JPH0867663A - １，４−ジアミノブタン−２−オール誘導体の製造法 - Google Patents
１，４−ジアミノブタン−２−オール誘導体の製造法Info
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- JPH0867663A JPH0867663A JP6230604A JP23060494A JPH0867663A JP H0867663 A JPH0867663 A JP H0867663A JP 6230604 A JP6230604 A JP 6230604A JP 23060494 A JP23060494 A JP 23060494A JP H0867663 A JPH0867663 A JP H0867663A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Abstract
(57)【要約】
【目的】 １，４−ジ置換−１，４−ジアミノブタン−
２−オール誘導体、特に、ＨＩＶプロテアーゼ阻害剤を
製造するための中間体として有用なスレオ配置異性体の
効率的で経済的に優れた製造法を提供する。 【構成】 一般式（１）（式中、Ｒ1 は、アルキル基、
アラルキル基又はアリール基を表す。Ｒ2 、Ｒ3 は、独
立して、水素原子又はアミノ基保護基を表す。ただし、
Ｒ2 及びＲ3 が同時に水素原子である場合を除く。）で
表されるシス型エポキシ誘導体又はその鏡像体を、金属
水素化物を用いて立体特異的に還元する一般式（２）
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は、前記と同じ。）で表され
る１，４−ジアミノブタン−２−オール誘導体又はその
鏡像体の製造法。 【化１】 【化２】
２−オール誘導体、特に、ＨＩＶプロテアーゼ阻害剤を
製造するための中間体として有用なスレオ配置異性体の
効率的で経済的に優れた製造法を提供する。 【構成】 一般式（１）（式中、Ｒ1 は、アルキル基、
アラルキル基又はアリール基を表す。Ｒ2 、Ｒ3 は、独
立して、水素原子又はアミノ基保護基を表す。ただし、
Ｒ2 及びＲ3 が同時に水素原子である場合を除く。）で
表されるシス型エポキシ誘導体又はその鏡像体を、金属
水素化物を用いて立体特異的に還元する一般式（２）
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は、前記と同じ。）で表され
る１，４−ジアミノブタン−２−オール誘導体又はその
鏡像体の製造法。 【化１】 【化２】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、下記一般式（２）で表
される医薬品中間体として有用な１，４−ジ置換−１，
４−ジアミノブタン−２−オール誘導体を、立体選択的
に、かつ経済的に製造する方法に関する。特に、光学活
性ないわゆるスレオ（Ｓ、Ｓ、Ｓ）配置を有する１，４
−ジベンジル−１，４−ジアミノブタン−２−オール誘
導体は、ＨＩＶプロテアーゼ阻害剤を製造するための中
間体として有用である。
される医薬品中間体として有用な１，４−ジ置換−１，
４−ジアミノブタン−２−オール誘導体を、立体選択的
に、かつ経済的に製造する方法に関する。特に、光学活
性ないわゆるスレオ（Ｓ、Ｓ、Ｓ）配置を有する１，４
−ジベンジル−１，４−ジアミノブタン−２−オール誘
導体は、ＨＩＶプロテアーゼ阻害剤を製造するための中
間体として有用である。
【０００２】
【化２７】
【０００３】式中、Ｒ1 は、アルキル基、アラルキル基
又はアリール基を表す。Ｒ2 、Ｒ3は、独立して、水素
原子又はアミノ基保護基を表す。ただし、Ｒ2 及びＲ3
が同時に水素原子である場合を除く。
又はアリール基を表す。Ｒ2 、Ｒ3は、独立して、水素
原子又はアミノ基保護基を表す。ただし、Ｒ2 及びＲ3
が同時に水素原子である場合を除く。
【０００４】
【従来の技術】上記一般式（２）で表される１，４−ジ
置換−１，４−ジアミノブタン−２−オール誘導体の従
来の製造方法としては、例えば、特開平４−３０８５７
４号公報には、Ｚ−フェニルアラニナール（Ｚは、同公
報１６欄に定義された基を表す。）を低原子価バナジウ
ムの作用で還元ホモカップリングして１，４−ジアミノ
ブタン−２，３−ジオール誘導体に変換した後、アセト
キシイソブチリルブロマイドで処理してアセトキシブロ
モ化した後、トリブチル錫ヒドリドとアゾビスイソブチ
ロニトリル（ＡＩＢＮ）で処理することにより脱ブロモ
化する方法が開示されている。
置換−１，４−ジアミノブタン−２−オール誘導体の従
来の製造方法としては、例えば、特開平４−３０８５７
４号公報には、Ｚ−フェニルアラニナール（Ｚは、同公
報１６欄に定義された基を表す。）を低原子価バナジウ
ムの作用で還元ホモカップリングして１，４−ジアミノ
ブタン−２，３−ジオール誘導体に変換した後、アセト
キシイソブチリルブロマイドで処理してアセトキシブロ
モ化した後、トリブチル錫ヒドリドとアゾビスイソブチ
ロニトリル（ＡＩＢＮ）で処理することにより脱ブロモ
化する方法が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の方法は、有用な
スレオ配置の異性体を得るためにスレオ配置の１，４−
ジアミノブタン−２，３−ジオール誘導体を使用するこ
とが必須であり、上記化合物を選択的に得るためにＺ−
フェニルアラニナールを高価な塩化バナジウムを用いて
還元カップリングしなければならず、また、ジオール誘
導体をモノオール誘導体に変換する際にも、比較的高価
な試薬を使用する必要があり、有用なスレオ配置の１，
４−ジ置換−１，４−ジアミノブタン−２−オール誘導
体の工業的製造法としては、その経済性に問題があっ
た。
スレオ配置の異性体を得るためにスレオ配置の１，４−
ジアミノブタン−２，３−ジオール誘導体を使用するこ
とが必須であり、上記化合物を選択的に得るためにＺ−
フェニルアラニナールを高価な塩化バナジウムを用いて
還元カップリングしなければならず、また、ジオール誘
導体をモノオール誘導体に変換する際にも、比較的高価
な試薬を使用する必要があり、有用なスレオ配置の１，
４−ジ置換−１，４−ジアミノブタン−２−オール誘導
体の工業的製造法としては、その経済性に問題があっ
た。
【０００６】本発明は、上記に鑑み、１，４−ジ置換−
１，４−ジアミノブタン−２−オール誘導体、特に、Ｈ
ＩＶプロテアーゼ阻害剤を製造するための中間体として
有用なスレオ配置異性体の効率的で経済的に優れた製造
法を提供することを目的とするものである。
１，４−ジアミノブタン−２−オール誘導体、特に、Ｈ
ＩＶプロテアーゼ阻害剤を製造するための中間体として
有用なスレオ配置異性体の効率的で経済的に優れた製造
法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、Ｎ−保
護−α−アミノアルデヒド誘導体を還元カップリングす
ることにより調製した１，４−ジ置換−１，４−ジアミ
ノブタン−２，３−ジオール誘導体をエポキシ体に変換
した後、立体選択的に還元することにより、一般式
（２）で表される１，４−ジ置換−１，４−ジアミノブ
タン−２−オール誘導体、特にそのスレオ配置異性体を
調製し、更に、一般式（２）で表される１，４−ジ置換
−１，４−ジアミノブタン−２−オール誘導体の２位ア
ミノ基に、５位アミノ基と区別して選択的に保護基を導
入するところにある。本発明を、以下に（フローＩ）、
（フローＩＩ）を掲げながら更に詳しく説明する。
護−α−アミノアルデヒド誘導体を還元カップリングす
ることにより調製した１，４−ジ置換−１，４−ジアミ
ノブタン−２，３−ジオール誘導体をエポキシ体に変換
した後、立体選択的に還元することにより、一般式
（２）で表される１，４−ジ置換−１，４−ジアミノブ
タン−２−オール誘導体、特にそのスレオ配置異性体を
調製し、更に、一般式（２）で表される１，４−ジ置換
−１，４−ジアミノブタン−２−オール誘導体の２位ア
ミノ基に、５位アミノ基と区別して選択的に保護基を導
入するところにある。本発明を、以下に（フローＩ）、
（フローＩＩ）を掲げながら更に詳しく説明する。
【０００８】
【化２８】
【０００９】
【化２９】
【００１０】式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は、前記と同じ。
Ｒ4 は、アルキル基、アラルキル基又はアリール基を表
す。Ｒ5 は、置換されていてもよいベンジル基を表す。
Ｒ6は、Ｒ7 −Ｃ＝Ｏ（式中、Ｒ7 は、アルキル基又は
アルコキシル基を表す。）を表す。Ｒ8 は、水素原子又
はＣＯ2 Ｒ5 を表す。Ｂｏｃは、ｔ−ブトキシカルボニ
ル基を表す。
Ｒ4 は、アルキル基、アラルキル基又はアリール基を表
す。Ｒ5 は、置換されていてもよいベンジル基を表す。
Ｒ6は、Ｒ7 −Ｃ＝Ｏ（式中、Ｒ7 は、アルキル基又は
アルコキシル基を表す。）を表す。Ｒ8 は、水素原子又
はＣＯ2 Ｒ5 を表す。Ｂｏｃは、ｔ−ブトキシカルボニ
ル基を表す。
【００１１】本発明の製造法は、大別すると次の３つに
分類することができる。 〔１〕一般式（１）で表されるシス型エポキシ誘導体又
はその鏡像体を、金属水素化物を用いて立体特異的に還
元する一般式（２）で表される１，４−ジアミノブタン
−２−オール誘導体又はその鏡像体の製造法（フローＩ
の左下部分）。
分類することができる。 〔１〕一般式（１）で表されるシス型エポキシ誘導体又
はその鏡像体を、金属水素化物を用いて立体特異的に還
元する一般式（２）で表される１，４−ジアミノブタン
−２−オール誘導体又はその鏡像体の製造法（フローＩ
の左下部分）。
【００１２】〔２〕一般式（３）で表される光学活性α
−アミノアルデヒド誘導体又はその鏡像体を、還元ホモ
カップリングすることにより、一般式（４）で表される
化合物又はその鏡像体に変換した後、塩基の存在下にモ
ノスルホニル化することにより、一般式（５）で表され
る化合物若しくはその鏡像体に変換した後環化するか、
又は、一般式（４）で表される化合物若しくはその鏡像
体を塩基の存在下にモノスルホニル化する反応系中で、
一般式（５）で表される化合物若しくはその鏡像体を経
由しながら環化することにより、一般式（６）で表され
るエポキシ誘導体又はその鏡像体に変換し、その後、一
般式（６）で表される化合物又はその鏡像体を還元する
一般式（７）で表されるジアミノモノオール誘導体又は
その鏡像体の製造法（フローＩの全体）。
−アミノアルデヒド誘導体又はその鏡像体を、還元ホモ
カップリングすることにより、一般式（４）で表される
化合物又はその鏡像体に変換した後、塩基の存在下にモ
