JPH0876388A - 画像形成方法および電子写真感光体 - Google Patents

画像形成方法および電子写真感光体

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JPH0876388A
JPH0876388A JP22906594A JP22906594A JPH0876388A JP H0876388 A JPH0876388 A JP H0876388A JP 22906594 A JP22906594 A JP 22906594A JP 22906594 A JP22906594 A JP 22906594A JP H0876388 A JPH0876388 A JP H0876388A
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JP22906594A
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Hitoshi Takimoto
整 滝本
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Fuji Xerox Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 繰り返し使用での残留電位の増加、および画
像形成時に現出する干渉縞模様と反転現像時のカブリや
黒ポチの現出を同時に解消した画像形成方法、およびそ
のために使用する電子写真感光体を提供する。 【構成】 電子写真感光体を帯電し、露光し、現像およ
び転写して画像を形成する画像形成方法において、該電
子写真感光体として、非鏡面化された感光層を有し、そ
の面粗さが、基準長さ2.5mmにおける十点平均粗さ
RZ で0.15〜5μmである感光体を使用し、露光に
おける光源として、可干渉光を使用する。感光層を非鏡
面化するために、重量平均粒子径0.15〜5μmのハ
ロゲン化ガリウムフタロシアニンを含有させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、画像形成方法およびそ
れに用いる電子写真感光体に関し、詳しくはレーザービ
ームをライン走査する方式に適した画像形成方法および
それに用いる電子写真感光体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、レーザービームをライン走査する
方式の電子写真プリントにおいては、レーザービームと
して、半導体レーザーが使用されるようになってきた。
この半導体レーザーは、一般的に750nm以上の長波
長領域で発振波長を有しており、したがって、長波長領
域において高感度特性を持つ電子写真感光体が必要とな
り、そのための電子写真感光体が開発されている。この
ような長波長レーザー光に対して感光性を持つ電子写真
感光体は、それをレーザービーム走査方式の電子写真プ
リンタに取り付けて、レーザービーム露光を行うと、形
成されたトナー画像には干渉縞模様が現出し、良好な再
生画像が形成できないという欠点を有している。その理
由の一つとしては、例えば、積層型の感光層を有する電
子写真感光体の場合、長波長レーザー光が電荷発生層内
で完全に吸収されず、電荷発生層の導電性基体から遠い
側の界面で反射し、またはその透過光が基体表面で反射
し、このため感光層内でレーザービームの多重反射を生
じ、それが感光層表面の反射光との間で干渉を生じるこ
とが原因とされている。
【0003】この欠点を解消する方法としては、これま
で電子写真感光体で用いている導電性基体の表面を、陽
極酸化法やサンドブラスト法などにより粗面化する方
法、感光層と基体の間に光吸収層あるいは反射防止層を
設ける方法などが提案されており、それにより感光層内
で生じる多重反射を解消することがはかられている。し
かしながら、実際問題として、導電性基体の表面を粗面
化する方法の場合は、均一な粗さをもつ粗面が形成され
難く、ある割合で比較的大きな粗さ部を形成することが
ある。このためこの大きな粗さを有する部分が形成され
ることがある。そのためこの大きな粗さを有する部分が
感光層内へのキャリア注入部として作用し、反転現像方
式を用いた場合、画像形成時の黒ポチの原因となり、好
ましい方法とはいえなかった。また、光吸収層あるいは
反射防止層を設ける方法についても、十分に干渉縞模様
を解消することができず、しかも製造上コストが上昇す
る等の欠点を有していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述した従
来の技術における問題点を解消することを目的とするも
のである。すなわち、本発明の目的は、繰り返し使用で
の残留電位の増加、および画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時のカブリや黒ポチの現出を同時に解消
した画像形成方法、およびそのために使用する電子写真
感光体を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、検討の結
果、上記の目的は、感光層の表面または感光層内の界面
