JPH0915039A - 赤外線検出素子及び赤外線検出素子アレイ - Google Patents
赤外線検出素子及び赤外線検出素子アレイInfo
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- JPH0915039A JPH0915039A JP7161282A JP16128295A JPH0915039A JP H0915039 A JPH0915039 A JP H0915039A JP 7161282 A JP7161282 A JP 7161282A JP 16128295 A JP16128295 A JP 16128295A JP H0915039 A JPH0915039 A JP H0915039A
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- infrared
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Abstract
(57)【要約】
【目的】歩留まりを著しく向上させた赤外線検出素子を
提供することにある。 【構成】上部電極１は２つに分離され、２つの上部電極
１、１に対向する位置に下部電極２は配され、信号取り
出し配線部１３は前記２つの上部電極１、１で形成され
ている。 【効果】下部電極が赤外線検出層により完全に覆われ、
そのため赤外線検出層の膜厚のウェハ間のばらつきや面
内ばらつきにより、部分的に過剰なイオンミリングが行
われても信号取り出し部の断線が全くなくなり歩留まり
が著しく著しく向上する。
提供することにある。 【構成】上部電極１は２つに分離され、２つの上部電極
１、１に対向する位置に下部電極２は配され、信号取り
出し配線部１３は前記２つの上部電極１、１で形成され
ている。 【効果】下部電極が赤外線検出層により完全に覆われ、
そのため赤外線検出層の膜厚のウェハ間のばらつきや面
内ばらつきにより、部分的に過剰なイオンミリングが行
われても信号取り出し部の断線が全くなくなり歩留まり
が著しく著しく向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、赤外線の吸収による温
度変化をとらえて赤外線を検出する熱型の赤外線検出素
子及びそのアレイに関するものである。
度変化をとらえて赤外線を検出する熱型の赤外線検出素
子及びそのアレイに関するものである。
【０００２】
【従来技術】赤外線検出素子には、いわゆる量子型と熱
型の２種類のタイプがある。量子型の赤外線検出素子は
非常に高感度であるが、低温に冷却して使用する必要が
あり、取り扱いが難しいとともに、製造コストが高くつ
くという課題があった。熱型の赤外線検出素子は、感度
の点で量子型に及ばないものの、冷却の必要が無く、構
造が簡単で製造コストも安くつくので、各種の実用的な
用途に広く使用されている。
型の２種類のタイプがある。量子型の赤外線検出素子は
非常に高感度であるが、低温に冷却して使用する必要が
あり、取り扱いが難しいとともに、製造コストが高くつ
くという課題があった。熱型の赤外線検出素子は、感度
の点で量子型に及ばないものの、冷却の必要が無く、構
造が簡単で製造コストも安くつくので、各種の実用的な
用途に広く使用されている。
【０００３】この赤外線検出素子には、主なタイプとし
て、焦電素子を用いるもの、熱電対を用いるもの、抵抗
体を用いるものの３種類があり、いずれも赤外線の照射
による赤外線検出部の熱的挙動すなわち温度変化を電気
的に変換して、赤外線を検出する。抵抗体を用いて、赤
外線の入射量を検知する素子として、サーミスタボロメ
ータがある。（特開平２−２０１２２９号公報参照） 発明者らは、サーミスタとして図８（ａ）（ｂ）に示す
ように、感熱層である赤外線検出層３とその上下に一対
の電極１、２を配したサンドイッチ型構造の赤外線検出
素子を提案している。尚５はシリコン基板、４は熱絶縁
膜である。
て、焦電素子を用いるもの、熱電対を用いるもの、抵抗
体を用いるものの３種類があり、いずれも赤外線の照射
による赤外線検出部の熱的挙動すなわち温度変化を電気
的に変換して、赤外線を検出する。抵抗体を用いて、赤
外線の入射量を検知する素子として、サーミスタボロメ
ータがある。（特開平２−２０１２２９号公報参照） 発明者らは、サーミスタとして図８（ａ）（ｂ）に示す
