JP2949294B2 - Aluminum nitride substrate and method of manufacturing the same - Google Patents
Aluminum nitride substrate and method of manufacturing the sameInfo
- Publication number
- JP2949294B2 JP2949294B2 JP2022979A JP2297990A JP2949294B2 JP 2949294 B2 JP2949294 B2 JP 2949294B2 JP 2022979 A JP2022979 A JP 2022979A JP 2297990 A JP2297990 A JP 2297990A JP 2949294 B2 JP2949294 B2 JP 2949294B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum nitride
- metal
- thickness
- oxide layer
- conductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、窒化アルミニウム質基板およびその製造方
法に関し、詳細には金属導体層をその表面に有する半導
体素子収納用バッケージ等の電子部品に適した窒化アル
ミニウム質基板に関する。The present invention relates to an aluminum nitride substrate and a method for manufacturing the same, and more particularly, to an electronic component such as a semiconductor element storage package having a metal conductor layer on its surface. Aluminum nitride substrate.
（従来技術） 近時、情報処理装置の高性能化、高速化に伴い、それ
を構成する半導体集積回路も高密度化、高集積化が急速
に進み、そのために半導体集積回路素子の大電力化によ
り該素子の発熱量が著しく増加し、前記半導体集積回路
素子を正常に且つ安定に作動させるためにはその発熱す
る熱をいかに効率的に除去するかが大きな課題となって
いる。(Prior art) In recent years, as information processing apparatuses have become higher in performance and higher in speed, semiconductor integrated circuits constituting the information processing apparatuses have been rapidly becoming denser and more highly integrated, thereby increasing the power of semiconductor integrated circuit elements. As a result, the amount of heat generated by the element significantly increases. In order to operate the semiconductor integrated circuit element normally and stably, how to efficiently remove the heat generated by the element has become a major issue.
そこで、従来から高熱伝導性に優れたセラミック材料
として酸化ベリリウム質焼結体、ダイヤモンド、炭化珪
素質焼結体等が提案されているが、酸化ベリリウム質焼
結体は毒性があり使用上難点があり、ダイヤモンドは高
価であり、また炭化珪素質焼結体は電気絶縁性、誘電率
等の特性が悪いという欠点を有している。Therefore, beryllium oxide sintered bodies, diamonds, silicon carbide sintered bodies, and the like have been proposed as ceramic materials having excellent high thermal conductivity, but beryllium oxide sintered bodies have toxicity and are difficult to use. In addition, diamond is expensive, and silicon carbide-based sintered bodies have disadvantages such as poor electrical insulating properties and dielectric constants.
最近に至り、従来の高熱伝導性材料に代わり、高熱伝
導性を有するとともに高い機械的強度、高電気絶縁性を
有し、且つ熱膨張係数がアルミナに比べてシリコン単結
晶に近い等の優れた特性を有する材料として窒化アルミ
ニウム質焼結体が注目されている。Recently, instead of conventional high thermal conductivity materials, it has high thermal conductivity, high mechanical strength, high electrical insulation, and excellent thermal expansion coefficient, such as closer to silicon single crystal than alumina. As a material having characteristics, attention has been paid to an aluminum nitride sintered body.
この窒化アルミニウム質焼結体は、これを基板母材と
してその表面に金属導体層を形成しようとする場合、窒
化アルミニウム自体、金属との濡れ性が小さいことから
基板母体と金属導体層との接着強度が低いという欠点を
有している。When an aluminum nitride sintered body is to be used as a substrate base material to form a metal conductor layer on the surface thereof, since the aluminum nitride itself has low wettability with metal, the adhesion between the substrate mother body and the metal conductor layer is low. It has the disadvantage of low strength.
このような問題に対し、窒化アルミニウム質焼結体を
たとえば空気中で加熱して表面に金属との濡れ性のよい
酸化アルミニウム層を形成するか、または酸化珪素等の
ガラス質層を塗布し、その表面に導体層を被着形成する
ことにより接着強度を高めようとする方法が提案されて
いる。For such a problem, an aluminum nitride sintered body is heated in air, for example, to form an aluminum oxide layer having good wettability with metal on the surface, or a glassy layer such as silicon oxide is applied, There has been proposed a method of increasing the adhesive strength by forming a conductor layer on the surface.