ノスルホニル化することにより、一般式（５）で表され
る化合物若しくはその鏡像体に変換した後環化するか、
又は、一般式（４）で表される化合物若しくはその鏡像
体を塩基の存在下にモノスルホニル化する反応系中で、
一般式（５）で表される化合物若しくはその鏡像体を経
由しながら環化することにより、一般式（６）で表され
るエポキシ誘導体又はその鏡像体に変換し、その後、一
般式（６）で表される化合物又はその鏡像体を還元する
一般式（７）で表されるジアミノモノオール誘導体又は
その鏡像体の製造法（フローＩの全体）。
【００１３】〔３〕一般式（１２）で表される化合物又
はその鏡像体を、塩基で処理することにより、一般式
（１３）で表される化合物又はその鏡像体に変換した
後、一般式（１３）で表される化合物又はその鏡像体を
塩基の存在下にアルコキシカルボニル化又はアシル化す
ることにより、一般式（１４）で表される化合物又はそ
の鏡像体に変換し、一般式（１４）で表される化合物又
はその鏡像体を、その後接触還元で脱保護するか又は脱
保護せずに、一般式（１５）で表される化合物又はその
鏡像体に変換し、その後、一般式（１５）で表される化
合物又はその鏡像体を塩基で処理する一般式（１６）で
表される化合物又はその鏡像体の製造法（フローＩＩの
右側部分）。
はその鏡像体を、塩基で処理することにより、一般式
（１３）で表される化合物又はその鏡像体に変換した
後、一般式（１３）で表される化合物又はその鏡像体を
塩基の存在下にアルコキシカルボニル化又はアシル化す
ることにより、一般式（１４）で表される化合物又はそ
の鏡像体に変換し、一般式（１４）で表される化合物又
はその鏡像体を、その後接触還元で脱保護するか又は脱
保護せずに、一般式（１５）で表される化合物又はその
鏡像体に変換し、その後、一般式（１５）で表される化
合物又はその鏡像体を塩基で処理する一般式（１６）で
表される化合物又はその鏡像体の製造法（フローＩＩの
右側部分）。
【００１４】ＨＩＶプロテアーゼ阻害剤を製造するため
の中間体を得るためには、（フローＩＩ）の左側部分に
示したように、〔３〕の製造法と同様にして、一般式
（１７）で表される化合物又はその鏡像体を、塩基で処
理することにより、一般式（１８）で表される化合物又
はその鏡像体に変換した後、一般式（１８）で表される
化合物又はその鏡像体を、塩基の存在下にｔ−ブトキシ
カルボニル化することにより、一般式（１９）で表され
る化合物又はその鏡像体に変換し、その後、一般式（１
９）で表される化合物又はその鏡像体を、接触還元で脱
保護するか又は脱保護せずに、一般式（２０）で表され
る化合物又はその鏡像体に変換し、その後、一般式（２
０）で表される化合物又はその鏡像体を塩基で処理する
上記一般式（２１）で表される化合物又はその鏡像体の
製造法が好ましい。
の中間体を得るためには、（フローＩＩ）の左側部分に
示したように、〔３〕の製造法と同様にして、一般式
（１７）で表される化合物又はその鏡像体を、塩基で処
理することにより、一般式（１８）で表される化合物又
はその鏡像体に変換した後、一般式（１８）で表される
化合物又はその鏡像体を、塩基の存在下にｔ−ブトキシ
カルボニル化することにより、一般式（１９）で表され
る化合物又はその鏡像体に変換し、その後、一般式（１
９）で表される化合物又はその鏡像体を、接触還元で脱
保護するか又は脱保護せずに、一般式（２０）で表され
る化合物又はその鏡像体に変換し、その後、一般式（２
０）で表される化合物又はその鏡像体を塩基で処理する
上記一般式（２１）で表される化合物又はその鏡像体の
製造法が好ましい。
【００１５】上記Ｒ1 としては、例えば、メチル基、エ
チル基、イソプロピル基等のアルキル基；ベンジル基、
β−フェネチル基、３−フェニルプロピル基等のアラル
キル基；フェニル基、ｐ−ヒドロキシフェニル基、ｍ−
クロロフェニル基等のアリール基等を挙げることができ
る。
チル基、イソプロピル基等のアルキル基；ベンジル基、
β−フェネチル基、３−フェニルプロピル基等のアラル
キル基；フェニル基、ｐ−ヒドロキシフェニル基、ｍ−
クロロフェニル基等のアリール基等を挙げることができ
る。
【００１６】上記Ｒ2 、Ｒ3 のうち、アミノ基保護基と
しては、例えば、プロテクティブ・グループ・イン・オ
ーガニック・シンセシス（Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒ
ｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉ
ｓ）セカンドエディション、テオドラ・ダブリュ・グリ
ーン（Ｔｈｅｏｄｒａ Ｗ． Ｇｒｅｅｎ）著、ジョン
・ウイリー・アンド・サンズ（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ
＆ ＳＯＮＳ）出版、１９９０年）の３０９〜３８４頁
に記載されている、ベンジルオキシカルボニル基、ホル
ミル基、アセチル基、トリフルオロアセチル基、ベンジ
ル基、フタルイミド基、トシル基、ｔ−ブトキシカルボ
ニル基、エトキシカルボニル基、ベンゾイル基等の各種
の保護基等を挙げることができる。
しては、例えば、プロテクティブ・グループ・イン・オ
ーガニック・シンセシス（Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒ
ｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉ
ｓ）セカンドエディション、テオドラ・ダブリュ・グリ
ーン（Ｔｈｅｏｄｒａ Ｗ． Ｇｒｅｅｎ）著、ジョン
・ウイリー・アンド・サンズ（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ
＆ ＳＯＮＳ）出版、１９９０年）の３０９〜３８４頁
に記載されている、ベンジルオキシカルボニル基、ホル
ミル基、アセチル基、トリフルオロアセチル基、ベンジ
ル基、フタルイミド基、トシル基、ｔ−ブトキシカルボ
ニル基、エトキシカルボニル基、ベンゾイル基等の各種
の保護基等を挙げることができる。
【００１７】なかでも、ベンジルオキシカルボニル基、
ｔ−ブトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の
エステル基；アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基；
フタルイミド基等が好適に用いられる。
ｔ−ブトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の
エステル基；アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基；
フタルイミド基等が好適に用いられる。
【００１８】Ｒ4 としては、例えば、メチル基、エチル
基、イソプロピル基等の炭素数１〜１０のアルキル基；
ベンジル基、トリチル基、β−フェネチル基等の炭素数
７〜２１のアラルキル基；フェニル基、ｐ−メチルフェ
ニル基、ｐ−ニトロフェニル基等の炭素数６〜２０のア
リール基等を挙げることができる。
基、イソプロピル基等の炭素数１〜１０のアルキル基；
ベンジル基、トリチル基、β−フェネチル基等の炭素数
７〜２１のアラルキル基；フェニル基、ｐ−メチルフェ
ニル基、ｐ−ニトロフェニル基等の炭素数６〜２０のア
リール基等を挙げることができる。
【００１９】Ｒ5 としては、例えば、ベンジル基、ｐ−
ニトロベンジル基、ｐ−メチルベンジル基等の炭素数７
〜２１の置換又は無置換のベンジル基等を挙げることが
できる。Ｒ7 としては、例えば、炭素数１〜１０のアル
キル基又はアルコキシ基、好ましくはｔ−ブトキシ基等
を挙げることができる。
ニトロベンジル基、ｐ−メチルベンジル基等の炭素数７
〜２１の置換又は無置換のベンジル基等を挙げることが
できる。Ｒ7 としては、例えば、炭素数１〜１０のアル
キル基又はアルコキシ基、好ましくはｔ−ブトキシ基等
を挙げることができる。
【００２０】一般式（３）で表される化合物又はその鏡
像体としては、例えば、光学活性な（Ｓ）−Ｎ−（ベン
ジルオキシカルボニル）フェニルアラニナール、（Ｒ）
−Ｎ−（ベンジルオキシカルボニル）フェニルアラニナ
ール、（Ｓ）−Ｎ−（ｔ−ブトキシカルボニル）フェニ
ルアラニナール、（Ｒ）−Ｎ−（ｔ−ブトキシカルボニ
ル）フェニルアラニナール、（Ｓ）−Ｎ−（エトキシカ
ルボニル）フェニルアラニナール、（Ｒ）−Ｎ−（エト
キシカルボニル）フェニルアラニナール、（Ｓ）−Ｎ−
（メトキシカルボニル）フェニルアラニナール、（Ｒ）
−Ｎ−（メトキシカルボニル）フェニルアラニナール等
を挙げることができる。
像体としては、例えば、光学活性な（Ｓ）−Ｎ−（ベン
ジルオキシカルボニル）フェニルアラニナール、（Ｒ）
−Ｎ−（ベンジルオキシカルボニル）フェニルアラニナ
ール、（Ｓ）−Ｎ−（ｔ−ブトキシカルボニル）フェニ
ルアラニナール、（Ｒ）−Ｎ−（ｔ−ブトキシカルボニ
ル）フェニルアラニナール、（Ｓ）−Ｎ−（エトキシカ
ルボニル）フェニルアラニナール、（Ｒ）−Ｎ−（エト
キシカルボニル）フェニルアラニナール、（Ｓ）−Ｎ−
（メトキシカルボニル）フェニルアラニナール、（Ｒ）
−Ｎ−（メトキシカルボニル）フェニルアラニナール等
を挙げることができる。
【００２１】一般式（３）で表される化合物の調製方法
としては特に限定されず、例えば、アミノ酸のアミノ基
を通常の方法で保護した後、更にカルボキシル基をエス
テル化し、これを還元する等の方法を用いることができ
る。
としては特に限定されず、例えば、アミノ酸のアミノ基
を通常の方法で保護した後、更にカルボキシル基をエス
テル化し、これを還元する等の方法を用いることができ
る。
【００２２】一般式（３）で表される化合物の還元ホモ
カップリングは特に限定されず、例えば、四塩化チタン
と亜鉛から調製した低原子価チタンを用い一般式（３）
で表される化合物をカップリングすることにより、一般
式（４）で表される化合物がいわゆるスレオ異性体（一
般式（８））、エリスロ異性体（一般式（９））及びメ
ソ異性体の混合物として生成する。一般式（４）で表さ
れる化合物を、異性体混合物のまま、又は、異性体に分
離した後、塩基の存在下、ｐ−トルエンスルホニルクロ
ライド、ベンゼンスルホニルクロライド、メタンスルホ
ニルクロライド、ｐ−トルエンスルホン酸無水物等のス
ルホニル化剤で処理することにより、一般式（５）で表
される化合物、一般式（１０）で表される化合物若しく
は一般式（１１）で表される化合物に変換した後、強塩
基で処理するか、又は、１ポットで変換しながら強塩基
で処理することにより、一般式（１）で表されるエポキ
シ誘導体に変換することができる。
