JPH09124383A - Aluminum nitride substrate - Google Patents
Aluminum nitride substrateInfo
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- JPH09124383A JPH09124383A JP7283831A JP28383195A JPH09124383A JP H09124383 A JPH09124383 A JP H09124383A JP 7283831 A JP7283831 A JP 7283831A JP 28383195 A JP28383195 A JP 28383195A JP H09124383 A JPH09124383 A JP H09124383A
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- C04B2111/10—Compositions or ingredients thereof characterised by the absence or the very low content of a specific material
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板などに好
適に使用されるメタライズ層が形成された窒化アルミニ
ウム質基板に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an aluminum nitride substrate having a metallized layer which is suitable for use as a wiring substrate.
【０００２】[0002]
【従来技術】従来より、窒化アルミニウム質焼結体は、
アルミナ、ジルコニアなどのセラミック材料に比較して
格段に熱伝導性に優れたセラミック材料として注目さ
れ、半導体素子からの発熱を効率的に除去するために、
配線基板や半導体素子収納用パッケージにおける基板材
料として用いられつつある。2. Description of the Related Art Conventionally, aluminum nitride sintered bodies have been
In order to effectively remove the heat generated from the semiconductor element, attention has been paid to the ceramic material, which has significantly higher thermal conductivity than ceramic materials such as alumina and zirconia.
It is being used as a substrate material for wiring boards and semiconductor element housing packages.
【０００３】このような窒化アルミニウム質焼結体とし
ては、窒化アルミニウムがそれ自体では焼結しにくいた
めに、Ｙ2 Ｏ3 などの周期律表第３ａ族元素化合物、Ｃ
ａＯなどのアルカリ土類金属元素化合物などを添加し焼
成することが、特開昭６０−７１５７５号、特公昭５８
−４９５１０号、特開昭６１−１１７１６０号等にて提
案されている。In such an aluminum nitride-based sintered body, since aluminum nitride is difficult to sinter by itself, a compound of Group 3a element of the periodic table such as Y 2 O 3 or C is used.
Adding an alkaline earth metal element compound such as aO and baking the mixture is disclosed in JP-A-60-71575 and JP-B-58.
-49510, JP-A-61-117160 and the like.
【０００４】また、窒化アルミニウム質焼結体に添加さ
れる上記焼結助剤成分は、最終焼結体中に残存すると熱
伝導性を低下させる要因となるため、高熱伝導化を達成
するために、これら助剤成分を揮散除去させた高純度窒
化アルミニウム焼結体も特開昭６２−４１７６７号、特
開昭６３−２７７５６９号等にて提案されている。Further, if the above-mentioned sintering aid component added to the aluminum nitride sintered body becomes a factor to reduce the thermal conductivity if it remains in the final sintered body, in order to achieve high thermal conductivity. A high-purity aluminum nitride sintered body from which these auxiliary components have been volatilized and removed is also proposed in JP-A-62-41767 and JP-A-63-277569.
【０００５】さらに、窒化アルミニウム質焼結体を用い
て配線基板等を作製するには、例えば、窒化アルミニウ
ム質グリーンシートの表面にＷ，Ｍｏなどの高融点金属
を含有するペーストを配線パターンに塗布した後、これ
を１６００〜１９００℃の温度でメタライズ層と絶縁基
板とを同時焼成することにより作製することが知られて
いる。また、基板の表面に形成されたメタライズ層の表
面には、リードピンなどの金具をロウ付けするために、
ＮｉやＡｕなどのメッキが被覆されている。Furthermore, in order to manufacture a wiring board or the like using an aluminum nitride sintered body, for example, a paste containing a refractory metal such as W or Mo is applied to a wiring pattern on the surface of an aluminum nitride green sheet. After that, it is known that this is produced by co-firing the metallized layer and the insulating substrate at a temperature of 1600 to 1900 ° C. Further, in order to braze metal fittings such as lead pins on the surface of the metallized layer formed on the surface of the substrate,
It is coated with plating such as Ni or Au.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】配線基板は、その高密
度化および小型化に伴い、メタライズ層も薄膜化する傾
向にある。そこで、高密度の配線基板等を作製するに、
窒化アルミニウム質グリーンシートにメタライズペース
トを塗布し、これを同時焼成したところ、メタライズ層
にピンホールが形成されるといった問題があった。The wiring board tends to have a thinner metallized layer as its density and size are reduced. So, to make a high-density wiring board,
When a metallizing paste was applied to an aluminum nitride green sheet and the metallizing paste was co-fired, there was a problem that pinholes were formed in the metallized layer.
