JPH0881234A - 光ファイバ母材の製造装置 - Google Patents
光ファイバ母材の製造装置Info
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- JPH0881234A JPH0881234A JP21878794A JP21878794A JPH0881234A JP H0881234 A JPH0881234 A JP H0881234A JP 21878794 A JP21878794 A JP 21878794A JP 21878794 A JP21878794 A JP 21878794A JP H0881234 A JPH0881234 A JP H0881234A
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
- C03B2207/81—Constructional details of the feed line, e.g. heating, insulation, material, manifolds, filters
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
- C03B2207/85—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
- C03B2207/86—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid by bubbling a gas through the liquid
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 原料ガス、燃焼ガス、およびシールガスの供
給用配管がそれぞれバーナに接続されて反応容器内に開
口している光ファイバ母材の製造装置において、反応容
器内に滞留している腐食性ガスが、原料ガス等の供給用
の配管を逆流して、配管やガス流量制御弁を腐食させる
のを確実に防止する。 【構成】 不活性ガスの供給用配管２４を、原料ガス、
燃焼ガスおよびシールガスの各供給用配管５〜８にそれ
ぞれ連通させるとともに、その不活性ガスの供給用配管
２４の途中位置に開閉弁２５〜２８を設け、原料ガス、
燃焼ガス、およびシールガスの供給停止に応じて開閉弁
２５〜２８を開いて、原料ガス、燃焼ガス、およびシー
ルガスの各供給用配管５〜８内を不活性ガスでパージす
る。
給用配管がそれぞれバーナに接続されて反応容器内に開
口している光ファイバ母材の製造装置において、反応容
器内に滞留している腐食性ガスが、原料ガス等の供給用
の配管を逆流して、配管やガス流量制御弁を腐食させる
のを確実に防止する。 【構成】 不活性ガスの供給用配管２４を、原料ガス、
燃焼ガスおよびシールガスの各供給用配管５〜８にそれ
ぞれ連通させるとともに、その不活性ガスの供給用配管
２４の途中位置に開閉弁２５〜２８を設け、原料ガス、
燃焼ガス、およびシールガスの供給停止に応じて開閉弁
２５〜２８を開いて、原料ガス、燃焼ガス、およびシー
ルガスの各供給用配管５〜８内を不活性ガスでパージす
る。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバ母材の製造
装置に関する。
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光ファイバ母材を製造する方法
として、ＶＡＤ法やＯＶＤ法等が知られている。
として、ＶＡＤ法やＯＶＤ法等が知られている。
【０００３】たとえば、ＶＡＤ法によって光ファイバ母
材を製造するには、ＳiＣl4やＧeＣl4等の原料ガス、Ｈ
2、Ｏ2等の燃焼ガス、およびＡr等のシールガスを多重
管からなるバーナに供給し、反応容器内において、次の
火炎加水分解反応によって、ＳiＯ2、ＧeＯ2等のスート
を生成する。
材を製造するには、ＳiＣl4やＧeＣl4等の原料ガス、Ｈ
2、Ｏ2等の燃焼ガス、およびＡr等のシールガスを多重