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上述のように窒化アルミニウム質焼結
体表面に酸化アルミニウム層を形成することによって導
体層の接着強度は酸化アルミニウム層を設けない場合に
比較して接着強度は向上するものの、実用的なレベルに
は至っておらず、特に金（Au）や銀（Ag）等を主体とす
る導体層を形成する場合には接着強度は不十分であっ
た。(Problems to be Solved by the Invention) However, by forming the aluminum oxide layer on the surface of the aluminum nitride sintered body as described above, the adhesive strength of the conductor layer is higher than that in the case where the aluminum oxide layer is not provided. Although the strength was improved, it was not at a practical level. In particular, when a conductor layer mainly composed of gold (Au) or silver (Ag) was formed, the adhesive strength was insufficient.
よって、窒化アルミニウム質焼結体を用いた電子部品
の信頼性の点からも導体層の接着強度の高い基板が望ま
れている。Therefore, from the viewpoint of the reliability of electronic components using an aluminum nitride sintered body, a substrate having a high bonding strength of a conductor layer is desired.
（発明の目的） よって、本発明は窒化アルミニウム質焼結体を母材と
する導体層の接着強度に優れた窒化アルミニウム質基板
およびその製造方法を提供することを目的とする。(Object of the Invention) Accordingly, it is an object of the present invention to provide an aluminum nitride substrate having excellent adhesion strength of a conductor layer made of an aluminum nitride sintered body as a base material and a method for producing the same.
（問題点を解決するための手段） 本発明者等は、上記問題点に対し検討を重ねた結果、
母材である窒化アルミニウム質焼結体の表面に特定の金
属およびそれらの金属化合物を含有する酸化アルミニウ
ム層を形成し、さらにこの酸化アルミニウム層上に金属
導体層を被着形成することにより導体層の母材との接着
強度を高めることができることを知見した。(Means for Solving the Problems) The present inventors have studied the above problems, and as a result,
A conductor layer is formed by forming an aluminum oxide layer containing a specific metal and a metal compound thereof on the surface of an aluminum nitride sintered body as a base material, and further forming a metal conductor layer on the aluminum oxide layer. It has been found that the adhesive strength with the base material can be increased.
即ち、本発明は窒化アルミニウム質焼結体の表面にT
i、Ｖ、Nb、Mo、Ｗ、Co、Niの単体あるいはこれらの炭
化物、窒化物、ホウ化物、酸化物から選ばれる１種以上
を含有す厚さ0.05〜５μｍの酸化アルミニウム層を形成
し、この酸化膜上に金属導体層を形成することを特徴と
するもので、この基板の製造方法としては、窒化アルミ
ニウムを主体とし、少なくともその表面にTi、Ｖ、Nb、
Mo、Ｗ、Co、Niの単体あるいはこれらの炭化物、窒化
物、ホウ化物、酸化物から選ばれる少なくとも１種を含
有する焼結体を得、該焼結体を酸化処理して前記金属ま
たは金属化合物を含有する酸化アルミニウム層を形成し
た後、該酸化アルミニウム層上に金属導体層を被着形成
することを特徴とするものである。That is, in the present invention, the surface of the aluminum nitride
i, V, Nb, Mo, W, Co, Ni, or an aluminum oxide layer having a thickness of 0.05 to 5 μm containing at least one selected from the group consisting of carbides, nitrides, borides, and oxides thereof; It is characterized by forming a metal conductor layer on this oxide film. As a method for manufacturing this substrate, aluminum nitride is mainly used, and Ti, V, Nb,
Obtaining a sintered body containing at least one selected from the group consisting of Mo, W, Co, and Ni or carbides, nitrides, borides, and oxides thereof; and oxidizing the sintered body to obtain the metal or metal. After forming an aluminum oxide layer containing a compound, a metal conductor layer is deposited on the aluminum oxide layer.
以下、本発明を詳述する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.
