JPH0863790A - Optical disk - Google Patents
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- JPH0863790A JPH0863790A JP6199819A JP19981994A JPH0863790A JP H0863790 A JPH0863790 A JP H0863790A JP 6199819 A JP6199819 A JP 6199819A JP 19981994 A JP19981994 A JP 19981994A JP H0863790 A JPH0863790 A JP H0863790A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は基板と金属反射膜との密
着性に優れた光ディスクに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical disc having excellent adhesion between a substrate and a metal reflective film.
【0002】[0002]
【従来の技術】現在、光ディスク基板用材料としてガラ
スとプラスチック(樹脂)が用いられているが、軽量・
加工の容易さ・量産性などの理由から後者の利用が主と
なっている。その中でも、アクリル系樹脂は光学的特性
が極めて優れており、現在、レーザーディスク等に使用
されている。2. Description of the Related Art Currently, glass and plastic (resin) are used as materials for optical disk substrates, but they are lightweight and
The latter is mainly used because of its ease of processing and mass productivity. Among them, acrylic resins have extremely excellent optical characteristics and are currently used in laser disks and the like.
【0003】レーザーディスクなどの光ディスクは、表
面にピットを持った樹脂基板上に反射膜としてアルミニ
ウムやアルミニウム合金等の金属膜を付けたものであ
る。光ディスク用樹脂基板上に金属反射膜を形成する方
法は、主として真空蒸着法とスパッタリング法がある。An optical disk such as a laser disk is a resin substrate having pits on its surface and a metal film such as aluminum or aluminum alloy attached as a reflective film. As a method of forming a metal reflective film on a resin substrate for optical disks, there are mainly a vacuum vapor deposition method and a sputtering method.
【0004】スパッタリング法は、生産性が良いなどの
利点を有しているが、アクリル系樹脂基板を用いた場
合、スパッタリング法では、密着性良好な反射膜を得る
ことができないという問題を有している。The sputtering method has advantages such as high productivity, but when an acrylic resin substrate is used, the sputtering method has a problem that a reflective film having good adhesion cannot be obtained. ing.
【0005】そのために、アクリル系樹脂基板を用いた
場合、従来から、真空蒸着法が基板上への金属反射膜形
成に用いられている。Therefore, when an acrylic resin substrate is used, a vacuum evaporation method has been conventionally used for forming a metal reflective film on the substrate.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の背景
に基づきなされたものであり、その目的とするところ
は、軽量・加工の容易さ・量産性に優れたアクリル系樹
脂基板に、生産性が良好なスパッタリング法により、密
着性良好な反射膜を形成した光ディスクを提供すること
にある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made based on the above background, and an object of the present invention is to produce an acrylic resin substrate which is lightweight, easy to process, and excellent in mass productivity. Another object of the present invention is to provide an optical disc having a reflective film having good adhesion formed by a sputtering method having good properties.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の要旨とするとこ
ろは、基板ホルダとターゲットとの間にリング状補助電
極を設けたスパッタリング装置、又は、基板ホルダ上
に、基板側面全体に接触する形状で、基板の厚みよりも
高い厚みを有するリング状の導電性支持枠材を設けたス
パッタリング装置により、アクリル系樹脂基板上に、ア
ルミニウム又はアルミニウム合金の金属反射膜を形成し
ていることを特徴とする光ディスクにある。The gist of the present invention is to provide a sputtering device having a ring-shaped auxiliary electrode between a substrate holder and a target, or a shape in which the entire side surface of the substrate is contacted on the substrate holder. In addition, the metal reflective film of aluminum or aluminum alloy is formed on the acrylic resin substrate by a sputtering device provided with a ring-shaped conductive support frame material having a thickness higher than that of the substrate. It is on the optical disc.
