JPH0864749A - Lead frame - Google Patents
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- JPH0864749A JPH0864749A JP6200865A JP20086594A JPH0864749A JP H0864749 A JPH0864749 A JP H0864749A JP 6200865 A JP6200865 A JP 6200865A JP 20086594 A JP20086594 A JP 20086594A JP H0864749 A JPH0864749 A JP H0864749A
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に用いられ
るリードフレームに係り、特にアイランド部にディンプ
ル加工を施してなるリードフレームに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame used in a semiconductor device, and more particularly to a lead frame having an island portion subjected to dimple processing.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体装置は、リードフレーム
のアイランド部に半導体素子を搭載した後、リードフレ
ームの各リード部の内端と上記半導体素子の各電極とを
ワイヤで接続し、更にこれらアイランド部、半導体素
子、リード部の内端及びワイヤを樹脂で封止することに
より形成される。この場合における上記リードフレーム
のアイランド部と封止樹脂との接着強度の向上等を図る
ために、上記リードフレームのアイランド部に複数のデ
ィンプル（窪み）を加工することが一般に行われている
（特開昭５５−１６０４４９号公報、特開平５−１０９
９７１号公報、特開平５−２１８２７５号公報等参
照）。2. Description of the Related Art Generally, in a semiconductor device, after mounting a semiconductor element on an island portion of a lead frame, the inner end of each lead portion of the lead frame and each electrode of the semiconductor element are connected by a wire, and these islands are further connected. It is formed by sealing the portion, the semiconductor element, the inner end of the lead portion and the wire with resin. In this case, in order to improve the adhesion strength between the island portion of the lead frame and the sealing resin, it is generally performed to process a plurality of dimples (recesses) on the island portion of the lead frame (special feature). JP-A-55-160449, JP-A-5-109
971 and JP-A-5-218275).
【０００３】上記リードフレームのアイランド部にディ
ンプル加工を施す方法としては、金型を用いたプレス成
型による加工方法と、エッチングによる加工方法とがあ
る。前者のプレス成型による加工方法は、後者のエッチ
ングによる加工方法と比べて製造コストの低減が図れる
利点を有している。また、従来のリードフレームにおい
ては、図８に示すようにアイランド部３の周縁部にディ
ンプル７の加工が施されない無加工部９を比較的広い幅
で残して、アイランド部３の中央領域にのみディンプル
７の加工が施されていた。As a method of performing dimple processing on the island portion of the lead frame, there are a processing method by press molding using a mold and a processing method by etching. The former processing method by press molding has an advantage that the manufacturing cost can be reduced as compared with the latter processing method by etching. Further, in the conventional lead frame, as shown in FIG. 8, the unprocessed portion 9 in which the dimples 7 are not processed is left in the peripheral portion of the island portion 3 with a relatively wide width, and only the central region of the island portion 3 is left. The dimple 7 had been processed.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のリードフレームにおいては、アイランド部に施
したプレス成型によるディンプル加工に起因してアイラ
ンド部に反りが発生するという問題があった。これは、
アイランド部におけるディンプル加工を施した部分の材
料がプレス成型時に図８に矢印で示す方向に伸びるのに
対して、無加工部である周縁部の材料が伸びないため、
アイランド部に残留応力が生じるためである。このた
め、リードフレームの大半が、エッチングによりディン
プル加工されているのが現状であり、製造コストの増大
を余儀なくされていた。However, the above-described conventional lead frame has a problem that the island portion is warped due to the dimple processing by the press molding applied to the island portion. this is,
The material of the dimple-processed portion of the island portion extends in the direction shown by the arrow in FIG. 8 during press molding, whereas the material of the peripheral portion that is the unprocessed portion does not extend.
This is because residual stress occurs in the island portion. For this reason, most of the lead frames are currently dimple-processed by etching, which inevitably increases the manufacturing cost.