【０００７】このようなピンホールの形成は、配線の薄
膜化および高密度化に対しては回路としての信頼性を損
なうため、致命的な問題であった。しかも、メタライズ
層の表面にさらにメッキ層を形成した場合、ピンホール
の箇所でメッキ層が形成されないという問題があった。The formation of such pinholes has been a fatal problem because the reliability of the circuit is impaired when the wiring is thinned and the density is increased. Moreover, when a plating layer is further formed on the surface of the metallized layer, there is a problem that the plating layer is not formed at the pinholes.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明者は、かかる現象
について研究を進めた結果、ピンホールの形成箇所に
は、窒化アルミニウム質焼結体の表面に黒色状の析出物
が存在すること、しかもその析出物がカルシウムとイオ
ウとを主体とする化合物からなること、その析出物がメ
タライズとの濡れ性が極端に悪いためにピンホールが形
成され、その結果、その箇所にメッキが形成されないこ
とを突き止めた。Means for Solving the Problems As a result of researches on such a phenomenon, the present inventor has found that a black precipitate is present on the surface of the aluminum nitride sintered body at the pinhole formation site. Moreover, the precipitate is composed of a compound mainly composed of calcium and sulfur, and the precipitate has extremely poor wettability with the metallization, so that a pinhole is formed, and as a result, plating is not formed at that place. I found out.
【０００９】そこで、本発明者は、メタライズ層を形成
する窒化アルミニウム質焼結体中において、イオウ
（Ｓ）およびカルシウム（Ｃａ）の量の含有量の少ない
窒化アルミニウム原料粉末を用いて焼結し、最終焼結体
中におけるイオウ量およびカルシウム量を特定範囲に低
減した焼結体を用いた結果、黒点状の析出物がなくな
り、メタライズ層およびメッキ層においてピンホールの
形成を抑制できることを見いだし、本発明に至ったので
ある。Therefore, the present inventor sinters the aluminum nitride sintered material forming the metallized layer using the aluminum nitride raw material powder having a small content of sulfur (S) and calcium (Ca). As a result of using a sintered body in which the amount of sulfur and the amount of calcium in the final sintered body were reduced to a specific range, it was found that black-spotted precipitates disappeared and that the formation of pinholes in the metallized layer and the plated layer can be suppressed, This led to the present invention.
【００１０】即ち、本発明は、窒化アルミニウムを主体
とする窒化アルミニウム質焼結体からなる基板の少なく
とも表面にメタライズ層を具備してなる窒化アルミニウ
ム質基板において、前記窒化アルミニウム質焼結体中に
おけるイオウおよびカルシウムの含有量が合量で２５０
ｐｐｍ以下であることを特徴とするものである。That is, the present invention provides an aluminum nitride-based substrate having a metallized layer on at least a surface of a substrate made of an aluminum nitride-based sintered body containing aluminum nitride as a main component. The total content of sulfur and calcium is 250
It is characterized by being below ppm.
【００１１】[0011]
【作用】本発明によれば、メタライズ層を具備する窒化
アルミニウム質基板において、絶縁基体を形成する窒化
アルミニウム質焼結体中におけるイオウ量およびカルシ
ウム量を合量で２５０ｐｐｍ以下とすることにより、イ
オウおよびカルシウムの化合物の析出を抑制することが
できる。According to the present invention, in the aluminum nitride substrate provided with the metallized layer, the total amount of sulfur and calcium in the aluminum nitride sintered body forming the insulating substrate is set to 250 ppm or less, so that It is possible to suppress the precipitation of calcium compounds.
