JPH0886969A - マイクロ機械装置の部品の粘着を防止する方法 - Google Patents

マイクロ機械装置の部品の粘着を防止する方法

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JPH0886969A
JPH0886969A JP7154932A JP15493295A JPH0886969A JP H0886969 A JPH0886969 A JP H0886969A JP 7154932 A JP7154932 A JP 7154932A JP 15493295 A JP15493295 A JP 15493295A JP H0886969 A JPH0886969 A JP H0886969A
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mirror
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surfactant
micromechanical
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Monte A Douglas
アラン ダグラス モンテ
Robert M Wallace
エム．ウォラス ロバート
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 装置に損傷を与えることなく、マイクロ機械
装置の接触する素子の粘着を防止する方法を提供する。 【構成】 液体の入っている容器の中に装置が配置さ
れ、そしてこの装置の中で接触する素子が、界面活性剤
を含有する表面張力の小さな液体の中に浸される。次
に、容器が閉じられ、そして表面張力の小さな前記液体
とその蒸気相との間に圧力平衡が事実上保持される方式
で、この装置の乾燥が行われる。表面張力の小さなこの
液体は、過フッ化アルカンのような過フッ化炭化水素の
液体であることができる。または、表面張力の小さな液
体の代わりに、接触する素子を臨界超過流体にさらして
処理を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ機械装置に関
する。さらに詳細にいえば、本発明は、接触する部品が
粘着しないように装置に対して処理を行う方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術およびその問題点】電気機械の分野におけ
る最近の進歩により、種々の機械装置が小型化する傾向
にある。これらの小型化した機械装置である「マイクロ
機械」装置は、集積回路技術を用いて製造することがで
きる。このような装置の典型的な例は、医療などに応用
される小型電動機である。これらの装置を駆動するエネ
ルギ源は電気であることが多いが、太陽エネルギを利用
した装置、または重力エネルギを利用した装置、または
他のエネルギを利用した装置であることができる。
【０００３】マイクロ機械装置の場合、装置の信頼性を
得ることは困難である。装置の信頼性に関する１つの通
常の問題点は、装置の可動部分が装置の他の表面に接触
した時に起こる粘着の問題である。可動素子が他の表面
に接触する時、その表面に素子が粘着することが原因で
装置が正しく動作しなくなることがある。それに関連す
る問題点としては、素子の間で接触が繰り返されること
により、それらの表面が消耗するという問題がある。
【０００４】マイクロ機械装置の寸法が小さいために、
粘着が起こる原因と、この粘着の問題点を解決するため
の種々の努力の成果と、を識別することが困難である。
粘着の問題点を解決するための多くの努力は、潤滑剤の
ような種々の材料で接触する表面を製造期間中に被覆す
ることにより、考えられる粘着力を小さくする方向で行
われている。けれども、これらの技術は修復技術という
よりはむしろ予防技術であり、いったん粘着した接触素
子の粘着を解除するという問題が起きた時、その解決と
はならない。
【０００５】
【問題点を解決するための手段】本発明の１つの特徴
は、マイクロ機械装置の接触する素子の粘着が防止され
る方法が得られることである。この装置が液体の入って
いる容器の中に配置され、そしてこの装置の中の接触す
る素子が界面活性座を含有する表面張力の小さな液体の
中に浸される。それから、容器が閉じられ、そして表面
張力の小さな前記液体とその蒸気相との間に圧力平衡が
事実上保持される方式で、この装置に乾燥が行われる。
表面張力の小さなこの液体は、過フッ化アルカンのよう
な過フッ化炭化水素の液体であることができる。また
は、接触する素子を、表面張力の小さな液体の代わり
に、臨界超過流体にさらして処理を行うことができる。
【０００６】本発明の技術上の１つの利点は、接触する
素子に損傷を与えることなく、それらの粘着を防止する
ことができることである。本発明の種々の実施例によ
り、粘着の原因となる可能性のある残留物が除去され、
したがって、繰り返し使用する間に粘着が再発すること
を防止することができる。この方法は、装置に対して
「バック・エンド」製造段階として実施することができ
る、すなわち、装置が完成した後、およびそれが動作し
た後、この方法を装置に対して実施することができる。
【０００７】
【実施例】本発明の１つの実施例を示す目的で、画像作
成の応用に用いられる特定の形式のマイクロ機械装置、
すなわち、ディジタル・マイクロミラー装置（ＤＭＤ）
を下記で説明する。この形式の装置は、小さなミラーが
傾斜し、そしてこの傾斜したミラーに光が当たって反射
し、この反射した光が画像面に向かって進む。これらの
ミラーがアレイに配置されることにより、画像が作成さ
れる。ＤＭＤの場合、本発明の方法により、ミラーが傾
斜した時に接触する「着地パッド」にミラーが粘着する
ことが防止される。ＤＭＤにより作成される画像を用い
て、表示装置を作成することができ、または非打撃印刷
装置に応用することができる。ＤＭＤが画像作成以外に
応用されるまた別の例としては、光学操縦装置、光学ス
イッチング装置、および加速度計などがある。これらの
応用のあるものでは、「ミラー」は必ずしも光を反射す
る素子である必要はなく、場合によっては可動「ビー
ム」と呼ばれる素子であることができる。また別の応用
では、ＤＭＤは必ずしもディジタル・モードで動作する
必要はない。「ＤＭＤ」という用語は、ここでは通常、
アドレス電極に加えられる電圧に応答して着地表面に接
触する少なくとも１つの偏向ビーム素子を有する、任意
の形式のマイクロ機械装置を意味するものとして用いら
れる。
【０００８】本発明は、接触する素子を有する他の形式
のマイクロ機械装置に対して用いることができる。ＤＭ
Ｄのミラーと同じように、他のマイクロ機械装置は小さ
な回転子、レバー、または他の可動部品を有することが
できる。これらの部品が移動して他の表面に接触し、そ
してそこに粘着することがある。
【０００９】図１および図２は、ＤＭＤの１個のビーム
素子１０を示した図である。図１では、ミラー素子１０
は平坦な（偏向していない）状態にあり、一方図２で