【0008】本発明において用いられるスパッタリング
方法とは、真空槽内に導入したアルゴンなどの不活性ガ
スをイオン化し、それを電圧を印加したターゲットと呼
ばれる固体表面に衝突させ固体粒子を叩きだし、基板上
に膜を形成する方法である。プラズマを発生させる方法
により直流スパッタリング、高周波スパッタリング等に
分けられ、本発明はいずれの方法に適用しても差し支え
ない。The sputtering method used in the present invention is to ionize an inert gas such as argon introduced into a vacuum chamber, collide it with a solid surface called a target to which a voltage is applied, and knock out solid particles to produce a substrate. This is a method of forming a film on top. The method of generating plasma is classified into direct current sputtering, high frequency sputtering and the like, and the present invention can be applied to any method.
【0009】本発明におけるスパッタリング装置は、基
板ホルダとターゲットとの間に補助電極、又は、基板ホ
ルダ上に、基板側面全体に接触する形状で、基板の厚み
よりも高い厚みを有するリング状の導電性支持枠材を設
けたものが使用される。The sputtering apparatus according to the present invention is a ring-shaped conductive member having a shape in which the auxiliary electrode is provided between the substrate holder and the target, or the entire side surface of the substrate is in contact with the substrate holder and has a thickness higher than that of the substrate. A material provided with a sexual support frame material is used.
【0010】基板ホルダとターゲットとの間に補助電極
を設ける場合、補助電極の設置場所としては特に限定さ
れるものではないが、通常、基板ホルダとターゲットと
の中間部近傍に設置される。When the auxiliary electrode is provided between the substrate holder and the target, the place where the auxiliary electrode is installed is not particularly limited, but it is usually installed near the intermediate portion between the substrate holder and the target.
【0011】補助電極の形状としてはリング状であれば
特に限定されるものではないが、通常、基板と同程度の
直径を有するものが使用される。The shape of the auxiliary electrode is not particularly limited as long as it is ring-shaped, but a material having a diameter similar to that of the substrate is usually used.
【0012】また、補助電極の材質としては、導電性の
良好なものであれば特に限定されるものではなく、例え
ば、銅や銅合金等が挙げられる。The material of the auxiliary electrode is not particularly limited as long as it has good conductivity, and examples thereof include copper and copper alloys.
【0013】補助電極に与える電位は装置の仕様やプラ
ズマ発生方法等に応じて任意に設定することができ、正
電位だけに限らず負電位に設定、又は接地することも可
能である。The potential applied to the auxiliary electrode can be arbitrarily set according to the specifications of the apparatus, the plasma generation method, etc., and not only the positive potential but also the negative potential can be set or grounded.
【0014】本発明においては、補助電極を設置する代
わりに、基板ホルダ上にリング状の導電性支持枠材を設
ける方法でも本発明の目的を達成することが可能であ
る。In the present invention, the object of the present invention can be achieved by a method of providing a ring-shaped conductive support frame material on the substrate holder instead of installing the auxiliary electrode.
【0015】上記導電性支持枠材は、図2に示すよう
に、基板の側面部全体と接触していることが必要であ
る。As shown in FIG. 2, the conductive support frame member needs to be in contact with the entire side surface of the substrate.
【0016】また、導電性支持枠材の厚みは基材の厚み
よりも高いこと、好ましくは5〜10mm、が必要であ
る。Further, the thickness of the conductive supporting frame material is required to be higher than the thickness of the base material, preferably 5 to 10 mm.
【0017】導電性支持枠材の材質としては、補助電極
同様、導電性の良好なものであれば特に限定されるもの
ではなく、例えば、銅や銅合金等が挙げられる。The material of the conductive support frame material is not particularly limited as long as it has good conductivity like the auxiliary electrode, and examples thereof include copper and copper alloys.
【0018】本発明における反射膜は、アルミニウム又
はアルミニウム合金が使用されるが、必要に応じて反射
膜の基板との界面付近が少なくとも酸化されたアルミニ
ウム又はアルミニウム合金である多層構造膜を使用して
も良い。Aluminum or an aluminum alloy is used for the reflecting film in the present invention. If necessary, a multilayer structure film in which at least the vicinity of the interface of the reflecting film with the substrate is oxidized aluminum or aluminum alloy is used. Is also good.
