JPH09152153A

JPH09152153A - 局所清浄空間

Info

Publication number: JPH09152153A
Application number: JP33595095A
Authority: JP
Inventors: Takao Okada; 孝夫岡田; Soichiro Sakata; 総一郎阪田; Hideto Takahashi; 秀人高橋; Katsumi Sato; 克己佐藤
Original assignee: Takasago Thermal Engineering Co Ltd
Current assignee: Takasago Thermal Engineering Co Ltd
Priority date: 1995-11-30
Filing date: 1995-11-30
Publication date: 1997-06-10
Anticipated expiration: 2015-11-30
Also published as: JP3497642B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ＬＣＤの製造に必要なガラス基板や絶縁膜付
きシリコンウェハなどといった絶縁体物品に発生する静
電気を容易かつ瞬時に除去できる手段を提供する。【解決手段】クリーンルーム２の内部をパーティショ
ン３を用いて区画して形成される局所清浄空間１であっ
て、局所清浄空間１内に物品を搬入するための開口４、
及び／または局所清浄空間１内から物品を搬出するため
の開口５がパーティション３に設けられており、局所清
浄空間１内を加湿する加湿手段９と、局所清浄空間内の
粒子状物質ａを除去するための空気清浄手段１０とを備
えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、クリーンルームの
内部を局所的に区画して形成されるクリーンブースやク
リーンベンチなどといった局所清浄空間に関する。本発
明の局所清浄空間は、例えばＬＣＤ（液晶ディスプレ
イ）を製造するためのクリーンルームにおいて、ガラス
基板（ＬＣＤ基板）等に代表される絶縁体物品に発生す
る静電気を速やかに除去しながら種々の処理を行うため
の空間として好適である。更にまた、本発明の局所清浄
空間は、絶縁膜付きシリコンウェハに発生する静電気を
除去して処理を行うための空間としても好適である。

【０００２】

【従来の技術】今日、ノートブック型のパソコンなどに
おいて、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いたアクティ
ブマトリクス液晶ディスプレイ（ＡＭ−ＬＣＤ）が使用
されている。ＡＭ−ＬＣＤの量産は、ガラス基板上にア
モルファスシリコン、絶縁体、導電体などの各種薄膜を
堆積し、パターン加工してＴＦＴや液晶駆動用の表示電
極や配線を形成するＴＦＴ工程、ＴＦＴ基板とカラーフ
ィルタ（ＣＦ）基板とを位置合わせして重ね、隙間に液
晶を注入するパネル工程、パネル周辺に駆動回路ＩＣを
接続しバックライトなどを実装するモジュール工程から
なる。

【０００３】ＬＣＤを製造する上で静電気を除去するこ
とは極めて重要である。ＬＣＤと類似の製造工程を有す
るものにＬＳＩがあるが、ＬＣＤの基板材料は絶縁性の
ガラスであり、これはＬＳＩの基板材料であるシリコン
単結晶（半導体）と比べて静電気による帯電が遥かに生
じやすく、パーティクルの吸着や、堆積膜の絶縁破壊を
招きやすい。従って、ＬＣＤを製造する上で静電気を除
去することは、ＬＳＩ製造の場合に比べて遥かに重要
で、ＬＣＤ製造における静電気の除去は歩留まり確保の
ための最大の課題になっている。

【０００４】また、ＬＣＤ製造はＬＳＩ製造と比較し
て、次のような課題を有している。すなわち、第１に、
ＬＣＤの基板形状は角型で、大きく、重いことから、バ
ッチ処理が困難であり、搬送などの取扱いも難しい。第
２に、線幅、線間隔などのパターン加工精度はＬＳＩに
比べて一桁緩いものの、シリコン基板の数倍に及ぶ広い
面積での加工の均一性が必要である。第３に、歩留まり
の概念が相違する。すなわち、ＬＳＩの１ＭＤＲＡＭに
相当する１０型クラスのＴＦＴ−ＬＣＤでは一枚のガラ
ス基板上にパネル二枚分しか面付けできず、歩留まりは
０％、５０％、１００％の３値しかとりえない。これ
は、ＬＳＩが１枚のシリコン基板上に数百チップを配置
できるのとは対照的である。

【０００５】かようなＬＣＤ固有の課題解決を考慮した
上でＬＣＤ製造における静電気対策を確立するための手
段として、コロナ放電を利用した各種のイオナイザが従
来開示されている。また最近では、帯電物体の周囲雰囲
気の空気に軟Ｘ線を照射してその空気を電離イオン化
し、帯電を中和する方法も開発されている。これら従来
の除電の原理は、いずれも空気を電離して（コロナ、軟
Ｘ線を問わない）発生する空気イオンで帯電電荷を中和
するものである。

【０００６】本出願人も、先に特願平５−８８１７２号
においてコロナ放電を利用した液晶用イオナイザを既に
出願している。この特願平５−８８１７２号のイオナイ
ザによれば、搬送装置上を運ばれてくる大型ガラス基板
の帯電を、３秒間で全面にわたってムラなく一様に９０
％以上除電することが可能である。

【０００７】一方、最近開発された軟Ｘ線を利用した除
電装置は、帯電体近傍に軟Ｘ線を照射して空気を電離
し、発生する空気イオンのうち、帯電と逆極性のイオン
をクーロン力によって帯電体に吸収し、帯電を除去する
ものである。かかる除電装置は、コロナ放電方式のイオ
ナイザでは不可欠とされる、発生イオンを放電極から帯
電物体まで搬送するための気流を必要としないといった
特徴がある。また、コロナ放電方式のイオナイザは帯電
物体にイオンが到達するまでの搬送中に正負イオンが結
合・中和し、イオン濃度が減衰するが、軟Ｘ線を利用し
た除電装置は、帯電物体近傍の空気を直接電離するた
め、電離直後の高濃度イオンが、減衰することなく帯電
物体に到達するので、コロナ放電方式よりも除電時間が
大幅に短いといった特徴がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、コロナ放電方
式のイオナイザは空気イオンを気流で搬送するため、気
流速度によっては除電の対象となる帯電物体周辺の雰囲
気をかき乱し、清浄度があまり高くないクリーンルーム
内で使用した場合、周囲表面に沈着したゴミが舞い上っ
て、液晶基板表面を汚す心配がある。

【０００９】一方、軟Ｘ線を利用した除電装置は、軟Ｘ
線は薄い空気層によってもたやすく吸収されるものの、
作業者の被曝を完全に防止するために照射空間全体を厚
み１〜２ｍｍの塩ビ板等で覆う必要がある。従って、軟
Ｘ線を利用した除電装置では、液晶パネルを遮蔽板で覆
われた閉空間内部で除電するので、クリーンルーム全体
の清浄化に加え、この閉空間を清浄化させる必要が新た
に生じる。このため軟Ｘ線を利用した除電装置は、液晶
基板をクリーンルーム内の清浄空気に対して開放状態で
搬送できるといった、従来形式の搬送面での有利性が失
われてしまう。

【００１０】そして、コロナ放電方式のイオナイザと軟
Ｘ線を利用した除電装置のいずれによっても、剥離帯電
とその瞬間に起こる素子の絶縁破壊を防止することは不
可能である。なぜならば、例えば大型ガラス基板の搬送
装置においては、ガラス基板がコンベアベルト上に搭載
され搬送された後、搬送アームの吸着チャックによって
コンベアベルト上から持ち上げられるが、コンベアベル
ト上に搭載されて搬送されている途中で、ガラス面とベ
ルト面がわずかでも擦れ合うと、ガラス面は正に、ベル
ト面は負に帯電する。搬送中はそれら異符号に帯電した
面は密着しているので、見かけ上は互いに中和した状態
にあるが、吸着チャックでガラス基板をコンベアベルト
上から持ち上げられて両面が分離すると、剥離帯電によ
って瞬時にガラス基板の厚み方向に正帯電に起因する電
界が現れ、ガラス基板上に形成された素子が絶縁破壊を
起こしてしまう。