が、重量平均粒子径が0.15〜5μmのハロゲン化ガ
リムフタロシアニン粒子群によって非鏡面とされること
により達成されることを見出し、本発明を完成するに至
った。本発明の画像形成方法は、電子写真感光体を帯電
し、露光し、現像および転写して画像形成するものであ
って、該電子写真感光体として、非鏡面化された感光層
を有し、その面粗さが、基準長さ2.5mmにおける十
点平均粗さRZ で0.15〜5μmである感光体を使用
し、露光における光源として、可干渉光(レーザー光)
を使用することを特徴とする。本発明の上記画像形成方
法に使用する電子写真感光体は、導電性基体上に感光層
を有し、その感光層が非鏡面化されたものであって、面
粗さが、基準長さ2.5mmにおける十点平均粗さRZ
で0.15〜5μmであることを特徴とする。この感光
層は、重量平均粒子径0.15〜5μmのハロゲン化ガ
リウムフタロシアニンを含有させることによって構成さ
れる。
【0006】なお、本発明で使用する面粗さRZ は、例
えば日本工業規格JIS B 0601−1982に規
定された表面粗さであり、基準長さ2.5mmでの十点
平均粗さであり、測定は東京精密社製のSURFCOM
575AもしくはPerthen社製のPertho
meter C5D等で測定される。また、本発明にお
いて、感光層が非鏡面化されていることは、感光層が単
層型の光導電層を有する場合には、導電性基体から遠い
側の界面、例えば、光導電層の表面が非鏡面化されてい
ることを意味し、感光層が電荷発生層と電荷輸送層とに
機能分離された積層構造を有する場合には、その電荷発
生層と電荷輸送層との界面、または導電性基体から遠い
側の界面、例えば、電荷発生層が上層の場合には、その
表面が非鏡面化されていることを意味する。
【0007】以下、本発明を詳細に説明する。まず、本
発明の電子写真感光体について説明する。本発明の電子
写真感光体は、感光層が単層型の光導電層を有する電子
写真感光体(以下、単層型感光体という)であってもよ
く、あるいは電荷発生層と電荷輸送層との二種の層に機
能分離した積層構造の感光層を有する電子写真感光体
(以下、積層型感光体という)であってもよい。本発明
の電子写真感光体は、積層型感光体の場合、図1に示し
たような構成とすることができる。図1において、1は
導電性基体、2は下引き層、3は電荷発生層、4は電荷
輸送層であり、そして、電荷発生層3と電荷輸送層4と
の境界面が、RZ 0.15〜5μmの非鏡面にされてい
る。また、単層型感光体の場合、図2に示したような構
成とすることができる。図2中において、1は導電性基
体、2は下引き層、5は光導電層であり、光導電層5の
導電性基体1から遠い側の界面が、RZ 0.15〜5μ
mの非鏡面にされている。
【0008】本発明において、界面を非鏡面化するに当
たっては、光導電層または電荷発生層の形成後、その表
面を機械的に研磨する方法、例えば、ブラスト処理等も
適用することが可能であるが、これらの場合は、機械的
研磨により電子的欠陥が発生しやすく白ポチ、黒ポチ等
の画像欠陥を発生することがある。したがって、コスト
面、および画像上の欠陥を少なくするために、重量平均
粒子径0.15〜5μmの微粒子、特に電荷発生材料の
粒子を混入して、光導電層または電荷発生層の形成と同
時に、非鏡面化を行うことが有利である。非鏡面を形成
するための粒子の粒子径は、重量平均粒子径で0.15
〜5μmであって、必要とする界面の表面粗さ以上であ
るものが使用される。なお、重量平均粒子径は、遠心分
離型光透過式粒度分布計(CAPA−500堀場製作所
製)等で測定される。
【0009】本発明において、非鏡面を形成するための
電荷発生材料粒子としては、ハロゲン化ガリウムフタロ
シアニン粒子を用いるのが好ましい。ハロゲン化ガリウ
ムフタロシアニン粒子は、電荷輸送能をもつことが知ら
れており、この性質により、干渉防止かつ画面上均一な
解像度を達成するため厚膜化した電荷発生層から構成さ
れた感光体においても、電荷発生層中および界面に電荷
がたまりにくい特徴をもつ。この結果、カブリや黒点等
の画質欠陥がなく、繰り返し使用しても電位変化が小さ
く電位保持性にも優れた感光体が得られる。ハロゲン化
ガリウムフタロシアニン粒子としては、CuKα特性X
線に対するブラッグ角度(2θ±0.2°)の少なくと
も11.0°、13.5°および27.1°に回折ピー
クを有するクロロガリウムフタロシアニン粒子が特に好
ましい。このクロロガリウムフタロシアニンを用いる場
合、その粗大粒子を粉砕することにより、非鏡面を形成
するために必要な重量平均粒子径が0.15〜5μmの
粒子にすることができる。粉砕に使用する粉砕機として
は、ボールミル、アトライター、サンドミル、超音波振
動機等があげられ、それらを適宜選択し、粉砕時間を制
御することにより、任意の粒子径のものを得ることがで
きる。したがって、本発明において上記ハロゲン化ガリ
ウムフタロシアニン粒子を使用する場合には、所望の面
粗さのものを、容易に得ることができるという製造上の
利点がある。
【0010】次に、本発明の電子写真感光体を構成する
各層について説明するが、感光層が積層構造を有する場