【0019】通常、アクリル基板上に形成する反射膜の
膜厚を厚くしすぎると密着性は低下する傾向にあるが、
反射膜がアルミニウム又はアルミニウム合金である場合
に比べ、反射膜が基板界面付近が酸化されたアルミニウ
ム又はアルミニウム合金であると、より高い密着性改善
効果が得られるため、反射膜としてアルミニウム、アル
ミニウム合金を形成した場合に比べ、より厚い膜厚の反
射膜を密着性良く形成することが可能であり、反射膜と
して必要とされる膜の厚さに応じて、適宜、形成する膜
を選択することができる。Usually, if the thickness of the reflective film formed on the acrylic substrate is too large, the adhesion tends to decrease,
Compared with the case where the reflective film is aluminum or an aluminum alloy, when the reflective film is aluminum or an aluminum alloy in which the vicinity of the substrate interface is oxidized, a higher adhesion improving effect can be obtained. It is possible to form a reflective film having a larger film thickness with better adhesiveness than in the case where the film is formed, and the film to be formed can be appropriately selected according to the thickness of the film required as the reflective film. it can.
【0020】尚、上記多層構造反射膜を使用する場合、
アルミニウム又はアルミニウム合金の酸化膜とアルミニ
ウム又はアルミニウム合金膜との2層構造のものでも、
これら2種の金属組成が連続的に変化した多層構造のも
ののいずれでもよい。When using the above-mentioned multilayer structure reflection film,
Even with a two-layer structure of an aluminum or aluminum alloy oxide film and an aluminum or aluminum alloy film,
It may have a multi-layered structure in which the metal composition of these two kinds is continuously changed.
【0021】アルミニウム又はアルミニウム合金の酸化
膜の厚みとしては、通常、50〜150オングストロー
ム程度である。The thickness of the oxide film of aluminum or aluminum alloy is usually about 50 to 150 angstroms.
【0022】本発明において、アルミニウム又はアルミ
ニウム合金の酸化膜を形成する方法としては、アルミニ
ウム酸化膜又はアルミニウム合金酸化膜からなるターゲ
ットを用いて成膜する方法、アルミニウム又はアルミニ
ウム合金からなるターゲットを用い、成膜中にアルミニ
ウム酸化膜又はアルミニウム合金酸化膜に変えて成膜す
る方法等が挙げられる。In the present invention, as a method of forming an aluminum or aluminum alloy oxide film, a method of forming a film using a target made of an aluminum oxide film or an aluminum alloy oxide film, a target made of aluminum or an aluminum alloy, Examples include a method of forming an aluminum oxide film or an aluminum alloy oxide film during film formation.
【0023】本発明において、アクリル樹脂基板として
は、(メタ)アクリル酸エステルを含有する単量体から
得られる公知の樹脂基板が用いられ、例えば、メタクリ
ル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピ
ル、メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸フェニ
ル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸ノルボルニ
ル、メタクリル酸ノルボルニルメチル、メタクリル酸イ
ソボルニル等のメタクリル酸エステル等のメタクリル酸
エステル類の(共)重合体、又は、これらとアクリル酸
メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アク
リル酸シクロヘキシル、アクリル酸フェニル、アクリル
酸ベンジル、アクリル酸ノルボニル、アクリル酸ノルボ
ニルメチル、アクリル酸イソノルボニル、等のアクリル
酸エステル類、N−シクロヘキシルマレイミド、N−フ
ェニルマレイミド、N−クロロフェニルマレイミド、N
−メチルフェニルマレイミド、N−ブロモフェニルマレ
イミド等の酸無水物類との共重合体が挙げられる。In the present invention, as the acrylic resin substrate, a known resin substrate obtained from a monomer containing a (meth) acrylic acid ester is used, and examples thereof include methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate. (Co) polymers of methacrylic acid esters such as methacrylic acid esters such as cyclohexyl methacrylate, phenyl methacrylate, benzyl methacrylate, norbornyl methacrylate, norbornyl methyl methacrylate and isobornyl methacrylate, or acrylic acid with these. Acrylic acid esters such as methyl, ethyl acrylate, propyl acrylate, cyclohexyl acrylate, phenyl acrylate, benzyl acrylate, norbornyl acrylate, norbornyl methyl acrylate, isonorbornyl acrylate, N- Black hexyl maleimide, N- phenylmaleimide, N- chlorophenyl maleimide, N
Examples thereof include copolymers with acid anhydrides such as -methylphenylmaleimide and N-bromophenylmaleimide.