【００１１】つまり、コロナ放電方式のイオナイザと軟
Ｘ線を利用した除電装置のような空気イオンによって帯
電を中和するものは、剥離帯電によってガラス基板に生
じた帯電を除去するのに０．５秒〜数秒を要し、剥離帯
電発生後のミリセカンドオーダの時間内に起こる素子の
絶縁破壊防止には役立たない。更に、ガラス基板に生じ
た帯電を空気イオンを利用して中和しようとする場合
は、例えばガラス基板の一方の面に空気イオンを吸着さ
せると、剥離帯電によってガラス基板の他方の面に生じ
た帯電とは異なる極性の帯電がガラス基板の一方の面に
生じる。電界はガラス基板内部にのみ収束するので、見
かけ上、帯電は中和されたようになるが、基板内部の素
子の劣化や液晶分子の配向ムラの原因となる。

【００１２】さらに、コロナ放電方式のイオナイザと軟
Ｘ線を利用した除電装置のいずれも、装置一台当たりの
除電可能な範囲は限定されているので、液晶パネルを製
造するクリーンルーム内において帯電が発生する可能性
のある箇所が複数ある場合は、それらの全てに除電装置
をそれぞれ設置しなければならない。従って、コストが
上昇し、メンテナンスも煩雑となる。

【００１３】本発明は、ＬＣＤの製造に必要なガラス基
板や絶縁膜付きシリコンウェハなどといった絶縁体物品
に発生する静電気を容易かつ瞬時に除去できる手段を提
供することを目的としている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項１に基づいて構成された局所清浄空
間は、クリーンルームの内部をパーティションを用いて
区画して形成される局所清浄空間であって、局所清浄空
間内に物品を搬入するための開口、及び／または局所清
浄空間内から物品を搬出するための開口がパーティショ
ンに設けられており、局所清浄空間内を加湿する加湿手
段と、局所清浄空間内の粒子状物質を除去するための空
気清浄手段とを備えていることを特徴としている。

【００１５】この本発明の局所清浄空間において、請求
項２に記載したように、局所清浄空間内の粒子状物質を
除去するための空気清浄手段を送風手段と粒子濾過手段
から構成するようにしても良く、また、請求項３に記載
したように、局所清浄空間内の温度を調節する調温手段
を備えるようにしても良く、また、請求項４に記載した
ように、局所清浄空間から空気を排気する排気手段を備
えるようにしても良く、更にまた、請求項５に記載した
ように、局所清浄空間に空気を給気する給気手段を備え
るようにしても良い。

【００１６】そしてまた、請求項６に記載したように、
この局所清浄空間内に処理空間を形成し、空気清浄手段
によって粒子状物質を除去した空気を該処理空間内に供
給する構成としても良い。その場合、請求項７に記載し
たように、処理空間内に供給される空気が整流となるよ
うに構成することが好ましい。

【００１７】更にまた、本発明の局所清浄空間におい
て、局所清浄空間内に物品を搬入するための開口、及び
／または局所清浄空間内から物品を搬出するための開口
の外側に筒体を延設しても良い。

【００１８】本発明者らは、絶縁体物品の一例としてガ
ラス基板（ＬＣＤ基板）を用いて種々の研究、考察を積
み重ねた。その結果、紫外線・オゾン洗浄によって表面
付着物（特に有機物）を除去したガラス表面の抵抗は、
洗浄前の抵抗よりもかなり低くなるが、さらにその清浄
表面の周囲の相対湿度を増加することで表面抵抗を著し
く低下することができる、といった知見を得た。そして
本出願人は、この知見をもとに、先に特願平５−２４０
６７６号及び特願平５−２９２６８３号において、清浄
ガラス基板と接触する基板支持面を接地しながら、高い
相対湿度雰囲気中で同基板を搬送して剥離帯電を除去す
る手段を開示した。本発明も、先の出願と同様にこの知
見を利用しているが、本発明ではクリーンルーム内に形
成した局所清浄空間の内部を加湿手段を用いて高い相対
湿度とすることにより、絶縁体物品などに発生する静電
気を容易かつ瞬時に除去することを特徴としている。な
お、空気中の湿度が極端に大きい場合（相対湿度８０％
以上）には、物体表面の静電荷が直接空気中に漏洩する
といった、いわゆる「気中漏洩」による静電荷の減衰現
象がおきる。本発明の局所清浄空間においては、その内
部の相対湿度を８０％以上の高い値にすることによっ
て、この気中漏洩を利用して絶縁体物品などの表面抵抗
を低下させることが可能となる。

【００１９】このように局所清浄空間内において空気中
の相対湿度を増すことによって絶縁体物品などの表面の
帯電を著しく減衰できる理由は、絶縁体物品表面の水の
吸着量が増加すると表面抵抗値が減少することに起因す
る。例えば、ガラス基板の主成分であるＳｉＯ₂原子は
孤立電子対を持ち、水分子のＨと水素結合しやすいた
め、ガラス表面に水分子層が形成されやすい。また、基
板支持部の接触面によく使用されるセラミックス素材の
ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、Ａｌ₂Ｏ₃などはいずれも孤立電子対
を有するＯやＮ原子を含んでおり、かような絶縁性セラ
ミックス面も水分子のＨと水素結合して、その表面に水
分子層を形成し易い性質を持つ。なお、ＴＦＴ−ＬＣＤ
の製造工程においては、ガラス基板上に薄膜電極、絶縁
膜などを形成して複数層の電極を絶縁膜で保護すること
が行われ、ＴＦＴ−ＬＣＤ工程のなかで絶縁膜を形成す
る工程の占める割合は大きいが、これらの絶縁膜はＳｉ
Ｎ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等であり、これら絶
縁膜質のＯやＮ原子も、ＳｉＯ₂のＯ原子と同様に孤立
電子対を持つことを考慮すれば、このような絶縁膜付き
ガラス基板に対しても、相対湿度が増すと、その表面の
水の吸着量が増加するので、その表面抵抗値を減少させ
ることができる。そして、ガラス基板などの帯電は、相
対湿度の高い雰囲気中に置かれたために表面抵抗値の下
がったガラス基板表面と、接地された基板支持部を通し
て、瞬時に接地側へ漏洩する。更に、局所清浄空間の相
対湿度を８０％以上にした場合には、ガラス基板表面の
電荷の気中漏洩による減衰も効果的に作用し、ガラス基
板表面の除電をより効果的に行うことが可能となる。こ
のように、本発明によれば、クリーンルーム内に形成さ
せた局所清浄空間を相対湿度の高いものとすることによ
って、絶縁性基板などに発生する静電気を瞬時に除去す
ることが可能となる。

【００２０】かような本発明の局所清浄空間は、クリー
ンルームの内部をパーティションを用いて区画すること
により形成される。そして、区画した局所清浄空間内を
加湿手段によって加湿する。パーティションは金属、プ
ラスティック、ガラス等の剛性のもの、あるいはビニー
ル、織布等の柔軟性のもの、何れも用いることができ
る。要は、クリーンルーム内において周囲と区画された
局所空間を仕切れるものであれば足りる。

【００２１】また、パーティションには、局所清浄空間
に物品を搬入するための開口と、局所清浄空間から物品
を搬出するための開口を設ける。但し、これら搬入用の
開口と搬出用の開口を兼用させる構成としても良い。こ
れら開口を介して局所清浄空間内にガラス基板などの物
品を搬入し、局所清浄空間内において所定の処理を行っ
た後、その物品を開口を介して局所清浄空間内から搬出
する。この場合、開口の外側に筒体を延設して、パーテ
ィションで仕切られた区画局所清浄空間内の加湿空気が
クリーンルーム内に漏洩する量を小さくするように構成
することが望ましい。

