JPH09126236A - 磁気軸受装置 - Google Patents
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- JPH09126236A JPH09126236A JP7284903A JP28490395A JPH09126236A JP H09126236 A JPH09126236 A JP H09126236A JP 7284903 A JP7284903 A JP 7284903A JP 28490395 A JP28490395 A JP 28490395A JP H09126236 A JPH09126236 A JP H09126236A
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- F16C2360/44—Centrifugal pumps
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電磁石の励磁コイルの温度上昇の影響を受け
にくくする。 【解決手段】 回転体１を非接触支持する電磁石2a、2b
の励磁コイル3a、3bに直列に電流検出用抵抗器4a、4bを
接続する。電磁石制御装置５が、回転体１の位置変化に
ともなって変化する励磁電流値を電流検出用抵抗器4a、
4bを用いて検出し、この励磁電流検出値に基づいて励磁
コイル3a、3bに供給する励磁電流値を制御する。励磁コ
イル3bの温度を検出する温度センサ12を設ける。電磁石
制御装置５が、温度センサ12の温度検出信号に基づいて
励磁電流値の制御特性を変化させ、これにより励磁コイ
ル3a、3bの抵抗値の温度ドリフトを補償する。
にくくする。 【解決手段】 回転体１を非接触支持する電磁石2a、2b
の励磁コイル3a、3bに直列に電流検出用抵抗器4a、4bを
接続する。電磁石制御装置５が、回転体１の位置変化に
ともなって変化する励磁電流値を電流検出用抵抗器4a、
4bを用いて検出し、この励磁電流検出値に基づいて励磁
コイル3a、3bに供給する励磁電流値を制御する。励磁コ
イル3bの温度を検出する温度センサ12を設ける。電磁石
制御装置５が、温度センサ12の温度検出信号に基づいて
励磁電流値の制御特性を変化させ、これにより励磁コイ
ル3a、3bの抵抗値の温度ドリフトを補償する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、磁気軸受装置、
さらに詳しくは、回転体を非接触支持するための電磁石
の励磁コイルを回転体の位置検出用のコイルとして共用
するいわゆるセンサレス磁気軸受装置に関する。
さらに詳しくは、回転体を非接触支持するための電磁石
の励磁コイルを回転体の位置検出用のコイルとして共用
するいわゆるセンサレス磁気軸受装置に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】この
種の磁気軸受装置として、たとえば特開平５−８７１４
０号公報に記載されているようなものが知られている。
この磁気軸受装置では、回転体を非接触支持するための
電磁石の励磁コイルに直列に電流検出用抵抗器が接続さ
れ、電磁石制御回路から励磁コイルに励磁電流が供給さ
れるようになっている。通常、励磁コイルの抵抗値は１
Ω程度、電流検出用抵抗器の抵抗値は０．１〜０．３Ω
程度である。このような磁気軸受装置では、回転体の位
置が変化すると、それに伴って励磁コイルに流れる励磁
電流値が変化する。そして、電磁石制御回路が、電流検
出用抵抗器を用いて励磁電流値を検出し、この励磁電流
検出値から回転体の位置変化を推定し、その結果に基づ
いて励磁コイルに供給する励磁電流値を制御するように
なっている。
種の磁気軸受装置として、たとえば特開平５−８７１４
０号公報に記載されているようなものが知られている。
この磁気軸受装置では、回転体を非接触支持するための
電磁石の励磁コイルに直列に電流検出用抵抗器が接続さ
れ、電磁石制御回路から励磁コイルに励磁電流が供給さ
れるようになっている。通常、励磁コイルの抵抗値は１
Ω程度、電流検出用抵抗器の抵抗値は０．１〜０．３Ω
程度である。このような磁気軸受装置では、回転体の位
置が変化すると、それに伴って励磁コイルに流れる励磁
電流値が変化する。そして、電磁石制御回路が、電流検
