JPH09136259A - Wafer pressure adhesion method and device therefor - Google Patents

Wafer pressure adhesion method and device therefor

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JPH09136259A
JPH09136259A JP30000695A JP30000695A JPH09136259A JP H09136259 A JPH09136259 A JP H09136259A JP 30000695 A JP30000695 A JP 30000695A JP 30000695 A JP30000695 A JP 30000695A JP H09136259 A JPH09136259 A JP H09136259A
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JP
Japan
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wafer
pressing
pressed
press
wax
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JP30000695A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiro Sei
和博 清
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Newly Corp
Original Assignee
Newly Corp
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To secure proper surface finishing precision so as to improve quality by surely bringing the whole surface of a wafer into close adhesion with a wafer adhesion body. SOLUTION: A wafer 30 is placed on the surface of a wafer adhesion body 22 via a pressure adhesive agent 31 such as wax so as to be pressed onto the wafer adhesion body 22 side, so that the wafer 30 is pushing pressed against the wafer adhesion body 22. In this process, an approximately center part 30a, where the pressure adhesive agent 31 is positioned in the wafer 30 placed on the wafer adhesion body 22, is pressed partially at first, and then, other outer circumference part 30b is pushingly pressed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、薄板状のウエハを
研磨機で研磨して仕上げる際に、ウエハ全面を研磨機に
セットされるウエハ接着体に密着させることができるよ
うにしたウエハの圧着方法及びその装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pressure bonding of a wafer, which is capable of adhering the entire surface of a wafer to a wafer bonding body set in the polishing machine when the thin plate-shaped wafer is polished and finished by a polishing machine. A method and an apparatus thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、IC用のウエハは、単結晶のもの
を薄くスライスした後に、その表面を研磨機により研磨
して仕上げられるのが一般的である。この研磨作業を行
う際には、その前処理として、ウエハの裏面にワックス
を適量塗布すると共に、セラミック円板を加熱装置で加
熱した後に、セラミック円板にワックスを介してウエハ
を載置する。セラミック円板22の熱により、ワックスを
液状に溶解させた後に、押圧手段でウエハをセラミック
円板に押圧することにより、密着状態に接着させてい
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, an IC wafer is generally finished by thinly slicing a single crystal and polishing the surface by a polishing machine. When performing this polishing operation, as a pretreatment, an appropriate amount of wax is applied to the back surface of the wafer, the ceramic disc is heated by a heating device, and then the wafer is placed on the ceramic disc via the wax. The wax is melted in a liquid state by the heat of the ceramic disk 22, and then the wafer is pressed against the ceramic disk by the pressing means to adhere the wafer in a close contact state.

【0003】そして、ウエハが密着されたセラミック円
板を研磨機の所定の位置にセットし、ウエハの表面を研
磨している。尚、ウエハの研磨される表面は、ICの品
質を向上すべく高い精度の平面度が要求されており、高
い精度を得るには、ウエハ全面をセラミック円板に完全
に密着させる必要がある。
Then, the ceramic disk on which the wafer is closely attached is set at a predetermined position of a polishing machine to polish the surface of the wafer. The surface to be polished of the wafer is required to have a high degree of flatness in order to improve the quality of the IC, and in order to obtain a high degree of precision, the entire surface of the wafer needs to be completely adhered to the ceramic disc.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の手段は、ウエハの全面を同時に押圧していることか
ら、ウエハの中央部分にあった液状のワックス又は空気
が、ウエハの径外方向に押し出されることなく、ウエハ
とセラミック円板との間に残存して密封され、その結
果、薄肉のウエハが部分的に膨らんでしまう欠点があっ
た。
However, since the above-mentioned conventional means simultaneously presses the entire surface of the wafer, the liquid wax or air in the central portion of the wafer is pushed out in the radial direction of the wafer. However, there is a drawback that the thin wafer remains partially swelled between the wafer and the ceramic disk and is sealed as a result.