【００１２】イオウおよびカルシウムは、窒化アルミニ
ウム質焼結体においては、不可避的な元素であり、これ
らの元素の存在を皆無にすることはできない。イオウと
カルシウムとの化合物の析出は、カルシウムまたはイオ
ウのいずれか一方を低減しても解消することができず、
カルシウムとイオウの双方を低減することが重要であ
る。特に、イオウ量とカルシウム量が２５０ｐｐｍ以下
で、特にイオウ量を６０ｐｐｍ以下、カルシウム量を１
８０ｐｐｍ以下に低減することが望ましい。Sulfur and calcium are unavoidable elements in the aluminum nitride sintered body, and the existence of these elements cannot be ruled out. The precipitation of the compound of sulfur and calcium cannot be eliminated even if either calcium or sulfur is reduced,
It is important to reduce both calcium and sulfur. Especially, the amount of sulfur and calcium is 250ppm or less, especially the amount of sulfur is 60ppm or less, and the amount of calcium is 1
It is desirable to reduce it to 80 ppm or less.
【００１３】また、イオウおよびカルシウムは、そのほ
とんどが窒化アルミニウム原料粉末の不可避的な成分と
して混入するものであり、これらの量を低減するには、
窒化アルミニウム原料粉末として、イオウおよびカルシ
ウム量が低減された高純度の窒化アルミニウム原料粉末
を用いることにより、焼結体中のイオウ量およびカルシ
ウム量を制御することができる。Most of sulfur and calcium are mixed as unavoidable components of the aluminum nitride raw material powder, and in order to reduce the amount thereof,
By using a high-purity aluminum nitride raw material powder having a reduced amount of sulfur and calcium as the aluminum nitride raw material powder, the amount of sulfur and the amount of calcium in the sintered body can be controlled.
【００１４】これにより、メタライズ層およびメッキ層
のピンホールの形成が抑制される結果、メタライズ層の
厚みが薄い場合においても信頼性の高い配線層を形成す
ることができる。As a result, the formation of pinholes in the metallized layer and the plated layer is suppressed. As a result, a highly reliable wiring layer can be formed even when the metallized layer is thin.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】本発明の窒化アルミニウム質基板
１は、図１に示すように、窒化アルミニウム質焼結体か
らなる絶縁基体２と、基板１の表面および内部に形成さ
れたメタライズ層３を具備する。また、メタライズ層３
の表面には、さらにメッキ層が形成される場合もある。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION As shown in FIG. 1, an aluminum nitride substrate 1 of the present invention comprises an insulating substrate 2 made of an aluminum nitride sintered body and a metallized layer 3 formed on the surface and inside of the substrate 1. It is equipped with. In addition, the metallized layer 3
A plating layer may be further formed on the surface of the.
【００１６】本発明において絶縁基体として用いられる
窒化アルミニウム質焼結体は、窒化アルミニウム原料粉
末に、焼結助剤として周知の材料、例えば、Ｙ、Ｅｒ、
Ｙｂ、Ｈｏ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｄｙなど周期律表第３ａ族元
素の酸化物、フッ化物、炭化物、硼化物、窒化物や、ア
ルカリ土類元素の酸化物、フッ化物、炭化物、硼化物、
窒化物等を０．１〜２０重量％の割合で添加したものを
所望の成形手段、例えば、金型プレス，冷間静水圧プレ
ス，押出し成形等により任意の形状に成形後、１６００
〜２０００℃の窒素含有雰囲気中で焼成することにより
得られた相対密度９８％以上の高密度焼結体である。な
お、かかる焼結体には、焼結助剤以外の添加成分とし
て、例えば、着色成分として、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、
Ｗ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅなどの周期律表第４ａ、５
ａ、６ａ、８族元素の酸化物炭化物、窒化物などを１０
重量％以下の割合で添加含有することもできる。The aluminum nitride-based sintered body used as the insulating substrate in the present invention is obtained by adding aluminum nitride raw material powder to a material known as a sintering aid, such as Y, Er, or the like.
