JPH09127510A - 液晶素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｃｈ相の欠如したカイラルスメクチック液晶
であっても均一配向が得られ且つ放置単安定を解消する
ことが可能な液晶素子を提供する。 【解決手段】 一方の基板に形成された配向膜には一方
向に配向処理が施され、他方の基板には垂直配向処理が
施されているカイラルスメクチック液晶素子において、
該液晶素子の双安定状態の一方から他方への電界印加に
よるスイッチング直後の比抵抗値ρ（０ｍｉｎ）と、５
分後の比抵抗値ρ（５ｍｉｎ）とが、 １＜ρ（５ｍｉｎ）／ρ（０ｍｉｎ）≦１．５ の関係を満たすことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子や液
晶光シャッター等で用いる液晶素子、特にカイラルスメ
クチック液晶素子に関し、さらに詳しくは電気光学特性
を改善したカイラルスメクチック液晶素子に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】カイラルスメクチック液晶の屈折率異方
性を利用して偏光素子との組み合わせにより透過光線を
制御する型の表示素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラ
ガーウオル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されてい
る（特開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３
６７９２４号明細書等）。

【０００３】このカイラルスメクチック液晶は、一般に
特定の温度域において、カイラルスメクチックＣ相（Ｓ
ｍＣ^* ）またはＨ相（ＳｍＨ^* ）を有し、この状態にお
いて、印加される電界に応答して第１の光学的安定状態
と第２の光学的安定状態のいずれかをとり、かつ電界の
印加の無いときはその状態を維持する性質、すなわち双
安定性を有し、また、電界の変化に対する応答も速やか
であり、高速並びに記憶型の表示素子用として広い利用
が期待されている。

【０００４】この双安定性を有するカイラルスメクチッ
ク液晶を用いた光学変調素子が所定の素子特性を発揮す
るためには、一対の平行基板間に配列される液晶が、欠
陥のない均一な配向状態であること、及び電界の印加に
よる上記２つの安定状態での変換が効率的に起こり、か
つ電界を印加していないときはその前の状態を保持する
ような分子配向状態であることが必要である。

【０００５】一般にカイラルスメクチック液晶を配向さ
せるには、基板表面にポリイミド（ＰＩ）、ポリビニル
アルコール（ＰＶＡ）、ポリアミド（ＰＡ）等の水平配
向性、あるいは傾斜配向性の高分子膜を形成し、夫々ラ
ビング処理した一対の基板を用いる。この場合、使用す
る液晶が温度降下により、等方相（Ｉｓｏ）−コレステ
リック相（Ｃｈ）−スメクティックＡ相（ＳｍＡ）−Ｓ
ｍＣ^* 相の相変化をするものであれば、配向はＣｈ相に
おいて均一化されるため、ＳｍＣ^* 相での配向が均一に
なりやすい。

【０００６】しかしながら、相転移がＩｓｏ相−ＳｍＡ
相−ＳｍＣ^* 相の順で起こる液晶を用いた場合は、Ｉｓ
ｏ相−ＳｍＡ相の転移（Ｉ／Ａ転移）の際、バトネ（一
種の結晶核）の発生、成長、結合の過程を踏むため、ス
メクティック相っでの層法線方向のずれやバトネの結合
部に欠陥等が生じ、均一配向を得にくい。

【０００７】本発明者らの実験によれば、このようなＣ
ｈ相の欠如した液晶に対しては、対向する基板の一方の
みをラビングし、ラビングを行わない側の基板表面は垂
直配向処理をすることによって均一配向が得られた。こ
れは、Ｉ／Ａ転移温度近傍でラビングを行った側の基板
表面から液晶が成長し、対向基板に到達する転移過程を
踏むためである。事実、両面を水平配向膜としたセルに
おけるＩ／Ａ転移温度は、両面を垂直処理したセルのＩ
／Ａ転移温度に比べ０．５℃以上高いことが確かめられ
ている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、カイラ
ルスメクチック液晶を均一に配向させるためには、特に
液晶がＣｈ相を持たない場合、一方の基板はラビング処
理し、他方は垂直配向処理する非対称構成が有効であ
る。