【0005】この結果、研磨機が高精度のものであって
も、ウエハがセラミック円板に対して膨らんでいるた
め、ウエハの表面精度が悪くなり、品質の低下を招来す
るという欠点があった。
As a result, even if the polishing machine has a high precision, since the wafer is bulged with respect to the ceramic disk, the surface precision of the wafer is deteriorated, and the quality is deteriorated. .

【0006】上記本発明は、上記の如き従来の問題点に
鑑みてなされたもので、ウエハの全面をウエハ接着体に
確実に密着させることにより、その表面仕上げの精度を
良好にすることができ、品質の向上を図ることを課題と
する。
The present invention has been made in view of the conventional problems as described above, and the surface finishing accuracy can be improved by surely adhering the entire surface of the wafer to the wafer bonded body. , The challenge is to improve quality.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明が上記課題を解決
するためにウエハの圧着方法及びその装置としてなされ
たもので、ウエハの圧着方法としての特徴は、ウエハ接
着体22の表面に、ワックス等の圧着剤31を介してウエハ
30を載置し、該ウエハ30を、ウエハ接着体22側に押圧す
ることにより、該ウエハ接着体22に密着するようにした
ウエハの圧着方法において、最初にウエハ接着体22に載
置されたウエハ30における圧着剤31の位置する略中央部
分30a を部分的に押圧し、その後に、他の外周部分30b
を押圧することにある。
The present invention has been made as a method and apparatus for pressure bonding a wafer in order to solve the above problems. The characteristic of the method for pressure bonding a wafer is that the surface of the wafer adhesive 22 is covered with wax. Wafer through pressure-sensitive adhesive 31 such as
In the wafer pressure bonding method in which 30 is placed and the wafer 30 is pressed against the wafer adhesive 22 side so as to be in close contact with the wafer adhesive 22, the wafer 30 is first placed on the wafer adhesive 22. The substantially central portion 30a of the wafer 30 where the pressure-sensitive adhesive 31 is located is partially pressed, and then the other outer peripheral portion 30b is pressed.
Is to press.

【0008】また、ウエハの圧着装置としての特徴は、
ワックス等の圧着剤31を介してウエハ30が載置されるウ
エハ接着体22が着脱自在に設けられる保持手段21と、該
保持手段21に保持されたウエハ接着体22のウエハ30を、
該ウエハ接着体22側に押圧する押圧手段とを備えたウエ
ハの圧着装置において、前記押圧手段はウエハ30の略中
央部分30aを押圧する中央押圧手段12と、該中央押圧手
段12に押圧されたウエハ30の中央部分よりも外周部分30
bを押圧するための外周部分押圧手段18とが設けられて
なることにある。
The characteristic of the wafer crimping device is as follows.
A holding means 21 in which a wafer adhesive 22 on which a wafer 30 is placed via a pressure-sensitive adhesive 31 such as wax is detachably provided, and a wafer 30 of the wafer adhesive 22 held by the holding means 21
In the wafer pressure bonding apparatus having a pressing means for pressing the wafer bonded body 22, the pressing means is pressed by the central pressing means 12 for pressing the substantially central portion 30a of the wafer 30 and the central pressing means 12. The outer peripheral portion 30 of the wafer 30 rather than the central portion
The outer peripheral part pressing means 18 for pressing b is provided.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面に従って説明する。図1〜図4は本発明の第1実
施の形態を示し、1はウエハ圧着装置で、その機台3に
は、左右一対の支柱4と両支柱部4間に架設された天板
5とから門型に形成された支持フレーム6が立設されて
いる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 4 show a first embodiment of the present invention, in which 1 is a wafer pressure bonding apparatus, and a machine base 3 thereof has a pair of left and right columns 4 and a top plate 5 installed between both columns 4. A support frame 6 formed in a gate shape is provided upright.