管からなるバーナに供給し、反応容器内において、次の
火炎加水分解反応によって、ＳiＯ2、ＧeＯ2等のスート
を生成する。
【０００４】 ２Ｈ2＋Ｏ2→２Ｈ2Ｏ ＳiＣl4＋２Ｈ2Ｏ→ＳiＯ2＋４ＨＣl ＧeＣl4＋２Ｈ2Ｏ→ＧeＯ2＋４ＨＣl (１) なお、シールガスは、燃焼ガスの火炎によってバーナが
過熱損傷するのを防止するために供給される。
過熱損傷するのを防止するために供給される。
【０００５】たとえば、ＶＡＤ法においては、反応容器
内に配置された出発棒が回転しつつ軸方向に沿って引き
上げられることにより、(１)式に基づいて生成したスー
トが出発棒の上に次第に堆積する。そして、所定量のス
ートが堆積したならば、その後、スートを脱水、透明ガ
ラス化することにより、コア用のガラスロッドが得られ
る。
内に配置された出発棒が回転しつつ軸方向に沿って引き
上げられることにより、(１)式に基づいて生成したスー
トが出発棒の上に次第に堆積する。そして、所定量のス
ートが堆積したならば、その後、スートを脱水、透明ガ
ラス化することにより、コア用のガラスロッドが得られ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の火炎
加水分解反応によるスートの堆積中には、ＳiＣl4やＧe
Ｃl4等の原料ガス、Ｈ2、Ｏ2等の燃焼ガス、およびＡr
等のシールガスは、ガス流量制御弁によって流量調整が
された後、バーナに供給されるが、所定量のスートが堆
積した後は、これらのガスの供給が停止される。
加水分解反応によるスートの堆積中には、ＳiＣl4やＧe
Ｃl4等の原料ガス、Ｈ2、Ｏ2等の燃焼ガス、およびＡr
等のシールガスは、ガス流量制御弁によって流量調整が
された後、バーナに供給されるが、所定量のスートが堆
積した後は、これらのガスの供給が停止される。
【０００７】ここで、上述した火炎加水分解反応におい
ては、(１)式から分かるように、ＨＣlからなる腐食性
ガスが発生する。この腐食性ガス(ＨＣl)は、スート堆
積中、雰囲気ガスの空気とともに排気ポートを介して反
応容器の外部に排出される。そして、所定量のスートが
堆積した後、原料ガス等の供給は停止され、続いて、原
料ガス配管中に残った原料ガスを排出するため、原料ガ
ス配管は窒素などの不活性ガスでパージが行われる。こ
のパージガスとともに、少しずつ排出された残留原料ガ
スは、直ちに空気中の水分と反応し、ＨＣlガスとな
る。また、スートは堆積直後は熱いので、温度がある程
度低下するまでそのまま反応容器内に放置されるが、そ
のスート内に吸着された一部のＨＣlガスも徐徐に反応
容器内へ拡散される。
ては、(１)式から分かるように、ＨＣlからなる腐食性
ガスが発生する。この腐食性ガス(ＨＣl)は、スート堆
積中、雰囲気ガスの空気とともに排気ポートを介して反
応容器の外部に排出される。そして、所定量のスートが
堆積した後、原料ガス等の供給は停止され、続いて、原
料ガス配管中に残った原料ガスを排出するため、原料ガ
ス配管は窒素などの不活性ガスでパージが行われる。こ
のパージガスとともに、少しずつ排出された残留原料ガ
スは、直ちに空気中の水分と反応し、ＨＣlガスとな
る。また、スートは堆積直後は熱いので、温度がある程
度低下するまでそのまま反応容器内に放置されるが、そ
のスート内に吸着された一部のＨＣlガスも徐徐に反応
容器内へ拡散される。
【０００８】したがって、原料ガス等の供給が停止され
た後でも、反応容器には、腐食性ガスの一部が滞留す
る。そして、この滞留したガスは、パージを行っている
原料ガス配管以外の他のガスの配管内に拡散により逆流
して、配管ならびにそのガス流量を調整するためのガス
流量を調整するためのガス流量制御弁を腐食させてしま
う。
た後でも、反応容器には、腐食性ガスの一部が滞留す
る。そして、この滞留したガスは、パージを行っている
原料ガス配管以外の他のガスの配管内に拡散により逆流
して、配管ならびにそのガス流量を調整するためのガス
流量を調整するためのガス流量制御弁を腐食させてしま