【０００９】しかしながら、配向膜基板と対向膜基板の
性質は一般に異なるため、カイラルスメクチック液晶の
双安定状態が崩れ、２つの安定状態間の電気光学的スイ
ッチング特性が非対称となる問題（初期の非対称性）が
ある。

【００１０】上記のような初期の非対称性の問題を解決
するために、従来よりセル構成などの最適化が行われて
きたが、初期の非対称性を無くした場合であっても、双
安定な状態の一方に放置することによって、以下に説明
するように、カイラルスメクチック液晶素子の画面全体
を書き換えることができる駆動マージンが経時的に減少
していくという問題（放置単安定）がある。

【００１１】上下の基板に夫々走査電極，情報電極とな
るストライプ状の電極を設け、それらの交差部に画素が
形成されるマトリックス表示の液晶素子に対しては、例
えば図２に示すように、走査電極にはＳ_N ，Ｓ_N+1 ，Ｓ
_N+2 のような電圧波形を印加し、情報電極にはＩのよう
な電圧波形が印加される。この時、これらの合成波形と
してＳ_N −Ｉ，Ｓ_N+1 −Ｉなどの波形が画素に実際に印
加される波形となる。

【００１２】例えば、図２のＳ_N −Ｉで示される波形の
マイナス側で白（Ｗ）を、Ｓ_N+1 −Ｉで示される波形の
プラス側で黒（Ｂ）をそれぞれ書き込むことによって、
ディスプレイの白・黒表示が可能となる。

【００１３】今、図２において、印加電圧波形の電圧
（Ｖ_op）を一定とし、ΔＴを小さな値から大きな値へ変
化させると、図３に示すようにＷ，Ｂ夫々の波形につい
て、白表示又は黒表示を完全に保てるΔＴの範囲、即
ち、 ΔＴ_min ≦ ΔＴ ≦ ΔＴ_max が存在する。このΔＴの範囲は、図３に示したように、
Ｗ波形とＢ波形で一般にずれた領域をもつものとなるた
め、これらの共通範囲、即ち、

【００１４】

【数１】 で、ＷもＢも完全に書き換えられることになる。

【００１５】そこで、これらの挙動をもとに、駆動マー
ジンパラメータ（Ｍ）を以下の式のように定義すると有
用である。

【００１６】

【数２】

【００１７】このため、ディスプレイパネルにおいて、
液晶をパネルに注入した直後は白・黒の画像書換えが可
能であるにもかかわらず、経時と共にその書換えが徐々
に困難になっていくという現象が現れ、駆動方法に制限
を与えることになる。

【００１８】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、Ｃｈ相を有するカイラルスメクチック液晶は
もちろん、Ｃｈ相の欠如したカイラルスメクチック液晶
であっても均一に配向させることができ、且つ放置単安
定を解消することが可能な液晶素子を提供することを目
的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく成
された本発明の構成は、以下の通りである。

【００２０】すなわち、本発明の第一は、カイラルスメ
クチック液晶を間に保持して対向するとともに、その対
向面には夫々カイラルスメクチック液晶に電圧を印加す
るための電極が形成された一対の基板を備え、一方の基
板に形成された配向膜には一方向に配向処理が施され、
他方の基板には垂直配向処理が施されている液晶素子に
おいて、該液晶素子の双安定状態の一方から他方への電
界印加によるスイッチング直後の比抵抗値ρ（０ｍｉ
ｎ）と、５分後の比抵抗値ρ（５ｍｉｎ）とが、 １＜ρ（５ｍｉｎ）／ρ（０ｍｉｎ）≦１．５ なる関係式を満たすことを特徴とする液晶素子にある。