【００２２】以上のように本発明の局所清浄空間は絶縁
物品に生じた静電気を瞬時に除去できるため、この局所
清浄空間内において、例えば液晶フラットパネルディス
プレイ製造に際してのガラス基板の表面検査ラインや、
ラビング工程を行うように構成することが可能となる。
しかし、その場合は局所清浄空間内に配置された表面検
査装置や、ラビング装置、ガラス基板ハンドリングロボ
ットなどといった各種の装置から塵埃が発生して局所清
浄空間内の空気中の浮遊粒子数濃度が高くなる心配が生
ずる。この発生した塵埃をそのまま放置すると、高湿度
雰囲気中でせっかく帯電を防止しても、汚染によって製
品の歩留まり向上が望めなくなってしまう。

【００２３】そこで、本発明では、局所清浄空間内にお
けるガラス基板表面の微粒子汚染を防ぐために、局所清
浄空間内の粒子状物質を除去するための空気清浄手段を
設け、局所清浄空間内の清浄度を常に高い状態に保つよ
うに構成している。この空気清浄手段は、例えば送風手
段と粒子濾過手段から構成される。粒子濾過手段には、
具体的にはＨＥＰＡフィルタ（ｈｉｇｈｅｆｆｉｃｉ
ｅｎｃｙｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅｆｉｌｔｅｒ）や
ＵＬＰＡフィルタ（ｕｌｔｒａｌｏｗｐｅｎｅｔｒ
ａｔｉｏｎａｉｒｆｉｌｔｅｒ）などを使用し、例
えば送風機（ファン）のような送風手段を用いてフィル
タに通気し、局所清浄空間内の粒子状物質をフィルタで
捕捉して除去する。

【００２４】一方、局所清浄空間内に送風機や、検査装
置、ラビング装置、ガラス基板ハンドリングロボット等
の各種装置などが存在すると、換気が不十分な場合には
局所清浄空間内の温度が相当に上昇してしまう。例えば
ＬＣＤ製造においては、雰囲気の温度上昇は基板の伸び
を生じさせて製造不良をもたらすため、冷却コイル（冷
却用熱交換器）のような調温手段（温度を調節する手
段）を備えることも必要になる。調温手段は例えば冷却
コイルの他任意の構成のものが使用可能であるが、調温
手段として結露の生じないドライ式コイルを使用すれ
ば、ドレイン処理が不要になるという利点がある。

【００２５】また、ドライ式コイルのような特別な調温
手段を設けずに局所清浄空間内の温度上昇を防止する方
法もある。例えば、局所清浄空間から空気を排気すれ
ば、圧力差によって局所清浄空間排気量に相当する局所
清浄空間外のクリーンルーム雰囲気（例えば２４℃の一
定温度に維持されている）が局所清浄空間内に入り込
み、局所清浄空間内雰囲気の大幅な温度上昇を避けるこ
とができる。また逆に、局所清浄空間に例えば２４℃の
一定温度に維持されている局所清浄空間外のクリーンル
ーム雰囲気を給気することによっても、局所清浄空間内
における大幅な温度上昇を避けることができるようにな
る。

【００２６】また、局所清浄空間内に処理空間を形成
し、空気清浄手段によって粒子状物質を除去した空気を
該処理空間内に供給する構成とすることもできる。この
場合、処理空間内には、空気清浄手段に設けた送風手段
またはそれとは別に設けた送気手段によって局所清浄空
間内の空気を循環供給することができる。この場合、送
気手段によって処理空間内に循環供給する空気は整流で
あることが望ましい。処理空間内を整流状態とすること
によって、処理空間内で物品を処理した際に発生したゴ
ミや塵などが堆積したり、再浮遊するといった問題を解
消でき、高い清浄度で物品を処理できるようになる。但
し、局所清浄空間内全体を整流状態にできるように構成
すると設備費が高くなる。従って、局所清浄空間内に物
品を処理する処理空間を形成し、その処理空間内だけを
整流状態にできるように構成することが好ましい。そう
すれば、設備費をやすくでき、また、風量も小さくでき
るので運転コストも少なくできる。なお、処理空間の広
さ、大きさ、形状などは処理の内容に応じて適宜変更す
ればよい。

【００２７】また、局所清浄空間内に形成した処理空間
内に供給する空気を濾過するためのフィルタを設けるよ
うにしても良い。そうすれば、処理空間内において清浄
な雰囲気で物品の処理を行うことができるようになる。
特に、ＵＬＰＡフィルタ（ｕｌｔｒａｌｏｗｐｅｎ
ｅｔｒａｔｉｏｎａｉｒフィルタ）を用いて濾過した
空気を処理空間内に供給するように構成すれば、処理空
間に供給される空気中の微粒子を高精度で除塵でき、絶
縁基板等の汚染をより確実に防止することが可能とな
る。但し、フィルタの装着箇所は自由に設定できる。

【００２８】

【発明の実施の形態】

Ａ．先ず、局所空間内の湿度が、清浄なＬＣＤ用ガラス
基板の帯電電荷の漏洩特性にどのような影響を及ぼすか
を調べた。その実験結果を説明する。

【００２９】１．実験方法接地しない状態のガラス基板と、接地した状態のガラス
基板のそれぞれに対してポリ塩化ビニリデンフィルムを
接触剥離させたときのガラス基板の表面電位の経時変化
を測定し、帯電電荷の漏洩特性を調べた。

【００３０】（１）実験材料実験に使用したガラス基板は、何れもコーニング社製の
無アルカリガラス（Ｆｕｓｉｏｎ７０５９）である。
その比誘電率は５．８４［−］であり、その成分はＳｉ
Ｏ₂：４９％、ＢａＯ：２５％、Ｂ₂Ｏ₃：１５％、Ａｌ₂
Ｏ₃：１０％、その他：１％である。実験に使用したガ
ラス基板と剥離材料の大きさ等は、次の通りである。ガラス基板：ＣＯＲＮＩＮＧ＃７０５９３００ｍｍ×４００ｍｍ×１．１^tｍｍ剥離材料：ポリ塩化ビニリデンフィルム呉羽化学
（商品名クレラップ）１００ｍｍ×１００ｍｍ

【００３１】（２）ガラス基板の洗浄ガラス基板を超純水の流水にてリンスした後、裏表の各
面を１０分間ずつ紫外線／オゾン（ＵＶ／Ｏ₃）洗浄し
た。

【００３２】（３）表面電位の測定恒温恒湿槽内においてテフロン脚によって４箇所で支持
し、ガラス基板を載置した。ガラス基板を接地する場合
は、テフロン脚によって支持されたガラス基板の辺部に
接地したリード線をワニグチクリップで挟んで固定する
ことによって接地した。表面電位計のプローブはガラス
基板下面部に配置した。そして、ガラス基板の上面中央
部でポリ塩化ビニリデンフィルムを接触剥離したときの
ガラス基板の表面電位の経時変化を１／１００秒刻みで
記録した。槽内の温度は２３℃（一定）とし、相対湿度
を４０％、６０％、７０％、８０％に変えた条件下で測
定を行った。

【００３３】２．実験結果（１）接地しない場合図１に示すように、清浄な（ＵＶ／Ｏ₃洗浄した直後
の）ガラス基板からポリ塩化ビニリデンフィルムを接触
剥離した場合、剥離した瞬間に表面電位は最大値（以後
「瞬間最大表面電位」と称する）に達する。その後表面
電位は減衰するものの、相対湿度の値にかかわらず、接
地しない場合は何れも８ｋＶ〜９ｋＶの表面電位が残留
した。一方、瞬間最大表面電位は相対湿度が高いほど低
下する傾向が見られた。なお、この図１においては、各
相対湿度における表面電位の経時変化を区別しやすくす
るため、剥離した瞬間の時刻をずらせて表示した。