は、ビーム素子１０は偏向した状態にある。典型的な１
つのＤＭＤは、このようなミラー素子１０を数百個また
は数千個集まったアレイを有する。
【００１０】図１および図２のミラー素子１０は、「捩
じりビーム」素子と呼ばれている。片持ち梁形式のビー
ム素子、および「隠れたヒンジ」形式のビーム素子のよ
うな、他の形式のビーム素子１０を作成することもでき
る。この「隠れたヒンジ」形式のビーム素子は、図１お
よび図２に示された捩じりビーム形式の素子の１つの変
更実施例である。種々の形式のＤＭＤおよびその他の装
置は、名称「空間光変調器とその方法（Ｓｐａｔｉａｌ
Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ ａｎｄＭｅｔｈｏ
ｄ）」の米国特許第４，６６２，７４６号と、名称「空
間光変調器（Ｓｐａｔｉａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌ
ａｔｏｒ）」の米国特許第４，９５６，６１０号と、名
称「空間光変調器とその方法（Ｓｐａｔｉａｌ Ｌｉｇ
ｈｔＭｏｄｕｌａｔｏｒ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ）」の
米国特許第５，０６１，０４９号と、名称「多重レベル
に変形可能なミラー装置（Ｍｕｌｔｉ−ｌｅｖｅｌＤｅ
ｆｏｒｍａｂｌｅ Ｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）」の
米国特許第５，０８３，８５７号に開示されている。こ
れらの特許のおのおのは、テキサス・インスツルメンツ
・インコーポレーテッドに譲渡されており、そしてそれ
らの内容は参考として本発明の中に取り込まれている。
【００１１】画像表示装置に応用されて動作する場合、
光源から白色の可視光線がＤＭＤの表面を照射する。コ
ンデンサ・レンズ（図示されていない）を用いて、ビー
ム素子１０のアレイの寸法にほぼ適合するように光の形
状が整形され、そしてこの整形された光をビーム素子１
０の反射表面に向けて進めることができる。ビーム素子
１０のおのおのは、支持ポスト１３に取り付けられた捩
じりヒンジ１２により保持された、傾斜することが可能
なミラー１１を有する。このミラー１１は、シリコン基
板１５の上に作成されたアドレス／メモリ回路１４の上
に配置される。アドレス／メモリ回路１４のメモリ・セ
ルの中のデータに基づいて発生する静電気力により、ミ
ラー１１のおのおのが＋１０度（オン状態）または−１
０度（オフ状態）のいずれかに傾斜することができ、そ
してそれにより、ＤＭＤの表面に入射する光を変調する
ことができる。オン状態のミラー１１から反射された光
は、種々の表示光学装置（図示せず）を通って観察者に
向かって進み、画像を形成する。オフ状態にあるミラー
１１から反射された光は、観察者とは異なる方向に向か
って進む。おのおのの画像フレームの期間中、ミラー１
１がオン状態にとどまっている時間の比率により、灰色
の濃さの程度を決定することができる。カラー・ホイー
ルまたは３個のＤＭＤ装置（図示されていない）を付加
して用いることにより、カラーを表示することができ
る。
【００１２】アドレス／メモリ回路１４は、ビーム素子
１０のおのおのに付随する１個のメモリ・セルと、２個
のアドレス電極１６と、２個の着地電極１７とを有す
る。ミラー１１は３個の状態を有する。ミラー１１がヒ
ンジ１２の周りに、１つの方向または他の方向に１０度
傾斜した状態であり、ミラー１１は２安定モードで動作
する。第３の状態は平坦な位置であって、表示装置が動
作していない時、ミラー１１が戻ってくる位置である。
【００１３】ミラー１１とアドレス電極１６は、実質的
にコンデンサを構成する。＋５ボルト（ディジタル値
１）が１つのアドレス電極１６に加えられる時、他のア
ドレス電極１６に０ボルト（ディジタル値０）が加えら
れ、そしてミラー１１に負バイアスが加えられる。この
時発生する静電荷により、ミラー１１は、＋５ボルト電
極１６に向かって傾斜するような力を受ける。アドレス
電極１６に加えられ電圧は、ミラー１１に傾斜する運動
を開始させ、そして自分自身の運動量により、ミラー１
１は電極１７に衝突するまでこの運動を継続する。
【００１４】ミラー１１がいずれかの方向にいったん傾
斜すると、ミラー１１はその状態に電気機械的にラッチ
されたままである。アドレス電極１６の状態を単に変え
るだけでは、ミラーに運動を起こさせることはできない
であろう。ミラーにその傾斜していない位置に戻るよう
な運動を起こさせるには、それぞれのミラー１１のバイ
アスを除去しなければならない。このバイアスが再び加
えられる時、ミラー１１はそれらの新しいアドレス状態
に応じて傾斜する。けれども、もしミラー１１が着地電
極に粘着するならば、どのような再設定力を加えても、
それはこの粘着力に十分に打ち勝つことはできないであ
ろう。
【００１５】図３〜図５は、接触する素子が粘着するマ
イクロ機械装置を、本発明に従い表面張力の小さな液体
を用いて処理する１つの方法を示した図である。図６
は、表面張力の小さな液体を用いるよりはむしろ臨界超
過液体を用いて行われる、図３に示された段階とは異な
るまた別の処理方法を示した図である。
【００１６】前記で説明したように例示の目的で、ＤＭ
Ｄマイクロ機械装置の場合について説明されたけれど
も、同じ処理工程を他の任意のマイクロ機械装置に対し
て実施することができる。この方法は、少なくとも事実
上「完成している」装置に対して実施することができ
る。この方法は、そのマイクロ機械部品が以前の製造段
階の期間中に粘着した装置に対して、「バック・エン
ド」製造段階として実行することができる。例えば、お
のおのがＤＭＤアレイを有するチップに最終的に分離さ
れるべきウエハの製造の期間中に、この方法を実行する
ことができる。この方法はこの方式の大量生産に十分に
適しており、そしてＤＭＤまたはマイクロ機械装置の製
造工程の流れの中に容易に組み込むことができる。また
は、一定の時間の間すでに動作している装置に対する保
守工程として、この方法を実施することができる。
【００１７】図３に示されているＤＭＤ３０は、それぞ
れのビーム素子の着地電極１７と、アドレス電極１６
と、ミラー１１とは、少なくとも事実上製造が終わって
いる。これらの部品の製造は、典型的には、一時的なス
ペーサ材料を用いて行われる。図３では、これらの一時
的スペーサ材料の除去はすでに終わっている。前記で説
明したように、少なくともいくつかのビーム素子１０
は、偏向した位置で粘着している。
【００１８】ＤＭＤ３０が、液体を入れることができる
容器３１の中に入れられる。そして、表面活性剤（界面
活性剤）の入っている表面張力の小さい液体の中に、Ｄ
ＭＤ３０が浸される。表面張力の小さい適切な液体の例
は、過フッ化炭化水素の液体、特に、過フッ化アルカン
である。このような適切な液体の例を挙げれば、３Ｍコ
ーポレーションから市販されている過フッ化アルカンの
混合体である「ＦＣ−７７」である。界面活性剤の入っ
ている適切な液体の例は、パーフロロ−ｎ−メチル・モ