【００２１】また、本発明の第二は、上記本発明第一の
液晶素子の製造方法であって、前記配向処理が施された
一対の配向膜のうち少なくとも一方を、当該配向膜形成
時に用いた溶剤と同一の溶剤で洗浄する工程を有するこ
とを特徴とする液晶素子の製造方法にある。

【００２２】

【発明の実施の形態】先述した放置単安定という問題
は、液晶素子におけるイオン等の不純物が関係した電気
特性の違いに起因しているものと考えられる。

【００２３】そこで本発明者らは、この放置単安定とい
う経時的な現象を、液晶素子の誘電特性の経時変化とい
う面で検出できないかと検討を重ねた結果、放置単安定
が現れる液晶素子では、周波数（ｆ）がｆ＝２０ｋＨｚ
というほぼディスプレイパネルの駆動周波数領域におい
て、液晶素子の比抵抗値（ρ）がスイッチング直後に５
分位の時間オーダーで経時変化しているのが確認され
た。また、この比抵抗値（ρ）の経時変化が少なくなる
ように制御することにより、放置単安定も少なくできる
ことを見いだした。

【００２４】本発明において、液晶素子の比抵抗値
（ρ）の測定は以下のように行った。

【００２５】即ち、ディスプレイ用のマトリックス表示
の液晶素子と同一構成で、ストライプ電極の代わりに電
極面積を０．７ｃｍ² とした単ビットセルを作成し、こ
のセルにカイラルスメクチック液晶を注入した測定セル
を用いた。誘電率と比抵抗の測定にはＹＨＰ社のＬＣＲ
メーター４１９２Ａを用い、０．５Ｖｓｉｎ波、周波数
２０ｋＨｚ、温度３０℃の条件で測定を行った。

【００２６】上記条件下での誘電特性の測定結果の一例
を表１に示す。この測定結果は、双安定状態の一方に数
分保持した後、適当なパルスでもう一方の安定状態にス
イッチングした直後からｓｉｎ波だけを印加して液晶セ
ルの誘電率と誘電損失及び比抵抗の値の５分間の経時変
化を測定した結果である。尚、この測定用液晶セルの液
晶厚みは、２．５μｍである。

【００２７】

【表１】

【００２８】表１に示されるように、誘電率には殆ど経
時変化は無いが、比抵抗ρ［Ω・ｃｍ］（誘電損失をε
₂ としたとき、ρ＝１／（２πｆε₀ ε₂ ）から求めら
れる。ここで、ｆは測定周波数［Ｈｚ］、ε₀ は真空の
誘電率である。）は経時的に徐々に増大し、ρ（５ｍｉ
ｎ）／ρ（０ｍｉｎ）＝１．３となっていることが分か
る。

【００２９】そして、本発明者らによれば、このスイッ
チング直後の比抵抗値ρ（０ｍｉｎ）と、５分後の比抵
抗値ρ（５ｍｉｎ）とが、 １＜ρ（５ｍｉｎ）／ρ（０ｍｉｎ）≦１．５ なる関係式を満たす時にのみ放置安定性が小さく、従っ
て駆動マージンパラメータ（Ｍ）の減少が小さいという
ことを見いだすに至ったのである。

【００３０】ρ（５ｍｉｎ）／ρ（０ｍｉｎ）が１．５
を超えると、Ｍの減少が著しくなり、ディスプレイとし
ての良好な駆動特性を得ることができない。

【００３１】なお、ρ（５ｍｉｎ）／ρ（０ｍｉｎ）＝
１の場合は、比抵抗値の経時変化が全く存在しないこと
を意味し、理想的な素子と言えるが、本発明で用いた上
下非対称な配向膜を用いたセル構成では、このような場
合は存在しなかった。