本発明の窒化アルミニウム質基板において、用いられ
る母材は、窒化アルミニウムを主体とし、少なくとも相
対密度95％の相対密度を有し、高密度、高熱伝導性であ
ることが望ましく、また、場合によっては従来から公知
の焼結助剤、例えば、Ca、Ba、Sr等のアルカリ土類金属
やＹ等の希土類金属の酸化物、炭化物、窒化物、フッ化
物等が20重量％以下の割合で含有される。In the aluminum nitride substrate of the present invention, the base material used is preferably made mainly of aluminum nitride, has a relative density of at least 95%, preferably has high density and high thermal conductivity, and in some cases, Conventionally known sintering aids, for example, oxides, carbides, nitrides, fluorides and the like of alkaline earth metals such as Ca, Ba and Sr and rare earth metals such as Y are contained in a proportion of 20% by weight or less. You.
本発明によれば、上記窒化アルミニウム質焼結体を母
材としてその表面に導体層を形成するに際し、母材と導
体層との間にTi、Ｖ、Nb、Mo、Ｗ、Co、Niの単体もしく
は炭化物、窒化物、ホウ化物、酸化物から選ばれる少な
くとも１種を含有する酸化アルミニウム層を介在させ
る。この酸化アルミニウム層中の前記金属および金属化
合物は導体層の母材との接着強度を高めるのに大きく寄
与するもので、膜中に0.001〜５重量％の割合で存在す
る。なお、酸化アルミニウム層の厚みは0.05〜５μｍ、
特に0.2〜４μｍであることが重要で、厚みが0.05μｍ
より薄いと導体層の母材との接着強度が不十分となり、
５μｍを越えると酸化アルミニウム層にクラック等が生
じてしまう。According to the present invention, when forming a conductor layer on the surface of the aluminum nitride sintered body as a base material, Ti, V, Nb, Mo, W, Co, Ni An aluminum oxide layer containing a simple substance or at least one selected from carbides, nitrides, borides, and oxides is interposed. The metal and the metal compound in the aluminum oxide layer greatly contribute to increasing the adhesive strength between the conductor layer and the base material, and are present in the film at a ratio of 0.001 to 5% by weight. The thickness of the aluminum oxide layer is 0.05 to 5 μm,
Particularly, it is important that the thickness is 0.2 to 4 μm, and the thickness is 0.05 μm.
If it is thinner, the bonding strength between the conductor layer and the base material becomes insufficient,
If it exceeds 5 μm, cracks and the like will occur in the aluminum oxide layer.
また、導体層は従来から周知のものからなり、具体的
にはＷ、Mo、Au、Ag、Mo−Mn等の主体とする金属導体か
らなり、これらは0.01〜100μｍの厚みで被着形成され
る。In addition, the conductor layer is made of a conventionally well-known material, specifically, a metal conductor mainly composed of W, Mo, Au, Ag, Mo-Mn, etc., and these are formed with a thickness of 0.01 to 100 μm. You.
また、本発明の窒化アルミニウム質基板によれば、導
体層中に含有されるTi、Ｖ、Nb、Mo、Ｗ、CoおよびNiの
単体あるいはこれらの炭化物、窒化物、ホウ化物、酸化
物から選ばれる１種以上の金属またはその化合物は母材
中にも均一に含有されることが望ましく、これらの金属
または金属化合物は母材中で着色成分として基板自体を
黒色化する作用をなし、これにより基板を光を遮断され
る必要のある電子部品へ適用することができる。この黒
色化させる場合には、前記金属または金属化合物は0.01
〜５重量％の割合で含有させることが望ましい。Further, according to the aluminum nitride substrate of the present invention, Ti, V, Nb, Mo, W, Co and Ni contained in the conductor layer may be selected from simple substances or carbides, nitrides, borides and oxides thereof. It is desirable that the one or more metals or compounds thereof are uniformly contained in the base material, and these metals or metal compounds act as a coloring component in the base material to blacken the substrate itself, thereby The substrate can be applied to an electronic component that needs to be shielded from light. In the case of blackening, the metal or metal compound is 0.01%.
It is desirable that the content be contained at a ratio of about 5% by weight.