【００３４】相対湿度が４０％の雰囲気中で清浄な（Ｕ
Ｖ／Ｏ₃洗浄した直後の）ガラス基板からポリ塩化ビニ
リデンフィルムを接触剥離した場合、剥離した瞬間にガ
ラス基板の瞬間最大表面電位は約２３ｋＶに達し、その
後１秒以内に約９ｋＶにまで減衰して定常状態になっ
た。一方、相対湿度８０％の雰囲気中で接触剥離した場
合、剥離した瞬間に瞬間最大表面電位は約９ｋＶ（４０
％ＲＨの時の６０％減）に達したが、その後も表面電位
はほとんど減衰せず、そのまま定常状態になった。

【００３５】（２）接地した場合一方、ワニグチクリップで１ヶ所接地した清浄な（ＵＶ
／Ｏ₃洗浄した直後の）ガラス基板からポリ塩化ビニリ
デンフィルムを接触剥離した場合、図２に示すように、
ガラス基板の表面電位は剥離した瞬間に最大となり、以
後時間が経過するにしたがって徐々に減衰した。また、
相対湿度が高くなるにつれて、瞬間最大表面電位は低下
した。例えば、相対湿度４０％の雰囲気中で接触剥離し
た場合、ガラス基板の瞬間最大表面電位は約２３ｋＶで
あり、この瞬間最大表面電位値が１／１０に減衰するま
での時間（以後「１／１０減衰時間」という）は、約
５．１秒であった。一方、相対湿度８０％の雰囲気中で
接地したガラス基板からポリ塩化ビニリデンフィルムを
接触剥離した場合は、瞬間最大表面電位は約６ｋＶ（４
０％ＲＨのときの７５％減）となり、１／１０減衰時間
は約０．４秒（同９３％減）であった。

【００３６】図３は、８０％ＲＨの条件で接地箇所を最
大８ヶ所まで増やした場合の、電位減衰速度の変化の様
子を示す。８ヶ所を接地した場合は、１ヶ所のみを接地
した場合に比べて瞬間最大表面電位は１２％減（約５ｋ
Ｖ）となり、１／１０減衰時間は６２％減（約０．１４
秒）であった。

【００３７】図１〜３の実験結果をまとめると、表１の
ようになる。

【００３８】

【表１】

【００３９】以上から、接地した清浄なガラス基板の剥
離帯電現象に関して次のことが明かとなった。高湿度雰
囲気は、瞬間最大表面電位を低下させるとともに、帯電
電位の減衰速度を速くする効果がある。ガラス基板の接
地箇所数の増加は、帯電電位減衰速度を速くする効果が
ある。

【００４０】（３）軟Ｘ線除電との比較図４は、相対湿度４０％の雰囲気中で軟Ｘ線を照射し
て、接地されない清浄な（ＵＶ／Ｏ₃洗浄した直後の）
ガラス基板からポリ塩化ビニリデンフィルムを接触剥離
した場合の、ガラス基板の表面電位の経時変化を示す。
図４の瞬間最大表面電位値は約１２．５ｋＶであり、こ
れは、図２の１ヶ所接地のガラス基板の６０％ＲＨにお
ける瞬間最大表面電位値（１３．３ｋＶ）とほぼ等し
い。また、図４の１／１０減衰時間は約０．２９秒であ
り、これは、図３の３ヶ所接地のガラス基板の８０％Ｒ
Ｈにおける１／１０減衰時間（０．２２秒）とほぼ等し
い。つまり、清浄なガラス基板を接地した状態で加湿雰
囲気中で除電した場合の性能は、軟Ｘ線除電の性能を十
分上回っている。

【００４１】Ｂ．以上の知見に基づき、次に本発明の実
施の形態にかかる局所清浄空間を構成した。局所清浄空
間の構成例を以下に示す。

【００４２】１．本発明の実施の形態にかかる局所清浄
空間の構成（１）構成例１図５に、構成例１の局所清浄空間１の正面図を示し、図
６に、図５における概略的なＡ−Ａ断面矢視図を示す。
図示のように、クリーンルーム２の内部をパーティショ
ン３を用いて区画することによって局所清浄空間１を形
成した。構成例１で作成した局所清浄空間１は、２４０
０×２４００×２０００^hｍｍ³の大きさとし、内容積は
約１１ｍ³とした。パーティション３はビニールシート
を用いた。パーティション３には、局所清浄空間１に例
えばガラス基板などの物品を搬入するための開口４と、
局所清浄空間１から物品を搬出するための開口５を設
け、開口４から開口５に向かって局所清浄空間１内を水
平に横切る搬送ライン６を形成した。この局所清浄空間
１の内部に、例えばＬＣＤ製造用の各種の製造装置８を
配置した。そして、開口４から局所清浄空間１内に搬入
した物品を製造装置８で適宜処理し、その処理した物品
を開口５から局所清浄空間１外に搬出するように構成し
た。

【００４３】また、局所清浄空間１の内部には、局所清
浄空間１内を加湿するための加湿手段９と、局所清浄空
間１内の粒子状物質ａを除去するための空気清浄手段１
０を設けた。加湿手段９は、本例においては超音波加湿
器を用いたが、空気を加湿できるものであればどのよう
なものでも使用でき、その他例えば、蒸気吹き出し式の
加湿器、水噴霧式の加湿器、気化式の加湿器などを使用
しても良い。また、蒸気吹き出し式の加湿器とする場合
は、シーズヒータで水を加熱する方式の加湿器、電極間
の水をジュール熱で加熱する方式の加湿器、赤外線の輻
射熱で水を加熱する方式の加湿器、ボイラーからの蒸気
をスプレーノズルで放出する方式の加湿器など種々のも
のを適宜選択可能である。同様に、水噴霧式の加湿器と
する場合は、遠心力で霧化させる方式の加湿器、超音波
振動子で霧化させる方式の加湿器、高速空気流により霧
化させる方式の加湿器、ノズルにより霧化させる方式の
加湿器など種々のものを適宜選択可能である。同様に、
気化式の加湿器とする場合は、多量の水を空気と接触さ
せて気化させる方式の加湿器、上部に給水して濡らした
加湿材に通風して気化させる方式の加湿器、下半部を水
中に浸漬させた加湿材を回転させて通風して気化させる
方式の加湿器、毛細管現象で加湿材を濡らして通風気化
させる方式の加湿器など種々のものを適宜選択可能であ
る。

【００４４】空気清浄手段１０は、ＨＥＰＡフィルタ
（ｈｉｇｈｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙｐａｒｔｉｃｕｌａ
ｔｅｆｉｌｔｅｒ）やＵＬＰＡフィルタ（ｕｌｔｒａ
ｌｏｗｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎａｉｒｆｉｌｔ
ｅｒ）などのフィルタ（粒子濾過手段）１１をファン
（送風手段）１２の吐き出し側に装着した構成になって
おり、ファン１２の吸込側から取り入れた局所清浄空間
１内の空気を再び局所清浄空間１内に吐き出す際に粒子
状物質ａをフィルタ１１で捕捉して除去するようになっ
ている。また、先に説明した加湿手段９は、構成例１に
おいては、フィルタ１１の下流側に装着されており、フ
ァン１２によって局所清浄空間１内に清浄な空気を循環
供給する際に同時に加湿を行うようになっている。

【００４５】そして、局所清浄空間１内の空気の湿度を
湿度検出器１３によって測定する。この湿度検出器１３
によって測定した湿度をコントローラ１４に入力する。
コントローラ１４はその測定値に基づいて加湿手段９を
コントロールし、こうして、フィードバック制御を行う
ことにより局所清浄空間１内の湿度を目標値に近づける
ように構成されている。