Yb, Ho, Lu, La, Dy oxides, fluorides, carbides, borides, and nitrides of Group 3a elements of the periodic table, and oxides, fluorides, carbides, borides of alkaline earth elements,
After adding a nitride or the like in a proportion of 0.1 to 20% by weight to a desired shape by a desired molding means, for example, a die press, a cold isostatic press, an extrusion molding, or the like, 1600
It is a high density sintered body having a relative density of 98% or more obtained by firing in a nitrogen-containing atmosphere at ˜2000 ° C. In addition, in such a sintered body, as an additive component other than the sintering aid, for example, as a coloring component, Ti, Nb, V, Ta,
Periodic table 4a, 5 of W, Mo, Co, Ni, Fe, etc.
a, 6a, 8 element oxide carbides, nitrides, etc.
It may be added and contained in a proportion of not more than wt%.
【００１７】このような添加成分を添加する場合におい
ても、これらの添加成分からのイオウおよびカルシウム
の混入が焼結体全体として前述した範囲を満足するよう
に制御する必要があることは当然である。Even when such additive components are added, it is of course necessary to control the mixing of sulfur and calcium from these additive components so as to satisfy the above-mentioned range as a whole sintered body. .
【００１８】本発明によれば、この窒化アルミニウム質
焼結体中におけるイオウおよびカルシウムの含有量が合
量で２５０ｐｐｍ以下、特に２００ｐｐｍ以下、さらに
は１５０ｐｐｍ以下であることが重要である。これは、
イオウおよびカルシウム量が合量で２５０ｐｐｍを越え
ると、焼結過程で、焼結体の表面にカルシウムとイオウ
を主体とする黒点状の化合物が析出しメタライズ層の形
成時にピンホールが形成されてしまうという問題が生じ
る。According to the present invention, it is important that the total content of sulfur and calcium in the aluminum nitride sintered body is 250 ppm or less, particularly 200 ppm or less, and further 150 ppm or less. this is,
When the total amount of sulfur and calcium exceeds 250 ppm, a black dot compound mainly composed of calcium and sulfur is deposited on the surface of the sintered body during the sintering process, and pinholes are formed during formation of the metallized layer. The problem arises.
【００１９】望ましくは、イオウは、６０ｐｐｍ以下、
カルシウムは１８０ｐｐｍ以下であるのがよい。Desirably, sulfur is 60 ppm or less,
The calcium content is preferably 180 ppm or less.
【００２０】イオウは、主として窒化アルミニウム原料
粉末から混入する。このイオウは、例えば、アルミナ還
元窒化法によって窒化アルミニウム粉末を作製する際の
還元剤として添加されたカーボン中のイオウ成分が原料
粉末中に残存したものと考えられる。また、カルシウム
も不可避的不純物として混入する成分であり、窒化アル
ミニウム原料粉末の合成時にイオウ量の少ないカーボン
を用いるか、あるいは原料粉末の精製処理により高純度
化処理を行うことによりイオウおよびカルシウム量の低
減を図ることができる。Sulfur is mainly mixed from the aluminum nitride raw material powder. It is considered that this sulfur is, for example, that the sulfur component in carbon added as a reducing agent when the aluminum nitride powder is produced by the alumina reduction nitriding method remains in the raw material powder. In addition, calcium is also a component that is mixed as an unavoidable impurity, and it is possible to reduce the amount of sulfur and calcium by using carbon with a small amount of sulfur during the synthesis of the aluminum nitride raw material powder or by performing a high-purification treatment by refining the raw material powder. It can be reduced.
