JPH09127195A - 半導体装置計測システム及びその計測方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 記憶装置の容量以上のより大きい計測データ
を格納することができる半導体装置計測システム及びそ
の計測方法を得る。 【解決手段】 計測装置１は半導体装置の特性を計測し
て、計測データを生成する。ワークステーション２は計
測データを受け、ワークステーション２に内蔵されてい
る圧縮コマンドにより計測データを圧縮データに変換す
る。記憶装置Ｍはその圧縮されたデータを受けて格納す
る。これにより、記憶装置Ｍに計測データを格納してか
ら計測データを圧縮データに変換するよりも、より大き
さの大きい計測データを記憶することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は半導体装置の特性
を計測して、その計測して得られる計測データを記憶装
置に格納しておく半導体装置計測システム及びその計測
方法に関し、特に記憶装置の容量以上の大きさの計測デ
ータを格納できる半導体装置計測システム及びその計測
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体装置の評価等に用いられる
半導体装置計測システムは、半導体装置の計測を行って
計測データを生成する計測装置と、計測データを受けて
計測データの格納・解析等を行うワークステーションか
ら構成されている。またワークステーションは、内部に
データを格納しておくハードディスク等の記憶装置を備
えている。計測装置は、例えばＤＲＡＭ等の半導体装置
のデバイスパラメータ，プロセスパラメータ、その他の
半導体装置の特性等を計測して計測データを生成する装
置である。

【０００３】ところで、記憶装置は格納できる容量に限
界がある。計測装置からの計測データを記憶装置に格納
し続け、格納した複数の計測データの合計の大きさが記
憶装置の容量にほぼ等しい状態になれば、それ以上計測
データを格納できない。

【０００４】そこで、計測装置からの計測データを記憶
装置に格納し、その後記憶装置に格納された計測データ
を圧縮して圧縮データに変換する半導体装置計測方法が
従来から用いられる。

【０００５】図１１はそのような従来の半導体装置計測
方法を示すフローチャートである。まず、初期状態とし
て、記憶装置はその内部に計測データを全く格納してい
ない状態であり、計測する半導体装置数を予め設定して
おく。まず、ステップ（以下ＳＴ）００１を参照して、
半導体装置を計測装置に設置し、計測装置は半導体装置
を計測して計測データを生成する。次に、ＳＴ００２を
参照して、ワークステーションは計測データを受けて記
憶装置に計測データを格納する。次に、ＳＴ００３を参
照して、ワークステーションは記憶装置に格納されてい
る計測データを、圧縮した圧縮データに変換する。圧縮
データは記憶装置に格納されている。次に、ＳＴ００４
を参照して、ワークステーションは計測した半導体装置
の数と予め設定された半導体装置数とを比較する。異な
る場合は、ＳＴ００１へ移り、同様に次の半導体装置の
計測を行う。このように計測した半導体装置の数と予め
設定された半導体装置数とが等しくなるまで、ＳＴ００
１〜ＳＴ００４を繰り返し、等しければ計測を終了す
る。

【０００６】以上のような従来の半導体装置計測方法を
用いれば、記憶装置の容量以上の大きさのデータを格納
することができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような従来の半導体装置計測方法が用いられていても、
なお、以下に示す問題点が生じる。

【０００８】ＳＴ００２において計測データを格納しよ
うとする場合、記憶装置内の未だ計測データが格納され
ていない未使用の格納領域が存在しても、その未使用の
格納領域の容量が、格納しようとする計測データの大き
さより小さい場合、その計測データは記憶装置に格納で
きないという問題点がある。また、その問題点を解決す
るために、外付けの記憶装置を増設して、全体のデータ
保全用記憶装置の容量を増やす方法があるが、記憶装置
はコストが高く、増設が困難である。

【０００９】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、記憶装置の容量以上のより大
きい計測データを格納することができる半導体装置計測
システム及びその計測方法を得ることを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
課題解決手段は、半導体装置の特性を計測して計測デー
タを格納しておく半導体装置計測システムであって、前
記半導体装置の特性を計測して前記計測データを生成す
る計測手段と、前記計測データを受けて前記計測データ
を圧縮して圧縮データを生成するデータ圧縮手段と、前
記圧縮データを受けて前記圧縮データを格納しておく記
憶手段とを備える。

【００１１】本発明の請求項２に係る課題解決手段は、
前記計測手段が生成した前記計測データを一時的に格納
しておく格納手段をさらに備え、前記データ圧縮手段
は、前記格納手段に格納されている前記計測データを圧
縮して前記圧縮データを生成し、前記計測手段は、前記
データ圧縮手段による前記計測データの圧縮・前記圧縮
データの生成及び前記記憶手段への前記圧縮データの格
納と並行して前記半導体装置の特性を計測して前記計測
データを生成する。

【００１２】本発明の請求項３に係る課題解決手段にお
いて、前記格納手段は一次及び二次格納手段を含み、前
記一次格納手段に前記計測手段が生成した前記計測デー
タを格納し、前記二次格納手段が格納している前記計測
データを前記データ圧縮手段に与える第１の状態と、前
記二次格納手段に前記計測手段が生成した前記計測デー
タを格納し、前記一次格納手段が格納している前記計測
データを前記データ圧縮手段に与える第２の状態とを選
択的に切り換える制御手段をさらに備える。

【００１３】本発明の請求項４に係る課題解決手段にお
いて、前記格納手段は、かつそれぞれ同じ容量の一次〜
ｎ次格納手段を含み、前記一次〜ｎ次格納手段のうち空
き状態の格納手段に前記計測手段が生成した前記計測デ
ータを格納し、前記一次〜ｎ次格納手段に格納されてい
る前記計測データを前記データ圧縮手段に与える制御手
段をさらに備える。

【００１４】本発明の請求項５に係る課題解決手段にお
いて、前記格納手段は、かつそれぞれ異なる容量の一次
〜ｎ次格納手段を含み、前記一次〜ｎ次格納手段のうち
前記計測データの大きさ以上の容量の格納手段に前記計
測手段が生成した前記計測データを格納し、前記一次〜
ｎ次格納手段に格納されている前記計測データを前記デ
ータ圧縮手段に与える制御手段をさらに備える。

