JPH09136879A - １，３−オキサジン−４−オン誘導体の製造法 - Google Patents
１，３−オキサジン−４−オン誘導体の製造法Info
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- JPH09136879A JPH09136879A JP29542795A JP29542795A JPH09136879A JP H09136879 A JPH09136879 A JP H09136879A JP 29542795 A JP29542795 A JP 29542795A JP 29542795 A JP29542795 A JP 29542795A JP H09136879 A JPH09136879 A JP H09136879A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 安価な原料を用い、不安定な中間体を経由す
ること無く、経済的かつ工業的に実施容易な態様で1,3-
オキサジン-4- オン誘導体を製造する方法を提供する。 【解決手段】 一般式（II）で示される化合物と、一般
式（III）で表わされるＮ−メチレンアミノ酸エステル
誘導体を反応させることより成る、一般式（I）で示さ
れる1,3-オキサジン-4- オン誘導体の製造法。 ［式中、Ｒ1 は低級アルキル基、低級アルケニル基、低
級アルキニル基、置換されていても良いフェニル基また
は、置換されていても良いアラルキル基；Ｒ2 は低級ア
ルキル基；Ｒ3 は低級アルキル基、アラルキル基；
Ｒ4 、Ｒ5 は互いに独立して低級アルキル基；Ｒ6 は低
級アルキル基；を示す。］
ること無く、経済的かつ工業的に実施容易な態様で1,3-
オキサジン-4- オン誘導体を製造する方法を提供する。 【解決手段】 一般式（II）で示される化合物と、一般
式（III）で表わされるＮ−メチレンアミノ酸エステル
誘導体を反応させることより成る、一般式（I）で示さ
れる1,3-オキサジン-4- オン誘導体の製造法。 ［式中、Ｒ1 は低級アルキル基、低級アルケニル基、低
級アルキニル基、置換されていても良いフェニル基また
は、置換されていても良いアラルキル基；Ｒ2 は低級ア
ルキル基；Ｒ3 は低級アルキル基、アラルキル基；
Ｒ4 、Ｒ5 は互いに独立して低級アルキル基；Ｒ6 は低
級アルキル基；を示す。］
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、1,3-オキサジン-4
- オン誘導体の製造法に関し、さらに詳しくは下記一般
式（Ｉ）
- オン誘導体の製造法に関し、さらに詳しくは下記一般
式（Ｉ）
【０００２】
【化４】
【０００３】［式中、Ｒ1 は低級アルキル基、低級アル
ケニル基、低級アルキニル基、置換されていても良いフ
ェニル基又は、置換されていても良いアラルキル基を示
す。Ｒ2 は低級アルキル基を示す。Ｒ3 は低級アルキル
基、又はアラルキル基を示す。Ｒ4 、Ｒ5 は互いに独立
して低級アルキル基を示す。］で示される1,3-オキサジ
ン-4- オン誘導体の新規な製造法に関するものである。
ケニル基、低級アルキニル基、置換されていても良いフ
ェニル基又は、置換されていても良いアラルキル基を示
す。Ｒ2 は低級アルキル基を示す。Ｒ3 は低級アルキル
基、又はアラルキル基を示す。Ｒ4 、Ｒ5 は互いに独立
して低級アルキル基を示す。］で示される1,3-オキサジ
ン-4- オン誘導体の新規な製造法に関するものである。
【０００４】
【従来の技術】1,3-オキサジン-4- オン誘導体の製造法
としては、従来、ＣＮ二重結合を有する化合物に対し、
ジケテン類（Acc. Chem. Res. 7, 265 (1974) ）、2-ジ
アゾ-1,3- ジケトン類（Chem. Ber. 109, 2456 (1976)
）、アジピン酸ジクロリド類（Chem. Ber. 105, 137
(1972)）、2,3-ジヒドロフラン-2,3- ジオン類（Liebig
sAnn. Chem. 1751 (1977)）、1,3-ジオキシン-4- オン
誘導体（Chem. Ber. 105,137 (1972)、Chem. Pharm. Bu
ll. 31(6), 1902 (1983) ）、等を作用させる方法が知
られている。
としては、従来、ＣＮ二重結合を有する化合物に対し、
ジケテン類（Acc. Chem. Res. 7, 265 (1974) ）、2-ジ
アゾ-1,3- ジケトン類（Chem. Ber. 109, 2456 (1976)
）、アジピン酸ジクロリド類（Chem. Ber. 105, 137
(1972)）、2,3-ジヒドロフラン-2,3- ジオン類（Liebig
sAnn. Chem. 1751 (1977)）、1,3-ジオキシン-4- オン
誘導体（Chem. Ber. 105,137 (1972)、Chem. Pharm. Bu
ll. 31(6), 1902 (1983) ）、等を作用させる方法が知
られている。
【０００５】これらの原料化合物はそれぞれ以下に述べ
るような問題を有している。例えば、ジケテン類、2-ジ
アゾ-1,3- ジケトン類は不安定であり、取り扱いや輸送
に問題がある。また、カルボニル炭素上の置換基が異な
る2-ジアゾ−1,3 −ジケトン類を用いた場合、得られる
生成物は置換基の位置が互いに異なる２種の異性体混合
物となる。アジピン酸ジクロリド類を用いた場合、生成