【0024】特に、アクリル樹脂基板がメタクリル酸エ
ステル単量体単位50モル%以上の重合体からなる場
合、従来法では密着性良好なアルミニウム又はアルミニ
ウム合金の金属反射膜を形成することが困難となる傾向
が強いため、著しい密着性の向上が達成される。In particular, when the acrylic resin substrate is made of a polymer having a methacrylic acid ester monomer unit of 50 mol% or more, it is difficult to form a metal reflection film of aluminum or aluminum alloy having good adhesion by the conventional method. Due to the strong tendency, a significant improvement in adhesion is achieved.
【0025】アクリル基板上に形成する膜をアルミニウ
ム又はアルミニウム合金とした場合に比べ、基板界面付
近が酸化されたアルミニウム又はアルミニウム合金膜と
した場合、アクリル基板がメタクリル酸エステル単量体
単位50モル%以上の重合体からなる場合は勿論、特
に、アクリル基板がメタクリル酸エステル単量体単位8
0モル%以上の重合体からなる時に、より顕著な密着性
向上効果が得られる。Compared to the case where the film formed on the acrylic substrate is aluminum or an aluminum alloy, when the aluminum or aluminum alloy film in which the vicinity of the substrate interface is oxidized is used, the acrylic substrate has a methacrylic acid ester monomer unit of 50 mol%. Of course, when the acrylic substrate is made of the above-mentioned polymer, the acrylic substrate is particularly a methacrylic acid ester monomer unit 8
When it is composed of 0 mol% or more of the polymer, a more remarkable effect of improving the adhesiveness can be obtained.
【0026】[0026]
【実施例】本発明を以下の実施例により、具体的に説明
する。EXAMPLES The present invention will be specifically described with reference to the following examples.
【0027】<実施例1>メタクリル酸メチル90重量
%とアクリル酸メチル10重量%からなる共重合体を使
用して得られる射出成形基板上に、図1に示すように、
基板ホルダとターゲット間に80ボルトの電位を持った
陽極の電極を設けたスパッタリング装置(基本仕様:日
本真空技術(株)製、SBH−2304)により、真空
槽内にアルゴンガスを導入し、φ4”アルミニウムター
ゲットに直流電圧を印加し、成膜速度1100オングス
トローム/分で、膜厚500オングストロームのアルミ
ニウム膜を形成した。Example 1 As shown in FIG. 1, on an injection-molded substrate obtained by using a copolymer consisting of 90% by weight of methyl methacrylate and 10% by weight of methyl acrylate,
With a sputtering device (basic specifications: SBH-2304, manufactured by Nippon Vacuum Technology Co., Ltd.) provided with an anode electrode having a potential of 80 V between the substrate holder and the target, argon gas was introduced into the vacuum chamber to obtain φ4. A direct current voltage was applied to the aluminum target to form an aluminum film having a film thickness of 500 angstrom at a film forming rate of 1100 angstrom / min.
【0028】得られた金属膜についての密着性を評価す
るために以下の剥離テストを実施した処、アルミニウム
膜は全く剥離せず、密着性は良好であった。When the following peeling test was carried out to evaluate the adhesiveness of the obtained metal film, the aluminum film was not peeled at all and the adhesiveness was good.
【0029】<剥離テスト>粘着テープ(ニチバン
(株):「セロテープ」使用)の粘着面をアルミニウム
膜に密着させ、勢いよく引き剥し、剥離性のレベルを評
価した。<Peel Test> The adhesive surface of an adhesive tape (Nichiban Co., Ltd .: “Cellotape” used) was brought into close contact with the aluminum film, and was peeled off vigorously to evaluate the level of peelability.