【００１５】本発明の請求項６に係る課題解決手段は、
請求項１記載の半導体装置計測システムに用いられる半
導体装置計測方法であって、前記計測手段が前記半導体
装置の特性を計測して前記計測データを生成する第１の
ステップと、前記データ圧縮手段が前記計測データを圧
縮して前記圧縮データを生成する第２のステップと、前
記第２のステップの後、前記圧縮データを前記記憶装置
に格納する第３のステップと、前記第１〜第３のステッ
プを繰り返している間に、計測する前記半導体装置がな
くなれば終了する第４のステップとを備える。

【００１６】本発明の請求項７に係る課題解決手段は、
請求項３記載の半導体装置計測システムに用いられる半
導体装置計測方法であって、前記一次格納手段に前記計
測手段が生成した前記計測データを格納して前記一次格
納手段がｆｕｌｌ状態になれば当該ステップを終了する
第１のステップと、前記第１のステップの後、前記二次
格納手段に前記計測手段が生成した前記計測データを格
納して前記二次格納手段がｆｕｌｌ状態になれば当該ス
テップを終了し、その後前記第１のステップに移る第２
のステップと、前記第２のステップが処理されている間
に、前記一次格納手段に格納されている前記計測データ
を圧縮して前記圧縮データを生成して、前記記憶手段に
格納して前記一次格納手段を空き状態にする第３のステ
ップと、前記第１のステップが処理されている間に、前
記二次格納手段に格納されている前記計測データを圧縮
して前記圧縮データを生成して、前記記憶手段に格納し
て前記二次格納手段を空き状態にする第４のステップ
と、前記第１及び第２のステップを繰り返している間
に、計測する前記半導体装置がなくなれば終了する第５
のステップとを備える。

【００１７】本発明の請求項８に係る課題解決手段は、
請求項４記載の半導体装置計測システムに用いられる半
導体装置計測方法であって、前記計測手段が前記半導体
装置を計測して前記計測データを生成する第１のステッ
プと、前記一次格納手段〜ｎ次格納手段のうち空き状態
の格納手段を選択する第２のステップと、前記選択した
格納手段に前記計測データを格納し、その後第１のステ
ップへ移る第３のステップと、前記第１〜第３のステッ
プを繰り返している間に、前記一次〜ｎ次格納手段に格
納されている前記計測データを圧縮して前記圧縮データ
を生成し、前記記憶手段に格納して当該格納手段を空き
状態にする第４のステップと、前記第１〜第３のステッ
プを繰り返している間に、計測する前記半導体装置がな
くなれば終了する第５のステップとを備える。

【００１８】本発明の請求項９に係る課題解決手段は、
請求項５記載の半導体装置計測システムに用いられる半
導体装置計測方法であって、前記計測手段が前記半導体
装置を計測して前記計測データを生成する第１のステッ
プと、前記計測データの大きさを判断して、前記一次格
納手段〜ｎ次格納手段のうちの前記計測データの大きさ
以上の容量の格納手段を選択する第２のステップと、前
記選択した格納手段に前記計測データを格納し、その後
前記第１のステップへ移る第３のステップと、前記第１
〜第３のステップを繰り返している間に、前記一次〜ｎ
次格納手段に格納されている前記計測データを前記圧縮
データに変換して、前記記憶手段に格納して当該格納手
段を空き状態にする第４のステップと、前記第１〜第３
のステップを繰り返している間に、計測する前記半導体
装置がなくなれば終了する第５のステップとを備える。

【００１９】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．図１は本発明の実施の形態１における半
導体装置計測システムの構成図である。１は半導体装置
の計測を行って計測データを生成する計測手段である計
測装置、２は計測データを受けて、計測データの格納・
解析等を行うワークステーション、３はワークステーシ
ョン２内に設けられ計測データを圧縮データに変換する
データ圧縮手段、Ｍはワークステーション２内に設けら
れたデータを格納しておく記憶手段である記憶装置であ
る。なお、記憶装置Ｍはハードディスク等の２次記憶装
置である。

【００２０】図２は本発明の実施の形態１における半導
体装置計測方法を示す図である。図２中の符号は図１中
の符号に対応している。なお、ワークステーション２は
データ圧縮手段３である計測データを圧縮するための圧
縮コマンド（ワークステーション２がＵＮＩＸを用いて
いれば、ＵＮＩＸの基本コマンドであるcompressコマン
ド）を備えている。このコマンドを実行すると、計測デ
ータを圧縮して圧縮データを生成することができる。

【００２１】図２に示すように、計測装置１は半導体装
置を計測して計測データを生成し、ワークステーション
２へ計測データを送る。ワークステーション２は送られ
てきた計測データを受けて、圧縮コマンドによって、計
測データを圧縮データに変換することで、計測データの
大きさを縮小する。次に、圧縮データを記憶装置Ｍに格
納する。

【００２２】次に、図３を用いてさらに詳細に半導体装
置計測方法を説明する。図３は本発明の実施の形態１に
おける半導体装置計測方法を示すフローチャートであ
る。まず、初期状態として、記憶装置Ｍには何もデータ
が格納されていない状態にして、計測する半導体装置数
を予め設定しておく。まず、ＳＴ１０１を参照して、半
導体装置を計測装置１に設置し、次に、計測装置１はそ
の半導体装置を計測して計測データを生成する。次に、
ＳＴ１０２を参照して、ワークステーション２は計測デ
ータを受けて、圧縮コマンドにより、その計測データを
圧縮した圧縮データに変換する。次に、ＳＴ１０３を参
照して、ワークステーション２は圧縮データを記憶装置
Ｍに格納する。次に、ＳＴ１０４を参照して、計測され
た半導体装置の数と予め設定された半導体装置数とを比
較する。異なる場合は、ＳＴ１０１へ移り、同様に次の
半導体装置の計測を行う。このように計測した半導体装
置の数と予め設定された半導体装置数とが等しくなるま
で、ＳＴ１０１〜ＳＴ１０４を繰り返し、等しければ計
測を終了する。