合を中心にして説明する。本発明において、導電性基体
としては、電子写真感光体として使用することが可能な
ものならば、何如なるものも使用することができる。具
体的には、アルミニウム、ニッケル、クロム、ステンレ
ス鋼等の金属類のほかに、アルミニウム、チタニウム、
ニッケル、クロム、ステンレス鋼、金、バナジウム、酸
化スズ、酸化インジウム、ITO等の薄膜を被覆したプ
ラスチックフィルム等、あるいは導電性付与剤を塗布ま
たは含浸させた紙、プラスチックフィルム等があげられ
る。これらの導電性基体は、ドラム状、シート状、プレ
ート状等、適宜の形状のものとして使用されるが、これ
らに限定されるものではない。さらに必要に応じて、導
電性支持体の表面は画質に影響のない範囲で各種の処理
を行ってもよく、例えば、表面の酸化処理や薬品処理お
よび着色処理等またはサンドブラスト等の乱反射処理等
を行うことができる。
【0011】本発明において、導電性基体と単層型の場
合における光導電層または積層構造の場合における電荷
発生層との間に、必要に応じて下引き層を設けてよい。
この下引き層は、積層構造からなる感光層の帯電時にお
いて、導電性基体から感光層への電荷の注入を阻止する
とともに、感光層を導電性基体に対して、一体的に接着
保持させる接着層としての作用、あるいは場合によって
は、導電性基体からの光の反射を防止する作用等を示
す。下引き層に用いる樹脂は、ポリエチレン樹脂、ポリ
プロピレン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリ
アミド樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、
ポリイミド樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルアセ
タール樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリビ
ニルアルコール樹脂、水溶性ポリエステル樹脂、ニトロ
セルロース、カゼイン、ゼラチン、ポリグルタミン酸樹
脂、澱粉、スターチアセテート、アミノ澱粉、ポリアク
リル酸樹脂、ポリアクリルアミド樹脂等の結着樹脂の他
に、ジルコニウムキレート化合物、ジルコニウムアルコ
キシド化合物等の有機ジルコニウム化合物、チタニルキ
レート化合物、チタニルアルコキシド化合物等の有機チ
タニル化合物、シランカップリング剤等の公知の材料を
用いることができる。下引き層の形成は、電子写真感光
体の製造において用いられる公知の塗布法により行うこ
とができる。膜厚は、0.01〜10μm、好ましくは
0.05〜2μmに設定される。
【0012】本発明における電荷発生層は、電荷発生材
料を適当な結着樹脂中に含有させて形成されている。電
荷発生材料としては、無金属フタロシアニン、クロロガ
リウムフタロシアニン、ジクロロスズフタロシアニン、
オキソガリウムフタロシアニン、チタニルフタロシアニ
ン等のフタロシアニン顔料、キノン顔料、キノシアニン
顔料、ペリレン顔料、インジゴ顔料、ビスベンゾイミダ
ゾール顔料、アントロン顔料、キナクリドン顔料等を用
いることができる。また、これらの電荷発生材料は、単
独または2種以上を混合して用いることができる。これ
ら電荷発生材料の重量平均粒子径は、一般に0.01〜
5μm、好ましくは0.01〜0.3μmの範囲にある
ものが使用される。本発明においては、上記の電荷発生
材料に加えて、電荷発生層表面を非鏡面化するために、
重量平均粒子径で0.15〜5μmの電荷発生材料、好
ましくは、ハロゲン化ガリウムフタロシアニン粒子、特
に好ましくはCuKα特性X線に対するブラッグ角度
(2θ±0.2°)の少なくとも11.0°、13.5
°および27.1°に強い回折ピークを有するクロロガ
リウムフタロシアニン粒子を混合する。
【0013】結着樹脂としては、広範囲な絶縁性樹脂か
ら選択することができる。また、ポリ−N−ビニルカル
バゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレ
ン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択する
こともできる。好ましい結着樹脂としては、ポリビニル
ブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂(ビスフェノール
Aとフタル酸の重縮合体等)、ポリカーボネート樹脂、
ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸
ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリ
アクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロ
ース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポ
リビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等
の絶縁性樹脂をあげることができるが、これらに限定さ