出用抵抗器を用いて励磁電流値を検出し、この励磁電流
検出値から回転体の位置変化を推定し、その結果に基づ
いて励磁コイルに供給する励磁電流値を制御するように
なっている。
【０００３】上記の従来の磁気軸受装置では、駆動時に
温度上昇の影響を受けやすく、閉ループ制御系が不安定
になりやすいという問題がある。すなわち、上記のよう
な磁気軸受装置の場合、励磁コイルに通電すると、オー
ム損などによる発熱が生じ、約１５０℃まで温度が上昇
するので、励磁コイルの抵抗値が常温（２０℃）時より
も約５０％上昇する。電磁石は、磁気軸受装置を利用し
たターボ分子ポンプや工作機械用スピンドルなどのケー
シング内の回転体の周囲に配設されるため、励磁コイル
を強制冷却してその温度上昇を抑えることは困難であ
り、したがって、その抵抗値の上昇を抑えることも困難
である。しかも、励磁コイルの抵抗値は電流検出用抵抗
器の抵抗値よりかなり大きいので、温度上昇により、電
磁石制御回路側から見た励磁コイル側の全抵抗値が大き
く上昇し、この全抵抗値が±２０％変動すると、閉ルー
プ制御系が不安定になることが予想される。
温度上昇の影響を受けやすく、閉ループ制御系が不安定
になりやすいという問題がある。すなわち、上記のよう
な磁気軸受装置の場合、励磁コイルに通電すると、オー
ム損などによる発熱が生じ、約１５０℃まで温度が上昇
するので、励磁コイルの抵抗値が常温（２０℃）時より
も約５０％上昇する。電磁石は、磁気軸受装置を利用し
たターボ分子ポンプや工作機械用スピンドルなどのケー
シング内の回転体の周囲に配設されるため、励磁コイル
を強制冷却してその温度上昇を抑えることは困難であ
り、したがって、その抵抗値の上昇を抑えることも困難
である。しかも、励磁コイルの抵抗値は電流検出用抵抗
器の抵抗値よりかなり大きいので、温度上昇により、電
磁石制御回路側から見た励磁コイル側の全抵抗値が大き
く上昇し、この全抵抗値が±２０％変動すると、閉ルー
プ制御系が不安定になることが予想される。
【０００４】この発明の目的は、上記の問題を解決し、
駆動時の温度上昇の影響を受けにくい磁気軸受装置を提
供することにある。
駆動時の温度上昇の影響を受けにくい磁気軸受装置を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段および効果】この発明によ
る磁気軸受装置は、回転体を非接触支持するための電磁
石の励磁コイルに流れる励磁電流値に基づいて上記励磁
コイルに供給する励磁電流値を制御するようになされて
いる磁気軸受装置において、上記励磁コイルの温度変化
に基づいて上記励磁電流値の制御特性を変化させ、これ
により上記励磁コイルの抵抗値の温度ドリフトを補償す
るようになされていることを特徴とするものである。
る磁気軸受装置は、回転体を非接触支持するための電磁
石の励磁コイルに流れる励磁電流値に基づいて上記励磁
コイルに供給する励磁電流値を制御するようになされて
いる磁気軸受装置において、上記励磁コイルの温度変化
に基づいて上記励磁電流値の制御特性を変化させ、これ
により上記励磁コイルの抵抗値の温度ドリフトを補償す
るようになされていることを特徴とするものである。
【０００６】この発明による磁気軸受装置は、また、回
転体を非接触支持するための電磁石の励磁コイルに直列
に電流検出用抵抗器が接続され、上記励磁コイルに励磁
電流を供給するための電磁石制御手段が、回転体の位置
変化にともなって変化する励磁電流値を上記電流検出用
抵抗器を用いて検出し、この励磁電流検出値に基づいて
上記励磁コイルに供給する励磁電流値を制御するように
なされている磁気軸受装置において、上記励磁コイルの
温度を検出するための温度センサが設けられ、上記電磁
石制御手段が、上記温度センサの温度検出信号に基づい
て上記励磁電流値の制御特性を変化させ、これにより上
記励磁コイルの抵抗値の温度ドリフトを補償するように
なされていることを特徴とするものである。
転体を非接触支持するための電磁石の励磁コイルに直列
に電流検出用抵抗器が接続され、上記励磁コイルに励磁
電流を供給するための電磁石制御手段が、回転体の位置
変化にともなって変化する励磁電流値を上記電流検出用
抵抗器を用いて検出し、この励磁電流検出値に基づいて
上記励磁コイルに供給する励磁電流値を制御するように
なされている磁気軸受装置において、上記励磁コイルの
温度を検出するための温度センサが設けられ、上記電磁
