JPH09115934A - 半導体パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

半導体パッケージ及びその製造方法

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JPH09115934A
JPH09115934A JP27257395A JP27257395A JPH09115934A JP H09115934 A JPH09115934 A JP H09115934A JP 27257395 A JP27257395 A JP 27257395A JP 27257395 A JP27257395 A JP 27257395A JP H09115934 A JPH09115934 A JP H09115934A
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semiconductor element
gauge
semiconductor package
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 気密封止型半導体パッケージにおいて、半導
体素子封止用のキャビティに注入する封止剤の液量を高
精度に制御し、且つ液量コントロールの自動化を実現す
る。 【解決手段】 半導体素子1を内蔵するキャビティ4a
内のコーナにゲージとしてのテーパ部15を設ける。キ
ャビティ4aの内容積から半導体素子1の容積を減じて
得られる封止容積とノズルからの封止剤6の吐出精度を
考慮した吐出量の封止剤をキャビティ4a内に一次注入
して半導体素子1をコートする。次にテーパ部15を使
ってキャビティ4a内への封止剤の追加量を算出し、残
りの封止剤6をキャビティ4a内に2次注入してする。
メッキを施したテーパ部15は、封止剤6の注入によっ
て色調のコントラストを生じるため、テーパ部15を使
って封止剤6の液面6aの位置をカメラによる画像取り
込みにより容易に認識できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は気密封止型半導体パ
ッケージに関し、特にリードレスの表面実装構造を有
し、その実装面側に半導体素子が気密封止されて搭載さ
れる型式の半導体パッケージ及びその製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の気密封止型半導体パッケ
ージは、図3に示すようにパッケージ本体1のバンプ2
がフィルムキャリア3にインナーリードボンディングさ
れ、このフィルムキャリア3が耐熱性パッケージ本体4
のキャビティ4aの導体配線層5にアウタリードボンデ
ィングされて半導体素子1がキャビティ4a内に搭載さ
れていた。またキャビティ4aの底面10には、半導体
素子1に向けて下傾するテーパが付されており、テーパ
をもつキャビティ4aの底面10により封止剤6を半導
体素子1側に集中させ、封止剤6と半導体素子1との密
着性を確保するようにしていた(例えば特開平2−89
348号参照)。また図中7は貫通孔、9は切り欠き部
である。
【0003】またパッケージ本体4のキャビティ4aの
外縁側には、実装用の導体配線層5が凸状に立上げて形
成され、隣接した導体配線層5間は、溝部8により電気
的に隔離され、半導体パッケージをプリント基板に実装
する際に導体配線層5,5間が短絡するのを防止してい
た。
【0004】また凸状導体配線層5が封止剤6の液面6
aより高く立ち上げて設けられていた。これは、パッケ
ージ本体4を裏返して裏面をプリント基板に実装した際
に、封止剤の盛り上がりにより半導体パッケージがプリ
ント基板から押し上げられて凸状導体配線層5がプリン
ト基板から浮いて電気的にオープンされるのを防止する
ためである。
【0005】またキャビティの開口縁に傾斜面を設け、
この傾斜面を使って封止剤の這い上がりを防止し、半導
体パッケージ実装時の浮き上がりを防止したものが知ら
れている(例えば実公平2−41890号参照)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】図3に示した半導体パ
ッケージは、パッケージ本体4から導体配線層5が立上
って形成されているため、パッケージの薄型化には不向