【0010】天板5には、複数の貫通孔8が円状に間隔
を有して穿設され(本実施の形態では等間隔に4箇所に
形成されている。)、各貫通孔8には断面円形のプレス
ロッド10が上下方向に挿通されている。各プレスロッド
10の上端には円板体11が固定され、ここに、円板体11を
昇降させることにより、各プレスロッド10を同時に上下
方向に摺動させることができる。
A plurality of through holes 8 are formed in the top plate 5 at intervals in a circular shape (in this embodiment, four through holes 8 are formed at equal intervals). A press rod 10 having a circular cross section is vertically inserted. Each press rod
A disc body 11 is fixed to the upper end of 10, and the press rods 10 can be simultaneously slid in the vertical direction by moving the disc body 11 up and down.

【0011】13は前記支持フレーム6の天板5の上面5a
に上方向きに取付けられたプレスロッドシリンダーで、
そのロッド13a は前記円板体11の中心に固定され、該ロ
ッド13a の出退により円板体11を昇降させることができ
る。尚、各プレスロッド10及、円板体11及びプレスロッ
ドシリンダー13により、中央押圧手段12が構成されてい
る。
Reference numeral 13 denotes an upper surface 5a of the top plate 5 of the support frame 6.
With a press rod cylinder mounted upward on
The rod 13a is fixed to the center of the disc body 11, and the disc body 11 can be moved up and down by moving the rod 13a back and forth. The press rods 10, the disc body 11 and the press rod cylinders 13 constitute a central pressing means 12.

【0012】15は前記プレスロッドシリンダー13と同軸
心状で且つ天板5の下面5bに下向きに取付けられたプレ
ス円板用シリンダーで、そのロッド15a の下端には球面
軸受け16を介してプレス用円板17の中心部が取付けられ
ている。該プレス用円板17には前記プレスロッド10の下
端部が挿入される逃がし孔19がそれぞれ形成され、プレ
ス用円板17はプレスロッド10とは無関係に昇降自在であ
る。20は弾性体としてのプレスゴムシートで、各逃がし
孔19を閉塞するようにプレス用円板17の下面全面にわた
って固着されている。尚、プレス円板用シリンダー15、
プレス用円板17及びプレスゴムシート20により、外周部
分押圧手段18が構成されている。
Reference numeral 15 is a cylinder for a press disk which is coaxial with the press rod cylinder 13 and which is attached downwardly to the lower surface 5b of the top plate 5. The center of the disc 17 is attached. Relief holes 19 into which the lower ends of the press rods 10 are inserted are formed in the press discs 17, and the press discs 17 can be raised and lowered independently of the press rods 10. Reference numeral 20 denotes a press rubber sheet as an elastic body, which is fixed over the entire lower surface of the pressing disk 17 so as to close each escape hole 19. In addition, the cylinder for press disk 15,
The press disk 17 and the press rubber sheet 20 constitute an outer peripheral portion pressing means 18.

【0013】21はウエハ30が載置されるウエハ接着体と
してのセラミック円板22を着脱自在に保持するための引
出し(保持手段)で、セラミック円板22をプレス用円板
17の下方に位置させる押圧位置と、セラミック円板22が
着脱可能な引出し位置とに出退自在である。23は引出し
21の中央に形成された円形の開口で、セラミック円板22
を保持した際にセラミック円板22の下面が露出するよう
になっている。
Reference numeral 21 is a drawer (holding means) for detachably holding a ceramic disk 22 as a wafer adhesive body on which the wafer 30 is placed, and the ceramic disk 22 is a pressing disk.
It can be moved back and forth between a pressing position located below 17 and a pull-out position where the ceramic disc 22 is detachable. 23 is a drawer
With a circular opening formed in the center of 21, the ceramic disc 22
The lower surface of the ceramic circular plate 22 is exposed when is held.