う。
【０００９】その対策のため、従来は、配管の材料とし
て、フッ素樹脂製のものを使用し、かつ、この配管を長
尺のものにしているが、腐食性ガスが逆流するのを防ぐ
上で未だ十分でない。
て、フッ素樹脂製のものを使用し、かつ、この配管を長
尺のものにしているが、腐食性ガスが逆流するのを防ぐ
上で未だ十分でない。
【００１０】また、配管の途中に逆止弁を設けることが
考えられるが、この場合には、腐食性ガスのガス流量制
御弁への逆流を阻止できるものの、長期使用では逆止弁
自体が腐食してしまう恐れがある。
考えられるが、この場合には、腐食性ガスのガス流量制
御弁への逆流を阻止できるものの、長期使用では逆止弁
自体が腐食してしまう恐れがある。
【００１１】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたもので、反応容器内に滞留している腐食性ガス
が、燃焼ガス等のいずれの供給用の配管に対しても逆流
するのを阻止し、配管やガス流量制御弁を腐食させるの
を確実に防止することを課題とする。
なされたもので、反応容器内に滞留している腐食性ガス
が、燃焼ガス等のいずれの供給用の配管に対しても逆流
するのを阻止し、配管やガス流量制御弁を腐食させるの
を確実に防止することを課題とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するため、原料ガス、燃焼ガス、およびシールガス
の各供給用配管がそれぞれバーナに接続されて反応容器
内に開口されている光ファイバ母材の製造装置におい
て、次の構成を採る。
解決するため、原料ガス、燃焼ガス、およびシールガス
の各供給用配管がそれぞれバーナに接続されて反応容器
内に開口されている光ファイバ母材の製造装置におい
て、次の構成を採る。
【００１３】すなわち、本発明では、不活性ガスの供給
用配管を、原料ガス、燃焼ガスおよびシールガスの各供
給用配管にそれぞれ連通させるとともに、その不活性ガ
スの供給用配管の途中位置に開閉弁を設け、原料ガス、
燃焼ガス、およびシールガスの供給停止に応じて前記開
閉弁を開いて、原料ガス、燃焼ガス、およびシールガス
の各供給用配管内を不活性ガスでパージする。
用配管を、原料ガス、燃焼ガスおよびシールガスの各供
給用配管にそれぞれ連通させるとともに、その不活性ガ
スの供給用配管の途中位置に開閉弁を設け、原料ガス、
燃焼ガス、およびシールガスの供給停止に応じて前記開
閉弁を開いて、原料ガス、燃焼ガス、およびシールガス
の各供給用配管内を不活性ガスでパージする。
【００１４】
【作用】上記構成において、原料ガス等がその供給用配
管を経由してバーナに供給されて反応容器内でスートが
生成されている間は、不活性ガスの供給用配管の途中に
設けた開閉弁を閉じておく。このため、原料ガス等の供
給用配管には、不活性ガスが不意に流入することはな
い。
管を経由してバーナに供給されて反応容器内でスートが
生成されている間は、不活性ガスの供給用配管の途中に
設けた開閉弁を閉じておく。このため、原料ガス等の供
給用配管には、不活性ガスが不意に流入することはな
い。
【００１５】そして、反応容器内で所定量のスートが堆
積して原料ガス等の供給が停止されると、そのガス供給
の停止に応じて、直ちに不活性ガスの供給用配管の途中
に設けた開閉弁を開き、燃焼ガス等の供給用配管内に不
活性ガスを流入させて、これらの配管内を不活性ガスで
パージする。
積して原料ガス等の供給が停止されると、そのガス供給
の停止に応じて、直ちに不活性ガスの供給用配管の途中
に設けた開閉弁を開き、燃焼ガス等の供給用配管内に不
活性ガスを流入させて、これらの配管内を不活性ガスで
パージする。
【００１６】このため、原料ガス等の供給停止後、反応
容器内に滞留している腐食性ガスが全てのガスの供給用
配管を逆流してくるのが回避され、その結果、配管やガ
ス流量制御弁の腐食が防止される。
容器内に滞留している腐食性ガスが全てのガスの供給用
配管を逆流してくるのが回避され、その結果、配管やガ