【００３２】比抵抗値ρが経時的に変化するメカニズム
については、次のように考えられる。

【００３３】液晶セルをＲＣの並列等価回路と考えた
時、一般に強誘電体の誘電損失（ε₂）は、次式で表さ
れる。

【００３４】

【数３】

【００３５】ここで、ω＝２πｆは角周波数、σは電気
伝導度、Ｐ_S は自発分極、ηはスイッチング粘性、Θは
コーン角である（粘性ゆらぎ損失は、文献Ｒ．Ｂｌｉｎ
ｃらの Ｐｈｙｓ． Ｒｅｖ． Ａ１８， ｐ７４０
（１９７８）にある一般化感受率から求めることができ
る。）。

【００３６】ρ＝１／（ωε₀ ε₂ ）より、ρが経時的
に増大するということは、誘電損失（ε₂ ）が経時的に
減少することを意味している。ε₂ は一般にエネルギー
の損失を表現しており、上述の式より、イオン伝導によ
る損失と粘性ゆらぎによる損失という２つの損失の項で
表されている。一方の安定状態から他方の安定状態へス
イッチングした直後の状態はエネルギー的に不安定であ
り、スイッチング直後のＰ_S を安定化させるように、イ
オンが移動したり、カイラルスメクチック液晶分子のη
が変化してゆらぎが減少することなどによって、経時的
にエネルギー的に安定な状態へ変化していく、と考えら
れる。

【００３７】従って、このようなρの経時変化が少ない
液晶素子が、駆動マージンの変化の少ない良好な駆動特
性を持つことが合理的に理解できる、と考えられる。

【００３８】誘電損失（ε₂ ）が経時的に減少する点に
ついて、さらにその原因を考察してみる。ε₂ の減少
は、電気伝導度σの減少、スイッチング粘性ηの増大、
初期位相角φ₀ の減少などが原因と考えられるが、カイ
ラルスメクチック相状態ではε₂ をイオン伝導損失と粘
性ゆらぎ損失とに分離して測定することは困難である。
このため、温度を１００℃として等方相状態でε₂ を測
定すれば、Ｐ_S ＝０なのでイオン伝導損失の項だけとな
る。

【００３９】そこで、カイラルスメクチック液晶と上下
配向膜の各種組み合わせについて、等方相でのε₂ つま
り比抵抗ρを測定したところ、詳しいデータは実施例で
述べるが、同一なカイラルスメクチック液晶を用いても
水平配向膜や垂直配向膜との組み合わせによっては、等
方相の比抵抗値が１．８２×１０⁸ Ω・ｃｍ〜９．０９
×１０⁸ Ω・ｃｍと大きく異なる値が得られた。このこ
とは、液晶素子の比抵抗値は、液晶材料のみでは決まら
ないことを示しており、配向処理膜から液晶中にしみ出
したり、配向処理膜−液晶界面に存在していると考えら
れるイオン量の違いが寄与していること、逆に言えば等
方相での液晶素子の比抵抗値を測定することによって、
イオン量を定量化できることがわかる。

【００４０】また、等方相の比抵抗値が大きいものほ
ど、カイラルスメクチック相での駆動特性が良いことが
判明しており、このことはイオン量をあまり多くし過ぎ
ないことが、良好な駆動特性にとって必須であることを
示している。

【００４１】以上考察したように、本発明では液晶素子
の比抵抗値を制御することが重要である。その中でもと
りわけ、配向処理膜起源のイオン量を少なくすることが
必要である。

【００４２】そこで、本発明者らは、上記の配向処理膜
起源のイオン量を少なくする方法について検討を重ねた
結果、液晶素子の配向処理が施された一対の配向処理膜
のうち少なくとも一方を、当該配向膜形成時に用いた溶
剤と同一の溶剤で洗浄することによって、等方相での比
抵抗を増大させられることを見いだした。これは、配向
処理膜表面に付着しているイオン性不純物を取り除くこ
とによって、高抵抗を実現できたものと考えることがで
きる。