物の骨格が限定される。さらに、 2,3−ジヒドロフラン
−2,3 −ジオン類はその合成原料として高価なシリルエ
ノールエーテルが必要であり、経済的に 1,3−オキサジ
ン−4 −オン誘導体を得るための原料としては不適当で
ある。
るような問題を有している。例えば、ジケテン類、2-ジ
アゾ-1,3- ジケトン類は不安定であり、取り扱いや輸送
に問題がある。また、カルボニル炭素上の置換基が異な
る2-ジアゾ−1,3 −ジケトン類を用いた場合、得られる
生成物は置換基の位置が互いに異なる２種の異性体混合
物となる。アジピン酸ジクロリド類を用いた場合、生成
物の骨格が限定される。さらに、 2,3−ジヒドロフラン
−2,3 −ジオン類はその合成原料として高価なシリルエ
ノールエーテルが必要であり、経済的に 1,3−オキサジ
ン−4 −オン誘導体を得るための原料としては不適当で
ある。
【０００６】1,3 −ジオキシン−4 −オン誘導体はま
た、種々のβ−ケトエステル類から合成することかでき
る。例えば、 Chem. Pharm. Bull, 31（6 ）1896（198
3）は、β−ケトエステルを濃硫酸により加水分解して
β−ケト酸とした後、無水酢酸および硫酸の存在下にア
セトンを作用させることにより、 2,2−ジメチル−1,3
−ジオキシン−4 −オン類を得る方法が開示されてい
る。しかし硫酸による加水分解反応は収率が低いことに
加え、多量の酸廃水が生じる。また、β−ケト酸は容易
に脱炭酸反応を起こすため工業的な取扱いが困難である
という欠点がある。
た、種々のβ−ケトエステル類から合成することかでき
る。例えば、 Chem. Pharm. Bull, 31（6 ）1896（198
3）は、β−ケトエステルを濃硫酸により加水分解して
β−ケト酸とした後、無水酢酸および硫酸の存在下にア
セトンを作用させることにより、 2,2−ジメチル−1,3
−ジオキシン−4 −オン類を得る方法が開示されてい
る。しかし硫酸による加水分解反応は収率が低いことに
加え、多量の酸廃水が生じる。また、β−ケト酸は容易
に脱炭酸反応を起こすため工業的な取扱いが困難である
という欠点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上に述べた如き背景
の下、本発明は、安価な原料を用い、不安定な中間体を
経由すること無く、経済的かつ工業的に実施容易な態様
で前記一般式（Ｉ）の 1,3−オキサジン−4 −オン誘導
体の製造方法を提供することを課題とする。
の下、本発明は、安価な原料を用い、不安定な中間体を
経由すること無く、経済的かつ工業的に実施容易な態様
で前記一般式（Ｉ）の 1,3−オキサジン−4 −オン誘導
体の製造方法を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下記一
般式（II）
般式（II）
【０００９】
【化５】
【００１０】［式中、Ｒ1 は低級アルキル基、低級アル
ケニル基、低級アルキニル基、置換されていても良いフ
ェニル基又は、置換されていても良いアラルキル基を示
す。Ｒ2 は低級アルキル基を示す。Ｒ6 は低級アルキル
基を示す。］で示される化合物と、下記一般式（III ）
ケニル基、低級アルキニル基、置換されていても良いフ
ェニル基又は、置換されていても良いアラルキル基を示
す。Ｒ2 は低級アルキル基を示す。Ｒ6 は低級アルキル
基を示す。］で示される化合物と、下記一般式（III ）
【００１１】
【化６】
【００１２】［式中、Ｒ3 は低級アルキル基、又はアラ
ルキル基を示す。Ｒ4 、Ｒ5 は互いに独立して低級アル
キル基を示す。］で表わされるN-メチレンアミノ酸エス
テル誘導体を反応させることを特徴とする、下記一般式
（Ｉ）
ルキル基を示す。Ｒ4 、Ｒ5 は互いに独立して低級アル
キル基を示す。］で表わされるN-メチレンアミノ酸エス
テル誘導体を反応させることを特徴とする、下記一般式
（Ｉ）
【００１３】
【化７】
【００１４】［式中、Ｒ1 は低級アルキル基、低級アル
ケニル基、低級アルキニル基、置換されていても良いフ
ェニル基又は、置換されていても良いアラルキル基を示
す。Ｒ2 は低級アルキル基を示す。Ｒ3 は低級アルキル
基、又はアラルキル基を示す。Ｒ4 、Ｒ5 は互いに独立
して低級アルキル基を示す。］で示される1,3-オキサジ
ン-4- オン誘導体の製造法が提供される。
ケニル基、低級アルキニル基、置換されていても良いフ
ェニル基又は、置換されていても良いアラルキル基を示
す。Ｒ2 は低級アルキル基を示す。Ｒ3 は低級アルキル
基、又はアラルキル基を示す。Ｒ4 、Ｒ5 は互いに独立
して低級アルキル基を示す。］で示される1,3-オキサジ
ン-4- オン誘導体の製造法が提供される。
【００１５】本発明の前記一般式（Ｉ）、一般式（II）
及び一般式（III ）におけるＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、
Ｒ5 及びＲ6 の定義中の基の具体例を以下に説明する。
及び一般式（III ）におけるＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、
Ｒ5 及びＲ6 の定義中の基の具体例を以下に説明する。
【００１６】置換されていても良いフェニル基；フェニ
ル基、及びフェニル基がハロゲン原子、ヒドロキシ基、
低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェノキシ基、低