【００２１】また、窒化アルミニウム原料粉末に対して
添加される上述した焼結助剤およびその他の添加成分に
おいても焼結体全体のイオウおよびカルシウム量が上記
の範囲を満足できるように高純度の粉末を用いることが
必要である。Further, even with the above-mentioned sintering aid and other additive components added to the aluminum nitride raw material powder, a powder of high purity so that the amount of sulfur and calcium of the whole sintered body can satisfy the above range. It is necessary to use.
【００２２】本発明において、メタライズ層を有する基
板を作製するには、窒化アルミニウム原料粉末に、上述
したような焼結助剤やその他の添加成分を配合した混合
物を用いて、シート状成形体を作製する。シート状成形
体は、上記混合物からなるスラリーを調製してドクター
ブレード法により作製するか、またはプレス成形、押し
出し成形等によっても作製することができる。In the present invention, to prepare a substrate having a metallized layer, a sheet-shaped compact is prepared by using a mixture of aluminum nitride raw material powder and the above-mentioned sintering aid and other additive components. Create. The sheet-shaped molded product can be prepared by preparing a slurry containing the above mixture and preparing it by a doctor blade method, or by press molding, extrusion molding or the like.
【００２３】次に、得られたシート状成形体（グリーン
シート）に対して、メタライズペーストを塗布する。メ
タライズペーストは、Ｗ、ＭｏおよびＴａから選ばれる
少なくとも１種の高融点金属を主とし、場合によって
は、希土類元素、アクチノイド元素などの周期律表第３
ａ族元素や、Ｔｉ、Ｚｒなどの周期律表第４ａ族元素を
含有するものであり、さらに、絶縁基体を形成する成分
である窒化アルミニウムや、焼結助剤成分を添加含有さ
せることもできる。Next, a metallizing paste is applied to the obtained sheet-shaped compact (green sheet). The metallizing paste is mainly composed of at least one refractory metal selected from W, Mo, and Ta, and in some cases, contains a rare earth element, an actinide element, or the like.
It contains an a-group element and a Group 4a element of the periodic table such as Ti and Zr, and may further contain aluminum nitride which is a component forming an insulating substrate and a sintering aid component. .
【００２４】このメタライズペーストは、スクリーン印
刷法等により、グリーンシートの表面に印刷され、ある
いはグリーンシートに形成されたスルーホールに充填さ
れた後に、グリーンシートとともに同時焼成される。同
時焼成は、１６００〜２０００℃の窒素雰囲気中、特に
窒素水素混合雰囲気中で焼成される。The metallizing paste is printed on the surface of the green sheet by a screen printing method or the like, or filled in through holes formed in the green sheet, and then co-fired together with the green sheet. The simultaneous firing is performed in a nitrogen atmosphere at 1600 to 2000 ° C., particularly in a nitrogen-hydrogen mixed atmosphere.
【００２５】本発明によれば、上記のようにして形成さ
れるメタライズ層の厚みは一般には１５〜２５μｍ程度
であるが、本発明のようにピンホールの形成を抑制した
効果によって、厚みが５〜１５μｍの薄いメタライズ層
であっても配線層として高信頼性のメタイズ層を形成す
ることができる。According to the present invention, the thickness of the metallized layer formed as described above is generally about 15 to 25 μm, but the thickness is 5 due to the effect of suppressing the formation of pinholes as in the present invention. Even with a thin metallized layer of ˜15 μm, a highly reliable metallized layer can be formed as a wiring layer.
【００２６】このようにして、得られた基板には、さら
に、リードピン等の金具をロウ付けすることを目的とし
て、電解メッキ、または無電解メッキ法によりＮｉ、Ａ
ｕなどのメッキ層を３〜８μｍの厚みで被覆形成するこ
とができる。The substrate thus obtained is further plated with Ni, A or the like by electrolytic plating or electroless plating for the purpose of brazing metal fittings such as lead pins.