カップリングは特に限定されず、例えば、四塩化チタン
と亜鉛から調製した低原子価チタンを用い一般式（３）
で表される化合物をカップリングすることにより、一般
式（４）で表される化合物がいわゆるスレオ異性体（一
般式（８））、エリスロ異性体（一般式（９））及びメ
ソ異性体の混合物として生成する。一般式（４）で表さ
れる化合物を、異性体混合物のまま、又は、異性体に分
離した後、塩基の存在下、ｐ−トルエンスルホニルクロ
ライド、ベンゼンスルホニルクロライド、メタンスルホ
ニルクロライド、ｐ−トルエンスルホン酸無水物等のス
ルホニル化剤で処理することにより、一般式（５）で表
される化合物、一般式（１０）で表される化合物若しく
は一般式（１１）で表される化合物に変換した後、強塩
基で処理するか、又は、１ポットで変換しながら強塩基
で処理することにより、一般式（１）で表されるエポキ
シ誘導体に変換することができる。
【００２３】この場合、スレオ異性体（一般式（８））
及びエリスロ異性体（一般式（９））はともに同一のシ
ス−メソ型の一般式（１）で表される化合物に変換する
ことができるので、本発明の方法は一般式（４）で表さ
れる化合物のスレオ及びエリスロ両異性体を有効に利用
することができる。
及びエリスロ異性体（一般式（９））はともに同一のシ
ス−メソ型の一般式（１）で表される化合物に変換する
ことができるので、本発明の方法は一般式（４）で表さ
れる化合物のスレオ及びエリスロ両異性体を有効に利用
することができる。
【００２４】なお、一般式（４）で表される化合物のメ
ソ異性体を、本発明の方法でスルホニル化及び環化する
ことにより、一般式（５）で表される化合物のスレオ−
トランス及びエリスロ−トランス異性体混合物が生成
し、このうちスレオ−トランス異性体は、金属水素化物
による還元で一般式（２）で表される化合物に変換する
ことができる。
ソ異性体を、本発明の方法でスルホニル化及び環化する
ことにより、一般式（５）で表される化合物のスレオ−
トランス及びエリスロ−トランス異性体混合物が生成
し、このうちスレオ−トランス異性体は、金属水素化物
による還元で一般式（２）で表される化合物に変換する
ことができる。
【００２５】一般式（４）で表される化合物、一般式
（８）で表される化合物又は一般式（９）で表される化
合物から、一般式（５）で表される化合物、一般式（１
０）で表される化合物又は一般式（１１）で表される化
合物への変換は、一般式（４）で表される化合物、一般
式（８）で表される化合物又は一般式（９）で表される
化合物に対して好ましくは１〜２当量、更に好ましくは
１〜１．５当量のスルホニル化剤を、例えば、テトラヒ
ドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、１，４−ジオ
キサン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、塩化メチレン
等の溶媒中、好ましくは−１０〜５０℃、更に好ましく
は０〜４０℃で、例えば、トリエチルアミン、トリメチ
ルアミン、ジイソプロピルメチルアミン、ピリジン、ジ
メチルアミノピリジン等の塩基を、好ましくは一般式
（４）で表される化合物、一般式（８）で表される化合
物又は一般式（９）で表される化合物に対して１〜１０
当量、更に好ましくは１．５〜５当量、単独、又は、混
合物として用いながら、作用させることにより行うこと
ができる。また、ピリジン等の塩基を溶媒として用いる
こともできる。
（８）で表される化合物又は一般式（９）で表される化
合物から、一般式（５）で表される化合物、一般式（１
０）で表される化合物又は一般式（１１）で表される化
合物への変換は、一般式（４）で表される化合物、一般
式（８）で表される化合物又は一般式（９）で表される
化合物に対して好ましくは１〜２当量、更に好ましくは
１〜１．５当量のスルホニル化剤を、例えば、テトラヒ
ドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、１，４−ジオ
キサン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、塩化メチレン
等の溶媒中、好ましくは−１０〜５０℃、更に好ましく
は０〜４０℃で、例えば、トリエチルアミン、トリメチ
ルアミン、ジイソプロピルメチルアミン、ピリジン、ジ
メチルアミノピリジン等の塩基を、好ましくは一般式
（４）で表される化合物、一般式（８）で表される化合
物又は一般式（９）で表される化合物に対して１〜１０
当量、更に好ましくは１．５〜５当量、単独、又は、混
合物として用いながら、作用させることにより行うこと
ができる。また、ピリジン等の塩基を溶媒として用いる
こともできる。
【００２６】上記スルホニル化剤としては、例えば、塩
化ｐ−トルエンスルホニル、塩化ベンゼンスルホニル等
の塩化アリールスルホニル類；塩化メタンスルホニル等
の塩化アルキルスルホニル類；トルエンスルホン酸無水
物、メタンスルホン酸無水物等のスルホン酸無水物等を
挙げることができる。
化ｐ−トルエンスルホニル、塩化ベンゼンスルホニル等
の塩化アリールスルホニル類；塩化メタンスルホニル等
の塩化アルキルスルホニル類；トルエンスルホン酸無水
物、メタンスルホン酸無水物等のスルホン酸無水物等を
挙げることができる。
【００２７】塩基としては、例えば、カリウムｔ−ブト
キシド、水素化ナトリウム、ナトリウムメトキシド、ナ
トリウムエトキシド、炭酸カリウム等の強塩基等を、一
般式（４）で表される化合物、一般式（８）で表される
化合物又は一般式（９）で表される化合物に対して１〜
１０当量、更に好ましくは１．５〜５当量用いることに
より、一般式（５）で表される化合物、一般式（１０）
で表される化合物又は一般式（１１）で表される化合物
を生成すると同時に、一般式（６）で表される化合物又
は一般式（１）で表される化合物に変換することも可能
であり、この場合、例えば、テトラヒドロフラン、１，
２−ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド等の溶媒中、好ましくは−７０〜
３０℃、更に好ましくは−３０〜２０℃で、上記スルホ
ニル化剤を一般式（４）で表される化合物、一般式
（８）で表される化合物又は一般式（９）で表される化
合物に対して、好ましくは２〜５当量、更に好ましくは
２〜３当量用いて反応を行うことができる。
キシド、水素化ナトリウム、ナトリウムメトキシド、ナ
トリウムエトキシド、炭酸カリウム等の強塩基等を、一
般式（４）で表される化合物、一般式（８）で表される
化合物又は一般式（９）で表される化合物に対して１〜
１０当量、更に好ましくは１．５〜５当量用いることに
より、一般式（５）で表される化合物、一般式（１０）
で表される化合物又は一般式（１１）で表される化合物
を生成すると同時に、一般式（６）で表される化合物又
は一般式（１）で表される化合物に変換することも可能
であり、この場合、例えば、テトラヒドロフラン、１，
２−ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド等の溶媒中、好ましくは−７０〜
３０℃、更に好ましくは−３０〜２０℃で、上記スルホ
ニル化剤を一般式（４）で表される化合物、一般式
（８）で表される化合物又は一般式（９）で表される化
合物に対して、好ましくは２〜５当量、更に好ましくは
２〜３当量用いて反応を行うことができる。
【００２８】一般式（５）で表される化合物、一般式
（１０）で表される化合物又は一般式（１１）で表され
る化合物から一般式（６）で表される化合物又は一般式
（１）で表される化合物への変換は、通常の操作により
一般式（１０）で表される化合物又は一般式（１１）で
表される化合物を単離したのち、又は、単離せずスルホ
ニル化反応液を用いて行うことができる。いずれの場合
も、例えば、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシ
エタン、１，４−ジオキサン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド等の溶媒中、また一般式（１１）で表される化合
物を単離した場合は、他にメタノール、エタノール等の
アルコール中、好ましくは−７０〜３０℃、更に好まし
くは−３０〜２０℃でカリウムｔ−ブトキシド、水素化
ナトリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキ
シド等の強塩基を、一般式（４）で表される化合物、一
般式（８）で表される化合物又は一般式（９）で表され
る化合物に対して１〜１０当量、更に好ましくは１．５
〜５当量作用させることにより行うことができる。
（１０）で表される化合物又は一般式（１１）で表され
る化合物から一般式（６）で表される化合物又は一般式
（１）で表される化合物への変換は、通常の操作により
一般式（１０）で表される化合物又は一般式（１１）で
表される化合物を単離したのち、又は、単離せずスルホ
ニル化反応液を用いて行うことができる。いずれの場合
も、例えば、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシ
エタン、１，４−ジオキサン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド等の溶媒中、また一般式（１１）で表される化合
物を単離した場合は、他にメタノール、エタノール等の
アルコール中、好ましくは−７０〜３０℃、更に好まし
くは−３０〜２０℃でカリウムｔ−ブトキシド、水素化
ナトリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキ
シド等の強塩基を、一般式（４）で表される化合物、一
般式（８）で表される化合物又は一般式（９）で表され
る化合物に対して１〜１０当量、更に好ましくは１．５
〜５当量作用させることにより行うことができる。
【００２９】一般式（６）で表される化合物又は一般式
（１）で表される化合物を還元することによる一般式
（７）で表される化合物又は一般式（２）で表される化
合物への変換は、還元剤として、例えば、水素化アルミ
ニウムリチウム、水素化ジイソブチルアルミニウム、水
素化トリエチルほう素リチウム、水素化ほう素ナトリウ
ム、水素化ほう素リチウム、水素化ビスメトキシエトキ
シアルミニウムナトリウム等の金属水素化物を用いて、
還元することにより行うことができる。
（１）で表される化合物を還元することによる一般式
（７）で表される化合物又は一般式（２）で表される化
合物への変換は、還元剤として、例えば、水素化アルミ