れるものではない。また、これらの結着樹脂は、単独ま
たは2種以上混合して用いることができる。
【0014】電荷発生層を形成する際に用いる溶剤とし
ては、メタノール、エタノール、n−プロパノール、n
−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸n−ブチル、
ジオキサン、テトラヒドロフラン、塩化メチレン、クロ
ロホルム等の通常の有機溶剤を単独または2種以上を混
合して用いることができる。本発明において、電荷発生
材料と結着樹脂の配合比(重量比)10:1〜1:10
の範囲が好ましい。また、上記成分を用いて、分散させ
る方法としては、ボールミル分散法、アトライター分散
法、サンドミル分散法等の通常の方法を採用することが
できる。また、電荷発生層を設けるときに用いる塗布方
法としては、ブレードコーティング法、ワイヤーバーコ
ーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティ
ング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティ
ング法、カーテンコーティング法等の通常の方法を用い
ることができる。電荷発生層の厚みは、0.1〜5μ
m、好ましくは0.2〜2μmが適当である。
【0015】なお、CuKα特性X線に対するブラッグ
角度(2θ±0.2°)の少なくとも11.0°、1
3.5°および27.1°に強い回折ピークを有するク
ロロガリウムフタロシアニン粒子を電荷発生材料の一つ
として混合する場合、電荷発生材料、結着樹脂、溶剤と
の分散とは別に、ボールミル、アトライター、サンドミ
ル、超音波振動機等の粉砕機を適宜選択し、粉砕するこ
とにより、任意の粒子径を得ることができる。また、こ
れらの粉砕に用いる溶剤としては、メタノール、エタノ
ール、n−プロパノール、n−ブタノール、ベンジルア
ルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メ
チル、酢酸n−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、塩化メチレン、クロロホルム等の通常の有機溶剤を
単独または2種以上を混合して用いることができる。こ
れらの粉砕により任意の粒子径を得た上で、あらかじめ
分散済みの電荷発生材料分散液を混合する。電荷発生材
料分散液へのCuKα特性X線に対するブラッグ角度
(2θ±0.2°)の少なくとも11.0°、13.5
°および27.1°に強い回折ピークを有するクロロガ
リウムフタロシアニン粒子懸濁液の添加量は、好ましい
粒度分布および所望の電気特性を調整する目的によって
決められる。
【0016】電荷輸送層は、電荷輸送材料を適当な結着
樹脂中に含有させて形成されている。電荷輸送材料とし
ては、アミノ系化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン
化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合
物、スチルベン化合物、カルバゾール化合物、ベンジジ
ン化合物等何如なる公知の材料も用いることができる。
また、これら電荷輸送材料は、単独あるいは2種以上を
混合して用いることができる。電荷輸送層に用いる結着
樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹
脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹
脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ
ビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合
体、塩化ビニルデン−アクリロニトリル共重合体、塩化
ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル
−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコー
ン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹
脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−N−ビニルカル
バゾール等の公知の樹脂があげられるが、これらに限定
されるものではない。これらの結着樹脂は、単独あるい
は2種以上混合して用いることができる。電荷輸送材料
と結着樹脂との配合比(重量比)10:1〜1:5の範
囲が好ましい。電荷輸送層を形成する際に用いる溶剤と
しては、ベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロロベ
ンゼン等の芳香族炭化水素類、アセトン、2−ブタノン
等のケトン類、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチ
レン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類、テトラヒドロフ