【００４６】（２）構成例２図７に、構成例２の局所清浄空間２０の正面図を示す。
構成例１と同様に、クリーンルーム２１の内部をビニー
ルシートからなるパーティション２２で区画した。パー
ティション２２に搬入出用の開口２３、２４をそれぞれ
設け、構成例１と同様に、開口２３から開口２４に向か
って局所清浄空間２０内を水平に横切る搬送ラインを形
成し、局所清浄空間２０の内部には製造装置２５を配置
した。局所清浄空間２０の内部に超音波加湿器その他適
宜の加湿器で構成される加湿手段２６を設け、局所清浄
空間２０内の空気の湿度を湿度検出器２７で測定してコ
ントローラ２８でその測定値に基づいて加湿手段２６を
フィードバック制御し、局所清浄空間２０内の湿度を目
標値に近づけた。

【００４７】但し、この構成例２においては、フィルタ
２９とファン３０で構成される空気清浄手段３１を局所
清浄空間２０の外部に設けた。そして、吸引ダクト３２
を介してファン３０の吸込側に局所清浄空間２０内の空
気を吸引し、その空気をファン３０から吐き出す際に粒
子状物質ａをフィルタ２９で捕捉し、こうして得られた
清浄な空気を給気ダクト３３から局所清浄空間２０内に
再び戻す構成とした。

【００４８】（３）構成例３図８に、構成例３の局所清浄空間４０の正面図を示す。
構成例１と同様に、クリーンルーム４１の内部をビニー
ルシートからなるパーティション４２で区画した。パー
ティション４２に搬入出用の開口４３、４４をそれぞれ
設け、構成例１と同様に、開口４３から開口４４に向か
って局所清浄空間４０内を水平に横切る搬送ラインを形
成し、局所清浄空間４０の内部には製造装置４５を配置
した。局所清浄空間４０の内部には、超音波加湿器その
他適宜の加湿器で構成される加湿手段４６と、ファン４
８の吐き出し側にフィルタ４７を装着した構成の空気清
浄手段４９を設けた。なお構成例１と同様に、加湿手段
４６はフィルタ４７の下流側に装着した。そして、局所
清浄空間４０内の空気の湿度を湿度検出器５０で測定
し、コントローラ５１でその測定値に基づいて加湿手段
４６をフィードバック制御し、局所清浄空間４０内の湿
度を目標値に近づけた。

【００４９】但し、この構成例３においては、局所清浄
空間４０内の温度を調節する調温手段５２を局所清浄空
間４０の内部に配置された空気清浄手段４９の吸込側
（ファン４８の吸込側）に装着した。この調温手段５２
には、本例では結露の生じないドライ式コイルを使用し
た。そして、局所清浄空間４０内の空気の温度を温度検
出器５３で測定し、その測定値に基づいてコントローラ
ー５４で二方弁５５の開閉をフィードバック制御して調
温手段５２に送る冷却水量を調節し、局所清浄空間４０
内の温度を目標値に近づけた。

【００５０】なお、この構成例３においては、局所清浄
空間４０の内部に空気清浄手段４９が設けられたものに
ついて更に調温手段５２を装着した例を説明したが、先
に構成例２（図７）において説明したような局所清浄空
間２０の外部に空気清浄手段３１が設けられたものにつ
いても、同様に調温手段を付加することができる。この
場合、調温手段は局所清浄空間２０の内部と外部の何れ
に設置してもかまわない。

【００５１】（４）構成例４図９に、構成例４の局所清浄空間６０の正面図を示す。
構成例１と同様に、クリーンルーム６１の内部をビニー
ルシートからなるパーティション６２で区画した。パー
ティション６２に搬入出用の開口６３、６４をそれぞれ
設けて開口６３から開口６４に向かう搬送ラインを形成
し、局所清浄空間６０の内部には製造装置６５を配置し
た。局所清浄空間６０の内部には、超音波加湿器その他
適宜の加湿器で構成される加湿手段６６と、ファン６７
の吐き出し側にフィルタ６８を装着した構成の空気清浄
手段６９を設けた。構成例１と同様、加湿手段６６はフ
ィルタ６７の下流側に装着した。そして、局所清浄空間
６０内の空気の湿度を湿度検出器７０で測定し、コント
ローラ７１でその測定値に基づいて加湿手段６６をフィ
ードバック制御し、局所清浄空間６０内の湿度を目標値
に近づけた。

【００５２】但し、この構成例４においては、局所清浄
空間６０内の空気を局所清浄空間６０の外部に排気する
排気手段７２を設けるようにした。この排気手段７２
は、具体的にはファン７３の吸込側に局所清浄空間６０
内から引き出したダクト７４を接続し、ファン７３の稼
働によって局所清浄空間６０内の空気をクリーンルーム
６１内に吐き出す構成とした。なお、この構成例４を先
に構成例２（図７）で説明したような局所清浄空間２０
の外部に空気清浄手段３１が設けられたものについて適
用することも可能である。

【００５３】（５）構成例５図１０に、構成例５の局所清浄空間８０の正面図を示
す。構成例１と同様に、クリーンルーム８１の内部をビ
ニールシートからなるパーティション８２で区画し、パ
ーティション８２に搬入出用の開口８３、８４をそれぞ
れ設け、開口８３から開口８４に向かう搬送ラインを形
成した。局所清浄空間８０の内部には製造装置８５を配
置した。局所清浄空間８０の内部には、超音波加湿器そ
の他適宜の加湿器で構成される加湿手段８６と、ファン
８７の吐き出し側にフィルタ８８を装着した構成の空気
清浄手段８９を設けた。構成例１と同様、加湿手段８６
はフィルタ８８の下流側に装着した。そして、局所清浄
空間８０内の空気の湿度を湿度検出器９０で測定し、コ
ントローラ９１でその測定値に基づいて加湿手段８６を
フィードバック制御し、局所清浄空間８０内の湿度を目
標値に近づけた。

【００５４】但し、この構成例５においては、局所清浄
空間８０内に空気を給気する給気手段９２を設けるよう
にした。この給気手段９２は、具体的にはファン９３の
吐き出し側にフィルタ（粒子濾過手段）９４を装着した
構成とした。なお、フィルタ９４にはＨＥＰＡフィルタ
（ｈｉｇｈｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙｐａｒｔｉｃｕｌ
ａｔｅｆｉｌｔｅｒ）やＵＬＰＡフィルタ（ｕｌｔｒ
ａｌｏｗｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎａｉｒｆｉｌ
ｔｅｒ）などを用いるのが良い。そして、ファン９３の
吸込側から例えば２４℃の一定温度に維持されているク
リーンルーム８１内の空気を吸い込み、その空気をファ
ン９３から吐き出す際にフィルタ９４で濾過してクリー
ンルーム８１内空気中に含まれている粒子状物質を捕捉
し、こうして得られた清浄かつ一定温度の空気を給気ダ
クト９５を介して局所清浄空間８０内に供給する構成と
した。なお、この構成例５も先に構成例２（図７）で説
明したような局所清浄空間２０の外部に空気清浄手段３
１が設けられたものについて適用することが可能であ
る。

【００５５】（６）構成例６図１１に、構成例６の局所清浄空間１００の正面図を示
し、図１２に、図１１における概略的なＢ−Ｂ断面矢視
図を示す。図示のように、クリーンルーム１０１の内部
をパーティション１０２を用いて区画することによって
局所清浄空間１００を形成した。本例で作成した局所清
浄空間１００は、１８００×２４００×２０５０^hｍｍ³
の大きさとし、内容積は８.２ｍ³とした。パーティショ
ン１０２の素材にはビニールシートを用いた。パーティ
ション１０２には、局所清浄空間１００に物品を搬入す
るための開口１０３と、局所清浄空間１００から物品を
搬出するための開口１０４を設け、図１２に示す如き開
口１０３から開口１０４に向かって局所清浄空間１００
内を水平に横切る搬送ライン１０５を形成した。