級アルキルチオ基、低級アルキルスルホニル基、低級ハ
ロアルキル基、低級ハロアルコキシ基、アルコキシカル
ボニル基、アルコキシカルボニルアルコキシ基、アシル
基、シアノ基、ニトロ基等で置換されたものを示し、置
換されていても良いフェニル基の具体例としては、たと
えば、フェニル、2-メチルフェニル、2-フルオロフェニ
ル、2-クロロフェニル、3-クロロフェニル、3,5-ジクロ
ロ-4- ヒドロキシフェニル、3-トリル、2,5-キシリル、
3-アニシル、3-フェノキシフェニル、3-メチルチオフェ
ニル、2-クロロ-5-(メチルスルホニル) フェニル、2-(
ジフルオロメトキシ) フェニル、3-( トリフルオロメチ
ル) フェニル、3,5-ビス (ジフルオロメトキシ) フェニ
ル、3-メトキシカルボニルフェニル、 3-(1-メトキシカ
ルボニル) エトキシフェニル、3-ニトロフェニル、3-シ
アノフェニル、3-アセチルフェニル、2-クロロ-5- ニト
ロフェニル、3,5-ジクロロフェニル、2-フルオロ-4- ク
ロロフェニル、2,5-ジクロロフェニル、3,5-ジクロロ-4
- メチルフェニル基等を挙げることができる。
ル基、及びフェニル基がハロゲン原子、ヒドロキシ基、
低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェノキシ基、低
級アルキルチオ基、低級アルキルスルホニル基、低級ハ
ロアルキル基、低級ハロアルコキシ基、アルコキシカル
ボニル基、アルコキシカルボニルアルコキシ基、アシル
基、シアノ基、ニトロ基等で置換されたものを示し、置
換されていても良いフェニル基の具体例としては、たと
えば、フェニル、2-メチルフェニル、2-フルオロフェニ
ル、2-クロロフェニル、3-クロロフェニル、3,5-ジクロ
ロ-4- ヒドロキシフェニル、3-トリル、2,5-キシリル、
3-アニシル、3-フェノキシフェニル、3-メチルチオフェ
ニル、2-クロロ-5-(メチルスルホニル) フェニル、2-(
ジフルオロメトキシ) フェニル、3-( トリフルオロメチ
ル) フェニル、3,5-ビス (ジフルオロメトキシ) フェニ
ル、3-メトキシカルボニルフェニル、 3-(1-メトキシカ
ルボニル) エトキシフェニル、3-ニトロフェニル、3-シ
アノフェニル、3-アセチルフェニル、2-クロロ-5- ニト
ロフェニル、3,5-ジクロロフェニル、2-フルオロ-4- ク
ロロフェニル、2,5-ジクロロフェニル、3,5-ジクロロ-4
- メチルフェニル基等を挙げることができる。
【００１７】ハロゲン原子；フッ素、塩素、臭素または
ヨウ素原子を示す。
ヨウ素原子を示す。
【００１８】低級アルキル基；たとえば、メチル、エチ
ル、ｎ- プロピル、イソプロピル、ｎ- ブチル、イソブ
チル、sec-ブチル、 tert-ブチル、ｎ- ペンチル、ネオ
ペンチル、 tert-ペンチル、ヘキシル基等の如き炭素数
１〜６の直鎖又は分岐した低級アルキル基を挙げること
ができる。
ル、ｎ- プロピル、イソプロピル、ｎ- ブチル、イソブ
チル、sec-ブチル、 tert-ブチル、ｎ- ペンチル、ネオ
ペンチル、 tert-ペンチル、ヘキシル基等の如き炭素数
１〜６の直鎖又は分岐した低級アルキル基を挙げること
ができる。
【００１９】低級アルケニル基；たとえば、アリル、２
−メチル−２−プロペニル、２−ブテニル、３−ブテニ
ル、３−メチル−２−ブテニル基等の如き炭素数１〜６
の直鎖又は分岐した低級アルケニル基を挙げることがで
きる。
−メチル−２−プロペニル、２−ブテニル、３−ブテニ
ル、３−メチル−２−ブテニル基等の如き炭素数１〜６
の直鎖又は分岐した低級アルケニル基を挙げることがで
きる。
【００２０】低級アルキニル基；たとえば、２−プロピ
ニル、１−メチル−２−プロピニル、２−ブチニル、３
−ブチニルの如き炭素数１〜６の直鎖又は分岐した低級
アルキニル基を挙げることができる。
ニル、１−メチル−２−プロピニル、２−ブチニル、３
−ブチニルの如き炭素数１〜６の直鎖又は分岐した低級
アルキニル基を挙げることができる。
【００２１】低級アルコキシ基；たとえば、メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ペ
ントキシ基等の如き、前記低級アルキル基をアルキル部
分として含む低級アルコキシ基を挙げることができる。
エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ペ
ントキシ基等の如き、前記低級アルキル基をアルキル部
分として含む低級アルコキシ基を挙げることができる。
【００２２】低級アルキルチオ基；たとえば、メチルチ
オ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブ
チルチオ、ペンチルチオ基等の如き、前記低級アルキル
基をアルキル部分として含む低級アルキルチオ基を挙げ
ることができる。
オ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブ
チルチオ、ペンチルチオ基等の如き、前記低級アルキル
基をアルキル部分として含む低級アルキルチオ基を挙げ
ることができる。
【００２３】低級アルキルスルホニル基；たとえば、メ
チルスルホニル、エチルスルホニル、プロピルスルホニ
ル、イソプロピルスルホニル、ブチルスルホニル、ペン
チルスルホニル基等の如き、前記低級アルキル基をアル
キル部分として含む低級アルキルスルホニル基を挙げる
ことができる。
