JPH0870076A - Structure of semiconductor package frame - Google Patents
Structure of semiconductor package frameInfo
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- JPH0870076A JPH0870076A JP20328294A JP20328294A JPH0870076A JP H0870076 A JPH0870076 A JP H0870076A JP 20328294 A JP20328294 A JP 20328294A JP 20328294 A JP20328294 A JP 20328294A JP H0870076 A JPH0870076 A JP H0870076A
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- die pad
- sealing resin
- semiconductor package
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体パッケージの放
熱性の向上を図った半導体パッケージフレームの構造に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure of a semiconductor package frame for improving heat dissipation of a semiconductor package.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のこの種のものは、特開平４−３１
６３５７号に記載されているように、ダイパッドを支持
するリードを封止樹脂の外部に露出させて放熱フィンと
したものがある。2. Description of the Related Art A conventional one of this type is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-31
As described in Japanese Patent No. 6357, there is a heat radiation fin in which leads supporting a die pad are exposed to the outside of a sealing resin.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
半導体パッケージフレームの構造では、ダイパッドを支
持するリードを封止樹脂の外部に露出させているだけで
あったので、放熱効果が不十分であった。However, in the above structure of the semiconductor package frame, the leads supporting the die pad are only exposed to the outside of the encapsulating resin, so that the heat dissipation effect is insufficient. .
【０００４】本発明は、このような点に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、ダイパッドと一
体になった放熱用リードピンを設けることにより、簡単
な構造で放熱効果の高い半導体パッケージフレームの構
造を提供することである。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a semiconductor having a simple structure and a high heat dissipation effect by providing a heat dissipation lead pin integrated with a die pad. It is to provide the structure of the package frame.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本願発明の要旨とすると
ころは、ダイパッド1 に放熱専用のリードピン２を設
け、このリードピン２の先端部を封止樹脂４の外に導出
して成ることを特徴とする半導体パッケージフレームの
構造である。SUMMARY OF THE INVENTION The gist of the present invention is that a die pad 1 is provided with a lead pin 2 dedicated to heat dissipation, and the tip of the lead pin 2 is led out of a sealing resin 4. And the structure of the semiconductor package frame.
【０００６】好ましくは、ダイパッド1 に切り起こしを
設けてリードフィン６とし、こリードフィン６の先端部
を封止樹脂４の外に導出するとよい。Preferably, the die pad 1 is cut and raised to form the lead fin 6, and the tip portion of the lead fin 6 is led out of the sealing resin 4.
【０００７】また、好ましくは、リードピン２の先端部
に湾曲部８を設けるとよい。Further, it is preferable to provide a curved portion 8 at the tip of the lead pin 2.
【０００８】[0008]
【作 用】本発明の半導体パッケージフレームの構造に
よれば、先端部が封止樹脂４の外に導出されたリードピ
ン２から効率よく放熱できる。また、リードピン２をダ
イパッド1 に設けるので、簡単な構造となっている。[Operation] According to the structure of the semiconductor package frame of the present invention, heat can be efficiently dissipated from the lead pin 2 whose tip is led out of the sealing resin 4. Further, since the lead pin 2 is provided on the die pad 1, the structure is simple.
【０００９】ダイパッド1 に切り起こしを設けてリード
フィン６とし、こリードフィン６の先端部を封止樹脂４
の外に導出すると、一層の放熱効果を期待できる。この
場合においても、半導体パッケージフレームの構造は、
リードフィン６もダイパッド1 に設けるので、簡単な構
造となる。The die pad 1 is cut and raised to form the lead fin 6, and the tip of the lead fin 6 is sealed with the sealing resin 4.
If it is led out to outside, further heat dissipation effect can be expected. Even in this case, the structure of the semiconductor package frame is
Since the lead fins 6 are also provided on the die pad 1, the structure is simple.
【００１０】リードピン２の先端部に湾曲部８を設ける
と、放熱面積が大きくなり、リードピン２からの放熱量
を一層増すことができる。By providing the curved portion 8 at the tip of the lead pin 2, the heat radiation area is increased, and the amount of heat radiation from the lead pin 2 can be further increased.
【００１１】[0011]
（実施例１）以下、本発明の実施例１を図１乃至図３に
基づいて説明する。(Embodiment 1) Hereinafter, Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS.
【００１２】長方形のダイパッド1 の周囲に放熱用のリ
ードピン２が並設されている。このダイパッド1 上に
は、半導体チップ５が配置されている。リードフレーム
３と半導体チップ５とは、ワイヤーボンディング等で接
続される（図示略）。Around the rectangular die pad 1, heat dissipating lead pins 2 are arranged in parallel. A semiconductor chip 5 is arranged on the die pad 1. The lead frame 3 and the semiconductor chip 5 are connected by wire bonding or the like (not shown).
【００１３】図２に示すように、リードピン２の先端部
は、封止樹脂４の外に導出されている。As shown in FIG. 2, the tip of the lead pin 2 is led out of the sealing resin 4.