【００５６】そして、局所清浄空間１００の内部を更に
間仕切り１０６によって区画して、物品を処理するため
の処理空間１０７を形成した。また、この局所清浄空間
１０７の内部に、例えばＬＣＤ製造用の各種の製造装置
１０８を配置した。そして、前記した開口１０３、１０
４がこの処理空間１０７に臨むように配置し、開口１０
３から処理空間１０７内に搬入した物品を製造装置１０
８で適宜処理し、その処理した物品を開口１０４から処
理空間１０７外に搬出するように構成した。なお、本例
で作成した処理空間１０７は、１２００×２４００×１
３００^hｍｍ³の大きさとした。また、間仕切り１０６の
素材には、パーティション１０２と同様に、ビニールシ
ートを用いた。

【００５７】このように局所清浄空間１００の内部に形
成した処理空間１０７の上方には、処理空間１０７内に
局所清浄空間１００内の空気を循環供給する送気手段と
してのファンフィルタユニット（ＦａｎＦｉｌｔｅｒ
Ｕｎｉｔ：以後「ＦＦＵ」という）１０９を配設し、そ
の直下をビニールシートからなる間仕切り１０６で区画
することにより、処理空間１０７を形成した。なお、Ｆ
ＦＵとは送気手段であるファン（送風機）と粒子濾過手
段であるフィルタ（ＨｉｇｈＥｆｆｉｃｉｅｎｃｙ
ＰａｒｔｉｃｕｌａｔｅＡｉｒフィルタ等）がセッ
トになった装置を指す。本例では、合計で４台のＦＦＵ
１０９を処理空間１０７の上方全体に配置した。ＦＦＵ
１０９は、送風機（シロッコファン）のタップを切り替
えて微・弱・中・強の４段階の風量を実現できる風量調
節手段を備えている。ＦＦＵ一台当たりの主な性能仕様
は、単相２００Ｖ、機外静圧１０ｍｍＡｑにおいて、微
風６ｍ³／ｍｉｎ・１２７Ｗ、弱風１０ｍ³／ｍｉｎ・１
６２Ｗ、中風１２ｍ³／ｍｉｎ・１８２Ｗ、強風１５ｍ³
／ｍｉｎ・２１６Ｗである。また、フィルタには、本例
では、粒径０．３μｍ以上の微粒子を９９．９９９％以
上除去できる性能を有するＨＥＰＡフィルタを使用し
た。

【００５８】処理空間１０７の下方には、処理空間１０
７の空気を局所清浄空間１００内に排気する排気口１１
０を設け、この排気口１１０の外側にドライ式コイルな
どからなる調温手段１１１を配置した。このようにＦＦ
Ｕ１０９を処理空間１０７の上方全体に取り付ける一方
で、処理空間１０７の下方に排気口１１０を設けること
により、処理空間１０７内に循環供給される空気の流れ
が上から下に向かって流れ落ちる整流状態になるように
構成した。そして、処理空間１０７下方の排気口１１０
から排気された空気を、処理空間１０７の外側において
局所清浄空間１００内を流通させ、その空気を再び処理
空間１０７の上方からＦＦＵの動力で処理空間１０７内
に循環供給する構成とした。このように処理空間１０７
の外側において局所清浄空間１００内の下方をレタン空
気通路１１２、上方をサプライプレナム１１３とし、局
所清浄空間１００の内部において、サプライプレナム１
１３→ＦＦＵ１０９→処理空間１０７→レタン空気通路
１１２→サプライプレナム１１３の順に通ずる空気の循
環路を構成した。

【００５９】また、レタン空気通路１１２には、超音波
加湿器その他適宜の加湿器で構成される加湿手段１１４
を調温手段１１１の近傍に配置した。このように、局所
清浄空間１００内に形成された空気の循環路にＦＦＵ１
０９以外の送風機を設けることなく調温手段１１１と加
湿手段１１４を配置した。そして、処理空間１０７内の
空気の温度を温度検出器１１５で測定し、その測定値に
基づいてコントローラー１１６で二方弁１１７の開閉を
フィードバック制御して調温手段１１１に送る冷却水量
を調節し、処理空間１０７内に循環供給する空気の温度
を目標値に近づけた。また同様に、処理空間１０７内の
空気の湿度を湿度検出器１１８で測定し、コントローラ
１１９でその測定値に基づいて加湿手段１１４をフィー
ドバック制御し、処理空間１０７内に循環供給する空気
の湿度を目標値に近づけた。なお、調温手段１１１の冷
却能力は１１００ｋｃａｌ／ｈｒとし、温度検出器１１
５は白金測温抵抗体とした。湿度検出器１１８は、静電
容量式センサ（ＶＡＩＳＡＬＡ１３３Ｙ）とした。

【００６０】（７）構成例７図１３に、構成例７の局所清浄空間１２０の正面図を示
す。図示のように、クリーンルーム１２１内をパーティ
ション１２２で区画形成した局所清浄空間１２０の内部
を更に間仕切り１２３によって区画し、局所清浄空間１
２０内の下方を、物品を処理するための処理空間１２
４、上方をサプライプレナム１２５に形成した。パーテ
ィション１２２には、処理空間１２４に物品を搬入する
ための開口１２６と、処理空間１２４から物品を搬出す
るための開口１２７を設けると共に、処理空間１２４の
内部に製造装置１２８を配置することによって、開口１
２６から処理空間１２４内に搬入した物品を製造装置１
２８で適宜処理し、その処理した物品を開口１２７から
処理空間１２４外に搬出するように構成した。

【００６１】サプライプレナム１２５にファンとフィル
タを備えた複数のＦＦＵ１３０とドライ式コイルなどか
らなる調温手段１３１を配置し、局所清浄空間１２０の
内部において、サプライプレナム１２５→ＦＦＵ１３０
→処理空間１２４→ドライコイル１３１→サプライプレ
ナム１２５の順に通ずる空気の循環路を構成した。な
お、ＦＦＵ１３０と調温手段１３１は必ずしも処理空間
１２４の上方全体に取り付ける必要はない。なお、処理
空間１２４内の空気の温度を温度検出器１３２で測定
し、その測定値に基づいてコントローラー１３３で二方
弁１３４の開閉をフィードバック制御して調温手段１３
１に送る冷却水量を調節し、処理空間１２４内に循環供
給する空気の温度を目標値に近づけた。

【００６２】また、処理空間１２４内に超音波加湿器そ
の他適宜の加湿器で構成される加湿手段１３５配置し
た。そして、処理空間１２４内の空気の湿度を湿度検出
器１３６で測定し、コントローラ１３７でその測定値に
基づいて加湿手段１３５をフィードバック制御し、処理
空間１２４内に循環供給する空気の湿度を目標値に近づ
けた。

【００６３】（８）構成例８図１４に、構成例８の局所清浄空間１４０の正面図を示
し、図１５に、図１４における概略的なＣ−Ｃ断面矢視
図を示す。この構成例８の局所清浄空間１４０は、基本
的には、先に図１１、１２で説明した構成例６の局所清
浄空間１００と全く同様の構成を備えている。よって、
図１４、１５に示す構成例８の局所清浄空間１４０にお
いて、図１１、１２で説明した構成例６の局所清浄空間
１００と同じ構成要素については、同じ符号を付するこ
とにより詳細な説明は省略する。

【００６４】但し、この構成例８の局所清浄空間１４０
は、パーティション１０６に設けた開口１０３、１０４
の外側に筒体１４１、１４２をそれぞれ延設した点が、
先の構成例６の局所清浄空間１００と異なる。