【０００５】本発明の目的は、上記問題点を解決し、ア
イランド部の反りの低減が図れると共に、製造コストの
低減が図れるリードフレームを提供することにある。An object of the present invention is to solve the above problems and to provide a lead frame capable of reducing the warp of the island portion and reducing the manufacturing cost.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１記載のリードフレームは、アイランド部にデ
ィンプル加工を施してなるリードフレームにおいて、上
記アイランド部の周縁部におけるディンプル加工が施さ
れない無加工部の幅を０．１mm以下にしたことを特徴と
する。In order to achieve the above object, a lead frame according to a first aspect of the present invention is a lead frame in which an island portion is dimple-processed, and a peripheral edge portion of the island portion is not dimple-processed. The width of the unprocessed portion is 0.1 mm or less.
【０００７】請求項２記載のリードフレームは、アイラ
ンド部にディンプル加工を施してなるリードフレームに
おいて、上記アイランド部の周縁部におけるディンプル
加工が施されない無加工部を残さずにアイランド部の周
縁部を含む全域にディンプル加工を均等に施してなるこ
とを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in a lead frame in which an island portion is dimple-processed, a peripheral edge portion of the island portion is formed without leaving an unprocessed portion in the peripheral edge portion of the island portion which is not dimple-processed. It is characterized in that the entire area including the dimples is uniformly applied.
【０００８】請求項３記載のリードフレームは、アイラ
ンド部にディンプル加工を施してなるリードフレームに
おいて、上記アイランド部の周縁部に適宜間隔で圧痕を
施してなることを特徴とする。A lead frame according to a third aspect of the present invention is a lead frame in which an island portion is dimple-processed, and indentations are formed at appropriate intervals on a peripheral portion of the island portion.
【０００９】[0009]
【作用】請求項１記載のリードフレームによれば、アイ
ランド部の周縁部の無加工部の幅が０．１mm以下と狭く
したため、アイランド部にプレス成型によりディンプル
加工を施しても、ディンプル加工部の材料の伸びに追従
して周縁部の材料も伸びるようになり、アイランド部の
残留応力が低減する。従って、アイランド部の反りの低
減が図れ、また、プレス成型でディンプル加工を施せる
ことから、リードフレームの製造コストの低減が図れ
る。According to the lead frame of the present invention, since the width of the unprocessed part at the peripheral edge of the island part is narrower than 0.1 mm, even if the island part is dimple-processed by press molding, the dimple-processed part The peripheral material also expands following the expansion of the material, and the residual stress in the island is reduced. Therefore, the warp of the island portion can be reduced, and since the dimple processing can be performed by press molding, the manufacturing cost of the lead frame can be reduced.
【００１０】請求項２記載のリードフレームによれば、
アイランド部の周縁部に無加工部を残さずにアイランド
部の周縁部を含む全域にディンプル加工を均等に施して
いるため、アイランド部の全域が均等に伸びるようにな
り、アイランド部の残留応力が低減若しくは生じない。
従って、アイランド部の反りの低減ないし解消が図れ、
また、プレス成型でディンプル加工を施せることから、
リードフレームの製造コストの低減が図れる。According to the lead frame of claim 2,
Since the entire area including the peripheral edge of the island is uniformly dimple-processed without leaving any unprocessed area on the peripheral edge of the island, the entire area of the island becomes evenly stretched and residual stress in the island is reduced. Reduced or never occur.
Therefore, it is possible to reduce or eliminate the warp of the island portion,
Also, since dimple processing can be applied by press molding,
The manufacturing cost of the lead frame can be reduced.
【００１１】請求項３記載のリードフレームによれば、
アイランド部の周縁部に適宜間隔で圧痕を施しているた
め、ディンプル加工部の材料の伸びに対して周縁部の材
料も圧痕の加工により伸びてバランスするようになり、
アイランド部の残留応力が低減若しくは解消する。従っ
て、アイランド部の反りの低減ないし解消が図れ、ま
た、プレス成型でディンプル加工及び圧痕を施せること
から、リードフレームの製造コストの低減が図れる。According to the lead frame of claim 3,
Since the indentations are given to the peripheral edge of the island portion at appropriate intervals, the material of the peripheral edge portion is stretched and balanced by the indentation processing with respect to the elongation of the material of the dimple processing part,
Residual stress in the island is reduced or eliminated. Therefore, the warp of the island portion can be reduced or eliminated, and since dimple processing and indentation can be performed by press molding, the manufacturing cost of the lead frame can be reduced.