きのものであった。
【0007】また実公平2−41890号公報に開示さ
れた半導体パッケージは、キャビティの開口縁に傾斜面
を設け、壁面の長さを実質的に大とすることにより、封
止剤の這い上がりの影響を小とするものであるから、パ
ッケージの薄型化には適合するが、傾斜面を設けた分だ
けキャビティの占有面積が拡大され、半導体パッケージ
自体の大型化を招いてしまうという欠点があった。
【0008】さらに図3に示す従来技術において、凸状
の導体配線層を単に平面状のパターン電極とすることも
考えられるが、この場合、隣接するパターン電極間の短
絡を防止する手段を新たに講じる必要があり、仮にその
手段を講じることができたとしても、パッケージの薄型
化を達成するためにキャビティの深さの最小化を実現す
るには、キャビティ内に注入された封止の液面位置とパ
ッケージ本体の端面との高さ位置を調整させる技術が必
要となるが、この技術はいまだ確立されていない。した
がって高さ位置調整は、現状では人手に頼らざるを得
ず、自動化を実現することは不可能である。
【0009】本発明の目的は、キャビティ内における封
止剤液面の高さ位置を色調のコントラストにより表現
し、高精度な液量コントロールを実現した半導体パッケ
ージ及びその製造方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体パッケージは、パッケージ本体
と、キャビティと、半導体素子と、ゲージとを有する半
導体パッケージであって、パッケージ本体は、裏面を実
装面として基板に実装される構造のものであり、キャビ
ティは、前記パッケージ本体の裏面に形成された凹みで
あり、半導体素子は、前記キャビティ内に搭載され封止
剤をもって気密封止されるものであり、ゲージは、前記
キャビティに備え付けられ、該キャビティ内に注入され
る封止剤の液面位置を観測するものである。
【0011】また前記ケージは、コントラストの差によ
り液面位置を観測するものである。
【0012】また前記ゲージは、液面に対して角度をな
すテーパ部を有するものである。
【0013】また前記テーパ部は、メッキ処理或いは樹
脂印刷により平滑化されたものである。
【0014】また前記テーパ部は、キャビティ内の配線
上のデッドスペースであるコーナ部に設けられたもので
ある。
【0015】また本発明に係る半導体パッケージの製造
方法は、予備コート処理と、仕上コート処理とを行い、
パッケージ本体裏面のキャビティに搭載された半導体素
子を封止剤をもって気密封止する半導体パッケージの製
造方法であって、予備コート処理は、封止剤をキャビテ
ィ内に注入して半導体素子を一次コートする処理であ
り、仕上コート処理は、前記予備コート処理によりキャ
ビティ内に注入された封止剤の液面位置をゲージにより
観測して、封止剤の液面がパッケージ本体裏面と同一面
になるようにキャビティ内に追加の封止剤を注入する処
理である。
【0016】キャビティ内にゲージを備え付ける。キャ
ビティ内に封止剤が注入されると、ゲージは水位標と同
じように封止剤中に下端から徐々に埋没する。封止剤中
に埋没したゲージの部分と、封止剤から露出したゲージ
の部分とを対比すると、その色調のコントラストに差が
生じる。したがってゲージをもって封止剤の液面高さ位
置を観測し、その画像データをコンピュータに取込んで
画像処理することにより、液量コントロールを行う。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図により説明す
る。
【0018】(実施形態1)図1(a)は、本発明の実
施形態1に係る半導体パッケージを示す平面図、図1
(b)は、図1(a)のA−A線断面図である。
【0019】図において本発明に係る半導体パッケージ
は基本的構成として、パッケージ本体4と、キャビティ
4aと、半導体素子1と、ゲージ15とを有している。
【0020】パッケージ本体4は、箱形形状をなし、裏
面を実装面として基板に表面実装される構造のものであ
り、裏面中央部にキャビティ4aを有している。キャビ
ティ4aはパッケージ本体4の裏面に形成された凹みで
あり、半導体素子1を受け入れるようになっている。
【0021】さらにキャビティ4aの内底部には、半導
体素子1を取り囲んで該素子1の電極1aに1対1で対