【００６５】（９）構成例９図１６に、構成例９の局所清浄空間１５０の正面図を示
す。構成例６と同様に、クリーンルーム１５１の内部を
パーティション１５２で区画形成した局所清浄空間１５
０の内部を更に間仕切り１５３によって区画し、処理空
間１５４を形成した。パーティション１５３には、処理
空間１５４に物品を搬入するための開口１５５と、処理
空間１５４から物品を搬出するための開口１５６を設け
ると共に、処理空間１５４の内部に製造装置１５７を配
置することによって、開口１５５から処理空間１５４内
に搬入した物品を製造装置１５７で適宜処理し、その処
理した物品を開口１５６から処理空間１５４外に搬出す
るように構成した。

【００６６】局所清浄空間１５０の内部に形成された処
理空間１５４の上方全体にＦＦＵ１５８を配設し、その
直下をビニールシートからなる間仕切り１５３で区画し
た。そして、処理空間１５４の底面全体をメッシュなど
からなる排気口１５９に形成することにより、処理空間
１５４内に循環供給される空気の流れが上から下に向か
って流れ落ちる整流状態になるように構成した。そし
て、処理空間１５４の外側において局所清浄空間１５０
内の下方をレタン空気通路１６０、上方をサプライプレ
ナム１６１とした。レタン空気通路１６０の入口（下
方）にドライ式コイルなどからなる調温手段１６２を配
置した。そして、処理空間１５４内の空気の温度を温度
検出器１６３で測定し、その測定値に基づいてコントロ
ーラー１６４で二方弁１６５の開閉をフィードバック制
御して調温手段１６２に送る冷却水量を調節し、処理空
間１５４内に循環供給する空気の温度を目標値に近づけ
た。

【００６７】但し、この構成例９においては、先に説明
した構成例１〜８における超音波加湿器などに相当する
ものが無く、その代わりに、局所清浄空間１５０下方の
レタンプレナム１６６に水槽１６７が設けてある。そし
て、レタンプレナム１６６において水槽１６７から発生
した蒸気によって空気を加湿するようになっている。こ
のように、構成例９の局所清浄空間１５０は、水槽１６
７から発生した水蒸気によって加湿した空気を、レタン
プレナム１６６→ドライコイル１６２→レタン空気通路
１６０→サプライプレナム１６１→ＦＦＵ１５８→処理
空間１５４→レタンプレナム１６６の順に通ずる空気の
循環路を構成している。

【００６８】２．本発明の実施の形態にかかる局所清浄
空間の作用以上に示した本発明の実施の形態にかかる構成例１〜９
の局所清浄空間によれば、何れもガラス基板のような絶
縁体物品などを加湿された雰囲気で取り扱うことで、絶
縁体物品などに発生する静電気帯電の発生を抑制するこ
とができ、また同時に、局所清浄空間内に配置される各
種製造装置などにより発生した粒子状物質の付着を防止
することができる。局所清浄空間内の粒子状物質を除去
するための空気清浄手段は、構成例１（図５）に示した
ように局所清浄空間１の内部に配置しても良く、また、
構成例２（図７）に示したように局所清浄空間２０の外
部に配置しても良い。

【００６９】一方、局所清浄空間内に送風機や、その他
の製造装置などが存在すると、換気が不十分な場合には
局所清浄空間内の温度が相当に上昇してしまうが、構成
例３（図８）の局所清浄空間４０によれば、局所清浄空
間４０内の温度を調節する調温手段５２を設けたことに
より、そのような局所清浄空間内の温度上昇を防止でき
るようになる。なお、この調温手段５２として結露の生
じないドライ式コイルを使用すれば、ドレイン処理が不
要になるという利点がある。

【００７０】また、ドライ式コイルのような特別な調温
手段を設けずに局所清浄空間内の温度上昇を防止する方
法もある。構成例４（図９）の局所清浄空間６０によれ
ば、排気手段７２によって局所清浄空間６０から空気を
排気することによって生じた圧力差により、局所清浄空
間６０外のクリーンルーム６１雰囲気（例えば２４℃の
一定温度に維持されている）が開口６３、６４を通じて
局所清浄空間６０内に入り込むこととなるので、局所清
浄空間６０内雰囲気の大幅な温度上昇を避けることがで
きる。また、構成例５（図１０）の局所清浄空間８０の
ように、給気手段９２によって局所清浄空間８０に例え
ば２４℃の一定温度に維持されている局所清浄空間８０
外のクリーンルーム８１雰囲気を給気することによって
も同様に、局所清浄空間８０内における温度上昇を防止
できる。

【００７１】また、本発明の局所清浄空間は、構成例６
〜９に示したように局所清浄空間内に処理空間を形成
し、空気清浄手段によって粒子状物質を除去した空気を
その処理空間内に供給する構成としても良い。ＬＣＤ基
板の如き絶縁物品はゴミや塵などの堆積や再浮遊の心配
のない、整流状態の清浄な雰囲気で処理することが望ま
しい。そのために、例えば局所清浄空間内全体を整流状
態にできるように構成すると設備費が極端に高くなって
しまう。構成例６、８、９に示したように局所清浄空間
内を部分的に仕切ることによって処理空間を形成し、そ
の処理空間内のみを整流状態にできるように構成すれ
ば、比較的設備費をやすくでき、また、処理空間内に供
給する風量も小さくできるので運転コストも少なくて済
む。

【００７２】なお、局所清浄空間の内部に形成する処理
空間の形状は種々のものが考えられる。例えば、構成例
６（図１１）に示したように、局所清浄空間１００の内
部を間仕切り１０６で区画して形成した処理空間１０７
の外側において局所清浄空間１００内の下方をレタン空
気通路１１２に形成し、上方をサプライプレナム１１３
に形成するような構成としても良いし、また、構成例７
（図１３）に示したように、局所清浄空間１２０の内部
を間仕切り１２３で上下に区画することにより、局所清
浄空間１２０内の下方を処理空間１２４、上方をサプラ
イプレナム１２５に形成するような構成としても良い。
そして、構成例６に示したように処理空間１０７の外部
に加湿手段１１４を配置することも、また、構成例７に
示したように処理空間１２４の内部に加湿手段１３５を
配置することも、適宜自由に変更可能である。

【００７３】一方、本発明の局所清浄空間はパーティシ
ョンに設けられた開口を通じて物品を搬入出するため、
局所清浄空間内の湿度の高い空気が開口から外部（クリ
ーンルーム内）に漏れ出る可能性がある。この漏洩量が
あまり多いと、局所清浄空間外のクリーンルーム雰囲気
の相対湿度が増加してしまう。通常、クリーンルームの
相対湿度は作業者の快適性を考慮して４０％〜４５％に
保たれているから、局所清浄空間からの空気の漏洩量が
多い場合は、除湿操作が必要となり、ランニングコスト
の増加を招く。かような湿分の漏洩といった問題は、構
成例８（図１４、１５）の局所清浄空間１４０のよう
に、パーティション１０２の開口１０３、１０４の外側
に筒体１４１、１４２を延設することによって解消する
ことが可能である。後述するように、本発明者らは、こ
の構成例８のように開口１０３、１０４の外側に筒体１
４１、１４２を延設することによって局所清浄空間１４
０内からの高湿度空気の漏洩量を大幅に減少できること
を見い出した。なお、筒体１４１、１４２の形状は矩形
などの角筒、円筒など種々のものが採用できる。

【００７４】そしてまた、局所清浄空間内を加湿するた
めの加湿手段は、超音波加湿器、蒸気吹き出し式の加湿
器、水噴霧式の加湿器、気化式の加湿器などの他、例え
ば構成例９（図１６）の局所清浄空間１５０のように、
局所清浄空間１５０下方に配置した水槽１６７から発生
した蒸気によって空気を加湿するように構成することも
できる。