本発明の窒化アルミニウム質基板の製造方法として
は、まず母材として窒化アルミニウムを主体とし、Ti、
Ｖ、Nb、Mo、Ｗ、Co、Niの単体あるいはこれらの炭化
物、窒化物、ホウ化物、酸化物から選ばれる１種以上の
金属またはその化合物を含有する焼結体を用意する。具
体的には酸化含有量0.4〜３重量％の窒化アルミニウム
粉末に前記金属および金属化合物を0.01〜５重量％の割
合で添加する。また所望により焼結性を高めるためにC
a、Ba、Sr等のアルカリ土類金属やＹ等の希土類金属の
酸化物、炭化物、窒化物等を焼結助剤として0.01〜15重
量％の割合で添加混合した後に、公知の方法で成形し、
窒素や窒素と水素との混合雰囲気等の非酸化性雰囲気中
で1550〜1950℃の温度で焼成することにより相対密度95
％以上の焼結体を得ることができる。As a method for manufacturing an aluminum nitride substrate of the present invention, first, aluminum nitride is mainly used as a base material, and Ti,
A sintered body containing a simple substance of V, Nb, Mo, W, Co, Ni, or one or more metals or compounds thereof selected from carbides, nitrides, borides, and oxides thereof is prepared. Specifically, the metal and the metal compound are added to aluminum nitride powder having an oxidation content of 0.4 to 3% by weight in a ratio of 0.01 to 5% by weight. If desired, C may be added to enhance sinterability.
a, Ba, Sr and the like, and oxides, carbides, nitrides and the like of rare earth metals such as Y are added and mixed at a ratio of 0.01 to 15% by weight as a sintering aid, and then molded by a known method. And
By firing at a temperature of 1550 to 1950 ° C in a non-oxidizing atmosphere such as nitrogen or a mixed atmosphere of nitrogen and hydrogen, the relative density is 95
% Or more of the sintered body can be obtained.
なお、例えば前記金属および金属化合物として酸化物
を選択しても焼成条件により金属単体やその他の金属化
合物に変換することができる。例えば、TiO2、V2O5、WO
3は窒素と水素との混合雰囲気での焼成によりTiN、VN、
Ｗ金属に還元される。また焼成炉内に敷粉や匣鉢として
BN等が存在する場合、硼化物が生成される場合もある。For example, even if an oxide is selected as the metal and the metal compound, it can be converted to a simple metal or another metal compound depending on the firing conditions. For example, TiO 2 , V 2 O 5 , WO
3 is TiN, VN, by firing in a mixed atmosphere of nitrogen and hydrogen.
Reduced to W metal. Also as powder or sagger in the firing furnace
If BN or the like is present, boride may be generated.
また、前記金属あるいは金属化合物は焼結体の表面に
存在すればよく、例えば、焼結助剤を含有する窒化アル
ミニウム成形体を焼成雰囲気中に前記金属や金属化合物
を存在させて焼成することによって得られる。Further, the metal or metal compound may be present on the surface of the sintered body.For example, by sintering an aluminum nitride molded body containing a sintering aid in a firing atmosphere in the presence of the metal or metal compound. can get.
本発明によれば、このようにして得られた窒化アルミ
ニウム質焼結体に対し酸化処理を行うことによりその表
面に酸化アルミニウム層を形成させる、この時、酸化ア
ルミニウム層はそのほとんどがα−Al2O3質で、その層
中には焼結体中に含まれていた前記金属または金属化合
物も一部酸化された状態で含有される。この酸化処理
は、例えば焼結体と大気中で700〜1400℃の温度で処理
するか、またはレーザー光等を照射し部分的に酸化アル
ミニウム層を形成してもよい。なお、酸化アルミニウム
層厚みは前述した理由から0.05〜５μｍになるように処
理時間等を調整することが必要である。According to the present invention, the aluminum nitride-based sintered body thus obtained is subjected to an oxidation treatment to form an aluminum oxide layer on its surface. At this time, most of the aluminum oxide layer is α-Al It is a 2 O 3 material, and the layer contains the metal or metal compound contained in the sintered body in a partially oxidized state. This oxidation treatment may be performed, for example, at a temperature of 700 to 1400 ° C. in the sintered body and the atmosphere, or may be performed by irradiating a laser beam or the like to partially form an aluminum oxide layer. It is necessary to adjust the processing time and the like so that the thickness of the aluminum oxide layer is 0.05 to 5 μm for the above-described reason.