ラン、エチルエーテル等の環状もしくは直鎖状のエーテ
ル類等の通常使用される有機溶剤があげられ、これらは
単独あるいは2種以上混合して用いることができる。塗
布方法としては、電荷発生層を形成する際に用いられる
公知の方法を使用することができる。また、電荷輸送層
の厚みは、一般的には、5〜50μm、好ましくは10
〜30μmが適当である。
【0017】また、複写機中で発生するオゾンや酸化性
ガス、あるいは光、熱による感光体の劣化を防止する目
的で、感光層中に酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤等の
添加剤を添加することができる。例えば、酸化防止剤と
しては、ヒンダードフェノール、ヒンダードアミン、パ
ラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイドロキ
ノン、スピロクロマン、スピロインダノンおよびそれら
の誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物等があげられ
る。光安定剤の例としては、ベンゾフェノン、ベンゾト
リアゾール、ジチオカルバメート、テトラメチルピペリ
ジン等の誘導体があげられる。また、感度の向上、残留
電位の低減、繰り返し使用時の疲労低減等を目的とし
て、少なくとも1種の電子受容性物質を含有させること
ができる。具体的には、無水コハク酸、無水マレイン
酸、ジブロム無水マレイン酸、無水フタル酸、テトラブ
ロム無水フタル酸、テトラシアノエチレン、テトラシア
ノキノジメタン、o−ジニトロベンゼン、m−ジニトロ
ベンゼン、クロラニル、ジニトロアントラキノン、トリ
ニトロフルオレノン、ピクリン酸、o−ニトロ安息香
酸、p−ニトロ安息香酸、フタル酸等をあげることがで
きる。これらのうち、フルオレノン系、キノン系やC
l、CN、NO2 等の電子吸引性置換基を有するベンゼ
ン誘導体が特に好ましい。
【0018】さらに必要に応じて、電荷輸送層の上に保
護層を設けてもよい。この保護層は、積層構造からなる
感光層の帯電時の電荷輸送層の化学的変質を防止すると
ともに、感光層の機械的強度を改善する作用を有する。
保護層は、導電性材料を適当なバインダーの中に含有さ
せて形成されている。導電性材料としては、N,N′−
ジメチルフェロセン等のメタロセン化合物、N,N′−
ジフェニル−N,N′−ビス−(3−メチルフェニル)
−[1,1′−ビフェニル]−4,4′−ジアミン等の
芳香族アミン化合物、酸化アンチモン、酸化スズ、酸化
チタン、酸化インジウム、酸化スズ−酸化アンチモン等
の金属酸化物等の材料を用いることができるが、これら
に限定されるものではない。また、保護層に用いる結着
樹脂としては、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポ
リエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、ポリビニルケトン樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、ポリアクリルアミド樹脂等公知の樹脂を用いる
ことができる。保護層は、その電気抵抗が109 〜10
14Ω・cmとなるように構成することが好ましい。電気
抵抗が1014Ω・cm以上になると残留電位が上昇しカ
ブリの多い複写物となってしまい、また、109 ・cm
以下になると、画像のボケ、解像力の低下が生じてしま
う。また、保護層は、像露光に用いられる光の透過を実
質上妨げないように構成されなければならない。保護層
の膜厚は、0.5〜20μm、好ましくは1〜10μm
が適当である。
【0019】次に本発明の画像形成方法について説明す
る。電子写真感光体の帯電、露光、現像および転写は、
従来実施されている公知の方法が使用される。すなわ
ち、帯電工程において、例えば、コロナ帯電器によって
均一に帯電し、ついで、露光工程において像露光が行わ
れる。露光における光源としては、半導体レーザー光等
の可干渉光が使用される。なお、可干渉光とは、位相の
揃った波形がかなり長く保たれている光であり、干渉性
を持つ光を指す。電子写真感光体上に形成された静電潜
像は、ついで、現像剤によって現像され、転写材に転写
され定着されて画像が形成される。
【0020】
【作用】さらに、図1および図2中に、画像形成のため
像露光を行う際の光源からの光に対する干渉防止作用に
ついて説明する。図1において、入射光Iは電荷発生層
3と電荷輸送層4の界面により位相差を発生する。した
がって、各層中での入射光I1 、I2 、I3 および各界
面での反射光R0 、R1 、R2 、R3 は、それぞれ位相
的に差を生ずる。すなわち位相的にはR1 と、R0 、R
2 およびR3 とがそれぞれ異なるものとなり、干渉縞防
止の効果としての必要十分条件を満たすことになる。図
2において、反射光R′0 は光導電層5の導電性基体1
から遠い側の界面より位相差を発生する。したがって、
各層中での入射光I′、I′1 、I′2 および各界面で
の反射光R′0 、R′1 、R′2 はそれぞれ位相的に差
を生ずる。すなわち位相的にはR′0 とR′1 、R′2