チルスルホニル、エチルスルホニル、プロピルスルホニ
ル、イソプロピルスルホニル、ブチルスルホニル、ペン
チルスルホニル基等の如き、前記低級アルキル基をアル
キル部分として含む低級アルキルスルホニル基を挙げる
ことができる。
【００２４】低級ハロアルキル基；たとえば、ブロモメ
チル、ジフルオロメチル、ジクロロメチル、クロロジフ
ルオロメチル、トリフルオロメチル、1-クロロエチル、
2-ヨードエチル、3-クロロプロピル、2-メチル-2- クロ
ロプロピル、2,2,2-トリフルオロエチル、1,1,2,2-テト
ラフルオロエチル基等の如き、炭素数１〜４の直鎖又は
分岐した低級ハロアルキル基を挙げることができる。
チル、ジフルオロメチル、ジクロロメチル、クロロジフ
ルオロメチル、トリフルオロメチル、1-クロロエチル、
2-ヨードエチル、3-クロロプロピル、2-メチル-2- クロ
ロプロピル、2,2,2-トリフルオロエチル、1,1,2,2-テト
ラフルオロエチル基等の如き、炭素数１〜４の直鎖又は
分岐した低級ハロアルキル基を挙げることができる。
【００２５】低級ハロアルコキシ基；たとえば、トリフ
ルオロメトキシ、ジフルオロメトキシ、クロロジフルオ
ロメトキシ、2-クロロエトキシ、1,1,2,2-テトラフルオ
ロエトキシ、3-クロロプロポキシ基等の如き、上記ハロ
アルキル基をアルキル部分として含む低級ハロアルコキ
シ基を挙げることができる。
ルオロメトキシ、ジフルオロメトキシ、クロロジフルオ
ロメトキシ、2-クロロエトキシ、1,1,2,2-テトラフルオ
ロエトキシ、3-クロロプロポキシ基等の如き、上記ハロ
アルキル基をアルキル部分として含む低級ハロアルコキ
シ基を挙げることができる。
【００２６】アルコキシカルボニル基；たとえば、メト
キシカルボニル、エトキシカルボニル、イソプロポキシ
カルボニル基等の如き炭素数２〜７程度のアルコキシカ
ルボニル基を挙げることができる。
キシカルボニル、エトキシカルボニル、イソプロポキシ
カルボニル基等の如き炭素数２〜７程度のアルコキシカ
ルボニル基を挙げることができる。
【００２７】アルコキシカルボニルアルコキシ基；たと
えば、メトキシカルボニルメトキシ、 1-(メトキシカル
ボニル) エトキシ、 1-(エトキシカルボニル) エトキ
シ、1-メチル-3-(イソプロポキシカルボニル) プロピル
基等の如き炭素数３〜８程度のアルコキシカルボニルア
ルコキシ基を挙げることができる。
えば、メトキシカルボニルメトキシ、 1-(メトキシカル
ボニル) エトキシ、 1-(エトキシカルボニル) エトキ
シ、1-メチル-3-(イソプロポキシカルボニル) プロピル
基等の如き炭素数３〜８程度のアルコキシカルボニルア
ルコキシ基を挙げることができる。
【００２８】アシル基；たとえば、アセチル、プロピオ
ニル、ブチリル、イソブチリル基等の如きアシル基を挙
げることができる。
ニル、ブチリル、イソブチリル基等の如きアシル基を挙
げることができる。
【００２９】アラルキル基；たとえば、ベンジル、１−
フェニルエチル、２−フェニルエチル、１−メチル−１
−フェニルエチル、１−メチル−２−フェニルエチル、
１−エチル−２−フェニルエチル、３−フェニルプロピ
ル基等を挙げることができる。
フェニルエチル、２−フェニルエチル、１−メチル−１
−フェニルエチル、１−メチル−２−フェニルエチル、
１−エチル−２−フェニルエチル、３−フェニルプロピ
ル基等を挙げることができる。
【００３０】置換されていても良いアラルキル基；「置
換されていてもよいアラルキル基」は、アリール基部分
が上記の如き「置換されていてもよいフェニル基」であ
るアリール基で置換された低級アルキル基であり。例え
ば、（2 −クロロフェニル）メチル、 1−（3 −クロロ
フェニル）エチル、 1−メチル−1 −フェニルエチル、
1−メチル−2 −フェニルエチル、1−エチル−2 −（3
−トリフルオロメチルフェニル）エチル、（2 −ジフ
ルオロメトキシフエニル）メチル基等が挙げられる。
換されていてもよいアラルキル基」は、アリール基部分
が上記の如き「置換されていてもよいフェニル基」であ
るアリール基で置換された低級アルキル基であり。例え
ば、（2 −クロロフェニル）メチル、 1−（3 −クロロ
フェニル）エチル、 1−メチル−1 −フェニルエチル、
1−メチル−2 −フェニルエチル、1−エチル−2 −（3
−トリフルオロメチルフェニル）エチル、（2 −ジフ
ルオロメトキシフエニル）メチル基等が挙げられる。
【００３１】また、上記の基に具体的に示されていない
基は、既に挙げた原子及び基から任意に組み合わせて、
或いは一般的に知られた常識に従って選択される。
基は、既に挙げた原子及び基から任意に組み合わせて、
或いは一般的に知られた常識に従って選択される。
【００３２】これらの置換基のうちで好ましいものはそ
れぞれ、Ｒ1 としては、フェニル基、及び2 位置換のフ
ェニル基、分岐を有する低級アルキル基で、さらに好ま
しくは、フェニル基、2-フルオロフェニル基、2-クロロ
フェニル基、2-メチルフェニル基、イソブチル基であ
る。Ｒ2 として好ましいものは、メチル基、又はエチル
基である。Ｒ3 として好ましいものは、メチル基、エチ
ル基、又はベンジル基である。Ｒ4 、Ｒ5 として好まし
いものはそれぞれ独立してメチル基又はエチル基であ
る。Ｒ6 として好ましいものは、メチル基、又はエチル
基である。
れぞれ、Ｒ1 としては、フェニル基、及び2 位置換のフ
ェニル基、分岐を有する低級アルキル基で、さらに好ま