【0030】<実施例2>スパッタリング装置を、補助
電極を設けるかわりに、図2に示すように、アクリル樹
脂基板を導電性支持枠材にはめ込んだ状態として使用す
る以外は実施例1と同様に基板上にアルミニウム膜を成
膜して密着性の評価を行った処、アルミニウム膜は全く
剥離せず、密着性は良好であった。<Embodiment 2> The same as Embodiment 1 except that the sputtering apparatus is used as shown in FIG. 2 in which an acrylic resin substrate is fitted in a conductive supporting frame material, instead of providing an auxiliary electrode. When an aluminum film was formed on the substrate and the adhesion was evaluated, the aluminum film was not peeled at all, and the adhesion was good.
【0031】<実施例3>実施例1と同様の射出成形基
板上に、実施例1と同様のスパッタリング装置を用い、
空槽内にアルゴンガスを導入し、φ4”アルミナターゲ
ットに高周波(13.56MHz)を印加し、成膜速度
70オングストローム/分で、第1層としてアルミナ
(酸化アルミニウム)薄膜50オングストローム、φ
4”アルミニウムターゲットに直流電圧を印加し、成膜
速度1100オングストローム/分で第2層としてアル
ミニウム膜900オングストロームを順次形成し、全体
の膜厚950オングストロームの金属膜を基板上に形成
させ、密着性の評価を行った処、積層膜は全く剥離せ
ず、密着性は良好であった。<Example 3> On the same injection-molded substrate as in Example 1, the same sputtering apparatus as in Example 1 was used.
Argon gas was introduced into the empty tank, a high frequency (13.56 MHz) was applied to a φ4 ″ alumina target, and a film formation rate was 70 Å / min, and an alumina (aluminum oxide) thin film was 50 Å as the first layer.
A DC voltage was applied to a 4 ″ aluminum target, a 900 Å aluminum film was sequentially formed as a second layer at a film formation rate of 1100 Å / min, and a metal film having a total film thickness of 950 Å was formed on the substrate to provide adhesion. When the evaluation was made, the laminated film was not peeled at all, and the adhesion was good.
【0032】<実施例4>メタクリル酸メチル単量体4
8重量%とアクリル酸シクロヘキシル単量体32重量%
とN−シクロヘキシルマレイミド単量体20重量%から
なる共重合体の射出成形基板を用い、アルミニウムの膜
厚を900オングストロームとしたこと以外は実施例1
と同様に成膜して密着性の評価をした。その結果アルミ
ニウム膜は全く剥離せず、密着性は良好であった。<Example 4> Methyl methacrylate monomer 4
8% by weight and cyclohexyl acrylate monomer 32% by weight
Example 1 except that an injection-molded substrate of a copolymer consisting of 20% by weight of N-cyclohexylmaleimide monomer and an aluminum film thickness of 900 Å was used.
A film was formed in the same manner as in, and the adhesion was evaluated. As a result, the aluminum film was not peeled at all, and the adhesion was good.
【0033】<比較例1>補助電極を設けないこと以外
は実施例1と同様にして、実施例1と同様の膜厚を有す
る金属膜を基板上に成膜して密着性を評価した処、アル
ミニウム膜は大部分剥離してしまった。Comparative Example 1 A metal film having the same thickness as in Example 1 was formed on the substrate in the same manner as in Example 1 except that the auxiliary electrode was not provided, and the adhesion was evaluated. Most of the aluminum film was peeled off.
【0034】<比較例2>導電性支持枠材を使用しない
こと以外は実施例2と同様にして、実施例2と同様の厚
みのアルミニウム膜を基板上に成膜して密着性を評価し
た処、アルミニウム膜は大部分剥離してしまった。Comparative Example 2 An aluminum film having the same thickness as in Example 2 was formed on a substrate in the same manner as in Example 2 except that the conductive supporting frame material was not used, and the adhesion was evaluated. At this point, most of the aluminum film was peeled off.