【0014】24はコントロールボックスで、該コントロ
ールボックス24には前記プレスロッドシリンダー13及び
プレス円板用シリンダー15の押圧力を設定する調整ダイ
アル25と、押圧時間調整ダイアル26とがそれぞれ設けら
れている。
Reference numeral 24 is a control box, and the control box 24 is provided with an adjusting dial 25 for setting the pressing force of the press rod cylinder 13 and the press disk cylinder 15 and a pressing time adjusting dial 26, respectively. .

【0015】28は前記加熱されたセラミック円板22を冷
却させるための冷却手段で、前記引出し21が収納された
際に、セラミック円板22の下面22a に接触するように、
該引出し21の下方に設けられている。尚、冷却の手段と
しては、例えば冷却水を図示省略のポンプにより循環さ
せる。また、前記引出し21にセラミック円板22は、スプ
リングにより支持され、プレス用円板17での押圧時に、
その押圧力で冷却手段28に押圧されるようになってい
る。
Reference numeral 28 denotes a cooling means for cooling the heated ceramic disc 22 so that when the drawer 21 is housed, it contacts the lower surface 22a of the ceramic disc 22.
It is provided below the drawer 21. As a cooling means, for example, cooling water is circulated by a pump (not shown). Further, the ceramic disk 22 in the drawer 21 is supported by a spring, when pressed by the pressing disk 17,
The cooling force is pressed by the pressing force.

【0016】本発明の実施の形態は上記構成からなり、
次に上記装置を使用してウエハ30をセラミック円板22に
圧着させる場合について説明する。
An embodiment of the present invention has the above-mentioned configuration,
Next, a case where the wafer 30 is pressure-bonded to the ceramic disk 22 using the above apparatus will be described.

【0017】先ず、セラミック円板22を例えば略80°C
に加熱すると共に、ウエハ30の裏面全面又は中央部分30
a にワックス31を適量塗布し、紙で均一となるように紙
でふく。そして、加熱されたセラミック円板22の表面22
bに複数枚のウエハ30を載置し、セラミック円板22の熱
によりワックス31を液状に溶解させる。
First, the ceramic disc 22 is set to, for example, about 80 ° C.
The entire back surface of the wafer 30 or the central portion 30
Apply an appropriate amount of wax 31 to a and wipe with a paper evenly. And the surface 22 of the heated ceramic disc 22
A plurality of wafers 30 are placed on b, and the wax 31 is melted in a liquid state by the heat of the ceramic disk 22.

【0018】次に、該セラミック円板22を引き出された
引出し21にセットし、押圧位置まで押し込む。更に、押
圧力及び押圧時間の設定されたプレスロッドシリンダー
13を作動させると、先ずプレスロッド10が下降し、上昇
位置にあるプレス用円板17のプレスゴムシート21を介し
て、各ウエハ30の中央部分30aをセラミック円板22に押
圧する。このため、ワックス31はウエハ30の中心から径
外方向に広がるが、ウエハ30の外周部分30bが押圧され
ておらず開放されていることから、ワックス31及び空気
は滞留して密封されることなくウエハ30の径外方向に広
がることとなる。
Next, the ceramic disk 22 is set in the drawer 21 that has been pulled out, and is pushed in to the pressing position. Furthermore, a press rod cylinder with a set pressing force and pressing time
When 13 is actuated, the press rod 10 first descends and presses the central portion 30a of each wafer 30 against the ceramic disc 22 via the press rubber sheet 21 of the press disc 17 in the raised position. Therefore, the wax 31 spreads radially outward from the center of the wafer 30, but since the outer peripheral portion 30b of the wafer 30 is not pressed and is open, the wax 31 and air do not stay and are not sealed. The wafer 30 spreads outward in the radial direction.

【0019】また、プレスロッド10は、プレスゴムシー
ト21を介してウエハ30を押圧するため、押圧時の衝撃で
ウエハ30を破損したり、傷つけたりするおそれはない。
Further, since the press rod 10 presses the wafer 30 via the press rubber sheet 21, there is no risk of damaging or damaging the wafer 30 by the impact at the time of pressing.

