be used for supply.

第3のノズル19は、供給管33の一端側が連通接続されている。供給管33の他端側には、撥水剤供給源35が連通接続されている。供給管33は、開閉弁37を備えている。撥水剤供給源35は、撥水剤の蒸気を供給する。撥水剤は、シリル化剤とも呼ばれる。撥水剤は、純水に対して不溶性の溶剤を含む。不溶性の溶剤は、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(propyleneglycol monomethyl ether acetate)(ペグミア(PGMEA)とも呼ばれる)が挙げられる。撥水剤供給源35は、不溶性の溶剤を含む処理液を撥水剤の蒸気として供給する。撥水剤は、撥水作用により、基板Wの表面に付着した処理液を排除して、基板Wの乾燥を促進する。 The third nozzle 19 is connected to one end of the supply pipe 33 . A water repellent supply source 35 is connected to the other end of the supply pipe 33 . The supply pipe 33 is equipped with an on-off valve 37. The water repellent supply source 35 supplies water repellent vapor. Water repellents are also called silylating agents. The water repellent contains a solvent that is insoluble in pure water. Examples of the insoluble solvent include propylene glycol monomethyl ether acetate (also called PGMEA). The water repellent supply source 35 supplies a treatment liquid containing an insoluble solvent as water repellent vapor. The water repellent removes the processing liquid adhering to the surface of the substrate W by its water repellent action and promotes drying of the substrate W.

チャンバ3は、第1の液面センサ39と、第2の液面センサ41とを備えている。第1の液面センサ39と、第2の液面センサ41は、チャンバ3の下部に配置されている。第1の液面センサ39と第2の液面センサ41とは、処理槽7からチャンバ3に排出された処理液の液面について所定の高さ位置を検出する。第1の液面センサ39は、処理液の液面について、貯留可能な上限の高さ位置を検出する。第2の液面センサ41は、処理液の液面について下限の高さ位置を検出する。 The chamber 3 includes a first liquid level sensor 39 and a second liquid level sensor 41. The first liquid level sensor 39 and the second liquid level sensor 41 are arranged at the lower part of the chamber 3. The first liquid level sensor 39 and the second liquid level sensor 41 detect a predetermined height position of the liquid level of the processing liquid discharged from the processing tank 7 into the chamber 3 . The first liquid level sensor 39 detects the upper limit height position at which the processing liquid can be stored. The second liquid level sensor 41 detects the lower limit height position of the liquid level of the processing liquid.

チャンバ3には、減圧管43の一端側が連通接続されている。チャンバ3は、その側壁から内部に減圧管43の一端側が連通接続されている。減圧管43の他端側には、水封式真空ポンプ45が連通接続されている。水封式真空ポンプ45は、内部に封水と呼ばれる水を入れ、インペラー(不図示)の遠心力で水のリングを生成することにより、内部に真空状態を生み出すポンプである。減圧管43には、減圧開閉弁47が取り付けられている。減圧管43は、チャンバ3の内部の気体を排出して、チャンバ3の内部を減圧する。減圧開閉弁47は、減圧管43を流通する流体の流量を調整することができる。減圧開閉弁47は、調整された流量での流体の流通を許容したり遮断したりすることができる。 One end of a pressure reducing pipe 43 is connected to the chamber 3 in communication. One end of a pressure reducing pipe 43 is connected to the inside of the chamber 3 through its side wall. A water ring vacuum pump 45 is connected to the other end of the pressure reducing pipe 43 . The water ring type vacuum pump 45 is a pump that creates a vacuum state inside by filling water called seal water inside and generating a ring of water by the centrifugal force of an impeller (not shown). A pressure reducing valve 47 is attached to the pressure reducing pipe 43 . The pressure reducing pipe 43 exhausts the gas inside the chamber 3 and reduces the pressure inside the chamber 3 . The pressure reduction on/off valve 47 can adjust the flow rate of fluid flowing through the pressure reduction pipe 43. The pressure reduction on/off valve 47 can allow or block fluid flow at a regulated flow rate.

水封式真空ポンプ45は、吸引口49と、排出口51と、水封水供給口53とを備えている。水封式真空ポンプ45は、減圧管43を介してチャンバ3内の気体を水溶性溶剤や不溶性溶剤などの蒸気を含めて排出し、チャンバ3内を減圧する。吸引口49は、気体を吸引する。排出口51は、吸引口49から吸引された気体を水封水とともに排出する。水封水供給口53は、水封水を供給される。 The water ring vacuum pump 45 includes a suction port 49, a discharge port 51, and a water seal water supply port 53. The water ring type vacuum pump 45 exhausts the gas in the chamber 3 including the vapor of water-soluble solvent and insoluble solvent through the pressure reducing pipe 43 to reduce the pressure in the chamber 3 . The suction port 49 sucks gas. The discharge port 51 discharges the gas sucked from the suction port 49 together with the water seal. The water sealing water supply port 53 is supplied with water sealing water.

排出口51には、排出管55の一端側が連通接続されている。排出管55の他端側には、排水タンク57が連通接続されている。排出管55は、常時開放されている。換言すると、排出管55は、内部の流体の流通を制御するための開閉弁などを備えていない。排水タンク57は、水封水供給口53よりも高い位置に配置されている。そのため、排水タンク57内の液体が水封水供給口へ重力により移動する。したがって、後述する循環配管75にポンプなどの動力を必要としない。その結果、構成を簡易化してコストを抑制できるとともに、消費電力を抑制できる。 One end side of a discharge pipe 55 is connected to the discharge port 51 . A drainage tank 57 is connected to the other end of the discharge pipe 55 . The discharge pipe 55 is always open. In other words, the discharge pipe 55 does not include an on-off valve or the like for controlling the flow of internal fluid. The drain tank 57 is arranged at a higher position than the water seal water supply port 53. Therefore, the liquid in the drain tank 57 moves to the water seal water supply port by gravity. Therefore, power such as a pump is not required for the circulation piping 75, which will be described later. As a result, the configuration can be simplified and costs can be reduced, and power consumption can also be reduced.

排水タンク57は、水封式真空ポンプ45が排出するチャンバ3内の気体及び液体を貯留する。チャンバ3内の気体は、空気や窒素ガスなどの気体や、チャンバ3に供給された水溶性溶剤や不溶性溶剤の蒸気を含む。液体は、チャンバ3に供給された水溶性溶剤や不溶性溶剤(撥水剤)が液化したものや、水封式真空ポンプ45の水封水を含む。 The drain tank 57 stores the gas and liquid in the chamber 3 discharged by the water ring vacuum pump 45. The gas in the chamber 3 includes gases such as air and nitrogen gas, and vapors of water-soluble solvents and insoluble solvents supplied to the chamber 3. The liquid includes a liquefied water-soluble solvent or an insoluble solvent (water repellent) supplied to the chamber 3, and water sealed from the water-sealed vacuum pump 45.

排水タンク57は、水封水供給管59の一端側が連通接続されている。水封水供給管59の他端側には、純水供給源61が連通接続されている。水封水供給管59は、水封水開閉弁61を備えている。水封水開閉弁61は、水封水供給管59における純水の流通を制御する。排水タンク57は、液面センサ63を備えている。液面センサ63は、排水タンク57における液面の高さ位置を検出する。液面センサ63は、排水タンク57における液面の所定高さ位置を検出できる。液面センサ63は、排水タンク57内における液面の高さ位置のうち、所定の上限位置と、所定の下限位置とを検出できる。上限位置は、例えば、排水タンク57内における液体を排出するのに好適なタイミングを規定する。下限位置は、例えば、排水タンク57内の液体を排出した際、排出を停止するのに好適なタイミングを規定する。下限位置は、水封式真空ポンプ45の動作に必要な水封水の最低限の容量に対応した高さ位置である。 The drain tank 57 is connected to one end of a water seal water supply pipe 59 for communication. A pure water supply source 61 is connected to the other end of the water seal supply pipe 59 . The water sealing water supply pipe 59 is equipped with a water sealing water on-off valve 61. The water seal water on/off valve 61 controls the flow of pure water in the water seal water supply pipe 59 . The drain tank 57 is equipped with a liquid level sensor 63. The liquid level sensor 63 detects the height position of the liquid level in the drain tank 57. The liquid level sensor 63 can detect a predetermined height position of the liquid level in the drain tank 57. The liquid level sensor 63 can detect a predetermined upper limit position and a predetermined lower limit position among the height positions of the liquid level in the drain tank 57 . The upper limit position defines, for example, a suitable timing for draining the liquid in the drain tank 57. The lower limit position defines, for example, a suitable timing for stopping the discharge when the liquid in the drain tank 57 is discharged. The lower limit position is a height position corresponding to the minimum capacity of the water ring necessary for the operation of the water ring vacuum pump 45.

排水タンク57は、排気管65を備えている。詳細には、排水タンク57は、上部に排気管65の一端側が連通接続されている。排気管65の他端側は、排気設備67が連通接続されている。排気設備67は、排気管65から排出された気体に含まれる溶剤を処理する。 The drainage tank 57 is equipped with an exhaust pipe 65. Specifically, one end side of an exhaust pipe 65 is connected to the upper part of the drain tank 57 . The other end of the exhaust pipe 65 is connected to exhaust equipment 67 . The exhaust equipment 67 processes the solvent contained in the gas exhausted from the exhaust pipe 65.

排水タンク57は、排液管69を備えている。具体的には、排水タンク57は、下部に排液管69の一端側が連通接続されている。排液管69の他端側は、排液設備71に連通接続されている。排液設備71は、排液管69から排出された液体に含まれる純水や溶剤を処理する。排液管69は、開閉弁73を備えている。開閉弁73は、排液管69における液体の流通を制御する。 The drain tank 57 is equipped with a drain pipe 69. Specifically, the drain tank 57 has one end side of a drain pipe 69 connected to the lower part thereof. The other end of the drain pipe 69 is connected to a drain facility 71 . The drain equipment 71 processes pure water and solvent contained in the liquid discharged from the drain pipe 69. The drain pipe 69 is equipped with an on-off valve 73. The on-off valve 73 controls the flow of liquid in the drain pipe 69.

排水タンク57は、循環配管75の一端側が連通接続されている。排水タンク57は、その下部に循環配管75を備えている。循環配管75の他端側は、水封式真空ポンプ45の水封水供給口53に連通接続されている。循環配管75は、排水タンク57と封水式真空ポンプ45の水封水供給口53とを連通接続する。循環配管75は、熱交換器77を備えている。熱交換器77は、循環配管75を流通する液体との間で熱交換を行う。熱交換器77は、循環配管75を流通する液体を冷却する。具体的には、熱交換器77は、循環配管75を流通する、溶剤等を含む純水からなる水封水を冷却する。 The drainage tank 57 is connected to one end of the circulation pipe 75 . The drainage tank 57 is equipped with a circulation pipe 75 at its lower part. The other end of the circulation pipe 75 is connected to a water seal water supply port 53 of the water seal vacuum pump 45 . The circulation pipe 75 communicates and connects the drainage tank 57 and the water sealing water supply port 53 of the water sealing type vacuum pump 45 . The circulation pipe 75 is equipped with a heat exchanger 77. The heat exchanger 77 exchanges heat with the liquid flowing through the circulation pipe 75. The heat exchanger 77 cools the liquid flowing through the circulation pipe 75. Specifically, the heat exchanger 77 cools water seal water made of pure water containing a solvent and the like and flowing through the circulation pipe 75.

チャンバ3の下方には、下部タンク79が配置されている。下部タンク79は、チャンバ3より容積が小さい。換言すると、チャンバ3は、下部タンク79より容積が大きい。下部タンク79は、チャンバ3の下部に貯留する処理液が排出される。チャンバ3は、底部にチャンバ排液管81の一端側が連通接続されている。チャンバ排液管81の他端側は、下部タンク79に連通接続されている。チャンバ排液管81は、開閉弁83を備えている。開閉弁83は、チャンバ排液管81における処理液の流通を制御する。 A lower tank 79 is arranged below the chamber 3 . The lower tank 79 has a smaller volume than the chamber 3. In other words, the chamber 3 has a larger volume than the lower tank 79. The processing liquid stored in the lower part of the chamber 3 is discharged from the lower tank 79 . The chamber 3 has one end side of a chamber drain pipe 81 connected to the bottom thereof. The other end of the chamber drain pipe 81 is connected to the lower tank 79 . The chamber drain pipe 81 is equipped with an on-off valve 83 . The on-off valve 83 controls the flow of the processing liquid in the chamber drain pipe 81 .

減圧管43には、分岐減圧管85の一端側が連通接続されている。詳細には、減圧管43の減圧開閉弁47よりもチャンバ3側に分岐減圧管85の一端側が連通接続されている。分岐減圧管85の他端側は、下部タンク79に連通接続されている。分岐減圧管85は、開閉弁87を備えている。開閉弁87は、分岐減圧管85における気体の流通を制御する。分岐減圧管85は、チャンバ3の減圧とともに下部タンク79を減圧するときに用いられる。 One end side of a branch pressure reducing pipe 85 is connected to the pressure reducing pipe 43 in communication. Specifically, one end of the branch pressure reduction pipe 85 is connected to the pressure reduction pipe 43 closer to the chamber 3 than the pressure reduction on/off valve 47 . The other end of the branch pressure reducing pipe 85 is connected to the lower tank 79 . The branch pressure reducing pipe 85 is equipped with an on-off valve 87. The on-off valve 87 controls the flow of gas in the branch pressure reducing pipe 85 . The branch pressure reducing pipe 85 is used to reduce the pressure in the chamber 3 and the lower tank 79 .

下部タンク79は、圧力センサ89と、上限センサ91と、下限センサ93とを備えている。圧力センサ89は、下部タンク79の内部の圧力を検出する。圧力センサ89は、チャンバ3の内部の圧力より下部タンク79の圧力が低くなったことを検出するために用いられる。上限センサ91及び下限センサ93は、下部タンク79内における処理液の液面について所定の高さ位置を検出する。具体的には、上限センサ91は、処理液の液面レベルが予め決められた上限の高さ位置に到達したことを検出する。下限センサ93は、処理液の液面レベルが予め決められた下限の高さ位置に到達したことを検出する。 The lower tank 79 includes a pressure sensor 89, an upper limit sensor 91, and a lower limit sensor 93. Pressure sensor 89 detects the pressure inside lower tank 79. The pressure sensor 89 is used to detect that the pressure in the lower tank 79 has become lower than the pressure inside the chamber 3. The upper limit sensor 91 and the lower limit sensor 93 detect a predetermined height position of the processing liquid level in the lower tank 79 . Specifically, the upper limit sensor 91 detects that the liquid level of the processing liquid has reached a predetermined upper limit height position. The lower limit sensor 93 detects that the liquid level of the processing liquid has reached a predetermined lower limit height position.

減圧管43には、副減圧管95の一端側が連通接続されている。詳細には、減圧管43のうち、減圧開閉弁47と、水封式真空ポンプ45の吸引口49との間に副減圧管95の一端側が連通接続されている。副減圧管95の他端側は、下部タンク79に連通接続されている。副減圧管95は、副減圧開閉弁97を備えている。副減圧開閉弁97は、副減圧管95における気体の流量を調整できる。副減圧開閉弁97は、調整された流量での気体の流通を許容したり遮断したりすることができる。 One end side of a sub-pressure reducing pipe 95 is connected to the pressure reducing pipe 43 in communication. Specifically, one end side of the auxiliary pressure reducing pipe 95 is connected between the pressure reducing valve 47 of the pressure reducing pipe 43 and the suction port 49 of the water seal vacuum pump 45 . The other end of the sub pressure reducing pipe 95 is connected to the lower tank 79 . The sub pressure reducing pipe 95 is equipped with a sub pressure reducing on/off valve 97. The auxiliary pressure reducing valve 97 can adjust the flow rate of gas in the auxiliary pressure reducing pipe 95. The auxiliary pressure reduction on/off valve 97 can allow or block gas flow at a regulated flow rate.

下部タンク79は、下部に排液管99の一端側が連通接続されている。排液管99の他端側は、排液設備101に連通接続されている。排液管99は、開閉弁103を備えている。開閉弁103は、排液管99における液体の流通を制御する。排液管99は、下部タンク79に貯留する液体を排出する。液体は、純水、溶剤、撥水剤を含む。 The lower tank 79 has one end side of a drain pipe 99 connected to the lower part thereof. The other end of the drain pipe 99 is connected to a drain facility 101 . The drain pipe 99 is equipped with an on-off valve 103. The on-off valve 103 controls the flow of liquid in the drain pipe 99 . The drain pipe 99 discharges the liquid stored in the lower tank 79. The liquid includes pure water, a solvent, and a water repellent.

下部タンク79は、上部に供給管105の一端側が連通接続されている。供給管105の他端側は、窒素ガス供給源107に連通接続されている。窒素ガス供給源107は、窒素ガスを供給する。供給管105は、流量調整弁109を備えている。流量調整弁109は、供給管105における窒素ガスの流量を調整できる。流量調整弁109は、調整された流量での窒素ガスの流通を許容したり遮断したりすることができる。 One end of the supply pipe 105 is connected to the upper part of the lower tank 79 for communication. The other end of the supply pipe 105 is connected to a nitrogen gas supply source 107 . A nitrogen gas supply source 107 supplies nitrogen gas. The supply pipe 105 is equipped with a flow rate regulating valve 109 . The flow rate adjustment valve 109 can adjust the flow rate of nitrogen gas in the supply pipe 105. The flow rate adjustment valve 109 can allow or block the flow of nitrogen gas at a regulated flow rate.

なお、上述した供給管105が本発明における「第2の不活性ガス供給手段」に相当する。 Note that the above-mentioned supply pipe 105 corresponds to the "second inert gas supply means" in the present invention.

制御部111は、CPUやメモリを備えている。制御部111は、基板W(あるいはロット)を処理するための処理手順に応じたレシピに基づいて各部を操作する。制御部111は、排水タンク57の液面センサ63による液面レベルに基づいて、水封水開閉弁61を制御して排水タンク57に水封水を補充する。したがって、水封水が不足することがないので、水封式真空ポンプ45による減圧動作を長期間にわたって安定して行うことができる。 The control unit 111 includes a CPU and memory. The control unit 111 operates each unit based on a recipe according to a processing procedure for processing the substrate W (or lot). The control unit 111 controls the water sealing water on-off valve 61 based on the liquid level measured by the liquid level sensor 63 of the drainage tank 57 to replenish the water sealing water to the drainage tank 57 . Therefore, since there is no shortage of water seal water, the pressure reduction operation by the water ring vacuum pump 45 can be performed stably over a long period of time.

上述した急速排液弁11と、リフタ13と、開閉弁25と、開閉弁31と、開閉弁37と、水封式真空ポンプ45と、減圧開閉弁47と、水封水開閉弁61と、開閉弁73と、開閉弁83と、開閉弁87と、副減圧開閉弁97と、開閉弁103と、流量調整弁109とは、制御部111により操作される。制御部111は、第1の液面センサ39と、第2の液面センサ41と、液面センサ63と、圧力センサ89と、上限センサ91と、下限センサ93との出力を受信する。なお、図示を簡略化するために、図1においては、上述した全ての構成のうちの一部に対してのみ、制御部111との間を信号線として点線で描いてある。 The above-mentioned rapid drain valve 11, lifter 13, on-off valve 25, on-off valve 31, on-off valve 37, water-seal vacuum pump 45, pressure reduction on-off valve 47, water-seal water on-off valve 61, The on-off valve 73, the on-off valve 83, the on-off valve 87, the auxiliary pressure reducing on-off valve 97, the on-off valve 103, and the flow rate adjustment valve 109 are operated by the control unit 111. The control unit 111 receives outputs from the first liquid level sensor 39 , the second liquid level sensor 41 , the liquid level sensor 63 , the pressure sensor 89 , the upper limit sensor 91 , and the lower limit sensor 93 . In order to simplify the illustration, in FIG. 1, only some of the above-mentioned configurations are drawn with dotted lines as signal lines between them and the control unit 111.

<2.処理の具体例> <2. Specific example of processing>

ここで、図2及び図3を参照して、基板Wの処理について具体的に説明する。図2は、実施例1に係る処理の一例を示すタイムチャートである。図3は、実施例1に係る循環ステップを表した模式図である。以下においては、基板Wを処理するとして説明するが、一枚の基板Wや複数枚の基板W、あるいはこれらをロットと称した場合であっても同様である。また、以下の説明においては、排水タンク57における排水制御以外については、簡略化して記載してある。図2中において、符号Oは、オープンの意味であり、開放状態を表し、符号Cは、クローズの意味であり、閉止状態を表す。 Here, the processing of the substrate W will be specifically explained with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. 2 is a time chart showing an example of processing according to the first embodiment. FIG. 3 is a schematic diagram showing a circulation step according to the first embodiment. Although the following description will be made assuming that a substrate W is processed, the same applies even if one substrate W, a plurality of substrates W, or these are referred to as a lot. In addition, in the following description, matters other than the drainage control in the drainage tank 57 are simplified and described. In FIG. 2, the symbol O means open and represents an open state, and the symbol C means close and represents a closed state.

初期状態では、処理槽7に純水が貯留されているものとする。処理槽7には、噴出管7から上方に向けて純水が供給されている。0~t1時点では、基板Wを載置したリフタ13は、チャンバ3の外部に相当する第1の高さH1に位置している。また、開閉弁25が開放され、第1のノズル15からチャンバ3内に窒素ガスが供給されている。 In the initial state, it is assumed that pure water is stored in the processing tank 7. Pure water is supplied to the processing tank 7 upward from the jet pipe 7 . From time 0 to t1, the lifter 13 on which the substrate W is placed is located at a first height H1 corresponding to the outside of the chamber 3. Further, the on-off valve 25 is opened, and nitrogen gas is supplied into the chamber 3 from the first nozzle 15.

制御部111は、t1時点においてリフタ13を第3の高さ位置H3に下降させる。これにより、リフタ13に載置された基板Wが純水により洗浄される。この状態をt6時点まで維持して、純水洗浄処理を行う。純水洗浄処理により、基板Wに付着していたパーティクルや処理液が基板Wから除去される。 The control unit 111 lowers the lifter 13 to the third height position H3 at time t1. As a result, the substrate W placed on the lifter 13 is cleaned with pure water. This state is maintained until time t6, and the pure water cleaning process is performed. Particles and processing liquid adhering to the substrate W are removed from the substrate W by the pure water cleaning process.

制御部111は、t2時点で開閉弁25を閉止して窒素ガスの供給を停止する。さらに、制御部111は、t2時点で減圧開閉弁47を第1の流量で開放する。制御部111は、同時に水封式真空ポンプ45を動作させる。制御部111は、この状態をt11時点まで維持する。これにより、チャンバ3内が所定の処理圧力まで減圧される。このとき、排水タンク57には、排出管55から窒素ガスと水封水とが排出される。排水タンク57内の水封水は、循環配管75を通って熱交換器77で冷却され、水封水として水封式真空ポンプ45に再び供給される。 The control unit 111 closes the on-off valve 25 at time t2 and stops supplying nitrogen gas. Furthermore, the control unit 111 opens the pressure reducing on-off valve 47 at the first flow rate at time t2. The control unit 111 simultaneously operates the water ring vacuum pump 45. The control unit 111 maintains this state until time t11. As a result, the pressure inside the chamber 3 is reduced to a predetermined processing pressure. At this time, nitrogen gas and water seal water are discharged from the discharge pipe 55 to the drainage tank 57 . The water seal in the drainage tank 57 passes through the circulation pipe 75, is cooled by the heat exchanger 77, and is supplied again to the water seal vacuum pump 45 as water seal.

制御部111は、チャンバ3内がある程度減圧された状態であるt3時点にて、開閉弁31を開放する。開閉弁31が開放されると、チャンバ3内に第2のノズル17からIPA蒸気が供給される。この状態をt7時点まで継続する。 The control unit 111 opens the on-off valve 31 at time t3, when the pressure inside the chamber 3 is reduced to some extent. When the on-off valve 31 is opened, IPA vapor is supplied into the chamber 3 from the second nozzle 17. This state continues until time t7.

制御部111は、例えば、t4時点において、副減圧開閉弁97を第2の流量で開放する。この状態をt5時点まで維持する。つまり、制御部111は、副減圧開閉弁97をt5時点で閉止する。第2の流量は、チャンバ3を減圧する第1の流量よりも大流量である。これにより、下部タンク79内が減圧される。第2の流量が第1の流量よりも大流量であるので、下部タンク79は、チャンバ3よりも低い圧力にまで減圧される。 For example, at time t4, the control unit 111 opens the auxiliary pressure reducing on-off valve 97 at the second flow rate. This state is maintained until time t5. That is, the control unit 111 closes the auxiliary pressure reducing on-off valve 97 at time t5. The second flow rate is larger than the first flow rate that reduces the pressure in the chamber 3. As a result, the pressure inside the lower tank 79 is reduced. Since the second flow rate is higher than the first flow rate, the lower tank 79 is depressurized to a lower pressure than the chamber 3.

制御部111は、t6時点において、リフタ13を第2の高さH2に上昇させる。これにより、リフタ13に保持された基板Wがチャンバ3の処理槽7の純水液面を切って上昇される。制御部111は、リフタ13を第2の高さH2にt10時点まで維持する。これにより、基板Wに対して置換処理が行われる。具体的には、基板Wに付着した純水が水溶性溶剤であるIPA蒸気によるIPAで置換される。置換処理の間も、水封式真空ポンプ45による減圧が継続されている。したがって、排水タンク57には、IPAが溶け込んだ水封水が排出管55から排出される。 The control unit 111 raises the lifter 13 to the second height H2 at time t6. As a result, the substrate W held by the lifter 13 is lifted above the pure water level in the processing tank 7 of the chamber 3 . The control unit 111 maintains the lifter 13 at the second height H2 until time t10. Thereby, the replacement process is performed on the substrate W. Specifically, the pure water adhering to the substrate W is replaced with IPA vapor, which is a water-soluble solvent. Even during the replacement process, the water ring vacuum pump 45 continues to reduce the pressure. Therefore, water sealed with IPA dissolved therein is discharged from the discharge pipe 55 into the drainage tank 57 .

制御部111は、t6時点において、リフタ13を第2の高さH2に上昇させるとともに急速排液弁11を開放する。これにより、処理槽7内の純水がチャンバ3の下部に短時間で排出される。 At time t6, the control unit 111 raises the lifter 13 to the second height H2 and opens the rapid drain valve 11. Thereby, the pure water in the processing tank 7 is discharged to the lower part of the chamber 3 in a short time.

制御部111は、t6時点において、開閉弁37を開放する。これにより、チャンバ3内には、第3のノズル19から撥水剤の蒸気が供給され、撥水化処理が行われる。これにより、リフタ13に保持された基板Wの表裏面及び端面が疎水化される。つまり、純水をIPAで置換された基板Wの全体に撥水剤が付着し、基板Wの全体が疎水化される。これにより基板Wに残っていた純水や水溶性の溶剤が基板Wから離脱しやすくできる。 The control unit 111 opens the on-off valve 37 at time t6. As a result, water repellent vapor is supplied into the chamber 3 from the third nozzle 19, and water repellent treatment is performed. As a result, the front and back surfaces and end surfaces of the substrate W held by the lifter 13 are rendered hydrophobic. That is, the water repellent agent adheres to the entire substrate W in which pure water has been replaced with IPA, and the entire substrate W is made hydrophobic. This allows the pure water and water-soluble solvent remaining on the substrate W to be easily removed from the substrate W.

制御部111は、t7時点にて、開閉弁31を閉止する。これにより、第2のノズル17からチャンバ3内へのIPA蒸気が遮断される。 The control unit 111 closes the on-off valve 31 at time t7. As a result, IPA vapor from the second nozzle 17 into the chamber 3 is blocked.

制御部111は、t8からt9時点にわたって、開閉弁83を開放する。これにより、チャンバ3の下部に貯留していた、IPAや撥水剤を含む純水が下部タンク79に排出される。下部タンク79は、t4からt5時点において、チャンバ3よりも低い圧力にまで減圧されている。したがって、減圧状態のチャンバ3であっても、貯留している純水が下部タンク79へ円滑に排出される。 The control unit 111 opens the on-off valve 83 from time t8 to time t9. As a result, the pure water containing IPA and water repellent, which has been stored in the lower part of the chamber 3, is discharged to the lower tank 79. The lower tank 79 is depressurized to a lower pressure than the chamber 3 from t4 to t5. Therefore, even if the chamber 3 is in a reduced pressure state, the stored pure water is smoothly discharged to the lower tank 79.

このようにチャンバ3の下部に貯留している純水を下部タンク79に排出する。したがって、減圧されているチャンバ3の下部から水分が蒸発して基板Wに付着し、乾燥を妨げる不都合を回避できる。 The pure water thus stored in the lower part of the chamber 3 is discharged to the lower tank 79. Therefore, it is possible to avoid the problem that moisture evaporates from the lower part of the chamber 3 under reduced pressure and adheres to the substrate W, which hinders drying.

制御部111は、t10時点において、開閉弁37を閉止する。これにより、チャンバ3内への撥水剤の供給が停止される。したがって、基板Wへの撥水化処理が終了する。 The control unit 111 closes the on-off valve 37 at time t10. As a result, the supply of the water repellent into the chamber 3 is stopped. Therefore, the water repellent treatment for the substrate W is completed.

制御部111は、t10時点において、開閉弁25を開放して第1のノズル15からチャンバ3内に窒素ガスを供給する。この窒素ガスの供給は、t13時点で次の基板Wが搬入されるまで継続される。このときの窒素ガスの流量は、水封式真空ポンプ45による排気の流量と同程度である。したがって、チャンバ3内は、加圧も減圧もされない状態で、大気圧程度の圧力に戻される。換言すると、チャンバ3内は、大気圧に開放される。但し、水封式真空ポンプ45によるチャンバ3内の排気動作は継続されている。制御部111は、リフタ13を第1の高さH1に上昇させる。これにより、処理を終えた基板Wは、チャンバ3の外部へ搬出される。 At time t10, the control unit 111 opens the on-off valve 25 and supplies nitrogen gas into the chamber 3 from the first nozzle 15. This supply of nitrogen gas is continued until the next substrate W is carried in at time t13. The flow rate of nitrogen gas at this time is approximately the same as the flow rate of exhaust by the water ring vacuum pump 45. Therefore, the pressure inside the chamber 3 is returned to approximately atmospheric pressure without being pressurized or depressurized. In other words, the inside of the chamber 3 is opened to atmospheric pressure. However, the evacuation operation of the chamber 3 by the water ring vacuum pump 45 continues. The control unit 111 raises the lifter 13 to a first height H1. Thereby, the processed substrate W is carried out to the outside of the chamber 3.

なお、基板Wが搬出された後も、水封式真空ポンプ45の動作はt11時点まで継続されている。このとき、図3に示すように、チャンバ3に第1ノズル15から窒素ガスが供給され、水封式真空ポンプ45は、チャンバ3内の気体を排出している。したがって、チャンバ3内を減圧することなく、排水タンク57の水封水を循環させることができる。これにより、図3に示すように、循環配管75を介してIPAや撥水剤を含む水封水が排水タンク57に循環される。このとき、熱交換器77で水封水が冷却されるので、水封式真空ポンプ45の動作に伴って昇温した水封水が冷却される。そのため、水封水を循環させても水封式真空ポンプ45の動作に悪影響が生じない。また、水封水には、IPAや撥水剤が含まれている。そのため、冷却により水溶性溶剤や撥水剤が効率的に濃縮される。 Note that even after the substrate W is unloaded, the water ring vacuum pump 45 continues to operate until time t11. At this time, as shown in FIG. 3, nitrogen gas is supplied to the chamber 3 from the first nozzle 15, and the water ring vacuum pump 45 exhausts the gas inside the chamber 3. Therefore, the water sealed in the drain tank 57 can be circulated without reducing the pressure inside the chamber 3. As a result, as shown in FIG. 3, the water seal containing IPA and water repellent is circulated to the drainage tank 57 via the circulation pipe 75. At this time, the water seal water is cooled by the heat exchanger 77, so that the water seal water whose temperature has increased due to the operation of the water ring vacuum pump 45 is cooled. Therefore, even if the water ring water is circulated, the operation of the water ring vacuum pump 45 is not adversely affected. In addition, Suifengui contains IPA and water repellent. Therefore, the water-soluble solvent and water repellent are efficiently concentrated by cooling.

制御部111は、上記のように水封水を循環させた直後のt11時点で水封式真空ポンプ45を停止させる。制御部111は、t11からt12時点にわたって開閉弁73を開放する。これにより、排水タンク57に貯留している水封水の一部が排液設備71に排出される。この水封水は、水溶性溶剤や撥水剤が濃縮され、しかも循環されているので、純水に対して不溶性である撥水剤も撹拌により純水に混合されている。したがって、排水タンク57の下部に設けられた排液管69から水封水を排出しても、撥水剤を適切に排出できる。 The control unit 111 stops the water ring vacuum pump 45 at time t11 immediately after circulating the water seal water as described above. The control unit 111 opens the on-off valve 73 from time t11 to time t12. As a result, a part of the water seal water stored in the drainage tank 57 is discharged to the drainage equipment 71. In this water seal, the water-soluble solvent and water repellent are concentrated and circulated, so that the water repellent, which is insoluble in pure water, is also mixed into the pure water by stirring. Therefore, even if the water seal is discharged from the drain pipe 69 provided at the lower part of the drain tank 57, the water repellent can be appropriately discharged.

制御部111は、次の基板Wが搬入されるt13時点より前のt12時点で開閉弁73を閉止している。これにより、次の基板Wがチャンバ3に搬入されると、すぐに封水式真空ポンプ45を動作させてチャンバ3内を減圧し始めることができる。したがって、次の処理を円滑に行うことができる。 The control unit 111 closes the on-off valve 73 at time t12, which is before time t13 when the next substrate W is carried in. Thereby, as soon as the next substrate W is carried into the chamber 3, the water-sealing vacuum pump 45 can be operated to start depressurizing the inside of the chamber 3. Therefore, the next process can be performed smoothly.

制御部111は、t12時点で開閉弁73を閉止しているが、液面センサ63が検出した所定の液面レベルに達した場合に、開閉弁73を閉止するようにしてもよい。これにより、水封水を排出し過ぎ、水封水が不足することに起因して水封式真空ポンプ45の動作に悪影響が生じることを回避できる。 Although the control unit 111 closes the on-off valve 73 at time t12, the on-off valve 73 may be closed when a predetermined liquid level detected by the liquid level sensor 63 is reached. Thereby, it is possible to avoid an adverse effect on the operation of the water ring type vacuum pump 45 due to insufficient water seal water being discharged too much.

なお、撥水剤は、純水より軽い。そのため、循環配管75を介して循環させる撹拌を行わない場合には、撥水剤が純水の上部に層をなして分離した状態となる。そのため、この状態で排水タンク57の下部から排水を行うと、撥水剤が排出されない。このような排出を継続すると、排水タンク57内における撥水剤の濃度が高くなって防爆的に問題となる。本実施例によると、適切に撥水剤を排出するので、防爆的な問題を解決できる。また、排液設備71は、撥水剤の濃度が所定値以上である場合を想定して処理する。そのため、撥水剤の濃度があまりに低いと適切に排液処理が行えない恐れがある。本実施例によると撹拌により適切に排液処理を行える。 Note that the water repellent is lighter than pure water. Therefore, if the water is not circulated and stirred through the circulation pipe 75, the water repellent will form a layer on top of the pure water and will be in a separated state. Therefore, if water is drained from the lower part of the drain tank 57 in this state, the water repellent will not be discharged. If such discharge continues, the concentration of the water repellent in the drain tank 57 will increase, causing a problem in terms of explosion protection. According to this embodiment, since the water repellent is properly discharged, the explosion-proof problem can be solved. Furthermore, the drainage equipment 71 performs processing assuming that the concentration of the water repellent agent is equal to or higher than a predetermined value. Therefore, if the concentration of the water repellent agent is too low, there is a possibility that drainage treatment cannot be performed appropriately. According to this embodiment, drainage treatment can be performed appropriately by stirring.

ところで、排水タンク57に貯留している水封水内における撥水剤の濃度を測定する濃度計を設け、その濃度以上となり、かつ、基板Wの処理が終了した時点で水封式真空ポンプ45を停止させて開閉弁73を開放するようにしてもよい。これにより、t10からt11までの循環時間を抑制できる。その結果、撹拌に要する水封式真空ポンプ45の動作時間を短縮できるので、消費電力を抑制できる。撥水剤の濃度は、排水タンク57の上部に撥水剤の濃度を測定する濃度計を設けてもよい。つまり、排水タンク57に貯留している水封水内から揮発した撥水剤の濃度を測定する。 By the way, a concentration meter is provided to measure the concentration of the water repellent in the water seal water stored in the drainage tank 57, and when the concentration exceeds the concentration and the processing of the substrate W is completed, the water seal vacuum pump 45 Alternatively, the on-off valve 73 may be opened by stopping the on-off valve 73. Thereby, the circulation time from t10 to t11 can be suppressed. As a result, the operating time of the water ring vacuum pump 45 required for stirring can be shortened, so power consumption can be suppressed. To measure the concentration of the water repellent, a concentration meter may be provided at the top of the drainage tank 57 to measure the concentration of the water repellent. That is, the concentration of the water repellent agent volatilized from the water sealed in the water tank 57 is measured.

なお、上述したt2~t10時点のT1期間が本発明における「減圧ステップ」に相当する。上述したt6~t10時点のT2期間が本発明における「供給ステップ」に相当する。上述したt10~t11時点のT3期間が本発明における「循環ステップ」に相当する。上述したt11~t12時点のT4期間が本発明における「排出ステップ」に相当する。 Note that the T1 period from t2 to t10 described above corresponds to the "depressurization step" in the present invention. The T2 period from t6 to t10 described above corresponds to the "supply step" in the present invention. The T3 period from t10 to t11 described above corresponds to the "circulation step" in the present invention. The T4 period from t11 to t12 described above corresponds to the "discharge step" in the present invention.

本実施例によると、制御部111は、水封式真空ポンプ45を作動させてチャンバ3内を減圧し、第3のノズル19から撥水剤を供給して基板Wに対する処理を行う。その後、水封式真空ポンプ45によるチャンバ3内の減圧が完了した場合には、開閉弁73を開放して排水タンク57内の水封水の一部を排出する。したがって、排水タンク57内の水封水における撥水剤の濃度が一定以上に高くなることを抑制できる。その結果、撥水剤が水封水に混入する場合であっても防爆的に問題が生じない。 According to the present embodiment, the control unit 111 operates the water ring vacuum pump 45 to reduce the pressure in the chamber 3, supplies the water repellent from the third nozzle 19, and processes the substrate W. Thereafter, when the pressure reduction in the chamber 3 by the water ring type vacuum pump 45 is completed, the on-off valve 73 is opened to discharge a portion of the water seal water in the drainage tank 57. Therefore, it is possible to prevent the concentration of the water repellent agent in the water seal in the drainage tank 57 from becoming higher than a certain level. As a result, even if the water repellent is mixed into the sealed water, there will be no explosion-proof problem.

次に、図面を参照して本発明の実施例2について説明する。なお、基板処理装置1の構成は、上述した実施例1と同じである。実施例2において実施例1と相違するのは、制御部111による制御である。したがって、図4及び図5を参照して、処理の例についてのみ説明する。 Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the configuration of the substrate processing apparatus 1 is the same as that of the first embodiment described above. The difference between the second embodiment and the first embodiment is the control by the control unit 111. Therefore, only an example of the process will be described with reference to FIGS. 4 and 5.

図4は、実施例2に係る処理の一例を示すタイムチャートである。図5は、実施例2に係る循環ステップを表した模式図である。 FIG. 4 is a time chart showing an example of processing according to the second embodiment. FIG. 5 is a schematic diagram showing a circulation step according to the second embodiment.

実施例2は、制御部111が行うt10~t11のT3期間における制御が上述した実施例1と相違する。制御部111は、チャンバ3内の減圧が完了したt10時点において、減圧開閉弁47を閉止する。さらに、制御部111は、チャンバ3内の減圧が完了したt10時点において、副減圧開閉弁97及び流量調整弁109を開放する。これにより、まず下部タンク79が大気圧に開放される。制御部111は、循環が完了するt11時点において副減圧開閉弁97及び流量調整弁109を閉止する。 The second embodiment is different from the first embodiment described above in the control performed by the control unit 111 during the T3 period from t10 to t11. The control unit 111 closes the pressure reduction on/off valve 47 at time t10 when the pressure reduction in the chamber 3 is completed. Furthermore, the control unit 111 opens the auxiliary pressure reduction on/off valve 97 and the flow rate adjustment valve 109 at time t10 when the pressure reduction in the chamber 3 is completed. As a result, the lower tank 79 is first opened to atmospheric pressure. The control unit 111 closes the auxiliary pressure reduction on/off valve 97 and the flow rate adjustment valve 109 at time t11 when the circulation is completed.

T3期間では、封水式真空ポンプ45は、下部タンク79内の窒素ガスを排水タンク57に排出する。その間、図5に示すように、循環配管75を水封水が循環される。そして、その直後のt11~t12時点において、開閉弁73が開放され、排水タンク57に貯留している水封水の一部が排液設備71に排出される。 During the T3 period, the sealed vacuum pump 45 discharges the nitrogen gas in the lower tank 79 to the drain tank 57. During this time, as shown in FIG. 5, the water seal is circulated through the circulation pipe 75. Immediately thereafter, at time t11 to t12, the on-off valve 73 is opened, and a portion of the water seal water stored in the drainage tank 57 is discharged to the drainage equipment 71.

本実施例によると、上述した実施例1と同様の効果を奏する。さらに、本実施例によると、制御部111は、循環を行わせる際に、減圧開閉弁47を閉止し、副減圧開閉弁97を開放した状態で、窒素ガス供給源107から不活性ガスを供給させる。したがって、チャンバ3内に影響を与えることなく、水封式真空ポンプ45を作動させて排水タンク57内の水封水を循環させることができる。そのため、例えば、図4に点線で示すように、t10a時点で基板Wをチャンバ3内に搬入し、次の基板Wをチャンバ3内に搬入するタイミングを早めることができる。したがって、スループットの向上が期待できる。 According to this embodiment, the same effects as in the first embodiment described above are achieved. Furthermore, according to the present embodiment, when performing circulation, the control unit 111 supplies inert gas from the nitrogen gas supply source 107 while closing the pressure reduction on-off valve 47 and opening the auxiliary pressure reduction on-off valve 97. let Therefore, the water ring type vacuum pump 45 can be operated to circulate the water seal water in the drain tank 57 without affecting the inside of the chamber 3. Therefore, for example, as shown by the dotted line in FIG. 4, the substrate W can be carried into the chamber 3 at time t10a, and the timing at which the next substrate W is carried into the chamber 3 can be brought forward. Therefore, improvement in throughput can be expected.

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。 The present invention is not limited to the above embodiments, and can be modified as described below.

(1)上述した各実施例1,2では、排水タンク57内の液体を循環配管75で循環させた直後に開閉弁73を開放して排出させている。しかしながら、本発明は、このような実施形態に限定されるものではない。例えば、直後でなくとも、所定時間(数分)後に開閉弁73を開放するようにしてもよい。 (1) In each of the first and second embodiments described above, immediately after the liquid in the drainage tank 57 is circulated through the circulation pipe 75, the on-off valve 73 is opened to discharge the liquid. However, the invention is not limited to such embodiments. For example, the on-off valve 73 may be opened after a predetermined time (several minutes) instead of immediately.

(2)上述した実施例1では、循環を行わせる際に、チャンバ3に窒素ガスを供給している。しかしながら、本発明は、このような形態に限定されない。例えば、チャンバ3に窒素ガスを供給せずにチャンバ3内が負圧となるようにしてもよい。 (2) In the first embodiment described above, nitrogen gas is supplied to the chamber 3 during circulation. However, the present invention is not limited to this form. For example, the inside of the chamber 3 may be made to have a negative pressure without supplying nitrogen gas to the chamber 3.

(3)上述した実施例2では、副減圧管95及び下部タンク79を排気して水封水の循環を行っている。しかしながら、本発明は、このような形態に限定されない。例えば、減圧管43に三方弁を設け、チャンバ3に連通する状態と、大気に連通する状態とに切り替え可能にしておく。そして、水封水を循環させる際には、大気に連通する状態に三方弁を切り換えるようにしてもよい。これによると、チャンバ3や下部タンク79に影響を与えることなく循環させることができる。したがって、チャンバ3への基板Wの搬入を前倒しできるとともに、下部タンク79を減圧するタイミングを早めることができる。その結果、スループットの向上を期待できる。 (3) In the second embodiment described above, the auxiliary pressure reducing pipe 95 and the lower tank 79 are evacuated to circulate the water seal. However, the present invention is not limited to this form. For example, the pressure reducing pipe 43 is provided with a three-way valve so that it can be switched between a state in which it communicates with the chamber 3 and a state in which it communicates with the atmosphere. When circulating the water seal, the three-way valve may be switched to a state where it communicates with the atmosphere. According to this, it is possible to circulate without affecting the chamber 3 or the lower tank 79. Therefore, it is possible to move forward the loading of the substrate W into the chamber 3, and also to advance the timing of reducing the pressure in the lower tank 79. As a result, throughput can be expected to improve.

(4)上述した各実施例1,2では、排水タンク57が水封式真空ポンプ45の水封水供給口53より高い位置に配置されている。しかしながら、本発明は、この構成に限定されない。例えば、排水タンク57を水封式真空ポンプ45の水封水供給口53より低い位置に配置してもよい。この場合には、循環配管75にポンプを配置して、水封水をポンプで積極的に循環させるようにする。 (4) In each of the first and second embodiments described above, the drainage tank 57 is arranged at a higher position than the water seal water supply port 53 of the water ring vacuum pump 45. However, the present invention is not limited to this configuration. For example, the drain tank 57 may be arranged at a lower position than the water seal water supply port 53 of the water seal vacuum pump 45. In this case, a pump is disposed in the circulation pipe 75 to actively circulate the water seal with the pump.

(5)上述した各実施例1,2では、純水に不溶性の溶剤として、ペグミア(PGMEA)を含む撥水剤を例にとって説明した。しかしながら、本発明は、撥水剤にペグミアを含むものに限定されない。 (5) In each of Examples 1 and 2 described above, a water repellent containing pegmia (PGMEA) was used as an example of a solvent insoluble in pure water. However, the present invention is not limited to water repellents containing pegmia.

W … 基板
1 … 基板処理装置
3 … チャンバ
7 … 処理槽
11 … 急速排液弁
13 … リフタ
15 … 第1のノズル
17 … 第2のノズル
19 … 第3のノズル
35 … 撥水剤供給源
43 … 減圧管
45 … 水封式真空ポンプ
47 … 減圧開閉弁
49 … 吸引口
51 … 排出口
53 … 水封水供給口
55 … 排出管
57 … 排水タンク
59 … 水封水供給管
61 … 水封水開閉弁
63 … 液面センサ
65 … 排気管
69 … 排液管
73 … 開閉弁
75 … 循環配管
77 … 熱交換器
79 … 下部タンク
81 … チャンバ排液管
95 … 副減圧管
97 … 副減圧開閉弁
105 … 供給管
109 … 流量調整弁
111 … 制御部
W ... Substrate 1 ... Substrate processing device 3 ... Chamber 7 ... Processing tank 11 ... Rapid drain valve 13 ... Lifter 15 ... First nozzle 17 ... Second nozzle 19 ... Third nozzle 35 ... Water repellent supply source 43 ... Pressure reducing pipe 45 ... Water seal vacuum pump 47 ... Pressure reducing valve 49 ... Suction port 51 ... Discharge port 53 ... Water seal water supply port 55 ... Discharge pipe 57 ... Drainage tank 59 ... Water seal water supply pipe 61 ... Water seal water On-off valve 63... Liquid level sensor 65... Exhaust pipe 69... Drain pipe 73... On-off valve 75... Circulation piping 77... Heat exchanger 79... Lower tank 81... Chamber drain pipe 95... Sub-pressure reducing pipe 97... Sub-pressure reducing on-off valve 105... Supply pipe 109... Flow rate adjustment valve 111... Control section

Claims (10)

基板に対して所定の処理を行う基板処理装置において、
基板を収容して基板に対して処理を行うチャンバと、
純水に対して不溶性の溶剤を前記チャンバ内に溶剤ガスとして供給する溶剤ガス供給手段と、
前記チャンバ内の気体を吸引するものであって、気体を吸引する吸引口と、気体を排出する排出口と、水封水を供給される水封水供給口とを備えた水封式真空ポンプと、
前記チャンバに一端側が連通接続され、他端側が前記吸引口に連通接続された減圧管と、
前記排出口に連通接続され、前記溶剤を含む前記チャンバ内の気体及び水封水を貯留する排水タンクと、
前記排水タンクと前記水封式真空ポンプの水封水供給口とを連通接続する循環配管と、
前記循環配管に設けられ、前記循環配管内を流通する液体を冷却する熱交換器と、
前記排水タンクの上部に連通接続された排気管と、
前記排水タンクの下部に連通接続された排液管と、
前記排液管に設けられ、前記排液管における液体の流通を制御する開閉弁と、
前記水封式真空ポンプを作動させて前記チャンバ内を減圧し、前記溶剤ガス供給手段から溶剤ガスを供給して前記基板に対する処理を行った後、前記水封式真空ポンプによる前記チャンバ内の減圧が完了した場合には、前記開閉弁を開放して前記排水タンク内の液体の一部を排出する制御部と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
In a substrate processing apparatus that performs predetermined processing on a substrate,
a chamber that accommodates the substrate and performs processing on the substrate;
a solvent gas supply means for supplying a solvent insoluble in pure water into the chamber as a solvent gas;
A water ring vacuum pump that sucks gas in the chamber, and includes a suction port for sucking the gas, an outlet for discharging the gas, and a water seal supply port for supplying water. and,
a decompression tube having one end connected to the chamber and the other end connected to the suction port;
a drainage tank that is connected to the discharge port and stores the gas and water contained in the chamber containing the solvent;
circulation piping that communicates and connects the drainage tank and the water seal water supply port of the water ring vacuum pump;
a heat exchanger that is provided in the circulation piping and cools the liquid flowing in the circulation piping;
an exhaust pipe connected to the upper part of the drainage tank;
a drain pipe connected to the lower part of the drain tank;
an on-off valve that is provided in the drain pipe and controls the flow of liquid in the drain pipe;
The water ring type vacuum pump is operated to reduce the pressure in the chamber, and after processing the substrate by supplying a solvent gas from the solvent gas supply means, the pressure in the chamber is reduced by the water ring type vacuum pump. a control unit that opens the on-off valve and discharges a portion of the liquid in the drainage tank when the process is completed;
A substrate processing apparatus comprising:
請求項1に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、前記水封式真空ポンプを作動させて、前記排水タンク内の液体を前記循環配管により循環させた直後に前記開閉弁を開放することを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus is characterized in that the control unit opens the on-off valve immediately after activating the water ring vacuum pump to circulate the liquid in the drainage tank through the circulation piping.
請求項1または2に記載の基板処理装置において、
前記チャンバ内に不活性ガスを供給する第1の不活性ガス供給手段をさらに備え、
前記制御部は、前記循環を行わせる際に、前記第1の不活性ガス供給手段から不活性ガスを供給させることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2,
further comprising a first inert gas supply means for supplying an inert gas into the chamber,
The substrate processing apparatus is characterized in that the control section causes the first inert gas supply means to supply an inert gas when performing the circulation.
請求項1または2に記載の基板処理装置において、
前記減圧管に設けられ、前記減圧管における気体の流通を制御する減圧開閉弁と、
前記チャンバ内に配置され、基板を収容して基板を処理液に浸漬させて処理を行う処理槽と、
前記チャンバの底部に一端側が連通接続され、前記チャンバの底部に貯留する処理液を排出するチャンバ排液管と、
前記チャンバ排液管の他端側が連通接続され、前記チャンバの下方に配置された下部タンクと、
前記下部タンクに不活性ガスを供給する第2の不活性ガス供給手段と、
前記下部タンクと前記減圧管とを連通接続した副減圧管と、
前記副減圧管に設けられ、前記副減圧管における気体の流通を制御する副減圧開閉弁と、
をさらに備え、
前記制御部は、前記循環を行わせる際に、前記減圧開閉弁を閉止し、前記副減圧開閉弁を開放した状態で、前記第2の不活性ガス供給手段から不活性ガスを供給させることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2,
a pressure reduction on/off valve provided in the pressure reduction pipe and controlling gas flow in the pressure reduction pipe;
a processing tank disposed in the chamber, accommodating a substrate, and performing processing by immersing the substrate in a processing liquid;
a chamber drain pipe, one end of which is communicatively connected to the bottom of the chamber, and which discharges the processing liquid stored in the bottom of the chamber;
a lower tank disposed below the chamber, the other end of the chamber drain pipe being connected in communication;
a second inert gas supply means for supplying inert gas to the lower tank;
an auxiliary pressure reducing pipe that communicates and connects the lower tank and the pressure reducing pipe;
a sub-pressure reducing on-off valve provided in the sub-pressure reducing pipe and controlling gas flow in the sub-pressure reducing pipe;
Furthermore,
When performing the circulation, the control unit closes the pressure reduction on-off valve and causes the second inert gas supply means to supply inert gas with the auxiliary pressure reduction on-off valve opened. Features of substrate processing equipment.
請求項1または2に記載の基板処理装置において、
前記排水タンクは、前記水封水供給口より高い位置に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2,
The substrate processing apparatus is characterized in that the drainage tank is arranged at a higher position than the water sealing water supply port.
請求項1または2に記載の基板処理装置において、
前記排水タンクにおける液面の所定高さ位置を検出する液面センサをさらに備え、
前記制御部は、前記開閉弁を開放した後、前記液面センサが作動したら前記開閉弁を閉止することを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2,
further comprising a liquid level sensor that detects a predetermined height position of the liquid level in the drainage tank,
The substrate processing apparatus is characterized in that the control unit closes the on-off valve when the liquid level sensor is activated after opening the on-off valve.
請求項1または2に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、次の基板が前記チャンバに搬入され、前記チャンバ内が減圧されるまでに前記開閉弁を閉止することを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2,
The substrate processing apparatus is characterized in that the control unit closes the on-off valve until the next substrate is carried into the chamber and the pressure inside the chamber is reduced.
請求項1または2に記載の基板処理装置において、
前記排水タンクに水封水を供給する水封水供給管と、
前記水封水供給管に備えられ、水封水の流通を制御する水封水開閉弁と、
をさらに備え、
前記制御部は、前記排水タンクの液面レベルに基づいて、前記水封水開閉弁を制御して、前記排水タンクに水封水を補充することを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2,
a water-sealing water supply pipe that supplies water-sealing water to the drainage tank;
a water sealing water on-off valve that is provided in the water sealing water supply pipe and controlling the flow of the water sealing water;
Furthermore,
The substrate processing apparatus is characterized in that the control unit controls the water sealing water on/off valve based on the liquid level of the drainage tank to replenish the water sealing water to the drainage tank.
基板に対して所定の処理を行う基板処理方法において、
チャンバに基板を収容した後、前記チャンバ内を水封式真空ポンプにより減圧する減圧ステップと、
前記減圧を維持しつつ、純水に対して不溶性の溶剤を前記チャンバ内に溶剤ガスとして供給する供給ステップと、
前記水封式真空ポンプによる前記チャンバの減圧が完了した後、前記水封式真空ポンプの排出口に連通接続され、前記溶剤を含む前記チャンバ内の気体及び水封水を貯留する排水タンク内の液体の一部を排出する排出ステップと、
を実施することを特徴とする基板処理方法。
In a substrate processing method in which a predetermined process is performed on a substrate,
After accommodating the substrate in the chamber, a depressurizing step of reducing the pressure in the chamber using a water ring vacuum pump;
supplying a solvent insoluble in pure water as a solvent gas into the chamber while maintaining the reduced pressure;
After the pressure reduction of the chamber by the water-ring vacuum pump is completed, a drainage tank in a drainage tank is connected to the discharge port of the water-ring vacuum pump and stores the gas in the chamber containing the solvent and the water-sealed water. a draining step for draining a portion of the liquid;
A substrate processing method characterized by carrying out the following.
請求項9に記載の基板処理方法において、
前記水封式真空ポンプによる前記チャンバの減圧が完了した後、前記排水タンクに一端側が連通接続され、前記水封式真空ポンプに他端側が連通接続された循環配管を介して、前記排水タンク内の液体を循環させる循環ステップをさらに実施し、
前記循環ステップの直後に、前記排出ステップにおける排出を行うことを特徴とする基板処理方法。
The substrate processing method according to claim 9,
After the pressure reduction of the chamber by the water-ring vacuum pump is completed, the inside of the drainage tank is connected via a circulation pipe whose one end is connected to the drainage tank and whose other end is connected to the water-ring vacuum pump. further carrying out a circulation step of circulating the liquid;
A substrate processing method characterized in that the discharge step is performed immediately after the circulation step.
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