次に、前記酸化アルミニウム層上に導体金属層を形成
する。導体金属層の形成は、例えば周知の厚膜法等の手
法によりスクリーン印刷、または浸漬法等により金属ペ
ーストを塗布した後に700〜1600℃の温度で焼付け処理
を行うか、または薄膜法の手法により蒸着法等により形
成することができる。この金属導体層の厚みは0.01〜10
0μｍが望ましい。Next, a conductive metal layer is formed on the aluminum oxide layer. The formation of the conductive metal layer, for example, screen printing by a method such as a well-known thick film method, or performing a baking treatment at a temperature of 700 to 1600 ° C. after applying a metal paste by a dipping method, or by a method of a thin film method It can be formed by an evaporation method or the like. The thickness of this metal conductor layer is 0.01 to 10
0 μm is desirable.
以下、本発明を次の例で説明する。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to the following examples.
（実施例） 窒化アルミニウム原料として酸素量1.0重量％、BET比
表面積3.8m2/g、カーボン量280ppmのものを用い、焼結
助剤としてBET比表面積が6.0m2/gのEr2O3粉末及びCaO粉
末、さらに粒径が0.1〜15μｍの各種金属化合物を用い
て第１表に示す割合で、さらにバインダーを添加して混
合した。この混合物をスプレードライにより造粒後1ton
/cm2の圧力プレス成形した。(Example) An aluminum nitride raw material having an oxygen content of 1.0% by weight, a BET specific surface area of 3.8 m 2 / g, and a carbon amount of 280 ppm was used. Er 2 O 3 having a BET specific surface area of 6.0 m 2 / g was used as a sintering aid. Using a powder, CaO powder, and various metal compounds having a particle size of 0.1 to 15 μm, a binder was further added and mixed at a ratio shown in Table 1. 1 ton after granulation of this mixture by spray drying
/ cm 2 pressure press molding.
この成形体を脱バインダー処理した後、タングステン
炉により窒素ガス雰囲気中で1800℃で３時間焼成した。After debinding the molded body, the molded body was fired at 1800 ° C. for 3 hours in a nitrogen gas atmosphere in a tungsten furnace.
この焼結体をバレル研磨し、第１表の条件で酸化処理
し、酸化膜を形成した。この時の外気湿度はいずれも30
〜80％であった。This sintered body was barrel-polished and oxidized under the conditions shown in Table 1 to form an oxide film. The outside air humidity at this time was 30
~ 80%.
次にこの酸化膜上にAuペーストを塗布し、850℃で焼
付けを行い、そのAu金属層上にAu−Siに箔を乗せ、さら
にAU−Si箔上に接触面積が8.55mm2、直径1.5mmのAg棒を
乗せ、440℃の温度で接着した。Next, an Au paste is applied on the oxide film and baked at 850 ° C., a foil is placed on the Au-Si on the Au metal layer, and a contact area is 8.55 mm 2 and a diameter of 1.5 mm on the AU-Si foil. A mm Ag rod was placed and bonded at a temperature of 440 ° C.
得られた各試料に対し、焼結体の組成をＸ線回折によ
り固定し、さらに熱伝導率、誘電率、誘電正接、固有抵
抗値を測定した。また、金属導体層の接着強度は前記Ag
棒を垂直に引っ張り、導体層が剥がれる時の強度を測定
した。For each of the obtained samples, the composition of the sintered body was fixed by X-ray diffraction, and the thermal conductivity, dielectric constant, dielectric loss tangent, and specific resistance were measured. Further, the adhesive strength of the metal conductor layer is the above Ag
The rod was pulled vertically, and the strength when the conductor layer was peeled was measured.
また、第１表中、試料番号22,23,24はカーボン炉内で
焼成した。In Table 1, Sample Nos. 22, 23 and 24 were fired in a carbon furnace.
結果は第１表に示した。 The results are shown in Table 1.
第１表によれば、酸化処理を全くせずに導体層を形成
した試料No.9では接着強度は0.1Kg/mm2以下であり、殆
ど実用に耐えないのに対し、母材中に前述した金属ある
いは金属化合物を含有しない試料No.8、18、28は酸化膜
形成してもその導体層の接着強度はせいぜい2.0Kg/mm2
であり、試料No.9に比較すると効果は認められるが、接
着強度としては不十分である。 According to Table 1, in Sample No. 9 in which the conductor layer was formed without any oxidation treatment, the adhesive strength was 0.1 kg / mm 2 or less, which was hardly practical. Samples Nos. 8, 18, and 28 containing no metal or metal compound showed an adhesive strength of at most 2.0 kg / mm 2 even when an oxide film was formed.