ニウムリチウム、水素化ジイソブチルアルミニウム、水
素化トリエチルほう素リチウム、水素化ほう素ナトリウ
ム、水素化ほう素リチウム、水素化ビスメトキシエトキ
シアルミニウムナトリウム等の金属水素化物を用いて、
還元することにより行うことができる。
【００３０】一般式（４）で表される化合物のスレオ異
性体（一般式（８））及びエリスロ異性体（一般式
（９））から出発して得られる一般式（１）で表される
メソ−シス体化合物を還元する場合、スレオ異性体であ
る一般式（２）で表される化合物とエリスロ異性体が生
成しうるが、スレオ異性体（一般式（２））が立体選択
的に生成する傾向があり、還元剤として、好ましくは水
素化アルミニウムリチウムを用いることにより、高い立
体選択性でスレオ異性体（一般式（２））を得ることが
できる。
性体（一般式（８））及びエリスロ異性体（一般式
（９））から出発して得られる一般式（１）で表される
メソ−シス体化合物を還元する場合、スレオ異性体であ
る一般式（２）で表される化合物とエリスロ異性体が生
成しうるが、スレオ異性体（一般式（２））が立体選択
的に生成する傾向があり、還元剤として、好ましくは水
素化アルミニウムリチウムを用いることにより、高い立
体選択性でスレオ異性体（一般式（２））を得ることが
できる。
【００３１】上記還元反応は、例えば、テトラヒドロフ
ラン、１，２−ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド等の非プロトン性溶媒中、好ましくは−２０
〜５０℃、更に好ましくは−１０〜３０℃の温度で、一
般式（６）で表される化合物又は一般式（１）で表され
る化合物に対して、好ましくは０．２５〜１０モル当
量、更に好ましくは０．５〜５モル当量の金属水素化物
を作用させることより、行うことができる。
ラン、１，２−ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド等の非プロトン性溶媒中、好ましくは−２０
〜５０℃、更に好ましくは−１０〜３０℃の温度で、一
般式（６）で表される化合物又は一般式（１）で表され
る化合物に対して、好ましくは０．２５〜１０モル当
量、更に好ましくは０．５〜５モル当量の金属水素化物
を作用させることより、行うことができる。
【００３２】一般式（１２）で表される化合物又は一般
式（１７）で表される化合物は、例えば、テトラヒドロ
フラン、１，２−ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、メタノール、エタノール等の溶媒中、好
ましくは−２０〜５０℃、更に好ましくは−１０〜３０
℃の温度で、好ましくは１〜２当量、更に好ましくは１
〜１．５当量の、例えば、カリウムｔ−ブトキシド、水
素化ナトリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエ
トキシド等の強塩基で処理することにより、一般式（１
３）で表される化合物又は一般式（１８）で表される化
合物に変換することができる。
式（１７）で表される化合物は、例えば、テトラヒドロ
フラン、１，２−ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、メタノール、エタノール等の溶媒中、好
ましくは−２０〜５０℃、更に好ましくは−１０〜３０
℃の温度で、好ましくは１〜２当量、更に好ましくは１
〜１．５当量の、例えば、カリウムｔ−ブトキシド、水
素化ナトリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエ
トキシド等の強塩基で処理することにより、一般式（１
３）で表される化合物又は一般式（１８）で表される化
合物に変換することができる。
【００３３】更に一般式（１３）で表される化合物は、
例えば、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、塩化メチレン等の
非プロトン性溶媒中、好ましくは−２０〜５０℃、更に
好ましくは−１０〜３０℃の温度で、好ましくは１〜２
当量、更に好ましくは１〜１．５当量のジｔ−ブトキシ
ジカーボネート、クロロ炭酸イソプロピル等のアルコキ
シカルボニル化剤；アセチルクロリド、プロピオニルク
ロリド、ベンゾイルクロリド等のカルボン酸誘導体等で
処理することにより、一般式（１４）で表される化合物
に変換することができる。一般式（１８）で表される化
合物は、同様にしてジｔ−ブトキシジカーボネート等に
より、一般式（１９）で表される化合物に変換すること
ができる。
例えば、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、塩化メチレン等の
非プロトン性溶媒中、好ましくは−２０〜５０℃、更に
好ましくは−１０〜３０℃の温度で、好ましくは１〜２
当量、更に好ましくは１〜１．５当量のジｔ−ブトキシ
ジカーボネート、クロロ炭酸イソプロピル等のアルコキ
シカルボニル化剤；アセチルクロリド、プロピオニルク
ロリド、ベンゾイルクロリド等のカルボン酸誘導体等で
処理することにより、一般式（１４）で表される化合物
に変換することができる。一般式（１８）で表される化
合物は、同様にしてジｔ−ブトキシジカーボネート等に
より、一般式（１９）で表される化合物に変換すること
ができる。
【００３４】更に一般式（１４）で表される化合物は、
そのままか、又は、通常の接触還元により脱保護をする
ことにより、一般式（１５）で表される化合物とした
後、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール；
テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性溶媒を混合
物又は単独に溶媒として用い、好ましくは０．１〜２当
量、更に好ましくは０．２〜０．５当量の炭酸セシウ
ム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、炭
酸カリウム等の塩基で処理することにより、一般式（１
６）で表される化合物に変換することができる。一般式
（１９）で表される化合物も、同様にして一般式（２
０）で表される化合物とした後、一般式（２１）で表さ
れる化合物に変換することができる。
そのままか、又は、通常の接触還元により脱保護をする
ことにより、一般式（１５）で表される化合物とした
後、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール；
テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性溶媒を混合
物又は単独に溶媒として用い、好ましくは０．１〜２当
量、更に好ましくは０．２〜０．５当量の炭酸セシウ
ム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、炭
酸カリウム等の塩基で処理することにより、一般式（１
６）で表される化合物に変換することができる。一般式
（１９）で表される化合物も、同様にして一般式（２
０）で表される化合物とした後、一般式（２１）で表さ
れる化合物に変換することができる。
【００３５】なお、（フローＩ）の工程において、下記
の一般式（２２）で表されるシス型エポキシ誘導体又は
その鏡像体が製造される。
の一般式（２２）で表されるシス型エポキシ誘導体又は
その鏡像体が製造される。
【００３６】
【化３０】
【００３７】式中、Ｒ9 は、ベンジルオキシカルボニル
基又はｔ−ブトキシカルボニル基を表す。また、（フロ
ーＩＩ）の工程で製造される下記の一般式（２３）で表
されるオキサゾリン誘導体又はその鏡像体は、文献未記
載の新規化合物であり、本発明者らにより初めて見いだ
された物質である。
基又はｔ−ブトキシカルボニル基を表す。また、（フロ
ーＩＩ）の工程で製造される下記の一般式（２３）で表
されるオキサゾリン誘導体又はその鏡像体は、文献未記
載の新規化合物であり、本発明者らにより初めて見いだ
された物質である。
【００３８】
【化３１】
【００３９】式中、Ｒ8 は、上記と同じ。Ｒ10は、水素
原子又はＲ6 を表す（Ｒ6 は、前記と同じ。）。
原子又はＲ6 を表す（Ｒ6 は、前記と同じ。）。
【００４０】
【実施例】以下に実施例を掲げて、本発明を更に詳しく
説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるも
のではない。
説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるも
のではない。
【００４１】実施例１２，５−ビス［（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］
−３，４−ジヒドロキシ−１，６−ジフェニルヘキサン
の製造 ５Ｌのガラス製反応容器に亜鉛１８２ｇ、ＴＨＦ２６０
０ｍｌ、Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−フェニルアラ
ニナール２６２ｇを量り込んだ。攪拌下に２６３ｇの四
塩化チタンを２０〜３０℃にて１時間で滴下し、滴下後
更に１時間反応を続けた。飽和重曹水１２００ｍｌ中に
投入して反応を終了させ、１時間攪拌後、有機層を分液
した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、濃縮後にシリカゲ
ルカラムにて精製（ヘキサン／酢酸エチル＝１／１（ｖ
／ｖ））することにより、２，５−ビス［（ベンジルオ
キシカルボニル）アミノ］−３，４−ジヒドロキシ−
１，６−ジフェニルヘキサンを異性体混合物として２８
４ｇ得た。 異性体比率；（２Ｓ，３Ｒ，４Ｒ，５Ｓ）／（２Ｓ，３
Ｓ，４Ｓ，５Ｓ）／（２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ，５Ｓ）＝３０
／５２／１８1 Ｈ−ＮＭＲチャートを図１に、ＩＲチャートを図２に
示した。
−３，４−ジヒドロキシ−１，６−ジフェニルヘキサン
の製造 ５Ｌのガラス製反応容器に亜鉛１８２ｇ、ＴＨＦ２６０
０ｍｌ、Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−フェニルアラ
ニナール２６２ｇを量り込んだ。攪拌下に２６３ｇの四
塩化チタンを２０〜３０℃にて１時間で滴下し、滴下後
更に１時間反応を続けた。飽和重曹水１２００ｍｌ中に
投入して反応を終了させ、１時間攪拌後、有機層を分液
した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、濃縮後にシリカゲ