ように、感熱層である赤外線検出層３とその上下に一対
の電極１、２を配したサンドイッチ型構造の赤外線検出
素子を提案している。尚５はシリコン基板、４は熱絶縁
膜である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記のような赤外線検
出素子は下部電極２のパターン形成後、赤外線検出層３
である半導体薄膜にアモルファスシリコンカーバイドを
用いて全面に形成した場合、レジストパターン形成後に
イオンミリングによりパターニングする。その後、上部
電極１のパターンが形成される。しかしながら、イオン
ミリングによりアモルファスシリコンカーバイドをパタ
ーンニングする工程で、アモルファスシリコンカーバイ
ド膜厚のウェハ間ばらつきや面内ばらつきにより、部分
的に過剰なイオンミリングが行われ、下部電極１の信号
取り出し配線部１３’が断線し歩留まりが著しく低下す
る問題が生じた。
出素子は下部電極２のパターン形成後、赤外線検出層３
である半導体薄膜にアモルファスシリコンカーバイドを
用いて全面に形成した場合、レジストパターン形成後に
イオンミリングによりパターニングする。その後、上部
電極１のパターンが形成される。しかしながら、イオン
ミリングによりアモルファスシリコンカーバイドをパタ
ーンニングする工程で、アモルファスシリコンカーバイ
ド膜厚のウェハ間ばらつきや面内ばらつきにより、部分
的に過剰なイオンミリングが行われ、下部電極１の信号
取り出し配線部１３’が断線し歩留まりが著しく低下す
る問題が生じた。
【０００５】本発明は、上記問題点に鑑みて為されたも
のであり、請求項１の発明の目的とするところは歩留ま
りを著しく向上させた赤外線検出素子を提供することに
ある。請求項２の発明の目的とするところは、上記請求
項１の発明の目的に加えて、素子特性を改善した赤外線
検出素子を提供するにある。請求項３の発明の目的とす
るところは、上記請求項１又は２の発明の目的に加えて
低抵抗化や小型化が可能な赤外線検出素子を提供するに
ある。
のであり、請求項１の発明の目的とするところは歩留ま
りを著しく向上させた赤外線検出素子を提供することに
ある。請求項２の発明の目的とするところは、上記請求
項１の発明の目的に加えて、素子特性を改善した赤外線
検出素子を提供するにある。請求項３の発明の目的とす
るところは、上記請求項１又は２の発明の目的に加えて
低抵抗化や小型化が可能な赤外線検出素子を提供するに
ある。
【０００６】請求項４の発明の目的とするところは、上
記請求項１又は２又は３の発明の目的に加えてコスト削
減が図れる赤外線検出素子を提供するにある。請求項５
の発明の目的とするところは、上記請求項１又は２又は
３又は４の発明の目的に加えて特性の安定した赤外線検
出素子を提供するにある。請求項６の発明の目的とする
ところは、素子間の特性のばらつきのないイメージセン
サが実現可能な赤外線検出素子アレイを提供するにあ
る。
記請求項１又は２又は３の発明の目的に加えてコスト削
減が図れる赤外線検出素子を提供するにある。請求項５
の発明の目的とするところは、上記請求項１又は２又は
３又は４の発明の目的に加えて特性の安定した赤外線検
出素子を提供するにある。請求項６の発明の目的とする
ところは、素子間の特性のばらつきのないイメージセン
サが実現可能な赤外線検出素子アレイを提供するにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに請求項１の発明では、薄膜の赤外線検出層と前記赤
外線検出層の上下に組をなすように電部電極及び下部電
極を有する赤外線検出素子において、前記上部電極が２
つに分離されるとともに分離された前記２つの上部電極
を含んで対向する位置に前記下部電極が配され、信号取
り出し配線が前記２つの上部電極で形成もしくは接続さ
れていることを特徴とする。
めに請求項１の発明では、薄膜の赤外線検出層と前記赤
外線検出層の上下に組をなすように電部電極及び下部電
極を有する赤外線検出素子において、前記上部電極が２
つに分離されるとともに分離された前記２つの上部電極
を含んで対向する位置に前記下部電極が配され、信号取
り出し配線が前記２つの上部電極で形成もしくは接続さ
れていることを特徴とする。
【０００８】請求項２の発明では、請求項１の発明にお