しくは、フェニル基、2-フルオロフェニル基、2-クロロ
フェニル基、2-メチルフェニル基、イソブチル基であ
る。Ｒ2 として好ましいものは、メチル基、又はエチル
基である。Ｒ3 として好ましいものは、メチル基、エチ
ル基、又はベンジル基である。Ｒ4 、Ｒ5 として好まし
いものはそれぞれ独立してメチル基又はエチル基であ
る。Ｒ6 として好ましいものは、メチル基、又はエチル
基である。
【００３３】
【発明の実施の形態】本発明の方法において原料化合物
として用いられる前記式（II）のβ−ケトエステル類
は、それ自体既知の化合物であり、或いはそれ自体既知
の方法、例えば、Organic Reactions 第1 巻 266頁（19
42年）において開示されているように、対応する2 種の
エステル類の塩基触媒下における縮合反応、いわゆるク
ライゼン縮合反応等の方法により容易に合成できるもの
である。得られるβ−ケトエステル類は精製品として、
或いはクライゼン縮合反応の後処理品から溶媒を留去し
ただけの粗製品のまま本発明の方法に用いることができ
る。クライゼン縮合反応においては、原料化合物の種類
により、エステル部の置換基の異なるケトエステルの混
合物として得られる場合があるが、このような混合物の
使用も本発明に含まれる。
として用いられる前記式（II）のβ−ケトエステル類
は、それ自体既知の化合物であり、或いはそれ自体既知
の方法、例えば、Organic Reactions 第1 巻 266頁（19
42年）において開示されているように、対応する2 種の
エステル類の塩基触媒下における縮合反応、いわゆるク
ライゼン縮合反応等の方法により容易に合成できるもの
である。得られるβ−ケトエステル類は精製品として、
或いはクライゼン縮合反応の後処理品から溶媒を留去し
ただけの粗製品のまま本発明の方法に用いることができ
る。クライゼン縮合反応においては、原料化合物の種類
により、エステル部の置換基の異なるケトエステルの混
合物として得られる場合があるが、このような混合物の
使用も本発明に含まれる。
【００３４】式（II）の化合物の具体例としては、α−
アセチルフエニル酢酸エチルエステル、α−アセチルフ
エニル酢酸メチルエステル、α−アセチル−（2 −フル
オロ）フエニル酢酸エチルエステル等を例示することが
できる。
アセチルフエニル酢酸エチルエステル、α−アセチルフ
エニル酢酸メチルエステル、α−アセチル−（2 −フル
オロ）フエニル酢酸エチルエステル等を例示することが
できる。
【００３５】一般式（III ）の化合物は例えば次のよう
にして製造することができる。
にして製造することができる。
【００３６】
【化８】
【００３７】［式中、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 は前記一般式
（III ）における定義と同じ意味を示す。］ 一般式（III ）の化合物は、一般式（III'）で表わされ
るアミノ酸エステル類とホルマリンを反応させることに
よって得ることが出来る。上記の反応は、適当な溶媒中
または無溶媒で反応させることができ、反応温度は、０
℃から 140℃程度の範囲で任意に設定できる。溶媒を使
用する場合の溶媒としては原料と反応しないものであれ
ば何でも良いが、例えばトルエン、キシレン等の炭化水
素類、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テ
トラヒドロフラン等のエーテル類が例示できる。反応時
間は、設定条件によって変化するが、通常１時間〜１日
で終了させることができる。
（III ）における定義と同じ意味を示す。］ 一般式（III ）の化合物は、一般式（III'）で表わされ
るアミノ酸エステル類とホルマリンを反応させることに
よって得ることが出来る。上記の反応は、適当な溶媒中
または無溶媒で反応させることができ、反応温度は、０
℃から 140℃程度の範囲で任意に設定できる。溶媒を使
用する場合の溶媒としては原料と反応しないものであれ
ば何でも良いが、例えばトルエン、キシレン等の炭化水
素類、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テ
トラヒドロフラン等のエーテル類が例示できる。反応時
間は、設定条件によって変化するが、通常１時間〜１日
で終了させることができる。
【００３８】また式（III'）の化合物に対するホルマリ
ンの使用割合も厳密には制限されないが、通常、式（II
I'）の化合物１モル当たり 1〜5 モル、特に 1.1〜2 モ
ルの範囲内で用いるのが好都合である。
ンの使用割合も厳密には制限されないが、通常、式（II
I'）の化合物１モル当たり 1〜5 モル、特に 1.1〜2 モ
ルの範囲内で用いるのが好都合である。
【００３９】上記反応において原料として使用される式
（III'）のアミノ酸エステル類は，それ自体公知の方
法，あるいはそれに準ずる製造方法によって得ることが
できる。
（III'）のアミノ酸エステル類は，それ自体公知の方
法，あるいはそれに準ずる製造方法によって得ることが
できる。
【００４０】一般式（III ）の化合物はその置換基によ
って異なるが、室温付近では三量体との平衡状態にある
ことが多く、それらの混合物として存在することがあ
り、また場合によっては完全に三量体のみで存在し得
る。これら平衡混合物および三量体も一般式（Ｉ）で示
される化合物の製法に使用することができるが、本記載
中においては記載簡潔のため、これらの化合物の呼び名