ルカラムにて精製（ヘキサン／酢酸エチル＝１／１（ｖ
／ｖ））することにより、２，５−ビス［（ベンジルオ
キシカルボニル）アミノ］−３，４−ジヒドロキシ−
１，６−ジフェニルヘキサンを異性体混合物として２８
４ｇ得た。 異性体比率；（２Ｓ，３Ｒ，４Ｒ，５Ｓ）／（２Ｓ，３
Ｓ，４Ｓ，５Ｓ）／（２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ，５Ｓ）＝３０
／５２／１８1 Ｈ−ＮＭＲチャートを図１に、ＩＲチャートを図２に
示した。
【００４２】実施例２２，５−ビス［（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］
−３−Ｏ−ｐ−トルエンスルホニル−３，４−ジヒドロ
キシ−１，６−ジフェニルヘキサンの製造 実施例１で得られた２，５−ビス［（ベンジルオキシカ
ルボニル）アミノ］−３，４−ジヒドロキシ−１，６−
ジフェニルヘキサン７４ｇをＴＨＦ１５００ｍｌに溶解
させ、トリエチルアミン２６ｇ、塩化ｐ−トルエンスル
ホニル３０ｇ、４−ジメチルアミノピリジン６ｇを室温
下に順次添加し、一晩攪拌を続けた。飽和した塩化アン
モニウム水溶液で中和し、食塩を飽和させて有機層を分
液した後、有機層を濃縮した。得られた淡黄色オイルを
シリカゲルカラム（ヘキサン／酢酸エチル＝２／１（ｖ
／ｖ））にて精製し、２，５−ビス［（ベンジルオキシ
カルボニル）アミノ］−３−Ｏ−ｐ−トルエンスルホニ
ル−３，４−ジヒドロキシ−１，６−ジフェニルヘキサ
ンの異性体混合物４７ｇを白色粉末として得た。1Ｈ−
ＮＭＲチャートを図３に、ＩＲチャートを図４に示し
た。
−３−Ｏ−ｐ−トルエンスルホニル−３，４−ジヒドロ
キシ−１，６−ジフェニルヘキサンの製造 実施例１で得られた２，５−ビス［（ベンジルオキシカ
ルボニル）アミノ］−３，４−ジヒドロキシ−１，６−
ジフェニルヘキサン７４ｇをＴＨＦ１５００ｍｌに溶解
させ、トリエチルアミン２６ｇ、塩化ｐ−トルエンスル
ホニル３０ｇ、４−ジメチルアミノピリジン６ｇを室温
下に順次添加し、一晩攪拌を続けた。飽和した塩化アン
モニウム水溶液で中和し、食塩を飽和させて有機層を分
液した後、有機層を濃縮した。得られた淡黄色オイルを
シリカゲルカラム（ヘキサン／酢酸エチル＝２／１（ｖ
／ｖ））にて精製し、２，５−ビス［（ベンジルオキシ
カルボニル）アミノ］−３−Ｏ−ｐ−トルエンスルホニ
ル−３，４−ジヒドロキシ−１，６−ジフェニルヘキサ
ンの異性体混合物４７ｇを白色粉末として得た。1Ｈ−
ＮＭＲチャートを図３に、ＩＲチャートを図４に示し
た。
【００４３】実施例３（２Ｓ、３Ｒ、４Ｓ、５Ｓ）−２，５−ビス［（ベンジ
ルオキシカルボニル）アミノ］−１，６−ジフェニル−
３−ヘキセン−３，４−オキサイドの製造 実施例２で得られた２，５−ビス［（ベンジルオキシカ
ルボニル）アミノ］−３−Ｏ−ｐ−トルエンスルホニル
−３，４−ジヒドロキシ−１，６−ジフェニルヘキサン
３６ｇをメタノール６００ｍｌに溶解後、約５℃でナト
リウムメトキサイド３ｇを添加し、室温にて３０分攪拌
した。塩化アンモニウムの飽和水溶液２００ｍｌで中和
した後、減圧下にメタノールを留去した。得られた濃縮
物を塩化メチレン１Ｌで抽出し、飽和食塩水で洗浄後に
約３００ｍｌまで濃縮し、ジエチルエーテル６００ｍｌ
を添加すると白色結晶が析出した。ヌッチェにて結晶を
濾取し、ジエチルエーテル１００ｍｌで洗浄した後、減
圧下４０℃で乾燥して（２Ｓ、３Ｒ、４Ｓ、５Ｓ）−
２，５−ビス［（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］
−１，６−ジフェニル−３−ヘキセン−３，４−オキサ
イドを２１ｇ得た。1Ｈ−ＮＭＲチャートを図５に、Ｉ
Ｒチャートを図６に示した。
ルオキシカルボニル）アミノ］−１，６−ジフェニル−
３−ヘキセン−３，４−オキサイドの製造 実施例２で得られた２，５−ビス［（ベンジルオキシカ
ルボニル）アミノ］−３−Ｏ−ｐ−トルエンスルホニル
−３，４−ジヒドロキシ−１，６−ジフェニルヘキサン
３６ｇをメタノール６００ｍｌに溶解後、約５℃でナト
リウムメトキサイド３ｇを添加し、室温にて３０分攪拌
した。塩化アンモニウムの飽和水溶液２００ｍｌで中和
した後、減圧下にメタノールを留去した。得られた濃縮
物を塩化メチレン１Ｌで抽出し、飽和食塩水で洗浄後に
約３００ｍｌまで濃縮し、ジエチルエーテル６００ｍｌ
を添加すると白色結晶が析出した。ヌッチェにて結晶を
濾取し、ジエチルエーテル１００ｍｌで洗浄した後、減
圧下４０℃で乾燥して（２Ｓ、３Ｒ、４Ｓ、５Ｓ）−
２，５−ビス［（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］
−１，６−ジフェニル−３−ヘキセン−３，４−オキサ
イドを２１ｇ得た。1Ｈ−ＮＭＲチャートを図５に、Ｉ
Ｒチャートを図６に示した。
【００４４】実施例４（２Ｓ、３Ｒ、４Ｓ、５Ｓ）−２，５−ビス［（ベンジ
ルオキシカルボニル）アミノ］−１，６−ジフェニル−
３−ヘキセン−３，４−オキサイドの製造 実施例２のスルホニル化反応にて、薄層クロマトグラフ
ィーによるチェックで原料のジオールの消失を確認後、
温度約５℃でナトリウムメトキサイド１７ｇを添加し
た。室温にて３０分攪拌した後、塩化アンモニウムの飽
和水溶液５００ｍｌで中和した後、減圧下にＴＨＦを留
去した。得られた濃縮物を塩化メチレン２Ｌで抽出し、
飽和食塩水での洗浄後に濃縮し、シリカゲルカラム（塩
化メチレン／酢酸エチル＝１０／１）で精製し、（２
Ｓ、３Ｒ、４Ｓ、５Ｓ）−２，５−ビス［（ベンジルオ
キシカルボニル）アミノ］−１，６−ジフェニル−３−
ヘキセン−３，４−オキサイドを白色結晶として４５ｇ
得た。
ルオキシカルボニル）アミノ］−１，６−ジフェニル−
３−ヘキセン−３，４−オキサイドの製造 実施例２のスルホニル化反応にて、薄層クロマトグラフ
ィーによるチェックで原料のジオールの消失を確認後、
温度約５℃でナトリウムメトキサイド１７ｇを添加し
た。室温にて３０分攪拌した後、塩化アンモニウムの飽
和水溶液５００ｍｌで中和した後、減圧下にＴＨＦを留
去した。得られた濃縮物を塩化メチレン２Ｌで抽出し、
飽和食塩水での洗浄後に濃縮し、シリカゲルカラム（塩
化メチレン／酢酸エチル＝１０／１）で精製し、（２
Ｓ、３Ｒ、４Ｓ、５Ｓ）−２，５−ビス［（ベンジルオ
キシカルボニル）アミノ］−１，６−ジフェニル−３−
ヘキセン−３，４−オキサイドを白色結晶として４５ｇ
得た。
【００４５】実施例５（２Ｓ、３Ｒ、４Ｓ、５Ｓ）−２，５−ビス［（ベンジ
ルオキシカルボニル）アミノ］−１，６−ジフェニル−
３−ヘキセン−３，４−オキサイドの製造 実施例１で得られた２，５−ビス［（ベンジルオキシカ
ルボニル）アミノ］−３，４−ジヒドロキシ−１，６−
ジフェニルヘキサン５．０ｇをＴＨＦ１００ｍｌに溶解
させ、塩化ｐ−トルエンスルホニル２．０ｇ、６０％純
度の水素化ナトリウム１．１ｇを０〜１０℃で順次添加
し、３時間攪拌を続けた。飽和した塩化アンモウム水溶
液５０ｍｌで中和し、食塩を飽和させて有機層を分液し
た後、有機層を濃縮した。得られた淡黄色オイルをシリ
カゲルカラム（塩化メチレン／酢酸エチル＝１０／１）
で精製し、（２Ｓ、３Ｒ、４Ｓ、５Ｓ）−２，５−ビス
［（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］−１，６−ジ
フェニル−３−ヘキセン−３，４−オキサイドを白色結
晶として１．６ｇ得た。
ルオキシカルボニル）アミノ］−１，６−ジフェニル−
３−ヘキセン−３，４−オキサイドの製造 実施例１で得られた２，５−ビス［（ベンジルオキシカ
ルボニル）アミノ］−３，４−ジヒドロキシ−１，６−
ジフェニルヘキサン５．０ｇをＴＨＦ１００ｍｌに溶解
させ、塩化ｐ−トルエンスルホニル２．０ｇ、６０％純
度の水素化ナトリウム１．１ｇを０〜１０℃で順次添加
し、３時間攪拌を続けた。飽和した塩化アンモウム水溶
液５０ｍｌで中和し、食塩を飽和させて有機層を分液し
た後、有機層を濃縮した。得られた淡黄色オイルをシリ
カゲルカラム（塩化メチレン／酢酸エチル＝１０／１）
で精製し、（２Ｓ、３Ｒ、４Ｓ、５Ｓ）−２，５−ビス
［（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］−１，６−ジ
フェニル−３−ヘキセン−３，４−オキサイドを白色結
晶として１．６ｇ得た。
【００４６】実施例６（２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ，５Ｓ）−２，５−ビス［（ベンジ
ルオキシカルボニル）アミノ］−１，６−ジフェニル−
３−ヘキセン−３，４−オキサイドの製造 実施例１で得られた２，５−ビス［（ベンジルオキシカ
ルボニル）アミノ］−３，４−ジヒドロキシ−１，６−
ジフェニルヘキサンの異性体混合物をＴＨＦ−水系から
結晶化させて単離した（２Ｓ，３Ｒ，４Ｒ，５Ｓ）−
２，５−ビス［（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］
−３，４−ジヒドロキシ−１，６−ジフェニルヘキサン
５ｇを用いて、実施例４と同様の方法で（２Ｓ，３Ｒ，
４Ｓ，５Ｓ）−２，５−ビス［（ベンジルオキシカルボ
ニル）アミノ］−１，６−ジフェニル−３−ヘキセン−
３，４−オキサイド２．８ｇを得た。得られた生成物の
1Ｈ−ＮＭＲチャートは図５に示したものと一致し、Ｉ
Ｒチャートは図６に示したものと一致した。
ルオキシカルボニル）アミノ］−１，６−ジフェニル−
３−ヘキセン−３，４−オキサイドの製造 実施例１で得られた２，５−ビス［（ベンジルオキシカ
ルボニル）アミノ］−３，４−ジヒドロキシ−１，６−
ジフェニルヘキサンの異性体混合物をＴＨＦ−水系から
結晶化させて単離した（２Ｓ，３Ｒ，４Ｒ，５Ｓ）−
２，５−ビス［（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］
−３，４−ジヒドロキシ−１，６−ジフェニルヘキサン
５ｇを用いて、実施例４と同様の方法で（２Ｓ，３Ｒ，
４Ｓ，５Ｓ）−２，５−ビス［（ベンジルオキシカルボ
ニル）アミノ］−１，６−ジフェニル−３−ヘキセン−
３，４−オキサイド２．８ｇを得た。得られた生成物の
1Ｈ−ＮＭＲチャートは図５に示したものと一致し、Ｉ
Ｒチャートは図６に示したものと一致した。
【００４７】実施例７（２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ，５Ｓ）−２，５−ビス［（ベンジ
ルオキシカルボニル）アミノ］−１，６−ジフェニル−
３−ヘキセン−３，４−オキサイドの製造 実施例１で得
られた２，５−ビス［（ベンジルオキシカルボニル）ア