いて、前記赤外線検出層と、前記上部電極及び下部電極
との間にそれぞれ低抵抗層を形成し、前記上部電極と前
記赤外線検出層との間の低抵抗層は、前検２つの上部電
極の間に対応してスリットが設けられて２つに分割され
ていることを特徴とする。請求項３の発明では、請求項
１又は２記載の発明において、前記２つの上部電極の間
に対応して前記赤外線検出層にスリット部設けられてい
ることを特徴とする。
いて、前記赤外線検出層と、前記上部電極及び下部電極
との間にそれぞれ低抵抗層を形成し、前記上部電極と前
記赤外線検出層との間の低抵抗層は、前検２つの上部電
極の間に対応してスリットが設けられて２つに分割され
ていることを特徴とする。請求項３の発明では、請求項
１又は２記載の発明において、前記２つの上部電極の間
に対応して前記赤外線検出層にスリット部設けられてい
ることを特徴とする。
【０００９】請求項４の発明では、請求項１又は２又は
３記載の発明において、外線検出層の下部側に形成され
た低抵抗層で検用したことを特徴とする。請求項５の発
明では、請求項１又は２又は３又は４記載の発明におい
て、赤外線検出素子の抵抗値測定後の加工による電面積
の変更で抵抗の調整が変更可能な、櫛形電極で構成した
ことを特徴とする。
３記載の発明において、外線検出層の下部側に形成され
た低抵抗層で検用したことを特徴とする。請求項５の発
明では、請求項１又は２又は３又は４記載の発明におい
て、赤外線検出素子の抵抗値測定後の加工による電面積
の変更で抵抗の調整が変更可能な、櫛形電極で構成した
ことを特徴とする。
【００１０】請求項６の発明では、請求項１〜５記載の
赤外線検出素子をアレイ化して形成したことを特徴とす
る。
赤外線検出素子をアレイ化して形成したことを特徴とす
る。
【００１１】
【作用】請求項１の発明では、薄膜の赤外線検出層と前
記赤外線検出層の上下に組をなすように電部電極及び下
部電極を有する赤外線検出素子において、前記上部電極
が２つに分離されるとともに分離された前記２つの上部
電極を含んで対向する位置に前記下部電極が配され、信
号取り出し配線が前記２つの上部電極で形成もしくは接
続されているので、下部電極が赤外線検出層により完全
に覆われ、そのため赤外線検出層の膜厚のウェハ間のば
らつきや面内ばらつきにより、部分的に過剰なイオンミ
リングが行われても信号取り出し部の断線が全くなくな
り歩留まりが著しく向上する。
記赤外線検出層の上下に組をなすように電部電極及び下
部電極を有する赤外線検出素子において、前記上部電極
が２つに分離されるとともに分離された前記２つの上部
電極を含んで対向する位置に前記下部電極が配され、信
号取り出し配線が前記２つの上部電極で形成もしくは接
続されているので、下部電極が赤外線検出層により完全
に覆われ、そのため赤外線検出層の膜厚のウェハ間のば
らつきや面内ばらつきにより、部分的に過剰なイオンミ
リングが行われても信号取り出し部の断線が全くなくな
り歩留まりが著しく向上する。
【００１２】請求項２の発明では、請求項１の発明にお
いて、前記赤外線検出層と、前記上部電極及び下部電極
との間にそれぞれ低抵抗層を形成し、前記上部電極と前
記赤外線検出層との間の低抵抗層は、前検２つの上部電
極の間に対応してスリットが設けられて２つに分割され
ているので、上部電極と赤外線検出層の間に、赤外線検
出層の全面を覆つて低抵抗層が設けられていても、上部
電極と低抵抗層による伝導を無くして素子特性を改善で
きる。
いて、前記赤外線検出層と、前記上部電極及び下部電極
との間にそれぞれ低抵抗層を形成し、前記上部電極と前
記赤外線検出層との間の低抵抗層は、前検２つの上部電
極の間に対応してスリットが設けられて２つに分割され
ているので、上部電極と赤外線検出層の間に、赤外線検
出層の全面を覆つて低抵抗層が設けられていても、上部
電極と低抵抗層による伝導を無くして素子特性を改善で
きる。
【００１３】請求項３の発明では、請求項１又は２記載
の発明において、前記２つの上部電極の間に対応して前
記赤外線検出層にスリット部が設けられているので、上
部電極間隔を著しく狭めても素子特性を悪化させること
が無くなり、素子の低抵抗化や小型化が可能となる。請
求項４の発明では、請求項１又は２又は３記載の発明に
おいて、外線検出層の下部側に形成された低抵抗層で兼