【００１４】上記のダイパッド1 、リードピン２及びリ
ードフレーム３は、図３に示すように、一枚の金属板９
から打抜き形成されている。従って、これらを形成する
のは、容易であり、半導体パッケージフレームの構造も
簡単になる。As shown in FIG. 3, the die pad 1, the lead pins 2 and the lead frame 3 are formed of a single metal plate 9 as shown in FIG.
It is stamped and formed. Therefore, it is easy to form them, and the structure of the semiconductor package frame is also simplified.
【００１５】半導体チップ５で、発生する熱は、リード
ピン２を通じて封止樹脂４の外に放熱される。The heat generated in the semiconductor chip 5 is radiated to the outside of the sealing resin 4 through the lead pins 2.
【００１６】（実施例２）以下、本発明の実施例２を図
４乃至図６に基づいて説明する。(Second Embodiment) A second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【００１７】長方形のダイパッド1 の周囲に、半導体チ
ップ５の設置側に向けて立ち上げた放熱用のリードピン
２が並設されている。並設されたリードピン２は、ダイ
パッド1 上の半導体チップ５を囲むようになっている。Around the rectangular die pad 1, heat dissipating lead pins 2 which are erected toward the installation side of the semiconductor chip 5 are arranged in parallel. The lead pins 2 arranged side by side surround the semiconductor chip 5 on the die pad 1.
【００１８】リードフレーム３と半導体チップ５とは、
ワイヤーボンディング等で接続される（図示略）。The lead frame 3 and the semiconductor chip 5 are
It is connected by wire bonding or the like (not shown).
【００１９】図５に示すように、リードピン２の先端部
は、封止樹脂４の上面外に導出されている。As shown in FIG. 5, the tips of the lead pins 2 are led out of the upper surface of the sealing resin 4.
【００２０】リードフレーム３は、リードピン２の間に
配置され、リードフレーム３と半導体チップ５との接続
を害しないようになっている。The lead frame 3 is arranged between the lead pins 2 so as not to damage the connection between the lead frame 3 and the semiconductor chip 5.
【００２１】この実施例では、並設されたリードピン２
が、ダイパッド1 上の半導体チップ５を囲むようになっ
ているので、上記の実施例１に比べて、半導体チップ５
の出す熱を、一層速やかに封止樹脂４の外に放出する効
果がある。In this embodiment, the lead pins 2 arranged in parallel are arranged.
However, since the semiconductor chip 5 on the die pad 1 is surrounded, the semiconductor chip 5 is different from that of the first embodiment.
There is an effect that the heat generated by the resin is released more quickly to the outside of the sealing resin 4.
【００２２】図６は、上記の実施例の使用状態を説明し
ている。この例では、立ち上げた放熱用のリードピン２
にヒートシンク７を載せるように接続しているので、上
記の実施例より更に放熱効果が向上する。リードピン２
を同方向に立ち上げているので、ヒートシンク７を載せ
るように接続することが容易にできるのである。また、
ヒートシンク７の大きさをダイパッド1 と略同程度とし
ておくと、接続しない場合と大きさも余り変わらないで
済む。FIG. 6 illustrates the usage of the above embodiment. In this example, the lead pin 2 for heat radiation is set up.
Since the heat sink 7 is connected so as to be mounted on, the heat radiation effect is further improved as compared with the above embodiment. Lead pin 2
Since they are raised in the same direction, the heat sink 7 can be easily mounted and mounted. Also,
If the size of the heat sink 7 is set to be approximately the same as that of the die pad 1, the size does not change much when it is not connected.
【００２３】なお、上記のいずれの実施例においても、
以下に述べる工夫を凝らすことが一層の放熱効果をあげ
る。In any of the above embodiments,
The heat dissipation effect will be further enhanced by making the following improvements.
【００２４】まず、図７及び図８に示すように、ダイパ
ッド1 に下面側に向けて切り起こしを設けてリードフィ
ン６とし、こリードフィン６の先端部を封止樹脂４の外
に導出しておけば、リードフィン６を通じての一層の放
熱効果が期待できる。First, as shown in FIGS. 7 and 8, the die pad 1 is cut and raised toward the lower surface side to form the lead fin 6, and the tip end of the lead fin 6 is led out of the sealing resin 4. If so, a further heat radiation effect through the lead fin 6 can be expected.
【００２５】また、リードピン２の先端を、図９（ａ）
に示すように、綴れ折りにしたり、図９（ｂ）に示すよ
うに、エンボス加工して湾曲部８を設けておくと、長さ
に比べて放熱面積が大きくなり、放熱効率がよくなる。In addition, the tip of the lead pin 2 is shown in FIG.
As shown in FIG. 9, if the curved portion 8 is provided by performing a folding or embossing as shown in FIG. 9B, the heat radiation area becomes larger than the length, and the heat radiation efficiency improves.
【００２６】[0026]
【発明の効果】本発明の半導体パッケージフレームの構
造によれば、先端部が封止樹脂４の外に導出されたリー
ドピン２から効率よく放熱できる。また、リードピン２
をダイパッド1 に設けるので、簡単な構造となってい
る。According to the structure of the semiconductor package frame of the present invention, heat can be efficiently dissipated from the lead pin 2 whose tip is led out of the sealing resin 4. Also, the lead pin 2
Since it is provided on the die pad 1, it has a simple structure.