【００７５】

【実施例】次に、本発明の実施の形態にかかる局所清浄
空間を実際に製作し、調べた。以下にその結果を説明す
る。

【００７６】（１）構成例６（図１１）で説明した局所
清浄空間を実際に製作し、次に示す条件で処理空間内の
温度と湿度の制御性を調べた。クリーンルーム内温湿度：２２℃／４５％ＲＨ処理空間内温度設定値：２２．５℃ なお、処理空間内湿度設定値は１時間おきに４５％ＲＨ
→５５％ＲＨ→７０％ＲＨ→８０％ＲＨ→６０％ＲＨと
変化させた。開口の形状と大きさ：５００ｍｍ×５００ｍｍ、０．２
５ｍ² ＦＦＵ一台当たりの風量：中風１２ｍ³／ｍｉｎ・１８
２Ｗ

【００７７】測定結果を図１７、１８に示す。図１７に
示すように、相対湿度設定値の変化に対して相対湿度実
測値は１〜２分遅れで追随し、設定値の±１％ＲＨ以内
で制御できることがわかった。一方、図１８に示すよう
に、温度については設定値の±０．４℃以内で制御でき
ることがわかった。

【００７８】（２）構成例６（図１１）で説明した局所
清浄空間と、構成例８（図１４）で説明した局所清浄空
間を実際に作成し、パーティションの開口に筒体を延設
した場合の局所清浄空間内からの高湿度空気の漏洩量の
変化を調べた。高湿度空気の漏洩量を次式（１）で定義
し、評価した。漏洩量＝（処理空間内絶対湿度−クリーンルーム内絶対湿度） ×（処理空間内空気がクリーンルーム内空気と入れ換わる量：換気量） …(1)

【００７９】表２に示すように、開口に筒体を取り付け
ていない構成例６の局所清浄空間を条件Ａとし、開口に
筒体を取り付けた構成例８の局所清浄空間を条件Ｂとし
た。開口の大きさは５００ｍｍ×１００ｍｍ、５００ｍ
ｍ×２５０ｍｍ、５００ｍｍ×５００ｍｍの三種（何れ
も四角形）とし、筒体の長さは５００ｍｍとした。その
他、次に示す条件で漏洩量を評価した。クリーンルーム内温湿度：２２℃／４５％ＲＨ処理空間内温湿度：２２．５℃／７０％ＲＨＦＦＵ一台当たりの風量：中風１２ｍ³／ｍｉｎ・１８
２Ｗ

【００８０】

【表２】

【００８１】図１９に開口面積と湿分漏洩量の関係を示
す。開口面積が大きくなるほど、湿分漏洩量は増加す
る。また、湿分漏洩量は、開口に筒体を取り付ければ、
筒体がない場合に比べて約半分に抑えることができる。
なお、図１９には示されていないが、筒体あり（表２の
条件Ｂ）、処理空間内の温湿度２２．５℃／８０％Ｒ
Ｈ、開口の大きさ０．２５ｍ²の条件における湿分漏洩
量は、０．３ｋｇ／ｈであった。図１９から明かなよう
に、湿分漏洩量を少なくするためには、開口の大きさを
小さくするのみならず、開口に角筒や円筒などの筒体を
取り付けることが有効である。

【００８２】（３）その他、本発明に従って構成した局
所製造空間内において、ガラス基板の検査ライン工程と
ラビング工程を実施した。その結果、検査ライン工程に
ついては、基板搬入出用の開口に筒体を延設した場合の
開口からの水分漏洩量は０．２ｋｇ／ｈであり、開口に
筒体を取り付けない場合の開口からの水分漏洩量は０．
４５ｋｇ／ｈであった。また、ラビング工程について
は、関口に筒体を取り付けた場合の開口からの水分漏洩
量は０．２５ｋｇ／ｈであり、開口に筒体を取り付けな
かった場合の開口からの水分漏洩量は０．５５ｋｇ／ｈ
であった。開口に筒体を取り付けることによる効果が確
認できた。

【００８３】

【発明の効果】本発明によれば、ガラス基板のような絶
縁体物品などを扱うのに最適な、静電気帯電のないかつ
清浄な雰囲気を提供できる。本発明によれば、静電気放
電（ＥＳＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃｄｉｓｃｈ
ａｒｇｅ）による素子の破壊や劣化がなく、かつ静電吸
着による塵粒子の付着がない良質のガラス基板を得るこ
とができるので、高品質のＬＣＤの量産が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＬＣＤ用ガラス基板の帯電電荷の漏洩特性を調
べた実験結果を示す、フィルムの接触剥離時におけるガ
ラス基板の表面電位の経時変化を示すグラフ図である
（接地なし）。

【図２】接地箇所が１ヶ所の場合の、ガラス基板の表面
電位の経時変化を示すグラフ図である。

【図３】接地箇所数の増加による電位減衰速度の増加を
示すグラフ図である（相対湿度８０％）。

【図４】軟Ｘ線照射雰囲気においてフィルムを接触剥離
した時のガラス基板の表面電位の経時変化を示すグラフ
図である（相対湿度４０％）。

【図５】構成例１の局所清浄空間の正面図である。

【図６】図５における概略的なＡ−Ａ断面矢視図であ
る。

【図７】構成例２の局所清浄空間の正面図である。

【図８】構成例３の局所清浄空間の正面図である。

【図９】構成例４の局所清浄空間の正面図である。

【図１０】構成例５の局所清浄空間の正面図である。

【図１１】構成例６の局所清浄空間の正面図である。

【図１２】図１１における概略的なＢ−Ｂ断面矢視図で
ある。

【図１３】構成例７の局所清浄空間の正面図である。

【図１４】構成例８の局所清浄空間の正面図である。

【図１５】図１４における概略的なＣ−Ｃ断面矢視図で
ある。

【図１６】構成例９の局所清浄空間の正面図である。

【図１７】実施例（１）における処理空間内の相対湿度
の経時的変化を示すグラフである。

【図１８】実施例（１）における処理空間内の温度の経
時的変化を示すグラフである。

【図１９】実施例（２）における開口面積と湿分漏洩量
の関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１局所清浄空間２クリーンルーム３パーティション４、５開口９加湿手段１０空気清浄手段１１粒子濾過手段１２送風手段ａ粒子状物質

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】クリーンルームの内部をパーティション
を用いて区画して形成される局所清浄空間であって、局所清浄空間内に物品を搬入するための開口、及び／ま
たは局所清浄空間内から物品を搬出するための開口がパ
ーティションに設けられており、局所清浄空間内を加湿する加湿手段と、局所清浄空間内の粒子状物質を除去するための空気清浄
手段と、を備えていることを特徴とする局所清浄空間。
【請求項２】局所清浄空間内の粒子状物質を除去する
ための空気清浄手段が、送風手段と粒子濾過手段から構
成される請求項１に記載の局所清浄空間。
【請求項３】局所清浄空間内の温度を調節する調温手
段を備えている請求項１または２に記載の局所清浄空
間。
【請求項４】局所清浄空間から空気を排気する排気手
段を備えている請求項１〜３の何れかに記載の局所清浄
空間。
【請求項５】局所清浄空間に空気を給気する給気手段
を備えている請求項１〜３の何れかに記載の局所清浄空
間。
【請求項６】局所清浄空間内に処理空間を形成し、空
気清浄手段によって粒子状物質を除去した空気を該処理
空間内に供給する構成とした請求項１〜５の何れかに記
載の局所清浄空間。
【請求項７】処理空間内に供給される空気が整流であ
る請求項６に記載の局所清浄空間。
【請求項８】局所清浄空間内に物品を搬入するための
開口、及び／または局所清浄空間内から物品を搬出する
ための開口の外側に筒体を延設した請求項１〜７の何れ
かに記載の局所清浄空間。