石制御手段が、上記温度センサの温度検出信号に基づい
て上記励磁電流値の制御特性を変化させ、これにより上
記励磁コイルの抵抗値の温度ドリフトを補償するように
なされていることを特徴とするものである。
【０００７】電磁石の励磁コイルの温度が温度センサに
より検出され、この温度検出信号に基づいて励磁コイル
に供給する励磁電流値の制御特性が変化させられる。す
なわち、励磁コイルの温度変化に基づいて励磁電流値の
制御特性が変化させられる。たとえば、励磁コイルの温
度上昇にともなって、励磁コイルに供給する励磁電流値
の変化が大きくなるように、ゲインが大きくされる。こ
れにより、励磁コイルの抵抗値の温度ドリフトが補償さ
れる。したがって、この発明による磁気軸受装置は、電
磁石の励磁コイルを回転体の位置検出用のコイルとして
共用しているにもかかわらず、励磁コイルの温度上昇の
影響を受けにくく、温度上昇によって閉ループ制御系が
不安定になることがない。
より検出され、この温度検出信号に基づいて励磁コイル
に供給する励磁電流値の制御特性が変化させられる。す
なわち、励磁コイルの温度変化に基づいて励磁電流値の
制御特性が変化させられる。たとえば、励磁コイルの温
度上昇にともなって、励磁コイルに供給する励磁電流値
の変化が大きくなるように、ゲインが大きくされる。こ
れにより、励磁コイルの抵抗値の温度ドリフトが補償さ
れる。したがって、この発明による磁気軸受装置は、電
磁石の励磁コイルを回転体の位置検出用のコイルとして
共用しているにもかかわらず、励磁コイルの温度上昇の
影響を受けにくく、温度上昇によって閉ループ制御系が
不安定になることがない。
【０００８】磁気軸受装置には複数個の電磁石が設けら
れるが、全ての電磁石の励磁コイルの温度を検出する必
要はなく、少なくとも１個の電磁石の励磁コイルの温度
を検出し、その検出結果に基づいて他の電磁石の励磁コ
イルに供給する励磁電流値の制御特性を変化させるよう
にすればよい。
れるが、全ての電磁石の励磁コイルの温度を検出する必
要はなく、少なくとも１個の電磁石の励磁コイルの温度
を検出し、その検出結果に基づいて他の電磁石の励磁コ
イルに供給する励磁電流値の制御特性を変化させるよう
にすればよい。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施形態について説明する。
の実施形態について説明する。
【００１０】図１は、第１の実施形態を示している。
【００１１】図１には、回転体(1) の横断面とこれをラ
ジアル方向に非接触支持するためのラジアル磁気軸受装
置の要部が概略的に示されている。なお、以下の説明に
おいて、１つのラジアル方向の座標軸をＸ軸、これと直
交するもう１つのラジアル方向の座標軸をＹ軸とする。
ジアル方向に非接触支持するためのラジアル磁気軸受装
置の要部が概略的に示されている。なお、以下の説明に
おいて、１つのラジアル方向の座標軸をＸ軸、これと直
交するもう１つのラジアル方向の座標軸をＹ軸とする。
【００１２】ラジアル磁気軸受装置は、回転体(1) をラ
ジアル方向に非接触支持するための２対の電磁石、すな
わち、回転体(1) をＸ軸方向の両側から挟むように配置
された１対のＸ軸方向電磁石(2a)(2b)と、回転体(1) を
Ｙ軸方向の両側から挟むように配置された１対のＹ軸方
向電磁石（図示略）とを備えている。なお、Ｘ軸方向電
磁石(2a)(2b)の一方を第１電磁石(2a)、他方を第２電磁
石(2b)と呼ぶことにする。各電磁石(2a)(2b)の励磁コイ
ル(3a)(3b)には、それぞれ、電流検出用抵抗器(4a)(4b)
が直列に接続されており、これら各直列回路に電磁石制
御手段としての電磁石制御装置(5) からそれぞれ励磁電
圧が印加され、それにより、各直列回路に励磁電流が供
給されるようになっている。たとえば、コイル(3a)(3b)
の抵抗値は１〜２Ω、抵抗器(4a)(4b)の抵抗値は０．１
〜０．３Ωである。
ジアル方向に非接触支持するための２対の電磁石、すな
わち、回転体(1) をＸ軸方向の両側から挟むように配置
された１対のＸ軸方向電磁石(2a)(2b)と、回転体(1) を
Ｙ軸方向の両側から挟むように配置された１対のＹ軸方
向電磁石（図示略）とを備えている。なお、Ｘ軸方向電
磁石(2a)(2b)の一方を第１電磁石(2a)、他方を第２電磁