【0020】所定の時間プレスロッド10がウエハ30の中
央部分30aを押圧した後に、プレス円板用シリンダー15
が作動し、プレス用円板17を下降させるため、該プレス
用円板17は4枚のウエハ30の全面を同時に均等に押圧す
ることとなり、プレス用円板17の押圧力により、ウエハ
30の中央部分から広げられたワックス31は、まんべんな
くウエハ30の全面に行きわたり、ウエハ30の全面をセラ
ミック円板22に完全に密着させることできる。
After the press rod 10 presses the central portion 30a of the wafer 30 for a predetermined time, the press disk cylinder 15
Are activated to lower the pressing disc 17, the pressing disc 17 simultaneously and evenly presses the entire surfaces of the four wafers 30, and the pressing force of the pressing disc 17 causes the wafers to be pressed.
The wax 31 spread from the central portion of the wafer 30 evenly spreads over the entire surface of the wafer 30, and the entire surface of the wafer 30 can be completely adhered to the ceramic disk 22.

【0021】尚、このプレス用円板17でのウエハ30の押
圧時には、プレスロッド10がウエハ30を押圧しているの
が好ましいが、プレスロッド10は上方に後退してウエハ
30から離間していても同等の効果を得ることができる場
合には、各プレスロッド10を上昇させておいても良い。
It is preferable that the press rod 10 presses the wafer 30 when the wafer 30 is pressed by the pressing disk 17, but the press rod 10 is retracted upward to move the wafer 30.
Each press rod 10 may be raised if the same effect can be obtained even if the press rods 10 are separated from each other.

【0022】また、前記プレスロッド10及びプレス用円
板17が、セラミック円板22を冷却水が循環されている冷
却手段28に接触させ、セラミック円板22が迅速に冷却さ
れる。セラミック円板22が所定の温度まで冷却される
と、再び引出し21を引出してセラミック円板22を取り出
す。次に、セラミック円板22は研磨機の所定の位置にセ
ットされ、各ウエハ30の表面が研磨される。尚、研磨作
業後には、各ウエハ30はセラミック円板22から剥離さ
れ、更に、新たなウエハ30が前記同様にセラミック円板
22に載置されることとなる。
Further, the press rod 10 and the pressing disk 17 bring the ceramic disk 22 into contact with the cooling means 28 in which cooling water is circulated, so that the ceramic disk 22 is rapidly cooled. When the ceramic disc 22 is cooled to a predetermined temperature, the drawer 21 is pulled out again and the ceramic disc 22 is taken out. Next, the ceramic disk 22 is set at a predetermined position of the polishing machine, and the surface of each wafer 30 is polished. After the polishing work, each wafer 30 is separated from the ceramic disk 22, and a new wafer 30 is further removed from the ceramic disk 22 as described above.
It will be placed on 22.

【0023】図5は本発明の第2実施の形態を示し、前
記第1実施の形態が各ウエハ30を複数のプレスロッド10
で同時に連動して押圧する構成であったが、本実施の形
態は、各ウエハ30毎に押圧するようにしたものである。
即ち、プレス用円板17の下面には、それぞれのプレスロ
ッドシリンダー13に連結された各プレスロッド10と同軸
芯状に平面視円形の加圧用ヘッド33が設けられ、該加圧
用ヘッド33の中心には、下面が開口する収納凹部34が形
成されている。
FIG. 5 shows a second embodiment of the present invention. In the first embodiment, each wafer 30 is attached to a plurality of press rods 10.
In the present embodiment, the pressing is performed for each wafer 30.
That is, on the lower surface of the pressing disk 17, there is provided a pressing head 33 having a circular shape in plan view coaxially with each press rod 10 connected to each press rod cylinder 13, and the center of the pressing head 33. A storage recess 34 having an opening on the lower surface is formed therein.