用したので、この低抵抗層に下部電極の機能すなわち下
層伝導の機能を持たせることにより、下部電極が不要に
なり電極材料の成膜やパターン形成工程を省くことがで
き、コスト削減ができる。
の発明において、前記２つの上部電極の間に対応して前
記赤外線検出層にスリット部が設けられているので、上
部電極間隔を著しく狭めても素子特性を悪化させること
が無くなり、素子の低抵抗化や小型化が可能となる。請
求項４の発明では、請求項１又は２又は３記載の発明に
おいて、外線検出層の下部側に形成された低抵抗層で兼
用したので、この低抵抗層に下部電極の機能すなわち下
層伝導の機能を持たせることにより、下部電極が不要に
なり電極材料の成膜やパターン形成工程を省くことがで
き、コスト削減ができる。
【００１４】請求項５の発明では、請求項１又は２又は
３又は４記載の発明において、赤外線検出素子の抵抗値
測定後の加工による電極面積の変更で抵抗の調整が変更
可能な、櫛形電極で構成したので、素子間の抵抗ばらつ
きが無くなり、特性の安定した素子が得られる。請求項
６の発明では、請求項１〜５記載の赤外線検出素子をア
レイ化して形成した、画素間の特性ばらつきのない良好
なイメージセンサを得ることが可能となる。
３又は４記載の発明において、赤外線検出素子の抵抗値
測定後の加工による電極面積の変更で抵抗の調整が変更
可能な、櫛形電極で構成したので、素子間の抵抗ばらつ
きが無くなり、特性の安定した素子が得られる。請求項
６の発明では、請求項１〜５記載の赤外線検出素子をア
レイ化して形成した、画素間の特性ばらつきのない良好
なイメージセンサを得ることが可能となる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を一実施例により説明する。 （実施例１）図１（ａ）（ｂ）は、本実施例を示し、熱
絶縁膜４と赤外線検出層３であるサーミスタとそれを挟
む上部電極１と下部電極２により形成されている。
絶縁膜４と赤外線検出層３であるサーミスタとそれを挟
む上部電極１と下部電極２により形成されている。
【００１６】本実施例では、シリコン基板５上に窒化シ
リコンと酸化シリコンからなる厚み１．０μｍの熱絶縁
膜４を形成する。次に、熱絶縁膜４上に下部電極２のク
ロムを電子ビーム蒸着部電極のパターンにより０．２μ
ｍ程度形成しパターニングする。このパターンは、この
上に形成されるアモルファスシリコンカーバイド層から
なる赤外線検出層３のパターンより小さい。パターニン
グの次に赤外線検出層３を形成する。この形成後に上部
電極１のクロムを電子ビーム蒸着法により０．２μｍ程
度成膜し信号取り出し配線部１３を考慮してバターニン
グした。
リコンと酸化シリコンからなる厚み１．０μｍの熱絶縁
膜４を形成する。次に、熱絶縁膜４上に下部電極２のク
ロムを電子ビーム蒸着部電極のパターンにより０．２μ
ｍ程度形成しパターニングする。このパターンは、この
上に形成されるアモルファスシリコンカーバイド層から
なる赤外線検出層３のパターンより小さい。パターニン
グの次に赤外線検出層３を形成する。この形成後に上部
電極１のクロムを電子ビーム蒸着法により０．２μｍ程
度成膜し信号取り出し配線部１３を考慮してバターニン
グした。
【００１７】この場合上部電極１が隙間６を介して２つ
に分離されるとともに分離された前記２つの上部電極１
は前記下部電極２に対向するように配される。また本実
施例では信号取り出し配線１３が前記２つの上部電極１
で形成しているが信号取り出し部を設けてもよい。 （実施例２）本実施例は素子特性の改善を図るために図
２に示すように低抵抗層７を上部電極１及び下部電極２
と赤外線検出層３の間に形成している。つまり上部電極
１及び下部電極２と赤外線検出層３のオーミッタ特性を
改善する場合、赤外線検出材料であるアモルファスシリ
コン層と上部電極１及び下部電極２との間に低抵抗層７
のアモルフアスシリコン層を形成する。両者はプラズマ
ＣＶＤ装置で連続して成膜される。低抵抗層７のアモル
フアスシリコン層は赤外線検出層３と同一の導電型を実
現するようにドーピングし、本実施例ではＢ２Ｅ６／Ｓ
ｉＨ４＝０・２５％のＰ型アモルフアスシリコン層とし
て０．０３μｍ程度形成し、また、赤外線検出層３はア
モルフアスシリコンカーバイド層を１μｍ程度積層し、
これらをイオンミリングを用いてパターン形成する。