【００２３】以上のように本実施の形態によると、ＳＴ
１０２及びＳＴ１０３において記憶装置にデータを格納
しようとする場合であって、記憶装置Ｍ内の未だデータ
が格納されていない未使用の格納領域の容量が、格納し
ようとするデータの大きさより小さい場合でも、データ
を記憶装置Ｍに格納する前に圧縮してその大きさを縮小
すれば、未使用の格納領域の容量が、圧縮したデータの
大きさより大きい場合が生じる。その場合は、圧縮した
データは未使用の格納領域に格納することができる。こ
のため、従来の半導体装置計測方法よりも、記憶装置の
容量以上のより大きい計測データを格納することができ
る。

【００２４】実施の形態２．図４は本発明の実施の形態
２における半導体装置計測システムの構成図である。４
は計測装置１からの計測データを一時的に格納しておく
ための格納手段である格納装置、その他の符号は図１中
の符号に対応している。

【００２５】また、計測装置１の半導体装置の計測及び
計測データの生成とワークステーション２のcompressコ
マンドの実行及び圧縮したデータの記憶装置Ｍへの格納
とが同時に行える。

【００２６】図５は本発明の実施の形態２における半導
体装置計測方法を示す図であって、図４に示す半導体装
置計測システムにおける半導体装置計測方法の一例を示
すものである。図５において、Ｍ1 は一時的な格納領域
であり、記憶装置Ｍの格納領域の一部を割り当てられた
一次格納領域、Ｍ2 も一時的な格納領域であり、記憶装
置Ｍの格納領域の一部（一次格納域Ｍ1 を除く）を割り
当てられた二次格納領域、Ｍ0 は記憶装置Ｍの一次格納
領域Ｍ1 及び二次格納領域Ｍ2 以外の格納領域、その他
の符号は図１中の符号に対応している。なお、図４中の
格納装置４は一次格納領域Ｍ1 及び二次格納領域Ｍ2 に
相当する。

【００２７】図５に示すように、計測装置１は半導体装
置を計測して計測データを生成し、ワークステーション
２へ計測データを送る。ワークステーション２は計測デ
ータを受けて、一次格納領域Ｍ1 あるいは二次格納領域
Ｍ2 のどちらか一方の格納領域に計測データを格納して
いく。格納領域に格納された複数の計測データの合計の
大きさがその格納領域の容量とほぼ等しい状態（このよ
うにデータを格納するための未使用の領域がない場合を
ｆｕｌｌ状態と称す）になれば、圧縮コマンドによっ
て、格納領域に格納されているすべての計測データを圧
縮データに変換し、圧縮データを格納領域Ｍ0 に格納す
る。その圧縮・格納を行う間も、計測装置１は半導体装
置を計測して計測データを生成し、計測データを今度は
他方の格納領域に格納していく。このように、データの
圧縮・格納と半導体装置の計測・計測データの生成とを
同時に行うことで、半導体装置の計測の時間の短縮化を
図る。

【００２８】次に、図６を用いてさらに詳細に半導体装
置計測方法を説明する。図６は本発明の実施の形態１に
おける半導体装置計測方法を示すフローチャートであ
る。ＳＴ２０１〜ＳＴ２０４よりＬＯＯＰ１を構成し、
ＳＴ２０５〜ＳＴ２０８よりＬＯＯＰ２を構成する。

【００２９】まず、ＬＯＯＰ１の動作について説明す
る。まず、初期状態として、一次格納領域Ｍ1 ，二次格
納領域Ｍ2 ，格納領域Ｍ0 には何もデータが格納されて
いない状態にして、計測する半導体装置数を予め設定し
ておく。まず、ＳＴ２０１を参照して、計測された半導
体装置の数が予め設定された半導体装置数と等しければ
ＳＴ２３１へ進む、即ち、ＬＯＯＰ１を抜ける。この説
明の段階では、計測した半導体装置の数はゼロなので、
ＳＴ２０２へ進む。次に、ＳＴ２０２を参照して、半導
体装置を計測装置１に設置し、次に、計測装置１はその
半導体装置を計測して計測データを生成する。次に、Ｓ
Ｔ２０３を参照して、ワークステーション２は計測デー
タを受けて、計測データを一次格納領域Ｍ1 に格納す
る。次に、ＳＴ２０４を参照して、一次格納領域Ｍ1 が
ｆｕｌｌ状態であるか否かを判断する。ｆｕｌｌ状態で
なければ、ＳＴ２０１へ移り、同様に次の半導体装置の
計測を行う。このように一次格納領域Ｍ1 がｆｕｌｌ状
態になるまで、ＬＯＯＰ１を繰り返し、ｆｕｌｌ状態に
なればＳＴ２０５（即ちＬＯＯＰ２）及びＳＴ２１１へ
同時に進む、即ち、ＬＯＯＰ１を抜ける。

【００３０】ＳＴ２１１へ進む場合を説明する。まずＳ
Ｔ２１１を参照して、ワークステーション２は圧縮コマ
ンドにより、一次格納領域Ｍ1 に格納されている計測デ
ータを圧縮データに変換する。次に、ＳＴ２１２を参照
して、その圧縮データを格納領域Ｍ0 に格納して、一次
格納領域Ｍ1 を未使用の状態（空き状態）にする。

【００３１】次に、ＬＯＯＰ２について説明する。ＳＴ
２１１へ進むのと同時にＳＴ２０５、即ちＬＯＯＰ２へ
進む。ＳＴ２０５〜ＳＴ２０８はそれぞれＳＴ２０１〜
ＳＴ２０４と同様である。但し、ＳＴ２０５では、計測
された半導体装置の数が予め設定された半導体装置数と
等しければＳＴ２４１へ進む、即ち、ＬＯＯＰ２を抜け
る。ＳＴ２０７では計測データを二次格納領域Ｍ2 に格
納する。ＳＴ２０８では二次格納領域Ｍ2 がｆｕｌｌ状
態であるか否かを判断する。ｆｕｌｌ状態でなければ、
ＳＴ２０５へ移り、同様に次の半導体装置の計測を行
う。このように二次格納領域Ｍ2 がｆｕｌｌ状態になる
まで、ＬＯＯＰ２を繰り返し、ｆｕｌｌ状態になればＳ
Ｔ２０１（即ちＬＯＯＰ１）及びＳＴ２２１へ同時に進
む、即ち、ＬＯＯＰ２を抜ける。