応するステッチ電極4,4…が形成されている。またス
テッチ電極4には導体配線層5が接続され、導体配線層
5はキャビティ4aの内底面に沿ってパッケージ本体1
の周辺部に向けて配線されている。またパッケージ本体
1の裏面の4辺部には、パターン化して形成した平面状
の電極11…が複数設けられており、パッケージ本体1
の周辺には上下に貫通する端面スルーホール12が設け
られ、電極11と導体配線層5との間は端面スルーホー
ル12により電気的に接続されている。また半導体素子
1の電極1aとステッチ電極14とはボンデイング用の
金線13を介して電気的に接続されている。
【0022】さらにゲージ15は、キャビティ4a内の
配線上のデッドスペースであるコーナ部に備え付けら
れ、キャビティ4a内に注入される封止剤6の液面6a
の位置を観測するものである。ゲージ15はコントラス
トの差により液面6aの位置を観測するものであり、詳
細にはゲージ15は、液面6aに対して角度をなすテー
パ部15を有している。テーパ部15は、メッキ処理或
いは樹脂印刷により平滑化されており、半導体素子1が
搭載されるキャビティ4aの底面部分とテーパ部15と
では、その色調のコントラストに差が生じており、両者
が明確に区別できるとともに、封止剤6の液面6aの位
置を観測できるようになっている。
【0023】次に本発明に係る半導体パッケージの具体
例を説明する。図1に示すようにパッケージ本体4は、
1.0mm厚のガラスエポキシ基板に深さ0.8mmの
キャビティ4aを設けたものであり、パッケージ本体4
は裏面に電極11を有し、端面にスルーホール12を有
し、キャビティ4a内には導体配線層5に接続されたス
テッチ電極14を有している。
【0024】キャビティ4a内には厚さ0.45mmの
半導体素子1を搭載し、金線13を半導体素子1の表面
より0.2mm以下のループ高をもってステッチ電極1
4にボンディングしている。そしてキャビティ4a内に
封止剤6を充填し、半導体素子1を封止剤6をもって気
密封止している。またキャビティ4aのコーナ部に液面
6aに対して角度をなすテーパ部15を設け、これをゲ
ージとして用いている。またキャビティ4aは、コーナ
部にゲージとして設けられたテーパ部15以外の内側面
がほぼ垂直に立ち上がった構造となっている。
【0025】次に本発明に係る半導体パッケージの製造
方法について説明する。本発明に係る半導体パッケージ
の製造方法は、予備コート処理と、仕上コート処理とを
行い、パッケージ本体4の裏面のキャビティ4a内に搭
載された半導体素子1を封止剤6をもって封止するよう
にしたものである。ここで、封止剤6の吐出量のコント
ロールは、封止剤6のノズルからの吐出時間により行な
うものであり、図1に示す実施形態における予備コート
処理と仕上コート処理では同一条件で作業を行なうよう
にしている。
【0026】まず予備コート処理では、半導体素子1が
搭載されたキャビティ4a内に封止剤6の一次注入を行
う。すなわち、予備コート処理を行なう前に半導体素子
1が搭載されるキャビティ4aの底面部分とテーパ部1
5との交点D3の位置を予め検出し、キャビティ4aの
加工精度より算出されるキャビティ内容積から半導体素
子1の容積(Va)を減じて得られる封止容積を算出す
る。ここに、半導体素子1が搭載されるキャビティ4a
の底面部分の面積をSc、テーパ部15のテーパ角度を
θとすると、前記封止容積は、Sc・(D1-D3)tan
θーVaとなる。
【0027】次にノズルから封止剤6をキャビティ4a
内に注入し、封止剤6をもって半導体素子1を及び金線
13を被覆するように一次コートする。この一次コート
が終了した時点での封止剤6の液面6aの高さがD2
位置となる。予備コート処理では封止剤6の液面6aの
高さがD2に達するまでに要する封止剤6の吐出時間T1
を計測しておく。
【0028】仕上コート処理は、前記予備コート処理に
よりキャビティ4a内に注入された封止剤6の液面位置
6aをゲージ15により観測し、その画像データをコン
ピュータに取込んで画像処理することにより、封止剤6
のノズルからの吐出量のコントロールを行い、封止剤6
の液面6aの高さがD1と一致するように封止剤6をキ
ャビティ4a内に追加して注入する。キャビティ4a内
に封止剤6が注入されると、ゲージ15は水位標と同じ
ように封止剤6中に下端から徐々に埋没する。封止剤6