Although the effect is recognized as compared with Sample No. 9, the adhesive strength is insufficient.
これに対し、母材中に前述したような金属を含有する
本発明品はいずれも高い接着強度を示したが、酸化処理
による酸化膜の厚みが0.05μｍより薄い試料No.10や、
膜厚が５μｍより厚い試料No.19,20,21はいずれも接着
強度が低くなった。On the other hand, all of the products of the present invention containing the above-described metal in the base material exhibited high adhesive strength, but the thickness of the oxide film by the oxidation treatment was smaller than 0.05 μm.
Sample Nos. 19, 20, and 21 having a film thickness of more than 5 μm all had low adhesive strength.
なお、母材中に金属化合物を含有させた場合、試料N
o.31,34に示すようにその量が多すぎると特性は劣化す
る。When the base metal contains a metal compound, the sample N
As shown in o.31 and 34, if the amount is too large, the characteristics deteriorate.
（発明の効果） 以上詳述したように、本発明の窒化アルミニウム質基
板によれば、母材である窒化アルミニウム質焼結体の熱
伝導率やその他の電気特性に何ら影響を及ぼすことな
く、その表面に形成される金属導体層の基板母材との接
着強度を高めることができ、これにより電子部品への適
用において信頼性を高めるとともに製造歩留りをも挙げ
ることができ、窒化アルミニウム質焼結体の基板として
の応用を大きく促進することができる。(Effects of the Invention) As described above in detail, according to the aluminum nitride substrate of the present invention, the aluminum nitride sintered body as a base material has no influence on the thermal conductivity and other electrical characteristics. The bonding strength between the metal conductor layer formed on the surface and the base material of the substrate can be increased, thereby increasing the reliability in application to electronic components and increasing the production yield. The application as a body substrate can be greatly promoted.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−286287（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C04B 41/87 - 41/90 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-61-286287 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) C04B 41/87-41/90
Claims (4)
くとも表面にTi、Ｖ、Nb、Mo、Ｗ、CoおよびNiの単体あ
るいはこれらの炭化物、窒化物、硼化物、酸化物から選
ばれる１種以上を含有する厚さ0.05〜５μｍの酸化アル
ミニウム層を形成したことを特徴とする窒化アルミニウ
ム質基板。At least the surface of a base material mainly composed of aluminum nitride is a simple substance selected from the group consisting of Ti, V, Nb, Mo, W, Co and Ni or a carbide, nitride, boride or oxide thereof. An aluminum nitride substrate, comprising an aluminum oxide layer having a thickness of 0.05 to 5 [mu] m and containing the above.
に金属導体層を被着形成してなる窒化アルミニウム質基
板において、前記母材と前記金属導体層との間にTi、
Ｖ、Nb、Mo、Ｗ、CoおよびNiの単体あるいはこれらの炭
化物、窒化物、硼化物、酸化物から選ばれる１種以上を
含有する厚さ0.05〜５μｍの酸化アルミニウム層を形成
したことを特徴とする窒化アルミニウム質基板。2. An aluminum nitride substrate comprising a base material mainly composed of aluminum nitride and a metal conductor layer formed on the surface of the base material, wherein Ti and Ti are interposed between the base material and the metal conductor layer.
An aluminum oxide layer having a thickness of 0.05 to 5 μm containing a simple substance of V, Nb, Mo, W, Co and Ni or one or more of carbides, nitrides, borides and oxides thereof is formed. Aluminum nitride substrate.
その表面にTi、Ｖ、Nb、Mo、Ｗ、CoおよびNiの単体ある
いはこれらの炭化物、窒化物、硼化物、酸化物から選ば
れる１種以上を含有する焼結体を酸化熱処理して厚さ0.
05〜５μｍの酸化アルミニウム層を形成することを特徴
とする窒化アルミニウム質基板の製造方法。3. An aluminum nitride as a main component, and at least a surface of at least one of Ti, V, Nb, Mo, W, Co and Ni, or at least one selected from carbides, nitrides, borides and oxides thereof. Oxidizing heat treatment of the contained sintered body to a thickness of 0.
A method for manufacturing an aluminum nitride substrate, comprising forming an aluminum oxide layer having a thickness of from 5 to 5 μm.