【0024】35は該収納凹部34内に収納され且つ前記プ
レスロッド10の下面に固定された押圧部である。36は弾
性体としてのゴムカバーで、その周壁36に設けられた内
周突起37が、加圧用ヘッド33の側周に形成された嵌入溝
38に嵌入されている。また、ゴムカバー36の内面の中央
部分には、環状の係合突起40が形成され、該係合突起40
は前記押圧部35の側面に嵌合されている。39はプレスロ
ッド10の側周10aに外嵌されている環状のゴムカバー押
さえである。
Reference numeral 35 is a pressing portion housed in the housing recess 34 and fixed to the lower surface of the press rod 10. Reference numeral 36 is a rubber cover as an elastic body, and an inner peripheral projection 37 provided on the peripheral wall 36 of the rubber cover is a fitting groove formed on the side periphery of the pressing head 33.
Fitted in 38. An annular engagement protrusion 40 is formed at the center of the inner surface of the rubber cover 36.
Is fitted to the side surface of the pressing portion 35. Reference numeral 39 is an annular rubber cover retainer fitted on the side circumference 10a of the press rod 10.

【0025】本発明は上記実施形態に限定されるもので
はなく、例えば、ワックス31はウエハ30側に塗布した場
合を例示したが、セラミック円板22側に塗布しても、ま
たは、両者ウエハ30及びセラミック円板22に塗布するこ
ともできる。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, the case where the wax 31 is applied to the side of the wafer 30 is illustrated, but the wax 31 may be applied to the side of the ceramic disk 22 or both wafers 30. It can also be applied to the ceramic disk 22.

【0026】また、ウエハ30をセラミック円板22に圧着
する圧着剤としてはワックス以外に液状の圧着剤をマイ
クロカプセルに封入し、該マイクロカプセルをウエハ30
及び又はセラミック円板22に塗布し、プレスロッド10の
押圧力によりマイクロカプセルを破損して圧着剤を出す
ようにしても良い。尚、この場合には、加熱装置でセラ
ミック円板22を加熱する作業や、冷却手段が不要とな
り、作業の迅速を図ることができる共に、装置の簡素化
を図ることができる。
As a pressure-bonding agent for pressure-bonding the wafer 30 to the ceramic disk 22, a liquid pressure-bonding agent other than wax is encapsulated in a microcapsule, and the microcapsule is bonded to the wafer 30.
Alternatively, it may be applied to the ceramic disc 22 and the microcapsules may be damaged by the pressing force of the press rod 10 so that the pressure-sensitive adhesive is discharged. In this case, the work of heating the ceramic disc 22 by the heating device and the cooling means are not required, and the work can be speeded up and the device can be simplified.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上のように本発明は、最初にウエハ接
着体に載置されたウエハにおける圧着剤の位置する略中
央部分を部分的に押圧し、その後に、他の外周部分を押
圧するので、ウエハが膨れ上がったりするおそれはな
く、ウエハの全面をウエハ接着体に確実に密着させるこ
とができ、研磨機でのその表面仕上げの精度を良好にす
ることができ、品質の向上を図ることが可能となり、そ
の実用的価値は著大である。
As described above, according to the present invention, first, the substantially central portion of the wafer placed on the wafer bonded body, where the pressure-sensitive adhesive is located, is partially pressed, and then the other outer peripheral portion is pressed. Therefore, there is no risk of the wafer swelling, the entire surface of the wafer can be reliably brought into close contact with the wafer bonded body, and the accuracy of the surface finish of the polishing machine can be improved, thus improving the quality. Is possible and its practical value is enormous.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施形態例を示す全体概略斜視
図。
FIG. 1 is an overall schematic perspective view showing a first embodiment example of the present invention.

【図2】同断面図。FIG. 2 is a sectional view of the same.

【図3】セラミック円板にウエハを載置した状態の平面
図。
FIG. 3 is a plan view showing a state in which a wafer is placed on a ceramic disc.