【００４３】尚、上記溶剤洗浄の方法は、配向処理後の
膜を溶剤に浸す方法や、スピンナー上で溶剤を膜に垂ら
す方法などがあるが、これらに限定されるものではな
い。

【００４４】本発明で用いるカイラルスメクチック液晶
は特に限定されないが、温度降下に従い、等方相、スメ
クチックＡ相、カイラルスメクチック相の順に相転移す
るものに本発明は特に有効である。

【００４５】本発明で特に好ましく用いられるカイラル
スメクチック液晶は、フルオロカーボン末端鎖と、炭化
水素末端鎖からなるフッ素含有液晶化合物であって、該
両末端鎖が中心核によって結合され、スメクチック中間
相あるいは潜在的スメクチック中間相を持つもの、を含
有する液晶組成物である。該化合物そしてその他用いら
れ得る具体的な例としては以下の構造のものが挙げられ
る。また、潜在的スメクチック中間相を持つ化合物と
は、それ自身でスメクチック中間相を示さなくとも、ス
メクチック中間相を持つ化合物または他の潜在的スメク
チック中間相を持つ化合物との混合物において、適当な
条件下スメクチック中間相を発現する化合物を言う。

【００４６】

【化１】

【００４７】次に、本発明の液晶素子の一例（液晶セル
の構成例）を図１の模式図を用いて説明する。

【００４８】図１において、１１ａ，ｂはガラス基板、
１２ａ，ｂは酸化錫，酸化インジウム，酸化インジウム
錫（ＩＴＯ）等の透明電極、１３ａ，ｂは酸化シリコ
ン，酸化タンタル等の絶縁膜、１４ａはラビング条件に
よって１〜２°のプレチルト角が得られる配向膜、１４
ｂは垂直配向処理膜で、ポリシロキサン膜やシランカッ
プリング処理が好ましいが、それらに限定されるもので
はなくラビング等の一軸処理は施さない。１５はシリカ
ビーズ等のビーズスペーサ、１６はカイラルスメクチッ
ク液晶、１７ａ，ｂは偏光板である。

【００４９】上記構成の中で、配向膜１４ａを構成する
高分子、そのラビング条件等を変えることにより、液晶
分子と基板とのなすプレチルト角αが制御される。つま
り、ラビング条件を制御することによりプレチルト角α
を変え、配向膜１４ａからの規制力を変化させることが
できる。

【００５０】

【実施例】以下、実施例に沿って本発明を詳細に説明す
る。

【００５１】［実施例１〜３及び比較例］本実施例の液
晶セルは図１に示したような構成のものであり、以下に
この液晶セルの製造方法を説明する。

【００５２】厚さ１．１ｍｍのガラス基板１１ａ，１１
ｂ上に透明電極１２ａ，１２ｂとして約１５０ｎｍ厚の
ＩＴＯ膜を形成した。かかる透明電極が形成されたガラ
ス基板上に、スピンコート法により以下に示す各種配向
制御膜を形成した。

【００５３】まず、一方の基板上に形成した各水平配向
膜の作製法を説明する。

【００５４】水平配向膜：２７００ｒｐｍの速度で回
転している上記ガラス基板に溶液（東レ社製のＬＰ６４
のＮＭＰ／ｎＢＣ＝２／１の０．７重量％溶液）を垂ら
し、そのまま２０秒間回転させた。その後、８０℃で５
分間前乾燥を行った後、２７０℃で１時間加熱焼成処理
を施した。なお、このような方法によって形成した配向
制御膜の膜厚は５ｎｍであった。配向処理として、ナイ
ロン布によるラビングを施した。

【００５５】水平配向膜：３０００ｒｐｍの速度で回
転している上記ガラス基板に溶液（下記繰り返し単位を
有する高分子化合物のＮＭＰ／ｎＢＣ＝２／１の０．８
重量％溶液）を垂らし、そのまま２０秒間回転させた。