石(2b)と呼ぶことにする。各電磁石(2a)(2b)の励磁コイ
ル(3a)(3b)には、それぞれ、電流検出用抵抗器(4a)(4b)
が直列に接続されており、これら各直列回路に電磁石制
御手段としての電磁石制御装置(5) からそれぞれ励磁電
圧が印加され、それにより、各直列回路に励磁電流が供
給されるようになっている。たとえば、コイル(3a)(3b)
の抵抗値は１〜２Ω、抵抗器(4a)(4b)の抵抗値は０．１
〜０．３Ωである。
【００１３】制御装置(5) は、２個の加算回路(6)(7)、
２個の減算回路(8)(9)、平均値演算回路(10)および電流
制御回路(11)を備えている。電流制御回路(11)は、たと
えば、マイクロコンピュータを備えている。抵抗器(4a)
(4b)の端子電圧を検出することにより、対応するコイル
(3a)(3b)に流れる励磁電流値が検出され、１対のコイル
(3a)(3b)の励磁電流検出値が第１加算回路(6) および第
１減算回路(8) に入力する。第１加算回路(6) で２つの
コイル(3a)(3b)の励磁電流検出値が加算され、その結果
が平均値演算回路(10)で（１／２）倍されて、２つのコ
イル(3a)(3b)の励磁電流検出値の平均値が求められる。
そして、この平均値が、定常電圧（コイル(3a)(3b)に供
給される励磁電流のうちの定常電流の値に比例する電
圧）として第２加算回路(7) および第２減算回路(9) に
出力される。また、第１減算回路(8) で２つのコイル(3
a)(3b)の励磁電流検出値の差が演算され、その結果が電
流制御回路(11)に入力する。この種の磁気軸受装置で
は、回転体(1) のＸ軸方向の位置が変化すると、それに
ともなってコイル(3a)(3b)に流れる励磁電流値が変化
し、第１減算回路(8) の出力は回転体(1) のＸ軸方向の
変位に対応している。電流制御回路(11)では、第１減算
回路(8) の出力すなわち回転体(1) のＸ軸方向の変位に
基づいて、制御電圧（コイル(3a)(3b)に供給される励磁
電流のうちの制御電流の値に比例する電圧）が求めら
れ、これが第２加算回路(7) および第２減算回路(9) に
出力される。通常、第２加算回路(7) と第２減算回路
(9) に入力する定常電圧は互いに等しく、また、これら
に入力する制御電圧も互いに等しい。第２加算回路(7)
において、平均値演算回路(10)からの定常電圧と電流制
御回路(11)からの制御電圧が加算され、その加算値が励
磁電圧として第１電磁石(2a)のコイル(3a)に印加され
る。その結果、定常電流値に制御電流値が加算された励
磁電流が、コイル(3a)に供給される。同様に、第２減算
回路(9) において、定常電圧から制御電圧が減算され、
その減算値が励磁電圧として第２電磁石(2b)のコイル(3
b)に印加される。その結果、定常電流値から制御電流値
が減算された励磁電流が、コイル(3b)に供給される。そ
して、このように回転体(1) のＸ軸方向の変位に基づい
てコイル(3a)(3b)に供給する励磁電流値を制御すること
により、回転体(1) がＸ軸方向の所定の位置に非接触支
持される。
２個の減算回路(8)(9)、平均値演算回路(10)および電流
制御回路(11)を備えている。電流制御回路(11)は、たと
えば、マイクロコンピュータを備えている。抵抗器(4a)
(4b)の端子電圧を検出することにより、対応するコイル
(3a)(3b)に流れる励磁電流値が検出され、１対のコイル
(3a)(3b)の励磁電流検出値が第１加算回路(6) および第
１減算回路(8) に入力する。第１加算回路(6) で２つの
コイル(3a)(3b)の励磁電流検出値が加算され、その結果
が平均値演算回路(10)で（１／２）倍されて、２つのコ
イル(3a)(3b)の励磁電流検出値の平均値が求められる。
そして、この平均値が、定常電圧（コイル(3a)(3b)に供
給される励磁電流のうちの定常電流の値に比例する電
圧）として第２加算回路(7) および第２減算回路(9) に
出力される。また、第１減算回路(8) で２つのコイル(3
a)(3b)の励磁電流検出値の差が演算され、その結果が電
流制御回路(11)に入力する。この種の磁気軸受装置で
は、回転体(1) のＸ軸方向の位置が変化すると、それに
ともなってコイル(3a)(3b)に流れる励磁電流値が変化
し、第１減算回路(8) の出力は回転体(1) のＸ軸方向の
