JPH09152472A - Ｉｃ不良解析方法及びｉｃ不良解析装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】被検査ＩＣの内部の電位を測定し、不良個所を
特定するＩＣ不良解析装置の運用を簡素化する。 【解決手段】 被検査ＩＣの内部の電位分布を計測し、
その計測結果と期待値とを比較し、不一致の場合に不良
配線パターンとして表示させて不良個所を探索するＩＣ
不良解析装置及び方法において、不良配線パターンが複
数に分岐すると共に、その分岐した不良配線パターンの
中の一つを選んで追跡する場合、他の選択しない不良配
線パターン名及びその位置を観測するためのＸ−Ｙ位置
情報を未追跡配線記憶手段に記憶させ、爾後に呼び出し
て簡単にその分岐位置に戻って観測点を再現する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は例えばＩＣの試作
過程等において使用されるＩＣ不良解析方法及びこの解
析方法を用いたＩＣ不良解析装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より被検査ＩＣのチップに電子ビー
ムのような荷電粒子ビームを照射し、その照射点から放
出される２次電子の量をセンサで検出し、ＩＣのチップ
内の電位分布を２次電子像として取得し、その２次電子
像（以下ＳＥＭ像と称す）から不良と疑わしい配線を追
跡して不良個所を特定しようとする試みが各種行われて
いる。

【０００３】その一例として本出願人は「特願平６−１
１１２１４号、平成６年５月２５日出願」によりＩＣ不
良解析装置及び荷電粒子ビームテスタを提案した。この
先に提案した試験装置では、被検査ＩＣの不良と疑わし
い配線を追跡する際にＳＥＭ像を取得し、そのＳＥＭ像
を例えばハードディスクのような大容量記憶器に記憶す
ると共に、その取得位置におけるＸ−Ｙステージの位置
情報も合わせて記憶し追跡調査後、その追跡した配線を
さかのぼって元の位置に戻る場合に、Ｘ−Ｙステージの
位置情報を利用してＸ−Ｙステージを元の位置に戻すこ
とができるようにしたものである。

【０００４】従って、この先に提案した発明を利用する
ことにより、例えば追跡の途中で配線が分岐した場合、
その分岐した一方の配線経路を追跡した結果、その配線
経路上には不良個所が発見できない場合に、分岐した他
の配線経路を調べなくてはならなくなる。このような場
合、その分岐点の位置情報を読み出すことにより、その
分岐点に直ちに戻ることができるので不良個所を探す作
業を簡素化できる利点が得られる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】先に提案した発明は、
ＳＥＭ像を取得するごとにその取得時におけるＸ−Ｙス
テージの位置情報をＳＥＭ像の情報に付加して記憶して
いるから、そのＳＥＭ像の取得位置に戻ることは容易に
実行できる。しかしながら、このＳＥＭ像取得位置にお
いて分岐数が複数存在した場合、先にどの経路を調査し
たかを忘れてしまったり、次にどの配線を調査したら良
いのか判断に迷う場合が多い。特に分岐数が３以上の数
になると人為的に記憶が難しくなる。つまり、一つの経
路を追跡調査する時間が長く掛かるためと、操作者は追
跡調査に集中しているから、記憶が薄れがちである。

【０００６】この発明の目的は、先の発明を更に改良
し、故障点の追跡調査を迅速に実行することができるＩ
Ｃ不良解析方法及びＩＣ不良解析装置を提供しようとす
るものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明では被検査ＩＣ
に形成された配線パターンの電位を測定し、この電位が
正常か否かを判定して不良配線と正常配線であるかを表
示させ、不良個所を探索するＩＣ不良解析方法におい
て、不良配線を伝搬する信号の流れの上流側を検出し、
上流に向かって追跡調査を行うと共に、不良配線が複数
に分岐する分岐位置では、分岐した各経路が信号の流れ
の上流側に接続されていることと、追跡調査が未実施で
ある不良配線の存在を検出し、追跡調査が未実施である
配線の存在を検出するごとに、上記分岐位置を表すＸ−
Ｙステージ位置情報と追跡調査未実施である配線名を記
憶し、信号の流れの上流に向かって追跡調査を実施する
ＩＣ不良解析方法を提案する。