【００５６】

【化２】

【００５７】その後、８０℃で５分間前乾燥を行った
後、２５０℃で１時間加熱焼成処理を施した。なお、こ
のような方法によって形成した配向制御膜の膜厚は５ｎ
ｍであった。配向処理として、ナイロン布によるラビン
グを施した。

【００５８】水平配向膜’：２７００ｒｐｍの速度で
回転している上記ガラス基板に溶液（東レ社製のＬＰ６
４と、水平配向膜で用いた高分子化合物を１：１の重
量比で混合させたもののＮＭＰ／ｎＢＣ＝２／１の０．
８重量％溶液）を垂らした以外は、水平配向膜と同一
条件で膜を形成した。この配向制御膜の膜厚は５ｎｍで
あった。

【００５９】次に、他方の基板上に形成した各垂直配向
膜の作製法を説明する。

【００６０】垂直配向膜：２０００ｒｐｍの速度で回
転している上記ガラス基板に溶液（シランカップリング
剤；ＯＤＳ−Ｅのエタノールの０．５重量％溶液）を垂
らし、そのまま２０秒間回転させた。その後、８０℃で
５分間前乾燥を行った後、１８０℃で１時間加熱焼成処
理を施した。

【００６１】垂直配向膜：１５００ｒｐｍの速度で回
転している上記ガラス基板にアンチモンドープのＳｎＯ
₂ 超微粒子（粒径約１００Å）を分散したシロキサンの
エタノールを主成分とする溶液を垂らし、そのまま１０
秒間回転させた。その後、８０℃で５〜１５分間前乾燥
を行った後、２００℃で１時間加熱焼成処理を施した。
この時の膜厚は１８０ｎｍであった。

【００６２】垂直配向膜：垂直配向膜において、シ
ロキサンのエタノールを主成分とする溶液の代わりに、
シリカのエタノールを主成分とする溶液とシロキサンの
エタノールを主成分とする溶液を１：１の重量比で混合
させた溶液を用いた以外は、全く同様にして膜を作製し
た。この配向制御膜の膜厚は１８０ｎｍであった。

【００６３】以上のようにして水平配向膜或は垂直配向
膜を形成した基板を用いて、表２に示す配向膜の組み合
わせによる液晶セルを作製した。この作製方法を以下に
説明する。

【００６４】まず、実施例１及び実施例３では、ラビン
グ後の水平配向膜の基板を２７００ｒｐｍの速度で回
転しているスピンナーに乗せ、溶剤ＮＭＰを垂らし、配
向処理膜を溶液洗浄した後、十分乾燥させた。実施例２
では、垂直配向膜の基板を溶剤のエタノールに浸して
配向処理膜を溶液洗浄した後、直ちに乾燥させた。一
方、比較例では、上記のような溶液洗浄を全く施さない
基板を用いた。

【００６５】続いて、一方のガラス基板上にスペーサ１
５として平均粒径２．０μｍのシリカビーズを散布し、
他方のガラス基板を互いのＩＴＯストライプが直交する
ように重ねて張り合せ、セルを作製した。

【００６６】次に、本実施例で用いた液晶について説明
する。

【００６７】まず、実施例２，３及び比較例で用いた液
晶材料については、下記の化合物を用いてＡ／Ｂ₁ ／
Ｂ₂ ／Ｂ₃ ／Ｃ＝８０／３／３／４／５の重量比で液晶
組成物とした。該組成物の２５℃での自発分極は２６ｎ
Ｃ／ｃｍ² 、２０℃での層傾き角δは０°、チルト角は
２７°であり、液体−スメクチックＡ相転移温度は７７
℃、スメクチックＡ−カイラルスメクチックＣ相転移温
度は４１℃、カイラルスメクチックＣ−結晶相転移温度
は３℃であった。