【００２７】ダイパッド1 に切り起こしを設けてリード
フィン６とし、こリードフィン６の先端部を封止樹脂４
の外に導出すると、一層の放熱効果を期待できる。この
場合においても、半導体パッケージフレームの構造は、
リードフィン６もダイパッド1 に設けるので、簡単な構
造となる。The die pad 1 is cut and raised to form a lead fin 6, and the tip portion of the lead fin 6 is sealed with resin 4.
If it is led out to outside, further heat dissipation effect can be expected. Even in this case, the structure of the semiconductor package frame is
Since the lead fins 6 are also provided on the die pad 1, the structure is simple.
【００２８】リードピン２の先端部に湾曲部８を設ける
と、放熱面積が大きくなり、リードピン２から一層効率
よく放熱できる。When the curved portion 8 is provided at the tip of the lead pin 2, the heat radiation area is increased, and the heat can be more efficiently radiated from the lead pin 2.
【図 １】本発明の実施例１の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a first embodiment of the present invention.
【図 ２】図１に示す実施例の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the embodiment shown in FIG.
【図 ３】図１に示す実施例の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the embodiment shown in FIG.
【図 ４】本発明の実施例２の斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of a second embodiment of the present invention.
【図 ５】図４に示す実施例の平面図である。5 is a plan view of the embodiment shown in FIG.
【図 ６】（ａ），（ｂ）は、各々図４に示す実施例の
使用状態を示す側面図である。6 (a) and 6 (b) are side views showing a usage state of the embodiment shown in FIG. 4, respectively.
【図 ７】本発明の異なる実施例を示す部分斜視図であ
る。FIG. 7 is a partial perspective view showing another embodiment of the present invention.
【図 ８】図７に示す実施例の平面図である。FIG. 8 is a plan view of the embodiment shown in FIG.
【図 ９】（ａ），（ｂ）は、各々本発明の更に異なる
実施例を示す部分斜視図である。9 (a) and 9 (b) are partial perspective views showing still another embodiment of the present invention.
１ ダイパッド ２ リードピン ３ リードフレーム ４ 封止樹脂 ５ 半導体チップ ６ リードフィン ７ ヒートシンク ８ 湾曲部 1 Die Pad 2 Lead Pin 3 Lead Frame 4 Sealing Resin 5 Semiconductor Chip 6 Lead Fin 7 Heat Sink 8 Curved Part
Claims (4)
を設け、このリードピン２の先端部を封止樹脂４の外に
導出して成ることを特徴とする半導体パッケージフレー
ムの構造。1. A lead pin 2 dedicated to heat dissipation on a die pad 1.
And a tip portion of the lead pin 2 is led out of the sealing resin 4. A structure of a semiconductor package frame, comprising:
ドフィン６とし、こリードフィン６の先端部を封止樹脂
４の外に導出して成ることを特徴とする請求項１記載の
半導体パッケージフレームの構造。2. The semiconductor package frame according to claim 1, wherein the die pad 1 is cut and raised to form a lead fin 6, and the tip of the lead fin 6 is led out of the sealing resin 4. Structure.
たことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ
フレームの構造。3. The structure of the semiconductor package frame according to claim 1, wherein a curved portion 8 is provided at a tip portion of the lead pin 2.
たことを特徴とする請求項２に記載の半導体パッケージ
フレームの構造。4. The structure of a semiconductor package frame according to claim 2, wherein a curved portion 8 is provided at a tip portion of the lead pin 2.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20328294A JPH0870076A (en) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | Structure of semiconductor package frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20328294A JPH0870076A (en) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | Structure of semiconductor package frame |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0870076A true JPH0870076A (en) | 1996-03-12 |
Family
ID=16471473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20328294A Withdrawn JPH0870076A (en) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | Structure of semiconductor package frame |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0870076A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1526571A2 (en) * | 2003-10-21 | 2005-04-27 | Delphi Technologies, Inc. | Integrated circuit package with integral leadrame heat dissipator and manufacturing method therefor |
| CN110164831A (en) * | 2019-05-31 | 2019-08-23 | 无锡电基集成科技有限公司 | Conducive to the high-current semiconductor power device and its manufacturing method of welding |
-
1994
- 1994-08-29 JP JP20328294A patent/JPH0870076A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1526571A2 (en) * | 2003-10-21 | 2005-04-27 | Delphi Technologies, Inc. | Integrated circuit package with integral leadrame heat dissipator and manufacturing method therefor |
| EP1526571A3 (en) * | 2003-10-21 | 2011-06-15 | Delphi Technologies, Inc. | Integrated circuit package with integral leadrame heat dissipator and manufacturing method therefor |
| CN110164831A (en) * | 2019-05-31 | 2019-08-23 | 无锡电基集成科技有限公司 | Conducive to the high-current semiconductor power device and its manufacturing method of welding |
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011106 |