ミノ］− ３，４−ジヒドロキシ−１，６−ジフェニルヘキサンの
異性体混合物から晶析により（Ｓ，Ｒ，Ｒ，Ｓ）体を大
部分除いた後の濾液をシリカゲルカラムにより精製し
（ヘキサン／酢酸エチル＝２／１）、（２Ｓ，３Ｓ，４
Ｓ，５Ｓ）−２，５−ビス［（ベンジルオキシカルボニ
ル）アミノ］−３，４−ジヒドロキシ−１，６−ジフェ
ニルヘキサンを得た。これを５ｇ用いて、実施例４と同
様の方法により（２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ，５Ｓ）−２，５−
ビス［（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］−１，６
−ジフェニル−３−ヘキセン−３，４−オキサイド２．
７ｇを得た。得られた生成物の 1Ｈ−ＮＭＲチャートは
図５に示したものと一致し、ＩＲスペクトルは、図６に
示したものと一致した。
ルオキシカルボニル）アミノ］−１，６−ジフェニル−
３−ヘキセン−３，４−オキサイドの製造 実施例１で得
られた２，５−ビス［（ベンジルオキシカルボニル）ア
ミノ］− ３，４−ジヒドロキシ−１，６−ジフェニルヘキサンの
異性体混合物から晶析により（Ｓ，Ｒ，Ｒ，Ｓ）体を大
部分除いた後の濾液をシリカゲルカラムにより精製し
（ヘキサン／酢酸エチル＝２／１）、（２Ｓ，３Ｓ，４
Ｓ，５Ｓ）−２，５−ビス［（ベンジルオキシカルボニ
ル）アミノ］−３，４−ジヒドロキシ−１，６−ジフェ
ニルヘキサンを得た。これを５ｇ用いて、実施例４と同
様の方法により（２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ，５Ｓ）−２，５−
ビス［（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］−１，６
−ジフェニル−３−ヘキセン−３，４−オキサイド２．
７ｇを得た。得られた生成物の 1Ｈ−ＮＭＲチャートは
図５に示したものと一致し、ＩＲスペクトルは、図６に
示したものと一致した。
【００４８】実施例８（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）−２，５−ビス［（ベンジルオキ
シカルボニル）アミノ］−１，６−ジフェニル−３−ヒ
ドロキシヘキサンの製造 実施例３で得られたエポキシ体５ｇをＴＨＦ１００ｍｌ
に溶解させ、０℃下で水素化リチウムアルミニウム０．
８ｇを添加し、３０分攪拌した。反応液を塩化アンモニ
ウム飽和水溶液５０ｍｌに投入して反応を止め、減圧下
にＴＨＦを留去し、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。
抽出液を濃縮した後、シリカゲルカラムにて精製し（ヘ
キサン／酢酸エチル＝２／１）、（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）
−２，５−ビス［（ベンジルオキシカルボニル）アミ
ノ］−１，６−ジフェニル−３−ヒドロキシヘキサン
５．３ｇを白色粉末として得た。1Ｈ−ＮＭＲチャート
を図７に、ＩＲチャートを図８に示した。
シカルボニル）アミノ］−１，６−ジフェニル−３−ヒ
ドロキシヘキサンの製造 実施例３で得られたエポキシ体５ｇをＴＨＦ１００ｍｌ
に溶解させ、０℃下で水素化リチウムアルミニウム０．
８ｇを添加し、３０分攪拌した。反応液を塩化アンモニ
ウム飽和水溶液５０ｍｌに投入して反応を止め、減圧下
にＴＨＦを留去し、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。
抽出液を濃縮した後、シリカゲルカラムにて精製し（ヘ
キサン／酢酸エチル＝２／１）、（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）
−２，５−ビス［（ベンジルオキシカルボニル）アミ
ノ］−１，６−ジフェニル−３−ヒドロキシヘキサン
５．３ｇを白色粉末として得た。1Ｈ−ＮＭＲチャート
を図７に、ＩＲチャートを図８に示した。
【００４９】実施例９（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）−５−｛［２−（ベンジルオキシ
カルボニル）アミノ］−３−フェニルプロピル｝−４−
ベンジルオキサゾリジン−２−オンの製造 実施例８で得られた（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）−２，５−ビ
ス［（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］−１，６−
ジフェニル−３−ヒドロキシヘキサン２．４ｇをメタノ
ール２５ｍｌに溶解させ、室温下でナトリウムメトキサ
イド０．２３ｇを添加した。室温下で１時間攪拌後、塩
化アンモニウム飽和水溶液５０ｍｌ中へ投入して反応を
止め、減圧下にメタノールを留去し、酢酸エチル２００
ｍｌで抽出した。抽出液を濃縮した後、シリカゲルカラ
ムにて精製（ヘキサン／酢酸エチル＝１／１）し、（２
Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）−５−｛［２−（ベンジルオキシカル
ボニル）アミノ］−３−フェニルプロピル｝−４−ベン
ジルオキサゾリジン−２−オンを白色粉末として１．２
ｇ取得した。1Ｈ−ＮＭＲチャートを図９に、ＩＲチャ
ートを図１０に示した。
カルボニル）アミノ］−３−フェニルプロピル｝−４−
ベンジルオキサゾリジン−２−オンの製造 実施例８で得られた（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）−２，５−ビ
ス［（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］−１，６−
ジフェニル−３−ヒドロキシヘキサン２．４ｇをメタノ
ール２５ｍｌに溶解させ、室温下でナトリウムメトキサ
イド０．２３ｇを添加した。室温下で１時間攪拌後、塩
化アンモニウム飽和水溶液５０ｍｌ中へ投入して反応を
止め、減圧下にメタノールを留去し、酢酸エチル２００
ｍｌで抽出した。抽出液を濃縮した後、シリカゲルカラ
ムにて精製（ヘキサン／酢酸エチル＝１／１）し、（２
Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）−５−｛［２−（ベンジルオキシカル
ボニル）アミノ］−３−フェニルプロピル｝−４−ベン
ジルオキサゾリジン−２−オンを白色粉末として１．２
ｇ取得した。1Ｈ−ＮＭＲチャートを図９に、ＩＲチャ
ートを図１０に示した。
【００５０】実施例１０（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）−５−｛［２−（ベンジルオキシ
カルボニル）アミノ］−３−フェニルプロピル｝−３−
ｔ−ブトキシカルボニル−４−ベンジルオキサゾリジン
−２−オンの製造 実施例９で得られた（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）−５−｛［２
−（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］−３−フェニ
ルプロピル｝−４−ベンジルオキサゾリジン−２−オン
１．０ｇをＴＨＦ３０ｍｌに溶解させ、室温下にジ−ｔ
−ブチルジカーボネート０．６２ｇ、トリエチルアミン
０．２７ｇ、４−ジメチルアミノピリジン０．０５ｇを
順次添加した。室温下に３時間攪拌した後、塩化アンモ
ニウム水溶液５０ｍｌ中へ投入し、反応を止め、減圧下
にＴＨＦを留去した。酢酸エチル１００ｍｌで抽出、濃
縮した後にシリカゲルカラムにて精製（ヘキサン／酢酸
エチル＝２／１）し、（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）−５−
｛［２−（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］−３−
フェニルプロピル｝−３−ｔ−ブトキシカルボニル−４
−ベンジルオキサゾリジン−２−オンを白色粉末として
１．１ｇ取得した。1Ｈ−ＮＭＲチャートを図１１に、
ＩＲチャートを図１２に示した。
カルボニル）アミノ］−３−フェニルプロピル｝−３−
ｔ−ブトキシカルボニル−４−ベンジルオキサゾリジン
−２−オンの製造 実施例９で得られた（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）−５−｛［２
−（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］−３−フェニ
ルプロピル｝−４−ベンジルオキサゾリジン−２−オン
１．０ｇをＴＨＦ３０ｍｌに溶解させ、室温下にジ−ｔ
−ブチルジカーボネート０．６２ｇ、トリエチルアミン
０．２７ｇ、４−ジメチルアミノピリジン０．０５ｇを
順次添加した。室温下に３時間攪拌した後、塩化アンモ
ニウム水溶液５０ｍｌ中へ投入し、反応を止め、減圧下
にＴＨＦを留去した。酢酸エチル１００ｍｌで抽出、濃
縮した後にシリカゲルカラムにて精製（ヘキサン／酢酸
エチル＝２／１）し、（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）−５−
｛［２−（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］−３−
フェニルプロピル｝−３−ｔ−ブトキシカルボニル−４
−ベンジルオキサゾリジン−２−オンを白色粉末として
１．１ｇ取得した。1Ｈ−ＮＭＲチャートを図１１に、
ＩＲチャートを図１２に示した。
【００５１】実施例１１（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）−２−［（ｔ−ブトキシカルボニ
ル）アミノ］−５−［（ベンジルオキシカルボニル）ア
ミノ］−１，６−ジフェニル−３−ヒドロキシヘキサン
の製造 実施例１０で得られた（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）−５−
｛［２−（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］−３−
フェニルプロピル｝−３−ｔ−ブトキシカルボニル−４
−ベンジルオキサゾリジン−２−オン１．０ｇをメタノ
ール１５ｍｌに溶解させ、室温下に炭酸セシウム０．２
４ｇを添加し、３時間攪拌した。塩化アンモニウム水溶
液５０ｍｌ中へ投入し、反応を止め、減圧下にメタノー
ルを留去した。酢酸エチル１００ｍｌで抽出、濃縮した
後にシリカゲルカラムにて精製（ヘキサン／酢酸エチル