ルホリンの中に０．２％の非イオン化界面活性剤の入っ
ている液体である。３Ｍコーポレーションから「ＰＦ−
５０５２」として市販されている、界面活性剤の入って
いる過フッ化アルカンの液体を使用することにより、良
好な結果が得られた。
【００１９】図４は、図３の浸漬段階の後に実行される
乾燥段階の図である。図４の例では、この乾燥段階は真
空段階である。容器３１の上にカバー４１が配置され
る、または容器３１が封止されて閉じられる。それによ
り、装置３０が直接に真空に触れるよりはむしろ、液体
が乾燥する時、液体３２から生ずる蒸気３２′が保持さ
れる。液体が容器３１から引き抜かれる時、液体３２が
その蒸気３２′と圧力平衡にあるように、真空が制御さ
れる。
【００２０】図５は、図３および図４の浸漬段階および
乾燥段階の後に実行することができる、第３段階を示し
た図である。図５において、その表面に残っていること
があるすべての界面活性剤を除去するために、装置３０
に処理が行われる。図５の清浄化段階は、多くの異なる
方法で実行することができる。図５に示されている段階
は、すべての残留物が溶解されるように、添加物を含む
または含まない臨界超過流体５１に装置をさらすことに
より行われる。例えば、臨界超過状態にある二酸化炭素
／アセトンの２元流体は、満足な流体であることが実験
的に分かっている。界面活性剤を除去するためのまた別
の適切な処理工程は、熱処理工程であろう。この熱処理
工程は、雰囲気温度よりも高いがしかし装置に損傷を与
える温度よりは低い温度で揮発するような界面活性剤に
対して、適切な処理工程であるであろう。この加熱段階
に付随して、残留物の除去を助ける「乾燥段階」が伴わ
れるであろう。
【００２１】図６は、図３の浸漬段階を実行するための
また別の装置を示した図である。図６において、界面活
性剤を含むことができるまたは含むことができない臨界
超過流体６２の中に、ＤＭＤがさらされる。適切である
臨界超過流体６２の例は、二酸化炭素である。界面活性
剤を含む適切な臨界超過流体６２の例は、ＰＦ−５０５
２の中に含まれているような非イオン性界面活性剤と二
酸化炭素とで構成される流体である。
【００２２】図６に示されているように、臨界超過流体
の拡散特性が気体の拡散特性に似ているために、緩衝流
入ポートおよび緩衝流出ポート５２ａを有する容器５２
の中に、ＤＭＤ３０が配置される。流体６２が流入およ
び流出する時、気体の流れの乱れの結果として起こるこ
とがある画素素子の損傷は、これらのポート５２ａによ
りすべて防止される。適切な緩衝ポート５２ａの１つの
例は、密に詰められたビーズ玉で作成された層である。
けれども、種々の他の拡散性の材料を用いることもでき
る。容器５２の残りの部分は、高圧流体を内部に入れる
のに適したステンレス・スチールのような材料で作成さ
れる。
【００２３】最良の結果が得られるように、圧力、温
度、および流体の流量などの条件を定めることができ
る。ＤＭＤ装置３０を用いて行われた実験的な試験で
は、摂氏３５度ないし摂氏８０度の範囲内で５００気圧
の圧力にある二酸化炭素の臨界超過流体６２が４００ｓ
ｃｃｍの流速である時に、最良の結果が得られることが
分かった。流体の雰囲気圧力までへの排気が時間を超過
して行われるように圧力の解除が制御されることによ
り、装置に損傷を与えることを避けることができる。
【００２４】もし臨界超過流体６２の中に界面活性剤が
含まれているならば、この界面活性剤を除去するため
に、図４に関連して前記で説明したように、ＤＭＤ３０
に対してさらに処理を行うことができる。
【００２５】前記で説明した方法により、ＤＭＤ３０の
粘着しないミラー素子１０が得られる。さらに全体的に
いえば、マイクロ機械装置の粘着しない接触素子が得ら
れる。これとは異なって、マイクロ機械装置の接触する
素子の粘着を防止するために、清浄化工程および処理工
程の一部分として臨界超過流体を用いることは、名称
「物体の表面の清浄化および処理のための方法（Ａ Ｍ
ｅｔｈｏｄ ｆｏｒ Ｃｌｅａｎｉｎｇ ａｎｄ Ｔｒ
ｅａｔｉｎｇ ｔｈｅ Ｓｕｒｆａｃｅ ｏｆａｎ Ｏ
ｂｊｅｃｔ）」の米国特許シリアル番号第 号
（代理人整理番号第ＴＩ−１８７０２）に開示されてい
る。この特許は、テキサス・インスツルメンツ・インコ
ーポレーテッドに譲渡されている。
【００２６】他の実施例 本発明が特定の実施例について説明されたけれども、こ
の説明は、本発明の範囲がこれらの実施例に限定される
ことを意味するものではない。開示された実施例を種々
に変更した実施例、およびまた別の実施例の可能である
ことは、当業者にはすぐに分かるであろう。したがっ
て、このような変更実施例はすべて本発明の範囲内に包
含されるものと理解されなければならない。
【００２７】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１） マイクロ機械装置の接触素子の粘着を防止する
方法であって、液体を入れるのに適切である容器の中に
前記装置を配置する段階と、界面活性剤を含有する表面
張力の小さな液体の中に前記接触素子を浸す段階と、前
記容器を閉じる段階と、表面張力の小さな前記液体とそ
の蒸気相との間に圧力平衡を事実上保持する方式で、前
記閉じた容器の中で前記装置を乾燥する段階と、を有す
る前記方法。 （２） 第１項記載の方法において、表面張力の小さい
前記液体が過フッ化炭化水素の液体である、前記方法。 （３） 第２項記載の方法において、前記過フッ化炭化
水素液体が過フッ化アルカンである、前記方法。 （４） 第１項記載の方法において、表面張力の小さい
前記液体がパーフロロ−ｎ−メチル・モルホリンであ
る、前記方法。 （５） 第１項記載の方法において、前記界面活性剤が
非イオン性界面活性剤である、前記方法。 （６） 第１項記載の方法において、前記乾燥段階が真
空乾燥段階である、前記方法。 （７） 第１項記載の方法において、前記界面活性剤の
残留物を除去する段階をさらに有する、前記方法。 （８） 第７項記載の方法において、前記残留物が溶解
されるような臨界超過流体を用いて前記除去段階が実行
される、前記方法。 （９） 第８項記載の方法において、前記臨界超過流体
が二酸化炭素／アセトンの二元流体である、前記方法。 （１０） 第８項記載の方法において、前記残留物が揮
発するような熱処理を行うことにより前記除去段階が実
行される、前記方法。
【００２８】（１１） マイクロ機械装置の接触素子の
粘着を防止する方法であって、緩衝された入口ポートと
緩衝された出口ポートとを有する容器の中に前記装置を
配置する段階と、前記入口ポートを通して流入する臨界
超過流体に前記接触素子をさらす段階と、を有する前記
方法。 （１２） 第１１項記載の方法において、前記臨界超過
流体が二酸化炭素である、前記方法。 （１３） 第１２項記載の方法において、前記さらす段
階が摂氏約８０度でかつ約５００気圧の圧力で実行され
る、前記方法。 （１４） 第１１項記載の方法において、前記臨界超過
流体が界面活性剤を含有する、前記方法。 （１５） 第１１項記載の方法において、前記さらす段
階が高い圧力状態の下で実行される、前記方法。 （１６） 第１１項記載の方法において、前記臨界超過
流体が界面活性剤を含有し、かつ前記界面活性剤を除去
する段階をさらに有する、前記方法。
【００２９】（１７） マイクロ機械装置３０の接触す
る素子１１、１７の粘着を防止する方法が得られる。前
記装置３０の壊れやすい部品に損傷を与えることを防止
するために、前記装置は、界面活性剤３２を含有する表
面張力の小さな流体または臨界超過流体６２のいずれか
にさらされる。このさらされる条件は、前記装置に損傷
を与えないで最良の結果が得られるように制御される。
【図面の簡単な説明】
【図１】１つの形式のマイクロ機械装置、例えば、接触
する素子を有するディジタル・マイクロミラー装置（Ｄ
ＭＤ）、の偏向していない状態にあるミラー素子の図。
【図２】図１のディジタル・マイクロミラー装置におい
て、偏向している状態にあるミラー素子の図。
【図３】本発明によるマイクロ機械装置の粘着する部品
を処理する方法の最初の段階の図。
【図４】本発明によるマイクロ機械装置の粘着する部品
を処理する方法を示した図であって、図３の次の段階で
あるカバーで蓋がされて乾燥が行われる段階の図。
【図５】本発明によるマイクロ機械装置の粘着する部品
を処理する方法を示した図であって、臨界超過流体を用
いて処理が行われる図。
【図６】図３の段階に代わるまた別の方法の図。
【符号の説明】
１１、１７ 接触する素子 １１ ミラー １７ 着地電極 ３０ マイクロ機械装置 ３１ 容器 ３２ 界面活性剤 ５２ａ 緩衝された入口ポートおよび出口ポート ６２ 臨界超過流体

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マイクロ機械装置の接触する素子の粘着
    を防止する方法であって、 液体を入れるのに適切である容器の中に前記装置を配置
    する段階と、 界面活性剤を含有する表面張力の小さな液体の中に前記
    接触素子を浸す段階と、 前記容器を閉じる段階と、 表面張力の小さな前記液体とその蒸気相との間に圧力平
    衡を実質的に保持する方式で、前記閉じた容器の中で前
    記装置を乾燥する段階と、を有する前記方法。
JP7154932A 1994-06-21 1995-06-21 マイクロ機械装置の部品の粘着を防止する方法 Pending JPH0886969A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US263292 1994-06-21
US08/263,292 US5482564A (en) 1994-06-21 1994-06-21 Method of unsticking components of micro-mechanical devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
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Families Citing this family (103)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6219015B1 (en) 1992-04-28 2001-04-17 The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images
US5617242A (en) * 1995-01-10 1997-04-01 Texas Instruments Incorporated Repair of digital micromirror device having white defects
US5717513A (en) * 1995-01-10 1998-02-10 Texas Instruments Incorporated Unsticking mirror elements of digital micromirror device
US5841579A (en) 1995-06-07 1998-11-24 Silicon Light Machines Flat diffraction grating light valve
US6312528B1 (en) 1997-03-06 2001-11-06 Cri Recycling Service, Inc. Removal of contaminants from materials
US5982553A (en) 1997-03-20 1999-11-09 Silicon Light Machines Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array
US6500605B1 (en) 1997-05-27 2002-12-31 Tokyo Electron Limited Removal of photoresist and residue from substrate using supercritical carbon dioxide process
US6306564B1 (en) 1997-05-27 2001-10-23 Tokyo Electron Limited Removal of resist or residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide
US6036786A (en) * 1997-06-11 2000-03-14 Fsi International Inc. Eliminating stiction with the use of cryogenic aerosol
US6088102A (en) 1997-10-31 2000-07-11 Silicon Light Machines Display apparatus including grating light-valve array and interferometric optical system
US6271808B1 (en) 1998-06-05 2001-08-07 Silicon Light Machines Stereo head mounted display using a single display device
US6004912A (en) 1998-06-05 1999-12-21 Silicon Light Machines Vapor phase low molecular weight lubricants
US6101036A (en) 1998-06-23 2000-08-08 Silicon Light Machines Embossed diffraction grating alone and in combination with changeable image display
US6130770A (en) 1998-06-23 2000-10-10 Silicon Light Machines Electron gun activated grating light valve
US6215579B1 (en) 1998-06-24 2001-04-10 Silicon Light Machines Method and apparatus for modulating an incident light beam for forming a two-dimensional image
US6303986B1 (en) 1998-07-29 2001-10-16 Silicon Light Machines Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die
US6277753B1 (en) 1998-09-28 2001-08-21 Supercritical Systems Inc. Removal of CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
US7064070B2 (en) * 1998-09-28 2006-06-20 Tokyo Electron Limited Removal of CMP and post-CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
JP3527117B2 (ja) * 1998-12-24 2004-05-17 富士電機デバイステクノロジー株式会社 半導体力学量センサの製造方法およびその製造装置
US6748960B1 (en) 1999-11-02 2004-06-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for supercritical processing of multiple workpieces
CN1216415C (zh) * 2000-04-25 2005-08-24 东京毅力科创株式会社 沉积金属薄膜的方法和包括超临界干燥/清洁组件的金属沉积组合工具
AU2001262065A1 (en) * 2000-05-26 2001-12-03 Chaker Khalfaoui A stiction-free electrostatically driven microstructure device
US6795605B1 (en) 2000-08-01 2004-09-21 Cheetah Omni, Llc Micromechanical optical switch
US6530823B1 (en) 2000-08-10 2003-03-11 Nanoclean Technologies Inc Methods for cleaning surfaces substantially free of contaminants
US6543462B1 (en) 2000-08-10 2003-04-08 Nano Clean Technologies, Inc. Apparatus for cleaning surfaces substantially free of contaminants
US6719613B2 (en) * 2000-08-10 2004-04-13 Nanoclean Technologies, Inc. Methods for cleaning surfaces substantially free of contaminants utilizing filtered carbon dioxide
US6556741B1 (en) 2000-10-25 2003-04-29 Omm, Inc. MEMS optical switch with torsional hinge and method of fabrication thereof
US6387723B1 (en) 2001-01-19 2002-05-14 Silicon Light Machines Reduced surface charging in silicon-based devices
US6562146B1 (en) 2001-02-15 2003-05-13 Micell Technologies, Inc. Processes for cleaning and drying microelectronic structures using liquid or supercritical carbon dioxide
JP4047727B2 (ja) * 2001-04-10 2008-02-13 東京エレクトロン株式会社 流体流れを強化した半導体基板用高圧プロセスチャンバ
US6707591B2 (en) 2001-04-10 2004-03-16 Silicon Light Machines Angled illumination for a single order light modulator based projection system
US6958123B2 (en) * 2001-06-15 2005-10-25 Reflectivity, Inc Method for removing a sacrificial material with a compressed fluid
US6747781B2 (en) 2001-06-25 2004-06-08 Silicon Light Machines, Inc. Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle
US6782205B2 (en) 2001-06-25 2004-08-24 Silicon Light Machines Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing
US6646778B2 (en) 2001-08-01 2003-11-11 Silicon Light Machines Grating light valve with encapsulated dampening gas
US6829092B2 (en) 2001-08-15 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Blazed grating light valve
US6785001B2 (en) * 2001-08-21 2004-08-31 Silicon Light Machines, Inc. Method and apparatus for measuring wavelength jitter of light signal
US6706641B2 (en) 2001-09-13 2004-03-16 Micell Technologies, Inc. Spray member and method for using the same
US6666928B2 (en) 2001-09-13 2003-12-23 Micell Technologies, Inc. Methods and apparatus for holding a substrate in a pressure chamber
US6782900B2 (en) 2001-09-13 2004-08-31 Micell Technologies, Inc. Methods and apparatus for cleaning and/or treating a substrate using CO2
US6619304B2 (en) 2001-09-13 2003-09-16 Micell Technologies, Inc. Pressure chamber assembly including non-mechanical drive means
US6763840B2 (en) 2001-09-14 2004-07-20 Micell Technologies, Inc. Method and apparatus for cleaning substrates using liquid carbon dioxide
JP2003133070A (ja) * 2001-10-30 2003-05-09 Seiko Epson Corp 積層膜の製造方法、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器
US6538233B1 (en) 2001-11-06 2003-03-25 Analog Devices, Inc. Laser release process for micromechanical devices
US7028698B2 (en) * 2001-12-28 2006-04-18 Brian Nils Hansen Pressure processing apparatus with improved heating and closure system
US6800238B1 (en) 2002-01-15 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics
WO2003064065A1 (en) * 2002-01-25 2003-08-07 Supercritical Systems Inc. Method for reducing the formation of contaminants during supercritical carbon dioxide processes
US6876046B2 (en) * 2002-02-07 2005-04-05 Superconductor Technologies, Inc. Stiction alleviation using passivation layer patterning
JP2006508521A (ja) * 2002-02-15 2006-03-09 東京エレクトロン株式会社 溶剤浴と超臨界ｃｏ２を用いたレジストの乾燥
US6924086B1 (en) * 2002-02-15 2005-08-02 Tokyo Electron Limited Developing photoresist with supercritical fluid and developer
US7270941B2 (en) 2002-03-04 2007-09-18 Tokyo Electron Limited Method of passivating of low dielectric materials in wafer processing
JP4031440B2 (ja) * 2002-03-22 2008-01-09 東京エレクトロン株式会社 超臨界処理を用いる汚染物の除去
US7169540B2 (en) * 2002-04-12 2007-01-30 Tokyo Electron Limited Method of treatment of porous dielectric films to reduce damage during cleaning
US6767751B2 (en) 2002-05-28 2004-07-27 Silicon Light Machines, Inc. Integrated driver process flow
US6728023B1 (en) 2002-05-28 2004-04-27 Silicon Light Machines Optical device arrays with optimized image resolution
US6822797B1 (en) 2002-05-31 2004-11-23 Silicon Light Machines, Inc. Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light
US6841079B2 (en) 2002-05-31 2005-01-11 3M Innovative Properties Company Fluorochemical treatment for silicon articles
US7256467B2 (en) * 2002-06-04 2007-08-14 Silecs Oy Materials and methods for forming hybrid organic-inorganic anti-stiction materials for micro-electromechanical systems
US6846380B2 (en) * 2002-06-13 2005-01-25 The Boc Group, Inc. Substrate processing apparatus and related systems and methods
US6829258B1 (en) 2002-06-26 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Rapidly tunable external cavity laser
US6714337B1 (en) 2002-06-28 2004-03-30 Silicon Light Machines Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
US6764385B2 (en) * 2002-07-29 2004-07-20 Nanoclean Technologies, Inc. Methods for resist stripping and cleaning surfaces substantially free of contaminants
US7297286B2 (en) * 2002-07-29 2007-11-20 Nanoclean Technologies, Inc. Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants
US7134941B2 (en) * 2002-07-29 2006-11-14 Nanoclean Technologies, Inc. Methods for residue removal and corrosion prevention in a post-metal etch process
US7066789B2 (en) * 2002-07-29 2006-06-27 Manoclean Technologies, Inc. Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants
US7101260B2 (en) * 2002-07-29 2006-09-05 Nanoclean Technologies, Inc. Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants
US6801354B1 (en) 2002-08-20 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses
US7057795B2 (en) * 2002-08-20 2006-06-06 Silicon Light Machines Corporation Micro-structures with individually addressable ribbon pairs
US6712480B1 (en) 2002-09-27 2004-03-30 Silicon Light Machines Controlled curvature of stressed micro-structures
US20040177867A1 (en) * 2002-12-16 2004-09-16 Supercritical Systems, Inc. Tetra-organic ammonium fluoride and HF in supercritical fluid for photoresist and residue removal
US20040112409A1 (en) * 2002-12-16 2004-06-17 Supercritical Sysems, Inc. Fluoride in supercritical fluid for photoresist and residue removal
US20040154647A1 (en) * 2003-02-07 2004-08-12 Supercritical Systems, Inc. Method and apparatus of utilizing a coating for enhanced holding of a semiconductor substrate during high pressure processing
US6806997B1 (en) 2003-02-28 2004-10-19 Silicon Light Machines, Inc. Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction
US6829077B1 (en) 2003-02-28 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane
DE10358967B4 (de) * 2003-12-15 2006-11-16 Universität Kassel Mikrospiegelarray
US7307019B2 (en) * 2004-09-29 2007-12-11 Tokyo Electron Limited Method for supercritical carbon dioxide processing of fluoro-carbon films
US20060102591A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Tokyo Electron Limited Method and system for treating a substrate using a supercritical fluid
US7491036B2 (en) * 2004-11-12 2009-02-17 Tokyo Electron Limited Method and system for cooling a pump
US20060102590A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Tokyo Electron Limited Method for treating a substrate with a high pressure fluid using a preoxide-based process chemistry
US20060102208A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Tokyo Electron Limited System for removing a residue from a substrate using supercritical carbon dioxide processing
US20060102204A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Tokyo Electron Limited Method for removing a residue from a substrate using supercritical carbon dioxide processing
US20060180572A1 (en) * 2005-02-15 2006-08-17 Tokyo Electron Limited Removal of post etch residue for a substrate with open metal surfaces
US20060180174A1 (en) * 2005-02-15 2006-08-17 Tokyo Electron Limited Method and system for treating a substrate with a high pressure fluid using a peroxide-based process chemistry in conjunction with an initiator
US7291565B2 (en) * 2005-02-15 2007-11-06 Tokyo Electron Limited Method and system for treating a substrate with a high pressure fluid using fluorosilicic acid
US20060186088A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Gunilla Jacobson Etching and cleaning BPSG material using supercritical processing
US7550075B2 (en) 2005-03-23 2009-06-23 Tokyo Electron Ltd. Removal of contaminants from a fluid
US20060226117A1 (en) * 2005-03-29 2006-10-12 Bertram Ronald T Phase change based heating element system and method