は単量体の名前で代表するものとする。
って異なるが、室温付近では三量体との平衡状態にある
ことが多く、それらの混合物として存在することがあ
り、また場合によっては完全に三量体のみで存在し得
る。これら平衡混合物および三量体も一般式（Ｉ）で示
される化合物の製法に使用することができるが、本記載
中においては記載簡潔のため、これらの化合物の呼び名
は単量体の名前で代表するものとする。
【００４１】ホルマリン以外にトリオキサン、パラホル
ムアルデヒドを用いることもできる。水の残留は本発明
に対し悪影響を及ぼすので、アミン類に対しホルムアル
テヒドを反応させた後、生成物に含まれている水を分離
させてから本発明に用いる。イミン類は溶液のまま用い
ることができ、単離する必要はない。従って、本発明の
方法はアミン類から始めて単−の反応器（ワン・ポット
プロセス）で連続的に行うことができる。しかしなが
ら、あえて分離、精製する場合は、それ自体既知の方
法、例えば、抽出、蒸留、再結晶、クロマトグラフィー
等により行うことができる。
ムアルデヒドを用いることもできる。水の残留は本発明
に対し悪影響を及ぼすので、アミン類に対しホルムアル
テヒドを反応させた後、生成物に含まれている水を分離
させてから本発明に用いる。イミン類は溶液のまま用い
ることができ、単離する必要はない。従って、本発明の
方法はアミン類から始めて単−の反応器（ワン・ポット
プロセス）で連続的に行うことができる。しかしなが
ら、あえて分離、精製する場合は、それ自体既知の方
法、例えば、抽出、蒸留、再結晶、クロマトグラフィー
等により行うことができる。
【００４２】式（III ）の化合物として、具体的には、
2-(N-メチレンアミノ)-2-メチルプロピオン酸メチル、
2-(N-メチレンアミノ)-2-メチルプロピオン酸エチル、
2-(N-メチレンアミノ)-2-メチルプロピオン酸ベンジ
ル、 2-(N-メチレンアミノ)-2-メチル酪酸メチル、 2-
(N-メチレンアミノ)-2-メチル酪酸エチル、 2-(N-メチ
レンアミノ)-2-メチル酪酸ベンジル、 2-(N-メチレンア
ミノ)-2-メチル酪酸メチル等を例示することができる。
2-(N-メチレンアミノ)-2-メチルプロピオン酸メチル、
2-(N-メチレンアミノ)-2-メチルプロピオン酸エチル、
2-(N-メチレンアミノ)-2-メチルプロピオン酸ベンジ
ル、 2-(N-メチレンアミノ)-2-メチル酪酸メチル、 2-
(N-メチレンアミノ)-2-メチル酪酸エチル、 2-(N-メチ
レンアミノ)-2-メチル酪酸ベンジル、 2-(N-メチレンア
ミノ)-2-メチル酪酸メチル等を例示することができる。
【００４３】本発明において用いる式（II）のβ−ケト
エステル類と式（III ）のイミン類の使用割合は特に制
限されるものではなく、これら化合物の種類や反応条件
等に応じて広い範囲から選択することができるが、経済
的な観点から通常はイミン類1 モルに対してβ−ケトエ
ステル類を 0.5〜2 モル、好ましくは 0.8〜1.2 モルの
範囲内で用いることができる。
エステル類と式（III ）のイミン類の使用割合は特に制
限されるものではなく、これら化合物の種類や反応条件
等に応じて広い範囲から選択することができるが、経済
的な観点から通常はイミン類1 モルに対してβ−ケトエ
ステル類を 0.5〜2 モル、好ましくは 0.8〜1.2 モルの
範囲内で用いることができる。
【００４４】本発明において、原料化合物の反応器への
投入順序は特に制限されない。
投入順序は特に制限されない。
【００４５】本発明の方法は溶媒の存在下もしくは不存
在下で実施することができる。使用する溶媒は原料化合
物を溶解し、かつ原料化合物と反応しないものであれば
何でもよいが、特に、芳香族系もしくは脂肪族系炭化水
素溶媒が好適である。具体的には、トルエン、キシレ
ン、エチルベンゼン、メシチレン、オクタン、ノナン、
デカン等およびこれらの混合炭化水素溶媒を例示するこ
とができる。
在下で実施することができる。使用する溶媒は原料化合
物を溶解し、かつ原料化合物と反応しないものであれば
何でもよいが、特に、芳香族系もしくは脂肪族系炭化水
素溶媒が好適である。具体的には、トルエン、キシレ
ン、エチルベンゼン、メシチレン、オクタン、ノナン、
デカン等およびこれらの混合炭化水素溶媒を例示するこ
とができる。
【００４６】本発明においては、反応の進行に伴い、原
料のケトエステルのエステル部のアルコールが遊離す
る。このアルコールを反応混合物より連続的又は間欠的
に除去することにより、反応を効率的に進めることがで
きる。アルコールを効率的に除去する方法としては、例
えば、溶媒中のアルコールを選択的に吸着できる物質、
例えばモレキュラーシーブス等のゼオライト類、塩化カ
ルシウム等の無機塩類を用いる方法、不活性ガスを反応
器内に流通させて除去する方法、溶媒を用いる場合には
溶媒とともに共沸的にアルコールを除去する方法等が有
効である。
料のケトエステルのエステル部のアルコールが遊離す
る。このアルコールを反応混合物より連続的又は間欠的
に除去することにより、反応を効率的に進めることがで
きる。アルコールを効率的に除去する方法としては、例
えば、溶媒中のアルコールを選択的に吸着できる物質、
例えばモレキュラーシーブス等のゼオライト類、塩化カ
ルシウム等の無機塩類を用いる方法、不活性ガスを反応
器内に流通させて除去する方法、溶媒を用いる場合には
溶媒とともに共沸的にアルコールを除去する方法等が有
効である。