【０００８】更に、この発明は被検査ＩＣに形成された
配線パターンの電位を測定し、この電位が正常か否かを
判定して不良配線と正常配線であるかをモニタに表示さ
せ、不良個所を探索するＩＣ不良解析装置において、不
良配線の端部が出力ピンまたは入出力ピンに接続されて
いることを検出して信号の流れの上流側を検出する上流
検出手段と、モニタに表示される視野を移動させる視野
設定入力手段と、モニタに表示される複数の不良配線名
を検出する配線名検出手段と、この配線名検出手段で検
出した不良配線名の中から未追跡配線名を検出する未追
跡配線検出手段と、この未追跡配線検出手段で検出した
未追跡配線名と、この未追跡配線名を検出した視野を与
えるＸ−Ｙステージ位置情報を記憶する未追跡配線記憶
手段と、を設けたＩＣ不良解析装置を提案する。

【０００９】更に、またこの発明ではＩＣ作製時に利用
したレイアウト設計データにより被検査ＩＣ内の配線パ
ターン及びセル等の形状をモニタに表示させるレイアウ
ト表示部と、被検査ＩＣ内の配線パターン上の電位を測
定する電位測定手段と、このレイアウト表示部に表示さ
れる視野に対応する被検査ＩＣの部分を上記電圧測定手
段の測定領域に搬入するＸ−Ｙステージ制御部と、この
電位測定手段で測定した配線パターン上の電位と期待値
とを比較し、期待値との不一致を検出して不良配線と特
定し、モニタに不良配線であることを表示させる比較部
と、上記比較部によって表示された不良配線が複数存在
し、これら複数の不良配線の中で未追跡配線の存在を検
出する未追跡配線検出手段と、この未追跡配線検出手段
で検出した未追跡配線名と、この未追跡配線名を検出し
た視野を与えるＸ−Ｙステージ位置を記憶する記憶手段
と、によって構成したＩＣ不良解析装置を提案する。

【００１０】

【作 用】この発明のＩＣ不良解析方法及び装置によれ
ば、視野設定入力手段により被検査ＩＣ内の検査対象領
域が設定され、その検査対象領域に存在する配線パター
ン、セル（ＦＥＴ等の素子）等がモニタに表示される。
これと共に、その視野内に表示された配線パターンの電
位が電位測定手段により測定され、その測定結果と期待
値とを比較手段により比較し、不一致であれば故障点か
ら発信される信号が流れる不良配線パターンと判定し、
モニタに表示されているレイアウト像に不良配線である
ことを表す例えば色を付すか或いは背景色と異なる白ま
たは黒により強調表示を行う。強調表示された不良配線
は端部がセルの出力端子に接続れているか否かを検索す
る。この検索の結果、セルの出力端子に接続されている
配線パターンはその出力端子または入出力端子に接続さ
れている側が信号の流れとして上流側を意味する。従っ
て、次に指定する視野は上流側の配線パターンを追跡対
象とし、この配線パターンがモニタ画面上のほぼ中心に
来るように、つまり、追跡対象となる配線パターンの位
置を視野設定入力手段から入力し、次の視野位置を決め
る。

【００１１】この視野位置の設定により追跡対象となる
配線が決定される。ここで視野内に不良配線が複数存在
する場合は、他の不良配線は未追跡不良配線と判定し、
この未追跡配線となる配線名と、現在のＸ−Ｙステージ
の位置情報を未追跡配線記憶手段に記憶させる。この記
憶は装置自身が判断して自動的に実行される。従って、
未追跡配線記憶手段には追跡調査の順番に従って新たに
遭遇した各分岐点ごとにＸーＹステージの位置情報と未
追跡配線名が記憶される。