その表面にTi、Ｖ、Nb、Mo、Ｗ、CoおよびNiの単体ある
いはこれらの炭化物、窒化物、硼化物、酸化物から選ば
れる１種以上を含有する焼結体を酸化熱処理して厚さ0.
05〜５μｍの酸化アルミニウム層を形成した後、該酸化
アルミニウム層上に金属導体層を被着形成したことを特
徴とする窒化アルミニウム質基板の製造方法。4. An aluminum nitride as a main component, and at least a surface of at least one of Ti, V, Nb, Mo, W, Co, and Ni or one or more selected from carbides, nitrides, borides, and oxides thereof. Oxidizing heat treatment of the contained sintered body to a thickness of 0.
A method for manufacturing an aluminum nitride substrate, comprising: forming an aluminum oxide layer having a thickness of from 5 to 5 μm, and forming a metal conductor layer on the aluminum oxide layer.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022979A JP2949294B2 (en) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | Aluminum nitride substrate and method of manufacturing the same |
| US08/597,349 US5830570A (en) | 1989-12-19 | 1996-02-06 | Aluminum nitride substrate and process for preparation thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022979A JP2949294B2 (en) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | Aluminum nitride substrate and method of manufacturing the same |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2061780A Division JP2949296B2 (en) | 1989-12-19 | 1990-03-13 | Aluminum nitride substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03228885A JPH03228885A (en) | 1991-10-09 |
| JP2949294B2 true JP2949294B2 (en) | 1999-09-13 |
Family
ID=12097676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022979A Expired - Fee Related JP2949294B2 (en) | 1989-12-19 | 1990-01-31 | Aluminum nitride substrate and method of manufacturing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2949294B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5022536B2 (en) * | 2000-08-30 | 2012-09-12 | 株式会社東芝 | Metallized aluminum nitride substrate and QFP type semiconductor package using the same |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2022979A patent/JP2949294B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03228885A (en) | 1991-10-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3924406B2 (en) | Alumina sintered body and manufacturing method thereof, wiring board and manufacturing method thereof | |
| JPH1095686A (en) | Copper-metalizing composition and glass ceramic wiring substrate using the same | |
| JP2949296B2 (en) | Aluminum nitride substrate | |
| JP2949294B2 (en) | Aluminum nitride substrate and method of manufacturing the same | |
| JP2822518B2 (en) | Method for forming metallized layer on aluminum nitride sintered body | |
| JPH0712983B2 (en) | Aluminum nitride sintered body having metal electrode and method for manufacturing the same | |
| JPH05238857A (en) | Method for metallizing substrate of aluminum nitride | |
| JPH05226515A (en) | Aluminum nitride substrate having metallized layer and the metallizing method thereof | |
| JP3411140B2 (en) | Metallized composition and method for manufacturing wiring board using the same | |
| JPH0881267A (en) | Aluminum nitride sintered compact, its production, aluminum nitride circuit board and its production | |
| JPH05156303A (en) | Metallizing metal powder composition and production of metallized substrate using the composition | |
| JP2000114724A (en) | Multilayer wiring board | |
| JP3537698B2 (en) | Wiring board and method of manufacturing the same | |
| JP2563809B2 (en) | Aluminum nitride substrate for semiconductors | |
| JPH11135900A (en) | Aluminum nitride wiring board and production thereof | |
| JP3366479B2 (en) | Metallized composition and method for producing wiring board | |
| US5830570A (en) | Aluminum nitride substrate and process for preparation thereof | |
| JP3628146B2 (en) | Low temperature fired ceramic composition and low temperature fired ceramic | |
| JPS62176961A (en) | Aluminum nitride sintered body and manufacture | |
| JPH09237957A (en) | Alumina circuit board and manufacture thereof | |
| JPH0723273B2 (en) | Method for metallizing aluminum nitride substrate | |
| JPH05221759A (en) | Aluminum nitride substrate with metallizing layer and metallizing method | |
| JP2591158B2 (en) | Substrate for semiconductor device with excellent heat dissipation | |
| JP2763516B2 (en) | Metallization method for aluminum nitride substrate | |
| JP2590558B2 (en) | Substrate for semiconductor device with excellent heat dissipation |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080709 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |