JPH088444A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH088444A JPH088444A JP14056894A JP14056894A JPH088444A JP H088444 A JPH088444 A JP H088444A JP 14056894 A JP14056894 A JP 14056894A JP 14056894 A JP14056894 A JP 14056894A JP H088444 A JPH088444 A JP H088444A
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- semiconductor
- semiconductor device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数の半導体基板を互いに折り曲げた配置状
態で各種装置に応用する。各半導体基板を電気的に支障
なく接続する。この半導体装置を従来工程の中で容易に
製造する。 【構成】 電気配線１１を有する複数の半導体基板２，
３が可撓連係部Ｌにより互いに結合されている。可撓連
係部Ｌは複数の半導体基板２，３間で接続された電気配
線１１と、電気配線１１を被覆して保護する可撓性保護
層１２とを有している。各半導体基板２，３間には電気
配線１１を被覆する可撓保護部１４が設けられている。
可撓性材料からなる絶縁層と電気配線層とを含む可撓配
線層（可撓連係部Ｌに該当）を半導体基板２，３上に設
ける工程と、電気配線１１を残して半導体基板２，３の
一部を除去することにより半導体基板２，３を複数の部
位に分割する工程とを備えている。
態で各種装置に応用する。各半導体基板を電気的に支障
なく接続する。この半導体装置を従来工程の中で容易に
製造する。 【構成】 電気配線１１を有する複数の半導体基板２，
３が可撓連係部Ｌにより互いに結合されている。可撓連
係部Ｌは複数の半導体基板２，３間で接続された電気配
線１１と、電気配線１１を被覆して保護する可撓性保護
層１２とを有している。各半導体基板２，３間には電気
配線１１を被覆する可撓保護部１４が設けられている。
可撓性材料からなる絶縁層と電気配線層とを含む可撓配
線層（可撓連係部Ｌに該当）を半導体基板２，３上に設
ける工程と、電気配線１１を残して半導体基板２，３の
一部を除去することにより半導体基板２，３を複数の部
位に分割する工程とを備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は加速度センサの検知体
や半導体パッケージの半導体チップなどに利用される半
導体装置及びその製造方法に関するものである。
や半導体パッケージの半導体チップなどに利用される半
導体装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、図１３に示す半導体装置１は、
図１４に示す加速度センサ１５に利用されるものであっ
て、一枚の半導体基板２にセンサ部５及びおもり部６が
形成されているとともに、この半導体基板２上には検知
部７と演算部９とそれらの間の電気配線１１などの電気
的構成が設けられている。図１４に示すように、この半
導体装置１はプリント基板１８上の台座１６に固定さ
れ、この半導体装置１と台座１６とプリント基板１８と
は電気的に接続されている。
図１４に示す加速度センサ１５に利用されるものであっ
て、一枚の半導体基板２にセンサ部５及びおもり部６が
形成されているとともに、この半導体基板２上には検知
部７と演算部９とそれらの間の電気配線１１などの電気
的構成が設けられている。図１４に示すように、この半
導体装置１はプリント基板１８上の台座１６に固定さ
れ、この半導体装置１と台座１６とプリント基板１８と
は電気的に接続されている。
【０００３】図１４（ａ）に示す加速度センサ１５にお
いては、半導体装置１が水平に設置され、垂直方向Ｖの
加速度を測ることができる。図１４（ｂ）に示す加速度
センサ１５においては、半導体装置１が垂直に設置さ
れ、水平方向Ｈ1 の加速度を測ることができる。
いては、半導体装置１が水平に設置され、垂直方向Ｖの
加速度を測ることができる。図１４（ｂ）に示す加速度
センサ１５においては、半導体装置１が垂直に設置さ
れ、水平方向Ｈ1 の加速度を測ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述した加
速度センサ１５では、測定する加速度方向Ｖ，Ｈ1 に合
わせて取付状態を変更しなければならない。そのため、
多方向同時測定の場合には、測定したい方向の数だけ加
速度センサ１５を必要とし、設置スペースやコストなど
の点で不利であった。
速度センサ１５では、測定する加速度方向Ｖ，Ｈ1 に合
わせて取付状態を変更しなければならない。そのため、
多方向同時測定の場合には、測定したい方向の数だけ加
速度センサ１５を必要とし、設置スペースやコストなど
の点で不利であった。
【０００５】ところで、一般の半導体装置にある半導体
基板は、シリコン等により成形されるため、剛性が大き
く折り曲げることが困難であった。しかし、半導体装置
を折曲可能にすることは、前記加速度センサ１５の欠点
の解消や、半導体パッケージの高密度化の点で、各種利
点があるものと考えられ、従来全くない発想のもとで本
発明が完成した。
基板は、シリコン等により成形されるため、剛性が大き
く折り曲げることが困難であった。しかし、半導体装置
を折曲可能にすることは、前記加速度センサ１５の欠点
の解消や、半導体パッケージの高密度化の点で、各種利
点があるものと考えられ、従来全くない発想のもとで本
発明が完成した。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第一発明に係る半導体装
置においては、電気配線を有する複数の半導体基板が可
撓連係部により互いに結合されている。
置においては、電気配線を有する複数の半導体基板が可
撓連係部により互いに結合されている。
【０００７】第二発明に係る半導体装置においては、第
一発明の可撓連係部が、複数の半導体基板間で接続され
た電気配線と、この電気配線を保護する可撓性保護層と
を有している。
一発明の可撓連係部が、複数の半導体基板間で接続され
た電気配線と、この電気配線を保護する可撓性保護層と
を有している。
【０００８】第三発明に係る半導体装置においては、第
二発明の可撓連係部に対応する各半導体基板間に保護部
が設けられている。第四発明に係る半導体装置の製造方
法においては、可撓性材料からなる絶縁層と電気配線層
とを含む可撓配線層を半導体基板上に設ける工程と、こ
の電気配線を残して半導体基板の一部を除去することに
より半導体基板を複数の部位に分割する工程とを備えて
いる。
二発明の可撓連係部に対応する各半導体基板間に保護部
が設けられている。第四発明に係る半導体装置の製造方
法においては、可撓性材料からなる絶縁層と電気配線層
とを含む可撓配線層を半導体基板上に設ける工程と、こ
の電気配線を残して半導体基板の一部を除去することに
より半導体基板を複数の部位に分割する工程とを備えて
いる。
【０００９】
【作用】第一発明においては、複数の半導体基板を可撓
連係部で互いに折り曲げて配置することができる。
連係部で互いに折り曲げて配置することができる。
【００１０】第二発明においては、この折り曲げ時、前
記可撓連係部で各半導体基板間の電気配線を可撓保護層
とともに折り曲げることができる。第三発明において
は、前記可撓連係部内の電気配線を保護部により保護す
る。
記可撓連係部で各半導体基板間の電気配線を可撓保護層
とともに折り曲げることができる。第三発明において
は、前記可撓連係部内の電気配線を保護部により保護す
る。
【００１１】第四発明においては、第二発明に係る半導
体装置を製造する場合、可撓絶縁層及び電気配線層を設
けた後、電気配線を残したまま、半導体基板を複数部位
に分割する。そのため、分割された基板同士がこの絶縁
層及び配線層を含む可撓配線層により結合される。
体装置を製造する場合、可撓絶縁層及び電気配線層を設
けた後、電気配線を残したまま、半導体基板を複数部位
に分割する。そのため、分割された基板同士がこの絶縁
層及び配線層を含む可撓配線層により結合される。
【００１２】
【第一実施例】まず、加速度センサに利用される半導体
装置を図１〜図６を参照して説明する。
装置を図１〜図６を参照して説明する。
【００１３】図１に示す半導体装置１はシリコン（Ｓ
ｉ）からなる一対の半導体基板２，３を有し、各半導体
基板２，３には片持ち梁状の変位板４が切込み４ａによ
り形成されている。各変位板４は固定端側のセンサ部５
と自由端側のおもり部６とからなり、センサ部５の肉厚
は凹部５ａによりおもり部６の肉厚よりも薄くなってい
る。この両センサ部５上には検知部７，８が設けられて
いる。この検知部７，８としては、薄膜ゲージの変形を
利用した振子型のものか、または、ピエゾ抵抗効果及び
静電容量の変化を利用した半導体型のものを採用する。
この両センサ部５間で一方の半導体基板２上に演算部９
が設けられ、この演算部９と両センサ部５との間にはア
ルミニウムからなる電気配線１０，１１が接続されてい
る。
ｉ）からなる一対の半導体基板２，３を有し、各半導体
基板２，３には片持ち梁状の変位板４が切込み４ａによ
り形成されている。各変位板４は固定端側のセンサ部５
と自由端側のおもり部６とからなり、センサ部５の肉厚
は凹部５ａによりおもり部６の肉厚よりも薄くなってい
る。この両センサ部５上には検知部７，８が設けられて
いる。この検知部７，８としては、薄膜ゲージの変形を
利用した振子型のものか、または、ピエゾ抵抗効果及び
静電容量の変化を利用した半導体型のものを採用する。
この両センサ部５間で一方の半導体基板２上に演算部９
が設けられ、この演算部９と両センサ部５との間にはア
ルミニウムからなる電気配線１０，１１が接続されてい
る。
【００１４】パッシベーションとしてこれらの半導体基
板２，３上の全体にはポリイミド樹脂からなる可撓性保
護層１２が被覆され、電気的構成としての前記両検知部
７，８や演算部９や各電気配線１０，１１が保護されて
いる。従って、一方の半導体基板２上の演算部９と他方
の半導体基板３上の検知部８との間で両半導体基板２，
３間にある区画溝１３においてそれらが可撓連係部Ｌに
より互いに結合される。本実施例では、この区画溝１３
を横切る前記各電気配線１１と、前記可撓性保護層１２
の一部とがこの可撓連係部Ｌに該当する。図２（ａ）
（ｂ）に示すようにこの区画溝１３にはエポキシやポリ
イミド等の樹脂からなる可撓保護部１４が埋め込まれ、
前記可撓性保護層１２との間で各電気配線１１を保護し
ている。図２（ｃ）に示すように、この両半導体基板
２，３は可撓連係部Ｌ及び可撓保護部１４で湾曲されて
互いに９０度に折り曲げられ、可撓保護部１４の固化に
よりその折曲状態で位置決めされる。
板２，３上の全体にはポリイミド樹脂からなる可撓性保
護層１２が被覆され、電気的構成としての前記両検知部
７，８や演算部９や各電気配線１０，１１が保護されて
いる。従って、一方の半導体基板２上の演算部９と他方
の半導体基板３上の検知部８との間で両半導体基板２，
３間にある区画溝１３においてそれらが可撓連係部Ｌに
より互いに結合される。本実施例では、この区画溝１３
を横切る前記各電気配線１１と、前記可撓性保護層１２
の一部とがこの可撓連係部Ｌに該当する。図２（ａ）
（ｂ）に示すようにこの区画溝１３にはエポキシやポリ
イミド等の樹脂からなる可撓保護部１４が埋め込まれ、
前記可撓性保護層１２との間で各電気配線１１を保護し
ている。図２（ｃ）に示すように、この両半導体基板
２，３は可撓連係部Ｌ及び可撓保護部１４で湾曲されて
互いに９０度に折り曲げられ、可撓保護部１４の固化に
よりその折曲状態で位置決めされる。
【００１５】図３に示すように、前記半導体装置１を利
用した加速度センサ１５においては、水平板部１６ａと
垂立板部１６ｂとからなる台座１６の内側に半導体装置
１が当てがわれ、水平な半導体基板２が水平板部１６ａ
上に固定されているとともに、垂直な半導体基板３が垂
立板部１６ｂに固定されている。台座１６上の半導体装
置１はカバー１７により覆われている。この台座１６は
プリント基板１８上に固定され、図示しないが、半導体
装置１の演算部９と台座１６上の電気配線とがボンディ
ングワイヤにより接続されているとともに、台座１６上
の電気配線がプリント基板１８に接続されている。
用した加速度センサ１５においては、水平板部１６ａと
垂立板部１６ｂとからなる台座１６の内側に半導体装置
１が当てがわれ、水平な半導体基板２が水平板部１６ａ
上に固定されているとともに、垂直な半導体基板３が垂
立板部１６ｂに固定されている。台座１６上の半導体装
置１はカバー１７により覆われている。この台座１６は
プリント基板１８上に固定され、図示しないが、半導体
装置１の演算部９と台座１６上の電気配線とがボンディ
ングワイヤにより接続されているとともに、台座１６上
の電気配線がプリント基板１８に接続されている。
【００１６】この加速度センサ１５によれば、前記水平
半導体基板２の変位板４に直交する垂直方向Ｖと、前記
垂直半導体基板３の変位体４に直交する水平方向Ｈ1 の
うち、少なくともいずれかの方向に加速度が加わると、
おもり部６に慣性力が働いてセンサ部５が変位し、この
変位を直接検出するか、または、この慣性力を相殺する
アクチュエータのフィードバック力を検出して、加速度
を測る。
半導体基板２の変位板４に直交する垂直方向Ｖと、前記
垂直半導体基板３の変位体４に直交する水平方向Ｈ1 の
うち、少なくともいずれかの方向に加速度が加わると、
おもり部６に慣性力が働いてセンサ部５が変位し、この
変位を直接検出するか、または、この慣性力を相殺する
アクチュエータのフィードバック力を検出して、加速度
を測る。
【００１７】このような半導体装置１は図４に概略的に
示す工程を経て製造される。図４（ａ）に示すように、
まずウェーハ１９を製造する。このウェーハ１９は多数
のチップの集合体であり、このチップに各種処理を施
す。図４（ｂ）以下にはウェーハ１９内にある各チップ
１９ａのうち一つのもののみを表示する。
示す工程を経て製造される。図４（ａ）に示すように、
まずウェーハ１９を製造する。このウェーハ１９は多数
のチップの集合体であり、このチップに各種処理を施
す。図４（ｂ）以下にはウェーハ１９内にある各チップ
１９ａのうち一つのもののみを表示する。
【００１８】まず、図４（ｂ）に示すように、チップ１
９ａ上に前記両検知部７，８と演算部９と各電気配線１
０，１１とを形成する。次に、図４（ｃ）に示すように
マスキングを行った後、図４（ｄ）に示すようにエッチ
ングを行い、前記切込み４ａや凹部５ａを形成する。こ
の時、前記区画溝１３の一部も形成される。
９ａ上に前記両検知部７，８と演算部９と各電気配線１
０，１１とを形成する。次に、図４（ｃ）に示すように
マスキングを行った後、図４（ｄ）に示すようにエッチ
ングを行い、前記切込み４ａや凹部５ａを形成する。こ
の時、前記区画溝１３の一部も形成される。
【００１９】さらに、図４（ｅ）に示すようにマスキン
グを行った後、図４（ｆ）に示すように、前記区画溝１
３のエッチングを進行させる。また、図４（ｇ）に示す
ようにチップ１９ａ上に前記可撓性保護層１２を被覆す
る。前記区画溝１３におけるエッチングが進行すると、
可撓連係部Ｌ（可撓性材料からなる絶縁層と電気配線層
とを含む可撓配線層に該当）を残してチップ１９ａの一
部が除去され、チップ１９ａがその複数部位である前記
両半導体基板２，３に分割される。
グを行った後、図４（ｆ）に示すように、前記区画溝１
３のエッチングを進行させる。また、図４（ｇ）に示す
ようにチップ１９ａ上に前記可撓性保護層１２を被覆す
る。前記区画溝１３におけるエッチングが進行すると、
可撓連係部Ｌ（可撓性材料からなる絶縁層と電気配線層
とを含む可撓配線層に該当）を残してチップ１９ａの一
部が除去され、チップ１９ａがその複数部位である前記
両半導体基板２，３に分割される。
【００２０】その後、ウェーハ１９が各チップ１９ａご
とに分離され、前記図１に示す半導体装置１になる。前
記区画溝１３を形成するにあたっては、異方性エッチン
グまたはドライエッチングによりチップ１９ａのみを取
除く。この場合、この区画溝１３に面するアルミ電気配
線１１を残す必要があるため、エッチャントとしては、
アルミニウムに対するエッチング速度が遅いちっ化水素
（Ｎ2 Ｈ4 ）か、またはケイ素（Ｓｉ）を含む水酸化ア
ンモニウム（ＮＨ4 ＯＨ）を使用する。アルミ電気配線
１１については、少々エッチングされても良いように、
ある程度厚くすることが望ましい。図２（ｄ）に示すよ
うに、少なくとも区画溝１３に面する半導体基板２，３
上にバリア層２０を形成し、このバリア層２０によりア
ルミ電気配線１１を区画溝１３に対し遮断するようにし
てもよい。従って、アルミ電気配線１１のみをより一層
確実に残すことができる。
とに分離され、前記図１に示す半導体装置１になる。前
記区画溝１３を形成するにあたっては、異方性エッチン
グまたはドライエッチングによりチップ１９ａのみを取
除く。この場合、この区画溝１３に面するアルミ電気配
線１１を残す必要があるため、エッチャントとしては、
アルミニウムに対するエッチング速度が遅いちっ化水素
（Ｎ2 Ｈ4 ）か、またはケイ素（Ｓｉ）を含む水酸化ア
ンモニウム（ＮＨ4 ＯＨ）を使用する。アルミ電気配線
１１については、少々エッチングされても良いように、
ある程度厚くすることが望ましい。図２（ｄ）に示すよ
うに、少なくとも区画溝１３に面する半導体基板２，３
上にバリア層２０を形成し、このバリア層２０によりア
ルミ電気配線１１を区画溝１３に対し遮断するようにし
てもよい。従って、アルミ電気配線１１のみをより一層
確実に残すことができる。
【００２１】図１で示した前記半導体装置１において
は、互いに折り曲げることができる両半導体基板２，３
を有しているが、図５で示す半導体装置１においては、
一方の半導体基板２に対し折り曲げることができる他方
の半導体基板３と同様な半導体基板３を追加している。
そして、水平な半導体基板２に対し両半導体基板３を可
撓連係部Ｌで折り曲げて垂直な状態で位置決めし、図６
に示す加速度センサ１５においてこの半導体装置１を台
座１６上に固定する。この加速度センサ１５において
は、垂直方向Ｖの加速度と、互いに直交する水平方向Ｈ
1 ，Ｈ2 （Ｈ2 は紙面に直交する方向であるため図示せ
ず）の加速度とを測ることができる。
は、互いに折り曲げることができる両半導体基板２，３
を有しているが、図５で示す半導体装置１においては、
一方の半導体基板２に対し折り曲げることができる他方
の半導体基板３と同様な半導体基板３を追加している。
そして、水平な半導体基板２に対し両半導体基板３を可
撓連係部Ｌで折り曲げて垂直な状態で位置決めし、図６
に示す加速度センサ１５においてこの半導体装置１を台
座１６上に固定する。この加速度センサ１５において
は、垂直方向Ｖの加速度と、互いに直交する水平方向Ｈ
1 ，Ｈ2 （Ｈ2 は紙面に直交する方向であるため図示せ
ず）の加速度とを測ることができる。
【００２２】この第一実施例は下記（イ）〜（ハ）に示
す特徴を有する。 （イ） 前記半導体装置１においては、複数の半導体基
板２，３を可撓連係部Ｌにより互いに結合したので、可
撓連係部Ｌで各半導体基板２，３を互いに折り曲げて任
意の向きに位置決めすることができる。従って、例えば
加速度センサ１５においては、一つの半導体装置１を利
用するだけで、各方向Ｖ，Ｈ1 ，Ｈ2 の速度を図ること
ができる。その場合、可撓連係部Ｌにおいては、可撓性
保護層１２により被覆された電気配線１１により、各半
導体基板２，３が接続されているため、各半導体基板
２，３をその可撓連係部Ｌで折り曲げて各種相対位置関
係で配置しても、電気配線１１が可撓性保護層１２とと
もに折り曲げられ、一つの半導体装置１の各半導体基板
２，３を電気的に支障なく結合させることができる。 （ロ） 各半導体基板２，３間の区画溝１３に可撓保護
部１４を埋め込んでいるので、可撓連係部Ｌ内の電気配
線１１をこの可撓保護部１４により保護することができ
る。しかも、この可撓保護部１４を折曲後に固化して、
可撓連係部Ｌを補強できるとともに、各半導体基板２，
３を確実に位置決めすることができる。 （ハ） 図４で概略的に示したように、従来の半導体製
造工程において、区画溝１３を形成するためのエッチン
グ工程と、可撓性保護層１２を被覆するための工程とを
付加するだけで、半導体装置１を従来工程の中で容易に
製造できるため、量産に適している。また、可撓連係部
Ｌを設けた後に、電気配線１１を残したまま、各半導体
基板２，３に分割するので、分割された基板２，３同士
がこの可撓連係部Ｌにより結合される。従って、半導体
プロセスの高い加工精度をこの結合部分でも維持するこ
とができる。
す特徴を有する。 （イ） 前記半導体装置１においては、複数の半導体基
板２，３を可撓連係部Ｌにより互いに結合したので、可
撓連係部Ｌで各半導体基板２，３を互いに折り曲げて任
意の向きに位置決めすることができる。従って、例えば
加速度センサ１５においては、一つの半導体装置１を利
用するだけで、各方向Ｖ，Ｈ1 ，Ｈ2 の速度を図ること
ができる。その場合、可撓連係部Ｌにおいては、可撓性
保護層１２により被覆された電気配線１１により、各半
導体基板２，３が接続されているため、各半導体基板
２，３をその可撓連係部Ｌで折り曲げて各種相対位置関
係で配置しても、電気配線１１が可撓性保護層１２とと
もに折り曲げられ、一つの半導体装置１の各半導体基板
２，３を電気的に支障なく結合させることができる。 （ロ） 各半導体基板２，３間の区画溝１３に可撓保護
部１４を埋め込んでいるので、可撓連係部Ｌ内の電気配
線１１をこの可撓保護部１４により保護することができ
る。しかも、この可撓保護部１４を折曲後に固化して、
可撓連係部Ｌを補強できるとともに、各半導体基板２，
３を確実に位置決めすることができる。 （ハ） 図４で概略的に示したように、従来の半導体製
造工程において、区画溝１３を形成するためのエッチン
グ工程と、可撓性保護層１２を被覆するための工程とを
付加するだけで、半導体装置１を従来工程の中で容易に
製造できるため、量産に適している。また、可撓連係部
Ｌを設けた後に、電気配線１１を残したまま、各半導体
基板２，３に分割するので、分割された基板２，３同士
がこの可撓連係部Ｌにより結合される。従って、半導体
プロセスの高い加工精度をこの結合部分でも維持するこ
とができる。
【００２３】
【その他の実施例】前記第一実施例では折曲可能な半導
体装置１を加速度センサ１５に利用したが、図７，８に
示す第二実施例や、図９，１０に示す第三実施例や、図
１１，１２に示す第四実施例ではそれぞれ折曲可能な半
導体装置２１を半導体パッケージの半導体チップとして
利用している。いずれの実施例においても、多連生産さ
れたリードフレーム２２の中央部にあるベッド２３上に
半導体装置２１がマウンティングされ、その後に半導体
装置２１と各リード２４との間にボンディングワイヤ２
５が接続される。そして、この半導体装置２１とベッド
２３と各リード２４の一部とが樹脂封止体２６によりモ
ールディングされる。
体装置１を加速度センサ１５に利用したが、図７，８に
示す第二実施例や、図９，１０に示す第三実施例や、図
１１，１２に示す第四実施例ではそれぞれ折曲可能な半
導体装置２１を半導体パッケージの半導体チップとして
利用している。いずれの実施例においても、多連生産さ
れたリードフレーム２２の中央部にあるベッド２３上に
半導体装置２１がマウンティングされ、その後に半導体
装置２１と各リード２４との間にボンディングワイヤ２
５が接続される。そして、この半導体装置２１とベッド
２３と各リード２４の一部とが樹脂封止体２６によりモ
ールディングされる。
【００２４】図７及び図８に示す第二実施例の半導体装
置２１においては、両半導体基板２，３が可撓連係部Ｌ
により結合され、この可撓連係部Ｌは前記第一実施例と
同様に可撓性保護層及び電気配線（図示せず）を有し、
この電気配線が可撓保護部１４により保護されている。
この半導体装置２１は可撓連係部Ｌで折り曲げられ、両
半導体基板２，３が前記リードフレーム２２のベッド２
３の表裏両側を挟んで接着ペースト２７によりベッド２
３に固定されている。このようにベッド２３の表裏両側
に半導体基板２，３を固定できるため、高密度実装が可
能になる。
置２１においては、両半導体基板２，３が可撓連係部Ｌ
により結合され、この可撓連係部Ｌは前記第一実施例と
同様に可撓性保護層及び電気配線（図示せず）を有し、
この電気配線が可撓保護部１４により保護されている。
この半導体装置２１は可撓連係部Ｌで折り曲げられ、両
半導体基板２，３が前記リードフレーム２２のベッド２
３の表裏両側を挟んで接着ペースト２７によりベッド２
３に固定されている。このようにベッド２３の表裏両側
に半導体基板２，３を固定できるため、高密度実装が可
能になる。
【００２５】図９及び図１０に示す第三実施例の半導体
装置２１においては、中央の水平半導体基板２ａとその
両側の垂立半導体基板２ｂとさらにその両側の水平半導
体基板３とが互いに可撓連係部Ｌにより結合され、その
各可撓連係部Ｌで折曲されて中央の水平半導体基板２ａ
と両側の垂立半導体基板２ｂとによりコ字形状をなして
いるとともに、この両垂立半導体基板２ｂとでＬ状をな
す両側の水平半導体基板３がリード２４側へ突出してい
る。前記第一実施例と同様に各可撓連係部Ｌ内の電気配
線（図示せず）が可撓保護部１４により保護されてい
る。なお、ベッド２３の形状はこの半導体装置２１の形
状に合致している。この半導体装置２１では、中央の水
平半導体基板２ａと両側の水平半導体基板３とが平行な
状態で互いにずれ、それぞれの半導体基板２ａ，３にボ
ンディングワイヤ２５が接続されているため、ボンディ
ングワイヤ２５の数を増やしても、ボンディングに必要
な各ワイヤ２５間の間隔を十分に保ってワイヤボンディ
ング装置とボンディング済みワイヤとの干渉を防止する
ことができ、高密度実装が可能になる。
装置２１においては、中央の水平半導体基板２ａとその
両側の垂立半導体基板２ｂとさらにその両側の水平半導
体基板３とが互いに可撓連係部Ｌにより結合され、その
各可撓連係部Ｌで折曲されて中央の水平半導体基板２ａ
と両側の垂立半導体基板２ｂとによりコ字形状をなして
いるとともに、この両垂立半導体基板２ｂとでＬ状をな
す両側の水平半導体基板３がリード２４側へ突出してい
る。前記第一実施例と同様に各可撓連係部Ｌ内の電気配
線（図示せず）が可撓保護部１４により保護されてい
る。なお、ベッド２３の形状はこの半導体装置２１の形
状に合致している。この半導体装置２１では、中央の水
平半導体基板２ａと両側の水平半導体基板３とが平行な
状態で互いにずれ、それぞれの半導体基板２ａ，３にボ
ンディングワイヤ２５が接続されているため、ボンディ
ングワイヤ２５の数を増やしても、ボンディングに必要
な各ワイヤ２５間の間隔を十分に保ってワイヤボンディ
ング装置とボンディング済みワイヤとの干渉を防止する
ことができ、高密度実装が可能になる。
【００２６】図１１及び図１２に示す第四実施例の半導
体装置２１においては、ベッド２３上に固定された水平
半導体基板３の一側で垂立半導体基板２が可撓連係部Ｌ
により結合されて折り曲げられている。前記第一実施例
と同様にこの可撓連係部Ｌ内の電気配線（図示せず）が
可撓保護部１４により保護されている。封止体２６を成
形するための樹脂はこの垂立半導体基板２に向けて図１
２の矢印方向へ注入さる。その注入圧を垂立半導体基板
２が受けるため、樹脂流速が抑えられる。従って、各ボ
ンディングワイヤ２５に注入圧が直接かからず、ワイヤ
流れ等、ワイヤへのダメージを軽減することができる。
体装置２１においては、ベッド２３上に固定された水平
半導体基板３の一側で垂立半導体基板２が可撓連係部Ｌ
により結合されて折り曲げられている。前記第一実施例
と同様にこの可撓連係部Ｌ内の電気配線（図示せず）が
可撓保護部１４により保護されている。封止体２６を成
形するための樹脂はこの垂立半導体基板２に向けて図１
２の矢印方向へ注入さる。その注入圧を垂立半導体基板
２が受けるため、樹脂流速が抑えられる。従って、各ボ
ンディングワイヤ２５に注入圧が直接かからず、ワイヤ
流れ等、ワイヤへのダメージを軽減することができる。
【００２７】上記に分説したように、半導体パッケージ
に利用される半導体装置２１にあっても、各半導体基板
２，２ａ，２ｂ，３間で電気的結合を維持したままそれ
らを可撓連係部Ｌで折曲し得る点は、前記第一実施例の
場合と同様に多大な効果を奏する。
に利用される半導体装置２１にあっても、各半導体基板
２，２ａ，２ｂ，３間で電気的結合を維持したままそれ
らを可撓連係部Ｌで折曲し得る点は、前記第一実施例の
場合と同様に多大な効果を奏する。
【００２８】前記第一実施例においては、図２（ｂ）
（ｃ）に示すように、区画溝１３に可撓保護部１４を埋
め込んだ後、可撓連係部Ｌやこの可撓保護部１４の可撓
性を利用して両半導体基板２，３を互いに折り曲げてい
る。その手順としては、そのほか、両半導体基板２，３
を折り曲げた後に、この保護部１４を区画溝１３に埋め
込んでもよい。その場合には、保護部１４に可撓性を持
たせる必要はなく、単に固化による位置決め機能を持た
せるだけでよい。
（ｃ）に示すように、区画溝１３に可撓保護部１４を埋
め込んだ後、可撓連係部Ｌやこの可撓保護部１４の可撓
性を利用して両半導体基板２，３を互いに折り曲げてい
る。その手順としては、そのほか、両半導体基板２，３
を折り曲げた後に、この保護部１４を区画溝１３に埋め
込んでもよい。その場合には、保護部１４に可撓性を持
たせる必要はなく、単に固化による位置決め機能を持た
せるだけでよい。
【００２９】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置によれば、複数
の半導体基板を互いに折り曲げた配置状態で各種装置に
応用できる。例えば、加速度センサでは多方向同時測定
が一つの装置で可能となり、半導体パッケージでは高密
度実装が可能になる。その場合、電気配線を可撓性保護
層や保護部により保護して、各半導体基板を電気的に支
障なく接続することができる。また、このような半導体
装置の可撓連係部（可撓配線層）を従来工程の中で容易
に製造することができるとともに、この可撓配線層でも
半導体プロセスの高い加工精度を維持することができ
る。
の半導体基板を互いに折り曲げた配置状態で各種装置に
応用できる。例えば、加速度センサでは多方向同時測定
が一つの装置で可能となり、半導体パッケージでは高密
度実装が可能になる。その場合、電気配線を可撓性保護
層や保護部により保護して、各半導体基板を電気的に支
障なく接続することができる。また、このような半導体
装置の可撓連係部（可撓配線層）を従来工程の中で容易
に製造することができるとともに、この可撓配線層でも
半導体プロセスの高い加工精度を維持することができ
る。
【図１】（ａ）は第一実施例に係る半導体装置において
折曲前状態を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の半導
体装置から可撓性保護層を取り除いたＡ−Ａ線矢視平面
図である。
折曲前状態を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の半導
体装置から可撓性保護層を取り除いたＡ−Ａ線矢視平面
図である。
【図２】（ａ）は図１で示した半導体装置にあってその
区画溝及び可撓連係部を示す部分拡大断面図であり、
（ｂ）は（ａ）の区画溝に可撓保護部を埋め込んだ状態
を示す部分拡大断面図であり、（ｃ）は（ｂ）の可撓連
係部及び可撓保護部を折り曲げた状態を示す部分拡大断
面図であり、（ｄ）は可撓連係部を変更した別例を示す
部分拡大断面図である。
区画溝及び可撓連係部を示す部分拡大断面図であり、
（ｂ）は（ａ）の区画溝に可撓保護部を埋め込んだ状態
を示す部分拡大断面図であり、（ｃ）は（ｂ）の可撓連
係部及び可撓保護部を折り曲げた状態を示す部分拡大断
面図であり、（ｄ）は可撓連係部を変更した別例を示す
部分拡大断面図である。
【図３】図１で示した半導体装置を折り曲げて加速度セ
ンサに利用した状態を示す断面図である。
ンサに利用した状態を示す断面図である。
【図４】図１で示した半導体装置の製造工程の概略を示
す断面図である。
す断面図である。
【図５】図１（ｂ）で示した半導体装置を変更した別例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図６】図５で示した半導体装置を折り曲げて加速度セ
ンサに利用した状態を示す断面図である。
ンサに利用した状態を示す断面図である。