A plated layer of u or the like can be formed by coating with a thickness of 3 to 8 μm.
【００２７】以下、本発明を次の例で説明する。The present invention will be described below with reference to the following examples.
【００２８】[0028]
【実施例】窒化アルミニウム原料粉末として、アルミナ
還元窒化法により得られた表１に示す５種類の原料を用
意した。Example As the aluminum nitride raw material powder, five types of raw materials shown in Table 1 obtained by the alumina reduction nitriding method were prepared.
【００２９】[0029]
【表１】 [Table 1]
【００３０】上記表１の原料に対して、Ｅｒ2 Ｏ3 ある
いはＹ2 Ｏ3 を表２に示す割合で添加混合したものに、
さらにバインダーとしてアクリル系バインダーを添加し
て窒化ケイ素ボ−ルを用いたボールミルで４０時間混合
してスラリーを調製した。このスラリーを用いてドクタ
ーブレード法により厚み０．５ｍｍのグリーンシートを
作製した。その後、このグリーンシートの表面に、固形
成分として、Ｗ９４．５重量％、ＡｌＮ５重量％、Ｅｒ
2 Ｏ3 ０．５重量％含有し、これをジブチルフタレート
からなる溶媒中に分散したメタライズペーストを回路パ
ターンの代わりに、ピンホールを検出するために１０ｍ
ｍ角に印刷した。Er 2 O 3 or Y 2 O 3 was added to and mixed with the raw materials shown in Table 1 at the ratio shown in Table 2.
Further, an acrylic binder was added as a binder and mixed for 40 hours in a ball mill using a silicon nitride ball to prepare a slurry. Using this slurry, a green sheet having a thickness of 0.5 mm was prepared by the doctor blade method. Then, on the surface of this green sheet, as solid components, W94.5% by weight, AlN5% by weight, Er
A metallizing paste containing 0.5% by weight of 2 O 3 and dispersed in a solvent consisting of dibutyl phthalate was used to detect pinholes instead of a circuit pattern.
Printed on m-square.
【００３１】そして、これを１０００℃で脱バインダー
処理し、Ｎ2 ／Ｈ2 ＝８２：１８の窒素水素混合雰囲気
中で１０時間同時焼成し、メタライズ層の厚みが１０μ
ｍの窒化アルミニウム質基板を作製した。Then, this was debindered at 1000 ° C. and co-fired for 10 hours in a nitrogen-hydrogen mixed atmosphere of N 2 / H 2 = 82: 18 to obtain a metallized layer having a thickness of 10 μm.
m aluminum nitride based substrate was prepared.
【００３２】得られた基板の窒化アルミニウム質焼結体
に対して、ＩＣＰ発光分光分析によって、焼結体中のイ
オウおよびカルシウム量を定量し表２に示した。また、
窒化アルミニウム質焼結体のレーザーフラッシュ法によ
り測定した熱伝導率も合わせて表２に示した。The amount of sulfur and calcium in the sintered body of the obtained substrate was quantified by ICP emission spectroscopy, and the results are shown in Table 2. Also,
Table 2 also shows the thermal conductivity of the aluminum nitride sintered material measured by the laser flash method.
【００３３】また、得られた基板のメタライズ層に対し
て、双眼顕微鏡によって、１０ｍｍ角のメタライズ層中
のピンホールの数をカウントしてその数を表２に示し
た。With respect to the metallized layer of the obtained substrate, the number of pinholes in the 10 mm square metallized layer was counted by a binocular microscope and the number is shown in Table 2.
【００３４】さらに、メタライズ層の基板への密着性を
調査するために、メタライズ層に対して、無電解メッキ
法によってＮｉメッキを４μｍ形成した後、Ｆｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ合金からなるピンをＢＡｇ−８によってロウ付け
した後、リードピンを垂直に引っ張ることによりメタラ
イズ層の接合強度を測定した。その結果を表２に示す。Further, in order to investigate the adhesion of the metallized layer to the substrate, Ni plating of 4 μm was formed on the metallized layer by an electroless plating method, and then Fe-Ni was formed.