が異なるものとなり、干渉縞防止の効果としての必要十
分条件を満たすことになる。
【0021】以下、積層型感光体を例にとって、感光層
表面を非鏡面とすることによる作用効果について説明す
る。積層型感光体の構成で、可干渉光による電子写真的
に画像形成を行う時に発生する干渉縞は、感光体構成層
の積層による界面において隣接する層の屈折率差から生
ずるフレネル反射成分による干渉により、入射光量の変
化に応じて発生するものである。特に、電荷発生層およ
び電荷輸送層から構成される積層型感光体の場合、電荷
発生層と電荷輸送層との境界面での反射に起因する干渉
縞の発生が最も著しい。したがって、この境界面におけ
る干渉防止対策が最も効果的である。そこで本発明の効
果が最も顕著なのは、かかる境界面を非鏡面化すること
により、感光体内部の光学距離をランダムにし、可干渉
光に位相差を積極的に設けて干渉性を取り除くことであ
る。基本的に干渉防止は、感光体内部の光学的位相差が
可干渉光の1/2波長未満であると、干渉成分が十分取
り除けないため、干渉防止効果が不十分である。それ
故、十分な干渉防止効果を得るためには、感光体内部の
光学的位相差、すなわち界面で形成される位相差が1/
2波長以上であることが望ましい。そこで、境界面の表
面粗さを1/2波長以上とすることが特に有効である。
しかしながら本発明によれば、電荷発生層と電荷輸送層
との境界面において干渉防止の効果を達成する場合に
は、電荷発生層による光吸収の効果があり、干渉防止の
効果が高く1/2波長よりもはるかに小さな表面粗さで
実質的な干渉防止が可能になる。具体的には表面粗さR
Z が0.15〜5μmであれば十分な効果が得られる。
【0022】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。なお、「部」は「重量部」を意味する。 製造例1 1,3−ジイミノイソインドリン30部、3塩化ガリウ
ム9.1部をキノリン230部中に入れ、窒素気流下に
200℃において3時間反応させた後、生成物を濾別
し、N,N−ジメチルホルムアミドおよびメタノールで
洗浄し、次いで湿ケーキを乾燥後、クロロガリウムフタ
ロシアニン粒子28部を得た。得られたクロロガリウム
フタロシアニン粒子の粉末X線回折図を図3に示す。重
量平均粒子径は50μmであった。
【0023】製造例2 製造例1で得られたクロロガリムフタロシアニン粒子1
0部を、n−ブタノール100部中で、室温において1
0分間超音波分散し、重量平均粒子径3μmのクロロガ
リウムフタロシアニン粒子懸濁液を得た。得られたクロ
ロガリウムフタロシアニン粒子の結晶型は、粉末X線回
折から製造例1で得られたクロロガリウムフタロシアニ
ン粒子と同様な結晶型であることを確認した。 製造例3 製造例1で得られたクロロガリムフタロシアニン粒子1
0部を、n−ブタノール100部中で、室温において3
0分間超音波分散し、重量平均粒子径0.3μmのクロ
ロガリウムフタロシアニン粒子懸濁液を得た。得られた
クロロガリウムフタロシアニン粒子の結晶型は、粉末X
線回折から製造例1で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン粒子と同様な結晶型であることを確認した。
【0024】製造例4 製造例1で得られたクロロガリムフタロシアニン粒子1
0部を、振動ミルで150時間乾式粉砕し、重量平均粒
子径0.05μmのクロロガリウムフタロシアニン粒子
を得た。得られたクロロガリウムフタロシアニン粒子の
粉末X線回折図を図4に示す。 製造例5 製造例4で得られたクロロガリウムフタロシアニン粒子
4部を、5mmφガラスビーズ60部とともにベンジル
アルコール17部中で、室温において48時間ボールミ
リングした後、結晶を分離した。次いで、酢酸エチル5
00部で洗浄した後、乾燥してCuKα特性X線に対す
るブラッグ角度(2θ±0.2°)の少なくとも7.4
°、16.6°、25.5°および28.3°に強い回
折ピークを有する重量平均粒子径0.05μmのクロロ
ガリウムフタロシアニン粒子を得た。得られたクロロガ
リウムフタロシアニン粒子の粉末X線回折図を図5に示
す。
【0025】製造例6 製造例1で得られたクロロガリウムフタロシアニン粒子
3部を濃硫酸60部にて溶解後、この溶液を5℃の蒸留
水450部に滴下し結晶を析出させた。蒸留水、希アン
モニア水等で洗浄後、乾燥して、重量平均粒子径0.0
5〜0.5μmのヒドロキシガリウムフタロシアニン粒
子2.5部を得た。得られたヒドロキシガリウムフタロ
シアニン粒子に粉末X線回折図を図6に示す。 製造例7 製造例6で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン
粒子1部を、5mmφガラスビーズ30部とともにジメ
チルホルムアミド30部中で、室温において24時間ボ
ールミリングした後、結晶を分離した。次いで、メタノ
ール500部で洗浄後、乾燥して、CuKα特性X線に
対するブラッグ角度(2θ±0.2°)の少なくとも
7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.