【００３２】ＬＯＯＰ２が繰り返されている間に、上述
のＳＴ２１１及びＳＴ２１２が終了して、一次格納領域
Ｍ1 は空き状態となる。なお、ＬＯＯＰ２が繰り返され
ている期間に、一次格納領域Ｍ1 を空き状態になるよう
にするためには、例えば二次格納領域Ｍ2 を充分な大き
さの領域とすればよい。二次格納領域Ｍ2 を充分な大き
さにとれば、ＳＴ２１１及びＳＴ２１２が行われている
期間より、ＬＯＯＰ２が繰り返される期間の方が長くで
きる。

【００３３】ＳＴ２２１へ進む場合を説明する。まずＳ
Ｔ２２１を参照して、ワークステーション２は圧縮コマ
ンドにより、二次格納領域Ｍ2 に格納されている計測デ
ータを圧縮データに変換する。次に、ＳＴ２２２を参照
して、その圧縮データを格納領域Ｍ0 に格納して、二次
格納領域Ｍ2 を空き状態にする。

【００３４】また、ＳＴ２２１へ進むのと同時にＳＴ２
０１、即ちＬＯＯＰ１へ進む。ＬＯＯＰ１の動作は上述
した通りであり、一次格納領域Ｍ1 がｆｕｌｌ状態にな
るまで、ＬＯＯＰ１を繰り返す。

【００３５】ＬＯＯＰ１が繰り返されている間に、上述
のＳＴ２２１及びＳＴ２２２が終了して、二次格納領域
Ｍ2 は空き状態となる。なお、ＬＯＯＰ１が繰り返され
ている期間に、二次格納領域Ｍ2 をそのような空き状態
になるようにするためには、例えば一次格納領域Ｍ1 を
充分な大きさの領域とすればよい。一次格納領域Ｍ1を
充分な大きさにとれば、ＳＴ２２１及びＳＴ２２２が行
われている期間より、ＬＯＯＰ１が繰り返される期間の
方が長くできる。

【００３６】但し、二次格納領域Ｍ2 を充分な大きさの
領域とすればよいが、二次格納領域Ｍ2 が大きければ格
納される計測データの大きさも大きくなり、その大きな
計測データを圧縮データに変換するには、長い期間がか
かるため、compressコマンドの処理速度の速いワークス
テーション２を用いるのが望ましい。一次格納領域Ｍ1
を充分な大きさの領域とする場合に関しても同様であ
る。

【００３７】以上に説明したＬＯＯＰ１，ＬＯＯＰ２を
交互に繰り返す。そして、ＳＴ２０１において、計測し
た半導体装置の数が予め設定された半導体装置数と等し
ければ、ＳＴ２３１に移って、ワークステーション２は
圧縮コマンドにより、一次格納領域Ｍ1 に格納されてい
る計測データを圧縮データに変換する。次に、ＳＴ２３
２を参照して、その圧縮データを格納領域Ｍ0 に格納し
て、一次格納領域Ｍ1を空き状態にして計測を終了す
る。同様に、ＳＴ２０５において、計測した半導体装置
の数が予め設定された半導体装置数と等しければ、ＳＴ
２４１に移って、ワークステーション２は圧縮コマンド
により、二次格納領域Ｍ2 に格納されている計測データ
を圧縮データに変換する。次に、ＳＴ２４２を参照し
て、その圧縮データを格納領域Ｍ0 に格納して、二次格
納領域Ｍ2 を空き状態にして計測を終了する。

【００３８】以上のように本実施の形態では、データの
圧縮・格納（ＳＴ２１１・ＳＴ２１２及びＳＴ２２１・
ＳＴ２２２）と半導体装置の計測・計測データの生成
（ＬＯＯＰ１及びＬＯＯＰ２）とを同時に行い、半導体
装置の計測の時間の短縮化を図る。また、ワークステー
ション２の内部に備えられる記憶装置の一部を一時的な
格納領域として使用しているため、記憶装置の実質的な
容量が減少するが、一時的な格納領域を考慮しなけれ
ば、実施の形態１と同様に、データを格納領域Ｍ0に格
納する前に圧縮してその大きさを縮小しているため、従
来の半導体装置計測方法よりも、記憶装置の容量以上の
より大きい計測データを格納することができる。

【００３９】実施の形態３．本実施の形態における半導
体装置計測システムの構成も図４に示す通りである。

【００４０】図７は本発明の実施の形態３における半導
体装置計測方法を示す図であって、図４に示す半導体装
置計測システムにおける半導体装置計測方法の一例を示
すものである。図７において、Ｍ1 ，Ｍ2 ，…，Ｍn
は、それぞれ一時的な格納領域であって、記憶装置Ｍの
格納領域の一部を割り当てられた一次格納領域，二次格
納領域，…，ｎ次格納領域、その他の符号は図１中の符
号に対応している。なお、図４中の格納装置４は一次格
納領域Ｍ1 ，二次格納領域Ｍ2 ，…，ｎ次格納領域Ｍn
に相当する。

【００４１】また、一次格納領域Ｍ1 ，二次格納領域Ｍ
2 ，…，ｎ次格納領域Ｍn の容量は同じであり、その容
量の大きさは、一度に計測装置１から送られてくる計測
データの大きさのうち、最大の大きさ（＝Ｍnc）に設定
する。なお、一次格納領域Ｍ1 〜ｎ次格納領域Ｍn の合
計の容量はｎＭncとなる。

【００４２】図７に示すように、計測装置１は半導体装
置を計測して計測データを生成し、ワークステーション
２へ計測データを送る。ワークステーション２は計測デ
ータを受けて、一次格納領域Ｍ1 〜ｎ次格納領域Ｍn の
うち空き状態にある格納領域を選択し、そこへ送られて
きた計測データを格納する。さらに、ワークステーショ
ン２は圧縮コマンドによって、格納された計測データを
圧縮データに変換し、圧縮データを格納領域Ｍ0 に格納
する。その圧縮・格納を行う間も、計測装置１は半導体
装置を計測して計測データを生成し、同様に一次格納領
域Ｍ1 〜ｎ次格納領域Ｍn のうち空き状態にある格納領
域を選択し、計測データを格納する。このように、デー
タの圧縮・格納と半導体装置の計測・計測データの生成
とを同時に行うことで、半導体装置の計測の時間の短縮
化を図る。