After brazing a pin made of —Co alloy with BAg-8, the lead pin was pulled vertically to measure the bonding strength of the metallized layer. Table 2 shows the results.
【００３５】[0035]
【表２】 [Table 2]
【００３６】表２の結果から明らかなように、焼結体中
のイオウおよびカルシウムの含有量が合計で２５０ｐｐ
ｍを越える試料Ｎo.６，７，９はいずれも、焼結体の表
面に黒点状の析出物が認められ、メタライズ層にピンホ
ールが数多く認められた。この析出物をＥＰＭＡ（マイ
クロアナライザー）で分析した結果、イオウとカルシウ
ムが検出された。As is clear from the results shown in Table 2, the total content of sulfur and calcium in the sintered body is 250 pp.
In Samples Nos. 6, 7, and 9 exceeding m, black spots were observed on the surface of the sintered body, and many pinholes were observed in the metallized layer. As a result of analyzing the precipitate with EPMA (microanalyzer), sulfur and calcium were detected.
【００３７】これに対して、イオウとカルシウムの合計
量が２５０ｐｐｍ以下の本発明品はいずれもピンホール
の数が格段に減少し、特にＳとＣａの合計が２００ｐｐ
ｍ以下で２０個以下、１５０ｐｐｍ以下でほとんど皆無
となった。また、メタライズ層の接合強度も高く、熱伝
導度も高いものであった。On the other hand, in the products of the present invention in which the total amount of sulfur and calcium was 250 ppm or less, the number of pinholes was remarkably reduced, and the total amount of S and Ca was 200 pp.
It was 20 or less at m or less, and almost none at 150 ppm or less. Further, the metallized layer had high bonding strength and high thermal conductivity.
【００３８】[0038]
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の窒化アルミ
ニウム質基板によれば、黒点状の析出物によるメタライ
ズ層およびメッキ層へのピンホールの形成を抑制するこ
とができるためにメタライズ層からなる配線層の信頼性
を高めるとともに、メタライズ層の薄層化および高密度
化を可能とすることができる。As described in detail above, according to the aluminum nitride substrate of the present invention, it is possible to suppress the formation of pinholes in the metallized layer and the plated layer due to the black-spotted precipitates. The reliability of the wiring layer can be improved, and the metallization layer can be made thinner and higher in density.
【図１】本発明の窒化アルミニウム質基板の構造を示す
図である。FIG. 1 is a diagram showing a structure of an aluminum nitride substrate of the present invention.
１ 窒化アルミニウム質基板 ２ 窒化アルミニウム質焼結体 ３ メタライズ層 1 Aluminum Nitride Substrate 2 Aluminum Nitride Sintered Body 3 Metallized Layer
Claims (2)
ミニウム質焼結体からなる絶縁基体の少なくとも表面に
メタライズ層を配設してなる窒化アルミニウム質基板に
おいて、前記窒化アルミニウム質焼結体中におけるイオ
ウおよびカルシウムの含有量が合量で２５０ｐｐｍ以下
であることを特徴とする窒化アルミニウム質基板。1. An aluminum nitride substrate comprising a metallized layer disposed on at least a surface of an insulating substrate made of an aluminum nitride sintered body containing aluminum nitride as a main component, wherein sulfur is contained in the aluminum nitride sintered body. And an aluminum nitride substrate having a total calcium content of 250 ppm or less.
イオウ含有量が６０ｐｐｍ以下、カルシウム含有量が１
８０ｐｐｍ以下である請求項１記載の窒化アルミニウム
質基板。2. The sulfur content in the aluminum nitride sintered body is 60 ppm or less, and the calcium content is 1
The aluminum nitride substrate according to claim 1, which is 80 ppm or less.
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- 1995-10-31 JP JP28383195A patent/JP3389384B2/en not_active Expired - Lifetime
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