6°、25.1°および28.3°に強い回折ピークを
有する重量平均粒子径0.05〜0.2μmのヒドロキ
シガリウムフタロシアニン粒子を得た。得られたヒドロ
キシガリウムフタロシアニン粒子の粉末X線回折図を図
7に示す。
【0026】製造例8 酸化チタン粒子5部、n−ブタノール100部を、1m
mφガラスビーズを入れたサンドミル分散機で室温にお
いて10時間分散し、重量平均粒子径0.3μmの酸化
チタン粒子懸濁液を得た。
【0027】実施例1 8−ナイロン樹脂(ラッカマイド5003、大日本イン
キ化学工業社製)のメタノール/n−ブタノ−ル混合液
を40mmφ×319mmのアルミパイプに浸漬塗布法
により塗布し、135℃において、10分間加熱乾燥
し、膜厚0.5μmの下引き層を形成した。製造例5で
得られたクロロガリウムフタロシアニン粒子2部を予め
ポリビニルブチラール樹脂(エスレックBM−1、積水
化学工業社製)3部をn−ブタノール100部に溶解し
て得た溶液に入れて混合し、2時間サンドミルで分散し
た後、製造例3で得られたクロロガリウムフタロシアニ
ン粒子懸濁液20部と混合し、n−ブタノールで希釈
し、固形分濃度3.5重量%の塗布液を得た。この塗布
液を、形成された下引き層の上に、リング塗布機により
塗布し、100℃において、10分間加熱乾燥後、表面
粗さRZ 0.3μm、膜厚0.4μmの電荷発生層を形
成した。さらに、N,N′−ジフェニル−N,N′−ビ
ス−(3−メチルフェニル)−[1,1′−ビフェニ
ル]−4,4′−ジアミン4部をポリカーボネートZ樹
脂6部とともに、モノクロロベンゼン40部に溶解さ
せ、得られた溶液を浸漬塗布法により、前記電荷発生層
上に浸漬コーティング法で塗布し、115℃において、
60分間加熱乾燥し、膜厚20μmの電荷輸送層を形成
し、電子写真感光体を作製した。
【0028】実施例2 実施例1における、製造例3で得られたクロロガリウム
フタロシアニン粒子懸濁液20部の代わりに、製造例2
で得られたクロロガリウムフタロシアニン粒子懸濁液2
0部とし、表面粗さRZ 3μm、膜厚3μmの電荷発生
層を形成した。なお、基体、下引き層、電荷輸送層は実
施例1にしたがって同様に設けた。 実施例3 実施例1における、製造例5で得られたクロロガリウム
フタロシアニン粒子2部の代わりに、製造例7で得られ
たヒドロキシガリウムフタロシアニン粒子2部とし、表
面粗さRZ 0.3μm、膜厚0.4μmの電荷発生層を
形成した。なお、基体、下引き層、電荷輸送層は実施例
1にしたがって同様に設けた。
【0029】実施例4 実施例1における、製造例3で得られたクロロガリウム
フタロシアニン粒子懸濁液20部の代わりに、製造例8
で得られた酸化チタン粒子(重量平均粒子径0.3μ
m)懸濁液40部とし、表面粗さRZ 0.3μm、膜厚
0.4μmの電荷発生層を形成した。なお、基体、下引
き層、電荷輸送層は実施例1にしたがって同様に設け
た。
【0030】比較例1 実施例1における、製造例5で得られたクロロガリウム
フタロシアニン粒子2部を4部とし、製造例3で得られ
たクロロガリウムフタロシアニン粒子懸濁液20部の添
加を行わず、表面粗さRZ 0.03μm、膜厚0.4μ
mの電荷発生層を形成した。なお、基体、下引き層、電
荷輸送層は実施例1にしたがって同様に設けた。
【0031】上記実施例1〜4および比較例1の電子写
真感光体に対して、レーザープリンター(XP−11、
富士ゼロックス社製)に装着し、全面にラインスキャン
を行い全面が薄い黒色トナー像となる画像について、干
渉縞の有無を評価した。次ぎに、グリッド印加電圧−7
00Vのスコロトロン帯電器で帯電し(A),780n
mの半導体レーザーを用いて、1秒後に15.0erg
/cm2 の光を照射して放電を行い(B)、さらに、3
秒後に50erg/cm2 の赤色LED光を照射して除
電を行う(C)というプロセスによって、各部の電位を
測定した。また、5000回繰り返し帯電後の各部の測
定も行った。(A)の電位VH が高いほど、感光体の受
容電位が高いので、コントラストを高くすることがで
き、(B)の電位VL は低いほど、高感度であり、
(C)の電位VRPは低いほど、残留電位が少なく、画像
メモリーやカブリが少ない感光体と評価される。得られ
た画像について、画像評価を行った。それらの結果を表
1に示す。
【0032】
【表1】
【0033】
【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、上記の構成
を有するから、像露光、現像後の干渉縞状の濃度ムラが
生じなく、カブリや黒点等の画質欠陥がない鮮明な複写
画像が得られる。本発明の電子写真感光体は、特に、可
干渉光とりわけレーザーを像露光用光源として用いる画