【００４３】次に、図８を用いてさらに詳細に半導体装
置計測方法を説明する。図８は本発明の実施の形態３に
おける半導体装置計測方法を示すフローチャートであ
る。まず、初期状態として、一次格納領域Ｍ1 〜ｎ次格
納領域Ｍn には何もデータが格納されていない状態にし
て、計測する半導体装置数を予め設定しておく。まず、
ＳＴ３０１を参照して、計測された半導体装置の数が予
め設定された半導体装置数と等しければ計測を終了す
る。この説明の段階では、計測した半導体装置の数はゼ
ロなので、ＳＴ３０２へ進む。次に、ＳＴ３０２を参照
して、半導体装置を計測装置１に設置し、次に、計測装
置１はその半導体装置を計測して計測データを生成す
る。

【００４４】次に、ＳＴ３１０を参照して、ワークステ
ーション２は一次格納領域Ｍ1 が空き状態か否かを判断
する。一次格納領域Ｍ1 が空き状態の場合、ＳＴ３１１
及びＳＴ３０１へ同時に移る。その場合、ＳＴ３１１を
参照して、ワークステーション２は計測データを受け
て、一次格納領域Ｍ1 に計測データを格納する。次に、
ＳＴ３１２を参照して、圧縮コマンドにより一次格納領
域Ｍ1 に格納されている計測データを圧縮データに変換
する。次に、ＳＴ３１３を参照して、その圧縮データを
格納領域Ｍ0 に格納して、一次格納領域Ｍ1 を空き状態
にする。ＳＴ３１１へ移ると同時にＳＴ３０１へ移り、
同様に、ＳＴ３０１及びＳＴ３０２を行う。このよう
に、データの圧縮・格納と半導体装置の計測・計測デー
タの生成とを同時に行うことで、半導体装置の計測の時
間の短縮化を図る。

【００４５】また、ＳＴ３１０において、一次格納領域
Ｍ1 が空き状態でない場合、ＳＴ３２０へ移る。ＳＴ３
２０もＳＴ３１０と同様に、二次格納領域Ｍ2 が空き状
態か否かを判断する。二次格納領域Ｍ2 が空き状態であ
れば、ＳＴ３２１，ＳＴ３０１へ同時に移る。ＳＴ３２
１〜ＳＴ３２３は、それぞれＳＴ３１１〜ＳＴ３１３と
同様である。即ち、二次格納領域Ｍ2 に計測データを格
納し、二次格納領域Ｍ2 に格納されている計測データを
圧縮データに変換して、その圧縮したデータを格納領域
Ｍ0 に移動させ、二次格納領域Ｍ2 を空き状態にする。
ＳＴ３２１へ移ると同時にＳＴ３０１へ移り、同様に、
ＳＴ３０１及びＳＴ３０２を行う。このように、データ
の圧縮・格納と半導体装置の計測・計測データの生成と
を同時に行うことで、半導体装置の計測の時間の短縮化
を図る。

【００４６】ＳＴ３ｎ０〜ＳＴ３ｎ３も同様に、それぞ
れＳＴ３１０〜ＳＴ３１３に対応している。

【００４７】このように、一次格納領域Ｍ1 ，二次格納
領域Ｍ2 ，…，ｎ次格納領域Ｍn が順番に空き状態かど
うかを判断し、空き状態であれば、上述のように、デー
タの圧縮と半導体装置の計測とを同時に行う。

【００４８】なお、ＳＴ３ｎ０においてｎ次格納領域Ｍ
n が空き状態でない場合、即ち、一次格納領域Ｍ1 ，二
次格納領域Ｍ2 ，…，ｎ次格納領域Ｍn が全て空き状態
でなかった場合、ＳＴ３１０に戻り、再度一次格納領域
Ｍ1 ，二次格納領域Ｍ2 ，…，ｎ次格納領域Ｍn を順番
に空き状態かどうか判断していく。このＳＴ３１０〜Ｓ
Ｔ３ｎ０までのループを繰り返している間に、一次格納
領域Ｍ1 ，二次格納領域Ｍ2 ，…，ｎ次格納領域Ｍn の
うちのどれかが、いずれ空き状態となるため、その空き
状態の格納領域にデータが格納される。

【００４９】以上に説明したＳＴ３０１，ＳＴ３０２，
ＳＴ３１０，あるいはＳＴ３２０，…，あるいはＳＴ３
ｎ０を繰り返す。そして、ＳＴ３０１において、計測さ
れた半導体装置の数が予め設定された半導体装置数と等
しければ計測を終了する。

【００５０】次に、格納領域の数ｎの設定について説明
する。ｎが極めて小さい場合等はＳＴ３１０〜ＳＴ３ｎ
０までのループが繰り返される回数が多くなる。このよ
うな場合は、そのループが繰り返されば、ＳＴ３０１へ
進まないので、すべての半導体装置の計測が終了するま
でに長い時間がかかる。このため、すべての半導体装置
の計測を短い時間で行うためには、可能な限り、一時的
な格納領域を多く設けて（即ちｎを大きくする）するこ
とが望ましく、ｎを大きくすることにより、ループが繰
り返される回数が減少するため、ＳＴ３０１へ進み易く
なり、すべての半導体装置のサンプルの計測が終了する
までにかかる時間を短くすることができる。

【００５１】以上のように本実施の形態では、データの
圧縮と半導体装置の計測とを同時に行い、半導体装置の
計測の時間の短縮化を図る。また、ワークステーション
２の内部に備えられる記憶装置の一部を一時的な格納領
域として使用しているため、記憶装置の実質的な容量が
減少する。しかし、一時的な格納領域を考慮しなけれ
ば、実施の形態１と同様に、データを格納領域Ｍ0 に格
納する前に圧縮してその大きさを縮小しているため、従
来の半導体装置計測方法よりも、記憶装置の容量以上の
より大きい計測データを格納することができる。

【００５２】実施の形態４．本実施の形態における半導
体装置計測システムの構成も図４に示す通りである。

【００５３】図９は本発明の実施の形態３における半導
体装置計測方法を示す図であって、図４に示す半導体装
置計測システムにおける半導体装置計測方法の一例を示
すものである。図９中の各符号は図７中の各符号に対応
している。特に本実施の形態では、一次格納領域Ｍ1 ，
二次格納領域Ｍ2 ，…，ｎ次格納領域Ｍn は、それぞれ
の格納の容量がａ，２ａ，…，ｎａである。なお、ａは
定数とする。また、図４中の格納装置４は一次格納領域
Ｍ1 ，二次格納領域Ｍ2 ，…，ｎ次格納領域Ｍn に相当
する。

【００５４】図９に示すように、計測装置１は半導体装
置を計測して計測データを生成し、ワークステーション
２へ計測データを送る。ワークステーション２は計測デ
ータを受けて、計測データの大きさを判断する。そし
て、その計測データの大きさ以上の容量の格納領域を一
次格納領域Ｍ1 〜ｎ次格納領域Ｍn の中から選択し、そ
こへ送られてきた計測データを格納する。さらにワーク
ステーション２は圧縮コマンドによって、格納された計
測データを圧縮データに変換し、圧縮データを格納領域
Ｍ0 に格納する。その圧縮・格納を行う間も、計測装置
１は半導体装置を計測して計測データを生成し、同様に
計測データの大きさ以上の容量の格納領域を一次格納領
域Ｍ1 〜ｎ次格納領域Ｍの中から選択し、そこに計測デ
ータを格納する。このように、データの圧縮・格納と半
導体装置の計測・計測データの生成とを同時に行うこと
で、半導体装置の計測の時間の短縮化を図る。

【００５５】次に、図１０を用いてさらに詳細に半導体
装置計測方法を説明する。図１０は本発明の実施の形態
４における半導体装置計測方法を示すフローチャートで
ある。まず、初期状態として、一次格納領域Ｍ1 〜ｎ次
格納領域Ｍn には何もデータが格納されていない状態に
して、計測する半導体装置数を予め設定しておく。ま
ず、ＳＴ４０１を参照して、計測された半導体装置の数
が予め設定された半導体装置数と等しければ計測を終了
する。この説明の段階では、計測した半導体装置の数は
ゼロなので、ＳＴ４０２へ進む。次に、ＳＴ４０２を参
照して、半導体装置を計測装置１に設置し、次に、計測
装置１はその半導体装置を計測して計測データを生成す
る。

【００５６】次に、ＳＴ４１０を参照して、ワークステ
ーション２は計測データを受けて、計測データの大きさ
を判断する。そして、まず、その計測データの大きさが
（０，ａ）（０以上のａ未満を意味する。以下同様）か
否かを判断する。計測データの大きさがその範囲内であ
れば、ＳＴ４１１，ＳＴ４０１へ同時に移る。その場
合、ＳＴ４１１を参照して、ワークステーション２は計
測データを一次格納領域Ｍ1 にデータを格納する。次
に、ＳＴ４１２を参照して、圧縮コマンドにより一次格
納領域Ｍ1 に格納されている計測データを圧縮データに
変換する。次に、ＳＴ４１３を参照して、その圧縮デー
タを格納領域Ｍ0 に格納して、一次格納領域Ｍ1 を空き
状態にする。ＳＴ４１１へ移ると同時にＳＴ４０１へ移
り、同様に、ＳＴ４０１及びＳＴ４０２を行う。このよ
うに、データの圧縮・格納と半導体装置の計測・計測デ
ータの生成とを同時に行うことで、半導体装置の計測の
時間の短縮化を図る。

【００５７】データの大きさが（０，ａ）の範囲外であ
る場合、ＳＴ４２０へ移る。ＳＴ４２０もＳＴ４１０と
同様に、データの大きさが（ａ，２ａ）の範囲内である
か否かを判断する。データの大きさがその範囲内であれ
ば、ＳＴ４２１，ＳＴ４０１へ同時に移る。ＳＴ４２１
からＳＴ４２３の動作は、それぞれＳＴ４１１からＳＴ
４１３と同様である。即ち、二次格納領域Ｍ2 に計測デ
ータを格納し、二次格納領域Ｍ2 に格納されている計測
データを圧縮データに変換して、その圧縮したデータを
格納領域Ｍ0 に格納し、二次格納領域Ｍ2 を空き状態に
する。ＳＴ４２１へ移ると同時にＳＴ４０１へ移り、同
様に、ＳＴ４０１及びＳＴ４０２を行う。このように、
データの圧縮・格納と半導体装置の計測・計測データの
生成とを同時に行うことで、半導体装置の計測の時間の
短縮化を図る。

【００５８】ＳＴ４ｋ０〜ＳＴ４ｋ３（ｋ＝２，３，
４，…，ｎ−１）も同様に、それぞれＳＴ４１０〜ＳＴ
４１３に対応している。なお、計測データの大きさが
（ａ（ｎ−１），ａｎ）であれば、ＳＴ４（ｎ−１）０
から、ＳＴ４１０のような判断のステップを行うことな
く、ＳＴ４ｎ１及びＳＴ４０１へ移る。ＳＴ４ｎ１〜Ｓ
Ｔ４ｎ３も同様に、それぞれＳＴ４１１〜ＳＴ４１３に
対応している。

【００５９】このように、計測データの大きさが（０，
ａ），（ａ，２ａ），…，（ａ（ｎ−２），ａ（ｎ−
１））の順番に計測データの大きさがその範囲内である
か否かを判断し、範囲内であれば、上述のように、デー
タの圧縮・格納と半導体装置の計測・計測データの生成
とを同時に行うことで、半導体装置の計測の時間の短縮
化を図る。

【００６０】以上に説明したＳＴ４０１，ＳＴ４０２，
ＳＴ４１０，あるいはＳＴ４２０，…，あるいはＳＴ４
ｎ０を繰り返す。そして、ＳＴ４０１において、計測さ
れた半導体装置の数が予め設定された半導体装置数と等
しければ計測を終了する。

【００６１】なお、ＳＴ４１１〜ＳＴ４１３，ＳＴ４２
１〜ＳＴ４２３，…，ＳＴ４ｎ１〜４ｎ３は、いわゆる
逐次処理となっている。例えば、全てのサンプルの圧縮
したデータの大きさが０．５ａである場合を考える。ま
ず、ＳＴ４０１，ＳＴ４０２及びＳＴ４１０のを経て、
ＳＴ４１１へ移る。ＳＴ４１１へ移ると同時にＳＴ４０
１のステップにも移る。再び、ＳＴ４０１，ＳＴ４０２
及びＳＴ４１０を経て、ＳＴ４１１へ移る。この際、前
回のＳＴ４１１のステップでの処理が未だ完了していな
い場合、次に移ってきたステップの処理が追いつくこと
になる。このような場合は、追いついた処理がＳＴ４１
０で一時的に停止し、前回のＳＴ４１１〜ＳＴ４１３の
処理が終了して、一次格納領域Ｍ1 が空き状態になって
から追いついた処理を再開する。他のＳＴ４２１〜ＳＴ
４２３，…，ＳＴ４ｎ１〜４ｎ３についても同様であ
る。

【００６２】次に、各一時的な格納領域の容量について
説明する。まず、ｎ次格納領域の容量（＝ｎａ）は一度
に計測装置１から送られてくる計測データの大きさのう
ち、最大の大きさ（＝Ｍnc）に設定する。ここで、ｎを
大きくすれば、上述の逐次処理の頻度が減少できるた
め、すべての半導体装置の計測が終了するまでの時間が
短くなる。しかし、一次格納領域Ｍ1〜ｎ次格納領域Ｍn
の合計の容量Ｃは、 Ｃ＝ａｎ（ｎ＋１）／２ ・・・（式１） ＝Ｍnc（ｎ＋１）／２ ・・・（式２） であるため、ｎが大きければ大きいほど容量Ｃは大きく
なる。

【００６３】一方、ａを大きくしてｎを小さくすれば、
逐次処理の頻度が増大するため、すべての半導体装置の
計測が終了するまでの時間が長くなる。しかし式２より
容量Ｃが小さくなる。従って、半導体装置計測システム
に応じて、ａやｎを設定することが望ましい。例えば、
記憶装置Ｍの容量が小さいワークステーション２を用い
ている場合は、ａを大きくしてｎを小さくすれば、容量
Ｃも小さくできる。

【００６４】以上のように本実施の形態では、データの
圧縮と半導体装置の計測とを同時に行い、半導体装置の
計測の時間の短縮化を図る。また、ワークステーション
２の内部に備えられる記憶装置の一部を一時的な格納領
域として使用しているため、記憶装置の実質的な容量が
減少するが、一時的な格納領域を考慮しなければ、実施
の形態１と同様に、データを格納領域Ｍ0 に格納する前
に圧縮してその大きさを縮小しているため、従来の半導
体装置計測方法よりも、記憶装置の容量以上のより大き
い計測データを格納することができる。また、式２に示
すように本実施の形態の一次〜ｎ次格納領域の合計の容
量は、実施の形態３に示す一次〜ｎ次格納領域の合計の
容量（＝ｎＭac）より小さくて済む。従って、本実施の
形態では、計測装置１からの計測データの大きさが一定
でない半導体装置計測システムに特に効果がある。

【００６５】なお、一次格納領域Ｍ1 ，二次格納領域Ｍ
2 ，…，ｎ次格納領域Ｍ0 の容量は一定の大きさのａづ
つ増えているが、一定の大きさでなくてもよい。

【００６６】

【発明の効果】本発明請求項１によると、記憶装置に計
測データを格納してから計測データを圧縮データに変換
するよりも、記憶装置の容量以上のより大きい計測デー
タを格納することができるという効果を奏す。

【００６７】本発明請求項２によると、半導体装置の計
測の時間の短縮化が図れるという効果を奏す。

【００６８】本発明請求項３によると、第１及び第２の
記憶手段を備えることで、半導体装置の計測の時間の短
縮化が図れるという効果を奏す。

【００６９】本発明請求項４によると、可能な限り容量
の等しい多数の記憶手段を備えることで、半導体装置の
計測の時間の短縮化が図れるという効果を奏す。

【００７０】本発明請求項５によると、可能な限り容量
の異なる多数の記憶手段を備えることで、多数の記憶手
段全体の記憶容量を少なくでき、半導体装置の計測の時
間の短縮化が図れるという効果を奏す。

【００７１】本発明請求項６によると、記憶装置に計測
データを格納してから計測データを圧縮データに変換す
るよりも、記憶装置の容量以上のより大きい計測データ
を格納することができるという効果を奏す。

【００７２】本発明請求項７によると、第１及び第２の
格納手段を備えた半導体装置計測システムに用いること
で、記憶装置の容量以上のより大きい計測データを格納
することができ、半導体装置の計測の時間の短縮化が図
れるという効果を奏す。

【００７３】本発明請求項８によると、それぞれ容量の
等しい第１〜第ｎの格納手段を備えた半導体装置計測シ
ステムに用いることで、記憶装置の容量以上のより大き
い計測データを格納することができ、半導体装置の計測
の時間の短縮化が図れるという効果を奏す。

【００７４】本発明請求項９によると、それぞれ容量の
異なる第１〜第ｎの格納手段を備えた半導体装置計測シ
ステムに用いることで、記憶装置の容量以上のより大き
い計測データを格納することができ、半導体装置の計測
の時間の短縮化が図れ、多数の記憶手段全体の記憶容量
が少なくて済むという効果を奏す。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１における半導体装置計
測システムの構成図である。