ス流量制御弁の腐食が防止される。
【００１７】
【実施例】図１は、本発明の実施例に係る光ファイバ母
材の製造装置の構成図である。
材の製造装置の構成図である。
【００１８】同図において、符号１は反応容器、２は反
応容器１内において堆積されたスート、３は四重管構造
をした石英製のバーナ、４は排気ポートである。
応容器１内において堆積されたスート、３は四重管構造
をした石英製のバーナ、４は排気ポートである。
【００１９】また、５はＳiＣl4やＧeＣl4等の原料ガス
の供給用配管、６、７は燃焼ガスの供給用配管であり、
本例では、一方の配管６がＨ2ガスの供給用として、他
方の配管７がＯ2ガスの供給用としてそれぞれ使用され
る。８はバーナ３保護用のシールガス(本例ではＡrガ
ス)の供給用配管である。
の供給用配管、６、７は燃焼ガスの供給用配管であり、
本例では、一方の配管６がＨ2ガスの供給用として、他
方の配管７がＯ2ガスの供給用としてそれぞれ使用され
る。８はバーナ３保護用のシールガス(本例ではＡrガ
ス)の供給用配管である。
【００２０】そして、これらの供給用配管５、６、７、
８がそれぞれバーナ３に接続されて反応容器１内に開口
している。
８がそれぞれバーナ３に接続されて反応容器１内に開口
している。
【００２１】１１は原料バブラであり、この原料バブラ
１１は、ＳiＣl4やＧeＣl4等の原料溶液の貯留容器１０
を備え、この原料バブラ１１内に、上記の原料ガスの供
給用配管５と、キャリアガス(本例ではＡrガス)の供給
用配管１２の一端がそれぞれ接続されて構成されてい
る。そして、両配管５、１２の間は、一対の三方弁１
４、１５を介して短絡されて原料バブラ１０をバイパス
する流路が設けられている。
１１は、ＳiＣl4やＧeＣl4等の原料溶液の貯留容器１０
を備え、この原料バブラ１１内に、上記の原料ガスの供
給用配管５と、キャリアガス(本例ではＡrガス)の供給
用配管１２の一端がそれぞれ接続されて構成されてい
る。そして、両配管５、１２の間は、一対の三方弁１
４、１５を介して短絡されて原料バブラ１０をバイパス
する流路が設けられている。
【００２２】また、上記の燃焼ガスの各供給用配管６、
７、シールガスの供給用配管８、およびキャリアガスの
供給用配管１２の各々の途中位置には、ガス流量制御弁
１６、１７、１８、１９、およびその上流側に電磁式の
開閉弁２０、２１、２２、２３がそれぞれ個別に設けら
れている。
７、シールガスの供給用配管８、およびキャリアガスの
供給用配管１２の各々の途中位置には、ガス流量制御弁
１６、１７、１８、１９、およびその上流側に電磁式の
開閉弁２０、２１、２２、２３がそれぞれ個別に設けら
れている。
【００２３】なお、本例では、原料ガスの供給用配管
５、燃焼ガスの各供給用配管６、７、およびシールガス
の供給用配管８は、バーナ３との接続側の一部(図１の
太線部分)がテフロン製で、他の部分はステンレス製と
なっている。また、キャリアガスの供給用配管１２はす
べてステンレス製である。
５、燃焼ガスの各供給用配管６、７、およびシールガス
の供給用配管８は、バーナ３との接続側の一部(図１の
太線部分)がテフロン製で、他の部分はステンレス製と
なっている。また、キャリアガスの供給用配管１２はす
べてステンレス製である。
【００２４】さらに、この実施例では、不活性ガス(本
例ではＮ2ガス)の供給用配管２４を備え、この不活性ガ
ス供給用配管２４は、４つに分岐されて原料ガス、燃焼
ガス、シールガス、キャリアガスの各供給用配管６、
７、８、１２に個別に接続されるとともに、それらの各
分岐部分に個別に空圧式の開閉弁２５、２６、２７、２
８が設けられている。
例ではＮ2ガス)の供給用配管２４を備え、この不活性ガ
ス供給用配管２４は、４つに分岐されて原料ガス、燃焼
ガス、シールガス、キャリアガスの各供給用配管６、
７、８、１２に個別に接続されるとともに、それらの各
分岐部分に個別に空圧式の開閉弁２５、２６、２７、２
８が設けられている。
【００２５】また、この実施例では、上記の三方弁１
４、１５の切り換え動作、および開閉弁２０〜２３、２
５〜２８の開閉動作をそれぞれ制御するコントローラ
(図示省略)を備えている。
４、１５の切り換え動作、および開閉弁２０〜２３、２
５〜２８の開閉動作をそれぞれ制御するコントローラ
(図示省略)を備えている。
【００２６】次に、上記構成の装置の動作について説明
する。
する。
【００２７】反応容器１内で火炎加水分解反応を起こさ
せてスート２を堆積させるには、まず、原料バブラ１１
の三方弁１４、１５を切り換えてバイパスする流路を形
成するとともに、原料ガス等の供給用配管６、７、８、
１２の途中の各開閉弁２０、２１、２２、２３を開く一
方、不活性ガス供給用配管２４の開閉弁２５、２６、２
７、２８を全て閉じる。
せてスート２を堆積させるには、まず、原料バブラ１１
の三方弁１４、１５を切り換えてバイパスする流路を形
成するとともに、原料ガス等の供給用配管６、７、８、
１２の途中の各開閉弁２０、２１、２２、２３を開く一
方、不活性ガス供給用配管２４の開閉弁２５、２６、２
７、２８を全て閉じる。
【００２８】これにより、バーナ３には、原料ガスは供
給されずに、ガス流量制御弁１６〜１９でそれぞれ流量
調整された燃焼ガス(Ｏ2、Ｈ2)、シールガス(Ａr)、お
よびキャリアガス(Ａr)のみが供給され、燃焼ガスの着
火により火炎が生じる。
給されずに、ガス流量制御弁１６〜１９でそれぞれ流量
調整された燃焼ガス(Ｏ2、Ｈ2)、シールガス(Ａr)、お
よびキャリアガス(Ａr)のみが供給され、燃焼ガスの着
火により火炎が生じる。
【００２９】この状態から、次に、開閉弁２３を開いた
状態で三方弁１４、１５を切り換えると、キャリアガス
が原料バブラ１１内に供給される。
状態で三方弁１４、１５を切り換えると、キャリアガス
が原料バブラ１１内に供給される。
【００３０】これにより、原料バブラ１１でＳiＣl4や
ＧeＣl4等の原料溶液１０が気化されて原料ガスとな
り、この原料ガスがキャリアガスとともに供給用配管５
内を移送されてバーナ３に供給される。また、燃焼ガス
(Ｏ2、Ｈ2)、およびシールガス(Ａr)も、同様に、供給
用配管６、７、８を経由してバーナ３に供給され、反応
容器１内で前記(１)式に基づく火炎加水分解反応が起こ
ってスート２が堆積する。
ＧeＣl4等の原料溶液１０が気化されて原料ガスとな
り、この原料ガスがキャリアガスとともに供給用配管５
内を移送されてバーナ３に供給される。また、燃焼ガス
(Ｏ2、Ｈ2)、およびシールガス(Ａr)も、同様に、供給
用配管６、７、８を経由してバーナ３に供給され、反応
容器１内で前記(１)式に基づく火炎加水分解反応が起こ
ってスート２が堆積する。
【００３１】所定量のスート２が堆積した後は、三方弁
１４、１５を切り換えて原料バブラ１１をバイパスする
流路を形成するとともに、開閉弁２０、２１、２２、２
３を全て閉じるとともに、不活性ガス供給用配管２４の
各開閉弁２５、２６、２７、２８を全て開く。
１４、１５を切り換えて原料バブラ１１をバイパスする
流路を形成するとともに、開閉弁２０、２１、２２、２
３を全て閉じるとともに、不活性ガス供給用配管２４の
各開閉弁２５、２６、２７、２８を全て開く。
【００３２】これにより、バーナ３には、原料ガス、燃
焼ガス、およびシールガスのいずれも供給が停止され
る、その代わりに、不活性ガス(Ｎ2ガス)が各供給用配
管５〜８内に流入してパージされ、バーナ３から反応容
器１内に排出される。このため、供給用配管内５〜８や
ガス流量制御弁１６〜１９の腐食が確実に防止される。
焼ガス、およびシールガスのいずれも供給が停止され
る、その代わりに、不活性ガス(Ｎ2ガス)が各供給用配
管５〜８内に流入してパージされ、バーナ３から反応容
器１内に排出される。このため、供給用配管内５〜８や
ガス流量制御弁１６〜１９の腐食が確実に防止される。
【００３３】なお、図１に示した実施例のように、不活
性ガスの供給用配管２４の各分岐部分にそれぞれ個別に
開閉弁２５〜２８を設けた構成としておけば、原料ガ
ス、燃焼ガス、シールガスの供給が各開閉弁２０〜２３
によってそれぞれ停止された場合でも、それらに対応し
た開閉弁２５〜２８を個々に開けば、供給用配管５〜８
内を不活性ガスでパージできるので都合がよい。
性ガスの供給用配管２４の各分岐部分にそれぞれ個別に
開閉弁２５〜２８を設けた構成としておけば、原料ガ
ス、燃焼ガス、シールガスの供給が各開閉弁２０〜２３
によってそれぞれ停止された場合でも、それらに対応し
た開閉弁２５〜２８を個々に開けば、供給用配管５〜８
内を不活性ガスでパージできるので都合がよい。
【００３４】しかし、コスト面等の制約がある場合に
は、図２に示すように、開閉弁２５〜２８をまとめて一
つの開閉弁２９を設けた構成とすることも可能である。
ただし、この場合には、各ガスの逆流を防止するため逆
止弁３０〜３３を設けておく。
は、図２に示すように、開閉弁２５〜２８をまとめて一
つの開閉弁２９を設けた構成とすることも可能である。
ただし、この場合には、各ガスの逆流を防止するため逆
止弁３０〜３３を設けておく。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、原料ガス等の供給が停
止された場合には、そのガス供給の停止に応じて、原料
ガス等の供給用配管だけでなく、燃焼ガスやシールガス
の供給用配管内も不活性ガスでパージされるので、反応
容器内に滞留している腐食性ガスがこれらの供給用配管
を逆流してくるのが回避され、その結果、全てのガス供
給用配管内やガス流量制御弁が腐食するのが確実に防止
される。
止された場合には、そのガス供給の停止に応じて、原料
ガス等の供給用配管だけでなく、燃焼ガスやシールガス
の供給用配管内も不活性ガスでパージされるので、反応
容器内に滞留している腐食性ガスがこれらの供給用配管
を逆流してくるのが回避され、その結果、全てのガス供
給用配管内やガス流量制御弁が腐食するのが確実に防止
される。
【図１】本発明の実施例に係る光ファイバ母材の製造装
置の構成図である。
置の構成図である。
【図２】本発明の他の実施例に係る光ファイバ母材の製
造装置の構成図である。
造装置の構成図である。
１…反応容器、２…スート、５…原料ガス供給用配管、
６、７…燃焼ガス供給用配管、８…シールガス供給用配
管、２４…不活性ガス供給用配管、２５〜２８…不活性
ガス開閉弁、２９…不活性ガス開閉弁、３０〜３３…逆
止弁。
６、７…燃焼ガス供給用配管、８…シールガス供給用配
管、２４…不活性ガス供給用配管、２５〜２８…不活性
ガス開閉弁、２９…不活性ガス開閉弁、３０〜３３…逆
止弁。
Claims (1)
- 【請求項１】 原料ガス、燃焼ガス、およびシールガス
の各供給用配管がそれぞれバーナに接続されて反応容器
内に開口されている光ファイバ母材の製造装置におい
て、 不活性ガスの供給用配管を、前記原料ガス、燃焼ガスお
よびシールガスの各供給用配管にそれぞれ連通させると
ともに、その不活性ガスの供給用配管の途中位置に開閉
弁を設け、 原料ガス、燃焼ガス、およびシールガスの供給停止に応
じて前記開閉弁を開いて、原料ガス、燃焼ガス、および
シールガスの各供給用配管内を不活性ガスでパージする
ことを特徴とする光ファイバ母材の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21878794A JP3389345B2 (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 光ファイバ母材の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21878794A JP3389345B2 (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 光ファイバ母材の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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