【００６８】

【化３】

【００６９】次に、実施例１で用いた液晶材料は、上
記の液晶材料に、下記構造を有する添加化合物を０．
００５％添加して液晶組成物を調製した。

【００７０】

【化４】

【００７１】以上のようにして調製した液晶材料を、前
述した各種配向膜を形成したセルに、以下のようにして
注入した。

【００７２】まず、セルを真空容器内で１２０℃に温
め、ロータリーポンプで減圧して１時間保った。その
後、窒素ガスでパージしながら常圧状態にし、９５℃の
温度にして液晶材料を等方相の状態でセルに注入し、Ｓ
ｍＣ^* 相まで４℃／ｍｉｎで徐冷することにより液晶素
子を得た。

【００７３】以上のようにして得られた液晶素子を用い
て、前述した方法に従って比抵抗の測定を行った。次
に、前述した方法に従って駆動マージンの初期値Ｍ（０
ｈｒ）及び、１時間黒（Ｂ）状態に放置した後の駆動マ
ージンの値Ｍ（１ｈｒ）を測定した。なお、この時の測
定温度並びに放置温度はともに３０℃である。

【００７４】上記測定結果を表２に纏めて示した。表２
に示されるように、ρ（５ｍｉｎ）／ρ（０ｍｉｎ）の
値が１．５以下の場合には、Ｍ（１ｈｒ）／Ｍ（０ｈ
ｒ）は大きな値となっており、駆動マージンの減少を小
さく抑えられることが分かる。さらに、等方相（１００
℃）での比抵抗値ρが大きい方が、駆動マージンパラメ
ータの減少を抑えられることも分かる。

【００７５】さらに、実施例３と比較例との比較によ
り、配向処理膜を溶剤洗浄した場合にのみ、優れた駆動
特性を得ることができることが分かる。

【００７６】

【表２】

【００７７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
特にＣｈ相の欠如したカイラルスメクチック液晶であっ
ても均一に配向させることができ、且つ放置単安定を解
消することが可能であり、優れた駆動特性を持った液晶
素子が実現される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶素子の一実施態様を説明するため
の図である。

【図２】マトリックス表示の液晶素子の駆動波形を示す
図である。

【図３】駆動マージンを説明するための図である。

【符号の説明】 １１ａ，ｂ ガラス基板 １２ａ，ｂ 透明電極 １３ａ，ｂ 絶縁膜 １４ａ，ｂ 配向膜 １５ スペーサ １６ カイラルスメクチック液晶 １７ａ，ｂ 偏光板

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 カイラルスメクチック液晶を間に保持し
   て対向するとともに、その対向面には夫々カイラルスメ
   クチック液晶に電圧を印加するための電極が形成された
   一対の基板を備え、一方の基板に形成された配向膜には
   一方向に配向処理が施され、他方の基板には垂直配向処
   理が施されている液晶素子において、該液晶素子の双安
   定状態の一方から他方への電界印加によるスイッチング
   直後の比抵抗値ρ（０ｍｉｎ）と、５分後の比抵抗値ρ
   （５ｍｉｎ）とが、 １＜ρ（５ｍｉｎ）／ρ（０ｍｉｎ）≦１．５ なる関係式を満たすことを特徴とする液晶素子。
2. 【請求項２】 前記カイラルスメクチック液晶が、温度
   降下に従い、等方相、スメクチックＡ相、カイラルスメ
   クチック相の順に相転移するものであることを特徴とす
   る請求項１に記載の液晶素子。
3. 【請求項３】 前記カイラルスメクチック液晶が、 フルオロカーボン末端鎖と、炭化水素末端鎖からなるフ
   ッ素含有液晶化合物であって、該両末端鎖が中心核によ
   って結合され、スメクチック中間相あるいは潜在的スメ
   クチック中間相を持つもの、 を含有する液晶組成物であることを特徴とする請求項１
   に記載の液晶素子。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の液晶素
   子の製造方法であって、 前記配向処理が施された一対の配向膜のうち少なくとも
   一方を、当該配向膜形成時に用いた溶剤と同一の溶剤で
   洗浄する工程を有することを特徴とする液晶素子の製造
   方法。