【図4】ウエハをセラミック円板に押圧する状態を示
し、(イ)はプレスロッドによる押圧を示す断面図、
(ロ)はプレス用円板による押圧を示す断面図。
FIG. 4 shows a state in which a wafer is pressed against a ceramic disk, and (a) is a sectional view showing pressing by a press rod,
(B) is a cross-sectional view showing the pressing by the pressing disk.

【図5】本発明の第2実施形態例を示し、(イ)はプレ
スロッドによる押圧を示す断面図、(ロ)はプレス用円
板による押圧を示す断面図。
5A and 5B show a second embodiment of the present invention, in which FIG. 5A is a sectional view showing pressing by a press rod, and FIG. 5B is a sectional view showing pressing by a pressing disk.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

12…中央押圧手段、18…外周部分押圧手段、22…セラミ
ック円板(ウエハ接着体)、30…ウエハ、30a…中央部
分、30b…外周部分、31…ワックス(圧着剤)
12 ... Central pressing means, 18 ... Peripheral area pressing means, 22 ... Ceramic disc (wafer bonding body), 30 ... Wafer, 30a ... Central part, 30b ... Peripheral part, 31 ... Wax (pressing agent)

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ウエハ接着体(22)の表面に、ワックス
等の圧着剤(31)を介してウエハ(30)を載置し、該ウ
エハ(30)を、ウエハ接着体(22)側に押圧することに
より、該ウエハ接着体(22)に密着するようにしたウエ
ハの圧着方法において、最初にウエハ接着体(22)に載
置されたウエハ(30)における圧着剤(31)の位置する
略中央部分(30a )を部分的に押圧し、その後に、他の
外周部分(30b)を押圧することを特徴とするウエハの
圧着方法。
1. A wafer (30) is placed on the surface of a wafer bonded body (22) via a pressure-sensitive adhesive (31) such as wax, and the wafer (30) is placed on the wafer bonded body (22) side. In the method of crimping a wafer so as to be brought into close contact with the wafer adhesive body (22) by pressing, the pressure-sensitive adhesive (31) is first positioned on the wafer (30) placed on the wafer adhesive body (22). A method for crimping a wafer, characterized in that a substantially central portion (30a) is partially pressed and then another outer peripheral portion (30b) is pressed.
【請求項2】 ワックス等の圧着剤(31)を介してウエ
ハ(30)が載置されるウエハ接着体(22)が着脱自在に
設けられる保持手段(21)と、該保持手段(21)に保持
されたウエハ接着体(22)のウエハ(30)を、該ウエハ
接着体(22)側に押圧する押圧手段とを備えたウエハの
圧着装置において、前記押圧手段はウエハ(30)の略中
央部分(30a)を押圧する中央押圧手段(12)と、該中
央押圧手段(12)に押圧されたウエハ(30)の中央部分
よりも外周部分(30b)を押圧するための外周部分押圧
手段(18)とが設けられてなることを特徴とするウエハ
の圧着装置。
2. A holding means (21) to which a wafer adhesive (22) on which a wafer (30) is placed is detachably provided via a pressure-bonding agent (31) such as wax, and the holding means (21). In a wafer crimping device comprising a pressing unit that presses the wafer (30) of the wafer bonded body (22) held on the wafer bonded body (22) side, the pressing unit is substantially the same as the wafer (30). Central pressing means (12) for pressing the central part (30a) and outer peripheral part pressing means for pressing the outer peripheral part (30b) more than the central part of the wafer (30) pressed by the central pressing means (12). (18) A wafer crimping device comprising:
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2003266302A (en) * 2002-03-14 2003-09-24 Tamagawa Machinery Co Ltd Wafer attaching device
JP2011151153A (en) * 2010-01-20 2011-08-04 Showa Denko Kk Method of manufacturing semiconductor wafer

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003266302A (en) * 2002-03-14 2003-09-24 Tamagawa Machinery Co Ltd Wafer attaching device
JP2011151153A (en) * 2010-01-20 2011-08-04 Showa Denko Kk Method of manufacturing semiconductor wafer

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