【００１２】[0012]
【実施例】以下に、本発明の実施例を添付図面に基いて
詳述する。Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.
【００１３】図２において、１は帯状に連続した金属薄
板の打抜き加工により形成されるリードフレームであ
り、このリードフレーム１には形成すべき半導体装置よ
りも大きい方形の枠部２が長手方向に隣接して形成され
る。上記枠部２の中央には半導体素子を搭載するための
方形のアイランド部３が上下の連結部４を介して形成さ
れ、枠部２には上記アイランド部３の四辺から非接触で
放射状に配されたリード部５が形成される。このような
リードフレーム１の製造工程において、上記アイランド
部３の半導体素子が搭載される面とは反対側の面には、
図４に示すような金型６を用いたプレス成型によって図
３ないし図１に示すようなディンプル７の加工が施され
る。上記金型６は、上記ディンプル７を加工するための
例えば角錐形状のパンチ部８を縦横所定の配列にて複数
有し、これらパンチ部８を上記アイランド部３の加工面
に押圧することによりディンプル７を均等の間隔で加工
するように構成されている。In FIG. 2, reference numeral 1 denotes a lead frame formed by punching a continuous metal thin plate in a strip shape. The lead frame 1 has a rectangular frame portion 2 which is larger than the semiconductor device to be formed in the longitudinal direction. Formed adjacently. A rectangular island portion 3 for mounting a semiconductor element is formed in the center of the frame portion 2 via upper and lower connecting portions 4, and the frame portion 2 is arranged radially from the four sides of the island portion 3 in a non-contact manner. The formed lead portion 5 is formed. In the manufacturing process of such a lead frame 1, the surface of the island portion 3 opposite to the surface on which the semiconductor element is mounted is
The dimples 7 as shown in FIGS. 3 to 1 are processed by press molding using a mold 6 as shown in FIG. The die 6 has a plurality of, for example, pyramid-shaped punch portions 8 for machining the dimples 7 in a predetermined vertical and horizontal arrangement, and the punch portions 8 are pressed against the processed surface of the island portion 3 to form the dimples. 7 are processed at equal intervals.
【００１４】そして、本実施例では、図１に示すように
上記アイランド部の周縁部におけるディンプル７の加工
が施されない無加工部９の幅ｗが０．１mm以下に設定さ
れている。すなわち、上記無加工部９の幅ｗを０．１mm
以下とすることにより、ディンプル加工部の材料の伸び
１０ａに対して無加工部９の材料の張力が負け、無加工
部９の材料もディンプル加工部の材料の伸び１０ａに追
従して伸びる１０ｂようになる。従って、ディンプル加
工部の伸び１０ａを周縁部で拘束する拘束力が低減する
ことから、アイランド部３の残留応力が低減し、アイラ
ンド部３の反り変形の低減が図れるようになっている。Further, in this embodiment, as shown in FIG. 1, the width w of the unprocessed portion 9 where the dimple 7 is not processed in the peripheral portion of the island portion is set to 0.1 mm or less. That is, the width w of the unprocessed portion 9 is 0.1 mm.
By the following, the tension of the material of the non-processed portion 9 is lost against the elongation 10a of the material of the dimple processed portion, and the material of the non-processed portion 9 also extends 10b following the elongation 10a of the material of the dimple processed portion. become. Therefore, since the restraining force for restraining the extension 10a of the dimple processed portion at the peripheral portion is reduced, the residual stress of the island portion 3 is reduced and the warp deformation of the island portion 3 can be reduced.