＝２／１）し、（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）−２−［（ｔ−ブ
トキシカルボニル）アミノ］−５−［（ベンジルオキシ
カルボニル）アミノ］−１，６−ジフェニル−３−ヒド
ロキシヘキサンを白色粉末として０．５４ｇ取得した。
1Ｈ−ＮＭＲチャートを図１３に、ＩＲチャートを図１
４に示した。
ル）アミノ］−５−［（ベンジルオキシカルボニル）ア
ミノ］−１，６−ジフェニル−３−ヒドロキシヘキサン
の製造 実施例１０で得られた（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）−５−
｛［２−（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］−３−
フェニルプロピル｝−３−ｔ−ブトキシカルボニル−４
−ベンジルオキサゾリジン−２−オン１．０ｇをメタノ
ール１５ｍｌに溶解させ、室温下に炭酸セシウム０．２
４ｇを添加し、３時間攪拌した。塩化アンモニウム水溶
液５０ｍｌ中へ投入し、反応を止め、減圧下にメタノー
ルを留去した。酢酸エチル１００ｍｌで抽出、濃縮した
後にシリカゲルカラムにて精製（ヘキサン／酢酸エチル
＝２／１）し、（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）−２−［（ｔ−ブ
トキシカルボニル）アミノ］−５−［（ベンジルオキシ
カルボニル）アミノ］−１，６−ジフェニル−３−ヒド
ロキシヘキサンを白色粉末として０．５４ｇ取得した。
1Ｈ−ＮＭＲチャートを図１３に、ＩＲチャートを図１
４に示した。
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、一般式（１）で表され
るシス型エポキシ誘導体又はその鏡像体を経由して一般
式（２）で表される１，４−ジアミノブタン−２−オー
ル誘導体を調製し、更に、一般式（２）で表される化合
物の２位アミノ基に５位アミノ基と区別して選択的に保
護基を導入することにより、工業的に適応可能な効率的
かつ経済的に優れた方法でＨＩＶプロテアーゼ阻害剤を
製造するための中間体として有用である光学活性なスレ
オ（Ｓ、Ｓ、Ｓ）配置を有する１，４−ジアミノブタン
−２−オール誘導体を製造することができる。
るシス型エポキシ誘導体又はその鏡像体を経由して一般
式（２）で表される１，４−ジアミノブタン−２−オー
ル誘導体を調製し、更に、一般式（２）で表される化合
物の２位アミノ基に５位アミノ基と区別して選択的に保
護基を導入することにより、工業的に適応可能な効率的
かつ経済的に優れた方法でＨＩＶプロテアーゼ阻害剤を
製造するための中間体として有用である光学活性なスレ
オ（Ｓ、Ｓ、Ｓ）配置を有する１，４−ジアミノブタン
−２−オール誘導体を製造することができる。
【図１】実施例１で得られた２，５−ビス［（ベンジル
オキシカルボニル）アミノ］−３，４−ジヒドロキシ−
１，６−ジフェニルヘキサンの 1Ｈ−ＮＭＲチャートを
示す図。
オキシカルボニル）アミノ］−３，４−ジヒドロキシ−
１，６−ジフェニルヘキサンの 1Ｈ−ＮＭＲチャートを
示す図。
【図２】実施例１で得られた２，５−ビス［（ベンジル
オキシカルボニル）アミノ］−３，４−ジヒドロキシ−
１，６−ジフェニルヘキサンのＩＲチャートを示す図。
オキシカルボニル）アミノ］−３，４−ジヒドロキシ−
１，６−ジフェニルヘキサンのＩＲチャートを示す図。
【図３】実施例２で得られた２，５−ビス［（ベンジル
オキシカルボニル）アミノ］−３−Ｏ−ｐ−トルエンス
ルホニル−３，４−ジヒドロキシ−１，６−ジフェニル
ヘキサンの 1Ｈ−ＮＭＲチャートを示す図。
オキシカルボニル）アミノ］−３−Ｏ−ｐ−トルエンス
ルホニル−３，４−ジヒドロキシ−１，６−ジフェニル
ヘキサンの 1Ｈ−ＮＭＲチャートを示す図。
【図４】実施例２で得られた２，５−ビス［（ベンジル
オキシカルボニル）アミノ］−３−Ｏ−ｐ−トルエンス
ルホニル−３，４−ジヒドロキシ−１，６−ジフェニル
ヘキサンのＩＲチャートを示す図。
オキシカルボニル）アミノ］−３−Ｏ−ｐ−トルエンス
ルホニル−３，４−ジヒドロキシ−１，６−ジフェニル
ヘキサンのＩＲチャートを示す図。
【図５】実施例３で得られた（２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ，５
Ｓ）−２，５−ビス［（ベンジルオキシカルボニル）ア
ミノ］−１，６−ジフェニル−３−ヘキセン−３，４−
オキサイドの 1Ｈ−ＮＭＲチャートを示す図。
Ｓ）−２，５−ビス［（ベンジルオキシカルボニル）ア
ミノ］−１，６−ジフェニル−３−ヘキセン−３，４−
オキサイドの 1Ｈ−ＮＭＲチャートを示す図。
【図６】実施例３で得られた（２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ，５
Ｓ）−２，５−ビス［（ベンジルオキシカルボニル）ア
ミノ］−１，６−ジフェニル−３−ヘキセン−３，４−
オキサイドのＩＲチャートを示す図。
Ｓ）−２，５−ビス［（ベンジルオキシカルボニル）ア
ミノ］−１，６−ジフェニル−３−ヘキセン−３，４−
オキサイドのＩＲチャートを示す図。
【図７】実施例８で得られた（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）−
２，５−ビス［（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］
−１，６−ジフェニル−３−ヒドロキシヘキサンの 1Ｈ
−ＮＭＲチャートを示す図。
２，５−ビス［（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］
−１，６−ジフェニル−３−ヒドロキシヘキサンの 1Ｈ
−ＮＭＲチャートを示す図。
【図８】実施例８で得られた（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）−
２，５−ビス［（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］
−１，６−ジフェニル−３−ヒドロキシヘキサンのＩＲ
チャートを示す図。
２，５−ビス［（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］
−１，６−ジフェニル−３−ヒドロキシヘキサンのＩＲ
チャートを示す図。
【図９】実施例９で得られた（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）−５
−｛［２−（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］−３
−フェニルプロピル｝−４−ベンジルオキサゾリジン−
２−オンの 1Ｈ−ＮＭＲチャートを示す図。
−｛［２−（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］−３
−フェニルプロピル｝−４−ベンジルオキサゾリジン−
２−オンの 1Ｈ−ＮＭＲチャートを示す図。
【図１０】実施例９で得られた（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）−
５−｛［２−（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］−
３−フェニルプロピル｝−４−ベンジルオキサゾリジン
−２−オンのＩＲチャートを示す図。
５−｛［２−（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］−
３−フェニルプロピル｝−４−ベンジルオキサゾリジン
−２−オンのＩＲチャートを示す図。
【図１１】実施例１０で得られた（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）
−５−｛［２−（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］
−３−フェニルプロピル｝−３−ｔ−ブトキシカルボニ
ル−４−ベンジルオキサゾリジン−２−オンの 1Ｈ−Ｎ
ＭＲチャートを示す図。
−５−｛［２−（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］
−３−フェニルプロピル｝−３−ｔ−ブトキシカルボニ
ル−４−ベンジルオキサゾリジン−２−オンの 1Ｈ−Ｎ
ＭＲチャートを示す図。
【図１２】実施例１０で得られた（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）
−５−｛［２−（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］
−３−フェニルプロピル｝−３−ｔ−ブトキシカルボニ
ル−４−ベンジルオキサゾリジン−２−オンのＩＲチャ
ートを示す図。
−５−｛［２−（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］
−３−フェニルプロピル｝−３−ｔ−ブトキシカルボニ
ル−４−ベンジルオキサゾリジン−２−オンのＩＲチャ
ートを示す図。
【図１３】実施例１１で得られた（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）
−２−［（ｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−５−
［（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］−１，６−ジ
フェニル−３−ヒドロキシヘキサンの 1Ｈ−ＮＭＲチャ
ートを示す図。
−２−［（ｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−５−
［（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］−１，６−ジ
フェニル−３−ヒドロキシヘキサンの 1Ｈ−ＮＭＲチャ
ートを示す図。
【図１４】実施例１１で得られた（２Ｓ，３Ｓ，５Ｓ）
−２−［（ｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−５−
［（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］−１，６−ジ
フェニル−３−ヒドロキシヘキサンのＩＲチャートを示
す図。
−２−［（ｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−５−