【図７】第二実施例に係る半導体装置を利用した半導体
パッケージの製造途中状態を示す部分平面図である。
パッケージの製造途中状態を示す部分平面図である。
【図８】図７で示したリードフレームのベッド上に半導
体装置を固定した状態を示す部分側面図である。
体装置を固定した状態を示す部分側面図である。
【図９】第三実施例に係る半導体装置を利用した半導体
パッケージの製造途中状態を示す部分平面図である。
パッケージの製造途中状態を示す部分平面図である。
【図１０】図９の部分斜視図である。
【図１１】第四実施例に係る半導体装置を利用した半導
体パッケージの製造途中状態を示す部分平面図である。
体パッケージの製造途中状態を示す部分平面図である。
【図１２】図１１で示したリードフレームのベッドに半
導体装置を固定した状態を示す部分側面図である。
導体装置を固定した状態を示す部分側面図である。
【図１３】（ａ）は従来の加速度センサに利用される半
導体装置を示す平面図であり、（ｂ）は同じく断面図で
ある。
導体装置を示す平面図であり、（ｂ）は同じく断面図で
ある。
【図１４】（ａ）は図１３で示した半導体装置を加速度
センサに利用した一例を示す断面図であり、（ｂ）は同
じく別例を示す断面図である。
センサに利用した一例を示す断面図であり、（ｂ）は同
じく別例を示す断面図である。
１…半導体装置、２，２ａ，２ｂ…半導体基板、３…半
導体基板、１１…電気配線、１２…可撓性保護層、１３
…区画溝、１４…可撓保護部、２１…半導体装置、Ｌ…
可撓連係部（可撓配線層）。
導体基板、１１…電気配線、１２…可撓性保護層、１３
…区画溝、１４…可撓保護部、２１…半導体装置、Ｌ…
可撓連係部（可撓配線層）。
Claims (4)
- 【請求項１】 電気配線を有する複数の半導体基板を可
撓連係部により互いに結合したことを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項２】 請求項１における可撓連係部は、複数の
半導体基板間で接続された電気配線と、この電気配線を
保護する可撓性保護層とを有していることを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項３】 請求項２における可撓連係部に対応する
各半導体基板間に保護部を設けたことを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項４】 可撓性材料からなる絶縁層と電気配線層
とを含む可撓配線層を半導体基板上に設ける工程と、こ
の電気配線を残して半導体基板の一部を除去することに
より半導体基板を複数の部位に分割する工程とを備えた
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14056894A JPH088444A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14056894A JPH088444A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088444A true JPH088444A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15271715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14056894A Pending JPH088444A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088444A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011523068A (ja) * | 2008-06-13 | 2011-08-04 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 電子要素のシステムサポート及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-06-22 JP JP14056894A patent/JPH088444A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011523068A (ja) * | 2008-06-13 | 2011-08-04 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 電子要素のシステムサポート及びその製造方法 |
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