に分離されるとともに分離された前記２つの上部電極１
は前記下部電極２に対向するように配される。また本実
施例では信号取り出し配線１３が前記２つの上部電極１
で形成しているが信号取り出し部を設けてもよい。 （実施例２）本実施例は素子特性の改善を図るために図
２に示すように低抵抗層７を上部電極１及び下部電極２
と赤外線検出層３の間に形成している。つまり上部電極
１及び下部電極２と赤外線検出層３のオーミッタ特性を
改善する場合、赤外線検出材料であるアモルファスシリ
コン層と上部電極１及び下部電極２との間に低抵抗層７
のアモルフアスシリコン層を形成する。両者はプラズマ
ＣＶＤ装置で連続して成膜される。低抵抗層７のアモル
フアスシリコン層は赤外線検出層３と同一の導電型を実
現するようにドーピングし、本実施例ではＢ２Ｅ６／Ｓ
ｉＨ４＝０・２５％のＰ型アモルフアスシリコン層とし
て０．０３μｍ程度形成し、また、赤外線検出層３はア
モルフアスシリコンカーバイド層を１μｍ程度積層し、
これらをイオンミリングを用いてパターン形成する。
【００１８】低抵抗層７を形成する場合、上部電極１と
下側の低抵抗層７との絶縁性をよくするためにサイド保
護膜８として酸化シリコン膜を形成した。次に、上部電
極１のクロムを電子ビーム蒸着法により０．２μｍ程度
成膜し信号取り出し配線部１３を考慮してバターニング
する。尚サーミスタ特性を十分に発揮させるために、図
３に示すように上部電極１と赤外線検出層３の間の低抵
抗層７をイオンミリングにより切断し、スリット９を形
成しても良い。
下側の低抵抗層７との絶縁性をよくするためにサイド保
護膜８として酸化シリコン膜を形成した。次に、上部電
極１のクロムを電子ビーム蒸着法により０．２μｍ程度
成膜し信号取り出し配線部１３を考慮してバターニング
する。尚サーミスタ特性を十分に発揮させるために、図
３に示すように上部電極１と赤外線検出層３の間の低抵
抗層７をイオンミリングにより切断し、スリット９を形
成しても良い。
【００１９】また、２つの上部電極１、１の間の間隔を
狭めて素子の小型化や低抵抗化実現する場合は、図４に
示すように赤外線検出層３の部分に０．１〜０．９μ
ｍ、すなわち赤外線検出層３の膜厚の１０〜９０％程度
のスリット１０を入れると良い。更に図５に示すよう
に、下部電極２と赤外線検出層３の間の低抵抗層７の厚
みを増やし、下部電極２の機能を持たせることにより、
下部電極２をなくすことが可能である。
狭めて素子の小型化や低抵抗化実現する場合は、図４に
示すように赤外線検出層３の部分に０．１〜０．９μ
ｍ、すなわち赤外線検出層３の膜厚の１０〜９０％程度
のスリット１０を入れると良い。更に図５に示すよう
に、下部電極２と赤外線検出層３の間の低抵抗層７の厚
みを増やし、下部電極２の機能を持たせることにより、
下部電極２をなくすことが可能である。
【００２０】また、素子にバラツキがある場合や複数の
素子１２を図７に示すようにアレイ化した場合の画素感
度のバラツキを低減する場合は、図６に示すように上部
電極１を櫛形とし、抵抗計測後にレーザーカッティング
を用いて電極面積を調整する。尚各実施例では製作工程
の最後に、ＨＦ−ＨＮＯ３系あるいはＫＯＨなどのエッ
チング液により裏面から表面に貫通するようにサーミス
タの形成された部分のシリコン基板５を除去することに
より、熱絶縁膜４とサーミスタ３からなる構造の赤外線
検出素子を得ることができるのである。
素子１２を図７に示すようにアレイ化した場合の画素感
度のバラツキを低減する場合は、図６に示すように上部
電極１を櫛形とし、抵抗計測後にレーザーカッティング
を用いて電極面積を調整する。尚各実施例では製作工程
の最後に、ＨＦ−ＨＮＯ３系あるいはＫＯＨなどのエッ
チング液により裏面から表面に貫通するようにサーミス
タの形成された部分のシリコン基板５を除去することに
より、熱絶縁膜４とサーミスタ３からなる構造の赤外線
検出素子を得ることができるのである。
【００２１】
【発明の効果】請求項１の発明は、薄膜の赤外線検出層
と前記赤外線検出層の上下に組をなすように電部電極及
び下部電極を有する赤外線検出素子において、前記上部
電極が２つに分離されるとともに分離された前記２つの
上部電極を含んで対向する位置に前記下部電極が配さ
れ、信号取り出し配線が前記２つの上部電極で形成もし
くは接続されているので、下部電極が赤外線検出層によ
り完全に覆われ、そのため赤外線検出層の膜厚のウェハ
間のばらつきや面内ばらつきにより、部分的に過剰なイ
オンミリングが行われても信号取り出し部の断線が全く
なくなり歩留まりが著しく向上する。
と前記赤外線検出層の上下に組をなすように電部電極及
び下部電極を有する赤外線検出素子において、前記上部
電極が２つに分離されるとともに分離された前記２つの
上部電極を含んで対向する位置に前記下部電極が配さ
れ、信号取り出し配線が前記２つの上部電極で形成もし
くは接続されているので、下部電極が赤外線検出層によ
り完全に覆われ、そのため赤外線検出層の膜厚のウェハ
間のばらつきや面内ばらつきにより、部分的に過剰なイ
オンミリングが行われても信号取り出し部の断線が全く
なくなり歩留まりが著しく向上する。
【００２２】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記赤外線検出層と、前記上部電極及び下部電極と
の間にそれぞれ低抵抗層を形成し、前記上部電極と前記
赤外線検出層との間の低抵抗層は、前検２つの上部電極
の間に対応してスリットが設けられて２つに分割されて
いるので、上部電極と赤外線検出層の間に、赤外線検出
層の全面を覆つて低抵抗層が設けられていても、上部電
極と低抵抗層による伝導を無くして素子特性を改善でき
るという効果がある。
て、前記赤外線検出層と、前記上部電極及び下部電極と
の間にそれぞれ低抵抗層を形成し、前記上部電極と前記
赤外線検出層との間の低抵抗層は、前検２つの上部電極
の間に対応してスリットが設けられて２つに分割されて
いるので、上部電極と赤外線検出層の間に、赤外線検出
層の全面を覆つて低抵抗層が設けられていても、上部電
極と低抵抗層による伝導を無くして素子特性を改善でき
るという効果がある。
【００２３】請求項３の発明は、請求項１又は２記載の
発明において、前記２つの上部電極の間に対応して前記
赤外線検出層にスリット部が設けられているので、上部
電極間隔を著しく狭めても素子特性を悪化させることが
無くなり、素子の低抵抗化や小型化が可能となるという
効果がある。請求項４の発明は、請求項１又は２又は３
記載の発明において、外線検出層の下部側に形成された
低抵抗層で兼用したので、この低抵抗層に下部電極の機
能すなわち下層伝導の機能を持たせることにより、下部
電極が不要になり電極材料の成膜やパターン形成工程を
省くことができ、コスト削減ができるという効果があ
る。
発明において、前記２つの上部電極の間に対応して前記
赤外線検出層にスリット部が設けられているので、上部
電極間隔を著しく狭めても素子特性を悪化させることが
無くなり、素子の低抵抗化や小型化が可能となるという
効果がある。請求項４の発明は、請求項１又は２又は３
記載の発明において、外線検出層の下部側に形成された
低抵抗層で兼用したので、この低抵抗層に下部電極の機
能すなわち下層伝導の機能を持たせることにより、下部
電極が不要になり電極材料の成膜やパターン形成工程を
省くことができ、コスト削減ができるという効果があ
る。
【００２４】請求項５の発明は、請求項１又は２又は３
又は４記載の発明において、赤外線検出素子の抵抗値測
定後の加工による電極面積の変更で抵抗の調整が変更可
能な、櫛形電極で構成したので、素子間の抵抗ばらつき
が無くなり、特性の安定した素子が得られるという効果
がある。請求項６の発明は、請求項１〜５記載の赤外線
検出素子をアレイ化して形成した、画素間の特性ばらつ
きのない良好なイメージセンサを得ることが可能となる
という効果がある。
又は４記載の発明において、赤外線検出素子の抵抗値測
定後の加工による電極面積の変更で抵抗の調整が変更可
能な、櫛形電極で構成したので、素子間の抵抗ばらつき
が無くなり、特性の安定した素子が得られるという効果
がある。請求項６の発明は、請求項１〜５記載の赤外線
検出素子をアレイ化して形成した、画素間の特性ばらつ
きのない良好なイメージセンサを得ることが可能となる
という効果がある。
【図１】（ａ）は本発明の実施例１の断面図 （ｂ）は同上の上面図
【図２】本発明の実施例２の断面図
【図３】本発明の実施例３の断面図
【図４】本発明の実施例４の断面図
【図５】本発明の実施例５の断面図
【図６】本発明の実施例６の平面図
【図７】本発明の実施例７の平面図
【図８】（ａ）は従来例の断面図 （ｂ）は同上の上面図
１ 上部電極 ２ 下部電極 ３ 赤外線検出層 ４ 熱絶縁膜 ５ シリコン基板 ６ 上部電極のスリット １３ 信号取り出し配線部
Claims (6)
- 【請求項１】薄膜の赤外線検出層と前記赤外線検出層の
上下に組をなすように上部電極及び下部電極を有する赤
外線検出素子において、前記上部電極が２つに分離され
るとともに分離された前記２つの上部電極を含んで対向
する位置に前記下部電極が配され、信号取り出し配線が
前記２つの上部電極で形成もしくは接続されていること
を特徴とする赤外線検出素子。 - 【請求項２】前記赤外線検出層と、前記上部電極及び下
部電極との間にそれぞれ低抵抗層を形成し、前記上部電
極と前記赤外線検出層との間の低抵抗層は、前記２つの
上部電極の間に対応してスリットが設けられて２つに分
割されていることを特徴とする請求項１記載の赤外線検
出素子。 - 【請求項３】前記２つの上部電極の間に対応して前記赤
外線検出層にスリットが設けられていることを特徴とす
る請求項１又は２記載の赤外線検出素子。 - 【請求項４】前記下部電極を、赤外線検出層の下部側に
形成された低抵抗層で兼用したことを特徴とする請求項
１又は２又は３記載の赤外線検出素子。 - 【請求項５】前記上部電極を、赤外線検出素子の抵抗値
測定後の加工による電極面積の変更で抵抗の調整が変更
可能な、櫛形電極で構成したことを特徴とする請求項１
又は２又は３又は４記載の赤外線検出素子。 - 【請求項６】請求項１〜５記載の赤外線検出素子をアレ
イ化したことを特徴とする赤外線検出素子アレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7161282A JPH0915039A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | 赤外線検出素子及び赤外線検出素子アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7161282A JPH0915039A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | 赤外線検出素子及び赤外線検出素子アレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0915039A true JPH0915039A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15732150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7161282A Withdrawn JPH0915039A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | 赤外線検出素子及び赤外線検出素子アレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0915039A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020174732A1 (ja) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 赤外線センサ及び赤外線センサアレイ |
-
1995
- 1995-06-27 JP JP7161282A patent/JPH0915039A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020174732A1 (ja) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 赤外線センサ及び赤外線センサアレイ |
| EP3933357A4 (en) * | 2019-02-28 | 2022-07-20 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | INFRARED SENSOR AND NETWORK OF INFRARED SENSORS |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020903 |