中に埋没したゲージ15の部分と、封止剤6から露出し
たゲージ15の部分とを対比すると、その色調のコント
ラストに差が生じる。したがってゲージ15をもって封
止剤6の液面高さ位置を観測し、キャビティ4a内側縁
での表面張力により盛り上がる封止剤6の盛り上がり量
を考慮して封止剤6を注入する。
【0029】具体的には封止剤6の吐出量は、封止剤表
面が前記金線を被覆し基板裏面より盛り上がらないよう
0.1mm以下の厚み精度で封止剤を吐出するように決
定する必要があるため、一次塗布(予備コート処理)
後、キャビティ4a内側縁での表面張力により盛り上が
る封止剤6の盛り上がり量(これにはキャビティ6のコ
ーナ部に形成した金メッキが施されたテーパ部15への
封止剤6の這い上がり量を含む)を認識し、予備コート
処理と同一条件で仕上コート処理の作業を行なう。すな
わち予備コート処理において半導体素子(容積をVaと
する)1のが被覆するように一次コートされてことか
ら、半導体素子1が搭載されるキャビティ4aの底面部
分の面積をSc、ゲージ量をD3、予備コート処理時の封
止剤6の吐出時間をT1とした場合に、仕上コート処理
における封止剤6のノズルからの吐出時間T2は下記の
一次式で与えられる。 したがって仕上コート処理では、予備コート処理により
キャビティ4a内に注入された封止剤6の液面6aの位
置をゲージ15により観測して、封止剤6のノズルから
の吐出時間T2を上記の時間にに設定し、封止剤6の液
面6aがパッケージ本体1の裏面と同一面になるように
キャビティ4a内に追加の封止剤6を注入する
【0030】(実施形態2)図2は、本発明の実施形態
2を示す裏面図である。本実施形態では、前述の実施形
態1と比較して2個の半導体素子1,1をキャビティ4
a内に搭載しているため、キャビティ4aの形状が複雑
なものとなっている。本実施形態では、キャビティ4a
内の4つのコーナのデッドスペースに各々ゲージとして
のテーパ部15を設けた構造としている。
【0031】キャビティ4aの形状が複雑化するのに伴
い予備コート処理での一次吐出による封止剤6がキャビ
ティ4a内の各コーナに到達するのに要する時間が均一
でなくバラツキが生じる。そこで本実施形態2では、キ
ャビティ4a内の4つのコーナのテーパ部15でその残
部の距離を検出することにより、キャビティ4a内の各
コーナに封止剤6が均一に注入されたか否かを認識して
高精度な封止作業を行なえるようにしたものである。さ
らに本実施形態2では、キャビティ4a内の4つのコー
ナのテーパ部15でその残部の距離を検出するため、パ
ッケージ本体1の反りや傾きが生じた場合も、封止剤6
がキャビティ4aより溢れ出ないように認識して液面の
コントロールをするのに有用である。
【0032】以上の本発明の実施形態では、テーパ部1
5はキャビティ4a内の1ケ所及び4ケ所に設けた場合
について説明したが、テーパ部15は、封止剤6のキャ
ビティ4a内への注入作業時に封止剤6が一番遅れて到
達する部分に設けることが望ましい。何故ならば封止剤
6の注入量を認識するテーパ部15を吐出ノズル近傍に
配置した場合には時間とともに液面が下がることもある
ため、液面コントロールが複雑化するためである。従っ
て本発明の趣旨の通り、キャビティ4aのコーナ部にゲ
ージとしてのテーパ部15を配置すればよく、テーパ部
15の数,大きさは限定されるものではない。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、キ
ャビティ内に封止剤が注入されると、ゲージは水位標と
同じように封止剤中に下端から徐々に埋没し、封止剤中
に埋没したゲージの部分と、封止剤から露出したゲージ
の部分とを対比すると、その色調のコントラストに差が
生じるため、ゲージを使って封止剤の液面高さ位置を観
測し、その画像データをコンピュータに取込んで画像処
理することにより、液量コントロールを行うことができ
る。
【0034】また半導体パッケージ裏面に設けた半導体
素子封止用キャビティの配線上のデットスペースである
コーナ部にゲージを設けて上方より容易に認識可能なよ
うにしたため、封止剤の液量コントロールを高精度に行
なうことができ、封止剤のパッケージ本体裏面からの食
み出しを防止して半導体パッケージの基板からの浮き上