変位に対応している。電流制御回路(11)では、第１減算
回路(8) の出力すなわち回転体(1) のＸ軸方向の変位に
基づいて、制御電圧（コイル(3a)(3b)に供給される励磁
電流のうちの制御電流の値に比例する電圧）が求めら
れ、これが第２加算回路(7) および第２減算回路(9) に
出力される。通常、第２加算回路(7) と第２減算回路
(9) に入力する定常電圧は互いに等しく、また、これら
に入力する制御電圧も互いに等しい。第２加算回路(7)
において、平均値演算回路(10)からの定常電圧と電流制
御回路(11)からの制御電圧が加算され、その加算値が励
磁電圧として第１電磁石(2a)のコイル(3a)に印加され
る。その結果、定常電流値に制御電流値が加算された励
磁電流が、コイル(3a)に供給される。同様に、第２減算
回路(9) において、定常電圧から制御電圧が減算され、
その減算値が励磁電圧として第２電磁石(2b)のコイル(3
b)に印加される。その結果、定常電流値から制御電流値
が減算された励磁電流が、コイル(3b)に供給される。そ
して、このように回転体(1) のＸ軸方向の変位に基づい
てコイル(3a)(3b)に供給する励磁電流値を制御すること
により、回転体(1) がＸ軸方向の所定の位置に非接触支
持される。
【００１４】第２電磁石(2b)のコイル(3b)の近傍に、コ
イル(3b)の温度を検出するための温度センサ(12)が設け
られており、その出力である温度検出信号が電流制御回
路(11)に入力する。そして、電流制御回路(11)は、温度
センサ(12)からの温度検出信号に基づいてコイル(3a)(3
b)に供給する励磁電流の制御特性を変化させ、それによ
りコイル(3a)(3b)の抵抗値の温度ドリフトを補償するよ
うになっている。たとえば、電流制御回路(11)は、コイ
ル(3b)の温度上昇にともなって、コイル(3a)(3b)に供給
する制御電流値が大きくなるように、ゲインを大きくす
る。その結果、コイル(3b)の温度上昇にともなって、励
磁電流値の変化が大きくなる。
イル(3b)の温度を検出するための温度センサ(12)が設け
られており、その出力である温度検出信号が電流制御回
路(11)に入力する。そして、電流制御回路(11)は、温度
センサ(12)からの温度検出信号に基づいてコイル(3a)(3
b)に供給する励磁電流の制御特性を変化させ、それによ
りコイル(3a)(3b)の抵抗値の温度ドリフトを補償するよ
うになっている。たとえば、電流制御回路(11)は、コイ
ル(3b)の温度上昇にともなって、コイル(3a)(3b)に供給
する制御電流値が大きくなるように、ゲインを大きくす
る。その結果、コイル(3b)の温度上昇にともなって、励
磁電流値の変化が大きくなる。
【００１５】図示は省略したが、１対のＹ軸方向電磁石
についても、同様に、回転体(1) のＹ軸方向の変位と電
磁石の励磁コイルの温度変化に基づいて、励磁コイルに
供給される励磁電流の制御が行われる。その場合、Ｙ軸
方向電磁石の励磁コイルの近傍に温度センサを設ける必
要はなく、上記の温度センサ(12)からの温度検出信号を
用いて制御を行うことができる。
についても、同様に、回転体(1) のＹ軸方向の変位と電
磁石の励磁コイルの温度変化に基づいて、励磁コイルに
供給される励磁電流の制御が行われる。その場合、Ｙ軸
方向電磁石の励磁コイルの近傍に温度センサを設ける必
要はなく、上記の温度センサ(12)からの温度検出信号を
用いて制御を行うことができる。
【００１６】回転体(1) は、通常、２個のラジアル磁気
軸受装置と１個のアキシアル磁気軸受装置によって支持
されるようになっている。他方のラジアル磁気軸受につ
いても、上記と同様に、回転体(1) のラジアル方向の変
位と電磁石の励磁コイルの温度変化に基づいて、励磁電
流の制御を行うことができる。その場合、他方のラジア
ル磁気軸受装置のいずれか１つの電磁石の励磁コイルの
近傍に温度センサを設けてもよいし、上記の温度センサ
(12)を共用するようにしてもよい。アキシアル磁気軸受
装置についても、上記と同様に、回転体(1) のアキシア
ル方向の変位と電磁石の励磁コイルの温度変化に基づい
て、励磁電流の制御を行うことができる。アキシアル磁
気軸受装置は、通常、回転体(1) のフランジの部分をア
キシアル方向（Ｚ軸方向）の両側から挟むように配置さ
れた１対の電磁石を備えている。その場合、アキシアル
ラジアル磁気軸受装置のいずれか１つの電磁石の励磁コ
イルの近傍に温度センサを設けてもよいし、上記の温度
センサ(12)を共用するようにしてもよい。
軸受装置と１個のアキシアル磁気軸受装置によって支持
されるようになっている。他方のラジアル磁気軸受につ
いても、上記と同様に、回転体(1) のラジアル方向の変
位と電磁石の励磁コイルの温度変化に基づいて、励磁電
流の制御を行うことができる。その場合、他方のラジア
ル磁気軸受装置のいずれか１つの電磁石の励磁コイルの
近傍に温度センサを設けてもよいし、上記の温度センサ
(12)を共用するようにしてもよい。アキシアル磁気軸受
装置についても、上記と同様に、回転体(1) のアキシア
ル方向の変位と電磁石の励磁コイルの温度変化に基づい
て、励磁電流の制御を行うことができる。アキシアル磁
気軸受装置は、通常、回転体(1) のフランジの部分をア
キシアル方向（Ｚ軸方向）の両側から挟むように配置さ
れた１対の電磁石を備えている。その場合、アキシアル
ラジアル磁気軸受装置のいずれか１つの電磁石の励磁コ
イルの近傍に温度センサを設けてもよいし、上記の温度
センサ(12)を共用するようにしてもよい。
【００１７】図２は、第２の実施形態を示している。
【００１８】第２の実施形態は第１の実施形態における
電流制御回路(11)の具体的な構成の１例を示すものであ
り、図２において、図１と同じ部分には同一の符号を付
している。
電流制御回路(11)の具体的な構成の１例を示すものであ
り、図２において、図１と同じ部分には同一の符号を付
している。
【００１９】第２の実施形態の場合、電流制御回路(11)
は、制御電流値演算回路(13)、倍率設定回路(14)および
２個の乗算回路(15)(16)を備えている。演算回路(13)
は、従来のものと同じであり、たとえばマイクロコンピ
ュータを備えている。演算回路(13)において、従来と同
様に、第１減算回路(8) の出力に基づいて、制御電圧が
求められ、これが２個の乗算回路(15)(16)に出力され
る。温度センサ(12)からの温度検出信号は、倍率設定回
路(14)に入力する。倍率設定回路(14)では、温度検出信
号に基づいて、たとえば、温度上昇にともなって倍率が
大きくなり、倍率の変化が温度変化に比例し、かつ温度
が２０℃のときに倍率が１になるように、倍率が設定さ
れる。そして、このように設定された倍率が、２個の乗
算回路(15)(16)に入力する。第１乗算回路(15)におい
て、演算回路(13)からの制御電圧と倍率設定回路(14)か
らの倍率が乗算され、その乗算値が第２加算回路(7) に
出力される。同様に、第２乗算回路(16)において、制御
電圧と倍率が乗算され、その乗算値が第２減算回路(9)
に出力される。すなわち、演算回路(13)からの制御電圧
にコイル(3b)の温度変化に基づく倍率がかけられて、第
２加算回路(7) および第２減算回路(9) に出力される。
上記のように、倍率は温度上昇にともなって大きくなる
ように設定されるから、制御電流値すなわち励磁電流値
の変化も温度上昇にともなって大きくなる。他は、第１
の実施形態の場合と同様である。
は、制御電流値演算回路(13)、倍率設定回路(14)および
２個の乗算回路(15)(16)を備えている。演算回路(13)
は、従来のものと同じであり、たとえばマイクロコンピ
ュータを備えている。演算回路(13)において、従来と同
様に、第１減算回路(8) の出力に基づいて、制御電圧が
求められ、これが２個の乗算回路(15)(16)に出力され
る。温度センサ(12)からの温度検出信号は、倍率設定回
路(14)に入力する。倍率設定回路(14)では、温度検出信
号に基づいて、たとえば、温度上昇にともなって倍率が
大きくなり、倍率の変化が温度変化に比例し、かつ温度
が２０℃のときに倍率が１になるように、倍率が設定さ
れる。そして、このように設定された倍率が、２個の乗
算回路(15)(16)に入力する。第１乗算回路(15)におい
て、演算回路(13)からの制御電圧と倍率設定回路(14)か
らの倍率が乗算され、その乗算値が第２加算回路(7) に
出力される。同様に、第２乗算回路(16)において、制御
電圧と倍率が乗算され、その乗算値が第２減算回路(9)
に出力される。すなわち、演算回路(13)からの制御電圧