［（ベンジルオキシカルボニル）アミノ］−１，６−ジ
フェニル−３−ヒドロキシヘキサンのＩＲチャートを示
す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 215/28 Ｃ０７Ｄ 263/22
Claims (10)
- 【請求項１】 一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1 は、アルキル基、アラルキル基又はアリー
ル基を表す。Ｒ2 、Ｒ3は、独立して、水素原子又はア
ミノ基保護基を表す。ただし、Ｒ2 及びＲ3 が同時に水
素原子である場合を除く。）で表されるシス型エポキシ
誘導体又はその鏡像体を、金属水素化物を用いて立体特
異的に還元することを特徴とする一般式（２） 【化２】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は、前記と同じ。）で表され
る１，４−ジアミノブタン−２−オール誘導体又はその
鏡像体の製造法。 - 【請求項２】 金属水素化物が、水素化アルミニウムリ
チウムである請求項１記載の製造法。 - 【請求項３】 Ｒ1 が、ベンジル基であり、Ｒ2 が、水
素原子であり、かつ、Ｒ3 が、ベンジルオキシカルボニ
ル基である請求項１又は２記載の製造法。 - 【請求項４】 Ｒ1 が、ベンジル基であり、Ｒ2 が、水
素原子であり、かつ、Ｒ3 が、ｔ−ブトキシカルボニル
基である請求項１又は２記載の製造法。 - 【請求項５】 一般式（３） 【化３】 （式中、Ｒ1 は、アルキル基、アラルキル基又はアリー
ル基を表す。Ｒ2 、Ｒ3は、独立して、水素原子又はア
ミノ基保護基を表す。ただし、Ｒ2 及びＲ3 が同時に水
素原子である場合を除く。）で表される光学活性α−ア
ミノアルデヒド誘導体又はその鏡像体を、還元ホモカッ
プリングすることにより、一般式（４） 【化４】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は、前記と同じ。）で表され
る化合物若しくはその鏡像体に変換した後、塩基の存在
下にモノスルホニル化することにより、一般式（５） 【化５】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は、前記と同じ。Ｒ4 は、ア
ルキル基、アラルキル基又はアリール基を表す。）で表
される化合物若しくはその鏡像体に変換した後環化する
か、又は、前記一般式（４）で表される化合物若しくは
その鏡像体を塩基の存在下にモノスルホニル化する反応
系中で、前記一般式（５）で表される化合物若しくはそ
の鏡像体を経由しながら環化することにより、一般式
（６） 【化６】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は、前記と同じ。）で表され
る化合物又はその鏡像体に変換し、その後、前記一般式
（６）で表される化合物又はその鏡像体を還元すること
を特徴とする一般式（７） 【化７】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は、前記と同じ。）で表され
るジアミノブタンモノオール誘導体又はその鏡像体の製
造法。 - 【請求項６】 一般式（３） 【化８】 （式中、Ｒ1 は、アルキル基、アラルキル基又はアリー
ル基を表す。Ｒ2 、Ｒ3は、独立して、水素原子又はア
ミノ基保護基を表す。ただし、Ｒ2 及びＲ3 が同時に水
素原子である場合を除く。）で表されるα−アミノアル
デヒド誘導体又はその鏡像体を還元ホモカップリングす
ることにより、一般式（８） 【化９】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は、前記と同じ。）で表され
る１，４−ジアミノブタン−２−オール誘導体若しくは
その鏡像体、又は、一般式（９） 【化１０】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は、前記と同じ。）で表され
る１，４−ジアミノブタン−２−オール誘導体若しくは
その鏡像体に変換し、その後、前記一般式（８）で表さ
れる化合物若しくはその鏡像体、又は、前記一般式
（９）で表される化合物若しくはその鏡像体を、塩基の
存在下にモノスルホニル化することにより、一般式（１
０） 【化１１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は、前記と同じ。Ｒ4 は、ア
ルキル基、アラルキル基又はアリール基を表す。）で表
される化合物若しくはその鏡像体、又は、一般式（１
１） 【化１２】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は、前記と同じ。）で
表される化合物若しくはその鏡像体に変換し、その後、
前記一般式（１０）で表される化合物若しくはその鏡像
体、又は、前記一般式（１１）で表される化合物若しく
はその鏡像体を、塩基で処理することにより、一般式
（１） 【化１３】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は、前記と同じ。）で表され
るシス型エポキシ誘導体又はその鏡像体に変換し、その
後、前記一般式（１）で表される化合物又はその鏡像体
を、金属水素化物を用いて立体特異的に還元することを
特徴とする一般式（２） 【化１４】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は、前記と同じ。）で表され
る１，４−ジアミノブタン−２−オール誘導体又はその
鏡像体の製造法。 - 【請求項７】 一般式（１２） 【化１５】 （式中、Ｒ1 は、アルキル基、アラルキル基又はアリー
ル基を表す。Ｒ5 は、置換されていてもよいベンジル基
を表す。）で表される化合物又はその鏡像体を、塩基で
処理することにより、一般式（１３） 【化１６】 （式中、Ｒ1 、Ｒ5 は、前記と同じ。）で表される化合
物又はその鏡像体に変換した後、前記一般式（１３）で
表される化合物又はその鏡像体を、塩基の存在下にアル
コキシカルボニル化又はアシル化することにより、一般
式（１４） 【化１７】 （式中、Ｒ1 、Ｒ5 は、前記と同じ。Ｒ6 は、Ｒ7 −Ｃ
＝Ｏ（式中、Ｒ7 は、アルキル基又はアルコキシル基を
表す。）を表す。）で表される化合物又はその鏡像体に
変換し、その後、前記一般式（１４）で表される化合物
又はその鏡像体を、接触還元で脱保護するか又は脱保護
せずに、一般式（１５） 【化１８】 （式中、Ｒ1 、Ｒ6 は、前記と同じ。Ｒ8 は、水素原子
又はＣＯ2 Ｒ5 を表す。）で表される化合物又はその鏡
像体に変換し、その後、前記一般式（１５）で表される
化合物又はその鏡像体を、塩基で処理することを特徴と
する一般式（１６） 【化１９】 （式中、Ｒ1 、Ｒ6 、Ｒ8 は、前記と同じ。）で表され
る化合物又はその鏡像体の製造法。 - 【請求項８】 一般式（１７） 【化２０】 （式中、Ｒ1 は、アルキル基、アラルキル基又はアリー
ル基を表す。Ｒ5 は、置換されていてもよいベンジル基
を表す。）で表される化合物又はその鏡像体を塩基で処
理することにより、一般式（１８） 【化２１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ5 は、前記と同じ。）で表される化合
物又はその鏡像体に変換した後、前記一般式（１８）で
表される化合物又はその鏡像体を塩基の存在下にｔ−ブ
トキシカルボニル化することにより、一般式（１９） 【化２２】 （式中、Ｒ1 、Ｒ5 は、前記と同じ。Ｂｏｃは、ｔ−ブ
トキシカルボニル基を表す。）で表される化合物又はそ
の鏡像体に変換し、その後、前記一般式（１９）で表さ
れる化合物又はその鏡像体を、接触還元して脱保護する
か又は脱保護せずに一般式（２０） 【化２３】 （式中、Ｒ1 、Ｂｏｃは、前記と同じ。Ｒ8 は、水素原
子又はＣＯ2 Ｒ5 （Ｒ5は、前記と同じ。）を表す。）
で表される化合物又はその鏡像体に変換し、その後、前
記一般式（２０）で表される化合物又はその鏡像体を、
塩基で処理することを特徴とする一般式（２１） 【化２４】 （式中、Ｒ1 、Ｒ8 、Ｂｏｃは、前記と同じ。）で表さ
れる化合物又はその鏡像体の製造法。 - 【請求項９】 一般式（２２） 【化２５】 （式中、Ｒ9 は、ベンジルオキシカルボニル基又はｔ−
ブトキシカルボニル基を表す。）で表されることを特徴
とするシス型エポキシ誘導体又はその鏡像体。 - 【請求項１０】 一般式（２３） 【化２６】 （式中、Ｒ8 は、水素原子又はＣＯ2 Ｒ5 （Ｒ5 は、置
換されていてもよいベンジル基を表す。）を表す。Ｒ10
は、水素原子又はＲ6 を表す（Ｒ6 は、Ｒ7 −Ｃ＝Ｏ
（式中、Ｒ7 は、アルキル基又はアルコキシル基を表
す。）を表す。）。）で表されることを特徴とするオキ
サゾリン誘導体又はその鏡像体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6230604A JPH0867663A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | １，４−ジアミノブタン−２−オール誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6230604A JPH0867663A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | １，４−ジアミノブタン−２−オール誘導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0867663A true JPH0867663A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16910360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6230604A Pending JPH0867663A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | １，４−ジアミノブタン−２−オール誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0867663A (ja) |
-
1994
- 1994-08-30 JP JP6230604A patent/JPH0867663A/ja active Pending
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