【００４７】本発明の方法を実施する場合の反応温度範
囲としては、一般に、80〜250 ℃、好ましくは 100〜18
0 ℃の範囲を例示することかできるが、実際的には用い
る溶媒の還流温度および圧力により規定される。
囲としては、一般に、80〜250 ℃、好ましくは 100〜18
0 ℃の範囲を例示することかできるが、実際的には用い
る溶媒の還流温度および圧力により規定される。
【００４８】本発明の方法を実施する場合の圧力には特
に制限はなく、上記の反応温度が維持できればよい。例
えば無溶媒条件において減圧下で反応を行うことによ
り、先に述べたアルコールの除去を効率的に進めること
ができる。また、溶媒の存在下において加圧下で反応さ
せることにより、常圧では沸点が低すぎる溶媒を所望の
反応温度で用いることもできる。
に制限はなく、上記の反応温度が維持できればよい。例
えば無溶媒条件において減圧下で反応を行うことによ
り、先に述べたアルコールの除去を効率的に進めること
ができる。また、溶媒の存在下において加圧下で反応さ
せることにより、常圧では沸点が低すぎる溶媒を所望の
反応温度で用いることもできる。
【００４９】反応時間は 1〜100 時間程度であり、通常
は 2〜20時間で完結させることができる。
は 2〜20時間で完結させることができる。
【００５０】生成する式（Ｉ）の化合物の反応混合物か
らの分離、精製はそれ自体既知の方法、例えば、抽出、
再結晶、クロマトグラフイー等により精製することがで
きる。
らの分離、精製はそれ自体既知の方法、例えば、抽出、
再結晶、クロマトグラフイー等により精製することがで
きる。
【００５１】本発明の方法により製造される前記式
（Ｉ）の化合物は、それ自身除草活性を持ち、さらに、
顕著な選択的除草活性を有し、有用作物に対して薬害を
与えることなく種々の雑草に対して極めて低い薬量で優
れた除草活性を発揮する除草剤（IV）
（Ｉ）の化合物は、それ自身除草活性を持ち、さらに、
顕著な選択的除草活性を有し、有用作物に対して薬害を
与えることなく種々の雑草に対して極めて低い薬量で優
れた除草活性を発揮する除草剤（IV）
【００５２】
【化９】
【００５３】［式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ4 、Ｒ5 は、式
（Ｉ）と同じ基を、Ｒ6 、Ｙは適当な置換基を示す。］
の中間体として有用である。（国際特許公開 WO 95/181
13(1995年７月６日公開) 参照。）
（Ｉ）と同じ基を、Ｒ6 、Ｙは適当な置換基を示す。］
の中間体として有用である。（国際特許公開 WO 95/181
13(1995年７月６日公開) 参照。）
【００５４】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はこれらの実施例の範囲に限定され
るものではない。
説明するが、本発明はこれらの実施例の範囲に限定され
るものではない。
【００５５】実施例１ 2-(N-メチレンアミノ)-2-メチルプロピオン酸エチル 0.
79g（5.5 mmol）、2-フェニルアセト酢酸エチル 1.03g
（5 mmol）、キシレン20mlの混合物を加熱し、溶媒を徐
々に留去しながら10時間反応を行った（最終留出量約10
ml）。溶媒を減圧留去した後、反応混合物をシリカゲル
クロマトグラフィーで精製し、2-メチル-2-(6-メチル-5
- フェニル-2,3- ジヒドロ-4- オキソ-4H-1,3-オキサジ
ン-3- イル) プロピオン酸エチル 1.04g（3.4 mmol）を
得た。
79g（5.5 mmol）、2-フェニルアセト酢酸エチル 1.03g
（5 mmol）、キシレン20mlの混合物を加熱し、溶媒を徐
々に留去しながら10時間反応を行った（最終留出量約10
ml）。溶媒を減圧留去した後、反応混合物をシリカゲル
クロマトグラフィーで精製し、2-メチル-2-(6-メチル-5
- フェニル-2,3- ジヒドロ-4- オキソ-4H-1,3-オキサジ
ン-3- イル) プロピオン酸エチル 1.04g（3.4 mmol）を
得た。
【００５６】単離直後は油状であったが、その後ロウ状
固体となった。
固体となった。
【００５７】融点；49-53 ℃1 H-NMR （300MHz）δ［ppm ］（溶媒CDCl3 ， TMS = 0
ppm）；1.22 (t, 3H), 1.55 (s, 6H), 1.91 (s, 3H),
4.15 (q, 2H), 5.27 (s, 2H),7.21-7.38 (m, 5H) 実施例２ 2-(N-メチレンアミノ)-2-メチルプロピオン酸エチル 1.
43g（10mmol）、2-フェニルアセト酢酸メチル 1.92g（1
0mmol）、キシレン60mlの混合物を、還流溶媒がモレキ
ュラーシーブス５Ａ（28g ）を詰めたカラムを通るよう
にして、8 時間加熱還流した。溶媒を減圧留去した後、
反応混合物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製し、
2-メチル-2-(6-メチル-5- フェニル-2,3- ジヒドロ-4-
オキソ-4H-1,3-オキサジン-3- イル) プロピオン酸エチ
ル 2.35g（7.7mmol ）を得た。
ppm）；1.22 (t, 3H), 1.55 (s, 6H), 1.91 (s, 3H),
4.15 (q, 2H), 5.27 (s, 2H),7.21-7.38 (m, 5H) 実施例２ 2-(N-メチレンアミノ)-2-メチルプロピオン酸エチル 1.