US7442636B2 (en) 2005-03-30 2008-10-28 Tokyo Electron Limited Method of inhibiting copper corrosion during supercritical CO2 cleaning
US7399708B2 (en) * 2005-03-30 2008-07-15 Tokyo Electron Limited Method of treating a composite spin-on glass/anti-reflective material prior to cleaning
US20060255012A1 (en) * 2005-05-10 2006-11-16 Gunilla Jacobson Removal of particles from substrate surfaces using supercritical processing
US7789971B2 (en) * 2005-05-13 2010-09-07 Tokyo Electron Limited Treatment of substrate using functionalizing agent in supercritical carbon dioxide
US20070012337A1 (en) * 2005-07-15 2007-01-18 Tokyo Electron Limited In-line metrology for supercritical fluid processing
US7580174B2 (en) * 2005-11-23 2009-08-25 Miradia, Inc. Anti-stiction gas-phase lubricant for micromechanical systems
US7471439B2 (en) * 2005-11-23 2008-12-30 Miradia, Inc. Process of forming a micromechanical system containing an anti-stiction gas-phase lubricant
US7463404B2 (en) * 2005-11-23 2008-12-09 Miradia, Inc. Method of using a preferentially deposited lubricant to prevent anti-stiction in micromechanical systems
US7616370B2 (en) * 2005-11-23 2009-11-10 Miradia, Inc. Preferentially deposited lubricant to prevent anti-stiction in micromechanical systems
US7723812B2 (en) * 2005-11-23 2010-05-25 Miradia, Inc. Preferentially deposited lubricant to prevent anti-stiction in micromechanical systems
US8096665B2 (en) * 2006-10-11 2012-01-17 Miradia, Inc. Spatially offset multi-imager-panel architecture for projecting an image
US7843695B2 (en) * 2007-07-20 2010-11-30 Honeywell International Inc. Apparatus and method for thermal management using vapor chamber
US8031391B2 (en) * 2008-04-16 2011-10-04 Texas Instruments Incorporated System and method for operating light processing electronic devices
CN101750694B (zh) * 2008-11-27 2012-11-21 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 解胶装置和解胶方法
TWI415692B (zh) * 2008-12-05 2013-11-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 解膠裝置和解膠方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5061049A (en) 1984-08-31 1991-10-29 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4662746A (en) 1985-10-30 1987-05-05 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4956610A (en) 1988-02-12 1990-09-11 Pgm Diversified Industries, Inc. Current density measurement system by self-sustaining magnetic oscillation
FR2658532B1 (fr) * 1990-02-20 1992-05-15 Atochem Application des (perfluoroalkyl)-ethylenes comme agents de nettoyage ou de sechage, et compositions utilisables a cet effet.
US5083857A (en) 1990-06-29 1992-01-28 Texas Instruments Incorporated Multi-level deformable mirror device

Also Published As

Publication number Publication date
CN1149190A (zh) 1997-05-07
DE69524815T2 (de) 2002-08-29
TW302554B (ja) 1997-04-11
EP0689076B1 (en) 2002-01-02
TW335561B (en) 1998-07-01
KR960000307A (ko) 1996-01-25
US5482564A (en) 1996-01-09
DE69524815D1 (de) 2002-02-07
KR100351077B1 (ko) 2002-12-26
EP0689076A1 (en) 1995-12-27
CA2149934A1 (en) 1995-12-22

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