【００１５】このように構成されたリードフレーム１を
用いて半導体装置を製造する場合には、図５に示すよう
にアイランド部３のディンプル加工面とは反対側の面に
半導体素子１１を搭載した後、リードフレーム１の各リ
ード部５の内端と上記半導体素子１１の各電極とをワイ
ヤ１２で接続する。上記アイランド部３、半導体素子１
１、リード部５の内端及びワイヤ１２を樹脂１３で封止
した後、リードフレーム１の枠部２からリード部５を切
り離すことにより半導体装置１４が得られる。そして、
この半導体装置１４においては、アイランド部３にディ
ンプル加工が施されているため、リードフレーム１のア
イランド部３と封止樹脂１３との接着強度の向上等が図
れる。In the case of manufacturing a semiconductor device using the lead frame 1 thus constructed, the semiconductor element 11 is mounted on the surface of the island portion 3 opposite to the dimple processed surface, as shown in FIG. After that, the inner end of each lead portion 5 of the lead frame 1 and each electrode of the semiconductor element 11 are connected by a wire 12. The island portion 3 and the semiconductor element 1
1. The semiconductor device 14 is obtained by sealing the inner end of the lead portion 5 and the wire 12 with the resin 13, and then separating the lead portion 5 from the frame portion 2 of the lead frame 1. And
In the semiconductor device 14, since the island portion 3 is dimple-processed, the adhesion strength between the island portion 3 of the lead frame 1 and the sealing resin 13 can be improved.
【００１６】上記構成からなるリードフレーム１におい
ては、アイランド部３の周縁部の無加工部９の幅ｗが
０．１mm以下と狭くされているため、アイランド部３に
プレス成型によりディンプル７の加工を施しても、ディ
ンプル加工部の材料の伸びに追従して周縁部の材料も伸
びるようになり、アイランド部３の残留応力が低減す
る。従って、アイランド部３の反りの低減が図れ、ま
た、プレス成型でディンプル７の加工を施せることか
ら、リードフレーム１の製造コストの低減が図れる。In the lead frame 1 having the above structure, since the width w of the unprocessed portion 9 at the peripheral edge of the island portion 3 is narrower than 0.1 mm, the dimples 7 are processed on the island portion 3 by press molding. Even if it is applied, the material of the peripheral portion also expands following the expansion of the material of the dimple processed portion, and the residual stress of the island portion 3 is reduced. Therefore, the warp of the island portion 3 can be reduced, and since the dimples 7 can be processed by press molding, the manufacturing cost of the lead frame 1 can be reduced.
【００１７】図６は、本発明に係るリードフレームの他
の実施例を部分的に示している。本実施例のリードフレ
ーム１は、アイランド部３の周縁部に無加工部を残さず
にアイランド部３の周縁部を含む全域にプレス成型によ
りディンプル７の加工が均等に施されている。従って、
上記リードフレーム１においては、アイランド部３の周
縁部を含む全域にディンプル加工が均等に施されること
により、アイランド部３の周縁部を含む全域が均等に伸
びるようになるため、アイランド部３の反りの低減ない
し解消が図れる。また、プレス成型でアイランド部の全
域にディンプル７の加工を施せることから、リードフレ
ーム１の製造コストの低減が図れる。FIG. 6 partially shows another embodiment of the lead frame according to the present invention. In the lead frame 1 of this embodiment, the dimples 7 are uniformly processed by press molding over the entire area including the peripheral edge of the island portion 3 without leaving a non-processed portion on the peripheral edge of the island portion 3. Therefore,
In the lead frame 1, since the entire area including the peripheral portion of the island portion 3 is uniformly dimple-processed, the entire area including the peripheral portion of the island portion 3 is evenly extended. The warp can be reduced or eliminated. Further, since the dimples 7 can be processed in the entire area of the island portion by press molding, the manufacturing cost of the lead frame 1 can be reduced.