がりを阻止して電気的にオープンするのを防止できる。
【0035】またゲージの設置位置をキャビティの配線
上のデットスペースであるコーナ部に設定することによ
り、半導体パッケージの小型化及び封止剤の減量による
コストダウンを図ることができる。
【0036】またゲージとしてのテーパ部をメッキ等に
より平滑化し、封止及びパッケージ裏面との間に色調の
コントラストを付けることにより、液面の自動認識が可
能となり、自動化、且つ高精度の液量コントロールを行
なうことができる。
【0037】また高精度の液量コントロールを行なうこ
とができるため、従来の凸状に設けた電極を単にパター
ン電極として形成することができ、パッケージの薄型化
が実現できる。
【0038】またキャビティ内の少なくとも3箇所のコ
ーナにゲージとしてのテーパ部を設けたため、キャビテ
ィ内のコーナに設けたテーパ部でその残部の距離を検出
することにより、キャビティ内の各コーナに封止剤が均
一に注入されたか否かを認識して高精度な封止作業を行
なうことができる。さらにキャビティ内のコーナのテー
パ部でその残部の距離を検出するため、パッケージ本体
の反りや傾きが生じた場合も、封止剤がキャビティより
溢れ出ないように認識して液面のコントロールを行なう
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の実施形態1に係る半導体パッ
ケージを示す裏面図、(b)は(a)のA−A線断面図
である。
【図2】本発明の実施形態2を示す裏面図である。
【図3】(a)は従来例を示す斜視図、(b)は同従来
例の断面図である。
【符号の説明】
1 半導体素子 2 バンプ 3 フィルムキャリア 4 パッケージ本体 4a キャビティ 5 導体配線層 6 封止剤 6a 封止剤の液面 7 貫通孔 8 溝部 9 切り欠き部 10 キャビティの底面 11 平面状の電極 12 端面スルーホール 13 金線 14 ステッチ電極 15 テーパ部(ゲージ)

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パッケージ本体と、キャビティと、半導
    体素子と、ゲージとを有する半導体パッケージであっ
    て、 パッケージ本体は、裏面を実装面として基板に実装され
    る構造のものであり、 キャビティは、前記パッケージ本体の裏面に形成された
    凹みであり、 半導体素子は、前記キャビティ内に搭載され封止剤をも
    って気密封止されるものであり、 ゲージは、前記キャビティに備え付けられ、該キャビテ
    ィ内に注入される封止剤の液面位置を観測するものであ
    ることを特徴とする半導体パッケージ。
  2. 【請求項2】 前記ケージは、コントラストの差により
    液面位置を観測するものであることを特徴とする請求項
    1に記載の半導体パッケージ。
  3. 【請求項3】 前記ゲージは、液面に対して角度をなす
    テーパ部を有するものであることを特徴とする請求項2
    に記載の半導体パッケージ。
  4. 【請求項4】 前記テーパ部は、メッキ処理或いは樹脂
    印刷により平滑化されたものであることを特徴とする請
    求項3に記載の半導体パッケージ。
  5. 【請求項5】 前記テーパ部は、キャビティ内の配線上
    のデッドスペースであるコーナ部に設けられたものであ
    ることを特徴とする請求項2に記載の半導体パッケー
    ジ。
  6. 【請求項6】 予備コート処理と、仕上コート処理とを
    行い、パッケージ本体裏面のキャビティに搭載された半
    導体素子を封止剤をもって気密封止する半導体パッケー
    ジの製造方法であって、 予備コート処理は、封止剤をキャビティ内に注入して半
    導体素子を一次コートする処理であり、 仕上コート処理は、前記予備コート処理によりキャビテ
    ィ内に注入された封止剤の液面位置をゲージにより観測
    して、封止剤の液面がパッケージ本体裏面と同一面にな
    るようにキャビティ内に追加の封止剤を注入する処理で
    あることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
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