【００１２】この結果、不良配線と判定した配線を追跡
調査した結果、その配線経路に故障点が存在しなかった
場合は、未追跡配線記憶手段に記憶された最も新しい記
憶データを読み出すことにより、現在位置から最も近い
分岐点に戻ることができる。更に、この分岐点で分岐し
た全ての配線を追跡調査しても故障点を発見できない場
合（但し、この追跡調査中に分岐点に全く遭遇しなかっ
た場合）には最新のデータの次に書き込まれている位置
データと、未追跡配線名を呼び出せばよい。また、この
発明では追跡調査の方向を信号の流れに対して上流側に
さかのぼる方向に規定しているから、必ず故障点に到達
することができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】図１に示す実施例を用いて、この
発明による実施の形態を詳細に説明する。図中１００は
この発明によるＩＣ不良解析装置を示す。この発明によ
るＩＣ不良解析装置１００は大きく分けて被検査ＩＣ内
の配線パターン上の電位を測定する電位測定手段２００
と、被検査ＩＣ内の配線パターンの配置と、その配線パ
ターン上の電位分布が正常か否かを表示するＩＣ不良解
析用表示装置３００とによって構成される。

【００１４】電位測定方法としては、一般によく知られ
ている荷電粒子ビームを被検査ＩＣに照射し、その照射
点から放出される２次電子の量により電位を計測する荷
電粒子ビーム方式のものと、ＣＣＤ撮像素子によりＩＣ
の内部を拡大して撮像し、その像をたよりに導電性針
（プローブ）を所望の配線パターンに接触させ、配線パ
ターン上の電位を計測するメカニカルプローバ方式のも
のと、レーザ光を照射し、その反射光が反射点の電位に
応じて偏光される現像を利用して反射点の電位を計測す
るレーザビーム方式とが考えられている。図１に示す電
位測定手段２００は荷電粒子ビーム方式により被検査Ｉ
Ｃ内部の電位を測定する方式の電位測定手段を用いた場
合を示す。また、荷電粒子ビームとしては電子ビームを
用いた場合を示す。

【００１５】更に、被検査ＩＣから得る画像の視野決定
方法としては被検査ＩＣをＸ−Ｙステージに搭載し、Ｘ
−Ｙステージを移動させて電子ビームの照射点を移動さ
せ視野を決定する方法と、電子ビーム露光装置等で実用
されている電子ビームを大偏向手段と副偏向手段によっ
て偏向させ、大偏向手段の偏向位置によって被検査ＩＣ
内の何れの位置にも電子ビームを照射し、視野を決定で
きる方法のものがある。この実施例ではＸ−Ｙステージ
を用いた場合について説明するが、視野決定の位置情報
としては単にＸ−Ｙ位置又はＸ−Ｙ位置情報と称するこ
とにする。荷電粒子ビーム方式を採る電位測定手段２０
０は、(1) 内部を真空に維持することができるカラム
２０１と、(2) カラム２０１の上部に装着された電子
銃２０２と、(3) 電子銃２０２と対向して配置された
Ｘ−Ｙステージ２０３と、(4) Ｘ−Ｙステージ２０３
に装着したＤＵＴボード２０４と、(5) Ｘ−Ｙステー
ジ２０３をＸ方向及びＹ方向に駆動させるモータ２０５
(Ｘ軸方向及びＹ軸方向に駆動する２台のモータを１台
で総称する）と、(6) 被検査ＩＣ１０から発生する２
次電子の量を検出する検出器２０６と、(7) 電子銃２
０２のビームの放射と停止制御及び被検査ＩＣ１０への
走査領域の規定等を実行するビーム走査制御部２０７
と、(8) 検出器１０６で検出した２次電子の検出信号
を例えば２値のディジタル符号に変換するＡＤ変換回路
２０８と、(9) ＩＣ不良解析用表示装置３００から送
られて来る位置データによりＸ−Ｙステージ２０３を移
動させるステージ制御部２０９と、によって構成され
る。

【００１６】被検査ＩＣ１０はＸ−Ｙステージ２０３の
上に搭載され、ＤＵＴボード２０４を介してＩＣテスタ
４００に接続され、ＩＣテスタ４００によって各種の動
作条件で動作できるように制御される。被検査ＩＣが各
種の動作条件で動作している状況において、電子銃２０
２から検査対象とする領域に電子ビームＢＬが照射さ
れ、各照射点ごとに２次電子の量を計測し、検査対象と
する配線パターンの電位がＨかＬかを判定し、ＡＤ変換
回路２０８からその判定結果を出力し、その判定結果を
ＩＣ不良解析用表示手段３００に設けた比較部３１１に
送り込む。

【００１７】ＩＣ不良解析用表示手段３００は一般にワ
ークステーション等と呼ばれているコンピュータによっ
て構成することができる。モニタ３０１に被検査ＩＣ内
の配線パターン及び各種のセルの形状を表示する方法と
しては、電位測定手段２００の検出器２０６から出力さ
れる２次電子の検出信号を電子ビームＢＬの走査に連動
して画像信号として取込み、電位コントラスト像として
表示させる方式と、ＩＣ設計時に作製したレイアウト設
計データを用いてレイアウト像を表示させ、このレイア
ウト像に電位測定手段２００で測定した電位を色または
階調差等で表示させる方式とがある。電位コントラスト
像はＳＮ比が悪く不鮮明であるため、一般にはレイアウ
ト設計データによりＩＣ内部のレイアウトを表示させる
方式が用いられている。

【００１８】従って、この実施例でもレイアウト設計デ
ータを用いてモニタ３０１にＩＣ内部のレイアウトを表
示させる方式のＩＣ不良解析用表示装置の構成を示す。
外部記憶装置５００にレイアウト設計データＬＤが用意
される。また他の外部記憶装置６００に各配線パターン
上の電位の期待値データＫＤが用意される。期待値デー
タＫＤは、例えばＩＣテスタ４００から正常に動作する
ＩＣに試験パターンを与え、そのとき測定した電位測定
信号を収集して構成することができる。

【００１９】従来から使われているＩＣ不良解析用表示
手段３００は、(1) 外部記憶装置５００から入力され
るレイアウト設計データＬＤをＩＣ不良解析用表示手段
３００のデータに変換するレイアウトデータ変換部３０
２と、(2) レイアウトデータ変換部３０２で変換した
レイアウトデータを蓄積して構成されるレイアウトデー
タベース３０３と、(3) レイアウトデータベース３０
３に蓄積したデータベースの中から検査対象となるＸ−
Ｙ位置を指定して入力し、モニタ３０１に検査対象領域
のレイアウトを表示させる視野設定入力手段３０４と、
(4) 設定した視野のＸ−Ｙ位置情報を電位測定手段２
００に送りＸ−Ｙステージ２０３の位置を視野に対応し
た位置に移動させる制御及び電子ビームＢＬの走査範囲
等を電位測定手段２００に送り込むステージ制御及びビ
ーム走査制御部３０５と、(5) レイアウト設計データ
ＬＤから、配線パターン名及びセル名等を抽出する配線
情報収集部３０６と、(6) この配線情報収集部３０６
で収集した配線パターン名或いはセル名を蓄積して構成
した配線情報データベース３０７と、(7) 期待値デー
タＫＤをＩＣ不良解析用表示手段３００のデータに変換
する期待値データ変換部３０８と、(8) 期待値データ
ベース３０９と、(9) 電位測定手段２００から送られ
て来る電位測定結果を期待値データと比較し、被検査Ｉ
Ｃ１０の配線パターン上の電位が期待値と一致している
か否かを判定し、モニタ３０１に不一致を表す信号を出
力し、対応する配線パターンに不良であることを表示さ
せる比較部３１１と、(10) モニタ３０１に表示される
配線パターンの名前及びその周辺に接続されるセルの名
前を検出してモニタ３０１に表示させる配線名検出手段
３１２と、によって構成される。

【００２０】この発明によるＩＣ不良解析用表示装置３
００は上記した(1) 〜(10)の構成に加えて、（Ａ）配線
パターンの端部がセルの出力ピンまたは入出力ピンに接
続されていることを検出して信号の流れの上流側を検出
する上流検出手段３１３と、（Ｂ）配線名検出手段で検
出した配線名の中から未追跡配線名を検出する未追跡配
線検出手段３１４と、（Ｃ）未追跡配線検出手段で検出
した未追跡配線名と、この未追跡配線名を検出した視野
を与えるＸ−Ｙ位置情報を記憶する未追跡配線記憶手段
３１５と、を付加した構成を特徴とするものである。

【００２１】従来から用いられている(1) 〜(10)の構成
を持つＩＣ不良解析用表示装置によればモニタ３０１に
は例えば図３に示す観測領域Ａで囲む範囲内の配線レイ
アウトが表示され、更に期待値ＫＤと一致しない電位を
持つ配線パターンは例えば黒に表示され、不良配線パタ
ーンとして表示される。図の例では黒色表示された配線
パターンＮ２とＮ６にハッチングを付して示す。Ｎ１，
Ｎ２，Ｎ３，Ｎ６，Ｎ８は配線パターン名、Ｃ１，Ｃ
２，Ｃ７はセル名、Ｉ，Ｏは各セルの端子の属性を示
す。つまり、Ｉは入力端子、Ｏは出力端子を示す。

【００２２】図３に示すように、不良配線が複数表示さ
れた場合は何れか一方の配線経路を選んで追跡を行う。
従来は複数の不良配線パターンが表示された場合、その
中の一つを選んで配線経路を追跡するが、選ばれなかっ
た配線経路は操作者自身がメモする等して記憶しておか
なければならなかった。この発明では、観測領域Ａで不
良配線パターンが表示された場合、その不良配線パター
ンＮ２，Ｎ６に接続されたセルＣ１，Ｃ２，Ｃ７及びＣ
５の端子の属性を上流検出手段３１３が配線情報データ
ベース３０７により調べ、出力端子Ｏに接続されている
側を信号の流れの上流側と判定する。図３の例ではセル
Ｃ５は配線パターンＮ２の接続部分が入力端子Ｉである
ことから、セルＣ５は上流セルと判定しない。従って、
配線パターンＮ２は被疑経路から除去する。従って、図
４に示すように配線パターンＮ２は黒色表示から灰色
（スナハッチングして示す）表示に変換される。

【００２３】図３及び図４に示す例ではセルＣ２の入力
端子Ｉを検出し、上流側に接続されている配線パターン
Ｎ３に注目し、配線パターンＮ３の電位を測定した結
果、不良と判定されたので配線パターンＮ３に接続され
る配線経路を追跡することとした場合を示す。ここで次
の観測領域を視野設定入力手段３０４から入力し、視野
を移動させる。視野設定入力手段３０４から入力するデ
ータとしては、配線パターンＮ３の上流側に接続されて
いる配線パターンＮ４上の例えば位置Ｐ１（図４参照）
を入力する。この位置Ｐ１を入力することにより、未追
跡配線検出手段３１４は配線パターンＮ６が指定されな
かったことから未追跡配線と判定し、この配線パターン
Ｎ６と、観測領域Ａを与えるＸ−Ｙステージ２０３のＸ
−Ｙ位置情報と配線パターンＮ６を未追跡配線名として
記憶する。図３及び図４に示した例では、不良配線パタ
ーンの数が２本の場合を示すが、不良配線パターンの数
が２本以上存在する場合には、各未追跡配線名をＸ−Ｙ
ステージ２０３のＸ−Ｙ位置情報と共に記憶する。

【００２４】視野移動先の設定点Ｐ１を入力したことに
よりモニタ３０１には設定点Ｐ１を中心とするレイアウ
トがレイアウトデータベース３０３から読み出されて図
５に示すように表示される。これと共に、Ｘ−Ｙステー
ジ２０３が設定点Ｐ１を電子ビームＢＬの照射領域の中
心位置になるように移動し、各配線パターンＮ３，Ｎ
４，Ｎ５の電位を測定し、その測定結果を比較部３１１
で比較し、その比較結果をモニタ３０１に表示されてい
るレイアウト上に表示する。図５に示す例では配線パタ
ーンＮ３とＮ４が黒色表示されて不良配線パターンを表
示し、配線パターンＮ５は正常な配線パターンとして表
示されている場合を示す。配線パターンＮ４はセルＣ４
の出力端子Ｏに接続されており、配線パターンＮ４はセ
ルＣ４の入力端子Ｉに接続されていることから、ここで
はセルＣ４の上流は正常であるが、セルＣ４が故障して
いるのか否か疑わしいことが解る。

【００２５】配線パターンＮ４の他方側に接続されてい
るセルＣ６を検出し、セルＣ６の上流側を追跡すること
にする。このために視野設定点を配線パターンＮ４上の
位置Ｐ２に設定する。視野移動先のＸ−Ｙ位置Ｐ２が入
力されることにより、モニタ３０１には図６に示す観測
領域Ｃのレイアウトが表示される。観測領域Ｃによりセ
ルＣ６の入力端子Ｉに接続されている配線パターンＮ７
の電位を計測し、良否を表示させる。この結果、図６に
示す例では配線パターンＮ７は白色に表示され、正常な
配線パターンと判定された場合を示す。従って、セルＣ
６の上流は正常であるが、セルＣ６が故障しているか否
か、疑わしいことが解る。結局、ここまで追跡した結
果、セルＣ４かＣ６の何れか一方、または双方が故障し
ていることを特定することができる。この特定によって
配線パターンＮ４は図７に示すように灰色表示状態とな
り、再度追跡調査する必要がない配線パターンと特定す
る。これと共に配線パターンＮ４の経路の追跡調査は終
了し、先に分岐した未追跡配線名Ｎ６を記憶した位置に
戻る必要がある。このために、未追跡配線記憶手段３１
５から最新の未追跡配線名とその分岐点を観測するため
のＸ−Ｙステージ２０３のＸ−Ｙ位置情報を読み出し、
モニタ３０１に図８に示すように観測領域Ａに対応する
レイアウトを表示すると共に、位置データをステージ制
御・ビーム走査制御部３０５を通じて電位測定手段２０
０に送り込むことにより、Ｘ−Ｙステージ２０３の位置
を観測領域Ａを再現する位置に戻す。従って図８に示す
ように、配線パターンＮ６が黒色表示された観測領域Ａ
が表示される。この場合、一度追跡調査した配線パター
ンＮ２，Ｎ３，Ｎ４は灰色表示され、再度追跡調査はし
なくてよいことを表示する。

【００２６】図８の例では、配線パターンＮ６はセルＣ
７の出力端子Ｏに接続されているため、セルＣ７が上流
側と判定する。従ってセルＣ７の入力端子Ｉに接続され
ている配線パターンＮ８の電位を測定し、その電位が正
常な電位であるかを比較判定する。図８の例では、配線
パターンＮ８が白色表示されている場合を示す。従っ
て、この場合にはセルＣ７に故障が存在することが解
る。よって配線パターンＮ６の経路は観測領域Ａのまま
で追跡調査は終了される。

【００２７】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
不良配線パターンが複数表示され、不良配線経路の分岐
点に遭遇した場合に、その表示された複数の配線パター
ンの何れか一つを選択して追跡調査を行った場合に、他
の選ばれなかった配線パターン名を未追跡配線名として
記憶し、更にＸ−Ｙステージ位置情報を記憶するから、
追跡調査後に、再びこの分岐点に戻るには、未追跡配線
記憶手段３１５から未追跡配線名とＸ−Ｙステージ２０
３のＸ−Ｙ位置情報を読み出すことにより、簡単にその
分岐点に戻ることができる。

【００２８】また、追跡調査の過程において分岐点が存
在しても、その分岐点では追跡対象とする配線経路以外
は後に追跡調査の必要がないと判定すれば、未追跡配線
記憶手段３１５には分岐点として記憶しないから、必要
最小限の追跡調査に限ることができ、不良点の追跡調査
を短時間に、しかも確実に実行することができる。ま
た、この発明では、各観測点において信号の流れの上流
側を検出し、上流に向かって追跡調査を行うから、この
点でも不良個所の探索を簡素化することができる利点が
得られ、その効果は実用に供して頗る大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を示すブロック図。