【００１８】図７は、本発明に係るリードフレームの他
の実施例を部分的に示している。本実施例のリードフレ
ーム１は、アイランド部３の周縁部を除く中央領域にプ
レス成型によりディンプル７の加工が均等に施されると
共に、アイランド部３の周縁部に適宜間隔で圧痕１５が
施されている。なお、上記圧痕１５は、ディンプル７の
加工の前若しくは後に施すようにしてもよいが、残留応
力によるアイランド部３の変形（反り）を十分に防止す
るためには、ディンプル加工と同時に圧痕１５の加工を
行うようにする方が好ましい。この場合、ディンプル加
工用の金型に圧痕形成用の押圧部を設けておくことによ
り、ディンプル７の加工と同時に圧痕１５の加工を行う
ことが可能となる。FIG. 7 partially shows another embodiment of the lead frame according to the present invention. In the lead frame 1 of the present embodiment, the dimples 7 are uniformly processed by press molding in the central region of the island portion 3 excluding the peripheral edge portion, and indentations 15 are formed at appropriate intervals on the peripheral edge portion of the island portion 3. ing. The indentations 15 may be applied before or after the processing of the dimples 7, but in order to sufficiently prevent the deformation (warpage) of the island portion 3 due to the residual stress, the indentations 15 should be formed simultaneously with the dimple processing. It is preferable to carry out processing. In this case, it is possible to process the dimples 7 and the indentations 15 at the same time as the dimples 7 are formed by providing the die for dimple processing with a pressing portion for forming the indentations.
【００１９】本実施例のリードフレーム１においては、
アイランド部３の周縁部に適宜間隔で圧痕１５が施され
しているため、ディンプル加工部の材料の伸びに対して
周縁部の材料も圧痕１５の加工により伸びてバランスす
るようになり、アイランド部３の反りの低減ないし解消
が図れる。また、プレス成型でディンプル７の加工及び
圧痕１５の加工を施せることから、リードフレーム１の
製造コストの低減が図れる。In the lead frame 1 of this embodiment,
Since the indentations 15 are formed on the peripheral edge of the island portion 3 at appropriate intervals, the material of the peripheral edge portion also extends and balances with the elongation of the material of the dimple processed portion by the indentation 15 processing. The warp of 3 can be reduced or eliminated. Further, since the dimple 7 and the indentation 15 can be processed by press molding, the manufacturing cost of the lead frame 1 can be reduced.
【００２０】[0020]
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果が得られる。In summary, according to the present invention, the following excellent effects can be obtained.
【００２１】（１）請求項１記載のリードフレームによ
れば、アイランド部の周縁部の無加工部の幅を０．１mm
以下と狭くしたため、アイランド部にプレス成型により
ディンプル加工を施しても、ディンプル加工部の材料の
伸びに追従して周縁部の材料も伸びるようになり、アイ
ランド部の反りの低減が図れ、また、プレス成型でディ
ンプル加工を施せることから、リードフレームの製造コ
ストの低減が図れる。(1) According to the lead frame of the first aspect, the width of the unprocessed portion at the peripheral portion of the island portion is 0.1 mm.
Since it is narrowed as follows, even if dimple processing is performed on the island part by press molding, the material of the peripheral part also expands following the expansion of the material of the dimple processed part, and it is possible to reduce the warp of the island part. Since the dimple processing can be performed by press molding, the manufacturing cost of the lead frame can be reduced.
【００２２】（２）請求項２記載のリードフレームによ
れば、アイランド部の周縁部に無加工部を残さずにアイ
ランド部の周縁部を含む全域にディンプル加工を均等に
施しているため、アイランド部の全域が均等に伸びるよ
うになり、アイランド部の反りの低減ないし解消が図
れ、また、プレス成型でディンプル加工を施せることか
ら、リードフレームの製造コストの低減が図れる。(2) According to the lead frame of the second aspect, since the entire area including the peripheral edge of the island portion is uniformly dimple-processed without leaving an unprocessed portion on the peripheral edge of the island portion, the island is formed. Since the entire area of the portion is evenly stretched, the warp of the island portion can be reduced or eliminated, and since the dimple processing can be performed by press molding, the manufacturing cost of the lead frame can be reduced.