【0035】<比較例3>補助電極を設けないこと以外
は実施例3と同様にして、実施例3と同様の厚みの積層
膜を基板上に成膜して密着性を評価した処、積層膜は大
部分剥離してしまった。Comparative Example 3 A laminated film having the same thickness as in Example 3 was formed on the substrate in the same manner as in Example 3 except that the auxiliary electrode was not provided, and the adhesion was evaluated. The film has largely peeled off.
【0036】[0036]
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明で得られ
る光ディスクはメタクリル系樹脂基板を用いてもスパッ
タリング法で密着性に優れたアルミニウム又はアルミニ
ウム合金の反射膜が成膜されたものであり、従来の真空
蒸着法による成膜に比べ、インライン化が可能になる、
装置の所用スペースが小さくなる等、生産コストを低減
でき、その効果は極めて大きいものである。As described above in detail, the optical disk obtained by the present invention has a reflective film of aluminum or aluminum alloy excellent in adhesion by a sputtering method even if a methacrylic resin substrate is used. Yes, compared to the conventional vacuum deposition method, in-line is possible,
The production cost can be reduced because the space required for the device is reduced, and the effect is extremely large.
【図1】図1は、本発明で用いられる補助電極を設けた
スパッタリング装置の1実施例の縦断面概略図を示す。FIG. 1 is a schematic vertical sectional view of an embodiment of a sputtering apparatus provided with an auxiliary electrode used in the present invention.
【図2】図2は、本発明で用いられる導電性支持枠材を
設けたスパッタリング装置の1実施例の縦断面概略図を
示す。FIG. 2 is a schematic vertical cross-sectional view of one embodiment of a sputtering apparatus provided with a conductive support frame material used in the present invention.
1:ガス導入口 2:真空槽 3:基板ホルダ 4:ターゲット 5:補助電極 6:基板 7:カソード 8:排気口 9:電源 10:電源 11:導電性支持枠材 1: Gas introduction port 2: Vacuum tank 3: Substrate holder 4: Target 5: Auxiliary electrode 6: Substrate 7: Cathode 8: Exhaust port 9: Power source 10: Power source 11: Conductive support frame material
Claims (3)
状補助電極を設けたスパッタリング装置、又は、基板ホ
ルダ上に、基板側面全体に接触する形状で、基板の厚み
よりも高い厚みを有するリング状の導電性支持枠材を設
けたスパッタリング装置により、アクリル系樹脂基板上
に、アルミニウム又はアルミニウム合金の金属反射膜を
形成していることを特徴とする光ディスク。1. A sputtering device in which a ring-shaped auxiliary electrode is provided between a substrate holder and a target, or a ring shape having a shape in contact with the entire side surface of the substrate on the substrate holder and having a thickness higher than the thickness of the substrate. An optical disc having a metal reflection film of aluminum or aluminum alloy formed on an acrylic resin substrate by a sputtering device provided with the conductive support frame material.
が、反射膜の基板との界面付近が少なくとも酸化された
アルミニウム又はアルミニウム合金である多層構造膜で
あることを特徴とする請求項1記載の光ディスク。2. The multi-layer structure film, wherein the reflective film formed on the acrylic resin substrate is aluminum or an aluminum alloy in which at least the interface between the reflective film and the substrate is oxidized. Optical disc.
テル単量体の比率が50モル%以上の重合体からなる請
求項1または2記載の光ディスク。3. The optical disk according to claim 1, wherein the acrylic resin substrate is made of a polymer having a methacrylic acid ester monomer ratio of 50 mol% or more.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6199819A JPH0863790A (en) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | Optical disk |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6199819A JPH0863790A (en) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | Optical disk |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0863790A true JPH0863790A (en) | 1996-03-08 |
Family
ID=16414174
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6199819A Pending JPH0863790A (en) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | Optical disk |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0863790A (en) |
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1994
- 1994-08-24 JP JP6199819A patent/JPH0863790A/en active Pending
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