【図２】図１に示した未追跡配線記憶手段の記憶状況を
示す図。

【図３】この発明によるＩＣ不良解析方法と図１に示し
たＩＣ不良解析装置の動作を説明するための図。

【図４】図３と同様の図。

【図５】図３と同様の図。

【図６】図３と同様の図。

【図７】図３と同様の図。

【図８】図３と同様の図。

【符号の説明】

１０ 被検査ＩＣ １００ ＩＣ不良解析装置 ２００ 電位測定手段 ２０１ カラム ２０２ 電子銃 ２０３ Ｘ−Ｙステージ ２０４ ＤＵＴボード ２０５ モータ ２０６ 検出器 ２０７ ビーム走査制御部 ２０８ ＡＤ変換回路 ２０９ ステージ制御部 ３００ ＩＣ不良解析用表示装置 ３０１ モニタ ３０２ レイアウトデータ変換部 ３０３ レイアウトデータベース ３０４ 視野設定入力手段 ３０５ ステージ制御・ビーム走査制御部 ３０６ 配線情報収集部 ３０７ 配線情報データベース ３０８ 期待値データ変換部 ３０９ 期待値データベース ３１１ 比較部 ３１２ 配線名検出手段 ３１３ 上流検出手段 ３１４ 未追跡配線検出手段 ３１５ 未追跡配線記憶手段 ４００ ＩＣテスタ ５００，６００ 外部記憶装置

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被検査ＩＣに形成された配線パターンの
   電位を計測し、この電位が正常か否かを判定して不良配
   線と正常配線であるかを表示させ、不良個所を探索する
   ＩＣ不良解析方法において、 不良配線を伝搬する信号の流れの上流側を検出し、上流
   に向かって追跡調査を行うと共に、不良配線が複数に分
   岐する分岐位置では、分岐した各配線が上記信号の流れ
   の上流側に接続されていることと、追跡調査が未実施で
   ある不良配線の存在を検出し、追跡調査が未実施である
   配線の存在を検出するごとに、上記分岐位置を表すＸ−
   Ｙ位置情報と追跡調査未実施である配線名を記憶するこ
   とを特徴とするＩＣ不良解析方法。
2. 【請求項２】 Ａ．被検査ＩＣに形成された配線パター
   ンの電位を測定し、この電位が正常か否かを判定して不
   良配線と正常配線であるかをモニタに表示させ、不良個
   所を探索するＩＣ不良解析装置において、 Ｂ．配線の端部が出力ピンまたは入出力ピンに接続され
   ていることを検出して信号の流れの上流側を検出する上
   流検出手段と、 Ｃ．モニタに表示される視野を移動させる視野設定入力
   手段と、 Ｄ．モニタに表示される配線パターンの名前を検出する
   配線名検出手段と、 Ｅ．この配線名検出手段で検出した不良配線名の中から
   未追跡配線名を検出する未追跡配線検出手段と、 Ｆ．この未追跡配線検出手段で検出した未追跡配線名
   と、未追跡配線名を検出した視野を与えるＸ−Ｙ位置情
   報を記憶する未追跡配線記憶手段と、 を設けたことを特徴とするＩＣ不良解析装置。
3. 【請求項３】 Ａ．ＩＣ作製時に利用したレイアウト設
   計データにより被検査ＩＣ内の配線パターン及びセル等
   の形状を表示するモニタと、 Ｂ．被検査ＩＣ内の配線パターン上の電位を測定する電
   位測定手段と、 Ｃ．上記モニタに表示される視野に対応する被検査ＩＣ
   の部分を上記電圧測定手段の測定領域に搬入するＸ−Ｙ
   制御部と、 Ｄ．上記電位測定手段で測定した配線パターン上の電位
   と期待値とを比較し、期待値との不一致を検出して不良
   配線と特定し、モニタに不良配線であることを表示させ
   る比較部と、 Ｅ．上記比較部によって検出された不良配線が複数存在
   し、これら複数の不良配線の中で未追跡配線の存在を検
   出する未追跡配線検出手段と、 Ｆ．未追跡配線検出手段で検出した未追跡配線と、この
   未追跡配線を検出した視野を与えるＸ−Ｙ位置を記憶す
   る未追跡配線記憶手段と、 によって構成したことを特徴とするＩＣ不良解析装置。
4. 【請求項４】 請求項２または３の何れかにおいて、電
   位測定手段を被検査ＩＣに荷電粒子ビームを照射する手
   段と、荷電粒子ビームが照射された被検査ＩＣから放出
   される２次電子の量を計測する手段とによって構成した
   ことを特徴とするＩＣ不良解析装置。