にコイル(3b)の温度変化に基づく倍率がかけられて、第
２加算回路(7) および第２減算回路(9) に出力される。
上記のように、倍率は温度上昇にともなって大きくなる
ように設定されるから、制御電流値すなわち励磁電流値
の変化も温度上昇にともなって大きくなる。他は、第１
の実施形態の場合と同様である。
【図１】この発明の第１の実施形態を示すラジアル磁気
軸受装置の主要部の概略構成図である。
軸受装置の主要部の概略構成図である。
【図２】この発明の第２の実施形態を示すラジアル磁気
軸受装置の主要部の概略構成図である。
軸受装置の主要部の概略構成図である。
(1) 回転体 (2a)(2b) 電磁石 (3a)(3b) 励磁コイル (4a)(4b) 電流検出用抵抗器 (5) 電磁石制御装置（電磁石制御手段） (12) 温度センサ
Claims (2)
- 【請求項１】回転体を非接触支持するための電磁石の励
磁コイルに流れる励磁電流値に基づいて上記励磁コイル
に供給する励磁電流値を制御するようになされている磁
気軸受装置において、 上記励磁コイルの温度変化に基づいて上記励磁電流値の
制御特性を変化させ、これにより上記励磁コイルの抵抗
値の温度ドリフトを補償するようになされていることを
特徴とする磁気軸受装置。 - 【請求項２】回転体を非接触支持するための電磁石の励
磁コイルに直列に電流検出用抵抗器が接続され、上記励
磁コイルに励磁電流を供給するための電磁石制御手段
が、回転体の位置変化にともなって変化する励磁電流値
を上記電流検出用抵抗器を用いて検出し、この励磁電流
検出値に基づいて上記励磁コイルに供給する励磁電流値
を制御するようになされている磁気軸受装置において、 上記励磁コイルの温度を検出するための温度センサが設
けられ、上記電磁石制御手段が、上記温度センサの温度
検出信号に基づいて上記励磁電流値の制御特性を変化さ
せ、これにより上記励磁コイルの抵抗値の温度ドリフト
を補償するようになされていることを特徴とする磁気軸
受装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7284903A JPH09126236A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 磁気軸受装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7284903A JPH09126236A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 磁気軸受装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09126236A true JPH09126236A (ja) | 1997-05-13 |
Family
ID=17684548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7284903A Withdrawn JPH09126236A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 磁気軸受装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09126236A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1109305A2 (en) * | 1999-12-13 | 2001-06-20 | Ebara Corporation | Magnetic levitation control apparatus |
| JP2003042155A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Shimadzu Corp | 磁気軸受装置 |
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-
1995
- 1995-11-01 JP JP7284903A patent/JPH09126236A/ja not_active Withdrawn
Cited By (14)
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030107 |