43g（10mmol）、2-フェニルアセト酢酸メチル 1.92g（1
0mmol）、キシレン60mlの混合物を、還流溶媒がモレキ
ュラーシーブス５Ａ（28g ）を詰めたカラムを通るよう
にして、8 時間加熱還流した。溶媒を減圧留去した後、
反応混合物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製し、
2-メチル-2-(6-メチル-5- フェニル-2,3- ジヒドロ-4-
オキソ-4H-1,3-オキサジン-3- イル) プロピオン酸エチ
ル 2.35g（7.7mmol ）を得た。
【００５８】実施例３ 2-(N-メチレンアミノ)-2-メチルプロピオン酸ベンジル
2.26g（11mmol）、2-フェニルアセト酢酸エチル 2.06g
（10mmol）、キシレン25mlの混合物を加熱し、還流溶媒
がモレキュラーシーブス４Ａ（4.4g）を詰めたカラムを
通るようにして、12時間加熱還流した。溶媒を減圧留去
した後、反応混合物をシリカゲルクロマトグラフィーで
精製し、油状の2-メチル-2-(6-メチル-5- フェニル-2,3
- ジヒドロ-4- オキソ-4H-1,3-オキサジン-3- イル) プ
ロピオン酸ベンジル2.48g （6.8mmol ）を得た。
2.26g（11mmol）、2-フェニルアセト酢酸エチル 2.06g
（10mmol）、キシレン25mlの混合物を加熱し、還流溶媒
がモレキュラーシーブス４Ａ（4.4g）を詰めたカラムを
通るようにして、12時間加熱還流した。溶媒を減圧留去
した後、反応混合物をシリカゲルクロマトグラフィーで
精製し、油状の2-メチル-2-(6-メチル-5- フェニル-2,3
- ジヒドロ-4- オキソ-4H-1,3-オキサジン-3- イル) プ
ロピオン酸ベンジル2.48g （6.8mmol ）を得た。
【００５９】融点； 油状1 H-NMR （300MHz）δ［ppm ］（溶媒CDCl3 ，TMS = 0 p
pm ） １．５８ （ｓ， ６Ｈ）， １．９０ （ｓ， ３
Ｈ）， ５．１１ （ｓ， ２Ｈ）， ５．２５
（ｓ， ２Ｈ）， ７．２０−７．３８ （ｍ， １０
Ｈ）
pm ） １．５８ （ｓ， ６Ｈ）， １．９０ （ｓ， ３
Ｈ）， ５．１１ （ｓ， ２Ｈ）， ５．２５
（ｓ， ２Ｈ）， ７．２０−７．３８ （ｍ， １０
Ｈ）
【００６０】
【発明の効果】本発明の製造方法により、安価な原料を
用い、不安定な中間体を経由すること無く、経済的かつ
工業的に実施容易な態様で、下記一般式（Ｉ）
用い、不安定な中間体を経由すること無く、経済的かつ
工業的に実施容易な態様で、下記一般式（Ｉ）
【００６１】
【化１０】
【００６２】［式中、Ｒ１ は低級アルキル基、低級ア
ルケニル基、低級アルキニル基、置換されていても良い
フェニル基又は、置換されていても良いアラルキル基を
示す。Ｒ2 は低級アルキル基を示す。Ｒ3 は低級アルキ
ル基、又はアラルキル基を示す。Ｒ4 、Ｒ5 は互いに独
立して低級アルキル基を示す。］で示される1,3-オキサ
ジン-4- オン誘導体を製造することができる。
ルケニル基、低級アルキニル基、置換されていても良い
フェニル基又は、置換されていても良いアラルキル基を
示す。Ｒ2 は低級アルキル基を示す。Ｒ3 は低級アルキ
ル基、又はアラルキル基を示す。Ｒ4 、Ｒ5 は互いに独
立して低級アルキル基を示す。］で示される1,3-オキサ
ジン-4- オン誘導体を製造することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 郷 敦 茨城県稲敷郡阿見町中央８−３−１ ロー ヌ・プーラン油化アグロ株式会社阿見研究 所内
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式（II） 【化１】 ［式中、Ｒ1 は低級アルキル基、低級アルケニル基、低
級アルキニル基、置換されていても良いフェニル基又
は、置換されていても良いアラルキル基を示す。Ｒ2 は
低級アルキル基を示す。Ｒ6 は低級アルキル基を示
す。］で示される化合物と、下記一般式（III ） 【化２】 ［式中、Ｒ3 は低級アルキル基、又はアラルキル基を示
す。Ｒ4 、Ｒ5 は互いに独立して低級アルキル基を示
す。］で表わされるN-メチレンアミノ酸エステル誘導体
を反応させることを特徴とする、下記一般式（Ｉ） 【化３】 ［式中、Ｒ1 は低級アルキル基、低級アルケニル基、低
級アルキニル基、置換されていても良いフェニル基又
は、置換されていても良いアラルキル基を示す。Ｒ2 は
低級アルキル基を示す。Ｒ3 は低級アルキル基、又はア
ラルキル基を示す。Ｒ4 、Ｒ5 は互いに独立して低級ア
ルキル基を示す。］で示される1,3-オキサジン-4- オン
誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29542795A JPH09136879A (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | １，３−オキサジン−４−オン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29542795A JPH09136879A (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | １，３−オキサジン−４−オン誘導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09136879A true JPH09136879A (ja) | 1997-05-27 |
Family
ID=17820469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29542795A Pending JPH09136879A (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | １，３−オキサジン−４−オン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09136879A (ja) |
-
1995
- 1995-11-14 JP JP29542795A patent/JPH09136879A/ja active Pending
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