【図２】 本発明の実施の形態１における半導体装置計
測方法を示す図である。

【図３】 本発明の実施の形態１における半導体装置計
測方法を示すフローチャートである。

【図４】 本発明の実施の形態２〜４における半導体装
置計測システムの構成図である。

【図５】 本発明の実施の形態２における半導体装置計
測方法を示す図である。

【図６】 本発明の実施の形態２における半導体装置計
測方法を示すフローチャートである。

【図７】 本発明の実施の形態３における半導体装置計
測方法を示す図である。

【図８】 本発明の実施の形態３における半導体装置計
測方法を示すフローチャートである。

【図９】 本発明の実施の形態４における半導体装置計
測方法を示す図である。

【図１０】 本発明の実施の形態４における半導体装置
計測方法を示すフローチャートである。

【図１１】 従来の半導体装置計測方法を示すフローチ
ャートである。

【符号の説明】

１ 計測装置、２ ワークステーション、３ データ圧
縮手段、４ 格納装置、Ｍ 記憶装置、Ｍ1 一次格納
領域、Ｍ2 二次格納領域、Ｍn ｎ次格納領域。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 広瀬 幸範 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 向川 泰和 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体装置の特性を計測して計測データ
   を格納しておく半導体装置計測システムであって、 前記半導体装置の特性を計測して前記計測データを生成
   する計測手段と、 前記計測データを受けて前記計測データを圧縮して圧縮
   データを生成するデータ圧縮手段と、 前記圧縮データを受けて前記圧縮データを格納しておく
   記憶手段と、を備えた半導体装置計測システム。
2. 【請求項２】 前記計測手段が生成した前記計測データ
   を一時的に格納しておく格納手段をさらに備え、 前記データ圧縮手段は、 前記格納手段に格納されている前記計測データを圧縮し
   て前記圧縮データを生成し、 前記計測手段は、 前記データ圧縮手段による前記計測データの圧縮・前記
   圧縮データの生成及び前記記憶手段への前記圧縮データ
   の格納と並行して前記半導体装置の特性を計測して前記
   計測データを生成する請求項１記載の半導体装置計測シ
   ステム。
3. 【請求項３】 前記格納手段は一次及び二次格納手段を
   含み、 前記一次格納手段に前記計測手段が生成した前記計測デ
   ータを格納し、前記二次格納手段が格納している前記計
   測データを前記データ圧縮手段に与える第１の状態と、
   前記二次格納手段に前記計測手段が生成した前記計測デ
   ータを格納し、前記一次格納手段が格納している前記計
   測データを前記データ圧縮手段に与える第２の状態とを
   選択的に切り換える制御手段をさらに備えた請求項２記
   載の半導体装置計測システム。
4. 【請求項４】 前記格納手段は、かつそれぞれ同じ容量
   の一次〜ｎ次格納手段を含み、 前記一次〜ｎ次格納手段のうち空き状態の格納手段に前
   記計測手段が生成した前記計測データを格納し、前記一
   次〜ｎ次格納手段に格納されている前記計測データを前
   記データ圧縮手段に与える制御手段をさらに備えた請求
   項２記載の半導体装置計測システム。
5. 【請求項５】 前記格納手段は、かつそれぞれ異なる容
   量の一次〜ｎ次格納手段を含み、 前記一次〜ｎ次格納手段のうち前記計測データの大きさ
   以上の容量の格納手段に前記計測手段が生成した前記計
   測データを格納し、前記一次〜ｎ次格納手段に格納され
   ている前記計測データを前記データ圧縮手段に与える制
   御手段をさらに備えた請求項２記載の半導体装置計測シ
   ステム。
6. 【請求項６】 請求項１記載の半導体装置計測システム
   に用いられる半導体装置計測方法であって、 前記計測手段が前記半導体装置の特性を計測して前記計
   測データを生成する第１のステップと、 前記データ圧縮手段が前記計測データを圧縮して前記圧
   縮データを生成する第２のステップと、 前記第２のステップの後、前記圧縮データを前記記憶装
   置に格納する第３のステップと、 前記第１〜第３のステップを繰り返している間に、計測
   する前記半導体装置がなくなれば終了する第４のステッ
   プと、を備えた半導体装置計測方法。
7. 【請求項７】 請求項３記載の半導体装置計測システム
   に用いられる半導体装置計測方法であって、 前記一次格納手段に前記計測手段が生成した前記計測デ
   ータを格納して前記一次格納手段がｆｕｌｌ状態になれ
   ば当該ステップを終了する第１のステップと、 前記第１のステップの後、前記二次格納手段に前記計測
   手段が生成した前記計測データを格納して前記二次格納
   手段がｆｕｌｌ状態になれば当該ステップを終了し、そ
   の後前記第１のステップに移る第２のステップと、 前記第２のステップが処理されている間に、前記一次格
   納手段に格納されている前記計測データを圧縮して前記
   圧縮データを生成して、前記記憶手段に格納して前記一
   次格納手段を空き状態にする第３のステップと、 前記第１のステップが処理されている間に、前記二次格
   納手段に格納されている前記計測データを圧縮して前記
   圧縮データを生成して、前記記憶手段に格納して前記二
   次格納手段を空き状態にする第４のステップと、 前記第１及び第２のステップを繰り返している間に、計
   測する前記半導体装置がなくなれば終了する第５のステ
   ップと、を備えた半導体装置計測方法。
8. 【請求項８】 請求項４記載の半導体装置計測システム
   に用いられる半導体装置計測方法であって、 前記計測手段が前記半導体装置を計測して前記計測デー
   タを生成する第１のステップと、 前記一次格納手段〜ｎ次格納手段のうち空き状態の格納
   手段を選択する第２のステップと、 前記選択した格納手段に前記計測データを格納し、その
   後第１のステップへ移る第３のステップと、 前記第１〜第３のステップを繰り返している間に、前記
   一次〜ｎ次格納手段に格納されている前記計測データを
   圧縮して前記圧縮データを生成し、前記記憶手段に格納
   して当該格納手段を空き状態にする第４のステップと、 前記第１〜第３のステップを繰り返している間に、計測
   する前記半導体装置がなくなれば終了する第５のステッ
   プと、を備えた半導体装置計測方法。
9. 【請求項９】 請求項５記載の半導体装置計測システム
   に用いられる半導体装置計測方法であって、 前記計測手段が前記半導体装置を計測して前記計測デー
   タを生成する第１のステップと、 前記計測データの大きさを判断して、前記一次格納手段
   〜ｎ次格納手段のうちの前記計測データの大きさ以上の
   容量の格納手段を選択する第２のステップと、 前記選択した格納手段に前記計測データを格納し、その
   後前記第１のステップへ移る第３のステップと、 前記第１〜第３のステップを繰り返している間に、前記
   一次〜ｎ次格納手段に格納されている前記計測データを
   前記圧縮データに変換して、前記記憶手段に格納して当
   該格納手段を空き状態にする第４のステップと、 前記第１〜第３のステップを繰り返している間に、計測
   する前記半導体装置がなくなれば終了する第５のステッ
   プと、を備えた半導体装置計測方法。