像形成方法に使用するのに適しており、繰り返し使用し
ても電位変化が小さく、電位保持特性に優れているとい
う利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明にかかる積層型感光体の模式的断面図
を示す。
【図2】 本発明にかかる単層型感光体の模式的断面図
を示す。
【図3】 製造例1で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン粒子の粉末X線回折図を示す。
【図4】 製造例4で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン粒子の粉末X線回折図を示す。
【図5】 製造例5で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン粒子の粉末X線回折図を示す。
【図6】 製造例6で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン粒子の粉末X線回折図を示す。
【図7】 製造例7で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン粒子の粉末X線回折図を示す。
【符号の説明】
1…導電性基体、2…下引き層、3…電荷発生層、4…
電荷輸送層、5…光導電層。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子写真感光体を帯電し、露光し、現像
    および転写して画像を形成する画像形成方法において、
    該電子写真感光体として、非鏡面化された感光層を有
    し、その面粗さが、基準長さ2.5mmにおける十点平
    均粗さRZ で0.15〜5μmである感光体を使用し、
    露光における光源として、可干渉光を使用することを特
    徴とする画像形成方法。
  2. 【請求項2】 導電性基体上に感光層を有する電子写真
    感光体において、感光層が非鏡面化されたものであっ
    て、その面粗さが、基準長さ2.5mmにおける十点平
    均粗さRZ で0.15〜5μmであることを特徴とする
    電子写真感光体。
  3. 【請求項3】 感光層が重量平均粒子径0.15〜5μ
    mのハロゲン化ガリウムフタロシアニンを含有すること
    を特徴とする請求項2記載の電子写真感光体。
  4. 【請求項4】 該感光層が電荷発生層とその上に積層さ
    れた電荷輸送層とからなり、電荷発生層が重量平均粒子
    径0.15〜5μmのハロゲン化ガリウムフタロシアニ
    ンを含有することを特徴とする請求項3記載の電子写真
    感光体。
  5. 【請求項5】 ハロゲン化ガリウムフタロシアニンが、
    CuKα特性X線に対するブラッグ角度(2θ±0.2
    °)の11.0°、13.5°および27.1°に回折
    ピークを有するクロロガリウムフタロシアニンであるこ
    と特徴とする請求項3または請求項4記載の電子写真感
    光体。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5733698A (en) * 1996-09-30 1998-03-31 Minnesota Mining And Manufacturing Company Release layer for photoreceptors
JP2008276055A (ja) * 2007-05-02 2008-11-13 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、および画像形成装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5733698A (en) * 1996-09-30 1998-03-31 Minnesota Mining And Manufacturing Company Release layer for photoreceptors
JP2008276055A (ja) * 2007-05-02 2008-11-13 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、および画像形成装置
US8142969B2 (en) 2007-05-02 2012-03-27 Fuji Xerox Co., Ltd. Electrophotographic photoreceptor, process cartridge and image forming apparatus

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