【００２３】（３）請求項３記載のリードフレームによ
れば、アイランド部の周縁部に適宜間隔で圧痕を施して
いるため、ディンプル加工部の材料の伸びに対して周縁
部の材料も圧痕の加工により伸びてバランスするように
なり、アイランド部の反りの低減ないし解消が図れ、ま
た、プレス成型でディンプル加工及び圧痕を施せること
から、リードフレームの製造コストの低減が図れる。(3) According to the lead frame of the third aspect, since the indentations are formed at appropriate intervals on the peripheral edge of the island portion, the material on the peripheral edge is also indented with respect to the elongation of the material of the dimple-processed portion. By processing, it stretches and becomes balanced, so that the warp of the island part can be reduced or eliminated, and since dimple processing and indentation can be performed by press molding, the manufacturing cost of the lead frame can be reduced.
【図１】本発明に係るリードフレームの一実施例を示す
部分的平面図である。FIG. 1 is a partial plan view showing an embodiment of a lead frame according to the present invention.
【図２】リードフレームの概略的平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view of a lead frame.
【図３】図２のリードフレームにおけるアイランド部の
拡大平面図である。FIG. 3 is an enlarged plan view of an island portion in the lead frame of FIG.
【図４】リードフレームのアイランド部にディンプル加
工を施す金型を示す部分部拡大断面図である。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a portion showing a die for dimple-processing the island portion of the lead frame.
【図５】半導体装置の概略的断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor device.
【図６】本発明に係るリードフレームの他の実施例を示
す部分的平面図である。FIG. 6 is a partial plan view showing another embodiment of the lead frame according to the present invention.
【図７】本発明に係るリードフレームの他の実施例を示
す部分的平面図である。FIG. 7 is a partial plan view showing another embodiment of the lead frame according to the present invention.
【図８】従来のリードフレームにおけるアイランド部の
ディンプル加工状態を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a dimple processing state of an island portion in a conventional lead frame.
１ リードフレーム ３ アイランド部 ７ ディンプル ９ 無加工部 １５ 圧痕 1 Lead frame 3 Island part 7 Dimple 9 Unprocessed part 15 Indentation
Claims (3)
るリードフレームにおいて、上記アイランド部の周縁部
におけるディンプル加工が施されない無加工部の幅を
０．１mm以下にしたことを特徴とするリードフレーム。1. A lead frame having a dimple process applied to an island part, wherein a width of an unprocessed part of the peripheral part of the island part which is not processed is 0.1 mm or less.
るリードフレームにおいて、上記アイランド部の周縁部
におけるディンプル加工が施されない無加工部を残さず
にアイランド部の周縁部を含む全域にディンプル加工を
均等に施してなることを特徴とするリードフレーム。2. In a lead frame having a dimple process applied to an island part, the dimple process is evenly performed over the entire area including the peripheral part of the island part without leaving a non-processed part in the peripheral part of the island part not subjected to the dimple process. Lead frame characterized by being applied to.
るリードフレームにおいて、上記アイランド部の周縁部
に適宜間隔で圧痕を施してなることを特徴とするリード
フレーム。3. A lead frame in which an island portion is dimple-processed, wherein the peripheral edge portion of the island portion is indented at appropriate intervals.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6200865A JPH0864749A (en) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | Lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6200865A JPH0864749A (en) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | Lead frame |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864749A true JPH0864749A (en) | 1996-03-08 |
Family
ID=16431514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6200865A Pending JPH0864749A (en) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | Lead frame |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0864749A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013157536A (en) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Lead frame, metho of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same |
| JP2014138170A (en) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Sh Materials Co Ltd | Semiconductor element mounting substrate and manufacturing method of the same |
-
1994
- 1994-08-25 JP JP6200865A patent/JPH0864749A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013157536A (en) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Lead frame, metho of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same |
| JP2014138170A (en) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Sh Materials Co Ltd | Semiconductor element mounting substrate and manufacturing method of the same |
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